KR20190019539A - 발광 소자 및 발광소자 패키지 - Google Patents

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KR20190019539A
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Abstract

DCI-P3 기준을 만족하도록 발광층에 포함되는 성분들의 조성비가 조절된 발광소자 및 발광소자 패키지를 제공하고자 한다.
일 측면에 따른 발광소자는, 반도체층과, 상기 반도체층 내부에 형성되며 광을 발광하도록 하기의 화학식 1에 따른 조성비를 가지는 발광층을 포함한다.
[화학식 1]
Ga(1-x)InxN
x는 0.14 초과 0.16 미만이며, 0.22 초과 0.26 미만이다.

Description

발광 소자 및 발광소자 패키지 {LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
DCI-P3 기준을 만족하도록 발광층에 포함되는 성분들의 조성비가 조절된 발광소자 및 발광소자 패키지를 제공하고자 한다.
DCI-P3는 미국 영화 산업에서 디지털 영화 영사를 위한 일반적인 RGB 색 공간이다. CIE 1931 xy 색도 다이어그램에서 DCI-P3 색 공간은 모든 색도의 45.5%와 포인터의 색 영역의 86.9%를 차지한다.
현재 영화관에서는 디지털 시네마 프로젝터(Digital cinema projector)를 사용하여 영화를 상영하고 있다. 디지털 시네마 프로젝터의 광원은 DCI-P3 기준을 만족하기 위해 제논 램프(Xenon lamp)를 사용하고 있다.
제논 램프는 수 개월에 한번씩 교체를 해 주어야 하며, 일정 밝기 이상으로 영화를 상영하기 어려워 특정 이미지 부분의 밝기를 5 내지 10배(70 내지 150 fl) 올려주는 HDR(High Dynamic Range) 기능을 구현할 수 없는 한계가 존재한다.
일 측면은 발광소자에서 생성된 광이 DCI-P3 기준을 만족하도록 하기 위해 발광소자의 발광층에 포함되는 성분들의 조성비가 조절된 발광소자 및 발광소자 패키지를 제공하고자 한다.
일 측면에 따른 발광 소자는 반도체층; 및 상기 반도체층 내부에 형성되며 광을 발광하도록 하기의 화학식 1에 따른 조성비를 가지는 발광층을 포함한다.
[화학식 1]
Ga(1-x)InxN
상기 x는 0.14 초과 0.16 미만이며, 0.22 초과 0.26 미만이다.
또한, [화학식 1]에서 상기 x가 0.14 초과 0.16 미만이면, 상기 발광층에서 540 내지 545 nm 범위 파장 대역의 광을 생성할 수 있다.
또한, [화학식 1]에서 상기 x가 0.220 초과 0.260 미만이면, 상기 발광층에서 461 내지 466 nm 범위의 파장 대역의 광을 생성할 수 있다.
다음으로, 일 측면에 따른 발광소자 패키지는 광을 생성하는 발광 소자; 및 캐비티를 형성하며, 상기 캐비티 내에 상기 발광 소자가 실장 된 몸체를 포함하고, 상기 발광 소자는, 광을 발광하도록 하기의 화학식 1에 따른 조성비를 가지는 발광 층을 포함한다.
[화학식 1]
Ga(1-x)InxN
x는 0.14 초과 0.16 미만이며, 0.22 초과 0.26 미만이다.
또한, [화학식 1]에서 상기 x가 0.14 초과 0.16 미만이면, 발광소자는, 상기 발광층에서 540 내지 545 nm 범위 파장 대역의 광을 생성할 수 있다.
또한, [화학식 1]에서 상기 x가 0.220 초과 0.260 미만이면, 상기 발광소자는, 상기 발광층에서 461 내지 466 nm 범위의 파장 대역의 광을 생성할 수 있다.
또한, 캐비티 내부에 복수 개의 발광 소자들이 실장 된 것을 포함할 수 있다.
