JP2002299741A

JP2002299741A - ＧａＮ単結晶基板の劈開性の判定方法とＧａＮ単結晶基板

Info

Publication number: JP2002299741A
Application number: JP2001104129A
Authority: JP
Inventors: Koji Uematsu; 康二上松
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2001-04-03
Filing date: 2001-04-03
Publication date: 2002-10-11

Abstract

(57)【要約】【課題】ＧａＮウエハを実際に劈開することなく劈開
性の良否を非破壊で判定する方法を与えること。【解決手段】ＧａＮウエハの光弾性効果を測定して、
歪値Ｃ（σ_１−σ_２）が５×１０^−５以下であれば劈開
性が良好であり、これを越えると劈開性不良と判定す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は窒化ガリウム（Ｇ
ａＮ；gallium nitride）基板の評価方法と窒化ガリウ
ム（ＧａＮ）基板に関する。ＧａＮ基板は青色発光素子
（半導体レ−ザＬＤ、発光ダイオードＬＥＤ）の材料と
して有用である。青色光を電子のバンドギャップ遷移に
よって発生させるにはバンドギャップの広い材料が必要
である。広バンドギャップ材料としてセレン化亜鉛（Ｚ
ｎＳｅ；zinc selenide）とＧａＮを用いた青色発光素
子が実用化されている。いずれも発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）については技術的に完成しており実用に共されてい
る。ＬＤとしては、ＺｎＳｅ系が先行しており、ＧａＮ
系のＬＤもそれに続いているという現状である。

【０００２】ＧａＮ系の発光素子は、ＧａＮ層を基本と
しＡｌＧａＮ層やＧａＩｎＮの活性層を持ち、青色や青
緑色の発光をする。良質のＧａＮ基板が製造困難である
ので、サファイヤ基板の上にＧａＮ、ＧａＩｎＮやその
他の窒化物の薄膜を成長させる。ＧａＮ系発光素子は、
現在もサファイヤ基板（α−Ａｌ_２Ｏ_３）の上にヘテロ
エピタキシャル成長させて作られる。

【０００３】サファイヤ基板は化学的に安定であり耐熱
性もある。格子定数は食い違うがＧａＮバッファ層を三
回対称性のあるサファイヤ基板の上に成長させれば、Ｇ
ａＮ層、ＧａＩｎＮ層をその上に成長させることができ
る。サファイヤ基板の上に製造されたＧａＮ系ＬＥＤは
青色発光し量産されており実績もある。

【０００４】これらはサファイヤ基板が付いたままの素
子である。既に大いに実績があるが、サファイヤ基板Ｇ
ａＮ−ＬＥＤにはいくつかの欠点がある。格子定数も結
晶構造も違うのでサファイヤ上のＧａＮは欠陥密度が高
い。サファイヤ基板は堅牢でいいのであるが反面自然劈
開できないという難点がある。そこでウエハプロセスが
終わったあと刃物によって縦横に切断（ダイシング）し
てチップとする。その工程の歩留まりは良くない。チッ
プに切り出しステムに載せてリードをボンディングする
がサファイヤは絶縁体だから底面から電極を取り出せな
い。そこでｎ型、ｐ型電極ともに上方から取り出すよう
になっている。そのような欠点があるが実用上差し支え
ないからＬＥＤとして広く使用されている。

【０００５】ＬＤの場合は少し事情が異なる。ＬＤとす
る場合は両端面にミラー面（共振器）が必要である。サ
ファイヤは劈開できないのでダイシング加工でチップに
分離する。そのままでは端面は粗面である。ＧａＮ層の
両端はミラー面にしないといけないので研磨して平坦に
し反射率を上げる必要がある。難しいし手間の掛かるこ
とであるが、サファイヤ基板の側面をエッチングやイオ
ンミリングで削ってミラー面を出してＬＤの共振器とし
ている。例えば

【０００６】M. Hansen, P. Fini, L. Zhao, A. C. A
bare, L.A. Coldren, J.S.Speck, S.P. DenBaars,"Impr
oved characteristics of InGaN multiple-quantum-wel
l laser diodes grown on laterally epitaxially over
grown GaN on sapphire", Appl. Phys. Lett. vol.76,
No.5, p529(2000)

【０００７】はＣ面のサファイヤ基板の上にＭＯＣＶＤ
法によるラテラルオーバーグロース法（後述）によって
ＧａＮ層を成長させ、その上にＩｎＧａＮの多重量子井
戸構造の活性層を付けたＩｎＧａＮ系ＬＤを提案してい
る。これはサファイヤ基板を切り出し、塩素を含むガス
を使うＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によって端面
を削ってＬＤ共振器のミラー面を形成している。サファ
イヤ基板ＬＤは実用化されているが、いずれもサファイ
ヤ面をエッチングなどによって鏡面に削る必要がある。
サファイヤは硬いので簡単にミラー面を出すことができ
ない。

【０００８】サファイヤ基板ＬＤは実用化されているが
劈開がないからミラー面の形成が難しい。やはりＬＤと
する場合は、基板をＧａＮとして、ＧａＮ層や活性層の
ＧａＩｎＮ層をエピタキシャル成長させるのがよい筈で
ある。もしもそれが可能であれば劈開によってミラー面
が生成される。劈開ができればこれを共振器としてＧａ
Ｎ系のＬＤが容易に製造できる筈である。

【０００９】ＧａＮは六方晶系であって異種基板の上に
エピタキシャル成長する時は必ずＣ面成長になる。六方
晶系だから面方位や線の方位は４つのミラー指数を用い
て表現する。｛ｈｋｍｎ｝というような表現である。最
後の４つ目の指数がｃ軸方向を表現する。｛ｈｋｍｎ｝
は包括表現であり、（ｈｋｍｎ）は個別面表現である。
［ｈｋｍｎ］が個別の方向を示し、＜ｈｋｍｎ＞が包括
方向表現である。Ｃ面というのは｛０００１｝面であ
る。ｃ軸方向に成長するというのは＜０００１＞方向に
成長するということである。

【００１０】ＧａＮの場合劈開といっても簡単ではな
い。劈開面は｛１−１００｝の方向である。これはＣ面
に直交する。だからＣ面を持って成長させた通常のＧａ
Ｎ結晶には、表面に直交する劈開面｛１−１００｝が存
在する。しかし六方晶系であるから劈開面｛１−１０
０｝が６つあって、それぞれ６０度、１２０度、１８０
度の傾斜角をなす。だから劈開面にそって切れば平行四
辺形になってしまう。矩形チップとする場合平行２辺を
劈開面にすることができるが残り２辺は非劈開面となら
ざるをえない。しかしそれでもレ−ザダイオードとする
場合、ストライプ（活性層）の端面を自然劈開でミラー
面とすることができれば工程を短縮できるはずである。

