CN101371413A - 氮化物半导体发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明的氮化物半导体发光器件，包括：氮化物类半导体基板(10)、和在半导体基板(10)上形成的氮化物类半导体叠层结构。此叠层结构包含进行发光的有源层(16)和位于有源层(16)至基板(10)之间、含有n型掺杂物的多个半导体层(12)、(14)、(15)。n型半导体层(12)、(14)、(15)分别含有Al原子。

Description

氮化物半导体发光器件
技术领域
本发明涉及一种氮化物半导体发光器件。
背景技术
使用以氮化镓(GaN)为首的III-V族氮化物半导体材料(AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1)制造的蓝紫色半导体激光器，是用于通过光盘装置实现超高密度记录的关键器件，现在正达到实用水平。蓝紫色半导体激光器的高输出化，不仅使光盘的高速写入成为可能，而且还是向激光显示器的应用等开拓新的技术领域所需的技术。
过去，如专利文献1及专利文献2等公开的，作为氮化物半导体的基板使用蓝宝石基板。使用蓝宝石基板的情况下，为了缓和与氮化物半导体晶体的晶格不匹配和热膨胀系数不匹配引起的变形，进行在蓝宝石基板上形成含Al原子的AlGaN类缓冲层。
最近，在替代蓝宝石基板使用的GaN基板上，制作由氮化物半导体形成的发光元件结构的情况下，通常在生长的初期过程，形成GaN类的同质生长层。
使用氮化物半导体材料制作蓝紫色发光元件的情况下，在有源层中使用的InGaN类晶体中的InN容易热分解。由此，通常进行在以约1000℃使不含In原子的GaN或AlGaN类基底层生长后，中断此生长，使温度降至800℃左右。在进行这样的生长的中断时，可知在GaN或AlGaN类基底层产生表面粗糙。为此提案出预先形成分解温度比GaN层高的AlN层(特别是Al原子为10％以上的AlGaN基底层)作为平坦性维持层，抑制生长中断引起的表面粗糙，制作高品质的InGaN类晶体的方法(专利文献3)。
专利文献4中公开有，在基板上制作由氮化物半导体形成的n型涂层和有源层的情况下，越接近有源层越使n型掺杂物浓度下降。通过采用这样的结构，从电极注入的载流子也一样变得容易扩散，能够制造在宽区域中均匀地发光的发光二极管(LED)。
专利文献1：JP特开2002-252177号公报
专利文献2：JP特开平10-150245号公报
专利文献3：JP特开2000-156544号公报
专利文献4：JP特许第2785254号说明书
发明内容
根据专利文献4所述的技术，尽管使得从电极注入的载流子扩散而均匀地注入有源层是可能的，但对于InGaN类有源层的In组分本身均匀化是没有效果的。如果在InGaN类有源层中发生In组分不均匀，则即使同样注入载流子，发光光谱也宽阔地扩展。此情况下，在半导体激光器中由于对激光器振荡波长产生吸收损失，所以引起阈值电流的增大、斜度效率的下降(工作电流的增加)，不能确保可靠性。
在专利文献3所述的技术中，作为InGaN类有源层的基底层，由于使用Al原子为10％以上的AlGaN类平坦性维持层，所以认为关于In组分比较均匀的生长是可能的。但是，如果在形成平坦性维持层的AlGaN层中产生Al组分的不均匀，就会在平面内产生局部的变形。其结果，由于在晶格常数大的InGaN类有源层中产生In组分的平面内分布，所以产生上述同样的工作电流的增加。
鉴于上述课题而进行本发明，其目的在于，提供一种使有源层组分的平面内分布均匀化、降低工作电流的氮化物半导体发光器件。
本发明的氮化物半导体发光器件，包括：氮化物类半导体基板，和在上述半导体基板上形成的氮化物类半导体叠层结构；其中，上述叠层结构包含进行发光的有源层，和位于上述有源层至上述基板之间、含有n型掺杂物的多个半导体层；上述多个半导体层分别含有Al原子。
优选实施方式中，上述多个半导体层中的n型掺杂物的浓度分布没有沿垂直上述基板的表面方向局部变动的区域。
优选实施方式中，上述多个半导体层的n型掺杂物的浓度，在平行上述基板的表面的方向上是均匀的。
优选实施方式中，在以距上述界面5nm以下的厚度所规定的层状区域中的n型掺杂物的浓度变化量是上述多个半导体层所包含的n型掺杂物的平均浓度的10％以下。
优选实施方式中，上述叠层结构中、上述有源层至上述基板之间的上述n型掺杂物的浓度分布是大致均匀的。
优选实施方式中，上述多个半导体层中的n型掺杂物的浓度处于1×1017cm-3以上、5×1018cm-3以下的范围内。
优选实施方式中，上述n型掺杂物的浓度分布在上述多个半导体层所形成的各界面是大致均匀的。
优选实施方式中，上述多个半导体层中、与上述基板相接触的半导体层按组分比例含有1原子％以下的Al原子。
优选实施方式中，上述Al原子的浓度在平行上述基板的表面的平面内是大致均匀的。
优选实施方式中，上述n型掺杂物是Si。
优选实施方式中，上述有源层具有InGaN类多重量子阱结构。
根据本发明的另一氮化物半导体发光器件，包括：氮化物类半导体基板，和在上述半导体基板上形成的氮化物类半导体叠层结构；其中上述叠层结构包含进行发光的有源层，和位于上述有源层至上述基板之间、含有n型掺杂物的多个半导体层；上述多个半导体层全都含有Al原子；上述多个半导体层中、与上述基板相接触的半导体层中的Al原子的浓度，按组分比例为1原子％以下。