개시된 발명에 따르면 발광소자의 발광층에 포함되는 성분들의 조성비를 조절하여 발광 소자의 색 영역이 DCI-P3 기준을 만족하도록 최적화된 발광소자 패키지를 제공할 수 있다. 결과적으로, 기존 극장에서 사용하던 프로젝터와 스크린을 사용하지 않고도 DCI-P3 기준을 만족하는 최고의 색상과 선명도를 구현하는 표시 장치를 제공할 수 있다. 아울러, 기존 프로젝터의 단점인 램프를 사용하지 않도록 함으로써 친환경적이고 장기간 사용 가능한 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 DCI-P3 Color Gamut을 도시한 도면이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도 이다.
도 3은 도 2의 발광소자 패키지의 사시도 이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 발광 소자의 구조를 도시한 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 발광소자 및 발광소자 패키지의 실시 예에 대해 상세하게 설명하도록 한다.
개시된 발명에 따른 발광소자 및 발광소자 패키지는 영화 상영을 위한 표시 장치를 제공하기 위한 것으로, DCI-P3 기준을 만족하도록 발광소자의 발광층에 포함되는 성분들의 조성 비가 조절된 것을 포함한다.
이하, 발명을 설명하기에 앞서 이해를 돕기 위해 개시된 발명에 따른 발광소자 및 발광소자 패키지에서 구현하고자 하는 DCI-P3 기준에 대해 설명하도록 한다.
도 1은 DCI-P3 Color Gamut을 도시한 도면이고, [표 1]은 DCI-P3 Color Gamut의 색 좌표를 나타낸 것이다.
구분 DCI-P3 Color Gamut
색좌표 DCI-P3_x DCI-P3_y
적색(R) 0.680 0.320
녹색(G) 0.265 0.690
청색(B) 0.150 0.060
개시된 발명에 따른 발광소자 및 발광소자 패키지는 도 1 및 [표 1]에 도시된 바와 같은 DCI-P3 Color Gamut 기준에 부합하도록 하는 것을 목적으로 한다. 다시 말해, 개시된 발명에 따른 발광소자및 발광소자 패키지에서 생성된 광이 CIE 1931 색좌표에서 적색(R)(0.680, 0.320), 녹색(G)(0.265, 0.690) 및 청색(B)(0.150, 0.060)로 이루어진 영역의 면적을 커버하는 것을 목적으로 한다.
이를 위해, 개시된 발명은 각각의 컬러 영역에서 아래의 [표 2]에 나타난 바와 같은 스펙을 가지는 시네마용 발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 표시 장치를 제공한다.
LED 색상 파장 조건
적색 618-623 nm 구동 전류 기준,
밝기 범위 14-146 fl(48 nit 내지 500 nit)
녹색 540-545 nm
청색 461-466 nm
개시된 발명에 따른 발광소자 및 발광소자 패키지는 발광 소자의 발광층에 포함되는 성분들의 종류 및 조성 비를 조절하여 앞서 설명한 DCI-P3 기준에 부합되도록 하였다.
이하, 이해를 돕기 위해 발명의 실시 예에 대해 구체적으로 설명하도록 한다. 개시된 발명에 따른 발광 소자는 패키지 형태로 제공될 수 있으며, 이하 이해를 돕기 위해 발광 소자가 발광 소자 패키지 형태로 제공되는 경우를 예로 들어 발명의 실시 예를 설명하도록 한다.
도 2는 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)의 단면도 이고, 도 3은 도 2의 발광소자 패키지(100)의 사시도 이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 광을 생성하는 발광소자(110)와, 발광소자(110)에 전기적으로 연결되고 캐비티(135) 저면의 적어도 일 영역을 형성하는 리드 프레임(120)과, 발광소자(110)를 수용하도록 캐비티(135)가 형성된 몸체(130)를 포함한다.
