JP6913626B2 - 半導体積層物 - Google Patents

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Description

本発明は、窒化物半導体基板、半導体積層物、積層構造体、窒化物半導体基板の製造方法および半導体積層物の製造方法に関する。
窒化ガリウム（ＧａＮ）などのＩＩＩ族窒化物半導体の結晶からなる窒化物半導体基板では、該基板の製造方法に起因して、基板の主面に対して最も近い低指数の結晶面としての（０００１）面が、主面に対して凹の球面状に湾曲することがある（例えば特許文献１）。
特開２０００−２２２１２号公報
窒化物半導体基板において、上述のように（０００１）面が主面に対して凹の球面状に湾曲すると、主面の法線に対して＜０００１＞軸がなす角度であるオフ角が、主面内で所定の分布を有することとなる。
基板のオフ角は、例えば、基板上に成長させる半導体機能層の表面モフォロジに影響する。例えば、基板の（０００１）面の曲率半径が小さく、基板のオフ角分布が広い（ばらつきが大きい）場合では、基板の一部のオフ角に起因して、半導体機能層の一部の表面モフォロジが悪化する可能性がある。このため、基板を用いて、例えばショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）としての半導体装置などを作製した場合には、半導体機能層の表面モフォロジが悪化した部分から切り出した半導体装置において、耐圧が低下してしまう可能性がある。
また、基板のオフ角は、例えば、基板上にインジウム（Ｉｎ）をドープして発光層を形成した場合に、発光層中のＩｎ含有量に影響する。例えば、基板の（０００１）面の曲率半径が小さく、基板のオフ角分布が広い場合では、基板のオフ角分布に依存して、発光層中のＩｎ含有量にばらつきが生じる可能性がある。このため、該発光層を有する発光素子において、発光波長のばらつきや発光ムラが生じてしまう可能性がある。
したがって、表面モフォロジの悪化や発光ムラなどの実用上の課題が生じないよう、（０００１）面の曲率半径を大きくし、オフ角分布を狭くすることができる技術が望まれている。
本発明の目的は、（０００１）面の曲率半径を大きくし、オフ角分布を狭くすることができる技術を提供することである。
本発明の一態様によれば、
ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶からなり、最も近い低指数の結晶面が（０００１）面である主面を有する窒化物半導体基板であって、
＜１−１００＞軸に沿った方向および前記＜１−１００＞軸に直交する＜１１−２０＞軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向の前記（０００１）面は、前記主面に対して凹の球面状に湾曲し、
前記＜１−１００＞軸に沿った方向および前記＜１−１００＞軸に直交する前記＜１１−２０＞軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向の前記（０００１）面の曲率半径は、他方の方向の少なくとも一部の前記（０００１）面の曲率半径と異なる
窒化物半導体基板、およびそれに関連する技術が提供される。
本発明によれば、（０００１）面の曲率半径を大きくし、オフ角分布を狭くすることができる。
（ａ）は、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体基板を示す概略上面図であり、（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体基板のｍ軸に沿った概略断面図であり、（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体基板のａ軸に沿った概略断面図である。 表面モフォロジ良好領域を示すオフ角座標マップである。 領域Ａ、領域Ｂおよび領域Ｃを示すオフ角座標マップである。 本発明の一実施形態に係る窒化物半導体基板のオフ角分布と、領域Ａ、領域Ｂおよび領域Ｃとの関係を示すオフ角座標マップである。 本発明の一実施形態に係る窒化物半導体基板の主面を拡大したカソードルミネッセンス像を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係る下地基板準備工程を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態に係る窒化物半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 （ａ）〜（ｇ）は、本発明の一実施形態に係る下地基板準備工程を示す概略断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体基板の製造方法の一部を示す概略断面図である。 （ａ）〜（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体基板の製造方法の一部を示す概略断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を示す概略断面図である。 実施例に係る積層構造体のａ面からなる断面における蛍光顕微鏡による観察像を示す図である。 実施例に係る積層構造体のａ面からなる断面における走査型電子顕微鏡によるカソードルミネッセンス像を示す図である。 （ａ）は、下地基板のｍ軸に沿った方向に対してＸ線回折のロッキングカーブ測定を行った結果を示す図であり、（ｂ）は、下地基板のａ軸に沿った方向に対してＸ線回折のロッキングカーブ測定を行った結果を示す図であり、（ｃ）は、半導体層のｍ軸に沿った方向に対してＸ線回折のロッキングカーブ測定を行った結果を示す図であり、（ｄ）は、半導体層のａ軸に沿った方向に対してＸ線回折のロッキングカーブ測定を行った結果を示す図である。 （ａ）は、半導体層のｍ軸に沿った方向に対して、狭いピッチでＸ線回折のロッキングカーブ測定を行った結果を示す図であり、（ｂ）は、半導体層のａ軸に沿った方向に対して、狭いピッチでＸ線回折のロッキングカーブ測定を行った結果を示す図である。 下地基板のオフ角分布と、実施例に係る窒化物半導体基板のオフ角分布と、領域Ａ、領域Ｂおよび領域Ｃとの関係を示すオフ角座標マップである。
＜本発明の一実施形態＞
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
（１）窒化物半導体基板（窒化物半導体自立基板、窒化物結晶基板）
まず、図１を用い、本実施形態に係る窒化物半導体基板１０（以下、「基板１０」と略すことがある）について説明する。図１（ａ）は、本実施形態に係る窒化物半導体基板を示す概略上面図であり、図１（ｂ）は、本実施形態に係る窒化物半導体基板のｍ軸に沿った概略断面図であり、図１（ｃ）は、本実施形態に係る窒化物半導体基板のａ軸に沿った概略断面図である。なお、ｍ軸に沿った断面およびａ軸に沿った断面は、それぞれ、基板の主面の中心を通る断面である。
本実施形態の基板１０は、例えば、ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶（単結晶）からなる自立基板である。本実施形態では、基板１０は、例えば、ＧａＮ自立基板である。
なお、基板１０の直径は例えば１インチ以上であり、基板１０の厚さは例えば３００μｍ以上１ｍｍ以下である。基板１０の導電性は特に限定されるものではないが、基板１０を用いて縦型のショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）としての半導体装置を製造する場合には、基板１０は例えばｎ型であり、基板１０中のｎ型不純物は例えばシリコン（Ｓｉ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）であり、基板１０中のｎ型不純物濃度は例えば１．０×１０１８ｃｍ−３以上１．０×１０２０ｃｍ−３以下である。
以下、ウルツ鉱構造を有するＩＩＩ族窒化物半導体の結晶において、＜０００１＞軸（例えば［０００１］軸）を「ｃ軸」といい、（０００１）面を「ｃ面」という。なお、（０００１）面を「＋ｃ面（ＩＩＩ族元素極性面）」といい、（０００−１）面を「−ｃ面（窒素（Ｎ）極性面）」ということがある。また、＜１−１００＞軸（例えば［１−１００］軸）を「ｍ軸」といい、（１−１００）面を「ｍ面」という。なお、ｍ軸は＜１０−１０＞軸と表記してもよい。また、＜１１−２０＞軸（例えば［１１−２０］軸）を「ａ軸」といい、（１１−２０）面を「ａ面」という。
基板１０は、例えば、エピタキシャル成長面となる主面（表面）１０ｓを有している。本実施形態において、主面１０ｓに対して最も近い低指数の結晶面は、例えば、ｃ面１０ｆ（＋ｃ面）である。
なお、基板１０の主面１０ｓは、例えば、鏡面化されており、基板１０の主面１０ｓの表面粗さ（算術平均粗さＲａ）は、例えば、１０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以下である。
また、基板１０は、例えば、主面１０ｓと裏面（符号不図示）とに繋がる側面（符号不図示）の一部を構成する平坦面としてのオリエンテーションフラット１０ｏｆ（以下、「オリフラ１０ｏｆ」と略すことがある）を有している。本実施形態では、オリフラ１０ｏｆは、例えば、ａ面である。なお、オリフラ１０ｏｆは、ｃ面に垂直な面であれば、ａ面以外であってもよい。
以下、基板１０の主面１０ｓに沿った方向のうち、オリフラ１０ｏｆに平行な方向を「ｘ方向」とし、基板１０の主面１０ｓ内での位置のうち、オリフラ１０ｏｆに平行な方向の座標を「ｘ」とする。一方で、基板１０の主面１０ｓに沿った方向のうち、オリフラ１０ｏｆに垂直な方向を「ｙ方向」とし、基板１０の主面１０ｓ内での位置のうち、オリフラ１０ｏｆに垂直な方向の座標を「ｙ」とする。なお、基板１０の主面１０ｓの中心の座標（ｘ，ｙ）を（０，０）とする。本実施形態では、例えば、オリフラ１０ｏｆがａ面であることから、ｘ方向はｍ軸に沿った方向（略ｍ軸方向）であり、ｙ方向はａ軸に沿った方向（略ａ軸方向）である。
（ｃ面の曲率半径、およびオフ角）
本実施形態では、基板１０の主面１０ｓに対して最も近い低指数の結晶面としてのｃ面１０ｆは、例えば、後述する基板１０の製造方法に起因して、異方性を有している。
ｍ軸に沿った方向およびｍ軸に直交するａ軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向の基板１０のｃ面１０ｆは、例えば、主面１０ｓに対して凹の球面状に湾曲している。ここでいう「球面状」とは、球面近似される曲面状のことを意味している。また、ここでいう「球面近似」とは、真円球面または楕円球面に対して所定の誤差の範囲内で近似されることを意味している。
本実施形態では、図１（ｃ）に示すように、ａ軸に沿った方向の基板１０のｃ面１０ｆは、例えば、主面１０ｓに対して凹の球面状に湾曲している。
一方で、ｍ軸に沿った方向およびｍ軸に直交するａ軸に沿った方向のうち他方の方向のｃ面１０ｆは、例えば、該他の方向に複数の変曲点を有し、該他の方向に交互に配置される凸部（符号不図示）および凹部（符号不図示）を有している。該他の方向のｃ面１０ｆの凸部は、主面１０ｓに対して凸に湾曲し、該他の方向のｃ面１０ｆの凹部は、主面１０ｓに対して凹に湾曲している。つまり、該他の方向のｃ面１０ｆは、例えば、所定の周期で蛇行している。該他の方向のｃ面１０ｆの周期は、一定であってもよいし、ランダムであってもよい。
なお、該他の方向のｃ面１０ｆにおける凸部または凹部は、例えば、球面近似される曲面を基準として、主面１０ｓに対して突出または凹んでいてもよい。該他の方向のｃ面１０ｆの基準となる曲面は、主面１０ｓに対して凹の球面状であってもよいし、主面１０ｓに対して凸の球面状であってもよい。
本実施形態では、図１（ｂ）に示すように、ｍ軸に沿った方向の基板１０のｃ面１０ｆは、例えば、該ｍ軸に沿った方向に交互に配置される凸部および凹部を有している。
本実施形態では、基板１０のｃ面１０ｆが上述のような形状を有していることから、少なくとも一部のｃ軸１０ｃは、主面１０ｓの法線に対して傾斜している。主面１０ｓの法線に対してｃ軸１０ｃがなす角度である「オフ角」は、主面１０ｓ内で所定の分布を有している。
以下、主面１０ｓの法線に対するｃ軸１０ｃのオフ角のうち、ｍ軸に沿った方向成分を「θｍ」とし、「オフ角ｍ軸成分θｍ」と略すことがある。また、主面１０ｓの法線に対するｃ軸１０ｃのオフ角のうち、ａ軸に沿った方向成分を「θａ」とし、「オフ角ａ軸成分θａ」と略すことがある。なお、ｃ軸１０ｃが傾斜することでｍ軸およびａ軸も傾斜することとなるため、上記したｍ軸に沿った方向成分およびａ軸に沿った方向成分とは、厳密には、ｍ軸を主面１０ｓに正射影させた方向成分、およびａ軸を主面１０ｓに正射影させた方向成分と言い換えることができる。また、以下において、該オフ角をベクトルとして（θｍ，θａ）と表記し、オフ角の大きさ（オフ量）を「θ」とする。なお、θ２＝θｍ ２＋θａ ２である。
また、本実施形態では、ｍ軸に沿った方向およびｍ軸に直交するａ軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向のｃ面１０ｆの曲率半径は、例えば、該他の方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径と異なっている。なお、上述のように、他の方向のｃ面１０ｆは周期性を有しているため、一方の方向のｃ面１０ｆの曲率半径が、該他の方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径と異なっていればよく、該他の方向のｃ面１０ｆの他部において、ｃ面１０ｆの曲率半径と一致している部分があってもよい。一方で、一方の方向のｃ面１０ｆの曲率半径が、該他の方向の全体のｃ面１０ｆの曲率半径と異なっていてもよい。
本実施形態では、ｍ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径は、例えば、ｍ軸に直交するａ軸に沿った方向のｃ面１０ｆの曲率半径よりも大きい。ｍ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径は、例えば、ａ軸に沿った方向のｃ面１０ｆの曲率半径の１．５倍以上、好ましくは２倍以上である。なお、ｍ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径が、ａ軸に沿った方向のｃ面１０ｆの曲率半径よりも大きければよく、ｍ軸に沿った方向の他部のｃ面１０ｆの曲率半径が、ａ軸に沿った方向のｃ面１０ｆの曲率半径以下となっていてもよい。
また、基板１０のｃ面１０ｆの曲率半径は、例えば、後述する基板１０の製造方法で用いた下地基板７よりも大きくなっている。具体的には、下地基板７でのｃ面７ｆの曲率半径は、例えば、１ｍ以上１０ｍ未満であり、基板１０のｃ面１０ｆの曲率半径は、例えば、１０ｍ以上である。言い換えれば、ｍ軸に沿った方向およびａ軸に沿った方向のそれぞれのｃ面１０ｆの曲率半径の最小値は、例えば、１０ｍ以上、好ましくは２０ｍ以上である。なお、基板１０のｃ面１０ｆの曲率半径の上限値は、大きければ大きいほどよいため、特に限定されるものではない。基板１０のｃ面１０ｆが平坦となる場合は、該ｃ面１０ｆの曲率半径が無限大であると考えればよい。
基板１０のｃ面１０ｆの曲率半径が大きいことで、基板１０の主面１０ｓの法線に対するｃ軸１０ｃのオフ角分布を狭くすることができる。具体的には、基板１０の直径をＤ（ｍｍ）としたときに、基板１０の主面１０ｓ内において、基板１０の主面１０ｓの法線に対するｃ軸１０ｃのオフ角の（大きさの）最大最小差Δθを、例えば、Ｄ／５００°以内とすることができる。
ここで、図２を用い、基板１０の主面１０ｓのオフ角に対する、半導体機能層の表面モフォロジの依存性について説明する。図２は、表面モフォロジ良好領域を示すオフ角座標マップである。図２のオフ角座標マップでは、オフ角ｍ軸成分θｍおよびオフ角ａ軸成分θａをそれぞれ座標軸としている。
基板の主面のオフ角に対する、半導体機能層の表面モフォロジの依存性について評価するため、ＳＢＤを構成する半導体積層物（エピウエハ）を作製した。半導体積層物は、基板と、半導体機能層と、を有する積層構造とした。基板は、直径２インチ、４００μｍ厚のｎ型のＧａＮ自立基板とした。また、半導体機能層として、下地ｎ型半導体層と、ドリフト層と、を順に形成した。下地ｎ型半導体層をＳｉドープＧａＮ層とし、下地ｎ型半導体層中のＳｉ濃度を２×１０１８ｃｍ−３とし、下地ｎ型半導体層の厚さを２μｍとした。また、ドリフト層をＳｉドープＧａＮ層とし、ドリフト層中のＳｉ濃度を０．９×１０１６ｃｍ−３とし、ドリフト層の厚さを１３μｍとした。