【００１１】ＧａＡｓなどのＬＤは自然劈開を共振器
（レ−ザキャビティ）ミラー面としており、ＧａＡｓ−
ＬＤでは劈開面共振器はごく普通のものである。

【００１２】ＧａＮ単結晶基板ができてその上にＧａ
Ｎ、ＧａＩｎＮなどのエピ層を積層してＬＤにしたとし
て、自然劈開して共振器面を出したとする。その場合ミ
ラー面とするためには劈開面が平滑平坦で鏡面でなけれ
ばならない。しかしそれは必ずしもそうはならないこと
がある。

【００１３】ＧａＮウエハが得られたとして、その上に
幾つもの薄膜をエピタキシャル成長させ、さらに蒸着、
拡散、エッチングなどによってエピウエハの上にデバイ
スを作製して自然劈開してチップに分離したとき劈開面
がきれいに形成されなかったらＬＤにならない。現在以
下に述べる方法によってＧａＮウエハを製造できるが、
その上にデバイスを作っても歩留まりが低い。検査の結
果デバイスの劈開面が乱れており所望の反射率を持たな
いということもある。そのチップは不良であるから排除
される。

【００１４】そのＧａＮデバイス製作のために傾注され
た材料や工程、時間が無駄になる。そのようなことで歩
留まりが低いので現在のところＧａＮ基板上のＬＤはい
まだ実験段階にとどまっている。サファイヤ基板ＬＤが
ＧａＩｎＮ系ＬＤとして主流であるのは一つにはそうい
う理由もある。

【００１５】ＧａＮ基板ＬＤの歩留まりを高めるには予
めミラーウエハの段階でそのＧａＮウエハが自然劈開で
綺麗な面が出るのかそうでないのかを判定できることが
望ましい。もしそれが可能であれば良品とされたウエハ
だけを選んでエピ成長、デバイス作製をすればよいから
全体としての歩留まりが大いに向上するはずである。

【００１６】

【従来の技術】初めにＧａＮの単結晶基板を製造する技
術を紹介する。窒素成分の材料の蒸気圧が高いから、通
常の引き上げ法（チョクラルスキー）や、ボート法（ブ
リッジマン）ではＧａＮの成長ができない。そこで薄膜
を製造するための気相エピタキシャル成長技術を転用し
て厚い基板を製造する。サファイヤ基板の上に薄いＧａ
Ｎエピ層を気相で成長させる方法として、ＭＯＣＶＤ
法、ＭＯＣ法、ＨＶＰＥ法、昇華法などがある。これら
は原料や、反応の違いによる区別である。サファイヤ基
板の上にＧａＮを厚く成長させたとしてもサファイヤ基
板を取り除くことができないからＧａＮ単体にすること
はできない。

【００１７】そこでＧａＡｓを基板としてその上にＧａ
Ｎを気相成長させることを考える。ＧａＡｓの上にＧａ
Ｎを成長させる場合、ＧａＮを厚く成長させたあと、Ｇ
ａＡｓをエッチングや研磨によって除去することができ
るのでＧａＮの単体の結晶を得る事ができる。

【００１８】ところがＧａＡｓの上にＧａＮを成長させ
た場合、必ず転位が大量に発生し転位が消えることなく
結晶成長に従っていつまでも伸びてゆくという欠点があ
る。そこで多数の穴を配列させたマスクをＧａＡｓ基板
の上に設け穴からＧａＮを成長させてマスクの上で初め
て隣接結晶が相会するような成長方法が本発明者によっ
て開発された。ラテラルオーバーグロース法（Lateral
Overgrowth）という。これは本出願人になる、

【００１９】特願平９−２９８３００号特願平１０−９００８号

【００２０】などに詳しい説明がある。先述のもこれ
を使っている。成長方法は前記の４つの方法の何れでも
良い。３回対称性をもつＧａＡｓ（１１１）基板を用い
る。この方向は、全面にＧａが露呈する場合と、Ａｓが
露呈する場合がある。ＧａＡｓ（１１１）Ｇａ面とかＧ
ａＡｓ（１１１）Ａｓ面とか言って区別する。ここでは
どちらの面でも利用できる。

【００２１】ＧａＡｓ（１１１）基板の上にドット状、
ストライプ状の窓を規則的に多数配列した１００ｎｍ〜
数十ｎｍ厚みマスクを付ける。窓の配列は同一寸法の正
六角形を隙間なく並べその正六角形の中心に窓があると
いうような配列である。マスクの上にはＧａＮの結晶粒
ができず、窓から露呈したＧａＡｓの上にＧａＮの島状
の結晶が孤立して成長する。低温（４５０℃〜５００
℃）で数十ｎｍのマスクより薄いバッファ層を成長させ
る。その後温度を上げて（８００℃〜１０５０℃）、Ｇ
ａＮ層を成長させるとマスク厚みに達する。

【００２２】窓を越えるとＧａＮはマスク上を横方向に
のびる。この時の横方向の成長は自由な成長であるから
欠陥の発生は少ない。隣接する窓の境界が正六角形をな
しているからＧａＮ薄膜は同時に境界に到達し相合す
る。このあとは上方にＧａＮ膜が成長してくる。ＧａＡ
ｓ（１１１）の上の成長であるから、ＧａＮは全体とし
てＣ面成長になる。厚みが７０μｍ〜１０００μｍにな
るまでエピタキシャル成長を持続する。結晶の表面は凹
凸がありスリガラスのようにくもっている。

【００２３】エピタキシャル成長が終わるとＧａＮ／Ｇ
ａＡｓ結晶を取り出し王水によってＧａＡｓだけをエッ
チング除去する。ＧａＮの結晶が残ることになる。これ
の両面を研磨することによって平滑な両面をもつ単結晶
が得られる。

【００２４】ラテラルオーバーグロース法によってかな
り厚いｃ軸方向に成長したＧａＮ単結晶が得られる。こ
の単結晶を薄く切って種結晶とすることによって、Ｇａ
Ｎ基板からＧａＮをラテラルオーバーグロースすること
ができる。すると成長のあと基板だけを除去するという
必要もない。そのようなＧａＮを基板としてＧａＮ単結
晶を作り出す方法は本発明者の

【００２５】特願平１０−１０２５４６号

【００２６】に記載がある。ＧａＮ単結晶を基板にして
ＧａＮを作りその上にまた気相成長によってＧａＮ基板
を製造する。これによって直径が２０ｍｍ以上のＧａＮ
ウエハを製造できる。成長させたＧａＮ単結晶の厚みは
２０ｍｍ〜３０ｍｍ程度のものまで得られる。気相成長
の時間を長くすればいくらでもできそうであるが、あま
りに厚く積むと歪が大きくなる。内部応力が蓄積し結晶
内部に歪を発生させる。結晶を薄く切り出してウエハに
すると内部応力が顕在化してウエハを彎曲させる。円形
ウエハの場合中央部が飛び出して時計皿のような形状に
歪む。そのような制限があるからあまり厚く積む事がで
きない。