발광소자(110)는 광을 생성하는 모든 구성을 포함할 수 있다. 예를 들면, 발광소자(110)는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
발광 다이오드는, p-n 접합 구조를 가지는 화합물 반도체 적층구조로서, n형 반도체층, p형 반도체층 및 n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 마련된 발광층을 포함할 수 있다.
발광 다이오드는 n형 및 p형 반도체층들에 순방향 전계가 인가되었을 때 발광층 내로 전자와 정공이 주입되고 발광층 내로 주입된 전자와 정공들이 재결합에 의하여 발광되는 현상을 이용해 광을 생성할 수 있다.
발광소자(110)는 적색, 녹색 및 청색 파장 대역의 단색광을 출광하는 발광소자(110)일 수 있다. 개시된 발명은 발광소자(110)에서 출광되는 녹색 및 청색 파장 대역 단색광의 색 영역을 변환하여 DPI-P3 기준에 부합하는 발광소자 패키지(100)를 제공하고자 하는 바, 이하 도 2 및 도 3의 발광소자 패키지(100)가 녹색 및 청색 파장 대역의 단색 광을 출광하는 발광소자(110)를 포함하는 경우를 예로 들어 발명의 실시 예를 설명하도록 한다.
발광 다이오드는 크게 수평 구조 발광 다이오드(laterally structured light emitting diodes)와 수직 구조 발광 다이오드(vertically structured light emitting diodes)로 분류될 수 있다. 수평 구조 발광 다이오드는 탑-에미트형 발광 다이오드(Top-Emitting light emitting diodes)와 플립칩용 발광 다이오드(Flip-Chip light emitting diodes)로 분류될 수 있다.
플립칩용 발광다이오드는 사파이어 기판을 통해 광이 출사되게 형성되어 있다. 예를 들어, 일 예에 따른 발광 다이오드는 서브마운트(예를 들어, 리드 프레임(120)) 상에 다이 부착(die attach)될 수 있으며, 발광 다이오드에서 생성된 광은 서브마운트에 다이 부착되지 않은 다이오드의 일면을 통해 출사될 수 있다.
이하 플립칩용 발광다이오드를 예로 들어 발광소자(110)의 구조에 대해 설명하도록 한다.
도 4는 일 실시 예에 따른 발광소자(110)의 구조를 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 발광소자(110)는 기판(111)과, n형 반도체층(112), 발광층(113), p형 반도체층(114)이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
기판(111)은 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성될 수 있으며, 실시 예에 따라 사파이어 이외에 징크 옥사이드(zing oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC), 알루미늄 나이트라이드(AlN) 등으로 형성될 수도 있다.
기판(111)과 n형 반도체층(112) 사이에는 버퍼층이 형성될 수 있다. 버퍼층은 기판(111)상에 n형 반도체층(112)을 성장시키기 전에 기판(111)과의 격자 정합을 향상시키기 위한 것으로 공정 조건 및 소자 특성에 따라 생략 가능하다.
n형 반도체층(112)은 InxAlyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0 ≤ X, 0 ≤ Y, X+Y ≤ 1)을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 보다 상세하게, n형 반도체층(112)은 n형 도전성 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, n형 도전성 불순물로는 예를 들어 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn) 등을 사용할 수 있다.
n형 반도체층(112)은 제 1 영역(112a) 및 제 2 영역(112b)으로 구분될 수 있으며, 제 1 영역(112a)은 발광 면을 정의할 수 있다. 이 때, 제 1 영역(112a)의 면적은 제 2 영역(112b)의 면적보다 크게 형성되어 발광소자(110)의 광학 특성을 향상시키는 것이 바람직하다.
제 1 영역(112a)에는 발광층(113) 및 p형 반도체층(114)이 순차 적층되어 발광 구조물을 이룰 수 있다.
발광층(113)은 InN과 GaN 성분을 포함하는 양자 우물 구조(Multi-Quantum Well)로로 마련된다. 발광층(113)은 발광층(113)에 포함된 InN과 GaN의 조성 비에 따라 파장이 결정 되어 녹색이나 청색의 광을 발광하게 된다.
