JPH03288425A - ウエハの製造方法 - Google Patents
ウエハの製造方法Info
- Publication number
- JPH03288425A JPH03288425A JP8921290A JP8921290A JPH03288425A JP H03288425 A JPH03288425 A JP H03288425A JP 8921290 A JP8921290 A JP 8921290A JP 8921290 A JP8921290 A JP 8921290A JP H03288425 A JPH03288425 A JP H03288425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gap
- substrate
- gap substrate
- gaasp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、ウェハの製造方法に関し、特にＧａＰ基板上
にＧａＡｓＰを気相成長したウェハの製造方法に関する
。
にＧａＡｓＰを気相成長したウェハの製造方法に関する
。
（従来の技術）
以下、従来のウェハの製造方法を説明する。
ＧａＰ単結晶をダイヤモンドブレードで切り出して、Ｇ
ａＰ基板を用意する。次に、ＧａＰ基板の表面のみを鏡
面研摩し、裏面は粗面のままにしておく。このＧａＰ基
板の表面にＧａＡｓＰを気相エピタキシャル成長させて
、ウェハを形成する。
ａＰ基板を用意する。次に、ＧａＰ基板の表面のみを鏡
面研摩し、裏面は粗面のままにしておく。このＧａＰ基
板の表面にＧａＡｓＰを気相エピタキシャル成長させて
、ウェハを形成する。
しかし、この製造方法では、ＧａＰ基板上にＧａＡｓＰ
をエピタキシャル成長する際、ＧａＡｓＰエピタキシャ
ル眉の熱彫版係数がＧａＰ基板の熱彫版係数よりも大き
いため、高温でエピタキシャル成長させたのち、室温に
もどすとウェハに反りが発生する。それに加え、ウェハ
の裏面が粗面では、第２図に示すようにウェハに嘴開ク
ラックが発生しゃすくウェハ全体が割れてしまい、歩留
りが低下するという欠点があった。
をエピタキシャル成長する際、ＧａＡｓＰエピタキシャ
ル眉の熱彫版係数がＧａＰ基板の熱彫版係数よりも大き
いため、高温でエピタキシャル成長させたのち、室温に
もどすとウェハに反りが発生する。それに加え、ウェハ
の裏面が粗面では、第２図に示すようにウェハに嘴開ク
ラックが発生しゃすくウェハ全体が割れてしまい、歩留
りが低下するという欠点があった。
（発明が解決しようとする課題）
このような製造方法では、ウェハに襞間クラックが発生
しやすくウェハ全体が割れてしまい、歩留りが低下する
という問題点があった。
しやすくウェハ全体が割れてしまい、歩留りが低下する
という問題点があった。
本発明は、以上の点に鑑み、ウェハの割れ強度、歩留り
を向上するウェハの製造方法を提供する。
を向上するウェハの製造方法を提供する。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明によるウェハの製造方法は、内部残留歪５０ｋｇ
／ｃｄ以下のＧａＰ基板を用意する工程と、前記ＧａＰ
基板の表裏内面を５μｍ以上エツチングする工程、前記
ＧａＰ基板上にＧａＡｓＰをエピタキシャル成長させる
工程とを具備したことを特徴とする。
／ｃｄ以下のＧａＰ基板を用意する工程と、前記ＧａＰ
基板の表裏内面を５μｍ以上エツチングする工程、前記
ＧａＰ基板上にＧａＡｓＰをエピタキシャル成長させる
工程とを具備したことを特徴とする。
（作用）
内部残留歪が５０ｋｇ／ｃｍ２以下のＧａＰ基板を用り
ＧａＰ基板表面を滑かにするため、ＧａＡｓＰウェハの
割れ強度を向上する。
ＧａＰ基板表面を滑かにするため、ＧａＡｓＰウェハの
割れ強度を向上する。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
ＬＥＣ法によって製造した直径２′φ、長さ１００閣の
面方位（１００） Ｇ ａ Ｐ単結晶から（＋１０）方
向へ６°傾けてダイヤモンドブレードで厚さ３５０μｍ
のＧａＰ基板を切り出す。
面方位（１００） Ｇ ａ Ｐ単結晶から（＋１０）方
向へ６°傾けてダイヤモンドブレードで厚さ３５０μｍ
のＧａＰ基板を切り出す。
次に、得られた粗面状態のＧａＰ基板から数枚を抜き取
り、基板両面を鏡面研摩した後、光弾性法によりＧａＰ
基板径方向の歪分布を測定し、歪の最大値、平均値を検
査した。第４図はＧａＰ基板の径方向に対するＧａＰ基
板の残留応力分布を示している。第４図（ａ）に示す残
留応力歪最大値＋［１８ｋｇ／ａｄ、最小値５ ｋｇ／
ｃａ？、平均値５１ｋｇ／ａりＧａＰ基板を用いてＧａ
ＡｓＰを成長させた場合には、ウェハの機械的強度が弱
く、ウェハに大きな反りが発生し襞間クラックが発生し
やすかったが、同図（ｂ）に示す残留応力歪最大値２９
ｋｇ／ｃｍ２。
り、基板両面を鏡面研摩した後、光弾性法によりＧａＰ
基板径方向の歪分布を測定し、歪の最大値、平均値を検
査した。第４図はＧａＰ基板の径方向に対するＧａＰ基
板の残留応力分布を示している。第４図（ａ）に示す残
留応力歪最大値＋［１８ｋｇ／ａｄ、最小値５ ｋｇ／
ｃａ？、平均値５１ｋｇ／ａりＧａＰ基板を用いてＧａ
ＡｓＰを成長させた場合には、ウェハの機械的強度が弱
く、ウェハに大きな反りが発生し襞間クラックが発生し
