JP3529274B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
方法に関し、半導体チップを粘着シート上に貼り付けそ
れをエッチング及び洗浄・乾燥する工程に適用できる半
導体素子の製造方法に関するものである。
方法に関し、半導体チップを粘着シート上に貼り付けそ
れをエッチング及び洗浄・乾燥する工程に適用できる半
導体素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体の製造方法における
各工程を概略的に示した図である。従来の半導体の製造
方法は、図示のように、半導体ウエハ保持治具１にワッ
クス２等を使用して半導体ウエハ３を貼り付ける貼り付
け工程（工程Ａ）、ダイシングによりＰ／Ｎ接合の分割
を行うダイシング工程（工程Ｂ）、その後そのままの状
態（半導体ウエハを保持治具に貼り付けた状態）でダイ
シングにより生じた歪みを除去するための、エッチング
→水洗→乾燥の処理工程（工程Ｃ）、半導体ウエハを保
持治具から取り外し、半導体ウエハに付着したワックス
を溶剤等を使用して除去する半導体ウエハ取り外し工程
（工程Ｄ）、Ｐ／Ｎ接合の分割を行った半導体ウエハの
特性検査を行い、半導体ウエハの表面が粘着シート４側
になる様に粘着シート４を貼り付け、個々の半導体チッ
プに分割した際に半導体チップを保持できるようにする
貼り付け工程（工程Ｅ）、半導体ウエハを個々の半導体
チップに分割するために、半導体ウエハ裏面よりスクラ
イブを行うチップ分割工程（工程Ｆ）、分割した半導体
チップを拡大可能な粘着シート５に転写する転写工程１
（工程Ｇ）、チップ間の間隔を最終出荷形態の拡大率ま
で拡大する拡大工程（工程Ｈ）、半導体チップの表面及
び裏面の外観検査を行うチップの外観検査工程（工程
Ｉ）、出荷用シート６に転写する転写工程２（工程
Ｊ）、から成っている。
各工程を概略的に示した図である。従来の半導体の製造
方法は、図示のように、半導体ウエハ保持治具１にワッ
クス２等を使用して半導体ウエハ３を貼り付ける貼り付
け工程（工程Ａ）、ダイシングによりＰ／Ｎ接合の分割
を行うダイシング工程（工程Ｂ）、その後そのままの状
態（半導体ウエハを保持治具に貼り付けた状態）でダイ
シングにより生じた歪みを除去するための、エッチング
→水洗→乾燥の処理工程（工程Ｃ）、半導体ウエハを保
持治具から取り外し、半導体ウエハに付着したワックス
を溶剤等を使用して除去する半導体ウエハ取り外し工程
（工程Ｄ）、Ｐ／Ｎ接合の分割を行った半導体ウエハの
特性検査を行い、半導体ウエハの表面が粘着シート４側
になる様に粘着シート４を貼り付け、個々の半導体チッ
プに分割した際に半導体チップを保持できるようにする
貼り付け工程（工程Ｅ）、半導体ウエハを個々の半導体
チップに分割するために、半導体ウエハ裏面よりスクラ
イブを行うチップ分割工程（工程Ｆ）、分割した半導体
チップを拡大可能な粘着シート５に転写する転写工程１
（工程Ｇ）、チップ間の間隔を最終出荷形態の拡大率ま
で拡大する拡大工程（工程Ｈ）、半導体チップの表面及
び裏面の外観検査を行うチップの外観検査工程（工程
Ｉ）、出荷用シート６に転写する転写工程２（工程
Ｊ）、から成っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の工程におい
て、ダイシングにより生じた歪みをエッチングにより除
去する際、従来の方法では、図３のＢ工程を拡大した図
４に示すように、チップ間の間隔はダイシング溝幅分
（２０〜３０μｍ）しかなく狭いため、エッチング液が
ダイシング面に浸透し難く、その結果歪みが十分に除去
出来ない部分が発生し、半導体チップの特性及び信頼性
等が低下するという問題がある。また同様の理由から、
エッチング後の水洗、乾燥工程に於ても十分に洗浄及び
乾燥出来ない部分が発生し、半導体チップの特性、信頼
性等の低下及び洗浄、乾燥不足による半導体チップの表
面汚れという問題が生ずる。
て、ダイシングにより生じた歪みをエッチングにより除
去する際、従来の方法では、図３のＢ工程を拡大した図
４に示すように、チップ間の間隔はダイシング溝幅分
（２０〜３０μｍ）しかなく狭いため、エッチング液が
ダイシング面に浸透し難く、その結果歪みが十分に除去
出来ない部分が発生し、半導体チップの特性及び信頼性
等が低下するという問題がある。また同様の理由から、