根据本发明的氮化物半导体发光器件的制造方法，包括：准备氮化物半导体基板的工序，和在上述半导体基板上形成氮化物类半导体叠层结构的工序；其中，形成上述叠层结构的工序包括在上述基板上形成含有有源层的多个半导体层的工序；使位于上述有源层至上述基板之间的各半导体层中含有n型掺杂物和Al原子。
优选实施方式中，形成上述叠层结构的工序，通过调节n型掺杂物用气体的供给量，使界面中的上述n型掺杂物的浓度分布大致均匀。
发明效果
在本发明中，通过使半导体叠层结构中所包含的多个半导体层中、位于基板至有源层的各半导体层中含有Al原子，就能够形成n型掺杂物的浓度分布大致均匀的多个半导体层。可知在位于有源层的下方的半导体层的界面中，n型掺杂物浓度容易不均匀化，此成为原因，使有源层的发光强度在平面内不均匀化。本发明中，由于使有源层的组分在平面内均匀化，所以降低了激光器振荡所必需的电流，提高可靠性。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的元件剖面图。
图2是表示本发明的实施方式的安装过的元件的剖面图。
图3(a)是表示现有例中的Si浓度分布轮廓的图，(b)是表示本发明的一例中的Si浓度分布轮廓的图。
图4是表示针对本发明的实施方式测量出的Si浓度分布轮廓的曲线图。
图5(a)是表示具有图3(a)的结构的半导体激光器的发光图形的平面图，(b)是表示从基板背面拍摄此半导体激光器的EL(电致发光，Electro Luminescence)的照片。
图6(a)是表示具有图3(b)的结构的半导体激光器的发光图形的平面图，(b)是表示从基板背面拍摄此半导体激光器的EL(ElectroLuminescence)的照片。
图7是表示本发明的效果的IL曲线。
符号说明
10  n型GaN基板               12  n型AlGaN层
14  n型AlGaN涂(clad)层       15  n型AlGaN导光层
16  InGaN类MQW有源层         17  InGaN中间层
18  p型AlGaN电子溢出抑制层   19  p型AlGaN涂层
20  p型GaN接触层             30  绝缘膜
31  p侧接触电极(Pd/Pt)       32  n侧接触电极(Ti/Pt/Au)
33  p侧布线电极(Ti/Pt/Au)    40  焊料
41  布线电极              42  Au导线
43  辅助支架
具体实施方式
本申请发明者，发现InGaN有源层中的In组分不均匀的原因起因于对氮化物半导体基板进行晶体生长的基底层的形成方法，想到本发明。
在本发明中，使半导体叠层结构中所含有的多个半导体层中、位于基板至有源层之间的各半导体层中含有Al原子。由此，在氮化物半导体基板的表面(Ga面)上形成半导体叠层结构时，通过调节n型掺杂物用气体的供给量，就能够形成界面中的n型掺杂物的浓度分布是大致均匀的多个半导体层。关于能够使n型掺杂物的浓度分布均匀化的理由在后面详细地说明。
制造半导体激光器等的发光元件的情况下，半导体叠层结构包括双异质结构、和用于将光及电流封闭在固定空间内的结构。
过去，没有使成为有源层的基底的半导体层(位于有源层至基板之间的多个半导体层)中的n型掺杂物的浓度分布均匀的技术思想。例如，在专利文献4所公开的现有例中，调整基底层中的n型载流子浓度，以越接近有源层的位置其表示出越低的值。再有，由于施主能级浅，室温下n型掺杂物的几乎全都活化，放出载流子(电子)。为此，可以认为n型载流子浓度等于n型掺杂物的浓度。
再有，在本说明书中，n型掺杂物等的浓度的测量值，任何一个都是通过SIMS(二次离子质谱仪，Secondary ion mass spectrometry)测量出的值。
首先，参照图3(a)，说明按表示上述浓度分布那样，在半导体层中掺杂作为n型掺杂物的代表例的Si的时候的问题点。
在图3(a)所示的例子中，在n型GaN基板上顺序层叠n型GaN层、n型AlGaN涂层、n型GaN引导层，按此顺序使各半导体层中的Si浓度降低。此情况下，在n型GaN层/n型AlGaN涂层、n型AlGaN涂层/n型AlGaN引导层的各自的界面，必须变换半导体层的种类，并且使掺杂物浓度变化。
在变换半导体层的种类时，就必须使外延生长的原料气体和生长温度变化。例如，由于必须将n型AlGaN涂层的生长温度设定得比n型GaN层的生长温度高20～30℃，所以在n型GaN层上生长n型AlGaN涂层时，直到完成所需的升温为止的几分钟期间不能开始n型AlGaN涂层的生长。存在因升温使得基板的表面温度不均匀的可能性，此外，还存在n型GaN层的表面状态局部变化的可能性。基于这样的情况，认为在n型GaN层/n型AlGaN涂层的界面处Si浓度就会变得不均匀。同样的情况，当在n型AlGaN涂层上生长n型GaN引导层时也同样会产生。但是，此情况下，在n型GaN引导层的生长前不升温，而进行降温就变得有必要了。
图3(a)所示的例子中，示出了在n型GaN层/n型AlGaN涂层界面，及n型AlGaN涂层/n型AlGaN引导层界面处，局部的S浓度的下降。但是，不限于使界面中的Si浓度比半导体层中的Si浓度更低，按照场所使其上升。