図２のオフ角座標マップには、半導体積層物の作製に用いた４つの基板のそれぞれについて、オフ角分布が示されている。４つの基板は、互いに異なるオフ角分布を有している。４つの基板のうち、主面の中心のオフ角が（０，０）に近い基板を、「ｊｕｓｔ−ｏｆｆ基板」とする。また、主面の中心のオフ角が（０，０）から離れθｍ軸に近い基板を、「ｍ−ｏｆｆ基板」、「ｍ−ｏｆｆ改良基板」とする。なお、ｍ−ｏｆｆ改良基板のオフ角分布は、ｍ−ｏｆｆ基板のオフ角分布よりも狭い。また、主面の中心のオフ角が（０，０）から離れθａ軸に近い基板を、「ａ−ｏｆｆ基板」とする。なお、４つの基板のオリフラは、ａ面である。
また、図２のオフ角座標マップには、４つの基板のそれぞれを用いた半導体積層物において、ノマルスキー顕微鏡を用い、半導体機能層の表面モフォロジを２．２５ｍｍ角毎に目視で評価した結果を示している。黒色ひし形、白抜き三角、白抜き四角、黒色円の順で、半導体機能層の表面モフォロジが良好であったことを示している。
観察した結果の傾向としては、黒色ひし形の部分では、２．２５角視野の全面において、ｍ軸に沿った方向に縞状のステップバンチングが観察された。なお、これは、後述のように、ｊｕｓｔ−ｏｆｆ基板のうちオフ角（θｍ，θａ）が（０，０）付近で、顕著に見られた。また、白抜き三角の部分、および白抜き四角の部分では、この順で、２．２５ｍｍ角視野に占めるステップバンチングの割合が徐々に小さくなっていた。また、黒色円の部分では、２．２５ｍｍ角視野のほぼ全面において、平坦な表面となっていた。
なお、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の測定により、黒色ひし形の部分は、表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が７０ｎｍ以上であることに相当し、白抜き三角の部分は、表面粗さが３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下であることに相当し、白抜き四角の部分は、表面粗さが１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることに相当し、黒色円の部分は、表面粗さが１０ｎｍ以下であることに相当することが分かっている。また、レーザ光を半導体層表面に照射した際の散乱光分布を測定することによる表面モフォロジ測定によっても、ノマルスキー顕微鏡による目視評価結果と同様の表面モフォロジ分布の結果が得られることを確認している。
図２に示すように、半導体機能層の表面モフォロジは、基板の主面のオフ角に依存する。オフ角（θｍ，θａ）が（０，０）付近では、半導体機能層の表面モフォロジが荒れる傾向がある。基板の主面内でオフ角（θｍ，θａ）が（０，０）である部分から、ＳＢＤとしての半導体装置を作製した場合、ＳＢＤの耐圧が低下する可能性がある。これに対し、オフ角（θｍ，θａ）が（０，０）から所定距離離れた領域（太線で囲まれた領域）内では、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる。以下、オフ角座標マップにおいて、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる領域を「表面モフォロジ良好領域」と呼ぶ。基板の主面内でオフ角（θｍ，θａ）が表面モフォロジ良好領域内である部分から、ＳＢＤとしての半導体装置を作製することにより、ＳＢＤの耐圧を向上させることができる。
また、図２に示すように、基板の主面のオフ角に対する、半導体機能層の表面モフォロジの依存性に対応付けて、基板の主面の範囲内での半導体機能層の表面モフォロジ分布を容易に把握することができる。例えば、ｊｕｓｔ−ｏｆｆ基板では、主面の範囲のうち外縁付近の一部にしか、表面モフォロジ良好領域が得られないことが分かる。つまり、ｊｕｓｔ−ｏｆｆ基板を用いて半導体装置を製造した場合では、該半導体装置の歩留りが低下することが予想される。一方で、例えば、ｍ−ｏｆｆ改良基板では、オフ角座標マップでの主面の範囲、すなわち、オフ角分布が狭く、その範囲のほとんどが表面モフォロジ良好領域に含まれることが分かる。つまり、ｍ−ｏｆｆ改良基板を用いて半導体装置を製造した場合では、該半導体装置の歩留りを向上させることが可能となる。
次に、図３を用い、表面モフォロジ良好領域の分類について説明する。図３は、領域Ａ、領域Ｂおよび領域Ｃを示すオフ角座標マップである。図３に示すように、表面モフォロジ良好領域は、例えば、オフ角（θｍ，θａ）の不等式で示すことが可能な３つの領域（Ａ，Ｂ，Ｃ）に分類される。
領域Ａは、オフ角の大きさθが所定の範囲内である同心円の領域（ドーナツ状領域）であって、表面モフォロジ良好領域の少なくとも一部を含む領域を示している。具体的には、領域Ａは、例えば、以下の式で表される。
０．２８≦θ≦０．７６
すなわち、
０．０７８４≦θｍ ２＋θａ ２≦０．５７８ ・・・（１）
領域Ｂは、（０，０）から離れθｍ軸に近い領域であって、全体が表面モフォロジ良好領域に含まれる領域を示している。つまり、領域Ｂは、ｍ−ｏｆｆ側の表面モフォロジ良好領域と考えることができる。具体的には、領域Ｂは、例えば、以下の式（２−１）および式（２−２）で表される。
０．４７≦θｍ≦０．７１ ・・・（２−１）
−０．２０≦θａ≦０．２６ ・・・（２−２）
領域Ｃは、（０，０）から離れθａ軸に近い領域であって、全体が表面モフォロジ良好領域に含まれる領域を示している。つまり、領域Ｃは、ａ−ｏｆｆ側の表面モフォロジ良好領域と考えることができる。具体的には、領域Ｃは、例えば、以下の式（３−１）および式（３−２）で表される。
−０．０５≦θｍ≦０．２１ ・・・（３−１）
０．３６≦θａ≦０．６５ ・・・（３−２）
次に、図４を用い、本実施形態の基板１０のオフ角分布と、表面モフォロジ良好領域との関係について説明する。図４は、本実施形態に係る窒化物半導体基板のオフ角分布と、領域Ａ、領域Ｂおよび領域Ｃとの関係を示すオフ角座標マップである。なお、図４において、本実施形態の基板１０の理想的な具体例としての、第１例を「基板１１」とし、第２例を「基板１２」とする。
本実施形態の基板１０の主面１０ｓは、例えば、オフ角の大きさが０となる領域を含まない。つまり、基板１０の主面１０ｓは、例えば、オフ角（θｍ，θａ）が（０，０）となる領域を含まない。基板１０の主面１０ｓのオフ角（θｍ，θａ）が（０，０）付近では、上述のように、半導体機能層の表面モフォロジが荒れる傾向がある。このため、基板１０の主面１０ｓがこの領域を避けるように構成されることで、半導体機能層の表面モフォロジの荒れを抑制することができる。
本実施形態の基板１０の主面１０ｓの少なくとも一部におけるオフ角（θｍ，θａ）は、例えば、領域Ａ内に含まれ、上記式（１）を満たしている。これにより、基板１０を用いた半導体積層物の少なくとも一部から、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる部分を得ることができる。
また、本実施形態の基板１０の主面１０ｓの少なくとも中心Ｏにおけるオフ角（θｍ，θａ）は、例えば、領域Ａ内に含まれ、上記式（１）を満たしている。これにより、基板１０の主面１０ｓ内で、オフ角（θｍ，θａ）が領域Ａ内に含まれる部分を広くすることができる。その結果、基板１０を用いた半導体積層物から、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる部分を多く得ることができる。
また、本実施形態の基板１０の主面１０ｓの全面積に対する、オフ角（θｍ，θａ）が式（１）を満たす領域の面積の割合は、例えば、５０％超であり、好ましくは、８０％以上である。これにより、基板１０を用いた半導体積層物から、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる部分を安定的に得ることができる。その結果、半導体装置の歩留りを向上させることができる。
本実施形態の基板１０の主面１０ｓの少なくとも一部におけるオフ角（θｍ，θａ）は、例えば、領域Ｂ内に含まれ、上記式（２−１）および式（２−２）を満たしている。これにより、基板１０を用いた半導体積層物の少なくとも一部から、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる部分を得ることができる。
また、本実施形態の基板１０の主面１０ｓの少なくとも中心Ｏにおけるオフ角（θｍ，θａ）は、例えば、領域Ｂ内に含まれ、上記式（２−１）および式（２−２）を満たしている。これにより、基板１０の主面１０ｓ内で、オフ角（θｍ，θａ）が領域Ｂ内に含まれる部分を広くすることができる。その結果、基板１０を用いた半導体積層物から、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる部分を多く得ることができる。
また、本実施形態の基板１０の主面１０ｓの全面積に対する、オフ角（θｍ，θａ）が式（２−１）および式（２−２）を満たす領域の面積の割合は、例えば、５０％超であり、好ましくは、８０％以上である。これにより、基板１０を用いた半導体積層物から、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる部分を安定的に得ることができる。その結果、半導体装置の歩留りを向上させることができる。
理想的な第１例としての基板１１では、例えば、オフ角分布の全体が、オフ角座標マップにおいて、領域Ｂ内に含まれている。基板１１の主面１０ｓの全面積に対する、オフ角（θｍ，θａ）が式（２−１）および式（２−２）を満たす領域の面積の割合は、例えば、１００％である。これにより、基板１０を用いた半導体積層物の全体から、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる部分を確実に得ることができる。
または、本実施形態の基板１０の主面１０ｓの少なくとも一部におけるオフ角（θｍ，θａ）は、例えば、領域Ｃ内に含まれ、上記式（３−１）および式（３−２）を満たしている。これにより、基板１０を用いた半導体積層物の少なくとも一部から、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる部分を得ることができる。
また、本実施形態の基板１０の主面１０ｓの少なくとも中心Ｏにおけるオフ角（θｍ，θａ）は、例えば、領域Ｃ内に含まれ、上記式（３−１）および式（３−２）を満たしている。これにより、基板１０の主面１０ｓ内で、オフ角（θｍ，θａ）が領域Ｃ内に含まれる部分を広くすることができる。その結果、基板１０を用いた半導体積層物から、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる部分を多く得ることができる。
また、本実施形態の基板１０の主面１０ｓの全面積に対する、オフ角（θｍ，θａ）が式（３−１）および式（３−２）を満たす領域の面積の割合は、例えば、５０％超であり、好ましくは、８０％以上である。これにより、基板１０を用いた半導体積層物から、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる部分を安定的に得ることができる。その結果、半導体装置の歩留りを向上させることができる。
理想的な第２例としての基板１２では、例えば、オフ角分布の全体が、オフ角座標マップにおいて、領域Ｃ内に含まれている。基板１２の主面１０ｓの全面積に対する、オフ角（θｍ，θａ）が式（３−１）および式（３−２）を満たす領域の面積の割合は、例えば、１００％である。これにより、基板１０を用いた半導体積層物の全体から、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる部分を確実に得ることができる。
また、本実施形態の基板１０では、上述のように、ｍ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径がａ軸に沿った方向のｃ面１０ｆの曲率半径と異なることで、基板１０のオフ角分布のうち、オフ角ｍ軸成分θｍの範囲は、例えば、オフ角ａ軸成分θａの範囲と異なっている。これにより、オフ角座標マップにおいて、基板１０のオフ角分布を、表面モフォロジ良好領域の複雑な分布に合うように容易に調整することができる。その結果、基板１０の主面１０ｓ内において、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる部分を効率よく広くすることができる。
さらに、本実施形態の基板１０では、上述のように、ｍ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径がａ軸に沿った方向のｃ面１０ｆの曲率半径よりも大きいことで、基板１０のオフ角分布のうち、オフ角ｍ軸成分θｍの範囲（幅）は、例えば、オフ角ａ軸成分θａの範囲（幅）よりも狭くなっている。ここで、上述のオフ角座標マップの表面モフォロジ良好領域では、θｍ軸方向に短く且つθａ軸方向に長い領域が多い。そこで、本実施形態ではオフ角ｍ軸成分θｍの範囲をオフ角ａ軸成分θａの範囲よりも狭くすることで、オフ角座標マップにおいて、基板１０のオフ角分布を、表面モフォロジ良好領域のうちθｍ軸方向に短く且つθａ軸方向に長い領域に合うように容易に調整することができる。その結果、基板１０の主面１０ｓ内において、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる部分をさらに効率よく広くすることができる。
（転位）
図５を用い、本実施形態の基板１０の転位について説明する。図５は、本実施形態に係る窒化物半導体基板の主面を拡大したカソードルミネッセンス像を示す模式図である。なお、図５中の四角枠は、基板を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときの所定の視野を示している。
図５に示すように、本実施形態では、基板１０は、例えば、ｃ軸１０ｃに沿った方向（ｃ軸１０ｃ成分を有する方向）に延在する複数の転位を有している。
ここで、後述の製造方法では、下地基板７としてＶＡＳ法により作製される基板を用いる。ＶＡＳ法により作製される下地基板７では、転位密度が低い。具体的には、下地基板７の主面内の転位密度は、例えば、１×１０６ｃｍ−２以上１×１０７ｃｍ−２未満である。該下地基板７を用いて後述の製造方法によって得られる基板１０では、転位密度がさらに低くなる。
具体的には、本実施形態の基板１０の主面１０ｓ内の転位密度（の最大値）は、例えば、１×１０６ｃｍ−２未満である。
また、本実施形態では、基板１０は、後述の製造方法に起因して、主面１０ｓ内に、高転位密度領域１０ｈｄと、低転位密度領域１０ｌｄと、を有している。低転位密度領域１０ｌｄの転位密度は、高転位密度領域１０ｈｄの転位密度よりも低く、例えば、１×１０５ｃｍ−２未満である。
平面視で高転位密度領域１０ｈｄの位置は、後述の製造方法で用いられるマスク層８の位置に対応している（重なっている）。高転位密度領域１０ｈｄおよび低転位密度領域１０ｌｄのそれぞれは、例えば、ｍ軸に沿った方向またはａ軸に沿った方向のうちのいずれかの一方の方向に沿って延在するストライプ状となっている。高転位密度領域１０ｈｄおよび低転位密度領域１０ｌｄは、例えば、ｍ軸に沿った方向またはａ軸に沿った方向のうちのいずれかの他方の方向に交互に設けられている。
本実施形態では、例えば、高転位密度領域１０ｈｄおよび低転位密度領域１０ｌｄのそれぞれは、例えば、ａ軸に沿った方向に延在するストライプ状となっている。高転位密度領域１０ｈｄおよび低転位密度領域１０ｌｄは、ａ軸に垂直なｍ軸に沿った方向に交互に設けられている。
また、高転位密度領域１０ｈｄの短手方向（ストライプに垂直な方向）のピッチｐ、または低転位密度領域１０ｌｄの短手方向の幅は、後述するマスク層８のピッチｐに対応し、例えば、２００μｍ以上１ｍｍ以下、好ましくは６００μｍ以上１ｍｍ以下である。
また、高転位密度領域１０ｈｄの短手方向のピッチｐが上述の範囲内である場合には、低転位密度領域１０ｌｄは、例えば、５０μｍ角以上の無転位領域を含んでいる。
