JPH04252049A - ウエハ貼付け方法 - Google Patents

ウエハ貼付け方法

Info

Publication number
JPH04252049A
JPH04252049A JP3001351A JP135191A JPH04252049A JP H04252049 A JPH04252049 A JP H04252049A JP 3001351 A JP3001351 A JP 3001351A JP 135191 A JP135191 A JP 135191A JP H04252049 A JPH04252049 A JP H04252049A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
dicing
tape
dicing tape
pellets
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3001351A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Yasutake
浩之 安武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP3001351A priority Critical patent/JPH04252049A/ja
Publication of JPH04252049A publication Critical patent/JPH04252049A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウエハ貼付け方法に関し
、特にダイシング前に２段階にダイシングテープの拡張
を行なうウエハ貼付け方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のウエハ貼付け方法は、図２の貼付
けフローの断面図に示すように、まず同図（ａ）におい
て、ダイシングテープ２を拡張してその上からフレーム
３を貼付け、次いで同図（ｂ）に示すように、その状態
でウエハ１をダイシングテープ２に貼付け、その後同図
（ｃ）に示すように、ブレード４でダイシングを行なっ
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のウエハ貼付
け方法は、ダイシングテープを１回拡張させただけでフ
レームで固定し、そこへウエハを貼付けているため、ウ
エハを貼付ける部分もその外側部分も全面均一な張力と
なっており、この状態でウエハを貼付けているため、ダ
イシングを行なってもテープはそのままの状態を維持し
、従ってペレット間隔はブレード幅（数十μｍ）しかな
く、マウント工程でペレットのピックアップが困難であ
った。そのため、ピックアップを容易にするために、ペ
レットマウント前にダイシングテープを拡大してペレッ
ト間隔を広げる工程が必要となっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のダイシングテー
プを拡張し、この拡張したダイシングテープにウエハを
貼付け、ウエハを貼付けたまま更にダイシングテープを
拡張し、ウエハ貼付け部とその外側部分とのダイシング
テープの拡張量を２段階に拡張することによってダイシ
ングテープに張力差を与えるようにした貼付け方法であ
る。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
【０００６】図１は本発明の一実施例の貼付けフロー及
びワーク状態を示す断面図である。
【０００７】まず同図（ａ）において、ダイシングテー
プ２を拡張し、その上からウエハ１を貼付ける。
【０００８】次いで同図（ｂ）において、さらに図（ａ
）の場合よりも引き伸ばして拡張量を大きくし、フレー
ム３を貼付ける。
【０００９】その後同図（ｃ）のように、ブレード４に
てダイシングを行なう。
【００１０】その結果、ウエハの貼付け部より、その外
側部分のダイシングテープの張力が強くなることによっ
て、ダイシング後、ダイシングテープの２段階の張力差
で自動的にペレット間隔が広がり、ペレットマウント前
のテープ拡大の工程が不要になる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウエハ貼
付け部とその外側部分とのダイシングテープに２段階の
張力差を与えることにより、ダイシング後、自動的にペ
レット間隔が広がる為、ペレットマウント前のテープ拡
大工程が不要になるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の貼付けフロー及びワーク状
態の断面図で、同図（ａ）〜（ｃ）はそのフロー順を示
す。
【図２】従来のウエハ貼付け方法の貼付けフロー及びワ
ーク状態の断面図で、同図（ａ）〜（ｃ）はそのフロー
順を示す。
【符号の説明】
１　　　　ウエハ ２　　　　ダイシングテープ ３　　　　フレーム ４　　　　ブレード

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　ダイシングテープにウエハを貼付け、
    ダイシングによりウエハをペレットに分離する際のウエ
    ハ貼付け方法において、ダイシングテープを拡張し、こ
    の拡張したダイシングテープにウエハを貼付け、ウエハ
    を貼付けたまま更にダイシングテープを拡張し、ウエハ
    貼付け部とその外側部分とのダイシングテープの拡張量
    を変えることを特徴とするウエハ貼付け方法。
JP3001351A 1991-01-10 1991-01-10 ウエハ貼付け方法 Pending JPH04252049A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3001351A JPH04252049A (ja) 1991-01-10 1991-01-10 ウエハ貼付け方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3001351A JPH04252049A (ja) 1991-01-10 1991-01-10 ウエハ貼付け方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04252049A true JPH04252049A (ja) 1992-09-08

Family

ID=11499074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3001351A Pending JPH04252049A (ja) 1991-01-10 1991-01-10 ウエハ貼付け方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04252049A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6462274B1 (en) 1998-10-31 2002-10-08 Amkor Technology, Inc. Chip-scale semiconductor package of the fan-out type and method of manufacturing such packages
US20090166808A1 (en) * 2004-03-30 2009-07-02 Takeshi Sakamoto Laser processing method and semiconductor chip
CN105308726A (zh) * 2013-02-14 2016-02-03 等离子瑟姆有限公司 用于对半导体晶片进行等离子体切片的方法和设备
US10600670B2 (en) * 2017-01-03 2020-03-24 Infineon Technologies Ag Frame mounting after foil expansion

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6462274B1 (en) 1998-10-31 2002-10-08 Amkor Technology, Inc. Chip-scale semiconductor package of the fan-out type and method of manufacturing such packages
US20090166808A1 (en) * 2004-03-30 2009-07-02 Takeshi Sakamoto Laser processing method and semiconductor chip
US8946055B2 (en) * 2004-03-30 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method for cutting substrate and laminate part bonded to the substrate
CN105308726A (zh) * 2013-02-14 2016-02-03 等离子瑟姆有限公司 用于对半导体晶片进行等离子体切片的方法和设备
US10600670B2 (en) * 2017-01-03 2020-03-24 Infineon Technologies Ag Frame mounting after foil expansion

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2866453B2 (ja) エキスパンドテープ及びチップ部品の実装方法
US7675170B2 (en) Removable wafer expander for die bonding equipment
US5762744A (en) Method of producing a semiconductor device using an expand tape
JPH0725463B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04252049A (ja) ウエハ貼付け方法
JPH0252705A (ja) 半導体ウェーハの分割方法
JPH07122583A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JPH04293253A (ja) 半導体ウエハの粘着テープ貼付け装置
US6383606B2 (en) Semiconductor wafer diaphragm
JPH05198671A (ja) 半導体ウェハーのダイシング方法
JPH0855824A (ja) 半導体ウエハのテープ貼付け方法
JPS59139645A (ja) ウエ−ハ支持装置
JPS63276240A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3529274B2 (ja) 半導体素子の製造方法
JP2564084B2 (ja) 半導体ウエハの回収方法
JPS63160346A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2560378Y2 (ja) 半導体製造装置
JPS61116856A (ja) 半導体基板の分離方法
JPH04317355A (ja) 半導体ウェハの分離方法
JP2850896B2 (ja) 半導体チップ接着装置及び半導体装置の製造方法
JPS60224236A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2713512B2 (ja) テープ伸張装置
JPS6342143A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05251558A (ja) ワーク分離装置
JPH06224164A (ja) 半導体ウエハの製造方法