像这样，可知按半导体层的厚度方向(垂直基板表面的方向)测量Si浓度的情况下，虽然观察到在半导体界面处产生Si浓度的变化，但即便在平行基板表面的平面内Si浓度也有变动。如果在成为外延的基底的半导体层中的Si浓度中产生平面内分布，则在其上生长含Al的半导体层(例如AlGaN层)的情况下，由于Al原子对应Si原子的浓度分布进行分布，所以在AlGaN层中的Al浓度就会具有平面内分布。在平面内Al浓度不一样时，就会按照此Al浓度分布在AlGaN层产生局部的变形。
再有，本发明者通过SIMS进行Si浓度的测量时，在Si浓度的设定值不同的多个半导体层的界面处，明显地产生Si浓度的变动，即便是在远离界面的位置也确认出Si浓度的上下变化继续着。此变动的幅度，在使Si浓度下降的时候明显，存在使在界面处大大变动的Si浓度稳定、直到达到目标值的为止的时间变长的倾向。认为同样的情况，即便是Si以外的n型掺杂物也会产生。因此，不优选在半导体层间变更n型掺杂物浓度的设定，优选尽可能均匀地设定厚度方向的浓度分布。如果在基底中存在上述的AlGaN层中的变形，就可知在其上生长的InGaN类多重量子阱(以下标记为MQW)中会产生In原子浓度的平面内分布。在使用In原子浓度在平面内不均匀的有源层的情况下，如图5(a)及(b)所示，在激光条纹的平面内，由于发光强度变得不一样，所以会形成亮度因场所的不同而不同的发光斑。图5(b)是从基板背面拍摄在基底中存在AlGaN层中的变形的半导体激光器的EL(电致发光，Electro Luminescence)的照片，图5(a)是其示意图。
在InGaN类MQW中产生发光斑本身过去就知道，但其原因不明。从相对亮的部分放射出的光，与从暗的部分放射出的光相比，波长长，认为亮的部分的有源层In浓度相对高一些。本发明者发现产生这样的发光斑起因于有源层的基底半导体层中的Si原子的浓度不均匀。
对应于In原子浓度，带隙和发光效率局部地变化，特别是重要的发光的亮度在有些场所变成斑，成为在激光器驱动时带来工作电流的增大的问题。本发明者们发现InGaN类MQW类的发光斑的原因处于上述Si原子的浓度的局部的分布中。
在本发明的优选例子中，如图3(b)所示，从基板正上方的基底层向有源层进行掺杂使得n型载流子浓度(Si浓度)固定。即，在n型GaN基板上顺序层叠n型AlGaN层、n型AlGaN涂层、n型AlGaN引导层时，控制SiH4供给量以使得各层的Si浓度固定。优选将SiH4供给量的变动幅度抑制在平均流量的10％以下。
图4是表示针对后述的本发明的实施方式测量出的Si浓度分布轮廓的曲线图。基于图4的曲线图，可确认在n型AlGaN涂层和n型AlGaN层之间Si浓度是均匀的。
再有，GaN基板和n型AlGaN层的界面，由于基板表面中的污染物的影响，很容易堆积Si等的n型掺杂物。即便在GaN基板和n型AlGaN层的界面，也优选n型掺杂物的浓度是固定的，但使此界面中的n型掺杂物浓度与其它部分中的n型掺杂物浓度相等是困难的。因此，在本发明的优选实施方式中，半导体叠层结构中、有源层至基板之间的n型掺杂物的浓度分布是大致均匀的，但也允许基板和半导体叠层结构的界面中的n型掺杂物的浓度的堆积。
在n型AlGaN层/n型AlGaN涂层、n型AlGaN涂层/n型AlGaN引导层的各自的界面，虽然Al组分变化，但生长温度本身不变化，可抑制界面中的Si浓度的局部的变动。
再有，使Al组分变化时，有必要调整向反应炉内提供的原料气体的混合比率。此时，为了掺杂通过调节向反应炉内提供的气体(例如SiH4)的供给量(速度)，就能够将半导体层中的Si浓度控制在固定值。这是因为，即便提供相同量的掺杂气体，如果Al组分不同，进入生长层中的掺杂物的浓度也会变化。另一方面，除上述SiH4的供给速度的调整外，还使半导体层的生长速度变化，由此能够将Si浓度控制在固定值。具体地，也可以调整气相比使其变化，以使作为III族原料的三甲基镓(TMG)和三甲基铝(TMA)的合计的供给量成为所希望的Al固相比。
如图3(a)所示，如果在n型GaN基板的正上方生长不含Al的半导体层(例如n型GaN层等)，则在其上生长Al浓度比较高的n型AlGaN涂层(Al组分2～6％左右)时，就容易使Si原子浓度及Al原子浓度的平面内分布均匀化。由此，在如图3(b)所示的例子中，优选自在n型GaN基板的表面上进行外延生长的工序的初始阶段，例如即使微量也添加Al。
在图3(a)所示的例子中，由于在形成在n型GaN基板上的基底半导体层的Si浓度中不产生平面内分布，所以在其上生长的含Al的半导体层(例如AlGaN层)中不产生Al浓度的平面内分布。其结果，能够得到In组分在平面内均匀的InGaN类MQW。在使用这样的有源层的情况下，如图6(a)及图6(b)所示，在激光器条纹的平面内可得到均匀的亮度的发光。图6(b)是从基板背面拍摄在基底中不存在AlGaN层中的变形的半导体激光器的EL照片，图6(a)是其示意图。
根据具备图3(a)及(b)所示的结构的半导体激光器，可分别得到图7所示的特性。通过采用图3(a)的结构，就能够实现比现有例低的阈值电流和高的斜度效率(低工作电流)。驱动电流的降低意味着消耗电力的降低，提高可靠性。此外，如果提高有源层的平面内的亮度的均匀性，就能够减少发光强度的元件间的不均匀，提高制造合格率。
