JP2014090169A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 発光デバイスを作る方法であって、
   −ｃ面の約５度以内の結晶学的配向を有する第１基板であって、該第１基板は１０ ^７ ｃｍ ^−２ を下回る転移密度を有するウルツ型ＧａＮの上表面を有する、第１基板を提供するステップ；
   ハイドライド気相成長法によって該上表面上に直接、選択されたＩｎＮ組成を有するＩｎＧａＮエピタキシャル層を成長させることによってＩｎＧａＮテンプレートを作成するステップであって、前記ＩｎＧａＮエピタキシャル層は４μｍを超える厚さを有し、及び、モル分率０．５％を超えるＩｎＮを含み、該ＩｎＧａＮエピタキシャル層は歪みが緩和されており、特定のインジウム含有窒化物組成について、各々の平衡格子定数の０．１％以内のａ軸格子定数及びｃ軸格子定数を有する、ステップ；及び
   該ＩｎＧａＮテンプレート及び該ＩｎＧａＮテンプレートの誘導物から選択される一の第２基板の上に光電子デバイス構造を成長させるステップ；
   を含む方法。
2. 該選択されたＩｎＮ組成を有する該ＩｎＧａＮ層を該第１基板から分離して、独立したＩｎＧａＮ結晶を形成するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
3. 該独立したＩｎＧａＮ結晶をバルク結晶成長の種として用いるステップをさらに含む、請求項２記載の方法。
4. 該ＩｎＧａＮエピタキシャル層が、逆格子空間マップ内の単一の（−１−１４）Ｘ線回折ピークにより特徴付けられる、請求項１記載の方法。
5. 該ＩｎＧａＮテンプレートの該誘導物が、該ＩｎＧａＮテンプレートから形成される、独立したＩｎＧａＮ結晶又はウェーハである、請求項１記載の方法。
6. 該ＩｎＧａＮテンプレートの該誘導物が、該ＩｎＧａＮテンプレート又はその一部がバルク結晶成長の種として使用されるプロセスから形成される、独立したＩｎＧａＮ結晶又はウェーハから選択される、請求項１記載の方法。
7. 前記第１基板が実質的にバルクＧａＮからなる、請求項１記載の方法。
8. 発光デバイスを作る方法であって、
   サファイア、炭化ケイ素、シリコン又はＳｃＡｌＭｇＯ _４ の少なくとも一つを含み及び上表面を有する第１基板を提供するステップ；
   ハイドライド気相成長法によって該上表面上に直接、−ｃ面の約５度以内の結晶学的配向を有し、及び選択されたＩｎＮ組成を有するＩｎＧａＮエピタキシャル層を成長させることによってＩｎＧａＮテンプレートを作成するステップであって、前記ＩｎＧａＮエピタキシャル層は４μｍを超える厚さを有し、及び、モル分率０．５％を超えるＩｎＮを含み、該ＩｎＧａＮエピタキシャル層は歪みが緩和されており、特定のインジウム含有窒化物組成について、各々の平衡格子定数の０．１％以内のａ軸格子定数及びｃ軸格子定数を有する、ステップ；及び
   該ＩｎＧａＮテンプレート及び該ＩｎＧａＮテンプレートの誘導物から選択される一の第２基板の上に光電子デバイス構造を成長させるステップ；
   を含む方法。
9. 該選択されたＩｎＮ組成を有する該ＩｎＧａＮ層を該第１基板から分離して、独立したＩｎＧａＮ結晶を形成するステップをさらに含む、請求項８記載の方法。
10. 該ＩｎＧａＮエピタキシャル層が、逆格子空間マップ内の単一の（−１−１４）Ｘ線回折ピークにより特徴付けられる、請求項８記載の方法。
11. 該ＩｎＧａＮテンプレートの該誘導物が、該ＩｎＧａＮテンプレートから形成される、独立したＩｎＧａＮ結晶又はウェーハである、請求項８記載の方法。
12. 該ＩｎＧａＮテンプレートの該誘導物が、該ＩｎＧａＮテンプレート又はその一部がバルク結晶成長の種として使用されるプロセスから形成される、独立したＩｎＧａＮ結晶又はウェーハから選択される、請求項８記載の方法。
13. 該ハイドライド気相成長法が、ＧａＣｌ _３ 及びＩｎＣｌ _３ を前駆体として使用することを含む、請求項１記載の方法。
14. 該ハイドライド気相成長法が、ＧａＣｌ _３ 及びＩｎＣｌ _３ を前駆体として使用することを含む、請求項８記載の方法。
15. 該上表面がウルツ型ＧａＮを含む、請求項８記載の方法。