また、本実施形態では、後述の製造方法で用いられる下地基板７の主面内の転位密度が低いため、下地基板７上に半導体層９を成長させる際に、複数の転位が結合（混合）することが少ない。これにより、半導体層９から得られる基板１０内において、大きいバーガースベクトルを有する転位の生成を抑制することができる。
具体的には、ａ軸方向の格子定数をａ、ｃ軸方向の格子定数をｃとしたときに、本実施形態の基板１０が有する複数の転位のそれぞれのバーガースベクトルの大きさは、例えば、ａ、ａ＋ｃ、またはｃのうちいずれかである。なお、ここでの「バーガースベクトル」は、例えば、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いた大角度収束電子回折法（ＬＡＣＢＥＤ法）により測定可能である。また、バーガースベクトルの大きさがａである転位は、刃状転位であり、バーガースベクトルの大きさがａ＋ｃである転位は、刃状転位と螺旋転位とが混合した混合転位であり、バーガースベクトルの大きさがｃである転位は、螺旋転位である。
（２）製造方法
次に、図６〜図１２を用い、本実施形態に係る窒化物半導体基板の製造方法、本実施形態に係る半導体積層物の製造方法、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図６は、本実施形態に係る下地基板準備工程を示すフローチャートである。図７は、本実施形態に係る窒化物半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。図８は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図９（ａ）〜図９（ｇ）は、本実施形態に係る下地基板準備工程を示す概略断面図である。図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、本実施形態に係る窒化物半導体基板の製造方法の一部を示す概略断面図である。図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、本実施形態に係る窒化物半導体基板の製造方法の一部を示す概略断面図である。図１２（ａ）〜図１２（ｃ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を示す概略断面図である。なお、図１０（ｂ）および図１０（ｃ）において、細実線は、成長途中の結晶面を示し、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）、図１１（ａ）および図１１（ｂ）において、点線は、転位を示している。
図８に示すように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、例えば、窒化物半導体基板作製工程Ｓ２００と、オフ角測定工程Ｓ３２０と、基板選別工程Ｓ３４０と、半導体積層物作製工程Ｓ４００と、半導体装置作製工程Ｓ５００と、半導体装置選別工程Ｓ６００と、を有している。
また、図７に示すように、本実施形態に係る窒化物半導体基板の製造方法（窒化物半導体基板作製工程Ｓ２００）は、例えば、下地基板準備工程Ｓ１００と、マスク層形成工程Ｓ２１０と、半導体層成長工程Ｓ２２０と、スライス工程Ｓ２３０と、研磨工程Ｓ２４０と、を有している。
（Ｓ１００：下地基板準備工程）
まず、下地基板準備工程Ｓ１００を行う。本実施形態の下地基板準備工程Ｓ１００では、例えば、ＶＡＳ（Ｖｏｉｄ−Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）法により下地基板７を作製する。
図６に示すように、具体的には、本実施形態の下地基板準備工程Ｓ１００は、例えば、結晶成長用基板準備工程Ｓ１１０と、第１結晶層形成工程Ｓ１２０と、金属層形成工程Ｓ１３０と、ボイド形成工程Ｓ１４０と、第２結晶層形成工程Ｓ１５０と、剥離工程Ｓ１６０と、スライス工程Ｓ１７０と、研磨工程Ｓ１８０と、を有している。
（Ｓ１１０：結晶成長用基板準備工程）
まず、図９（ａ）に示すように、結晶成長用基板１（以下、「基板１」と略すことがある）を準備する。基板１は、例えば、サファイア基板である。なお、基板１は、例えば、Ｓｉ基板やガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板であってもよい。基板１は、例えば、成長面となる主面１ｓを有している。主面１ｓに対して最も近い低指数の結晶面は、例えば、ｃ面１ｆである。
本実施形態では、基板１のｃ面１ｆが、主面１ｓに対して傾斜している。基板１のｃ軸１ｃは、主面１ｓの法線に対して所定のオフ角θ０で傾斜している。基板１の主面１ｓ内でのオフ角θ０は、主面１ｓ全体に亘って均一である。基板１の主面１ｓ内でのオフ角θ０は、基板１０の主面１０ｓの中心Ｏにおけるオフ角（θｍ，θａ）に影響する。
（Ｓ１２０：第１結晶層形成工程）
次に、図９（ｂ）に示すように、例えば、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法により、所定の成長温度に加熱された基板１に対して、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガス、アンモニアガス（ＮＨ３）およびモノシラン（ＳｉＨ４）ガスを供給することで、基板１の主面１ｓ上に、第１結晶層（下地成長層）２として、低温成長ＧａＮバッファ層および単結晶のＳｉドープＧａＮ層をこの順で成長させる。このとき、低温成長ＧａＮバッファ層の厚さおよびＳｉドープＧａＮ層の厚さを、それぞれ、例えば、２０ｎｍ、０．５μｍとする。
（Ｓ１３０：金属層形成工程）
次に、図９（ｃ）に示すように、第１結晶層２上に金属層３を蒸着させる。金属層３としては、例えば、チタン（Ｔｉ）層とする。また、金属層３の厚さを例えば２０ｎｍとする。
（Ｓ１４０：ボイド形成工程）
次に、図９（ｄ）に示すように、上述の基板１を電気炉内に投入し、所定のヒータを有するサセプタ上に基板１を載置する。基板１をサセプタ上に載置したら、ヒータにより基板１を加熱し、水素ガスまたは水素化物ガスを含む雰囲気中で熱処理を行う。具体的には、例えば、２０％のＮＨ３ガスを含有する水素（Ｈ２）ガス気流中において、所定の温度で２０分間熱処理を行う。なお、熱処理温度を、例えば、８５０℃以上１１００℃以下とする。このような熱処理を行うことで、金属層３を窒化し、表面に高密度の微細な穴を有する金属窒化層５を形成する。また、上述の熱処理を行うことで、金属窒化層５の穴を介して第１結晶層２の一部をエッチングし、該第１結晶層２中に高密度のボイドを形成する。これにより、ボイド含有第１結晶層４を形成する。
（Ｓ１５０：第２結晶層形成工程）
次に、例えば、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法により、所定の成長温度に加熱された基板１に対して、塩化ガリウム（ＧａＣｌ）ガス、ＮＨ３ガスおよびｎ型ドーパントガスとしてのジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガスを供給することで、ボイド含有第１結晶層４および金属窒化層５上に第２結晶層（本格成長層）６としてＳｉドープＧａＮ層をエピタキシャル成長させる。なお、ｎ型ドーパントガスとして、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスの代わりに、テトラクロロゲルマン（ＧｅＣｌ４）ガスなどを供給することで、第２結晶層６としてＧｅドープＧａＮ層をエピタキシャル成長させてもよい。
このとき、第２結晶層６は、ボイド含有第１結晶層４から金属窒化層５の穴を介してボイド含有第１結晶層４および金属窒化層５上に成長する。ボイド含有第１結晶層４中のボイドの一部は、第２結晶層６によって埋め込まれるが、ボイド含有第１結晶層４中のボイドの他部は、残存する。第２結晶層６と金属窒化層５との間には、当該ボイド含有第１結晶層４中に残存したボイドを起因として、平らな空隙が形成される。この空隙が後述の剥離工程Ｓ１６０での第２結晶層６の剥離を生じさせることとなる。
また、このとき、第２結晶層６は、基板１の配向性が引き継がれて成長される。すなわち、第２結晶層６の主面内でのオフ角θ１は、基板１の主面１ｓ内でのオフ角θ０と同様に、主面全体に亘って均一となる。
また、このとき、第２結晶層６を平坦化させた後に、第２結晶層６の主面において、ｃ面以外のファセットを生じさせることなく（３次元成長させることなく）、ｃ面のみを成長面として、平坦な第２結晶層６を成長させる。
また、このとき、第２結晶層６の厚さを、例えば、６００μｍ以上、好ましくは１ｍｍ以上とする。なお、第２結晶層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、生産性向上の観点から、第２結晶層６の厚さを５０ｍｍ以下とすることが好ましい。
（Ｓ１６０：剥離工程）
第２結晶層６の成長が終了した後、第２結晶層６を成長させるために用いたＨＶＰＥ装置を冷却する過程において、第２結晶層６は、ボイド含有第１結晶層４および金属窒化層５を境に基板１から自然に剥離する。
このとき、第２結晶層６には、引張応力が導入されている。このため、第２結晶層６中に生じた引張応力に起因して、第２結晶層６には、その表面側が凹むように内部応力が働く。また、第２結晶層６の主面（表面）側の転位密度が低く、一方で、第２結晶層６の裏面側の転位密度が高くなっている。このため、第２結晶層６の厚さ方向の転位密度差に起因しても、第２結晶層６には、その表面側が凹むように内部応力が働く。
その結果、図９（ｆ）に示すように、第２結晶層６は、基板１から剥離された後に、その表面側が凹となるように反ってしまう。このため、第２結晶層６のｃ面６ｆは、第２結晶層６の主面６ｓの中心の法線方向に垂直な面に対して凹の球面状に湾曲する。第２結晶層６の主面６ｓの中心の法線に対してｃ軸６ｃがなすオフ角θ２は、所定の分布を有する。
（Ｓ１７０：スライス工程）
次に、図９（ｆ）に示すように、例えば、第２結晶層６の主面６ｓの中心の法線方向に対して略垂直な切断面ＳＳにワイヤーソーを案内することで、第２結晶層６をスライスする。
これにより、図９（ｇ）に示すように、アズスライス基板としての下地基板７を形成する。このとき、下地基板７の厚さを、例えば、４５０μｍとする。なお、下地基板７のオフ角θ３は、スライス方向依存性により、第２結晶層６のオフ角θ２から変化する可能性がある。
（Ｓ１８０：研磨工程）
次に、研磨装置により下地基板７の両面を研磨する。
以上の下地基板準備工程Ｓ１００により、ＧａＮからなる下地基板７が得られる。下地基板７のｃ面７ｆは、下地基板７の主面７ｓに対して凹の球面状に湾曲している。下地基板７の主面７ｓの中心の法線に対してｃ軸７ｃがなすオフ角θ３は、所定の分布を有する。下地基板７でのｃ面７ｆの曲率半径は、上述のように、例えば、１ｍ以上１０ｍ未満である。
（Ｓ２１０：マスク層形成工程）
下地基板７を準備したら、例えば、スパッタ法により、下地基板７上にマスク層８を形成する。マスク層８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）層または窒化シリコン（ＳｉＮ）層等とする。このとき、マスク層８の厚さは、３００ｎｍ以上２μｍ以下とする。マスク層８を形成したら、フォトリソグラフィ法により、マスク層８をパターニングする。
これにより、図１０（ａ）に示すように、所定の開口部８ａを有するマスク層８を形成する。
このとき、マスク層８の開口部８ａを、例えば、ｍ軸に沿った方向またはａ軸に沿った方向のうちのいずれかの方向に沿って延在するストライプ状とする。ここでいうマスク層８の開口部８ａが「ｍ軸に沿った方向またはａ軸に沿った方向のうちのいずれかの方向に沿って延在するストライプ状」である場合とは、平面視で、ストライプ状の開口部８ａが延在する方向が、ｍ軸に沿った方向またはａ軸に沿った方向に完全に一致する方向である場合だけでなく、ｍ軸に沿った方向またはａ軸に沿った方向に対して若干傾斜した方向である場合を含む。ストライプ状の開口部８ａを構成する少なくとも１つの単位開口部において、ｍ軸に沿った方向またはａ軸に沿った方向のうちのいずれか一方の方向成分の長さを、他方の方向成分の長さよりも長くすると考えてもよい。なお、ストライプ状の開口部８ａを構成する少なくとも１つの単位開口部は、必ずしも下地基板７の主面７ｓの一端から他端まで延在していなくてもよい。具体的には、例えば、マスク層８は格子状であり、開口部８ａは、略長方形の複数の単位開口部を有してもよい。
本実施形態では、マスク層８の開口部８ａを、例えば、ａ軸に沿った方向に沿って延在するストライプ状とする。
このとき、ストライプ状のマスク層８のそれぞれの幅ｗを、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上３０μｍ以下とする。マスク層８の幅ｗが１μｍ未満であると、マスク層８の断線が生じ易く、パターニングの歩留りが低下する可能性がある。これに対し、マスク層８の幅ｗを１μｍ以上とすることで、マスク層８の断線を抑制し、パターニングの歩留りを向上させることができる。さらにマスク層８の幅ｗを５μｍ以上とすることで、パターニングの歩留りをさらに向上させることができる。一方で、マスク層８の幅ｗが１００μｍ超であると、後述の３次元成長工程Ｓ２２２において３次元成長層９１がファセット９１ｆｆを成長面としてマスク層８上に成長した際に、ｃ面９１ｃｆが曲がってしまう可能性がある。また、マスク層８の幅ｗが１００μｍ超であると、マスク層８上に異常な結晶核が発生してしまう可能性がある。これに対し、マスク層８の幅ｗを１００μｍ以下とすることで、上述のマスク層８上の成長時の、ｃ面９１ｃｆの曲がりを抑制することができる。また、マスク層８の幅ｗを１００μｍ以下とすることで、マスク層８上の異常な結晶核の発生を抑制することができる。さらにマスク層８の幅ｗを３０μｍ以下とすることで、上述のマスク層８上の成長時の、ｃ面９１ｃｆの曲がりを安定的に抑制することができ、マスク層８上の異常な結晶核の発生を安定的に抑制することができる。
また、ストライプ状のマスク層８のそれぞれのピッチｐは、上述のように、高転位密度領域１０ｈｄの短手方向のピッチｐ（低転位密度領域１０ｌｄの短手方向の幅）に影響する。従来、マスク層８のピッチｐが広い場合では、安定的な半導体層の成長が困難であったが、本実施形態では、下地基板７としてＶＡＳ法により作製される基板を用いることで、マスク層８のピッチｐが広くても、半導体層９を安定的に成長させることができる。
具体的には、本実施形態では、マスク層８のそれぞれのピッチｐを、例えば、２００μｍ以上１ｍｍ以下、好ましくは６００μｍ以上１ｍｍ以下とする。マスク層８のピッチｐが２００μｍ未満であると、基板１０から半導体装置を切り出す際に、半導体装置内に高転位密度領域１０ｈｄが含まれてしまう可能性が高い。これに対し、マスク層８のピッチｐを２００μｍ以上とすることで、半導体装置内に高転位密度領域１０ｈｄが含まれてしまうことを抑制し、主に低転位密度領域１０ｌｄから半導体装置を切り出すことができる。さらにマスク層８のピッチｐを６００μｍ以上とすることで、高出力発光ダイオード（ＬＥＤ）等の半導体装置のチップサイズが６００μｍ以上１ｍｍ以下であることから、半導体装置が高出力発光ダイオード等である場合であっても、低転位密度領域１０ｌｄから半導体装置を安定的に切り出すことができる。一方で、マスク層８のピッチｐが１ｍｍ超であると、後述のｃ面拡大工程Ｓ２２４において半導体層９の表面が平坦化するまでに必要な厚さが過剰に厚くなってしまう可能性がある。これに対し、マスク層８のピッチｐを１ｍｍ以下とすることで、半導体層９の表面が平坦化するまでに必要な厚さが厚くなり過ぎないようにすることができる。
（Ｓ２２０：半導体層成長工程）
マスク層８を形成したら、半導体層成長工程Ｓ２２０を行う。本実施形態の半導体層成長工程Ｓ２２０では、例えば、いわゆるＥｐｉｔａｘｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ（ＥＬＯ）法により、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体層９を、下地基板７上にマスク層８の開口部８ａを介してエピタキシャル成長させる。
図７に示すように、具体的には、本実施形態の半導体層成長工程Ｓ２２０は、例えば、３次元成長工程Ｓ２２２と、ｃ面拡大工程Ｓ２２４と、ｃ面成長工程Ｓ２２６と、を有している。
（Ｓ２２２：３次元成長工程）