(实施方式)
下面参照附图，说明根据本发明的氮化物半导体器件的实施方式。
首先，参照图1。图1是示意性地表示本实施方式的氮化物半导体器件、即GaN类半导体激光器的剖面。图示的元件剖面是平行谐振器端面的面，谐振器长度方向与此剖面正交。
本实施方式的半导体激光器包括掺杂了n型杂质的n型GaN基板(厚度约100μm)10和设置在n型GaN基板10的表面(Ga面)上的半导体叠层结构。
半导体叠层结构包含n型GaN层12、n型AlGaN涂层14、n型AlGaN导光层15、InGaN类MQW有源层16、InGaN中间层17、p型AlGaN电子溢出抑制层18、p型AlGaN涂层19及p型GaN接触层20。
本实施方式中的半导体叠层结构中所包含的各半导体层的杂质浓度(掺杂物浓度)和厚度按下表1所示。
[表1]
 
半导体层 杂质浓度(cm-3) 厚度
n型GaN层12 Si：5×1017 1μm
n型AlGaN涂层14 Si：5×1017 1.5μm
N型AlGaN导光层15 Si：5×1017 150nm
InGaN多重量子阱层16 有源层(3nm)/势垒层(8nm)
InGaN中间层17 60nm
p型AlGaN溢出抑制层18 Mg：1×1019 20nm
p型AlGaN涂层19 Mg：1×1019 0.5μm
p型GaN接触层20 Mg：1×1020 0.1μm
本实施方式中特征点在于，将位于InGaN类MQW有源层16至n型GaN基板10之间的半导体层、即n型AlGaN层12、n型AlGaN涂层14及n型AlGaN导光层15各自所含有的n型掺杂物(Si)的浓度设定为相等的值，此外，这些半导体层12、14、15任何一个都含有Al。
在本施方式中，如参照图3(b)所示说明的，Si的浓度分布在垂直基板10的表面的方向及平行基板10的表面的方向中是大致均匀的，因此能够解决现有的半导体激光器的问题。对像这样均匀地掺杂Si的方法在后面进行说明。
本来，在位于InGaN类MQW层16至n型GaN基板10之间的半导体层的各界面，Si浓度容易局部变动。Si浓度分布的不均匀不仅在垂直基板10的表面的方向，在平行的方向也容易发生。如上所述，Si浓度的界面中的不均匀虽然引起位于其上的半导体层中的In浓度的不均匀，但在本实施方式中，由于使Si浓度均匀化，所以In浓度也均匀化。
能够用以距上述半导体界面5nm以下的厚度所规定的层状区域中的Si浓度(n型掺杂物浓度)的变化量评价Si浓度(n型掺杂物浓度)。此变化量为上述半导体层中所含有的Si(n型掺杂物)的平均浓度的10％以下的情形，是指“Si浓度(n型掺杂物浓度)在界面大致均匀”。
再有，表1中所示出的杂质、杂质浓度及各半导体层的厚度只不过是一个例子，不限定本发明。n型掺杂物浓度的优选范围是1×1017cm-3以上、5×1018cm-3以下。
本实施方式中的上述半导体叠层结构中，以沿谐振器长度方向延伸的脊形条纹的形状加工p型GaN接触层20及p型AlGaN涂层19。脊形条纹的宽度例如为1.5μm左右，谐振器长度例如为600μm。芯片宽度(在图1中，平行各半导体层的方向的元件尺寸)，例如为200μm。
半导体叠层结构的上面中，除脊形条纹的上面以外的部分，被绝缘膜(例如SiO2层)30覆盖，在绝缘膜30的中央部形成使脊形条纹的上面露出的条纹状的开口部。通过绝缘膜30的开口部，p型GaN接触层20的表面与p侧接触电极(Pd/Pt)31相接触，配置p侧布线电极(Ti/Pt/Au)33以覆盖p侧接触电极31的上面。n型GaN基板10的背面与n侧电极(Ti/Pt/Au)32相连。
以下，说明制造本实施方式相关的氮化物半导体器件的方法的优选实施方式。
首先，准备用公知的方法制作的n型GaN基板10。外延生长开始的阶段中的n型GaN基板10的厚度，例如为约400μm左右。通过研磨加工使n型GaN基板10的表面平坦。
接着，在n型GaN基板10的表面上形成半导体叠层结构。利用公知的外延生长技术能够进行半导体叠层结构的形成。例如，如下使各半导体层生长。
首先，在有机金属气相生长(MOVPE)装置的反应炉(反应室)内插入n型GaN基板10。此后，对n型GaN基板10的表面进行500～1100℃左右的热处理(热清洗)。此热处理，例如在800℃进行1分钟以上，优选进行5分钟以上。在进行此热处理的期间，优选含氮原子(N)的气体(N2、NH3、联氨等)流入反应室内。
此后，将反应炉温度控制在约1000℃，作为原料气体同时提供三甲基镓(TMG)、三甲基铝(TMA)及氨(NH3)气，和作为载体气体的氢和氮，同时作为n型掺杂物提供硅烷(SiH4)气体，生长厚度约1μm、Si杂质浓度约5×1017cm-3的n型Al0.002Ga0.998N层12。
