JP7378239B2 - 積層体、窒化物半導体層の製造方法 - Google Patents
積層体、窒化物半導体層の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7378239B2 JP7378239B2 JP2019140276A JP2019140276A JP7378239B2 JP 7378239 B2 JP7378239 B2 JP 7378239B2 JP 2019140276 A JP2019140276 A JP 2019140276A JP 2019140276 A JP2019140276 A JP 2019140276A JP 7378239 B2 JP7378239 B2 JP 7378239B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal growth
- mask layer
- semiconductor layer
- nitride semiconductor
- base substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 5
- -1 aluminum compound Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
本開示は、積層体に関する。
ＩＩＩ族窒化物半導体である窒化ガリウム（ＧａＮ）は、シリコンに代わる次世代パワー半導体として、近年注目されている。単結晶基板上でＩＩＩ族窒化物半導体をエピタキシャル成長させ、結晶欠陥の少ないＩＩＩ族窒化物半導体層を得る製造方法が知られている。この製造方法では、例えば、下地基板の第１の面から下地基板の厚さ方向に伸び、かつ、下地基板に形成された転位と繋がる縦長ピットを複数形成した後に、第１の面の上に、縦長ピットの少なくとも一部分を空洞として残して、ＩＩＩ族窒化物半導体を成長させる（下記の特許文献１を参照）。
上記下地基板には高密度の転位またはピットが存在していることがある。このため、このような下地基板を再利用するには、表面の研磨により、これらの転位またはピットを取り除く必要がある。
しかしながら、下地基板の表面を研磨すれば、下地基板の板厚が大きく減少することがある。このように、下地基板を再利用するための方法には改善の余地がある。
しかしながら、下地基板の表面を研磨すれば、下地基板の板厚が大きく減少することがある。このように、下地基板を再利用するための方法には改善の余地がある。
本開示の積層体は、半導体結晶を気相成長させるための積層体であって、
結晶成長面を有する下地基板と、
前記下地基板の前記結晶成長面上に位置して、前記結晶成長面が露出するウインドウを有するマスク層と、を備え、
前記下地基板の前記結晶成長面は、前記マスク層に覆われた領域では前記結晶成長面に沿った転位の面密度が１×１０７/ｃｍ２以下である。
結晶成長面を有する下地基板と、
前記下地基板の前記結晶成長面上に位置して、前記結晶成長面が露出するウインドウを有するマスク層と、を備え、
前記下地基板の前記結晶成長面は、前記マスク層に覆われた領域では前記結晶成長面に沿った転位の面密度が１×１０７/ｃｍ２以下である。
本開示の積層体によれば、下地基板の結晶成長面は、マスク層に覆われた領域の転位の面密度が１×１０７/ｃｍ２以下であるため、転位が生じている部分を許容可能な範囲まで研磨などによって除去する必要がなく、積層体の再利用が容易となる。
以下、本開示の一実施形態に係る積層体について、模式的に示した各図を参照して説明する。図１は、下地基板１１の結晶成長面１２上にマスク層１３が配設された本実施形態の積層体１を示す断面図である。図２は、積層体１の下地基板１１の結晶成長面１２上に半導体層１６が形成された状態を示す断面図である。図３は、積層体１からマスク層１３が除去された状態を示す断面図である。
積層体１は、下地基板１１と、マスク層１３とを備える。下地基板１１の材料としては、例えば、窒化物半導体が用いられるが、窒化物半導体中に不純物がドーピングされたｎ型半導体、または、ｐ型半導体であってもよい。その場合、不純物密度は、１×１０１９ｃｍ－３程度以下のものを使用し得る。
ここで「窒化物半導体」は、例えば、ＡｌｘＧａyＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１；０≦ｙ≦１；０≦ｚ≦１；ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）によって構成される。本実施形態において、下地基板１１は少なくとも表面はＧａＮからなる。下地基板１１は、ＧａＮ基板のほか、サファイア基板、ＳｉＣ基板などのＧａＮ以外の材料からなる基板の表面にＧａＮ層を形成した基板を使用してもよい。
マスク層１３によって、下地基板１１に結晶成長面１２が露出するウインドウ１５が形成される。マスク層１３は、下地基板１１の結晶成長面１２上に、例えば、ストライプパターンなどの所定の形状のマスクパターンで形成される。マスク層１３の形成方法としては、まず、下地基板１１の結晶成長面１２上に、例えば、プラズマ気相成長（Plasma Chemical Vapor Deposition；ＰＣＶＤ）法などによって、マスク層１３の材料となる珪素化合物である、例えばＳｉＯ２などを堆積させる。
マスク層１３の材料としては、酸化シリコンなどの珪素化合物、酸化アルミニウムなどのアルミニウム化合物、およびタングステンまたはクロムなどの遷移金属の少なくとも１種を含むものでよい。マスク層１３の堆積方法は、ＰＣＶＤ法に限られず、真空蒸着法、イオンプレーティング、スパッタリング、ミストＣＶＤ法など、マスク材料に適した公知の方法を適宜用いることができる。