【００２７】サファイヤ基板の上にＧａＮ薄膜を成長さ
せるために開発された方法がいくつかあるのでそれを述
べる。これらの方法はＧａＡｓ基板の上にＧａＮを成長
させるのにも応用できる。さらにこれらの方法によって
作製したＧａＮ／ＧａＡｓ結晶からＧａＡｓを除去し、
自立したＧａＮ結晶を得て、これを種結晶とするＧａＮ
気相成長にも用いることができる。

【００２８】（１）有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）そのうちで最もよく利用されているのはＭＯＣＶＤ法で
ある。コールドウオールの反応炉において、ＴＭＧとア
ンモニアを水素で希釈した原料ガスを加熱したサファイ
ヤ基板に吹き付けることによって基板上で直ちに反応を
おこさせてＧａＮを合成する。これは大量のガスを吹き
付けてその一部だけがＧａＮ薄膜形成に寄与するので残
りは無駄になる。収率が低い。ＬＥＤの一部をなすＧａ
Ｎ薄層の形成にはよいが、厚いＧａＮ結晶層を積むのに
は向いていない。それに有機金属に含まれる炭素が不純
物として混入するので特性を落とす。炭素のために黄色
く色付きｎ型であるから電子を出す。不純物散乱によっ
て電子移動度を下げ電気特性を低下させる。

【００２９】（２）有機金属塩化物成長法（ＭＯＣ法）ＭＯＣ法はホットウオール型反応炉においてＴＭＧとＨ
Ｃｌを反応させ一旦ＧａＣｌを作り、これを加熱させた
基板の近くでアンモニアと反応させＧａＮとする。この
方法はＧａＣｌを経るのでＭＯＣＶＤ法よりも炭素の混
入が少ないがそれでも炭素混入があり、ＧａＮ膜が黄色
く着色している。電子移動度の低下などやはり問題があ
る。

【００３０】（３）ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ
法）ＨＶＰＥ法は、Ｇａ単体を原料とする。図１によって説
明する。ホットウオール型反応炉１の周囲にはヒ−タ２
が設置されている。反応炉１の上頂部に２種類の原料ガ
スを導入するためのガス導入管３、４が設けられる。反
応炉１の内部上方空間にＧａボート５を設ける。Ｇａ固
体をＧａボート５に収容するがヒ−タ２によって加熱す
るとＧａ融液６になる。反応炉１の上方のガス導入口３
はＧａボート５に向かって開口している。これはＨ_２＋
ＨＣｌガスを導入する。もう一方のガス導入管４はＧａ
ボート５より下方で開口している。これはＨ_２＋ＮＨ_３
ガスを導入する。

【００３１】反応炉１の内部空間の下方にはサセプタ７
が回転軸８によって回転昇降自在に支持される。サセプ
タ７の上にはＧａＡｓ基板を載せる。あるいはＧａＡｓ
基板から出発しＧａＮを作ることができればサセプタ７
の上にＧａＮ基板を載せることもできる。ヒ−タ２によ
ってサセプタ７や基板９を加熱する。ＨＣｌ（＋Ｈ_２）
ガスをガス導入管３から供給しＧａ融液６に吹き付ける
とＧａＣｌというガス状の中間生成物ができる。これが
炉内を落下して加熱された基板の近傍でアンモニアと接
触する。基板９の上でＧａＣｌとＮＨ_３の反応が起こっ
てＧａＮが合成される。この方法は原料が炭素を含まな
いからＧａＮ薄膜に炭素が混入せず電気特性を劣化させ
るということがない、という利点がある。

【００３２】（４）昇華法ＧａＮは高圧を掛けないと融液にできない。低圧で加熱
すると昇華してしまう。この方法は、ＧａＮ多結晶を加
熱し昇華させて空間中を輸送し、より温度の低い基板に
堆積させるものである。これらは反応炉や、原料ガスの
違いによる分類である。

【００３３】

【発明が解決しようとする課題】このようにしてＧａＮ
単結晶のウエハを製造することができるようになった。
その上に発光デバイスを製造して劈開によってチップに
切り出すことができる。ＬＥＤの場合はチップに分離す
るだけでよいから劈開面の状態は問題にならない。しか
しＬＤとする場合劈開面はミラーとなるのであるから平
滑、平坦であることが必要である。劈開面が粗面であっ
たり欠けがあったりしてはいけない。

【００３４】単結晶であるし自然劈開だから当然に綺麗
な面が出るはずだと思うかもしれないがそうではない。
ＧａＮ結晶を厚く成長させるから冷却したときに内部歪
が発生して応力が生じる。応力が無秩序に存在するので
自然劈開しても劈開面が乱れるということがある。その
場合折角エピウエハの上にバッファ層、活性層やキャッ
プ層、埋め込み層などレ−ザ構造を作っても、いざ劈開
となってから綺麗な劈開面が出るのか、あるいは不規則
な面しかできないのか分からないのでは困る。ウエハプ
ロセスによってエピウエハの上にデバイスを作製する前
に、そのウエハが綺麗な劈開面を形成するのかどうかと
いう劈開可能性がわかった方が良い。

【００３５】そのようにミラーウエハの段階でウエハが
うまく劈開できるのか、そうでないのかという劈開性を
判定できるような方法を提供することが本発明の第１の
目的である。さらにデバイス作製後に綺麗な劈開面を与
えるＧａＮウエハを提供することが本発明の第２の目的
である。

【００３６】

【課題を解決するための手段】本発明のＧａＮウエハの
劈開可能性判定法は、単位厚み当たりの光弾性歪値の最
大値が５×１０^−５以下であるか、これを越えるかによ
って判定する。つまり歪値が５×１０^−５以下であれ
ば、そのウエハは劈開可能性があり、５×１０⁻ ^５を越
える場合は劈開不適ということである。だから光弾性歪
値が５×１０^−５以下のＧａＮ基板を選択すればよい。
つまり光弾性によって測定した歪によってウエハの劈開
の可否を判定する、という点に本発明の骨子がある。

【００３７】

【発明の実施の形態】光弾性というのは物体の内部の応
力σによって光の屈折率が変化するという現象をいう。
つまり内部応力の異方性によって結晶に複屈折（birefr
ingence）が発生するということである。応力の主軸の
方向は結晶系によって異なるが結晶方位に準拠した直交
する主軸ｘ、ｙ、ｚを定義することができる。複屈折性
がない等方的な物体の場合、光の偏波面がどの方向であ
ってもその光に対する屈折率ｎは同じである（ｎｘ＝ｎ
ｙ＝ｎｚ）。しかし主軸方向の応力が相違する場合、屈
折率が応力に比例して変化する。そのような性質を光弾
性と呼ぶ。