接着，增加三甲基铝(TMA)的供给量，生长厚度约1.5μm、由Si杂质浓度约5×1017cm-3的Al0.04Ga0.96N形成的n型AlGaN涂层14。此后，生长厚度约150nm、由Si杂质浓度约5×1017cm-3的n型Al0.005Ga0.995N形成的n型AlGaN导光层15后，将温度降到约800℃，将载体气体从氢变更为氮，提供三甲基铟(TMI)和TMG，生长由膜厚约3nm的由In0.1Ga0.9N形成的量子阱(3层)和膜厚约8nm的In0.02Ga0.98N势垒层(2层)构成的MQW有源层16。此后，生长由In0.01Ga0.99N形成的InGaN中间层17。InGaN中间层17大幅度地抑制p型掺杂物(Mg)从在其上形成的p型半导体层向有源层16的扩散，抑制有源层16的热分解，能够在晶体生长后也高品质地维持有源层16。
接着，再次将反应炉内的温度升温到约1000℃，在载体气体中还导入氢，一面提供作为p型掺杂物的双茂基镁(Cp2Mg)气体，一面生长膜厚约20nm、由Mg杂质浓度为约1×1019cm-3的Al0.20Ga0.80N形成的p型AlGaN溢出抑制层18。
接着，生长厚度约0.5μm、由杂质浓度为约1×1019cm-3的Al0.05Ga0.95N形成的p型AlGaN涂层19。最后，生长厚度约0.1μm、Mg杂质浓度为约1×1020cm-3的p型GaN接触层20。
接着，利用等离子体CVD装置等在半导体叠层结构的上面堆积绝缘膜。为了成为干式蚀刻的掩膜，此绝缘膜选择SiO2等耐干式蚀刻性高的材料。此后，利用光刻技术和氟酸处理，将上述绝缘膜加工成宽1.5μm的条纹状。接着，以上述条纹状绝缘膜为掩膜，利用干式蚀刻装置将p型半导体层加工成脊形形状，利用氟酸处理去除脊形上的上述绝缘膜。接着，在形成了脊形的半导体叠层结构的上面堆积绝缘膜(SiO2)30，利用光刻技术和氟酸处理，去除仅脊形上的上述绝缘膜。此后，利用光刻技术和抗蚀剂剥离技术，按顺序蒸镀Pd和Pt，以在平行脊形方向、且在脊形的上、脊形侧面及脊形底面上附着p侧接触电极(Pd/Pt)31。接着，按Ti、Pt、Au的顺序蒸镀p侧布线电极(Ti/Pt/Au)33以覆盖p侧接触电极31的表面。
接着，从背面侧研磨n型GaN基板10，将n型GaN基板10的厚度减少到约100μm左右。接着，利用湿式蚀刻及干式蚀刻等清洗研磨面后，从基板侧按顺序连续地堆积Ti/Pt/Au的各金属层，形成n侧电极32。此后，通过一次解理使其成为条状，为了调整谐振器端面的反射率，涂敷绝缘膜后，通过二次解理分离、加工成半导体激光器芯片。
下面，参照图2，说明安装工序。
分离的激光器芯片，通过焊料40被自动安装在AlN等辅助支架43及管柱上。接着，将用于电流供给的Au导线42连接到与p侧布线电极33、和n侧电极32电连接的辅助支架的布线电极41上，进行以半导体叠层结构为朝上的UP安装。此时，优选连接在p侧布线电极33上的Au导线42，夹持脊形配置在与p侧接触电极露出部相对的位置。这是因为，一旦Au导线42连接时的导线键合冲击波及到p侧接触电极露出部时，就有可能成为p侧接触电极31的剥离的原因。最后，为了将激光器芯片与外部气体隔离，利用高电场压制机熔接带激光取出玻璃窗的间隙。
在室温下对通过本实施方式制造出的激光器通电时，其以阈值电流30mA连续振荡，斜度效率为1.5W/A、振荡波长为405nm。此外，由于p侧及n侧电极一直形成到激光器端面，所以，抑制了端面附近的散热下降，高温·高输出工作(80℃、150mW)是可能的。进行寿命试验时，确认出在70℃、150mW的工作环境中MTTF5000小时。
再有，在本实施方式中，虽然将n型AlGaN层12的Al组分设定为0.2％，但优选在基板的表面上形成的基底半导体层的Al组分处于0.1～1.0％的范围内。再有，在垂直基板表面的方向上，Al组分不必固定。
通过使有源层和基板之间的含有n型掺杂物的多个半导体层全都含有Al原子，就变得容易获得均匀化有源层中的组分的平面内分布的效果。此情况下，不需要将与基板相接触的半导体层中的Al原子的浓度设定得很高，优选按组分比例为1原子％以下。此Al组分过高时，在与基板的界面就会产生变形，容易产生Al组不均匀这样的问题。
作为n型掺杂物，除Si以外，也可以使用Ge、O等。
工业上的可利用性
本发明优选适用于期待作为高密度光盘用光源的应用的半导体激光器等的氮化物半导体器件中。在本发明中，由于减少了InGaN类有源层中的In组分波动，可靠性优良，有助于高合格率·低成本量产。

Claims (14)

1.一种氮化物半导体发光器件，包括：
氮化物类半导体基板，和
在上述半导体基板上形成的氮化物类半导体叠层结构；其中，
上述叠层结构包含：
进行发光的有源层，和
位于上述有源层至上述基板之间、含有n型掺杂物的多个半导体层；
上述多个半导体层分别含有Al原子。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，上述多个半导体层中的n型掺杂物的浓度分布没有沿垂直上述基板的表面方向局部变动的区域。
3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，上述多个半导体层的n型掺杂物的浓度，在平行上述基板的表面的方向上也是均匀的。
4.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，在以距上述界面5nm以下的厚度所规定的层状区域中n型掺杂物的浓度变化量是上述多个半导体层所包含的n型掺杂物的平均浓度的10％以下。