エッチング後の水洗、乾燥工程に於ても十分に洗浄及び
乾燥出来ない部分が発生し、半導体チップの特性、信頼
性等の低下及び洗浄、乾燥不足による半導体チップの表
面汚れという問題が生ずる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、粘着
シート上に貼り付けた半導体ウエハをダイシングにより
半導体チップに分割する工程を含む半導体素子の製造方
法において、前記半導体ウエハを半導体チップに分割し
た後、前記粘着シートを拡大して前記半導体チップ間の
間隔を拡げた状態で、後工程での拡大作業を省略するこ
とを可能とするために、耐酸性粘着シートからなるエッ
チングシートに転写し、続いて前記半導体チップに分割
の際に生ずるダイシング歪みをエッチングにより除去す
る、各工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方
法である。
シート上に貼り付けた半導体ウエハをダイシングにより
半導体チップに分割する工程を含む半導体素子の製造方
法において、前記半導体ウエハを半導体チップに分割し
た後、前記粘着シートを拡大して前記半導体チップ間の
間隔を拡げた状態で、後工程での拡大作業を省略するこ
とを可能とするために、耐酸性粘着シートからなるエッ
チングシートに転写し、続いて前記半導体チップに分割
の際に生ずるダイシング歪みをエッチングにより除去す
る、各工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方
法である。
【０００５】請求項２の発明は、請求項１に記載された
半導体素子の製造方法において、前記エッチング工程に
続いて前記半導体チップの水洗を行う水洗工程を含むこ
とを特徴とする半導体素子の製造方法である。
半導体素子の製造方法において、前記エッチング工程に
続いて前記半導体チップの水洗を行う水洗工程を含むこ
とを特徴とする半導体素子の製造方法である。
【０００６】請求項３の発明は、請求項２に記載された
半導体素子の製造方法において、前記水洗工程に続いて
前記半導体チップの乾燥を行う乾燥工程を含むことを特
徴とする半導体素子の製造方法である。
半導体素子の製造方法において、前記水洗工程に続いて
前記半導体チップの乾燥を行う乾燥工程を含むことを特
徴とする半導体素子の製造方法である。
【０００７】請求項４の発明は、請求項１乃至３のいず
れかに記載された半導体素子の製造方法において、前記
拡大は最終出荷形態の拡大率と同等の拡大率まで拡大す
ることを特徴とする半導体素子の製造方法である。
れかに記載された半導体素子の製造方法において、前記
拡大は最終出荷形態の拡大率と同等の拡大率まで拡大す
ることを特徴とする半導体素子の製造方法である。
【０００８】
【発明の実施例の形態】本発明を実施例について説明す
る。図１は本発明の実施例を概略的に示しものである。
Ａは貼り付け工程を示し、リング状のダイシング用フレ
ーム７に、拡大可能な粘着シート８を貼り、その上に半
導体ウエハ９を貼り付ける。Ｂはダイシング工程を示
し、この工程ではダイシングにより半導体ウエハを個々
の半導体チップ１０に分割する。Ｃは拡大工程を示し、
この工程では、粘着シート８を所望の大きさまで拡大
し、半導体チップ１０のチップ間の間隔を広げる。Ｄは
第１の転写工程を示し、この工程では、予め用意してお
いたリング状のエッチング用フレーム１１に、耐酸性の
エッチングシート１２を貼り付けたものに前記の半導体
チップ１０を転写する。Ｅは処理工程で、この工程で
は、ダイシングにより個々に分割された半導体チップ１
０のダイシング歪みの除去、及び、汚れの除去を行うた
め、エッチング→水洗い→乾燥が行われる。Ｆは第２の
転写工程で、この工程では、ダイシング歪の除去を行っ
た半導体チップ１０を紫外線硬化型粘着シート１３（紫
外線を照射することにより、粘着力が低下するシート）
に転写する。その後、紫外線硬化型粘着シート１３に紫
外線を照射して粘着力を低下させることにより、後行程
（検査）での半導体チップ１０の抜き取り（不良チップ
の除去）を容易にすることができる。Ｇは半導体チップ
１０の特性及び外観検査工程を示し、この工程では、個
々の半導体チップ１０の特性検査及び表面、裏面の外観
検査を行う。Ｈは第３の転写工程を示し、この工程では
前記半導体チップ１０を出荷用シート１４に転写する。
る。図１は本発明の実施例を概略的に示しものである。