図１０（ｂ）に示すように、例えば、ＨＶＰＥ法により、所定の成長温度に加熱された下地基板７に対して、ＧａＣｌガスおよびＮＨ３ガスを供給することで、半導体層９としてのＧａＮ層を、マスク層８の開口部８ａ内に露出した下地基板７の主面７ｓ上に選択的にエピタキシャル成長させる。
このとき、マスク層８の開口部８ａ内に露出した下地基板７上に、半導体層９の３次元成長層９１を３次元成長させ、ｃ面９１ｃｆ以外のファセット９１ｆｆを露出させる。マスク層８の開口部８ａの直上では、下地基板７の主面７ｓの法線方向（ｃ軸に沿った方向）に、ｃ面９１ｃｆを成長面として３次元成長層９１が成長する。一方で、マスク層８上では、３次元成長層９１の成長が抑制される。これにより、３次元成長層９１において、ｃ面９１ｃｆ以外のファセット９１ｆｆを露出させることができる。
また、このとき、本実施形態では、マスク層８の開口部８ａをａ軸に沿った方向に沿って延在するストライプ状としたことで、３次元成長層９１のファセット９１ｆｆとして、例えば、ａ軸に平行で且つｍ面から傾斜した面を露出させることができる。ＩＩＩ族窒化物半導体において、ａ軸に平行で且つｍ面から傾斜した面は、他の面に比べて平滑な状態で露出する傾向にある。これにより、結晶性の良い３次元成長層９１を安定的に成長させることができる。
さらに半導体層９の３次元成長層９１を成長させると、３次元成長層９１の一部は、ｃ面９１ｃｆ以外のファセット９１ｆｆを成長面として、マスク層８上に成長する。
このとき、半導体層９の３次元成長層９１において、当該ファセット９１ｆｆを成長面として成長させた部分は、ｃ面を成長面として成長させた他の部分に比較して、酸素を取り込み易い。そこで、本実施形態では、当該ファセット９１ｆｆを成長面として成長させた部分に、ファセット９１ｆｆを介して酸素を取り込み、半導体層９内に、他の部分よりも酸素濃度が高い高酸素濃度層９８（図中ドットハッチング部）を形成する。
なお、このとき、高酸素濃度層９８中に取り込まれる酸素は、例えば、ＨＶＰＥ装置内に意図せずに混入する酸素、またはＨＶＰＥ装置を構成する部材（石英部材等）から放出される酸素等である。なお、少なくとも３次元成長工程Ｓ２２２および後述のｃ面拡大工程Ｓ２２４において、ＨＶＰＥ装置内に積極的に酸素含有ガスを供給してもよい。
このように、高酸素濃度層９８中に酸素を取り込むことで、高酸素濃度層９８の格子定数を、半導体層９の他の部分の格子定数よりも大きくすることができる（参考：Ｃｈｒｉｓ Ｇ． Ｖａｎ ｄｅ Ｗａｌｌｅ， Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ ｖｏｌ．６８， １６５２０９ （２００３））。下地基板７や、３次元成長層９１のうちｃ面９１ｃｆを成長面として成長させた部分には、下地基板７のｃ面７ｆの湾曲によって、ｃ面の曲率中心に向かって集中する応力が加わっている。これに対して、高酸素濃度層９８の格子定数を相対的に大きくすることで、高酸素濃度層９８には、ｃ面を沿面方向の外側に広げる応力を生じさせることができる。これにより、高酸素濃度層９８よりも下側でｃ面の曲率中心に向かって集中する応力と、高酸素濃度層９８のｃ面を沿面方向の外側に広げる応力とを相殺させることができる（以下、高酸素濃度層による「応力相殺効果」ともいう）。
このとき、高酸素濃度層９８中の酸素濃度を、例えば、３×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下とする。なお、半導体層９のうちの他の部分中の酸素濃度は、例えば、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）による検出下限以下であり、具体的には、２×１０１６ｃｍ−３以下である。高酸素濃度層９８中の酸素濃度を３×１０１８ｃｍ−３以上とすることで、高酸素濃度層９８と他の部分との間に所望の格子定数差を生じさせることができる。これにより、高酸素濃度層９８にｃ面を沿面方向の外側に広げる所望の応力を生じさせることができる。一方で、高酸素濃度層９８中の酸素濃度を５×１０１９ｃｍ−３以下とすることで、酸素を含んだ状態であっても、高酸素濃度層９８の良好な結晶性を維持することができる。
さらに３次元成長層９１が成長すると、マスク層８を挟んで隣接する３次元成長層９１同士が会合する。隣接する３次元成長層９１同士が会合すると、下地基板７の主面７ｓの上方に行くにしたがって、該下地基板７の主面７ｓに対する、ｃ面９１ｃｆ以外のファセット９１ｆｆがなす傾斜角が徐々に小さくなっていく。
また、さらに３次元成長層９１が成長すると、下地基板７の主面７ｓの上方に行くにしたがって、ｃ面９１ｃｆが徐々に縮小し、最終的にマスク層８の開口部８ａの上方においてｃ面９１ｃｆが消失する。３次元成長層９１からｃ面９１ｃｆを完全に消失させることで、略三角柱状の３次元成長層９１を形成することができる。
上述のような３次元成長層９１の成長過程では、下地基板７内においてｃ軸に沿った方向に延在していた複数の転位のうちの一部は、マスク層８によって遮断され、３次元成長層９１への伝播が抑制される。これにより、半導体層９の主面における転位密度を低減することができる。一方で、下地基板７内においてｃ軸に沿った方向に延在していた複数の転位のうちの他部は、下地基板７からマスク層８の開口部８ａを介して３次元成長層９１のｃ軸に沿った方向に向けて伝播する。当該３次元成長層９１のｃ軸に沿った方向に伝播した転位は、３次元成長層９１のｃ面９１ｃｆ以外のファセット９１ｆｆが露出した位置で、該ファセット９１ｆｆに対して略垂直な方向に向けて屈曲して伝播する。すなわち、転位は、ｃ軸に対して傾斜した方向に屈曲して伝播する。これにより、後述のｃ面拡大工程Ｓ２２４において、転位がマスク層８の開口部８ａの上方で局所的に集められることとなる。
以上の３次元成長工程Ｓ２２２では、成長条件を、例えば、ｃ軸に沿った方向の成長レートがｃ軸に沿った方向以外の方向の成長レートよりも高い条件（すなわち、ｃ軸に沿った方向に成長が促進される条件）とする。具体的な成長条件は、例えば、以下のとおりである。
成長温度：９４０℃以上１０３０℃以下
成長圧力：９０〜１０５ｋＰａ、好ましくは、９０〜９５ｋＰａ
ＧａＣｌガスの分圧：１．５〜１５ｋＰａ
ＮＨ３ガスの分圧／ＧａＣｌガスの分圧：１〜２０
Ｎ２ガスの流量／Ｈ２ガスの流量：０〜１
また、３次元成長工程Ｓ２２２での３次元成長層９１の厚さ方向の高さ（厚さの最大値）を、例えば、マスク層８のそれぞれのピッチｐの１／２倍以上４倍以下とする。
（Ｓ２２４：ｃ面拡大工程）
３次元成長層９１からｃ面９１ｃｆを完全に消失させたら、図１０（ｃ）に示すように、３次元成長層９１上にｃ面拡大層９２を形成する。具体的には、略三角柱状の３次元成長層９１のファセット９１ｆｆから、ファセット９２ｆｆを成長面として、ｃ面拡大層９２を横方向成長させる。これにより、一度消失したｃ面９２ｃｆが再度露出し始める。ｃ面９２ｃｆを露出させたら、下地基板７の主面７ｓの上方に行くにしたがってｃ面９２ｃｆを徐々に拡大させながらｃ面拡大層９２を成長させる。ｃ面９２ｃｆを徐々に拡大させることで、ファセット９２ｆｆが徐々に縮小し、マスク層８の上方に形成されたＶ字状の凹部（符号不図示）が徐々に小さくなっていく。その後、さらにｃ面拡大層９２を成長させると、ファセット９２ｆｆが完全に消失し、ｃ面拡大層９２の主面が、ｃ面９２ｃｆのみにより構成される平坦面となる。
このとき、３次元成長工程Ｓ２２２と同様に、ｃ面拡大層９２のうち、ファセット９２ｆｆを成長面として成長させた部分に、ファセット９２ｆｆを介して酸素を取り込み、高酸素濃度層９２を形成する。なお、ｃ面拡大層９２のうち、ｃ面９２ｃｆを成長面として成長させた部分には、酸素の取り込みが抑制される。
また、このとき、高酸素濃度層９８を半導体層９内で主面に沿った方向に連続させて形成する。具体的には、まず、３次元成長工程Ｓ２２２後の所定期間、マスク層８の開口部８ａの上方においてｃ面を消失させた状態で、ファセット９２ｆｆを成長面としてｃ面拡大層９２を３次元成長させる。これにより、高酸素濃度層９８は、３次元成長層９１の頂部上にも形成される。その後、ｃ面９２ｃｆを露出させ、該ｃ面９２ｃｆを拡大させることで、ファセット９２ｆｆが徐々に縮小する。これにより、高酸素濃度層９８は、隣接する３次元成長層９１の間のＶ字状の凹部を埋め込むように形成される。高酸素濃度層９８のうち、隣接する３次元成長層９１の間の凹部を埋め込んだ部分は、３次元成長層９１の頂部上に形成された部分を介して連続的に接続される。このようにして、高酸素濃度層９８を半導体層９内で主面に沿った方向に連続させて形成することができる。その結果、高酸素濃度層９８による応力相殺効果を主面全体に亘って確実に得ることができる。
また、このとき、上述のマスク層８の開口部８ａを、ｍ軸に沿った方向またはａ軸に沿った方向のうちのいずれかの方向に沿って延在するストライプ状としたことで、高酸素濃度層９８の厚さ分布を、マスク層８の開口部８ａの形状に倣って、ストライプ状の分布とすることができる。具体的には、上述のように、高酸素濃度層９８が、隣接する３次元成長層９１の間の凹部を埋め込むように形成されることで、マスク層８に対向する高酸素濃度層９８の下側の断面形状は、略Ｖ字状となる。また、ｃ面拡大層９２を横方向成長させながらｃ面９２ｃｆを拡大させたことで、高酸素濃度層９８のうちマスク層８の上方には、湾曲した凸部が形成される。これにより、高酸素濃度層９８の厚さは、マスク層８の延在方向に垂直な方向に開口部８ａの中央からマスク層８の中央に向かって徐々に厚くなる。つまり、高酸素濃度層９８を、厚さが厚い部分と、厚さが薄い部分とを、マスク層８の延在方向に垂直な方向に交互に有する、いわゆる蛇腹状とすることができる。その結果、高酸素濃度層９８による応力相殺効果に方向依存性を生じさせることができる。
本実施形態では、上述のマスク層８の開口部８ａを、例えば、ａ軸に沿った方向に沿って延在するストライプ状としたことで、高酸素濃度層９８を、厚さが厚い部分と、厚さが薄い部分とを、ｍ軸に沿った方向に交互に有する蛇腹状とすることができる。これにより、高酸素濃度層９８による応力相殺効果のうち、ａ軸に沿った方向の効果が該軸方向に均一であるのに対して、ｍ軸に沿った方向の効果を該方向に周期的とし、ａ軸に沿った方向の効果よりも向上させることができる。
また、このとき、３次元成長層９１およびｃ面拡大層９２の成長過程で転位（図中点線）を局所的に集めることで、半導体層９の主面における転位密度を低減するとともに、半導体層９の主面において、高転位密度領域と、低転位密度領域と、を形成することができる。具合的には、上述のように、３次元成長層９１のｃ軸に沿った方向に伝播した転位は、ファセット９１ｆｆが露出した位置で、ｃ軸に対して傾斜した方向に向けて屈曲して伝播する。３次元成長層９１でｃ軸に対して傾斜した方向に伝播した転位は、ｃ面拡大層９２においても同じ方向に伝播し続ける。ｃ面拡大層９２においてｃ軸に対して傾斜した方向に伝播した転位は、マスク層８のうち延在方向に垂直な方向の中央に集められる。マスク層８の中央に集められた複数の転位のうちの一部は、その伝播方向をｃ軸に対して傾斜した方向からｃ軸に沿った方向に再度変化させ、半導体層９の主面（上面）まで伝播する。このように転位を局所的に集めることで、半導体層９のうち、転位がマスク層８の中央に集められた部分の上方には、高転位密度領域が形成される。一方で、半導体層９のうち、転位がｃ軸に対して傾斜した方向に伝播した部分（開口部８ａの中央からマスク層８の中央までの部分）の上方には、ｃ軸に沿った方向に伝播する転位が低減されることで、低転位密度領域を形成することができる。
また、このとき、ｃ面拡大工程Ｓ２２４での成長温度を、３次元成長工程Ｓ２２２での成長温度と等しい成長温度に維持させる。なお、例えば、ｃ面拡大工程Ｓ２２４での他の成長条件も、３次元成長工程Ｓ２２２での他の成長条件と等しい条件に維持させる。このように成長条件を維持させることで、高酸素濃度層９８が酸素を含んだ状態であっても、高酸素濃度層９８の良好な結晶性を維持することができる。
また、ｃ面拡大工程Ｓ２２４でのｃ面拡大層９２の厚さ方向の高さ（厚さの最大値）を、例えば、マスク層８のそれぞれのピッチｐの１／２倍以上４倍以下とする。
（Ｓ２２６：ｃ面成長工程）
図１０（ｃ）に示すように、ｃ面拡大層９２のファセット９２ｆｆを完全に消失させたら、図１１（ａ）に示すように、ｃ面９３ｃｆを成長面として、半導体層９のｃ面成長層９３を、ｃ面拡大層９２上に主面の法線方向（厚さ方向）に成長させる。
このとき、ｃ面９３ｃｆ以外のファセットを露出させることなく、ｃ面９３ｃｆのみを成長面として、ｃ面成長層９３を成長させることで、ｃ面成長層９３への酸素の取り込みを抑制することができる。つまり、ｃ面成長層９３中の酸素濃度を、高酸素濃度層９８中の酸素濃度よりも低くすることができる。
また、このとき、高酸素濃度層９８の応力相殺効果により、応力を低減させた状態で、ｃ面成長層９３を成長させることができる。これにより、ｃ面成長層９３において、ｃ面９３ｃｆの湾曲具合を緩和させることができる。すなわち、ｃ面成長層９３でのｃ面９３ｃｆの曲率半径を、下地基板７でのｃ面７ｆの曲率半径よりも大きくすることができる。
また、このとき、高酸素濃度層９８の厚さ分布によって高酸素濃度層９８による応力相殺効果に方向依存性を生じさせたことで、ｃ面成長層９３において、ｃ面９３ｃｆの湾曲具合に方向依存性を生じさせることができる。すなわち、ｃ面成長層９３において、ｍ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面９３ｃｆの曲率半径を、ａ軸に沿った方向のｃ面９３ｃｆの曲率半径と異ならせることができる。
本実施形態では、例えば、ａ軸に沿った方向のｃ面成長層９３のｃ面９３ｃｆが、主面９３ｓに対して凹の球面状に湾曲して形成される一方で、ｍ軸に沿った方向のｃ面成長層９３のｃ面９３ｃｆにおいて、該ｍ軸に沿った方向に交互に凸部および凹部が形成される。例えば、ｍ軸に沿った方向のｃ面９３ｃｆの凸部および凹部は、平面視でマスク層８および開口部８ａにそれぞれ重なってもよいし、重なっていなくてもよい。また、例えば、ｍ軸に沿った方向のｃ面９３ｃｆの周期は、マスク層８のピッチと一致していてもよいし、一致していなくてもよい。
また、本実施形態では、例えば、高酸素濃度層９８による応力相殺効果のうち、ｍ軸に沿った方向の効果をａ軸に沿った方向の効果よりも向上させたことで、ｃ面成長層９３において、ｍ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面９３ｃｆの曲率半径を、ａ軸に沿った方向のｃ面９３ｃｆの曲率半径よりも大きくすることができる。
なお、このとき、高酸素濃度層９８による応力相殺効果に方向依存性により、ｃ面成長層９３のオフ角θ４は、下地基板７のオフ角θ３から変化する可能性がある。
以上の高酸素濃度層９８による応力相殺効果は、例えば、以下のようにして調整することができる。
例えば、ｃ面拡大工程Ｓ２２４において、高酸素濃度層９８の厚さを厚くするにしたがって、高酸素濃度層９８においてｃ面を沿面方向の外側に広げる応力を強くすることができる。すなわち、高酸素濃度層９８による応力相殺効果を強くすることができる。これにより、ｃ面成長層９３において、ｃ面９３ｃｆの湾曲具合の緩和を向上させることができる。その結果、ｃ面成長層９３でのｃ面９３ｃｆの曲率半径の、下地基板７でのｃ面７ｆの曲率半径に対する比率を大きくすることができる。
また、例えば、ストライプ状のマスク層８のそれぞれのピッチｐを長くすることで、３次元成長工程Ｓ２２２において形成される略三角柱状の３次元成長層９１の高さを高くすることができる。これにより、３次元成長工程Ｓ２２２およびｃ面拡大工程Ｓ２２４で形成される高酸素濃度層９８の周期的な厚さについて、最大値−最小値で求められる変動幅（変化範囲）を大きくすることができる。高酸素濃度層９８の厚さの変動幅を大きくすることで、高酸素濃度層９８による応力相殺効果の方向依存性を強くすることができる。その結果、ｃ面成長層９３において、ｍ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面９３ｃｆの曲率半径の、ａ軸に沿った方向のｃ面９３ｃｆの曲率半径に対する比率を大きくすることができる。
そのほか、ｃ面成長工程Ｓ２２６では、成長温度を、３次元成長工程Ｓ２２２での成長温度およびｃ面拡大工程Ｓ２２４での成長温度と等しい成長温度に維持させる。なお、例えば、ｃ面成長工程Ｓ２２６での他の成長条件（後述のドープ条件を除く）も、３次元成長工程Ｓ２２２でのガス供給条件およびｃ面拡大工程Ｓ２２４での他の成長条件と等しい条件に維持させる。このように成長条件を維持させることで、結晶性の良いｃ面成長層９３を成長させることができる。