5.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，上述叠层结构中，上述有源层至上述基板之间的上述n型掺杂物的浓度分布是大致均匀的。
6.根据权利要求5所述的氮化物半导体发光器件，上述多个半导体层中的n型掺杂物的浓度处于1×1017cm-3以上、5×1018cm-3以下的范围内。
7.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，上述n型掺杂物的浓度分布在上述多个半导体层所形成的各界面是大致均匀的。
8.根据权利要求7所述的氮化物半导体发光器件，上述多个半导体层中，与上述基板相接触的半导体层按组分比例含有1原子％以下的Al原子。
9.根据权利要求7所述的氮化物半导体发光器件，上述Al原子的浓度在平行上述基板的表面的平面内是大致均匀的。
10.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，上述n型掺杂物是Si。
11.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，上述有源层具有InGaN类多重量子阱结构。
12.一种氮化物半导体发光器件，包括：
氮化物类半导体基板，和
在上述半导体基板上形成的氮化物类半导体叠层结构；其中，
上述叠层结构包含：
进行发光的有源层，和
位于上述有源层至上述基板之间、含有n型掺杂物的多个半导体层；
上述多个半导体层全都含有Al原子；
上述多个半导体层中、与上述基板相接触的半导体层中的Al原子的浓度，按组分比例为1原子％以下。
13.一种氮化物半导体发光器件的制造方法，包括：
准备氮化物类半导体基板的工序，和在上述半导体基板上形成氮化物类半导体叠层结构的工序；其中，
形成上述叠层结构的工序，包括在上述基板上形成含有有源层的多个半导体层的工序，使位于上述有源层至上述基板之间的各半导体层中，含有n型掺杂物和Al原子。
14.根据权利要求13所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，
形成上述叠层结构的工序，
通过调节n型掺杂物用气体的供给量，使界面中的上述n型掺杂物的浓度分布大致均匀。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104350651A (zh) * 2012-05-22 2015-02-11 松下知识产权经营株式会社 氮化物半导体发光装置

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8284810B1 (en) 2008-08-04 2012-10-09 Soraa, Inc. Solid state laser device using a selected crystal orientation in non-polar or semi-polar GaN containing materials and methods
US8247886B1 (en) 2009-03-09 2012-08-21 Soraa, Inc. Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations
US8791499B1 (en) * 2009-05-27 2014-07-29 Soraa, Inc. GaN containing optical devices and method with ESD stability
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8740413B1 (en) 2010-02-03 2014-06-03 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8293551B2 (en) 2010-06-18 2012-10-23 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices
US8313964B2 (en) 2010-06-18 2012-11-20 Soraa, Inc. Singulation method and resulting device of thick gallium and nitrogen containing substrates
US9450143B2 (en) 2010-06-18 2016-09-20 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices
US8803452B2 (en) 2010-10-08 2014-08-12 Soraa, Inc. High intensity light source
US8786053B2 (en) 2011-01-24 2014-07-22 Soraa, Inc. Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
WO2012101686A1 (ja) * 2011-01-26 2012-08-02 パナソニック株式会社 半導体発光素子及び発光装置