Ａは貼り付け工程を示し、リング状のダイシング用フレ
ーム７に、拡大可能な粘着シート８を貼り、その上に半
導体ウエハ９を貼り付ける。Ｂはダイシング工程を示
し、この工程ではダイシングにより半導体ウエハを個々
の半導体チップ１０に分割する。Ｃは拡大工程を示し、
この工程では、粘着シート８を所望の大きさまで拡大
し、半導体チップ１０のチップ間の間隔を広げる。Ｄは
第１の転写工程を示し、この工程では、予め用意してお
いたリング状のエッチング用フレーム１１に、耐酸性の
エッチングシート１２を貼り付けたものに前記の半導体
チップ１０を転写する。Ｅは処理工程で、この工程で
は、ダイシングにより個々に分割された半導体チップ１
０のダイシング歪みの除去、及び、汚れの除去を行うた
め、エッチング→水洗い→乾燥が行われる。Ｆは第２の
転写工程で、この工程では、ダイシング歪の除去を行っ
た半導体チップ１０を紫外線硬化型粘着シート１３（紫
外線を照射することにより、粘着力が低下するシート）
に転写する。その後、紫外線硬化型粘着シート１３に紫
外線を照射して粘着力を低下させることにより、後行程
（検査）での半導体チップ１０の抜き取り（不良チップ
の除去）を容易にすることができる。Ｇは半導体チップ
１０の特性及び外観検査工程を示し、この工程では、個
々の半導体チップ１０の特性検査及び表面、裏面の外観
検査を行う。Ｈは第３の転写工程を示し、この工程では
前記半導体チップ１０を出荷用シート１４に転写する。
【０００９】図２は、図１における工程Ｃの拡大図であ
って、本発明は図示のように、粘着シート８上に半導体
ウエハ９を貼り付け、ダイシングによりチップ分割を行
った後、粘着シート８を拡大することにより粘着シート
８上の半導体チップ１０のチップ間の間隔を広げる構成
を採用した。この構成により、エッチングによるダイシ
ング歪みの除去、水洗による洗浄、Ｎ2ブロー等による
乾燥を十分に行う事が出来るようにしたため、エッチン
グ、水洗、乾燥を十分に行うことができ、半導体チップ
１０の特性、信頼性の低下及び半導体チップ１０の表面
汚れを防ぐことができる。
って、本発明は図示のように、粘着シート８上に半導体
ウエハ９を貼り付け、ダイシングによりチップ分割を行
った後、粘着シート８を拡大することにより粘着シート
８上の半導体チップ１０のチップ間の間隔を広げる構成
を採用した。この構成により、エッチングによるダイシ
ング歪みの除去、水洗による洗浄、Ｎ2ブロー等による
乾燥を十分に行う事が出来るようにしたため、エッチン
グ、水洗、乾燥を十分に行うことができ、半導体チップ
１０の特性、信頼性の低下及び半導体チップ１０の表面
汚れを防ぐことができる。
【００１０】
【発明の効果】請求項１に対応する効果：ダイシングに
より個々に分割した半導体チップのチップ間の間隔を、
粘着テープを拡大することによりエッチングを十分行な
うことができる間隔まで広くしたため、ダイシング歪の
除去を目的としたエッチングを実施する際に、ダイシン
グ面に十分にエッチング液を浸透させることができるか
ら歪を十分に除去することができ、半導体チップの特性
及び信頼性の低下を防止することができる。請求項２に
対応する効果：エッチング液の水洗洗浄においても同様
に、十分に洗浄水を浸透させることができ、半導体の表
面汚れが防止できる。請求項３に対応する効果：乾燥工
程において、水分の除去を容易に行うことができ、半導
体の水分による表面汚れが防止できる。請求項４に対応
する効果：後工程における半導体チップ間の間隔の拡大
作業を省略することができる。
より個々に分割した半導体チップのチップ間の間隔を、
粘着テープを拡大することによりエッチングを十分行な
うことができる間隔まで広くしたため、ダイシング歪の
除去を目的としたエッチングを実施する際に、ダイシン
グ面に十分にエッチング液を浸透させることができるか
ら歪を十分に除去することができ、半導体チップの特性
及び信頼性の低下を防止することができる。請求項２に
対応する効果：エッチング液の水洗洗浄においても同様
に、十分に洗浄水を浸透させることができ、半導体の表
面汚れが防止できる。請求項３に対応する効果：乾燥工
程において、水分の除去を容易に行うことができ、半導
体の水分による表面汚れが防止できる。請求項４に対応
する効果：後工程における半導体チップ間の間隔の拡大
作業を省略することができる。