なお、ｃ面成長工程Ｓ２２６では、所定の成長温度に加熱された下地基板７に対して、ＧａＣｌガス、ＮＨ３ガスおよびｎ型ドーパントガスとしてのＳｉＨ２Ｃｌ２ガスを供給することで、ｃ面成長層９３としてＳｉドープＧａＮ層を成長させる。なお、ｎ型ドーパントガスとして、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスの代わりに、ＧｅＣｌ４ガスなどを供給してもよい。
また、ｃ面成長工程Ｓ２２６では、ｃ面成長層９３の厚さを、例えば、３００μｍ以上１０ｍｍ以下とする。ｃ面成長層９３の厚さを３００μｍ以上とすることで、後述のスライス工程Ｓ２３０において、ｃ面成長層９３から少なくとも１枚の基板１０をスライスすることができる。一方で、ｃ面成長層９３の厚さを１０ｍｍ以下とすることで、最終的な厚さを６５０μｍとし、７００μｍ厚の基板１０をｃ面成長層９３からスライスする場合に、カーフロス２００μｍ程度を考慮しても、少なくとも１０枚の基板１０を得ることができる。
（Ｓ２３０：スライス工程）
次に、図１１（ｂ）に示すように、例えば、半導体層９の主面９３ｓと略平行な切断面にワイヤーソーを案内することで、半導体層９のうちのｃ面成長層９３をスライスする。これにより、アズスライス基板としての基板１０を形成する。このとき、基板１０の厚さを、例えば、３００μｍ以上７００μｍ以下とする。
（Ｓ２４０：研磨工程）
次に、研磨装置により基板１０の両面を研磨する。なお、このとき、最終的な基板１０の厚さを、例えば、２５０μｍ以上６５０μｍ以下とする。
以上の窒化物半導体基板作製工程Ｓ２００により、本実施形態に係る基板１０が作製される。
本実施形態に係る基板１０では、ａ軸に沿った方向の基板１０のｃ面１０ｆは、例えば、主面１０ｓに対して凹の球面状に湾曲している。一方で、ｍ軸に沿った方向の基板１０のｃ面１０ｆは、例えば、該ｍ軸に沿った方向に交互に配置される凸部および凹部を有している。
また、本実施形態に係る基板１０では、ｍ軸に沿った方向およびａ軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向のｃ面１０ｆの曲率半径は、例えば、該他の方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径と異なっている。本実施形態では、ｍ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径は、例えば、ａ軸に沿った方向のｃ面１０ｆの曲率半径よりも大きい。
また、本実施形態に係る基板１０では、ｃ面１０ｆの曲率半径は、下地基板７のｃ面７ｆの曲率半径よりも大きい。具体的には、基板１０のｃ面１０ｆの曲率半径は、例えば、１０ｍ以上である。
（Ｓ３２０：オフ角測定工程）
基板１０が作製されたら、Ｘ線回折のロッキングカーブ測定により、基板１０の主面１０ｓのうち複数点においてオフ角（θｍ，θａ）を測定する。このとき、正確な測定を行う観点では、基板１０の主面１０ｓのうち５点以上においてオフ角（θｍ，θａ）を測定することが好ましい。このとき、５点以上の測定点は、例えば、中心Ｏと、ｍ軸に沿った方向の両端付近の２点と、ａ軸に沿った方向の両端付近の２点と、を含むことが好ましい。また、マスク層８の延在方向に垂直な方向、すなわちｍ軸に沿った方向のｃ面１０ｆの周期性を把握するため、該ｍ軸に沿った方向の測定点数を、ａ軸に沿った方向の測定点数以上とすることが好ましい。
（Ｓ３４０：基板選別工程）
基板１０のオフ角を取得したら、当該基板１０を作製した製造者は、例えば、基板１０の主面１０ｓ内においてオフ角（θｍ，θａ）が所定の条件を満たす領域の面積の、主面１０ｓの全面積に対する割合に基づいて、基板１０をランク付けして選別する。
具体的には、基板１０の主面１０ｓの全面積に対する、オフ角（θｍ，θａ）が上記式（１）を満たす領域の面積の割合が所定値以上であるときに、基板１０を良品としてランク付けする。
または、基板１０の主面１０ｓの全面積に対する、オフ角（θｍ，θａ）が上記式（２−１）および式（２−２）を満たす領域の面積の割合が所定値以上であるときに、基板１０を良品としてランク付けする。
または、基板１０の主面１０ｓの全面積に対する、オフ角（θｍ，θａ）が上記式（３−１）および式（３−２）を満たす領域の面積の割合が所定値以上であるときに、基板１０を良品としてランク付けする。
このとき、これらの面積割合が高いほど、高いランクを付ける。例えば、面積割合が５０％超以上８０％未満であるときに、良品のランクを付け、面積割合が８０％以上１００％以下であるときに、最良品のランクを付ける。また、面積割合が例えば１０％で以下であるときに、当該基板１０は、不良品としてランク付けされ、出荷禁止とされる。なお、上記面積割合とランクとの関係は、適宜設定することができる。
また、基板１０に対してランクを付けたら、基板１０が不良品以外の場合には、あらかじめ定められたランクごとの基板１０に対する価格と対応させて、当該基板１０を出荷対象とする。このとき、基板１０のランクが高いほど、高い価格を設定するが、該価格は適宜設定することができる。
（Ｓ４００：半導体積層物作製工程）
次に、基板１０上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体機能層５０をエピタキシャル成長させ、半導体積層物３０を作製する。本実施形態では、半導体積層物３０として、例えば、ＳＢＤを構成する積層物を作製する。
具体的には、図１２（ａ）に示すように、まず、例えば、ＭＯＶＰＥ法により、所定の成長温度に加熱された基板１０に対して、ＴＭＧガス、ＮＨ３およびｎ型ドーパントガスを供給することで、基板１０上に、下地ｎ型半導体層５１としてｎ型ＧａＮ層を形成する。このとき、下地ｎ型半導体層５１中のｎ型不純物を例えばＳｉまたはＧｅとする。また、下地ｎ型半導体層５１中のｎ型不純物濃度を例えば基板１０中のｎ型不純物濃度と同等とし、１．０×１０１８ｃｍ−３以上１．０×１０１９ｃｍ−３以下とする。また、下地ｎ型半導体層５１の厚さを０．１μｍ以上３μｍ以下とする。
下地ｎ型半導体層５１を形成したら、下地ｎ型半導体層５１上に、ドリフト層５２としてｎ−型ＧａＮ層を形成する。このとき、ドリフト層５２中のｎ型不純物を例えばＳｉまたはＧｅとする。また、ドリフト層５２中のｎ型不純物濃度を例えば基板１０中のｎ型不純物濃度および下地ｎ型半導体層５１中のｎ型不純物濃度よりも低く、１．０×１０１５ｃｍ−３以上５．０×１０１６ｃｍ−３以下とする。また、ドリフト層５２の厚さを下地ｎ型半導体層５１の厚さよりも厚く、３μｍ以上４０μｍ以下とする。これらにより、後述の半導体装置４０のオン抵抗を低減するとともに、半導体装置４０の耐圧を確保することができる。
以上により、本実施形態に係る半導体積層物３０が作製される。
本実施形態に係る半導体積層物３０では、例えば、基板１０の主面の全体に対する、オフ角（θｍ，θａ）が式（２−１）および式（２−２）を満たす領域の面積の割合が、５０％超であり、好ましくは、８０％以上である場合には、半導体機能層５０の主面の全面積に対する、半導体機能層５０の主面の算術平均粗さＲａが３０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下である領域の面積の割合は、５０％超となり、好ましくは、８０％以上となる。
または、本実施形態に係る半導体積層物３０では、例えば、基板１０の主面の全体に対する、オフ角（θｍ，θａ）が式（３−１）および式（３−２）を満たす領域の面積の割合が、５０％超であり、好ましくは、８０％以上である場合には、半導体機能層５０の主面の全面積に対する、半導体機能層５０の主面の算術平均粗さＲａが３０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下である領域の面積の割合は、５０％超となり、好ましくは、８０％以上となる。
（Ｓ５００：半導体装置作製工程）
次に、例えば、半導体積層物３０が提供されたユーザ側において、半導体積層物３０を用いて、半導体装置４０を作製する。
具体的には、図１２（ｂ）に示すように、ドリフト層５２上の所定の位置にｐ型電極６１を形成する。このとき、ｐ型電極６１を例えばパラジウム（Ｐｄ）／ニッケル（Ｎｉ）膜とする。
また、基板１０の裏面側にｎ型電極６６を形成する。このとき、ｎ型電極６６を例えばＴｉ／アルミニウム（Ａｌ）膜とする。
ｐ型電極６１およびｎ型電極６６を形成したら、不活性ガスの雰囲気下で、半導体積層物３０に対して赤外線を照射し、半導体積層物３０をアニールする。これにより、ｐ型電極６１およびｎ型電極６６のそれぞれの密着性を向上させるとともに、ｐ型電極６１およびｎ型電極６６のそれぞれの接触抵抗を低減させる。
半導体積層物３０をアニールしたら、半導体積層物３０をダイシングし、所定の大きさのチップを切り出す。
以上により、図１２（ｃ）に示すように、本実施形態に係る半導体装置４０が作製される。
（Ｓ６００：半導体装置選別工程）
半導体装置４０が作製されたら、基板１０の主面１０ｓ内での位置（ｘ，ｙ）におけるオフ角（θｍ，θａ）に基づいて半導体装置４０を選別する半導体装置選別工程Ｓ６００を行う。例えば、基板１０の主面１０ｓ内での所定位置（ｘ，ｙ）においてオフ角（θｍ，θａ）が所定の条件を満たすときに、当該所定位置における半導体装置４０を選別してピックアップする。
具体的には、実際の基板１０の主面１０ｓのうち、オフ角（θｍ，θａ）が式（１）を満たす領域内から切り出された半導体装置４０では、半導体機能層５０の表面モフォロジが良好となっている可能性があると判定し、該半導体装置４０を良品として選別してピックアップする。
また、実際の基板１０の主面１０ｓのうち、オフ角（θｍ，θａ）が式（２−１）および式（２−２）を満たす領域内から切り出された半導体装置４０では、半導体機能層５０の表面モフォロジが確実に良好となっていると判定し、該半導体装置４０を最良品として選別してピックアップする。
また、実際の基板１０の主面１０ｓのうち、オフ角（θｍ，θａ）が式（３−１）および式（３−２）を満たす領域内から切り出された半導体装置４０では、半導体機能層５０の表面モフォロジが確実に良好となっていると判定し、該半導体装置４０を最良品として選別してピックアップする。
一方で、実際の基板１０の主面１０ｓのうち、オフ角（θｍ，θａ）が上記条件を満たさない領域内から切り出された半導体装置４０では、半導体機能層５０の表面モフォロジが荒れていると判定し、該半導体装置４０を不良品として除外する。
以上により、本実施形態のＳＢＤとしての半導体装置４０が製造される。
（３）本実施形態により得られる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果が得られる。
（ａ）本実施形態の半導体層成長工程Ｓ２２０では、半導体層９のうち、ファセット９１ｆｆ，９２ｆｆを成長面として横方向成長させた部分に、ファセット９１ｆｆ，９２ｆｆを介して酸素を取り込み、半導体層９内に、他の部分よりも酸素濃度が高い高酸素濃度層９８を形成する。高酸素濃度層９８中に酸素を取り込むことで、高酸素濃度層９８の格子定数を、半導体層９の他の部分の格子定数よりも大きくすることができる。高酸素濃度層９８の格子定数を相対的に大きくすることで、高酸素濃度層９８には、ｃ面を沿面方向の外側に広げる応力を生じさせることができる。これにより、高酸素濃度層９８よりも下側でｃ面の曲率中心に向かって集中する応力と、高酸素濃度層９８のｃ面を沿面方向の外側に広げる応力とを相殺させることができる。その後、ｃ面９３ｃｆを成長面として、半導体層９のｃ面成長層９３を、高酸素濃度層９８上に主面の法線方向に成長させる際には、高酸素濃度層９８の応力相殺効果により、応力を低減させた状態で、ｃ面成長層９３を成長させることができる。これにより、ｃ面成長層９３において、ｃ面９３ｃｆの湾曲具合を緩和させることができる。その結果、半導体層９のｃ面成長層９３から得られる基板１０のｃ面１０ｆの曲率半径を、下地基板７でのｃ面７ｆの曲率半径よりも大きくすることが可能となる。
（ｂ）半導体層９のｃ面成長層９３から得られる基板１０のｃ面１０ｆの曲率半径を大きくすることで、基板１０の主面１０ｓ内におけるオフ角分布（オフ角のばらつき）を所定の範囲内に狭くすることができる。これにより、基板１０上に半導体機能層５０を成長させて半導体積層物３０を作製する際に、基板１０の主面１０ｓ内でのオフ角に依存する、半導体機能層５０の表面モフォロジを容易に制御することが可能となる。例えば、主面１０ｓの中心Ｏにおけるオフ角（θｍ，θａ）を、表面モフォロジ良好領域内とすれば、基板１０の主面１０ｓ内の広い範囲に亘って、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる部分を容易に得ることができる。
（ｃ）上述の方法により、応力を低減させた状態で半導体層９のｃ面成長層９３を成長させることで、ｃ面成長層９３のｃ面９３ｃｆを短時間で大きくすることができる。
ここで、凹の球面状に湾曲したｃ面を有する下地基板上に、（マスク層を形成することなく）半導体層を厚く成長させた場合、半導体層が厚くなるにしたがって、半導体層のｃ面の曲率半径が徐々に大きくなっていく傾向がある。しかしながら、半導体層の厚さに対して、ｃ面の曲率半径が大きくなる速度は遅かった。このため、半導体層のｃ面の曲率半径を所望の半径まで大きくするためには、長い成長時間が必要となっていた。
これに対し、本実施形態では、上述の高酸素濃度層９８による応力相殺効果を利用することで、半導体層９の厚さに対するｃ面の曲率半径の依存性によらずに、ｃ面成長層９３のｃ面９３ｃｆの曲率半径を大きくすることができる。これにより、ｃ面成長層９３のｃ面９３ｃｆの曲率半径を短時間で大きくすることができる。その結果、ｃ面１０ｆの曲率半径を大きくした基板１０の製造に係るスループットを向上させることができる。
（ｄ）マスク層８の開口部８ａを、ｍ軸に沿った方向またはａ軸に沿った方向のうちのいずれかの方向に沿って延在するストライプ状とすることで、高酸素濃度層９８の厚さ分布を、マスク層８の開口部８ａの形状に倣って、ストライプ状の分布とすることができる。つまり、高酸素濃度層９８を、厚さが厚い部分と、厚さが薄い部分とを、マスク層８の延在方向に垂直な方向に交互に有する、いわゆる蛇腹状とすることができる。これにより、高酸素濃度層９８による応力相殺効果に方向依存性を生じさせることができる。高酸素濃度層９８による応力相殺効果の方向依存性により、ｃ面成長層９３において、ｃ面９３ｃｆの湾曲具合に方向依存性を生じさせることができる。その結果、ｃ面成長層９３から得られる基板１０において、ｍ軸に沿った方向およびａ軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向のｃ面１０ｆの曲率半径を、該他の方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径と異ならせることができる。
（ｅ）マスク層８の開口部８ａを、ａ軸に沿った方向に沿って延在するストライプ状とすることで、高酸素濃度層９８を、厚さが厚い部分と、厚さが薄い部分とを、ｍ軸に沿った方向に交互に有する蛇腹状とすることができる。これにより、高酸素濃度層９８による応力相殺効果のうち、ａ軸に沿った方向の効果が該軸方向に均一であるのに対して、ｍ軸に沿った方向の効果を該方向に周期的とし、ａ軸に沿った方向の効果よりも向上させることができる。その結果、ｃ面成長層９３から得られる基板１０において、ｍ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径を、ａ軸に沿った方向のｃ面１０ｆの曲率半径よりも大きくすることができる。
（ｆ）ｃ面成長層９３から得られる基板１０において、ｍ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径を、ａ軸に沿った方向のｃ面１０ｆの曲率半径と異ならせることで、基板１０のオフ角分布のうち、オフ角ｍ軸成分θｍの範囲を、オフ角ａ軸成分θａの範囲と異ならせることができる。これにより、オフ角座標マップにおいて、基板１０のオフ角分布を、表面モフォロジ良好領域の複雑な分布に合うように容易に調整することができる。