US8525396B2 (en) * 2011-02-11 2013-09-03 Soraa, Inc. Illumination source with direct die placement
US8618742B2 (en) * 2011-02-11 2013-12-31 Soraa, Inc. Illumination source and manufacturing methods
US8643257B2 (en) * 2011-02-11 2014-02-04 Soraa, Inc. Illumination source with reduced inner core size
US10036544B1 (en) 2011-02-11 2018-07-31 Soraa, Inc. Illumination source with reduced weight
US8686431B2 (en) 2011-08-22 2014-04-01 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices
US9488324B2 (en) 2011-09-02 2016-11-08 Soraa, Inc. Accessories for LED lamp systems
US9109760B2 (en) 2011-09-02 2015-08-18 Soraa, Inc. Accessories for LED lamps
US8884517B1 (en) 2011-10-17 2014-11-11 Soraa, Inc. Illumination sources with thermally-isolated electronics
US8912025B2 (en) 2011-11-23 2014-12-16 Soraa, Inc. Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process
US9269876B2 (en) 2012-03-06 2016-02-23 Soraa, Inc. Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects
US8985794B1 (en) 2012-04-17 2015-03-24 Soraa, Inc. Providing remote blue phosphors in an LED lamp
US9360190B1 (en) 2012-05-14 2016-06-07 Soraa, Inc. Compact lens for high intensity light source
US10436422B1 (en) 2012-05-14 2019-10-08 Soraa, Inc. Multi-function active accessories for LED lamps
US9995439B1 (en) 2012-05-14 2018-06-12 Soraa, Inc. Glare reduced compact lens for high intensity light source
US9310052B1 (en) 2012-09-28 2016-04-12 Soraa, Inc. Compact lens for high intensity light source
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
US8802471B1 (en) 2012-12-21 2014-08-12 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
KR101758082B1 (ko) * 2013-12-30 2017-07-17 한국전자통신연구원 질화물 반도체 소자의 제조 방법
US9843163B2 (en) * 2014-03-31 2017-12-12 Panasonic Corporation Ultraviolet light emitting element and electrical device using same

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2785254B2 (ja) 1993-06-28 1998-08-13 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5689123A (en) * 1994-04-07 1997-11-18 Sdl, Inc. III-V aresenide-nitride semiconductor materials and devices
US5679965A (en) * 1995-03-29 1997-10-21 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact, non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JP3700283B2 (ja) 1996-10-02 2005-09-28 昭和電工株式会社 窒化物化合物半導体素子