続いて、フォトリソグラフィー法およびエッチングによって、マスク層１３を所定のパターン形状にパターニングする。本実施形態においては、図１に示すように、マスク層１３の隣り合うストライプパターンの間の空間がウインドウ１５として規定される。ウインドウ１５の幅は、例えば、２μｍ～２０μｍとすることができる。マスク層１３の各ストライプの幅は、例えば、５０μｍ～２００μｍとすることができ、マスク層１３の厚さは、１００ｎｍ～５００ｎｍである。
マスク層１３の厚さが１００ｎｍよりも薄いと、マスク層１３に覆われた結晶成長面１２の領域に転位が生じやすくなり、厚さが５００ｎｍよりも厚いと、半導体層１６の結晶成長がしにくくなる。
ウインドウ１５において露出している下地基板１１の結晶成長面１２を起点として、半導体結晶からなる半導体層１６を、横方向エピタキシャル気相成長（Epitaxial Lateral Overgrowth；ＥＬО）法によって形成する。半導体層１６の材料としては、例えばＧａＮなどの窒化物半導体が用いられる。
ＥＬＯ法には、有機金属気相成長（Metal Organic Chemical Vapor Deposition；ＭＯＣＶＤ）法のほか、原料であるＩＩＩ族元素として塩化物を用いるハイドライド気相成長（Vaper Phase Epitaxy；ＨＶＰＥ）法、分子線気相成長（Molecular Beam Epitaxy：ＭＢＥ）法などを用いることが可能である。成長工程中に、不純物の原料ガスの割合などを変化させて、半導体層１６をＬＥＤ（Light Emitting Diode）およびＬＤ（Laser Diode）などの光半導体素子として機能する多層膜として構成することも可能である。
ＥＬＯ法によって結晶成長面１２上に成長した半導体結晶は、マスク層１３のウインドウ１５を超えると、マスク層１３の上面に沿って横方向にも結晶が成長する。結晶成長は、半導体層１６が、隣り合う半導体層１６と、接触または互いに重なり合う前に終了させる。これは、隣接する半導体層１６同士が接すると、その接触部分において、貫通転位などの結晶欠陥が生じ易くなるためである。このようにして、例えば、ＧａＮなどをＥＬＯ法によって成長させたバルク結晶を得ることができる。
ＥＬＯ法による気相成長によって形成される半導体層１６の幅は、例えば、５０μｍ～２００μｍ程度であり、高さは、１０μｍ～５０μｍ程度である。半導体層１６は、気相成長後に、マスク層１３の表面に単位面積あたり９０％以上の割合で析出していることが好ましい。
以上のように半導体層１６を形成した場合、結晶成長面１２のマスク層１３に覆われた領域には、転位が存在しないか、正常に結晶成長可能な通常の密度よりも少ない。例えば、下地基板１１として、ＧａＮ基板を用い、そのc面（０００１）上に結晶成長させる場合、結晶成長面１２のマスク層１３に覆われた領域には、結晶成長面１２に沿った転位が存在しないか、正常に結晶成長可能な通常の密度よりも少なく、例えば、転位の面密度は１×１０７/ｃｍ２以下である。したがって、これらの転位が正常に結晶成長可能な密度になるまで下地基板１１を粗研磨して除去する必要がなく、積層体１の再利用が容易となる。
下地基板１１の結晶成長面１２は、マスク層１３に覆われた領域において、例えばＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）による観察によって、ピットの面密度を測定できる。この場合、観察できる複数箇所の領域（例えば、１００μｍ角の領域）において、直径（外接円の直径または最大長さ）が３００ｎｍ以上のピットの平均面密度が５×１０６／ｃｍ２以下である。また、断面ＳＥＭ、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope）またはレーザー顕微鏡などで複数のピットの深さを測定できる。ピットの平均深さは、１０ｎｍ～１０００ｎｍである。また、ピットの平均アスペクト比（＝平均ピット深さ／平均ピット径）は、０．５～２である。ピットの平均面密度、平均深さおよび平均アスペクト比がこれらの数値範囲であれば、再利用時における下地基板１１の結晶成長面１２の研磨量を低減し、あるいは不要とすることができ、積層体１の再利用が容易になり得る。
図４は下地基板１１の結晶成長面１２の転位の発生状態を示す比較例および実施例の拡大写真であり、図５は下地基板１１の結晶成長面１２のピットの発生状態を示す比較例および実施例の拡大写真である。本実施形態の積層体１によれば、厚さが１００ｎｍ～５００ｎｍのマスク層１３によって、マスク層１３の下地基板１１への密着性が低下し、半導体層１６と下地基板１１との格子不整合によって結晶成長面１２上に生じる応力が緩和され、マスク層１３に覆われた結晶成長面１２の領域に転位の発生がしにくくなるとともに、下地基板１１へのピットの発生を抑制することができる。マスク層１３の厚さが１００ｎｍ未満の場合、上記の応力緩和が生じにくく、反対に、マスク層１３の厚さが５００ｎｍを超える場合、半導体層１６の結晶成長中にマスク層１３が剥がれやすくなる。
本実施形態の積層体１によれば、半導体層１６が、気相成長後に、マスク層１３の表面に単位面積あたり９０％以上の割合で析出している。これによって、ＭＯＣＶＤ法で使用するトリエチルガリウム（ＴＥＧａ）またはトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）などの原料ガスによるマスク層１３との反応がしにくくなる。さらに、マスク層１３および下地基板１１における転位およびピットの形成が低減し得る。これらにより、下地基板１１の再利用が容易になるとともに、半導体層１６の生産性を向上することができる。
