JP5471251B2 - GaN単結晶基板およびGaN系半導体デバイス - Google Patents
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Description
[GaN単結晶基板]
図1を参照して、本発明の一実施形態であるGaN単結晶基板20pは、主面20pmの面積が10cm2以上であり、主面20pmの面方位が(0001)面または(000−1)面20cに対して65°以上85°以下で傾斜しており、25℃の雰囲気温度下で主面20pmに対して垂直な方向に光を照射したときに主面20pm内の任意の点において光弾性により測定される光弾性歪み値が5×10-5以下である。
δ=2πt(Δnx−Δny)/λ=2πtC(σx−σy)/λ (1)
と表わされる。ここで、Δnx=Cσxであり、Δny=Cσyである。
ここで、光弾性歪み値は、式(1)におけるC(σx−σy)で定義される。偏光子の偏波面が内部応力の主軸であるx軸およびy軸のいずれかと平行になるようにして、検光子の偏波面を偏光子の偏波面に直交させたときの透過光量と光子の偏波面を偏光子の偏波面に平行にしたときの透過光量とを測定し、その比の値から位相差σが求められ、さらに式(1)から、光弾性歪み値C(σx−σy)が求められる。なお、光弾性係数Cは、結晶の種類および構造、測定の雰囲気温度よって決まる定数であり、結晶種類、結晶構造、測定の雰囲気温度が同じであれば同じ値となる。光弾性歪み値C(σx−σy)を求める方法の詳細は、特開2002−299741号公報に記載されている。
図3および図4を参照して、本発明の一実施形態であるGaN単結晶基板の製造方法は、本実施形態のGaN単結晶基板20pの製造方法であって、主面10pmの面積が10cm2以上で、主面10pmの面方位が(0001)面または(000−1)面1cに対して65°以上85°以下で傾斜しているGaN種結晶基板10pを準備する工程(図3(A)〜(D)、図4(A))と、GaN種結晶基板10pの主面10pm上にGaN単結晶20を成長させる工程(図4(B))と、GaN単結晶20をGaN種結晶基板10pの主面10pmに平行な面20u,20vで切り出してGaN単結晶基板を形成する工程(図4(C))と、を備える。本実施形態のGaN単結晶基板の製造方法は、かかる工程を備えることにより、効率的に実施形態1のGaN単結晶基板を製造することができる。
図3を参照して、本実施形態のGaN種結晶基板を準備する工程は、特に制限はないが、たとえば、GaN母結晶から複数のGaN母結晶片を切り出すサブ工程(図3(A))と、複数のGaN母結晶片を横方向に互いに隣接させて配置するサブ工程(図3(B))と、複数のGaN母結晶片の主面上にGaN種結晶を成長させるサブ工程(図3(C))と、GaN種結晶からGaN種結晶基板を形成するサブ工程(図3(D))と、を備える。
次に、図4(B)を参照して、GaN種結晶基板10pの主面10pm上にGaN単結晶20を成長させる工程において、GaN単結晶20を成長させる方法は、特に制限はないが、GaN単結晶をエピタキシャル成長させる観点から、HVPE法、MOCVD法などの気相法、フラックス法などの液相法などが好ましく用いられる。結晶成長方法の中で、結晶成長速度が高い観点から、HVPE法であることが好ましい。
次に、図4(B)および(C)を参照して、GaN単結晶20をGaN種結晶基板10pの主面10pmに平行な面20u,20vで切り出してGaN単結晶基板20pを形成する工程において、GaN単結晶20からGaN単結晶基板20pを切り出す方法には、特に制限はなく、ワイヤソー、内周刃、外周刃、またはレーザなどの各種方法を用いることができる。
[GaN系半導体デバイス]
図6を参照して、本発明の一実施形態であるGaN系半導体デバイス100は、実施形態1のGaN単結晶基板20pと、GaN単結晶基板20pの主面20pm上に形成されている少なくとも1層のGaN系半導体層130と、を含む。
図6を参照して、本発明の一実施形態であるGaN系半導体デバイス100の製造方法は、実施形態1のGaN単結晶基板20pを準備する工程と、GaN単結晶基板20pの主面20pm上に少なくとも1層のGaN系半導体層130を成長させる工程と、を備える。