【００３８】単位応力増加によって引き起こされる屈折
率の変化率を光弾性係数Ｃという。これは物質によって
異なる定数である。同じ物質であっても結晶構造によっ
て相違する。同じ物質で結晶構造が同じでも温度によっ
て相違する。同じ物質で結晶構造が同一で温度が同じで
あれば光弾性係数Ｃは同じである。光の偏波方向によっ
て屈折が変化するのであるから光の偏光方向での屈折率
が問題である。主軸方向の応力をσ_ｘ、σ_ｙとして、そ
の方向に偏波面をもつ光の屈折率の変化をΔｎ _ｘ、Δｎ
_ｙとすると、

【００３９】Δｎ_ｘ＝Ｃσ_ｘ、 Δｎ_ｙ＝Ｃσ_ｙ

【００４０】によって与えられる。σの単位は力／面積
でありＰａ、ｋｇｆ／ｃｍ^２などで表現できる。屈折率
は無次元だから光弾性係数Ｃの単位はＰａ^−１、ｃｍ^２
／ｋｇｆなどで表現できる。しかしこの値はＧａＮにつ
いて本発明者には未だ測定ができていない。いまだＣは
不明である。Ｃの値が分かった方がＧａＮ結晶の内部応
力構造がより明確にわかることになろうが、本発明を実
施するに当たってはＣの値は分からなくても差し支えな
い。

【００４１】厚さがｔの結晶の場合ｚ方向に進行する波
長λの光を入射させると光路長差はｔ（Δｎ_ｘ−Δ
ｎ_ｙ）となる。波長がλだから、その位相差δは２πを
掛けてλで割れば求めることができる。

【００４２】 δ＝２πｔ（Δｎ_ｘ−Δｎ_ｙ）／λ ＝２πｔＣ（σ_ｘ−σ_ｙ）／λ

【００４３】によって与えられる。つまり等方的な応力
であって主軸方向の力に差がなければ位相差δは現れな
い。しかし主軸方向の応力に差があればｘ偏波とｙ偏波
の光について複屈折が発生し、位相差が生じる。このよ
うな応力の違いによって複屈折が生じるので光弾性係数
Ｃが既知であれば、位相差δから応力の差σ_ｘ−σ_ｙが
分かる。応力の差がわかるのであって、個々のσ_ｘ、σ
_ｙは分からない。しかしそれも差し支えのないことであ
る。その理由は以下の説明でわかるが本発明は位相差だ
けを用いて劈開の判定を行うからである。それでは位相
差δをどうして測定するのか？これを述べる。

【００４４】光弾性効果の実際の測定方法のあらましを
図２によって説明する。そのような光弾性測定装置自体
は公知である。図２のように単色光源、偏光子（Polari
zer）Ｐ、λ／４板Ｑ１、試料、λ／４板Ｑ２、検光子
（Analyser）Ａを直線上に配列する。図２のように偏光
子Ｐの偏光方向と検光子Ａの偏光方向とは光軸廻りに相
対的に回転変化させることができる。偏光子Ｐは円偏
光、楕円偏光を一定方向に偏波面をもつ直線偏光に変換
する素子である。直線偏光を偏光子に通すと偏波面と偏
光面の成す角度の余弦（ｃｏｓ）分の直線偏光になる。
検光子Ａというのは偏光子と同じものであるが試験光の
うち特定の直線偏光成分を取り出す作用のある素子であ
る。

【００４５】λ／４板というのは直交する偏波面の光に
対する位相を１／４だけずらす作用のある素子である。
つまり複屈折性の結晶を丁度位相差がλ／４になるよう
な長さに切断した光学素子である。それだけでは主軸の
方向が２つある事になり図２のように主軸方向Ｑ１とい
うのが決められない。そこで二つの直交偏波のうち位相
が９０度遅れる方の偏波方向をλ／４板の主軸と定義す
る。二つのλ／４板があり、それぞれＱ１、Ｑ２と呼ぶ
が、それぞれの主軸方向をも図２に示す。つまり第１の
λ／４板の直交偏波の軸はＱ１、Ｑ２の方向なのである
が、位相が９０度遅れる方の偏波面がＱ１である。第２
のλ／４板の直交偏波の軸はＱ１、Ｑ２であるが、位相
が９０度遅れる方の偏波面がＱ２なのである。

【００４６】ここではλ／４板の主軸Ｑ１が偏光子の偏
波面方向Ｐ、検光子の偏波方向Ａと４５度の角度を成す
ようにしている。光弾性測定において検光子Ａの偏光方
向と偏光子Ｐの偏光方向を平行にする場合と、直角にす
る場合がある。両者の比の値から位相差を求めることが
できるのであるが分かりやすいことではないので、その
原理を順をおって説明する。

【００４７】試験光は波長λの単色光である。円偏光、
楕円偏光、多様な偏波面の直線偏光を含む。試験光は偏
光子Ｐによって一方向（図２のＰ方向）に偏波面をもつ
直線偏光になる。それがλ／４板Ｑ１によって右廻りの
円偏光になる。λ／４板の主軸は直線偏光Ｐに対して４
５度の角度をなすから、直線偏光はＱ１方向とその直角
の方向（Ｑ２の方向）に半分ずつ分配される。だから第
１のλ／４板の始端では、Ｑ１方向偏波はｃｏｓ（ｋｘ
−ωｔ）であり、Ｑ２方向偏波もｃｏｓ（ｋｘ−ωｔ）
で等しい。

【００４８】ところがλ／４板Ｑ１は、Ｑ１、Ｑ２にそ
った直交偏波Ｑ１、Ｑ２に対しＱ１を９０度遅らせるか
らＱ１の終端では、Ｑ２方向偏波がｃｏｓ（ｋｘ−ω
ｔ）にＱ１方向偏波がｃｏｓ（ｋｘ−ωｔ−π／２）＝
ｓｉｎ（ｋｘ−ωｔ）となる。これは電場が右回りに回
転することを意味するから時計廻り（右廻り）の円偏光
である。だから第１のλ／４板Ｑ１はＰ方向の直線平行
を右回りの円偏光にするという作用がある。

【００４９】より単純化して言えばλ／４板というもの
は直線偏光から９０度位相を遅延させる主軸の方向へ回
転する円偏光にするというものである。つまり偏光子と
４５度をなすλ／４板の組み合わせ（偏光子＋λ／４
板）は遅延軸の方向へ回転する円偏光を作り出すという
ことである。