발광층(113)은 광을 발광하도록 아래의 [화학식 1] 및 [표 3] 성분으로 마련될 수 있다.
[화학식 1]
Ga(1-x)InxN
발광 소자 컬러 발광층에 마련된 Ga(1-x)InxN의 조성비
녹색 0.220 < x < 0.260
청색 0 < x < 0.160
즉, [화학식 1]에서 x는 0.14 초과 0.16 미만이며, 0.22 초과 0.26 미만이다.
[표 3]을 참조하면, [화학식 1]에서 x가 0.14 초과 0.16 미만인 경우 발광층(112)에서는 540 내지 545 nm 범위 파장 대역의 녹색 광을 생성할 수 있다. 또한, [화학식 1]에서 x가 0.22 초과 0.26 미만이면 발광층(112)에서는 461 내지 466 nm 범위 파장 대역의 청색 광을 생성할 수 있다.
발광층(113)을 구성하는 Ga(1-x)InxN의 조성비는 DCI-P3 기준을 만족하도록 하기 위한 범위에서 실험적으로 결정된 것으로, 위의 수치 범위를 만족하는 범위 내에서 GaN과 InN의 조성 비를 조절하여 청색 광과 녹색 광의 비율을 조절할 수 있다.
P형 반도체층(114)은 InxAlyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0 ≤ X, 0 ≤ Y, X+Y ≤ 1)을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 보다 상세하게, p형 반도체층(114)은 p형 도전성 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN 층으로 이루어질 수 있으며, p형 도전성 불순물로는 예를들어 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 베릴륨(Be) 등을 사용할 수 있다.
n형 반도체층(112) 상에는 n형 전극(115)이 형성되며, p형 반도체층(114) 상에는 p형 전극(116)이 형성된다.
접착층(117)은 각각의 단일 원소로 이루어진 금속층이 복수층 적층되어 있는 구조로 이루어질 수 있으며, 리드 프레임(120)의 반사도가 발광소자(110)의 특성에 영향을 주는 것을 방지하기 위해 반사 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 접착층(117)은 주석(Sn) 또는 은(Ag)이 함유된 금속으로 이루어질 수 있다.
도 3에서는 상부에 n형 반도체층(112)이 배치되고, 하부에 p형 반도체층(114)이 배치되는 경우를 예로 들어 도시하였으나, 상부에 p형 반도체층(114)이 배치되고 하부에 n형 반도체층(112)이 배치될 수도 있다.
또한, 발광소자 패키지(100) 내에 발광소자(110)는 한 개 이상 실장될 수 있으며, 본 실시 예에서는 하나의 발광소자(110)가 실장된 경우를 예로 들어 도시하였다.
리드 프레임(120)은 캐비티(135)의 저면을 형성하여 발광소자(110)에서 발생되는 광을 반사시키는 역할과 함께 발광소자(110)에 외부 전원을 공급한다.
리드 프레임(120)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있고, 도시된 바와 같이 두 개의 리드 프레임(120) 또는 수 개의 리드 프레임(120)으로 구성될 수 있다.
이하, 리드 프레임(120)이 단층 구조를 가지도록 형성되며, 제 1 리드 프레임(121)과 제 2 리드 프레임(122)으로 구성된 경우를 예로 들어 설명한다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 제 1 리드 프레임(121)과 제 2 리드 프레임(122)은 일 측이 상부 몸체(131)와 하부 몸체(132)의 사이에 삽입되고 타측은 하부 몸체(132)를 감싸도록 형성될 수 있다.
발광소자(110)는 제 1 리드 프레임(121) 또는 제 2 리드 프레임(122) 상부에 부착되거나, 제 1 리드 프레임(121)과 제 2 리드 프레임(122)에 걸쳐 부착될 수 있다.