GaN母結晶は以下のようにして作製した。直径50mmで厚さ0.8mmのGaAs基板(下地基板)の(111)A面の主面上に、フォトリソグラフィ法およびエッチングにより、直径が2μmの複数の開口部が4μmのピッチで平面的に六方稠密に配置された厚さ100nmのSiO層(マスク層)を形成した。次に、GaAs基板において複数の開口部を有するSiO層が形成された主面上に、HVPE法により、500℃で厚さ80nmのGaN低温層を成長させ、次いで、950℃で厚さ60μmのGaN中間層を成長させた後、1050℃で厚さ5mmのGaN母結晶を成長させた。次に、王水を用いたエッチングにより、上記GaN母結晶からGaAs基板を除去して、直径50mmで厚さ3mmのGaN母結晶を得た。かかるGaN母結晶1の主面内における光弾性歪み値は、ピーク波長が660nmの赤色LD(レーザダイオード)を用いて実施形態1に示す方法により、25℃の雰囲気温度下で、主面((0001)面1c)内において互いに直交する2方向にそれぞれ2mmピッチで測定したところ、平均値が9.0×10-6、最低値が3.1×10-7、最高値が2.1×10-5であった。
1.GaN種結晶基板の準備
図3(A)を参照して、GaN母結晶1の両主面である(0001)面および(000−1)面を、研削および研磨加工して、両主面の平均粗さRaを5nmとした。ここで、表面の平均粗さRaの測定は、AFMにより行なった。
図4(B)を参照して、上記のGaN種結晶基板10pの(20−21)の主面10pmを10体積%の塩化水素ガスと90体積%の窒素ガスの混合ガス雰囲気下、800℃で2時間処理した後、その主面10pm上に、HVPE法により、結晶成長温度1050℃で、GaN単結晶20を、成長速度80μm/hrで50時間成長させた。
次に、上記のGaN単結晶基板20p(直径50mm×厚さ0.4mm)の一方の主面20pm上に、MOCVD法により、少なくとも1層のGaN系半導体層130として、Siがドープされた厚さ2μmのn型GaN層131(キャリア濃度:2×1018cm-3)、6対のIn0.01Ga0.99N障壁層およびIn0.1Ga0.9N井戸層により構成される多重量子井戸構造を有する厚さ100nmの発光層132、Mgがドープされた厚さ20nmのp型Al0.18Ga0.82N層133(キャリア濃度:3×107cm-2)およびMgが
ドープされた厚さ50nmのp型GaN層134(キャリア濃度:1×1018cm-3)を順に成長させた。
GaN種結晶基板10pの準備において、両主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶1をその{20−2−1}面に平行な面(<20−2−1>方向に垂直な面)でスライスすることにより、{20−2−1}の主面を有する複数のGaN母結晶片1pを切り出して、それらの主面を研削および研磨してそれらの主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶片1pを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、主面10pmの面方位が{20−2−1}であるGaN種結晶基板10pおよび主面20pmの面方位が{20−2−1}であるGaN単結晶基板20pを形成した。図5(B)を参照して、かかるGaN単結晶基板20pの{20−2−1}の主面20pmは、(000−1)面に対して75°の傾斜角αを有する。
GaN種結晶基板10pの準備において、両主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶1をその{22−42}面に平行な面(<22−42>方向に垂直な面)でスライスすることにより、{22−42}の主面を有する複数のGaN母結晶片1pを切り出して、それらの主面を研削および研磨してそれらの主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶片1pを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、主面10pmの面方位が{22−42}であるGaN種結晶基板10pおよび主面20pmの面方位が{22−42}であるGaN単結晶基板20pを形成した。図5(C)を参照して、かかるGaN単結晶基板20pの{22−42}の主面20pmは、(0001)面に対して73°の傾斜角αを有する。
GaN種結晶基板10pの準備において、両主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶1をその{22−4−2}面に平行な面(<22−4−2>方向に垂直な面)でスライスすることにより、{22−4−2}の主面を有する複数のGaN母結晶片1pを切り出して、それらの主面を研削および研磨してそれらの主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶片1pを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、主面10pmの面方位が{22−4−2}であるGaN種結晶基板10pおよび主面20pmの面方位が{22−4−2}であるGaN単結晶基板20pを形成した。図5(D)を参照して、かかるGaN単結晶基板20pの{22−4−2}の主面20pmは、(000−1)面に対して73°の傾斜角αを有する。
