JPH0252705A - 半導体ウェーハの分割方法 - Google Patents
半導体ウェーハの分割方法Info
- Publication number
- JPH0252705A JPH0252705A JP63205354A JP20535488A JPH0252705A JP H0252705 A JPH0252705 A JP H0252705A JP 63205354 A JP63205354 A JP 63205354A JP 20535488 A JP20535488 A JP 20535488A JP H0252705 A JPH0252705 A JP H0252705A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- organic film
- dividing
- chamber
- pressure
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 abstract 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101100008044 Caenorhabditis elegans cut-1 gene Proteins 0.000 description 1
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェーハの分割方法に関する。
従来の半導体ウェーハの分割方法は、第3図に示すよう
に、ステージ6の上に保護シート7を載せ、表面にスク
ライブ又はダイシングにより分割用の切目1を入れた半
導体ウェーハ2の裏面に有機フィルム3の表面を圧着し
、半導体ウェーハ2の表面を下側にして保護シート7の
上に載せ、有機フィルム3の裏面にローラ8を押し当て
ながら転がし、半導体ウェーハ2を前記切目1に沿って
分割していた。
に、ステージ6の上に保護シート7を載せ、表面にスク
ライブ又はダイシングにより分割用の切目1を入れた半
導体ウェーハ2の裏面に有機フィルム3の表面を圧着し
、半導体ウェーハ2の表面を下側にして保護シート7の
上に載せ、有機フィルム3の裏面にローラ8を押し当て
ながら転がし、半導体ウェーハ2を前記切目1に沿って
分割していた。
上述した従来の半導体ウェーハの分割方法は、有機フィ
ルムの裏面からローラを押し当てて半導体ウェー八を分
割するため、半導体ウェーハにはローラの局部的な圧力
が加わり、分割時に小さな欠けらが発生して半導体ウェ
ーハの表面に付着し、更にローラによるステージへの圧
接で半導体素子に損傷を与えることがあるという問題点
がある。
ルムの裏面からローラを押し当てて半導体ウェー八を分
割するため、半導体ウェーハにはローラの局部的な圧力
が加わり、分割時に小さな欠けらが発生して半導体ウェ
ーハの表面に付着し、更にローラによるステージへの圧
接で半導体素子に損傷を与えることがあるという問題点
がある。
本発明の半導体ウェーハの分割方法は、表面に分割用の
切目を入れた半導体ウェーハの裏面に有機フィルムの表
面を圧着し、前記有機フィルムの周縁を保持し、前記有
機フィルムの表面側の気圧を裏面側より低くして前記半
導体ウェーハを前記切目に沿って分割することを含んで
構成される。
切目を入れた半導体ウェーハの裏面に有機フィルムの表
面を圧着し、前記有機フィルムの周縁を保持し、前記有
機フィルムの表面側の気圧を裏面側より低くして前記半
導体ウェーハを前記切目に沿って分割することを含んで
構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図(a>、(b)は本発明の第1の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体ウェーへの断面図である
。
るための工程順に示した半導体ウェーへの断面図である
。
まず、第1図(a)に示すように、表面にスクライブ又
はダイシング等により分割用の切目1を入れた半導体ウ
ェーハ2の裏面に有機フィルム3の表面を圧着し、半導
体ウェーハ2を排気孔を有するチャンバ4の中に半導体
ウェーハ2の表面側が前記排気孔側に向くようにして入
れ、有機フィルム3の周縁をチャンバ4の側壁で保持し
ながら密封する。
はダイシング等により分割用の切目1を入れた半導体ウ
ェーハ2の裏面に有機フィルム3の表面を圧着し、半導
体ウェーハ2を排気孔を有するチャンバ4の中に半導体
ウェーハ2の表面側が前記排気孔側に向くようにして入
れ、有機フィルム3の周縁をチャンバ4の側壁で保持し
ながら密封する。
次に、第1図(b)に示すように、前記排気孔よりチャ
ンバ4内を排気し、有機フィルム3の表裏の圧力差によ
るたわみを利用して半導体ウェーハ2を切目1に沿って
分割する。
ンバ4内を排気し、有機フィルム3の表裏の圧力差によ
るたわみを利用して半導体ウェーハ2を切目1に沿って
分割する。
第2図(a)、(b)は本発明の第2の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体ウェーハの断面図である
。
るための工程順に示した半導体ウェーハの断面図である
。
第2図(a)に示すように、分割用の切目1を入れた半
導体ウェーハ2の裏面に枠付きの有機フィルム3の表面
を圧着し、有機フィルム3の裏面に一部の空気を入れた
風船5を押し当てる。
導体ウェーハ2の裏面に枠付きの有機フィルム3の表面
を圧着し、有機フィルム3の裏面に一部の空気を入れた
風船5を押し当てる。
次に、第2図(b)に示すように、風船5の中に空気を
吹込んで有機フィルム3をたわませ、半導体ウェーハ2
を分割する。
吹込んで有機フィルム3をたわませ、半導体ウェーハ2
を分割する。
この実施例では、球状の風船を使用する為、半導体ウェ
ーハ2の中心部より放射状に風船からの力が加わるので
割れ方がきれいである。また欠けらによる半導体素子の
損傷もなくなる効果がある。
ーハ2の中心部より放射状に風船からの力が加わるので
割れ方がきれいである。また欠けらによる半導体素子の
損傷もなくなる効果がある。
以上説明したように本発明は、有機フィルムの表面と裏
面との圧力差を利用して半導体ウェーハを分割すること
により、半導体ウェーハに圧力が均等に加わるため、分
割時の欠けらの発生が少くなる。また、ローラを使用し
ないため半導体表面に付着した欠けらにより傷を付ける
ことを防ぐことができるという効果を有する。
面との圧力差を利用して半導体ウェーハを分割すること