次に、積層体１の製造方法について説明する。図１は、下地基板１１を製造する下地基板準備工程と、下地基板１１の結晶成長面１２上にウインドウ１５を備えたマスク層１３を形成するマスク層形成工程とが完了した時点における積層体１の構成を示している。
下地基板準備工程は、例えば、ＧａＮ基板上に、ＭＯＣＶＤ法などによって、下地基板１１となる窒化物半導体を成長させる工程である。下地基板１１の大きさは、結晶成長させる半導体層１６の大きさに応じて適宜選択可能である。
マスク層１３は、前記の通り、真空蒸着法、イオンプレーティング、スパッタリング、ミストＣＶＤなどの方法によって、下地基板１１の結晶成長面１２上にＳｉＯ２などを積層させた薄膜を形成する。その後、これをフォトリソグラフィー法およびエッチングによるパターニングによって形成する。
ウインドウ１５から露出している下地基板１１の結晶成長面１２上を起点として、ＥＬＯ法によって、半導体結晶からなる半導体層１６が形成される。半導体層１６の材料としては、例えば、ＧａＮなどの窒化物半導体が用いられる。
ＥＬＯには、ＭＯＣＶＤ法のほか、原料であるＩＩＩ族元素として塩化物を用いるハイドライド気相成長（Vaper Phase Epitaxy；ＨＶＰＥ）法、分子線気相成長（Molecular Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法などを用いることが可能である。成長工程中に、不純物の原料ガスの割合などを変化させて、半導体層１６をＬＥＤまたはＬＤとして機能する多層膜として形成することも可能である。
ＥＬＯにより成長した半導体結晶がマスク層１３のウインドウ１５を超えると、マスク層１３の上面に沿って横方向にも結晶が成長する。結晶成長は、半導体層１６が、隣り合う半導体層１６と、接触または互いに重なり合う前に終了させる。これは、隣接する半導体層１６同士が接すると、その接触部分において、貫通転位などの結晶欠陥が生じやすくなるためである。このようにして、例えば、ＧａＮなどをＥＬＯによって成長させたバルク結晶を得ることができる。
半導体層１６の結晶成長工程を完了後、マスク層除去工程に移り、結晶成長した半導体層１６を実質的に侵さないエッチング材を用いて、マスク層１３だけを除去する。ＳｉＯ２からなるマスク層１３の場合、例えば、ＨＦ系ウェットエッチングによってマスク層１３を除去することができる。
エッチングによって、マスク層１３が除去された後は、半導体層１６は、ウインドウ１５に残された柱状の部分のみによって支持される形状となるため、半導体層１６を下地基板１１から容易に分離することができる。
半導体層１６を分離した下地基板１１には、ウインドウ１５に位置する結晶成長面１２以外には、後続する結晶成長に格子不整合などの欠陥を生じるような転位は存在しない。例えば、下地基板１１として、ＧａＮ基板を用い、そのc面上に結晶成長させる場合、結晶成長面１２のマスク層１３に覆われた領域には、c面に沿った転位が存在しないか、正常に結晶成長可能な通常の密度よりも少ない。そのため、ウインドウ１５に位置する結晶成長面１２の上にマスク層１３を形成することで、新たに積層体１を製造し、下地基板１１の粗研磨などの再生処理を行うことなく、半導体層１６の結晶成長に再利用することが可能である。
積層体１の製造方法によれば、下地基板１１の結晶成長面１２のマスク層１３で覆われた領域には転位が存在しないか、正常に結晶成長可能な通常の密度よりも少ない。例えば、下地基板１１として、ＧａＮ基板を用い、そのc面上に結晶成長させる場合、結晶成長面１２のマスク層１３に覆われた領域には、c面に沿った転位が存在しないか、正常に結晶成長可能な通常の密度よりも少ない。したがって、これらの転位を研磨により除去する必要がなく、再利用が容易な積層体を提供することができる。
積層体１の製造方法によれば、下地基板１１の結晶成長面１２は、マスク層１３に覆われた領域において、外接円の直径が３００ｎｍ以上のピットの面密度が、５×１０６／ｃｍ２以下である。また、ピットの平均深さは、１０ｎｍ～１０００ｎｍ、ピットの平均アスペクト比（＝ピット深さ／ピット径の平均値）は、０．５～２である。ピットの面密度、平均深さおよび平均アスペクト比がこれらの数値範囲内であれば、結晶成長面１２の研磨が不要であるか、あるいは僅かな研磨でよく、再利用が容易な積層体１を提供することができる。
積層体１の製造方法によれば、積層体１が、厚さが１００ｎｍ～５００ｎｍであるマスク層１３を有していることによって、下地基板１１に発生する応力が緩和され、転位が生じにくくなるとともに、下地基板１１へのピットの発生を抑制することができる。
１ 積層体
１１ 下地基板
１２ 結晶成長面
１３ マスク層
１５ ウインドウ
１６ 半導体層
１１ 下地基板
１２ 結晶成長面
１３ マスク層
１５ ウインドウ
１６ 半導体層
Claims (7)
- 窒化物半導体を含み、結晶成長面を有する下地基板と、前記結晶成長面上に位置する第１マスク層および前記結晶成長面を露出させるウインドウを備える積層体を用いて、前記ウインドウから前記第１マスク層上に窒化物半導体層を成長させる工程と、
前記第１マスク層を除去する工程と、
前記下地基板から前記窒化物半導体層を分離する工程とを含み、
前記結晶成長面のうち、前記第１マスク層と重なっていた第１領域は、前記結晶成長面に沿った転位の面密度が１×１０７/ｃｍ２以下であり、
前記結晶成長面のうち、前記ウインドウと重なっていた第２領域の上に第２マスク層を形成して得られる新たな積層体を、窒化物半導体層の成長に再利用する、窒化物半導体層の製造方法。 - 前記第１マスク層の厚みが１００ｎｍ～５００ｎｍである、請求項１に記載の窒化物半導体層の製造方法。
