JP2014001138A - GaN単結晶基板およびその製造方法、ならびにGaN系半導体デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本GaN単結晶基板20pは、主面20pmの面積が10cm2以上であり、主面20pmの面方位が(0001)面または(000−1)面20cに対して65°以上85°以下で傾斜しており、主面20pm内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一、たとえば主面20pm内において平均キャリア濃度に対するキャリア濃度のばらつきが±50%以内である。
【選択図】図1
Description
(実施形態1)
図1を参照して、本発明の一実施形態であるGaN単結晶基板20pは、主面20pmの面積が10cm2以上であり、主面20pmの面方位が(0001)面または(000−1)面20cに対して65°以上85°以下で傾斜しており、主面20pm内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一である。
(実施形態2)
図2および図3を参照して、本発明の一実施形態であるGaN単結晶基板の製造方法は、実施形態1のGaN単結晶基板20pの製造方法であって、主面10pmの面積が10cm2以上で、主面10pmの面方位が(0001)面または(000−1)面1cに対して65°以上85°以下で傾斜しているGaN種結晶基板10pを準備する工程(図2(A)〜(B)、図3(A))と、GaN種結晶基板10pの主面10pm上にGaN単結晶20を成長させる工程(図2(C)、図3(B))と、GaN単結晶20をGaN種結晶基板10pの主面10pmに平行な面20u,20vで切り出してGaN単結晶基板を形成する工程(図2(D)、図3(C))と、を備える。本実施形態のGaN単結晶基板の製造方法は、かかる工程を備えることにより、効率的に実施形態1のGaN単結晶基板を製造することができる。
図2を参照して、本実施形態のGaN単結晶基板の製造方法の一例(以下、例Iという)は、以下のとおりである。図2(A)および(B)を参照して、例Iにおいては、GaN種結晶基板10pを準備する工程は、GaN母結晶1から(0001)面または(000−1)面1cに対して65°以上85°以下の傾斜角αで傾斜している面方位の主面1pmを有する複数のGaN母結晶片1pを切り出すサブ工程(図2(A))と、複数のGaN母結晶片1pを、それらの母結晶片の主面1pmが互いに平行で、かつ、それらの母結晶片の[0001]方向が互いに平行になるように、横方向に互いに隣接させて配置することにより、主面10pmの面積が10cm2以上であり、主面10pmの面方位が(0001)面または(000−1)面1cに対して65°以上85°以下の傾斜角αで傾斜しているGaN種結晶基板10pを形成するサブ工程(図2(B))と、を備える。
図3を参照して、本実施形態のGaN単結晶基板の製造方法の他の例(以下、例IIという)は、以下のとおりである。
(実施形態3)
図5を参照して、本発明の一実施形態であるGaN系半導体デバイス100は、実施形態1のGaN単結晶基板20pと、GaN単結晶基板20pの主面20pm上に形成されている少なくとも1層のGaN系半導体層130と、を含む。
(実施形態4)
図5を参照して、本発明の一実施形態であるGaN系半導体デバイス100の製造方法は、実施形態1のGaN単結晶基板20pを準備する工程と、GaN単結晶基板20pの主面20pm上に少なくとも1層のGaN系半導体層130を成長させる工程と、を備える。
GaN母結晶は以下のようにして作製した。直径50mmで厚さ0.8mmのGaAs基板(下地基板)の(111)A面の主面上に、フォトリソグラフィ法およびエッチングにより、直径が2μmの複数の開口部が4μmのピッチで平面的に六方稠密に配置された厚さ100nmのSiO層(マスク層)を形成した。次に、GaAs基板において複数の開口部を有するSiO層が形成された主面上に、HVPE法により、500℃で厚さ80nmのGaN低温層を成長させ、次いで、950℃で厚さ60μmのGaN中間層を成長させた後、1050℃で厚さ5mmのGaN母結晶を成長させた。次に、王水を用いたエッチングにより、上記GaN母結晶からGaAs基板を除去して、直径50mmで厚さ3mmのGaN母結晶を得た。
1.GaN種結晶基板の準備
図2(A)を参照して、GaN母結晶1の両主面である(0001)面および(000−1)面1cを、研削および研磨加工して、両主面の平均粗さRaを5nmとした。ここで、表面の平均粗さRaの測定は、AFMにより行なった。
次に、図2(C)を参照して、上記のGaN種結晶基板10pの{20−21}の主面10pmを10体積%の塩化水素ガスと90体積%の窒素ガスの混合ガス雰囲気下、800℃で2時間処理した後、その主面10pm上に、HVPE法により、結晶成長温度1050℃で、GaN単結晶20を、成長速度80μm/hrで50時間成長させた。