により、半導体ウェーハに圧力が均等に加わるため、分
割時の欠けらの発生が少くなる。また、ローラを使用し
ないため半導体表面に付着した欠けらにより傷を付ける
ことを防ぐことができるという効果を有する。
第1図(a)、(b)及び第2図(a)、(b)は本発
明の第1及び第2の実施例を説明するための工程順に示
した半導体ウェーハの断面図、第3図は従来の半導体ウ
ェーハの分割方法を説明するための分割装置の断面図で
ある。 1・・・切目、2・・・半導体ウェーハ、3・・・有機
フィルム、4・・・チャンバ、5・・・風船、6・・・
ステージ、7・・・保護シート、8・・・ローラ。 代理人 弁理士 内 原 晋
明の第1及び第2の実施例を説明するための工程順に示
した半導体ウェーハの断面図、第3図は従来の半導体ウ
ェーハの分割方法を説明するための分割装置の断面図で
ある。 1・・・切目、2・・・半導体ウェーハ、3・・・有機
フィルム、4・・・チャンバ、5・・・風船、6・・・
ステージ、7・・・保護シート、8・・・ローラ。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 表面に分割用の切目を入れた半導体ウェーハの裏面に有
機フィルムの表面を圧着し、前記有機フィルムの周縁を
保持し、前記有機フィルムの表面側の気圧を裏面側より
低くして前記半導体ウェーハを前記切目に沿って分割す
ることを特徴とする半導体ウェーハの分割方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63205354A JPH0252705A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 半導体ウェーハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63205354A JPH0252705A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 半導体ウェーハの分割方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0252705A true JPH0252705A (ja) | 1990-02-22 |
Family
ID=16505479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63205354A Pending JPH0252705A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 半導体ウェーハの分割方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0252705A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007305687A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法および分割装置 |
JP2012099558A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ウェーハの分割装置及び分割方法 |
JP2012160711A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Samsung Electronics Co Ltd | ウェハダイシングプレス装置及びウェハダイシングプレス装置を用いた半導体ウェハダイシングシステム |
CN103107136A (zh) * | 2011-09-30 | 2013-05-15 | 株式会社迪思科 | 晶片加工方法 |
JP2016076546A (ja) * | 2014-10-03 | 2016-05-12 | 株式会社ディスコ | 分割装置 |
JP2017107987A (ja) * | 2015-12-09 | 2017-06-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2020102516A (ja) * | 2018-12-21 | 2020-07-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
-
1988
- 1988-08-17 JP JP63205354A patent/JPH0252705A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007305687A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法および分割装置 |
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JP2012160711A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Samsung Electronics Co Ltd | ウェハダイシングプレス装置及びウェハダイシングプレス装置を用いた半導体ウェハダイシングシステム |
US9252055B2 (en) | 2011-02-01 | 2016-02-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer dicing press and method and semiconductor wafer dicing system including the same |
CN103107136A (zh) * | 2011-09-30 | 2013-05-15 | 株式会社迪思科 | 晶片加工方法 |
JP2016076546A (ja) * | 2014-10-03 | 2016-05-12 | 株式会社ディスコ | 分割装置 |
JP2017107987A (ja) * | 2015-12-09 | 2017-06-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2020102516A (ja) * | 2018-12-21 | 2020-07-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
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