【００５０】光の伝搬は時間反転性があるから、反対に
λ／４板＋検光子の組み合わせの場合、遅延軸から検光
子軸へと回転する円偏光は検光子を１００％透過し、そ
の反対に前進軸から検光子軸へと回転する円偏光は検光
子が１００％遮断するということである。この点は分か
りにくいがそういうことである。

【００５１】だからもしも第２のλ／４板Ｑ２の遅延軸
が図２のＱ１方向（４５度）で、検光子軸がＡ方向（０
度）であるとき、第２のλ／４板＋検光子の光学系は右
回り円偏光を１００％透過することになる。

【００５２】ところが実際には、第２のλ／４板Ｑ２の
遅延軸は図２においてＱ２の方向（１３５度）を向いて
いる。その場合、Ｑ２＋検光子の光学系は右回り円偏光
を１００％遮断することになる。

【００５３】円偏光となった試験光が試料の中に入る試
料厚みはｔである。もし試料が複屈折を全くもたないな
らば右廻りの円偏光のまま試験光が試料を通過する。そ
の場合、Ｑ２＋検光子の光学系は右回り円偏光を１００
％遮断するので検光子Ａ以後に試験光が全く出てこない
ことになる。つまり試料が複屈折率を持たないならば検
光子Ａの先には光が全く出ない。

【００５４】しかし試料が複屈折率を持つとそうではな
いようになる。Ｑ１方向のｓｉｎ（ｋｘ−ωｔ）とＱ２
方向のｃｏｓ（ｋｘ−ωｔ）の間に位相差δが与えられ
る。Ｑ１方向にδ／２、Ｑ２方向に位相−δ／２が与え
られたとすると、Ｑ１、Ｑ２方向それぞれにｓｉｎ（ｋ
ｘ−ωｔ＋δ／２）、ｃｏｓ（ｋｘ−ωｔ−δ／２）と
なる。試料の複屈折はＱ１方向、Ｑ２方向の偏波成分に
位相差を与えるので右回り円偏光に、一部左回り円偏光
を混合させる結果となる。

【００５５】Ｑ１；ｓｉｎ（ｋｘ−ωｔ＋δ／２）＝
ｃｏｓ（δ／２）ｓｉｎ（ｋｘ−ωｔ）＋ｓｉｎ（δ／
２）ｃｏｓ（ｋｘ−ωｔ）

【００５６】Ｑ２；ｃｏｓ（ｋｘ−ωｔ−δ／２）＝ｃ
ｏｓ（δ／２）ｃｏｓ（ｋｘ−ωｔ）＋ｓｉｎ（δ／
２）ｓｉｎ（ｋｘ−ωｔ）

【００５７】となる。これは試料を通過した光のｃｏｓ
（δ／２）部分は右回り円偏光で、ｓｉｎ（δ／２）部
分が左回り円偏光だということである。第２のλ／４板
Ｑ２と検光子Ａの組み合わせは左回り円偏光だけを通す
のであるから、ｓｉｎ（δ／２）の部分だけを通すとい
うことになる。だから図２のように並べていると、検光
子Ａの先に出る光量は全体量のｓｉｎ^２（δ／２）だけ
ということになる。

【００５８】全体の光量がわからないとδが求められな
い。そこで検光子Ａの主軸を図２のようにＰと直角でな
く、回転させてＰと平行にする。すると第２のλ／４板
Ｑ２の遅延軸から検光子軸Ａ（Ｐに等しい）を見る回転
方向が右回りになる。つまりこの組み合わせは右回り光
だけを通すようになる。右回り光は全体光量のｃｏｓ^２
（δ／２）である。つまり検光子軸ＡがＰに直角の時
は、検光子の先に出る光量は

【００５９】Ｉ^２（Ｐ⊥Ａ）＝Ｉ_０ ^２ｓｉｎ^２（δ／２）（左回り円偏光）である。

【００６０】検光子軸ＡがＰに平行の時は、検光子の先
に出る光量は

【００６１】Ｉ^２（Ｐ‖Ａ）＝Ｉ_０ ^２ｃｏｓ^２（δ／２）（右回り円偏光）である。全体の光量Ｉ_０ ^２は両者の和によって与えられ
る。

【００６２】

【数１】

【００６３】だから検光子ＡをＰに直交させたときの透
過光量と、平行にしたときの透過光量を測定し、その比
の値から位相差δが求められる。δがわかると、

【００６４】δ＝２πｔＣ（σ_１−σ_２）／λ

【００６５】から、歪値Ｃ（σ_１−σ_２）が

【００６６】

【数２】

【００６７】によって計算することができる。ｔは試料
の厚みである。歪値は無次元の量である。これがある閾
値以上であれば劈開面が乱れ、閾値以下であれば劈開面
が平滑になる、という予言を与えようとするのが本発明
である。

【００６８】しかし幾つかの問題がある。先述のように
光弾性係数Ｃが未だ不明だということである。Ｃが不明
だと（σ_１−σ_２）の絶対値はわからない。しかしそれ
は差し支えないことである。材料はＧａＮだと決まって
いるのだし温度Ｔも室温であるからＣは定数だと考えら
れる。するとどの試料でも（σ_１−σ_２）の相対値を求
めることができる。Ｃがわからないという問題は解決で
きる。

【００６９】もう一つの問題は主軸の方向である。
σ_１、σ_２は主軸方向の引っ張り応力であるが、その主
軸を決めているのはλ／４板Ｑ１、Ｑ２の主軸方向（遅
延軸）である。（σ_１−σ_２）というのは、Ｑ１方向の
応力σ_１とＱ２方向の応力σ_２の差がこうだということ
にすぎない。（σ_１−σ_２）は回転不変量ではない。試
料の結晶軸によってσの方向を決めているのではなく
て、光学系でσの軸が規定されている。

【００７０】もしも結晶中の主軸の方向がわかってお
り、それがｘ、ｙ方向だとすると、σ _ｘ、σ_ｙが存在
し、ｘ面を介したｙ方向の剪断力τ_ｘｙ、ｙ面を介した
ｘ方向の剪断力τ_ｙｘはともに０である。応力の主軸と
いうのは剪断力０の方向として定義される。ｘ軸とφを
なす角度方向の応力をσ_１、σ_２、τとすると、これら
はσ_ｘ，σ_ｙから