JPH10150245A (ja) 1996-11-21 1998-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系半導体の製造方法
JPH1168158A (ja) * 1997-08-20 1999-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体装置
US6266355B1 (en) * 1997-09-12 2001-07-24 Sdl, Inc. Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking
JP2000156544A (ja) 1998-09-17 2000-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体素子の製造方法
JP2000340892A (ja) * 1999-05-26 2000-12-08 Nec Corp 化合物半導体装置及びその製造方法
JP2002134822A (ja) * 2000-10-24 2002-05-10 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP4963763B2 (ja) 2000-12-21 2012-06-27 日本碍子株式会社 半導体素子
JP2002252427A (ja) 2001-02-23 2002-09-06 Nec Corp Ｉｉｉ族窒化物半導体素子およびｉｉｉ族窒化物半導体基板
DE60230602D1 (de) * 2001-03-28 2009-02-12 Nichia Corp Nitrid-halbleiterelement
JP4161603B2 (ja) * 2001-03-28 2008-10-08 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP4854133B2 (ja) 2001-05-11 2012-01-18 シャープ株式会社 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置
JP4514376B2 (ja) * 2001-09-27 2010-07-28 シャープ株式会社 窒化物半導体レーザ装置
US6833564B2 (en) * 2001-11-02 2004-12-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices
JP4497269B2 (ja) * 2002-08-23 2010-07-07 ソニー株式会社 半導体レーザ素子及びその製造方法
JP4423969B2 (ja) * 2003-12-25 2010-03-03 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体積層基板およびそれを用いた窒化物半導体デバイス、窒化物半導体レーザ素子
JP3833674B2 (ja) * 2004-06-08 2006-10-18 松下電器産業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
US7462505B2 (en) * 2005-02-23 2008-12-09 Tekcore Co., Ltd. Growth process of a crystalline gallium nitride based compound and semiconductor device including gallium nitride based compound
KR100638729B1 (ko) * 2005-03-30 2006-10-30 삼성전기주식회사 ３족 질화물 발광 소자

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104350651A (zh) * 2012-05-22 2015-02-11 松下知识产权经营株式会社 氮化物半导体发光装置
US9735314B2 (en) 2012-05-22 2017-08-15 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Nitride semiconductor light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5108532B2 (ja) 2012-12-26
US8044430B2 (en) 2011-10-25
US20100148145A1 (en) 2010-06-17
WO2007083647A1 (ja) 2007-07-26
JPWO2007083647A1 (ja) 2009-06-11

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