GaN種結晶基板10pの準備のために、両主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶1をその{10−10}面に平行な面(<10−10>方向に垂直な面)でスライスすることにより、{10−10}の主面を有する複数のGaN母結晶片1pを切り出して、それらの主面を研削および研磨してそれらの主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶片1pを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、GaN種結晶10を成長させた。GaN種結晶10は、部分的に多結晶化して、多結晶化部分を起点として割れていた。したがって、GaN種結晶基板が得られず、GaN単結晶基板および系半導体デバイスを製造できなかった。結果を表1にまとめた。
GaN種結晶基板10pの準備のために、両主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶1をその{11−20}面に平行な面(<11−20>方向に垂直な面)でスライスすることにより、{11−20}の主面を有する複数のGaN母結晶片1pを切り出して、それらの主面を研削および研磨してそれらの主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶片1pを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、GaN種結晶10を成長させた。GaN種結晶10は、部分的に多結晶化して、多結晶化部分を起点として割れていた。したがって、GaN種結晶基板が得られず、GaN単結晶基板およびGaN系半導体デバイスを製造できなかった。結果を表1にまとめた。
GaN種結晶基板10pの準備において、両主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶1をその{10−11}面に平行な面(<10−11>方向に垂直な面)でスライスすることにより、{10−11}の主面を有する複数のGaN母結晶片1pを切り出して、それらの主面を研削および研磨してそれらの主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶片1pを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、主面10pmの面方位が{10−11}であるGaN種結晶基板10pおよび主面20pmの面方位が{10−11}であるGaN単結晶基板20pを形成した。かかるGaN単結晶基板20pの{10−11}の主面20pmは、(0001)面に対して62°の傾斜角αを有する。
GaN種結晶基板10pの準備において、両主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶1をその{11−22}面に平行な面(<11−22>方向に垂直な面)でスライスすることにより、{11−22}の主面を有する複数のGaN母結晶片1pを切り出して、それらの主面を研削および研磨してそれらの主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶片1pを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、主面10pmの面方位が{11−22}であるGaN種結晶基板10pおよび主面20pmの面方位が{11−22}であるGaN単結晶基板20pを形成した。かかるGaN単結晶基板20pの{11−22}の主面20pmは、(0001)面に対して58°の傾斜角αを有する。
Claims (3)
- 主面の面積が10cm2以上であり、
前記主面が{20−21}面、{20−2−1}面、{22−42}面および{22−4−2}面のいずれかであり、
25℃の雰囲気温度下で前記主面に対して垂直な方向に光を照射したときに前記主面内の任意の点において光弾性により測定される光弾性歪み値が5×10-5以下であるGaN単結晶基板。 - 前記主面内における前記光弾性歪み値のばらつきが前記主面内における前記光弾性歪み値の平均値に対して±100%以内である請求項1に記載のGaN単結晶基板。
- 請求項1のGaN単結晶基板と、前記GaN単結晶基板の前記主面上に形成されている少なくとも1層のGaN系半導体層と、を含むGaN系半導体デバイス。
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