やすかったが、同図（ｂ）に示す残留応力歪最大値２９
ｋｇ／ｃｍ２。
最小値−１ｋｇ／ｃｍ２、平均値１１ｋｇ／ｃｎｆの場
合には、ウェハの機械的強度が強く、ウェハの反りが小
さく、襞間クラックが発生しにくかった。この検査によ
り、歪の最大値が５０ｋｇ／ｃｍ２以下、平均値で３０
ｋｇ／ｃＩｌ以下となるＧａＰ基板を選別した。
合には、ウェハの機械的強度が強く、ウェハの反りが小
さく、襞間クラックが発生しにくかった。この検査によ
り、歪の最大値が５０ｋｇ／ｃｍ２以下、平均値で３０
ｋｇ／ｃＩｌ以下となるＧａＰ基板を選別した。
その後、選別した粗面状態のＧａＰ基板を有機溶剤で洗
浄したのち、ウェハカセットに収納シテエッチング槽に
入れ、ＧａＰ基板を回転させながらＧａＰ基板両面を７
μｍエツチングする。このとき、エツチングはフッ硝酸
（ＨＦＩＩＩＮＯ，−１： １ 。
浄したのち、ウェハカセットに収納シテエッチング槽に
入れ、ＧａＰ基板を回転させながらＧａＰ基板両面を７
μｍエツチングする。このとき、エツチングはフッ硝酸
（ＨＦＩＩＩＮＯ，−１： １ 。
６５℃）で約１分行った。エツチング量とエツチング速
度のコントロールにより、ウェハの裏面が滑らかになり
、ＧａＰ基板上にＧａＡｓＰを成長させる際のウェハの
割れ強度が向上する。ウェハの割れ強度向上の効果を得
るためには、第３図に示すようにエツチング量は少なく
とも５μｍ以上が望ましい。ここでウェハの割れ強度は
、２′φウエハを直径４５ｍｍのリング状支持台にのせ
、ＧａＰ基板中心を棒で押しウェハが割れたときの印加
荷重をＧａＰ基板の厚さの２乗で割って求めたものであ
る。また、ＧａＰ基板表面にエツチングのむらができな
いためにはエツチング速度は遅い方が望ましい。
度のコントロールにより、ウェハの裏面が滑らかになり
、ＧａＰ基板上にＧａＡｓＰを成長させる際のウェハの
割れ強度が向上する。ウェハの割れ強度向上の効果を得
るためには、第３図に示すようにエツチング量は少なく
とも５μｍ以上が望ましい。ここでウェハの割れ強度は
、２′φウエハを直径４５ｍｍのリング状支持台にのせ
、ＧａＰ基板中心を棒で押しウェハが割れたときの印加
荷重をＧａＰ基板の厚さの２乗で割って求めたものであ
る。また、ＧａＰ基板表面にエツチングのむらができな
いためにはエツチング速度は遅い方が望ましい。
次にＧａＰ基板を水洗・乾燥して、ＧａＰ基板の表面を
鏡面研摩する。その後、ＧａＡｓＰをＧａＰ基板の研摩
した面上にエビキシャル成長させる。−例としてＧａＰ
基板を４０工ビ７０ツト分（約２００枚）用意し、成長
温度的８５０℃の赤色のＧａＡｓＰエピタキシャル成長
工程に投入して、厚さ約８０μｍのＧａＡｓＰを成長さ
せ、ウェハを形成した。（第１図）。
鏡面研摩する。その後、ＧａＡｓＰをＧａＰ基板の研摩
した面上にエビキシャル成長させる。−例としてＧａＰ
基板を４０工ビ７０ツト分（約２００枚）用意し、成長
温度的８５０℃の赤色のＧａＡｓＰエピタキシャル成長
工程に投入して、厚さ約８０μｍのＧａＡｓＰを成長さ
せ、ウェハを形成した。（第１図）。
本実施例と従来例により得られたＧａＡｓＰウェハの割
れ強度を比較すると、従来では４〜５ ｋｇ／１ｌｌ１
１１２であったが、本実施例では１０〜１５ｋｇ ／
＋ｎｍ ２となりウェハの割れ強度が向上した。モして
ウェハの割れ率は、従来１０〜３０％であったが本実施
例では０〜５％となり向上した。また、ウェハの反り量
も従来１０〜３０μｍから本実施例の２〜１０μｍ少 に減才した。
れ強度を比較すると、従来では４〜５ ｋｇ／１ｌｌ１
１１２であったが、本実施例では１０〜１５ｋｇ ／
＋ｎｍ ２となりウェハの割れ強度が向上した。モして
ウェハの割れ率は、従来１０〜３０％であったが本実施
例では０〜５％となり向上した。また、ウェハの反り量
も従来１０〜３０μｍから本実施例の２〜１０μｍ少 に減才した。
なお、本実施例ではエツチング液としてフッ硝酸を用い
たが、王水等信のエツチング液を用いてもよい。また、
インゴットの段階てＧａＰ基板の歪の限界値がクリアで
きることが判明しているならば、歪検査を省略してもよ
い。
たが、王水等信のエツチング液を用いてもよい。また、
インゴットの段階てＧａＰ基板の歪の限界値がクリアで
きることが判明しているならば、歪検査を省略してもよ
い。
［発明の効果］
以上の結果から、本発明を用いることによって、ウェハ
の割れ強度、歩留りを向上することができる。
の割れ強度、歩留りを向上することができる。
第１図は本発明の実施例に係わるウェハの断面図、第２
図は従来技術によるウェハの断面図、第３図はウェハエ
ツチング量に対するウェハ割れ強度の図、 第４図は本発明の実施例および従来技術に係わるウェハ
径方向の歪分布の測定図である。
図は従来技術によるウェハの断面図、第３図はウェハエ
ツチング量に対するウェハ割れ強度の図、 第４図は本発明の実施例および従来技術に係わるウェハ
径方向の歪分布の測定図である。
Claims (1)
- 内部残留歪５０ｋｇ／ｃｍ＾２以下のＧａｐ基板を用
意する工程と、前記ＧａＰ基板の表裏内面を５μｍ以上
エッチングする工程と、前記ＧａＰ基板上にＧａＡｓＰ
をエピタキシャル成長させる工程とを具備したことを特