발광소자(110)가 제 1 리드 프레임(121) 또는 제 2 리드 프레임(122) 상부에 부착되는 경우 발광소자(110)는 와이어 본드를 통해 제 2 리드 프레임(122) 또는 제 1 리드 프레임(121)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 발광소자(110)가 제 1 리드 프레임(121)과 제 2 리드 프레임(122)에 걸쳐 부착되는 경우 발광소자(110)는 접착층(117)에 의해 각각의 리드 프레임(120)의 상면에 부착될 수 있다. 도 1 및 도 2에서는 접착층(117)에 의해 발광소자(110)가 리드 프레임(120)에 부착된 경우를 예로 들어 도시하였다.
리드 프레임(120)은 금속 재질, 예를 들어 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru) 및 철(Fe)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제 1 리드 프레임(121) 및 제 2 리드 프레임(122)은 서로 이격되어 전기적으로 분리될 수 있으며, 각각의 리드 프레임(120)은 캐비티(135) 저면의 적어도 일 영역을 형성할 수 있다.
몸체(130)는 발광소자(110)를 지지하고 보호하며, 상부 몸체(131)와 하부 몸체(132)로 구성될 수 있다.
몸체(130)는 폴리프탈아마이드(PPA; Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3) 및 베릴륨 옥사이드(BeO) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
몸체(130)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상부 몸체(131)에는 상부에서 하부로 갈수록 지름이 작아지는 오목한 형상으로 관통되게 형성되고, 내부에는 리드 프레임(120)이 노출되는 캐비티(135)가 형성된다. 캐비티(135)의 폭 및 높이는 발광소자(110)의 폭 및 높이보다 크게 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상부 몸체(131)는 복수 개의 캐비티(135)를 둘러싸는 벽부(133)를 포함한다. 벽부(133)의 내측면(134)은 경사면을 가지도록 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(110)에서 방출되는 광의 반사 각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향 각을 조절할 수 있다. 광의 지향 각이 줄어들수록 발광소자(110)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하고, 반대로 광의 지향 각이 클수록 발광소자(110)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.
캐비티(135) 내부에는 발광소자를 감싸 외부로부터 보호하는 몰딩재(138)가 충진될 수 있다. 몰딩재(138)는 캐비티(135)에 충진되어 발광소자(110)의 측면을 덮는 형상으로 마련될 수 있으며, 결과적으로 발광소자(110)를 외부로부터 격리시켜 외부의 침습 등으로부터 보호할 수 있다.
캐비티(135)에 각각 충진된 몰딩재(138)는 상부가 오목한 형상, 평평한 형상 또는 볼록한 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 몰딩재(138)의 상부가 오목한 형상으로 형성되는 경우 외부로 출력되는 광의 지향 각이 작아지고 광의 집중성은 증가하게 되며, 볼록한 형상으로 형성되는 경우 외부로 출력되는 광의 지향 각이 커지고 광의 집중성은 감소하게 된다.
몰딩재(138)는 수밀성, 내식성, 절연성이 우수한 실리콘 에폭시 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며 자외선 또는 열 경화방식으로 형성될 수 있다.
몰딩재(138) 내에는 발광소자(110)에서 발생되는 광을 분산시키는 광 확산재가 더 포함될 수도 있다.
광 확산재는 금속 입자 형태로 제공될 수 있다. 광 확산재가 금속으로 형성되는 경우 표면 플라즈몬 공명에 의해 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율성이 향상될 수 있다. 광에 의해 여기되어 형성된 플라즈몬 파는 금속층이 평평한 면을 갖는 경우에 금속 표면으로부터 내부 또는 외부로 전파되지 않는 특성이 있다. 표면 플라즈몬 파를 빛으로 외부에 방출시킬 필요가 있으므로 광 확산재는 구 형상을 가지는 것이 바람직하다.
이를 위해, 광 확산재를 형성하는 금속은 외부 자극에 의해 전자의 방출이 쉽고 음의 유전상수를 갖는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
이상으로, 일 실시 예에 따른 발광소자(110) 및 발광소자 패키지(100)의 구조에 대해 설명하였다.