【図１】本発明の半導体製造方法における各工程を説明
するための図である。
するための図である。
【図２】本発明の半導体製造方法を説明するための要部
拡大図である。
拡大図である。
【図３】従来の半導体製造方法における各工程を説明す
るための図である。
るための図である。
【図４】従来の半導体製造方法における要部拡大図であ
る。
る。
１…半導体ウエハ保持具、２…ワックス、３…半導体ウ
エハ、４，５…粘着シート、６…出荷用シート、７…ダ
イシング用フレーム、８…粘着シート、９…半導体ウエ
ハ、１０…半導体チップ、１１…エッチング用フレー
ム、１２…エッチングシート、１３…粘着シート、１４
…出荷用シート。
エハ、４，５…粘着シート、６…出荷用シート、７…ダ
イシング用フレーム、８…粘着シート、９…半導体ウエ
ハ、１０…半導体チップ、１１…エッチング用フレー
ム、１２…エッチングシート、１３…粘着シート、１４
…出荷用シート。
Claims (4)
- 【請求項１】 粘着シート上に貼り付けた半導体ウエハ
をダイシングにより半導体チップに分割する工程を含む
半導体素子の製造方法において、前記半導体ウエハを半
導体チップに分割した後、前記粘着シートを拡大して前
記半導体チップ間の間隔を拡げた状態で、後工程での拡
大作業を省略することを可能とするために、耐酸性粘着
シートからなるエッチングシートに転写し、続いて前記
半導体チップに分割の際に生ずるダイシング歪みをエッ
チングにより除去する、各工程を含むことを特徴とする
半導体素子の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載された半導体素子の製造
方法において、前記エッチング工程に続いて前記半導体
チップの水洗を行う水洗工程を含むことを特徴とする半
導体素子の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載された半導体素子の製造
方法において、前記水洗工程に続いて前記半導体チップ
の乾燥を行う乾燥工程を含むことを特徴とする半導体素
子の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載された
半導体素子の製造方法において、前記拡大は最終出荷形
態の拡大率と同等の拡大率まで拡大することを特徴とす
る半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23291198A JP3529274B2 (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23291198A JP3529274B2 (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068239A JP2000068239A (ja) | 2000-03-03 |
| JP3529274B2 true JP3529274B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=16946778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23291198A Expired - Fee Related JP3529274B2 (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3529274B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043251A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2005252126A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
-
1998
- 1998-08-19 JP JP23291198A patent/JP3529274B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000068239A (ja) | 2000-03-03 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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