ここで、図２に示したように、本発明者は、基板の主面のオフ角に対する半導体機能層の表面モフォロジの依存性において、表面モフォロジ良好領域は、必ずしもオフ角（０，０）に対して中心対称とならならず、複雑な分布を示すことを見出した。これは、半導体機能層の表面モフォロジが、基板のオフ角に加え、半導体機能層成長時の成長炉の状態、基板の置き方、基板の回転方向、基板へのガスの供給方向などに影響を受けたためであると考えられる。このような表面モフォロジの依存性を示すことから、基板のオフ角分布が等方的であると（すなわち、基板の主面の範囲がオフ角座標マップ上で真円であると）、基板の主面内において、表面モフォロジ良好領域を広くすることが困難となる。
そこで、本実施形態では、ｍ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径を、ａ軸に沿った方向のｃ面１０ｆの曲率半径と異ならせることで、基板１０のオフ角分布のうち、オフ角ｍ軸成分θｍの範囲を、オフ角ａ軸成分θａの範囲と異ならせることができ、すなわち、基板１０のオフ角分布を非等方的とすることができる。これにより、オフ角座標マップ上での表面モフォロジ良好領域の複雑な分布に合うように、基板１０の主面１０ｓ内のオフ角分布を容易に調整することができる。その結果、基板１０の主面１０ｓ内において、半導体機能層の表面モフォロジが良好となる部分を効率よく広くすることができる。
（ｇ）また、ｃ面成長層９３から得られる基板１０において、ｍ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径を、ａ軸に沿った方向のｃ面１０ｆの曲率半径よりも大きくすることで、基板１０のオフ角分布のうち、オフ角ｍ軸成分θｍの範囲を、オフ角ａ軸成分θａの範囲よりも小さくすることができる。ここで、上述のオフ角座標マップの表面モフォロジ良好領域では、θｍ軸方向に短く且つθａ軸方向に長い領域が多い。そこで、本実施形態では、基板１０のオフ角分布のうち、オフ角ｍ軸成分θｍの範囲を、オフ角ａ軸成分θａの範囲よりも小さくすることで、オフ角座標マップにおいて、基板１０のオフ角分布を、表面モフォロジ良好領域のうちθｍ軸方向に短く且つθａ軸方向に長い領域に合うように容易に調整することができる。その結果、基板１０の主面１０ｓ内において、半導体層の表面モフォロジが良好となる部分をさらに効率よく広くすることができる。
（ｈ）さらに、ｃ面成長層９３から得られる基板１０において、ｍ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径を、ａ軸に沿った方向のｃ面１０ｆの曲率半径の１．５倍以上、好ましくは２倍以上とすることで、基板１０のオフ角分布のうち、オフ角ｍ軸成分θｍの範囲を、オフ角ａ軸成分θａの範囲の２／３倍以下、好ましくは１／２倍以下とすることができる。これにより、基板１０のオフ角分布を表面モフォロジ良好領域内に安定的に維持することができる。その結果、基板１０の主面１０ｓ内において、半導体層の表面モフォロジが良好となる部分をさらに効率よく且つ容易に広くすることができる。
（ｉ）本実施形態の基板１０の主面１０ｓの少なくとも一部におけるオフ角（θｍ，θａ）は、領域Ａ、領域Ｂおよび領域Ｃの少なくともいずれかの中に含まれている。これにより、基板１０を用いた半導体積層物３０の少なくとも一部から、半導体機能層５０の表面モフォロジが良好となる部分を得ることができる。半導体機能層５０の表面モフォロジが良好となる部分から半導体装置４０を作製することで、半導体機能層５０の表面における局所的な電界集中を抑制することができる。その結果、半導体装置４０の耐圧を向上させることが可能となる。
（ｊ）本実施形態の窒化物半導体基板作製工程Ｓ２００では、下地基板７としてＶＡＳ法により作製される基板を用いる。ＶＡＳ法により作製される下地基板７では、転位密度が低い。該下地基板７を用い、下地基板７の主面７ｓ上にストライプ状のマスク層８を形成した状態で、半導体層９を成長させることで、下地基板７内においてｃ軸に沿った方向に延在していた複数の転位のうちの一部は、マスク層８によって遮断され、半導体層９への伝播が抑制される。また、半導体層９の成長過程で、転位を局所的に集めることで、集められた複数の転位のうち、バーガースベクトルが互いに相反する転位同士を消失させることができる。これらにより、半導体層９の主面における転位密度を低減することができる。その結果、下地基板７よりもさらに転位密度を低減させた基板１０を得ることができる。
（ｋ）本実施形態の半導体層成長工程Ｓ２２０において、３次元成長層９１のｃ軸に沿った方向に伝播した転位を、ｃ面９１ｃｆ以外のファセット９１ｆｆが露出した位置で、該ファセット９１ｆｆに対して略垂直な方向、すなわちｃ軸に対して傾斜した方向に向けて屈曲させて伝播させることができる。これにより、転位がｃ軸に対して傾斜した方向に伝播した部分の上方に、低転位密度領域を形成することができる。このようにして製造された基板１０の低転位密度領域から半導体装置を切り出すことにより、転位に起因するデバイス特性の低下を抑制した半導体装置を得ることができる。
（ｌ）本実施形態では、上述の製造方法で用いられる下地基板７の主面内の転位密度が低いため、下地基板７上に半導体層９を成長させる際に、複数の転位が結合（混合）することが少ない。これにより、半導体層９から得られる基板１０内には、大きいバーガースベクトルを有する転位の生成を抑制することができる。具体的には、基板１０が有する複数の転位のそれぞれのバーガースベクトルの大きさを、例えば、ａ、ａ＋ｃ、またはｃのうちいずれかとすることができる。その結果、基板１０から切り出される半導体装置において、大きいバーガースベクトルを有する転位に起因するデバイス特性の低下を抑制することが可能となる。
＜他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
上述の実施形態では、基板１０がＧａＮ自立基板である場合について説明したが、基板１０は、ＧａＮ自立基板に限らず、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）等のＩＩＩ族窒化物半導体、すなわち、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式で表されるＩＩＩ族窒化物半導体からなる自立基板であってもよい。
上述の実施形態では、基板１０がｎ型である場合について説明したが、基板１０はｐ型であったり、または半絶縁性を有していたりしてもよい。例えば、基板１０を用いて高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）としての半導体装置を製造する場合には、基板１０は、半絶縁性を有していることが好ましい。
上述の実施形態では、半導体機能層５０がＧａＮからなる場合について説明したが、半導体機能層５０は、ＧａＮに限らず、例えば、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等のＩＩＩ族窒化物半導体、すなわち、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式で表されるＩＩＩ族窒化物半導体からなってもよい。
上述の実施形態では、半導体機能層５０が基板１０と同じＩＩＩ族窒化物半導体からなる場合について説明したが、半導体機能層５０のうちの少なくとも１層は、基板１０と異なるＩＩＩ族窒化物半導体からなっていてもよい。
上述の実施形態では、半導体積層物３０から作製される半導体装置４０がＳＢＤである場合について説明したが、該半導体装置４０は、ＳＢＤ以外であってもよい。具体的には、半導体装置４０は、例えば、ｐｎ接合ダイオード（ＬＥＤを含む）、ジャンクションバリアショットキーダイオード、ＨＥＭＴ等であってもよい。
なお、半導体装置４０がＬＥＤとしてのｐｎ接合ダイオードであり、発光層にＩｎを含む場合には、基板１０のｃ面１０ｆの曲率半径を大きくし、基板１０の主面１０ｓ内におけるオフ角分布（オフ角のばらつき）を所定の範囲内に狭くすることで、発光層におけるＩｎ含有量のばらつきを抑制することができる。
上述の実施形態では、マスク層形成工程Ｓ２１０において、マスク層８の開口部８ａをａ軸に沿った方向に沿って延在するストライプ状とする場合について説明したが、以下のような変形例１を適用しても良い。
（変形例１）
変形例１では、マスク層形成工程Ｓ２１０において、マスク層８の開口部８ａをｍ軸に沿った方向に沿って延在するストライプ状とする。当該変形例１では、以下のような基板１０を得ることができる。
変形例１に係る基板１０では、ｍ軸に沿った方向のｃ面１０ｆは、例えば、主面１０ｓに対して凹の球面状に湾曲している。一方で、ａ軸に沿った方向の基板１０のｃ面１０ｆは、例えば、該ａ軸に沿った方向に交互に配置される凸部および凹部を有している。
また、変形例１に係る基板１０では、ａ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径は、例えば、ｍ軸に沿った方向のｃ面１０ｆの曲率半径よりも大きい。ａ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面１０ｆの曲率半径は、例えば、ｍ軸に沿った方向のｃ面１０ｆの曲率半径の１．５倍以上、好ましくは２倍以上である。
また、変形例１に係る基板１０では、ｃ面１０ｆの曲率半径は、下地基板７のｃ面７ｆの曲率半径よりも大きい。具体的には、基板１０のｃ面１０ｆの曲率半径は、例えば、１０ｍ以上である。
変形例１によれば、オフ角座標マップにおいて、基板１０のオフ角分布を、表面モフォロジ良好領域に応じて調整することができる。具体的には、オフ角座標マップにおいて、基板１０のオフ角分布を、例えば、表面モフォロジ良好領域のうちθａ軸方向に短く且つθｍ軸方向に長い領域に合うように容易に調整することができる。
上述の実施形態では、下地基板準備工程Ｓ１００においてＶＡＳ法により下地基板７を作製する場合について説明したが、ＩＩＩ族窒化物半導体と異なる材料からなる異種基板を用い、該異種基板から結晶層を剥離することで、下地基板７を作製する方法であれば、ＶＡＳ法以外の方法を用いてもよい。
上述の実施形態では、スライス工程Ｓ１７０等において、ワイヤーソーを用い、第２結晶層６をスライスする場合について説明したが、例えば、外周刃スライサー、内周刃スライサー、放電加工機等を用いてもよい。
上述の実施形態では、半導体層成長工程Ｓ２２０のうち、ｃ面拡大工程Ｓ２２４およびｃ面成長工程Ｓ２２６のそれぞれでは、成長条件を、３次元成長工程Ｓ２２２での成長条件と等しい条件に維持させる場合について説明したが、ｃ面拡大工程Ｓ２２４およびｃ面成長工程Ｓ２２６のうち少なくともいずれかの工程での成長条件を、３次元成長工程Ｓ２２２での成長条件と異なる成長条件としてもよい。例えば、ｃ面拡大工程Ｓ２２４およびｃ面成長工程Ｓ２２６のうち少なくともいずれかの工程での成長条件を、ｃ軸に沿った方向の成長レートがｃ軸に沿った方向以外の方向の成長レート以下となる条件としてもよい。
上述の実施形態では、ｃ面成長工程Ｓ２２６において、ｃ面成長層９３の厚さをｃ面成長層９３から複数枚の基板１０が得られる厚さとする場合について言及したが、以下のような課題が生じる可能性がある。具体的には、ｃ面成長層９３の厚さが厚くなるにつれて、低酸素濃度で格子定数が小さいｃ面成長層９３自身の影響が強くなり、ｃ面成長層９３において、ｃ面９３ｃｆの曲率中心に向かって集中する応力が強くなっていく可能性がある。このため、ｃ面成長層９３の厚さが過剰に厚くなると、ｃ面成長層９３の上層部において、ｃ面９３ｃｆの湾曲具合の緩和が弱まり、ｃ面９３ｃｆの反りが大きくなってしまう（曲率半径が小さくなってしまう）可能性がある。そこで、このような課題を解決するため、以下のような変形例２および３を適用してもよい。
（変形例２）
変形例２では、ｃ面成長工程Ｓ２２６において、ｃ面成長層９３の厚さを、上述の実施形態での基板１０の厚さよりも薄くし、例えば、１００μｍ以上２００μｍ以下とする。その後、スライス工程Ｓ２３０および研磨工程Ｓ２４０を行わない。すなわち、ｃ面成長層９３から基板１０を得ることなく、下地基板７と、マスク層８と、半導体層９と、を有する積層構造体を作製する（図１１（ａ）の状態）。
積層構造体を作製したら、半導体積層物作製工程Ｓ４００において、積層構造体上に半導体機能層５０をエピタキシャル成長させ、半導体積層物３０を作製する。半導体積層物３０を作製したら、積層構造体の裏面側を研磨し、積層構造体のうち、下地基板７と、マスク層８と、高酸素濃度層９８と、を除去する。これにより、上述の実施形態と同様に、ｃ面成長層９３と、半導体機能層５０と、を有する半導体積層物３０が得られる。以降の工程は、上述の実施形態と同様である。
変形例２によれば、ｃ面成長工程Ｓ２２６において、高酸素濃度層９８による応力相殺効果が高い状態で、ｃ面成長層９３の成長を停止する。これにより、ｃ面成長層９３のｃ面９３ｃｆの湾曲具合を確実に緩和し、上述のｃ面成長層９３の厚膜化に起因したｃ面９３ｃｆの曲率半径の縮小現象を回避することができる。
また、変形例２によれば、半導体積層物３０の作製後、積層構造体のうち、下地基板７と、マスク層８と、高酸素濃度層９８と、を除去するため、半導体積層物３０から得られる半導体装置４０の裏面側には、下地基板７、マスク層８および高酸素濃度層９８が残らない。これにより、半導体装置４０の裏面側に電極を容易に形成することができる。
（変形例３）
変形例３では、ｃ面成長工程Ｓ２２６において、ｃ面成長層９３の厚さを、１枚の基板１０のみが得られる厚さとし、例えば、３００μｍ以上７００μｍ以下とする。その後、スライス工程Ｓ２３０および研磨工程Ｓ２４０を行うことで、１枚の基板１０が得られる。なお、最終的な基板１０の厚さは例えば２５０μｍ以上６５０μｍ以下とする。
１枚の基板１０が得られたら、本格成長工程において、例えば、ＨＶＰＥ法により、当該基板１０を種基板として用い、基板１０上に、ｃ面を成長面として本格成長層（バルク成長層）をエピタキシャル成長させる。このとき、本格成長層の厚さを、複数枚の基板１０が得られる厚さとし、例えば、３００μｍ以上１０ｍｍ以下とする。その後、スライス工程および研磨工程を行うことで、複数枚の基板１０が得られる。なお、最終的な基板１０の厚さは、上述の実施形態と同様に、例えば、２５０μｍ以上６５０μｍ以下とする。
変形例３によれば、ｃ面成長工程Ｓ２２６において、ｃ面成長層９３の厚さを１枚の基板１０のみが得られる厚さとし、高酸素濃度層９８による応力相殺効果が高い状態で、ｃ面成長層９３の成長を停止する。これにより、変形例２と同様に、上述のｃ面成長層９３の厚膜化に起因したｃ面９３ｃｆの曲率半径の縮小現象を回避することができる。
また、変形例３によれば、本格成長工程において、ｃ面成長層９３のｃ面９３ｃｆの湾曲具合を緩和した基板１０を種基板として、本格成長層を成長させる。当該種基板として用いる基板１０の裏面側には、応力を調整するような特段の構造がないため、本格成長工程における基板１０の熱変形に特殊な異方性が生じることを抑制し、該基板１０の熱変形を、基板１０を構成するＩＩＩ族窒化物半導体自身の線膨張係数のみに依存させることができる。これにより、本格成長工程において、本格成長層での応力を低減させた状態を長く維持させることができる。その結果、本格成長層から、ｃ面の湾曲具合を緩和した基板１０を多く得ることが可能となる。
以下、本発明の効果を裏付ける各種実験結果について説明する。
（１）実験１
（１−１）窒化物半導体基板作製用の積層構造体の作製
上述の実施形態の方法を用い、以下の条件および構成で、下地基板上に半導体層を成長させ、窒化物半導体基板作製用の積層構造体を作製した。
（下地基板）
材質：ＧａＮ
作製方法：ＶＡＳ法
直径：１インチ
厚さ：４００μｍ
主面に対して最も近い低指数の結晶面：（０００１）面
（マスク層）
マスク層の平面視形状：ストライプ状
マスク層の延在方向：ａ軸方向
マスク層の厚さ：１μｍ
マスク層の幅：１０μｍ
マスク層のピッチ：２００μｍ
（半導体層）
材質：ＧａＮ
成膜方法：ＨＶＰＥ法
半導体層の厚さ：約４００μｍ
ＧａＣｌガス流量：ＮＨ３ガス流量＝１：１
成長温度：１０１５℃
成長時間：１２０ｍｉｎ
（１−２）評価
（蛍光顕微鏡観察）
上述の積層構造体をａ面からなる断面で劈開し、当該断面を蛍光顕微鏡により観察した。
（カソードルミネッセンス像の観察）
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用い、上述のａ面からなる断面におけるカソードルミネッセンス（ＣＬ）像を観察した。
（ｃ面の分布および曲率半径の測定）