【００７１】σ_１＝σ_ｘｃｏｓ^２φ＋σ_ｙｓｉｎ^２φ σ_２＝σ_ｘｓｉｎ^２φ＋σ_ｙｃｏｓ^２φ τ＝（σ_１−σ_２）ｓｉｎφｃｏｓφ

【００７２】によって与えられる。つまりσ_１＋σ_２＝
σ_ｘ＋σ_２は回転不変量であるが、σ _１−σ_２は回転不
変量でない。

【００７３】劈開面での剪断力τの揺らぎが劈開面の凹
凸を発生させるのだから、τが最大になるのが劈開面に
合致するようにすればよいのである。先述のように、Ｇ
ａＮで劈開面は｛１−１００｝であり、これはＭ面とい
う通称がある。Ｃ面方向の結晶を成長させた場合、Ｍ面
は表面に直角である。劈開面（Ｍ面）の方向はウエハの
段階でわかっている。角型ウエハなら矩形の長さから、
円形ウエハの場合はオリエンテーションフラットを付け
るから劈開面の方向がわかる。

【００７４】上の式からτを最大にするのは、φ＝４５
度のときである。そのときτ＝（σ _１−σ_２）／２であ
る。τが劈開面の剪断力だということにすれば、（σ_１
−σ _２）の揺らぎが劈開面の凹凸を発生させるのだとい
う推論は理解し易いものになる。

【００７５】ということは光学系の主軸Ｑ１、Ｑ２を劈
開面（Ｍ面；｛１−１００｝）に対して４５度の傾斜角
をなすように配置すればよいということである。つまり
偏光子Ｐの偏光方向を劈開面（Ｍ面；｛１−１００｝）
に平行あるいは垂直にすれば良いのである。

【００７６】そして本発明は実験によって、ＧａＮ厚み
ｔ＝１５０μｍのときに、歪Ｃ（σ _１−σ_２）の閾値が
５×１０^−５であることを初めて見出した。

【００７７】Ｃ（σ_１−σ_２）≦５×１０^−５

【００７８】なら、そのＧａＮ基板は劈開性優れた良品
だと判定する。反対に

【００７９】Ｃ（σ_１−σ_２）＞５×１０^−５なら、そのＧａＮ基板は劈開性に乏しい不良品だと判定
する。

【００８０】

【実施例】［実施例１（成長速度１００μｍ／ｈ以
下）］ＨＶＰＥ法によってＧａＮ基板を作製した。ＨＶ
ＰＥ法は既に述べたように図１に示す装置によってＧａ
Ｎを成長させるものである。原料は金属Ｇａ融液と、水
素で希釈した塩化水素（ＨＣｌ）ガス、水素で希釈した
アンモニア（ＮＨ_３）ガスである。基板はＧａＡｓ（１
１１）Ｇａ基板であり、ドット状の窓を千鳥に配置した
マスクを付け、その上にＧａＮバッファ層を比較的低温
で成長させた。孤立した窓において島状にＧａＮ結晶核
が独立に成長を開始する。

【００８１】バッファ層はＧａＡｓとＧａＮの格子不整
合を吸収するためのものであり５０μｍ〜１００μｍの
薄いものである。バッファ層はマスクよりも薄い。その
あと温度を上げてＧａＮエピ成長を行う。その時のエピ
成長の速度ｗは、１００μｍ／ｈ以下である。エピ成長
膜の厚みは０．５ｍｍ以上とする。もちろん時間を掛け
ると厚く積層することができる。王水でＧａＡｓ種結晶
を除去する。厚くした場合は、内周刃スライサーによっ
て一定厚さの複数のウエハに切断する。このウエハを研
磨して１５０μｍの厚さの試験ウエハとした。

【００８２】厚いウエハは自然劈開しにくいし、薄いウ
エハは自然劈開が容易である。左様に厚さは重要な劈開
性を評価するときの因子の一つである。このように薄く
するのは自然劈開が可能なようにするためである。

【００８３】インゴットから切り取ったウエハはアズカ
ットウエハと言う。これは５００μｍ程度の厚いウエハ
である。これをラッピング、エッチングして加工変質層
を除去し厚みを整え研磨したのがミラーウエハである。
ミラーウエハは純粋にＧａＮだけからなる。その上にＧ
ａＩｎＮ層やＧａＮ層を積層したものがエピタキシャル
ウエハである。ハンドリングを容易にするため、これも
かなりの厚みがある。デバイスメーカーでエピタキシャ
ルウエハの上に気相成長、拡散、蒸着、エッチングなど
を含むウエハプロセスによってデバイスを作製する。そ
のあとウエハの裏面を研磨して薄くする。このときの厚
みが１５０μｍである。

【００８４】薄い方が劈開しやすいしパッケージに取り
付けてＬＤ、ＬＥＤとしたときの放熱性がよい。しかし
あまりに薄くすると破損する可能性が高くなる。だから
最終的な厚みを幾らにするかということは目的により製
造者により相違する。所定厚みまで薄くしたものを劈開
してミラー面とする。ここでは最終厚みが１５０μｍの
場合を想定している。

【００８５】だからこの劈開試験においても１５０μｍ
まで薄く研磨加工している。このＧａＮウエハは結晶成
長して研磨しただけのものであり、エピタキシャルウエ
ハでないしデバイスを作製したウエハでもないが劈開の
条件を等しくするために最終的なデバイス作製研磨後の
厚さに等しくしている。気相成長したＧａＮ基板と、デ
バイスを作製したウエハでは薄膜の種類が違うので厳密
に同じものではないがエピ層は大部分はＧａＮ層である
し全体の膜厚が等しいので劈開に対する特性もほぼ同一
であろうと考えられる。

【００８６】劈開試験は次のようにする。金属メスによ
って基板の劈開方向（１−１００）に傷を付け、その線
に沿って手でウエハを割った。うまく劈開できた。そし
て劈開面を顕微鏡観察した。図５が劈開面の顕微鏡写真
である。

【００８７】さらにその劈開面において一定間隔で、光
弾性を用いて残留歪を測定した。残留歪の測定結果を図
３において太い破線によって示す。横軸は測定点の位置
である。劈開面の幅は１５０μｍであるが長手方向には
基板長さだけある。ここでは中央部付近の５ｍｍの幅に
ついての結果を示している。横軸は長手方向の位置（ｃ
ｍ）である。縦軸は光弾性測定による歪である。横線は
本発明が閾値とする５×１０^−５の線である。

【００８８】もちろん閾値は、研磨後のＧａＮウエハの
厚みによって変わるはずである。ここでは１５０μｍに
研磨しているからこれが閾値になる。より薄くすれば劈
開はより容易になるから閾値は下がるだろうし、より厚
ければ劈開はより難しくなり閾値は上がるであろう。し
かし放熱性、強度などを考えるとＧａＮウエハは最終的
に１００μｍ〜２００μｍ程度に削られることであろ
う。すると内部歪の閾値も５×１０^−５程度であろうと
推定される。

【００８９】３．３×１０^−５〜４．５×１０^−５の範
囲に歪が分布している。ばらつきはあるが、比較的小さ
い。最大の位置でも４．５×１０^−５である。どの位置
でも閾値５×１０^−５の線より下にあるということがわ
かる。