徴とするウェハ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8921290A JPH03288425A (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | ウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8921290A JPH03288425A (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | ウエハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03288425A true JPH03288425A (ja) | 1991-12-18 |
Family
ID=13964412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8921290A Pending JPH03288425A (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | ウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03288425A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299741A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ単結晶基板の劈開性の判定方法とＧａＮ単結晶基板 |
-
1990
- 1990-04-05 JP JP8921290A patent/JPH03288425A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299741A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ単結晶基板の劈開性の判定方法とＧａＮ単結晶基板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7586154B2 (en) | Method for fabricating a substrate with useful layer on high resistivity support | |
| JP4678039B2 (ja) | ＳｉＣ基板 | |
| JP2955231B2 (ja) | 結晶成長用種板の製造方法およびこれによる単結晶の製造方法 | |
| JP2009164634A (ja) | 高表面品質ＧａＮウェーハおよびその製造方法 | |
| JP4148105B2 (ja) | ＳｉＣ基板の製造方法 | |
| US20020035960A1 (en) | Silicon carbide film and method for manufacturing the same | |
| US4410395A (en) | Method of removing bulk impurities from semiconductor wafers | |
| WO2008062550A1 (fr) | Nacelle de traitement thermique vertical et procédé de traitement thermique de plaquette semiconductrice à l'aide de celui-ci | |
| JP3454033B2 (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
| JP2005314216A (ja) | 低欠陥半導体部品用の基体ウェーハの製造方法、それにより得られる部品及びその使用 | |
| JPS583374B2 (ja) | シリコン単結晶の処理方法 | |
| JP3888416B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ | |
| JPH09310170A (ja) | 炭化珪素薄膜構造体およびその作製方法 | |
| JPH03288425A (ja) | ウエハの製造方法 | |
| JPH0442893A (ja) | シリコンウエーハ | |
| JP4423903B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | |
| US20020124793A1 (en) | Silicon carbide film and method for manufacturing the same | |
| JP2607853B2 (ja) | シリコン半導体ウエハの拡散方法及びディスクリート基板の製造方法 | |
| TWI811746B (zh) | 碳化矽晶種及其製造方法、碳化矽晶體的製造方法 | |
| JPH0414836A (ja) | Ｓｉ基板 | |
| JP2983322B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2002134521A (ja) | シリコン半導体基板の熱処理方法 | |
| WO2022091831A1 (ja) | 貼り合わせウェーハ用の支持基板の製造方法、および貼り合わせウェーハ用の支持基板 | |
| JPH1126337A (ja) | 貼り合わせ基板の作製方法 | |
| JPS61251600A (ja) | ウエハ−の加工法 |