半導体層の主面において、Ｘ線回折のロッキングカーブ測定を行った。これにより、半導体層のｃ面の分布を把握するとともに、ｃ面の曲率半径を求めた。なお、実験１で用いた下地基板と同等の下地基板を用い、該下地基板の主面において同様の測定を行い、下地基板のｃ面の曲率半径を求めた。
（転位密度の測定）
上述の積層構造体に対して、溶融ＫＯＨによるエッチング処理を施した。そして、半導体層の主面において、転位に対応して発生したエッチピットの密度を顕微鏡観察により測定することで、半導体層の主面における転位密度（平均転位密度）を測定した。
（転位のバーガースベクトルの測定）
ＴＥＭを用いたＬＡＣＢＥＤ法により、半導体層中の転位のバーガースベクトルの大きさを測定した。
（１−３）結果
（蛍光顕微鏡による観察像）
図１３は、実施例に係る積層構造体のａ面からなる断面における蛍光顕微鏡による観察像を示す図である。
図１３に示すように、フォトルミネッセンス（ＰＬ）強度の違いにより、半導体層内に各層の存在を確認した。
下地基板上には、マスク層を挟んで隣接するように、複数の略三角柱状の３次元成長層が形成されていた。これにより、３次元成長工程において、マスク層の開口部内に露出した下地基板上に、３次元成長層を３次元成長させ、ｃ面以外のファセットを露出させることができたことを確認した。また、３次元成長層の頂部が尖っていたことから、３次元成長層からｃ面を完全に消失させることができたことを確認した。また、３次元成長層が略三角柱の傾斜面を有していたことから、３次元成長層のファセットとして、ａ軸に平行で且つｍ面から傾斜した面が露出していたことを確認した。
３次元成長層上には、ＰＬ強度が低い層が形成されていた。当該層では、酸素濃度が高いことで、ＰＬ強度が低くなっていたと考えられる。すなわち、ファセットを成長面として横方向成長させた部分に酸素を取り込み、半導体層内に、他の部分よりも酸素濃度が高い高酸素濃度層を形成することができたことを確認した。また、高酸素濃度層は、隣接する３次元成長層の間のＶ字状の凹部を埋め込むように形成されていた。また、高酸素濃度層は、３次元成長層の頂部上にも形成されていた。これにより、高酸素濃度層のうち、隣接する３次元成長層の間の凹部を埋め込んだ部分は、３次元成長層の頂部上に形成された部分を介して連続的に接続されていた。すなわち、高酸素濃度層を半導体層内で主面に沿った方向に連続させて形成することができたことを確認した。
高酸素濃度層は、下地基板の主面の上方に行くにしたがって徐々に消失し、再度ＰＬ強度が高酸素濃度層よりも高い層が形成されていた。これにより、３次元成長層上には、下地基板の主面の上方に行くにしたがってｃ面が徐々に拡大し、ｃ面拡大層が形成されていたことを確認した。
ｃ面拡大層上には、ＰＬ強度が高酸素濃度層よりも高い層が連続して形成されていた。当該層の主面は、下地基板の主面と平行な平坦面であった。これにより、酸素濃度が低いｃ面成長層を、ｃ面を成長面として、高酸素濃度層上に主面の法線方向に成長させることができたことを確認した。
（ＣＬ像）
図１４は、実施例に係る積層構造体のａ面からなる断面における走査型電子顕微鏡によるカソードルミネッセンス像を示す図である。
図１４に示すように、ＣＬ像においても上述の蛍光顕微鏡による観察像と同様に、ＣＬ強度の違いにより、半導体層内に３次元成長層、高酸素濃度層、ｃ面拡大層およびｃ面成長層の存在を確認した。
（ｃ面の分布および曲率半径）
図１５（ａ）は、下地基板のｍ軸に沿った方向に対してＸ線回折のロッキングカーブ測定を行った結果を示す図であり、図１５（ｂ）は、下地基板のａ軸に沿った方向に対してＸ線回折のロッキングカーブ測定を行った結果を示す図であり、図１５（ｃ）は、半導体層のｍ軸に沿った方向に対してＸ線回折のロッキングカーブ測定を行った結果を示す図であり、図１５（ｄ）は、半導体層のａ軸に沿った方向に対してＸ線回折のロッキングカーブ測定を行った結果を示す図である。図１６（ａ）は、半導体層のｍ軸に沿った方向に対して、狭いピッチでＸ線回折のロッキングカーブ測定を行った結果を示す図であり、図１６（ｂ）は、半導体層のａ軸に沿った方向に対して、狭いピッチでＸ線回折のロッキングカーブ測定を行った結果を示す図である。なお、図１６の測定では、スリット幅を０．０３ｍｍとしたことから、Ｘ線のフットプリントは約０．１ｍｍであった。
図１５（ａ）および図１５（ｂ）のそれぞれの下地基板の測定結果によれば、下地基板では、ｍ軸に沿った方向およびａ軸に沿った方向のそれぞれの位置に対して、回折角ωが線形に増加していた。このことから、下地基板において、ｍ軸に沿った方向およびａ軸に沿った方向のそれぞれのｃ面は、主面に対して凹の球面状に湾曲していることを確認した。また、同図の位置に対する回折角の傾きに基づいてｃ面の曲率半径を求めたところ、下地基板において、ｍ軸に沿った方向およびａ軸に沿った方向のそれぞれのｃ面の曲率半径は、約４．７ｍであった。
図１５（ｃ）および図１５（ｄ）の半導体層の測定結果によれば、半導体層のＦＷＨＭは、下地基板のＦＷＨＭよりも小さかった。このことから、下地基板上に、良好な結晶性を有する半導体層を成長させることができたことを確認した。
また、図１５（ｃ）の半導体層のｍ軸に沿った方向の巨視的な測定結果によれば、半導体層では、ｍ軸に沿った方向の位置に対して、回折角ωがランダムに変化しながら減少していた。このことから、半導体層のｍ軸に沿った方向のｃ面は、主面に対して凸に湾曲していることを確認した。また、同図のｍ軸に沿った方向の位置に対する回折角の近似直線の傾きに基づいてｃ面の曲率半径を求めたところ、半導体層において、ｍ軸に沿った方向のｃ面の巨視的な曲率半径は、およそ８１．９ｍであった。
また、図１６（ａ）の半導体層のｍ軸に沿った方向の微視的な測定結果によれば、半導体層のｍ軸に沿った方向の位置に対する回折角ωがランダムな周期で変化しながら増加ていた。このことから、半導体層において、ｍ軸に沿った方向のｃ面は、該ｍ軸に沿った方向に交互に配置される凸部および凹部を有していることを確認した。また、半導体層のｍ軸に沿った方向の７ｍｍの範囲内においては、半導体層のｍ軸に沿った方向のｃ面は、主面に対して凹に湾曲していることを確認した。また、半導体層のｍ軸に沿った方向の位置に対する回折角ωが直線に近似できることから、該近似直線の傾きに基づいてｃ面の曲率半径を求めたところ、半導体層のｍ軸に沿った方向の７ｍｍの範囲において、ｍ軸に沿った方向のｃ面の微視的な曲率半径は、およそ８１．９ｍであった。
また、図１５（ｄ）の半導体層のａ軸に沿った方向の巨視的な測定結果によれば、半導体層では、ａ軸に沿った方向の位置に対して、回折角ωが線形に増加していた。このことから、半導体層のａ軸に沿った方向のｃ面は、主面に対して凹の球面状に湾曲していることを確認した。また、同図のａ軸に沿った方向の位置に対する回折角の近似直線の傾きに基づいてｃ面の曲率半径を求めたところ、半導体層において、ａ軸に沿った方向のｃ面の曲率半径は、およそ３５．８ｍであった。
また、図１６（ｂ）の半導体層のａ軸に沿った方向の微視的な測定結果においても、半導体層のａ軸に沿った方向の位置に対する回折角ωが線形に増加ていた。このことから、半導体層において、ａ軸に沿った方向のｃ面は、周期性を有していないことを確認した。なお、同図において１５００μｍの位置で回折角ωがステップ状に変化しているが、これは、測定中に下地基板上のマスク層を跨いだためと考えられる。
これらの結果から、上述の高酸素濃度層による応力相殺効果により、半導体層のｃ面成長層でのｃ面の曲率半径を、下地基板でのｃ面の曲率半径よりも大きくすることができたことを確認した。また、マスク層の開口部を、ａ軸に沿った方向に延在するストライプ状としたことで、高酸素濃度層による応力相殺効果に方向依存性を生じさせ、半導体層のｃ面成長層において、ｍ軸に沿った方向の少なくとも一部のｃ面の曲率半径を、ａ軸に沿った方向のｃ面の曲率半径よりも大きくすることができたことを確認した。
（転位密度）
半導体層の主面における転位密度（の最大値）は、５．２×１０５ｃｍ−２であった。なお、下地基板の主面における転位密度がおよそ３×１０６ｃｍ−２であった。これにより、上述の製造方法により、半導体層の主面における転位密度を、下地基板の主面における転位密度よりも低くすることができたことを確認した。
また、半導体層の主面には、高転位密度領域と、低転位密度領域と、が形成されていた。低転位密度領域の転位密度は、高転位密度領域の転位密度よりも低く、１×１０５ｃｍ−２未満であった。
また、平面視で高転位密度領域の位置は、マスク層の位置と重なっていた。高転位密度領域および低転位密度領域のそれぞれは、ａ軸に沿った方向に沿って延在するストライプ状となっていた。高転位密度領域および低転位密度領域は、ｍ軸に沿った方向に交互に形成されていた。
また、低転位密度領域内には、小さくとも５００μｍ角の無転位領域が形成されていた。
これらの結果から、高酸素濃度層の成長過程において転位をマスク層上方に局所的に集めることで、半導体層の主面において、マスク層のストライプ形状に倣って、高転位密度領域と低転位密度領域とを形成することができたことを確認した。
（転位のバーガースベクトルの測定）
ＴＥＭを用いたＬＡＣＢＥＤ法により、半導体層中の転位のバーガースベクトルの大きさを測定した結果、転位のバーガースベクトルの大きさは、ａ、ａ＋ｃ、またはｃのうちいずれかであった。この結果から、半導体層では、大きいバーガースベクトルを有する転位の生成を抑制することができたことを確認した。
（２）実験２
（２−１）窒化物半導体基板および半導体積層物の作製
上述の実施形態の方法を用い、下地基板の構成が以下の構成である点を除いて、上述の（１−１）と同様に、下地基板上に半導体層を成長させた。そして、該半導体層をスライスすることで、窒化物半導体基板を作製した。
（下地基板）
材質：ＧａＮ
作製方法：ＶＡＳ法
直径：２インチ
厚さ：４００μｍ
基板の導電型：ｎ型
基板中のｎ型不純物：Ｓｉ
基板中のｎ型不純物濃度：１×１０１８ｃｍ−３
主面に対して最も近い低指数の結晶面：ｃ面
さらに、上述の窒化物半導体基板を用い、以下の構成を有する半導体積層物を作製した。
（半導体積層物の構成）
半導体機能層：（基板側から）下地ｎ型半導体層、ドリフト層
下地ｎ型半導体層の構成：ＳｉドープＧａＮ層
下地ｎ型半導体層中のＳｉ濃度：２×１０１８ｃｍ−３
下地ｎ型半導体層の厚さ：２μｍ
ドリフト層の構成：ＳｉドープＧａＮ層
ドリフト層中のＳｉ濃度：０．９×１０１６ｃｍ−３
ドリフト層の厚さ：１３μｍ
（２−２）評価
（オフ角分布）
窒化物半導体基板の主面において、Ｘ線回折のロッキングカーブ測定を行うことで、窒化物半導体基板におけるオフ角分布を測定した。
（表面粗さ）
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により、半導体積層物のうちの半導体機能層の主面の表面粗さを測定した。
（２−３）結果
（オフ角分布）
図１７は、下地基板のオフ角分布と、実施例に係る窒化物半導体基板のオフ角分布と、領域Ａ、領域Ｂおよび領域Ｃとの関係を示すオフ角座標マップである。
図１７に示すオフ角座標マップに示すように、窒化物半導体基板のオフ角分布は、下地基板のオフ角分布よりも小さいことを確認した。また、該基板の主面全体が、領域Ｂ内に含まれ、上記式（２−１）および式（２−２）を満たしていることを確認した。すなわち、該基板の主面の全面積に対する、オフ角（θｍ，θａ）が式（２−１）および式（２−２）を満たす領域（着色領域）の面積の割合は、約１００％以上であることを確認した。
（表面粗さ）
半導体積層物のうち、半導体機能層の主面の任意の位置において、表面粗さが約７ｎｍであることを確認した。つまり、基板の全面に亘って、半導体機能層の表面モフォロジが良好となることを確認した。
＜本発明の好ましい態様＞
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
（付記１）
ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶からなり、最も近い低指数の結晶面が（０００１）面である主面を有する窒化物半導体基板であって、
＜１−１００＞軸に沿った方向および前記＜１−１００＞軸に直交する＜１１−２０＞軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向の前記（０００１）面は、前記主面に対して凹の球面状に湾曲し、
前記＜１−１００＞軸に沿った方向および前記＜１−１００＞軸に直交する前記＜１１−２０＞軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向の前記（０００１）面の曲率半径は、他方の方向の少なくとも一部の前記（０００１）面の曲率半径と異なる
窒化物半導体基板。
（付記２）
前記＜１−１００＞軸に沿った方向および前記＜１１−２０＞軸に沿った方向のうちいずれか他方の方向の前記（０００１）面は、該他方の方向に交互に配置される凸部および凹部を有する
付記１に記載の窒化物半導体基板。
（付記３）
前記＜１１−２０＞軸に沿った方向の前記（０００１）面は、前記主面に対して凹の球面状に湾曲し、
前記＜１−１００＞軸に沿った方向の少なくとも一部の前記（０００１）面の曲率半径は、＜１１−２０＞軸に沿った方向の前記（０００１）面の曲率半径よりも大きい
付記１又は２に記載の窒化物半導体基板。
（付記４）
前記＜１−１００＞軸に沿った方向の少なくとも一部の前記（０００１）面の曲率半径は、前記＜１１−２０＞軸に沿った方向の前記（０００１）面の曲率半径の１．５倍以上である
付記３に記載の窒化物半導体基板。
（付記５）
前記＜１−１００＞軸に沿った方向の前記（０００１）面は、前記主面に対して凹の球面状に湾曲し、
前記＜１１−２０＞軸に沿った方向の少なくとも一部の前記（０００１）面の曲率半径は、前記＜１−１００＞軸に沿った方向の前記（０００１）面の曲率半径よりも大きい
付記１又は２に記載の窒化物半導体基板。
（付記６）
前記＜１１−２０＞軸に沿った方向の少なくとも一部の前記（０００１）面の曲率半径は、前記＜１−１００＞軸に沿った方向の前記（０００１）面の曲率半径の１．５倍以上である
付記５に記載の窒化物半導体基板。
（付記７）
前記主面は、前記主面の法線に対する前記結晶の＜０００１＞軸のオフ角の大きさが０となる領域を含まない
付記１〜６のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板。
（付記８）
前記主面の法線に対する前記結晶の＜０００１＞軸のオフ角のうち前記＜１−１００＞軸に沿った方向成分をθｍ、前記オフ角のうち前記＜１−１００＞軸に直交する前記＜１１−２０＞軸に沿った方向成分をθａとしたときに、
前記主面の少なくとも一部における前記オフ角（θｍ，θａ）は、以下の式（１）を満たす
付記１〜７のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板。
０．０７８４≦θｍ ２＋θａ ２≦０．５７８ ・・・（１）
（付記９）
前記主面の少なくとも中心における前記オフ角（θｍ，θａ）は、前記式（１）を満たす
付記８に記載の窒化物半導体基板。
（付記１０）
前記主面の全面積に対する、前記オフ角（θｍ，θａ）が前記式（１）を満たす領域の面積の割合は、５０％超である
付記８又は９に記載の窒化物半導体基板。
（付記１１）
前記主面の法線に対する前記結晶の＜０００１＞軸のオフ角のうち前記＜１−１００＞軸に沿った方向成分をθｍ、前記オフ角のうち前記＜１−１００＞軸に直交する前記＜１１−２０＞軸に沿った方向成分をθａとしたときに、
前記主面の少なくとも一部における前記オフ角（θｍ，θａ）は、以下の式（２−１）および式（２−２）を満たす
付記１〜７のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板。
０．４７≦θｍ≦０．７１ ・・・（２−１）
−０．２０≦θａ≦０．２６ ・・・（２−２）
（付記１２）
前記主面の少なくとも中心における前記オフ角（θｍ，θａ）は、前記式（２−１）および前記式（２−２）を満たす
付記１１に記載の窒化物半導体基板。
（付記１３）
前記主面の全面積に対する、前記オフ角（θｍ，θａ）が前記式（２−１）および前記式（２−２）を満たす領域の面積の割合は、５０％超である
付記１１又は１２に記載の窒化物半導体基板。
（付記１４）
前記主面の法線に対する前記結晶の＜０００１＞軸のオフ角のうち前記＜１−１００＞軸に沿った方向成分をθｍ、前記オフ角のうち前記＜１−１００＞軸に直交する前記＜１１−２０＞軸に沿った方向成分をθａとしたときに、
前記主面の少なくとも一部における前記オフ角（θｍ，θａ）は、以下の式（３−１）および式（３−２）を満たす