- 前記第１マスク層は、珪素化合物、アルミニウム化合物、および遷移金属の少なくとも１つを含む、請求項１または２に記載の窒化物半導体層の製造方法。
- 前記第１領域には、直径が３００ｎｍ以上のピットが、５×１０６／ｃｍ２以下の面密度で存在している、請求項１～３のいずれかに記載の窒化物半導体層の製造方法。
- 前記ピットの平均深さが１０ｎｍ～１０００ｎｍである、請求項４に記載の窒化物半導体層の製造方法。
- 窒化物半導体層を気相成長させるための積層体であって、
結晶成長面を有する下地基板と、
前記結晶成長面上に位置する、マスク層および前記結晶成長面を露出させるウインドウとを備え、
前記結晶成長面は、前記ウインドウと重なり、前記結晶成長面に沿った転位の面密度が１×１０７/ｃｍ２以下である第１領域と、前記マスク層の一部と重なり、前記転位の面密度が前記第１領域よりも大きな第２領域とを含む、積層体。 - 前記下地基板が再利用基板である、請求項６に記載の積層体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019140276A JP7378239B2 (ja) | 2019-07-30 | 2019-07-30 | 積層体、窒化物半導体層の製造方法 |
| JP2023187039A JP2024014881A (ja) | 2019-07-30 | 2023-10-31 | 半導体成長基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019140276A JP7378239B2 (ja) | 2019-07-30 | 2019-07-30 | 積層体、窒化物半導体層の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023187039A Division JP2024014881A (ja) | 2019-07-30 | 2023-10-31 | 半導体成長基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021020435A JP2021020435A (ja) | 2021-02-18 |
| JP7378239B2 true JP7378239B2 (ja) | 2023-11-13 |
Family
ID=74573010
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019140276A Active JP7378239B2 (ja) | 2019-07-30 | 2019-07-30 | 積層体、窒化物半導体層の製造方法 |
| JP2023187039A Pending JP2024014881A (ja) | 2019-07-30 | 2023-10-31 | 半導体成長基板の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023187039A Pending JP2024014881A (ja) | 2019-07-30 | 2023-10-31 | 半導体成長基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP7378239B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015095585A (ja) | 2013-11-13 | 2015-05-18 | 古河機械金属株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP2019112266A (ja) | 2017-12-25 | 2019-07-11 | 株式会社サイオクス | 窒化物半導体基板、半導体積層物、積層構造体、窒化物半導体基板の製造方法および半導体積層物の製造方法 |
| WO2020138226A1 (ja) | 2018-12-26 | 2020-07-02 | 京セラ株式会社 | 半導体素子の製造方法、半導体素子および基板 |
-
2019
- 2019-07-30 JP JP2019140276A patent/JP7378239B2/ja active Active
-
2023
- 2023-10-31 JP JP2023187039A patent/JP2024014881A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015095585A (ja) | 2013-11-13 | 2015-05-18 | 古河機械金属株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP2019112266A (ja) | 2017-12-25 | 2019-07-11 | 株式会社サイオクス | 窒化物半導体基板、半導体積層物、積層構造体、窒化物半導体基板の製造方法および半導体積層物の製造方法 |
| WO2020138226A1 (ja) | 2018-12-26 | 2020-07-02 | 京セラ株式会社 | 半導体素子の製造方法、半導体素子および基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2024014881A (ja) | 2024-02-01 |
| JP2021020435A (ja) | 2021-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8377796B2 (en) | III-V compound semiconductor epitaxy from a non-III-V substrate | |