【００９０】劈開面が比較的綺麗だといってもそれだけ
では定量的に判断できない。劈開面の凹凸を数量的に評
価する必要がある。そこで劈開面の面粗度Ｒａを劈開面
にそって図３と同じ全ての点で測定した。その測定によ
って、光弾性効果による歪Ｃ（σ_１−σ_２）が増えると
Ｒａも増え、歪が減るとＲａも低くなるという相関があ
ることが分かった。自然劈開は｛１−１００｝面を綺麗
に露呈するはずのものであるが、内部応力が存在すると
加えられた力の方向がねじ曲がり割れる面が狂ってくる
のであろう。

【００９１】局所的な内部応力と劈開面の局所的な粗度
に相関があるというようなことはどのような結晶でも具
体的に調べられたことはない。Ｓｉ半導体、ＧａＡｓ半
導体ＩＣなどでもチップに切り出すときは自然劈開で分
離するが劈開面が平坦平滑であるという必要性は薄い。
劈開面が問題になるのは共振器が不可欠のレ−ザの場合
だけである。ＧａＡｓ系のレ−ザの場合は自然劈開でレ
−ザ共振器面が容易に得られるのでそのような必要性は
なかった。まして新規な結晶であるＧａＮについての研
究もない。

【００９２】ＧａＮにおいて内部歪と劈開面凹凸の間に
何らかの相関があるということを指摘したのは本発明が
最初である。そのようなことは実際に実験をしてみない
と分からない。

【００９３】それには実験自身が困難であるということ
があった。凹凸は顕微鏡で見てわかるが、局所的な内部
歪は顕微鏡では分からない。歪は内在的な潜在力であり
目に見えるものではない。ウエハの全体としての歪はウ
エハの曲がり（曲率）によってわかるが、それは平均化
された全体のもので局所的なものでない。局所的な内部
歪を知るため本発明者は光弾性効果を利用することを思
い付いた。それによって結晶内部の歪を局所的に測定で
きた。局所的ということが重要である。本発明者が初め
て局所的な結晶歪を測定し、劈開面の局所乱れとの関連
を見出したのである。

【００９４】劈開面の長手方向において全ての点でその
ような正の相関の存在が確かめられた。このような知見
自体新規なものである。実施例１において、劈開面の全
ての点で面粗度Ｒａは１０ｎｍ以下である事が分かっ
た。これだけだと何が閾値を与えるのかがハッキリしな
いが、のちに比較例の試験をしたので閾値が明確になっ
てくる。

【００９５】面粗度の定義は幾つかあり、どの面粗度で
測定したかによって値が違うので注意しなければならな
い。例えばＲｍａｘという面粗度の表現がある。これは
粗度の最大値という意味である。適当な平均の平面を仮
定し、その平面より上方へ偏奇した凸部の高さと下方へ
偏奇した凹部の深さの和の最大値をいう。これは凹凸の
最大であるから分かりやすい。が、曲面になっていると
大きく出すぎるし面積に依存して増えるから局所的な凹
凸の表現としては向いていない。しかしよく使用される
面粗度の種類であるからここに述べた。

【００９６】Ｒａというのは、隣接する山と谷の高さの
差を平均したものである。だから巨視的な歪があって
も、それによって面粗度が見かけ上過大になるというこ
とはない。また平均値だから面積が増えると増えるとい
うようなこともない。劈開面は全体として平面であるし
劈開面の乱れというのは凹凸の深さ高さと凹凸の数をい
うのであるから平均の粗度を表現するＲａが劈開面の乱
れを評価するものとしてはより適しているといえよう。
その他にも面粗度を測定するパラメータが存在する。Ｒ
ｍａｘはＲａの数倍から数十倍であることが多い。面粗
度として何を用いているかに注意し、ＲｍａｘとＲａを
混同してはならない。

【００９７】劈開面は幅は１５０μｍで狭いが長さがあ
って長手方向には面粗度が変わり、Ｒａ８ｎｍとかＲａ
７ｎｍ或いはＲａ５ｎｍというように変動する。しかし
どの位置でもＲａ１０ｎｍを越えないということがわか
った。面粗度Ｒａが１０ｎｍ以下というのは優れて平滑
平坦であり凹凸が少ないということである。研磨してそ
のような面になるということはあるが自然劈開だけで研
磨していないのにＲａ１０ｎｍ以下であった。良いＧａ
Ｎ基板だということがわかる。

【００９８】図５は実施例１のＧａＮ結晶の自然劈開面
の顕微鏡写真である。下縁に僅かな凹凸が見られるが、
中間部と上部はミラー面となっている。ＬＤのミラー面
として充分の平滑性である。

【００９９】［比較例１（成長速度１００μｍ／ｈ越
え）］比較のため別のＧａＮ基板をＨＶＰＥ法によって
作製した。成長の条件は実施例１とほぼ同様であるが、
成長速度だけが違う。比較例のＧａＮ結晶は、１００μ
ｍ／ｈを越える成長速度で製造した。そしてＧａＡｓ結
晶を除去してＧａＮの単体結晶とした。

【０１００】エピ成長膜の厚みは０．５ｍｍ以上とす
る。このウエハを研磨して１５０μｍの厚さの試験ウエ
ハとした。比較例１の試験ウエハについても同様の劈開
試験を行う。

【０１０１】金属メスによって基板の劈開方向（１−１
００）に傷を付け、その線に沿って手でウエハを割っ
た。劈開できたけれども劈開面に凹凸があった。平滑な
劈開面は得られなかった。劈開面を顕微鏡観察した。図
６が劈開面の顕微鏡写真である。

【０１０２】さらにその劈開面において一定間隔で、光
弾性を用いて残留歪を測定した。残留歪の測定結果を図
３において細い実線によって示す。横軸は測定点の位置
である。劈開面の幅は１５０μｍであるが長手方向には
基板長さだけある。ここでは中央部付近の５ｍｍの幅に
ついての結果を示している。横軸は長手方向の位置（ｃ
ｍ）である。縦軸は光弾性測定による歪である。横線は
本発明が閾値とする５×１０^−５の線である。

【０１０３】歪の全体的な数は、実施例１に比べて大き
い。歪のばらつきは大きく３×１０ ^−５未満のこともあ
る（０．０１ｃｍ〜０．０４ｃｍ）が、４×１０^−５程
度のこともある。０．６ｍｍの観測位置で閾値５×１０
^−５の線を越え５．５×１０ ^−５に達している。０．３
７の位置でも閾値５×１０^−５を越え５．９×１０⁻ ^５
に到達している。歪の変化率は大きくて滑らかに変動す
るというのではない。