次に、図2(D)を参照して、上記のGaN単結晶20をGaN種結晶基板10pの{20−21}の主面10pmに平行な面20u,20vでスライスすることにより、主面20pmの面方位が{20−21}であり直径50mmで厚さが0.5mmのGaN単結晶基板20pが得られた。かかるGaN単結晶基板20pは、さらに主面20pmを研削および研磨加工して、主面20pmの平均粗さRaを5nmとした。図4(A)を参照して、かかるGaN単結晶基板20pの{20−21}の主面20pmは、(0001)面20cに対して75°の傾斜角αを有する。
次に、上記のGaN単結晶基板20p(直径50mm×厚さ0.4mm)の一方の主面20pm上に、MOCVD法により、少なくとも1層のGaN系半導体層130として、Siがドープされた厚さ2μmのn型GaN層131(平均キャリア濃度:2×1018cm-3)、6対のIn0.01Ga0.99N障壁層およびIn0.1Ga0.9N井戸層により構成される多重量子井戸構造を有する厚さ100nmの発光層132、Mgがドープされた厚さ20nmのp型Al0.18Ga0.82N層133(平均キャリア濃度:3×1017cm-3)およびMgがドープされた厚さ50nmのp型GaN層134(平均キャリア濃度:1×1018cm-3)を順に成長させた。
GaN種結晶基板10pの準備において、両主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶1をその{20−2−1}面に平行な面(<20−2−1>方向に垂直な面)でスライスすることにより、{20−2−1}の主面を有する複数のGaN母結晶片1pを切り出して、それらの主面を研削および研磨してそれらの主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶片1pを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、主面20pmの面方位が{20−2−1}であるGaN単結晶基板20pを形成した。図4(B)を参照して、かかるGaN単結晶基板20pの{20−2−1}の主面20pmは、(000−1)面20cに対して75°の傾斜角αを有する。
GaN種結晶基板10pの準備において、両主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶1をその{22−42}面に平行な面(<22−42>方向に垂直な面)でスライスすることにより、{22−42}の主面を有する複数のGaN母結晶片1pを切り出して、それらの主面を研削および研磨してそれらの主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶片1pを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、主面20pmの面方位が{22−42}であるGaN単結晶基板20pを形成した。図4(C)を参照して、かかるGaN単結晶基板20pの{22−42}の主面20pmは、(0001)面20cに対して73°の傾斜角αを有する。
GaN種結晶基板10pの準備において、両主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶1をその{22−4−2}面に平行な面(<22−4−2>方向に垂直な面)でスライスすることにより、{22−4−2}の主面を有する複数のGaN母結晶片1pを切り出して、それらの主面を研削および研磨してそれらの主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶片1pを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、主面20pmの面方位が{22−4−2}であるGaN単結晶基板20pを形成した。図4(D)を参照して、かかるGaN単結晶基板20pの{22−4−2}の主面20pmは、(000−1)面20cに対して73°の傾斜角αを有する。
GaN種結晶基板10pの準備において、両主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶1をその{10−10}面に平行な面(<10−10>方向に垂直な面)でスライスすることにより、{10−10}の主面を有する複数のGaN母結晶片1pを切り出して、それらの主面を研削および研磨してそれらの主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶片1pを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、GaN単結晶20を成長させた。GaN単結晶20は、部分的に多結晶化して、多結晶化部分を起点として割れていた。したがって、GaN単結晶基板が得られず、GaN系半導体デバイスを製造できなかった。結果を表1にまとめた。