개시된 발명에 따른 발광소자(110) 및 발광소자 패키지(100)는 DCI-P3 기준에 부합하는 극장용 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
구체적으로, 개시된 발명에 따른 발광소자(110) 및 발광소자 패키지(100)는 복수 개의 발광소자(110) 또는 발광소자 패키지(100)들이 결합하여 캐비닛을 형성할 수 있다. 캐비닛은 가로 약 1 내지 2 미터, 세로 약 0.5 내지 1 미터 크기로 제작될 수 있으나 제작 가능한 캐비닛의 크기가 이에 한정되는 것은 아니다.
이러한 캐비닛은 복수 대의 캐비닛이 연결되어 대형 화면을 제공할 수 있다. 즉, 복수 대의 캐비닛이 연결되어 2K(FHD; Full HD), 4K(UHD; Ultra HD) 화면을 구성하여 극장을 비롯한 대형 화면이 필요한 장소에 설치될 수 있다.
개시된 발명에 따른 발광소자(110) 및 발광소자 패키지(100)에 의하면 DCI-P3 기준을 만족하는 색상과 선명도를 구현하는 대형 화면을 제공하도록 함으로써 기존 극장에서 사용되는 프로젝터와 스크린을 대체할 수 있도록 하였다.
이상으로 일 실시 예에 따른 발광소자(110) 및 발광소자 패키지(100)의 구조에 대해 설명하였다. 발명의 기술적 사상이 전술한 예들에 의해 제한되는 것은 아니며, 당해 업계에서 통상의 지식을 가진 자가 쉽게 생각할 수 있는 범위 내의 변경을 포함하는 개념으로 넓게 이해되어야 할 것이다.
100: 발광소자 패키지
110: 발광 소자
111: 기판
112: n형 반도체층
113: 발광층
114: p형 반도체층
135: 캐비티
130: 몸체
131: 상부 몸체
132: 하부 몸체
133: 벽부
134: 내측면
138: 몰딩재

Claims (7)

  1. 반도체층; 및
    상기 반도체층 내부에 형성되며 광을 발광하도록 하기의 화학식 1에 따른 조성비를 가지는 발광층을 포함하는 발광소자:
    [화학식 1]
    Ga(1-x)InxN
    상기 x는 0.14 초과 0.16 미만이며, 0.22 초과 0.26 미만이다.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 [화학식 1]에서 상기 x가 0.14 초과 0.16 미만이면,
    상기 발광층에서 540 내지 545 nm 범위 파장 대역의 광을 생성하는 발광소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 [화학식 1]에서 상기 x가 0.220 초과 0.260 미만이면,
    상기 발광층에서 461 내지 466 nm 범위의 파장 대역의 광을 생성하는 발광소자.
  4. 광을 생성하는 발광 소자; 및
    캐비티를 형성하며, 상기 캐비티 내에 상기 발광 소자가 실장된 몸체를 포함하고,
    상기 발광 소자는,
    광을 발광하도록 하기의 화학식 1에 따른 조성비를 가지는 발광층을 포함하는 발광소자 패키지:
    [화학식 1]
    Ga(1-x)InxN
    상기 x는 0.14 초과 0.16 미만이며, 0.22 초과 0.26 미만이다.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 [화학식 1]에서 상기 x가 0.14 초과 0.16 미만이면,
    상기 발광소자는,
    상기 발광층에서 540 내지 545 nm 범위 파장 대역의 광을 생성하는 발광소자 패키지.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 [화학식 1]에서 상기 x가 0.220 초과 0.260 미만이면,
    상기 발광소자는,
    상기 발광층에서 461 내지 466 nm 범위의 파장 대역의 광을 생성하는 발광소자 패키지.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 캐비티 내부에 복수 개의 발광 소자들이 실장 된 것을 포함하는 발광소자 패키지.
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