【０１０４】劈開面の面粗度が大きいのが顕微鏡写真に
よってよくわかる。しかしそれでは定性的な印象に留ま
るから、長手方向において劈開面での面粗度Ｒａを測定
した。先に述べたようにＲａという面粗度は隣接山谷高
さの差の局所的な平均値であるから劈開面の長手方向で
変動する。図３と同様に全ての位置でＲａを測定した。
Ｒａは光弾性による歪と相関があり、歪Ｃ（σ_１−
σ_２）が大きいとＲａも大きくなるような傾向があっ
た。正比例というようなハッキリしたものではないが正
の相関があった。

【０１０５】歪Ｃ（σ_１−σ_２）が５×１０^−５を越え
ると、面粗度Ｒａは１００ｎｍ以上に増大してしまうこ
とが分かった。図６は比較例において劈開面の歪が５×
１０ ^−５以上である部位の劈開面の顕微鏡写真である。
下縁に大きく波打つ凹凸が存在する。上縁にも波状の凹
凸がある。中間部にも面の乱れがある。

【０１０６】比較例のＧａＮ基板においても、歪が閾値
５×１０^−５より低いところが幾らもあるが、閾値より
高いところを幾つか含む。そのようなＧａＮ基板を使用
してＬＤを作った場合製品歩留まりが悪くなる。だから
閾値より高い部位を含む基板は初めから不良とした方が
無駄がなくて最終的な歩留まりが高くなる。

【０１０７】ということは初めから、光弾性効果歪の最
大値が閾値より高いウエハは使わない、ということであ
る。

【０１０８】図４はＧａＮ基板の光弾性効果による歪Ｃ
（σ_１−σ_２）と、劈開断面図の面粗度Ｒａの関係を示
すグラフである。横軸はＣ（σ_１−σ_２）である。縦の
線は閾値５×１０^−５の線である。縦軸はＲａであるが
これは対数目盛りとなっている。実施例１、比較例１に
おいて、劈開面の長手方向に沿って（一定間隔に取っ
た）全ての位置での歪とＲａの関係が分かっているから
それを破線によって示したものである。▲基板Ａとある
のは比較例１の基板中の最大の歪・最大の粗度を与える
部分のデータを示す。◇基板Ｂとあるのは実施例１の基
板中の最大の歪・最大の粗度を与える部分のデータであ
る。

【０１０９】歪の閾値の近傍で、Ｒａが急増することが
わかる。これ以下の歪の場合Ｒａは１０ｎｍ（１００オ
ングストローム）以下であるし、これ以上の歪の場合Ｒ
ａは１００ｎｍ（１０００オングストローム）以上にな
ってしまう。

【０１１０】だからＧａＮウエハを評価する場合、光弾
性効果歪の最大値を閾値５×１０⁻ ^５と比較して良否を
決定すれば良いということになる。

【０１１１】

【発明の効果】従来はＧａＮ基板の劈開性を予め判定す
る手段がなかった。基板の上に複数の窒素化合物薄膜を
エピタキシャル成長してウエハプロセスによってＬＥ
Ｄ、ＬＤなどデバイスを作製しチップに劈開して初めて
ウエハの劈開性の良否がわかった。本発明はＧａＮ基板
にレ−ザ光を当てて光弾性効果によって歪を測定し歪値
が５×１０^−５以下であれば劈開性良好、以上であれば
劈開性不可と判定する。本発明によれば光弾性効果によ
ってＧａＮ基板の劈開性をデバイス作製に先だって非破
壊で判定することができる。ＧａＮ基板の劈開性を実際
に劈開しなくても予見することができるようになる。

【０１１２】ウエハの良否を予め判断し特性が不可と判
定されたウエハはエピタキシャル成長せず除去できる。
不可と判定されたＧａＮ基板については、エピタキシャ
ル成長に続く、フォトリソグラフィ、薄膜成長などのウ
エハプロセスを行わないことになる。劈開性の劣悪な基
板の上にウエハプロセスによってデバイスを作製すると
いう無駄を省くことが可能になる。

【０１１３】本発明によってＧａＮ基板の劈開性を予め
判断する事ができるようになって初めて、ＧａＮ基板の
上にＧａＩｎＮ系の半導体レ−ザ（ＬＤ）を作って自然
劈開によってレ−ザの共振器（キャビティ）のミラー面
を形成できるのである。初めから劈開性の劣悪なウエハ
を除くので歩留まりを高めることができる。その歩留ま
り向上によって初めて、ＧａＮ基板のＬＤが、従来のよ
うにサファイヤ基板の上にＧａＩｎＮ系ＬＤを作りドラ
イエッチングやイオンミリングによってミラー面を作製
するという手間の掛かるサファイヤ基板ＬＤより優れた
ものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＧａＮ単結晶を作製するＨＶＰＥ法の反応炉の
概略を示す断面図。

【図２】光弾性測定装置の概略を示す構成図。

【図３】実施例１にかかるＧａＮ基板Ｂ（破線）と、比
較例１にかかるＧａＮ基板Ａ（実線）の直径に沿う線に
取った観測点での光弾性効果の測定結果を示すグラフ。
横軸は観測位置（ｃｍ）である。縦軸は光弾性効果によ
る歪の値Ｃ（σ_１−σ_２）である。横に引いた線が歪の
閾値を与える５×１０^−５の線である。

【図４】ＧａＮ基板の光弾性効果による歪の値Ｃ（σ_１
−σ_２）と、劈開面断面の面粗度Ｒａとの関係を示すグ
ラフ。横軸は歪値Ｃ（σ_１−σ_２）であり、縦軸は面粗
度Ｒａ（オングストローム）である。◇が実施例１にか
かるＧａＮ基板Ｂのデータを、▲が比較例１にかかるＧ
ａＮ基板Ａのデータを示している。

【図５】実施例１にかかるＧａＮ基板Ｂの劈開面の写
真。面粗度Ｒａは１０ｎｍ以下である。

【図６】比較例１にかかるＧａＮ基板Ａの劈開面の写
真。面粗度Ｒａは１００ｎｍ以上である。

【符号の説明】

１ＨＶＰＥ反応炉２ヒ−タ３原料ガス導入管４原料ガス導入管５Ｇａ溜（Ｇａボート）６Ｇａ融液７サセプタ８回転軸９基板１０ガス排出口

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＧａＮ単結晶基板の全面に単色光をあて
光弾性効果によって歪値を測定し、測定した歪値の面内
での最大値が、５×１０^−５以下であれば劈開性が良好
であると判定し、５×１０^−５を越えれば劈開性が不良
であると判定することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の
劈開性の判定方法。
【請求項２】ＧａＮ単結晶基板の全面に単色光をあて
光弾性効果によって歪値を測定し、光弾性効果によって
測定した歪値の面内での最大値が、５×１０ ^−５以下で
あることを特徴とするＧａＮ単結晶基板。