GaN種結晶基板10pの準備において、両主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶1をその{11−20}面に平行な面(<11−20>方向に垂直な面)でスライスすることにより、{11−20}の主面を有する複数のGaN母結晶片1pを切り出して、それらの主面を研削および研磨してそれらの主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶片1pを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、GaN単結晶20を成長させた。GaN単結晶20は、部分的に多結晶化して、多結晶化部分を起点として割れていた。したがって、GaN単結晶基板が得られず、GaN系半導体デバイスを製造できなかった。結果を表1にまとめた。
GaN種結晶基板10pの準備において、両主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶1をその{10−11}面に平行な面(<10−11>方向に垂直な面)でスライスすることにより、{10−11}の主面を有する複数のGaN母結晶片1pを切り出して、それらの主面を研削および研磨してそれらの主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶片1pを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、主面20pmの面方位が{10−11}であるGaN単結晶基板20pを形成した。かかるGaN単結晶基板20pの{10−11}の主面は、(0001)面に対して62°の傾斜角αを有する。
GaN種結晶基板10pの準備において、両主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶1をその{11−22}面に平行な面(<11−22>方向に垂直な面)でスライスすることにより、{11−22}の主面を有する複数のGaN母結晶片1pを切り出して、それらの主面を研削および研磨してそれらの主面の平均粗さRaを5nmとしたGaN母結晶片1pを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、主面20pmの面方位が{11−22}であるGaN単結晶基板20pを形成した。かかるGaN単結晶基板20pの{11−22}の主面は、(0001)面に対して58°の傾斜角αを有する。
1c,20c (0001)面または(000−1)面
1p GaN母結晶片
1pm,10pm,20pm,20pn 主面
10p GaN種結晶基板
20 GaN単結晶
20fa,20fb ファセット
20g 結晶成長面
20p GaN単結晶基板
20u,20v 平行な面
100 GaN系半導体デバイス
130 GaN系半導体層
131 n型GaN層
132 発光層
133 p型Al0.18Ga0.82N層
134 p型GaN層
141 p側電極
142 n側電極
Claims (8)
- 主面の面積が10cm2以上であり、
前記主面の面方位が(0001)面または(000−1)面に対して65°以上85°以下で傾斜しており、
前記主面内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一である、GaN単結晶基板。 - 前記主面内におけるキャリア濃度のばらつきが前記主面内における平均キャリア濃度に対して±50%以内である請求項1に記載のGaN単結晶基板。
- 前記主面内における比抵抗の分布が実質的に均一である請求項1または請求項2に記載のGaN単結晶基板。
- 前記主面内における比抵抗のばらつきが前記主面内における平均比抵抗に対して±50%以内である請求項3に記載のGaN単結晶基板。
- 前記平面内における平均比抵抗が0.1Ωcm以下である請求項4に記載のGaN単結晶基板。
- 請求項1のGaN単結晶基板の製造方法であって、
主面の面積が10cm2以上で、前記主面の面方位が(0001)面または(000−1)面に対して65°以上85°以下で傾斜しているGaN種結晶基板を準備する工程と、
前記GaN種結晶基板の前記主面上にGaN単結晶を成長させる工程と、
前記GaN単結晶を前記GaN種結晶基板の前記主面に平行な面で切り出して前記GaN単結晶基板を形成する工程と、を備えるGaN単結晶基板の製造方法。 - 請求項1のGaN単結晶基板と、前記GaN単結晶基板の前記主面上に形成されている少なくとも1層のGaN系半導体層と、を含むGaN系半導体デバイス。
- 請求項1のGaN単結晶基板を準備する工程と、
前記GaN単結晶基板の前記主面上に少なくとも1層のGaN系半導体層を成長させる工程と、を備えるGaN系半導体デバイスの製造方法。
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