| US8118934B2 (en) | Non-polar III-V nitride material and production method | |
| US8652947B2 (en) | Non-polar III-V nitride semiconductor and growth method | |
| US7709858B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device | |
| US7682944B2 (en) | Pendeo epitaxial structures and devices | |
| JP5539395B2 (ja) | 半導体素子、発光素子及びこれの製造方法 | |
| JP2000106455A (ja) | 窒化物半導体構造とその製法および発光素子 | |
| CN101752487A (zh) | 半导体器件制造方法 | |
| JP5706919B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP2012142545A (ja) | テンプレート、その製造方法及びこれを用いた垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| JPWO2003015143A1 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体膜およびその製造方法 | |
| TW200915631A (en) | Method for growing an epitaxial layer | |
| US20180182622A1 (en) | Method making it possible to obtain on a crystalline substrate a semi-polar layer of nitride obtained with at least one of the following materials: gallium (ga), indium (in) and aluminium (al) | |
| EP2634294B1 (en) | Method for manufacturing optical element and optical element multilayer body | |
| KR101370742B1 (ko) | 질화물 반도체 적층 구조체의 제조 방법 및 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법 | |
| JP6249250B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体及びその製造方法 | |
| JP7378239B2 (ja) | 積層体、窒化物半導体層の製造方法 | |
| US20230402564A1 (en) | Method of transferring a pattern to an epitaxial layer of a light emitting device | |
| JP5647497B2 (ja) | 半導体基板、その製造方法、半導体デバイス及びその製造方法 | |
| WO2021085556A1 (ja) | 半導体素子および半導体素子の製造方法 | |
| JP7221302B2 (ja) | 半導体素子の製造方法、半導体素子および半導体デバイス | |
| JP3849855B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| US20220376132A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor element | |
| CN108847437A (zh) | 一种发光二极管的外延片及其制作方法 | |
| JP3823781B2 (ja) | 窒化物半導体基板およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20210301 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211210 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220916 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221004 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221201 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230404 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230601 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231003 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231031 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7378239 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |