JPS6342143A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS6342143A
JPS6342143A JP61186394A JP18639486A JPS6342143A JP S6342143 A JPS6342143 A JP S6342143A JP 61186394 A JP61186394 A JP 61186394A JP 18639486 A JP18639486 A JP 18639486A JP S6342143 A JPS6342143 A JP S6342143A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
sheet
dicing
elements
cracking
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61186394A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Honda
本多 孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6342143A publication Critical patent/JPS6342143A/ja
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  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェーハをダイシングする工程とその後
でシートを貼り付は各素子に分離しシートを治具で固定
する工程に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体ウェーハから各素子に分割するだめのダイ
シング工程に於いては、第3図の断面図に示すように、
ウェーハ厚の1/2以上を切シ込み、スピンナードライ
後、前記ウェーハ1の裏面にシート5を貼シ付け、各素
子3に分割し、シート5を治具6に張り横方向に展張し
て各素子3に分離していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のダイシングでは、ウェーハ厚の1/2以
上を切シ込む為に、アンロード時やスピンナードライ時
等で少しのショックにてウェーハの割れが発生し、不良
の原因となっていた。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、ダイシング後のアンロード、スピンナードラ
イなどによるウェーハの割れの不良発生をなくすために
、ウェーハ裏面へシートを貼りつけ、ダイシング後のア
ンロード、スピンナードライ等での割れによる各素子が
分離、落下しないこと、又、ダイシング、スピンナード
ライ後、つ工−ハ裏面へ貼られたシートへ更に別なシー
トを貼る二重構造をとることにより従来のプロセス、設
備を効率よく活用している。
〔実施例〕。
つぎに本発明を実施例によシ説明する。
第1図(a)は本発明の一実施例に係るウェーハを各素
子に分割する方法を説明するための平面図、同図fb)
は同図fa)のA−A断面図であって、ウェーハ1の裏
面にはシート4が貼られておシ、かつ、ウェーハ1の表
面側には、各素子3に分割するためのダイシング溝2が
ウェーハ厚の172以上の深さで基板口のように切り込
まれている。つぎにこのウェーハをダイシング溝2に沿
ってブレーキング後、第2図の断面図に示すように、シ
ート4に重ねてシート5を貼シ付け、治具6によりシー
ト5を展張し、各素子3の間の間隔を拡げ各素子を分離
する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ウェーハ裏面へシートを
貼シ、ダイシングすることによりウェーハ割れによる不
良の低減及び切り込み溝を深くすることを可能とし、素
子のカケ、ワレ不良の低減への効果がある。
又、後工程に於いて従来のプロセス、設備を生かすこと
が出来るという利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明に係るダイシング済みのつ工−ハ
の平面図、同図(b)は同図(a)のA−A断面図、第
2図は第1図の状態のウェーハを別のシート張シした状
態の断面図である。第3図は従来のウェーハ分割を説明
するための断面図である。 1・・・・・・半導体ウェーハ、2・・・・・・ダイシ
ング溝、吐・・・・・素子、4・・・・・・シート、5
・・・・・・治具張シシート、6・・・・・・治具。 代理人 弁理士  内 原   晋 ゛、−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ウェーハを各素子にダイシングし、このウェーハ
    裏面へシートを貼りつけブレーキングを行い、つぎに前
    記シートを展張して各素子を分離することを含む半導体
    装置の製造方法において、前記半導体ウェーハの裏面へ
    シートを貼りつけダイシング後更に別のシートを貼り、
    ブレーキングシート拡張を行うことを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
JP61186394A 1986-08-07 1986-08-07 半導体装置の製造方法 Pending JPS6342143A (ja)

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