付記１〜７のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板。
−０．０５≦θｍ≦０．２１ ・・・（３−１）
０．３６≦θａ≦０．６５ ・・・（３−２）
（付記１５）
前記主面の少なくとも中心における前記オフ角（θｍ，θａ）は、前記式（３−１）および前記式（３−２）を満たす
付記１４に記載の窒化物半導体基板。
（付記１６）
前記主面の全面積に対する、前記オフ角（θｍ，θａ）が前記式（３−１）および前記（３−２）を満たす領域の面積の割合は、５０％超である
付記１４又は１５に記載の窒化物半導体基板。
（付記１７）
前記（０００１）面の曲率半径は、１０ｍ以上である
付記１〜１６のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板。
（付記１８）
前記窒化物半導体基板の直径をＤ（ｍｍ）としたときに、
前記主面内において、前記主面の法線に対する前記結晶の＜０００１＞軸のオフ角の最大最小差は、Ｄ／５００°以内である
付記１〜１７のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板。
（付記１９）
前記＜０００１＞軸に沿った方向に延在する複数の転位を有し、
前記＜１１−２０＞軸方向の格子定数をａ、前記＜０００１＞軸の格子定数をｃとしたときに、
前記複数の転位のそれぞれのバーガースベクトルの大きさは、ａ、ａ＋ｃ、またはｃのうちいずれかである
付記１〜１８のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板。
（付記２０）
前記主面内の転位密度は、１×１０６ｃｍ−２未満である
付記１〜１９のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板。
（付記２１）
前記主面内に、高転位密度領域と、低転位密度領域と、を有し、
前記低転位密度領域内の転位密度は、１×１０５ｃｍ−２未満である
付記１〜２０のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板。
（付記２２）
前記低転位密度領域は、５０μｍ角以上の無転位領域を含む
付記１〜２１のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板。
（付記２３）
ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶からなり、最も近い低指数の結晶面が（０００１）面である主面を有する窒化物半導体基板と、
前記窒化物半導体基板上に設けられ、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体機能層と、
を有し、
前記窒化物半導体基板では、
＜１−１００＞軸に沿った方向および前記＜１−１００＞軸に直交する＜１１−２０＞軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向の前記（０００１）面は、前記主面に対して凹の球面状に湾曲し、
前記＜１−１００＞軸に沿った方向および前記＜１−１００＞軸に直交する前記＜１１−２０＞軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向の前記（０００１）面の曲率半径は、他方の方向の少なくとも一部の前記（０００１）面の曲率半径と異なる
半導体積層物。
（付記２４）
前記窒化物半導体基板の前記主面の法線に対する前記結晶の＜０００１＞軸のオフ角のうち＜１−１００＞軸に沿った方向成分をθｍ、前記オフ角のうち前記＜１−１００＞軸に直交する＜１１−２０＞軸に沿った方向成分をθａとしたときに、
前記窒化物半導体基板の前記主面の全面積に対する、前記オフ角（θｍ，θａ）が前記式（２−１）および前記式（２−２）を満たす領域の面積の割合は、５０％超であり、
前記半導体機能層の主面の全面積に対する、前記半導体機能層の主面の算術平均粗さＲａが３０ｎｍ以下である領域の面積の割合は、５０％超である
付記２３に記載の半導体積層物。
０．４７≦θｍ≦０．７１ ・・・（２−１）
−０．２０≦θａ≦０．２６ ・・・（２−２）
（付記２５）
前記窒化物半導体基板の前記主面の法線に対する前記結晶の＜０００１＞軸のオフ角のうち＜１−１００＞軸に沿った方向成分をθｍ、前記オフ角のうち前記＜１−１００＞軸に直交する＜１１−２０＞軸に沿った方向成分をθａとしたときに、
前記窒化物半導体基板の前記主面の全面積に対する、前記オフ角（θｍ，θａ）が前記式（３−１）および前記（３−２）を満たす領域の面積の割合は、５０％超であり、
前記半導体機能層の主面の全面積に対する、前記半導体機能層の主面の算術平均粗さＲａが３０ｎｍ以下である領域の面積の割合は、５０％超である
付記２３に記載の半導体積層物。
−０．０５≦θｍ≦０．２１ ・・・（３−１）
０．３６≦θａ≦０．６５ ・・・（３−２）
（付記２６）
ＩＩＩ族窒化物半導体からなり、主面に対して最も近い低指数の結晶面が前記主面に対して凹の球面状に湾曲した（０００１）面である下地基板と、
前記下地基板上に設けられ、所定の開口部を有するマスク層と、
ＩＩＩ族窒化物半導体からなり、前記下地基板上に前記マスク層の前記開口部を介して設けられる半導体層と、
を有し、
前記半導体層での前記（０００１）面の曲率半径は、前記下地基板での前記（０００１）面の曲率半径よりも大きい
積層構造体。
（付記２７）
ＩＩＩ族窒化物半導体からなり、主面に対して最も近い低指数の結晶面が前記主面に対して凹の球面状に湾曲した（０００１）面である下地基板を準備する工程と、
前記下地基板上に所定の開口部を有するマスク層を形成する工程と、
ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体層を、前記下地基板上に前記マスク層の前記開口部を介して成長させる工程と、
前記半導体層をスライスし、窒化物半導体基板を作製する工程と、
を有し、
前記半導体層を成長させる工程では、
前記半導体層での前記（０００１）面の曲率半径を、前記下地基板での前記（０００１）面の曲率半径よりも大きくする
窒化物半導体基板の製造方法。
（付記２８）
前記マスク層を形成する工程では、
前記マスク層の前記開口部を、＜１−１００＞軸に沿った方向または前記＜１−１００＞軸に直交する＜１１−２０＞軸に沿った方向のうちのいずれかの一方の方向に沿って延在するストライプ状とし、
前記半導体層を成長させる工程では、
前記半導体層において、前記＜１−１００＞軸に沿った方向および前記＜１−１００＞軸に直交する前記＜１１−２０＞軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向の前記（０００１）面の曲率半径を、他方の方向の少なくとも一部の前記（０００１）面の曲率半径と異ならせる
付記２７に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
（付記２９）
前記半導体層を成長させる工程では、
前記半導体層のうち、前記＜１−１００＞軸に沿った方向および前記＜１１−２０＞軸に沿った方向のうちいずれか他方の方向の前記（０００１）面に、該他方の方向に交互に配置される凸部および凹部を形成する
付記２８に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
（付記３０）
前記マスク層を形成する工程では、
前記マスク層の前記開口部を、前記＜１１−２０＞軸に沿った方向に沿って延在するストライプ状とし、
前記半導体層を成長させる工程では、
前記半導体層において、前記＜１−１００＞軸に沿った方向の少なくとも一部の前記（０００１）面の曲率半径を、前記＜１１−２０＞軸に沿った方向の前記（０００１）面の曲率半径よりも大きくする
付記２８又は２９に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
（付記３１）
前記マスク層を形成する工程では、
前記マスク層の前記開口部を、前記＜１−１００＞軸に沿った方向に沿って延在するストライプ状とし、
前記半導体層を成長させる工程では、
前記半導体層において、前記＜１１−２０＞軸に沿った方向の少なくとも一部の前記（０００１）面の曲率半径を、前記＜１−１００＞軸に沿った方向の前記（０００１）面の曲率半径よりも大きくする
付記２８又は２９に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
（付記３２）
前記半導体層を成長させる工程は、
前記マスク層の前記開口部内に露出した前記下地基板上に前記半導体層を３次元成長させ、前記（０００１）面以外のファセットを露出させる３次元成長工程と、
前記（０００１）面を拡大させながら前記半導体層を成長させ、前記（０００１）面以外の前記ファセットを消失させるｃ面拡大工程と、
前記（０００１）面を成長面として、前記半導体層を前記下地基板の前記主面の法線方向に成長させるｃ面成長工程と、
を有し、
前記３次元成長工程および前記ｃ面拡大工程では、
前記（０００１）面以外の前記ファセットを成長面として成長させた部分に酸素を取り込み、前記半導体層内に他の部分よりも酸素濃度が高い高酸素濃度層を形成する
付記２７〜３１のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板の製造方法。
（付記３３）
前記３次元成長工程では、
前記下地基板の前記主面の上方に行くにしたがって、前記（０００１）面を徐々に縮小させ、最終的に前記（０００１）面を消失させ、
前記ｃ面拡大工程では、
前記高酸素濃度層を前記半導体層内で前記下地基板の前記主面に沿った方向に連続させて形成する
付記３２に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
（付記３４）
少なくとも前記３次元成長工程では、
前記下地基板の前記主面の上方に行くにしたがって、該下地基板の前記主面に対する、前記（０００１）面以外の前記ファセットがなす傾斜角を徐々に小さくする
付記３２又は３３に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
（付記３５）
前記３次元成長工程、前記ｃ面拡大工程および前記ｃ面成長工程では、
所定の成長温度を維持させる
付記３２〜３４のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板の製造方法。
（付記３６）
ＩＩＩ族窒化物半導体からなり、主面に対して最も近い低指数の結晶面が前記主面に対して凹の球面状に湾曲した（０００１）面である下地基板を準備する工程と、
前記下地基板上に所定の開口部を有するマスク層を形成する工程と、
ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体層を、前記下地基板上に前記マスク層の前記開口部を介して成長させる工程と、
前記半導体層をスライスし、窒化物半導体基板を作製する工程と、
前記窒化物半導体基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体機能層をエピタキシャル成長させ、半導体積層物を作製する工程と、
を有し、
前記半導体層を成長させる工程では、
前記半導体層での前記（０００１）面の曲率半径を、前記下地基板での前記（０００１）面の曲率半径よりも大きくする
半導体積層物の製造方法。
（付記３７）
ＩＩＩ族窒化物半導体からなり、主面に対して最も近い低指数の結晶面が前記主面に対して凹の球面状に湾曲した（０００１）面である下地基板を準備する工程と、
前記下地基板上に所定の開口部を有するマスク層を形成する工程と、
ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体層を、前記下地基板上に前記マスク層の前記開口部を介して成長させ、積層構造体を作製する工程と、
前記積層構造体上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体機能層をエピタキシャル成長させ、半導体積層物を作製する工程と、
を有し、
前記半導体層を成長させる工程では、
前記半導体層での前記（０００１）面の曲率半径を、前記下地基板での前記（０００１）面の曲率半径よりも大きくする
半導体積層物の製造方法。
１０ 窒化物半導体基板（基板）
１０ｃ ｃ軸
１０ｆ ｃ面
１０ｓ 主面
３０ 半導体積層物
４０ 半導体装置
５０ 半導体機能層

Claims (2)

  1. ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶からなり、最も近い低指数の結晶面が（０００１）面である主面を有する窒化物半導体基板と、
    前記窒化物半導体基板上に設けられ、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体機能層と、
    を有し、
    前記窒化物半導体基板では、
    ＜１−１００＞軸に沿った方向および前記＜１−１００＞軸に直交する＜１１−２０＞軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向の前記（０００１）面は、前記主面に対して凹の球面状に湾曲し、
    前記＜１−１００＞軸に沿った方向および前記＜１−１００＞軸に直交する前記＜１１−２０＞軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向の前記（０００１）面の曲率半径は、他方の方向の少なくとも一部の前記（０００１）面の曲率半径と異なり、
    前記窒化物半導体基板の前記主面の法線に対する前記結晶の＜０００１＞軸のオフ角のうち＜１−１００＞軸に沿った方向成分をθ ｍ 、前記オフ角のうち前記＜１−１００＞軸に直交する＜１１−２０＞軸に沿った方向成分をθ ａ としたときに、
    前記窒化物半導体基板の前記主面の全面積に対する、前記オフ角（θ ｍ ，θ ａ ）が前記式（２−１）および前記式（２−２）を満たす領域の面積の割合は、５０％超であり、
    前記半導体機能層の主面の全面積に対する、前記半導体機能層の主面の算術平均粗さＲａが３０ｎｍ以下である領域の面積の割合は、５０％超である
    半導体積層物。
    ０．４７≦θ ｍ ≦０．７１ ・・・（２−１）
    −０．２０≦θ ａ ≦０．２６ ・・・（２−２）
  2. ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶からなり、最も近い低指数の結晶面が（０００１）面である主面を有する窒化物半導体基板と、
    前記窒化物半導体基板上に設けられ、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体機能層と、
    を有し、
    前記窒化物半導体基板では、
    ＜１−１００＞軸に沿った方向および前記＜１−１００＞軸に直交する＜１１−２０＞軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向の前記（０００１）面は、前記主面に対して凹の球面状に湾曲し、
    前記＜１−１００＞軸に沿った方向および前記＜１−１００＞軸に直交する前記＜１１−２０＞軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向の前記（０００１）面の曲率半径は、他方の方向の少なくとも一部の前記（０００１）面の曲率半径と異なり、
    前記窒化物半導体基板の前記主面の法線に対する前記結晶の＜０００１＞軸のオフ角のうち＜１−１００＞軸に沿った方向成分をθｍ、前記オフ角のうち前記＜１−１００＞軸に直交する＜１１−２０＞軸に沿った方向成分をθａとしたときに、
    前記窒化物半導体基板の前記主面の全面積に対する、前記オフ角（θｍ，θａ）が前記式（３−１）および前記（３−２）を満たす領域の面積の割合は、５０％超であり、
    前記半導体機能層の主面の全面積に対する、前記半導体機能層の主面の算術平均粗さＲａが３０ｎｍ以下である領域の面積の割合は、５０％超である
    半導体積層物。
    −０．０５≦θｍ≦０．２１ ・・・（３−１）
    ０．３６≦θａ≦０．６５ ・・・（３−２）
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