TWI381556B - 發光二極體封裝結構及其製作方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種半導體封裝結構及其製作方法，且特別是有關於一種發光二極體封裝結構及其製作方法。
發光二極體具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發光二極體已朝多色彩及高亮度發展，因此其應用領域已擴展至大型戶外看板、交通號誌燈及相關領域。在未來，發光二極體甚至可能成為兼具省電及環保功能的主要照明光源。
習知由於發光二極體封裝結構是採用大量生產的方式來製作，因此會先將封裝膠體以點膠的方式填入於晶片凹穴內，之後再同時進行一烘烤過程來使封裝膠體固化，以完成發光二極體封裝結構。然而，由於封裝膠體內具有螢光材料，於等待烘烤的過程中，螢光材料會因封裝膠體所填入於晶片凹穴內的時間太長而沈降或填膠時間先後的不同，而使得螢光材料產生分佈不均的現象(即大部份螢光材料沉降於晶片凹穴的底面或晶片表面)，僅有一小部份螢光材料零星地分佈於封裝膠體內，進而影響所生產之發光二極體封裝結構的出光均勻度。
另外，由於習知發光二極體封裝結構的承載器形狀不一，因此若以進行螢光塗佈製程的方式來形成螢光層於發光二極體晶片上，則必須針對不同的承載器來調整機台設備，因而降低生產效率並增加生產成本。
本發明提供一種發光二極體封裝結構及其製作方法，可提高發光二極體封裝結構的發光均勻度。
本發明提出一種發光二極體封裝結構的製作方法。首先，提供至少一發光二極體晶片。發光二極體晶片配置於一承載器上，且發光二極體晶片具有一出光面與多個連接出光面的側表面。接著，提供一第一遮罩。第一遮罩具有至少一第一開口，且第一開口至少暴露出發光二極體晶片。提供一噴塗裝置配置於第一遮罩的上方，以進行一第一噴塗製程。噴塗裝置沿著一路徑往返噴塗一第一螢光體溶液，使得發光二極體晶片的出光面與這些側表面被第一螢光體溶液共形地包覆。之後，進行一固化製程，使包覆於發光二極體晶片之表面上的第一螢光體溶液固化成一第一螢光層。最後，形成一封裝膠體，包覆第一螢光層與部分承載器。
在本發明之一實施例中，上述之第一螢光體溶液是由一膠體溶劑、一膠體與一螢光粉所組成。
在本發明之一實施例中，上述之沿著路徑往返向第一遮罩噴塗第一螢光體溶液的同時，更包括對發光二極體晶片及承載器進行一第一加熱製程，使得發光二極體晶片上的第一螢光體溶液中的膠體溶劑被蒸發。
在本發明之一實施例中，上述之在進行固化製程之前，更包括移除第一遮罩。提供一第二遮罩於發光二極體晶片的上方。第二遮罩具有至少一小於第一開口的第二開口，第二開口對應暴露出發光二極體晶片之出光面上部分的第一螢光層。進行一第二噴塗製程。噴塗裝置沿著路徑往返噴塗一第二螢光體溶液於第二開口所暴露出部分的第一螢光層上。
在本發明之一實施例中，上述之第二螢光體溶液是由一膠體溶劑、一膠體與一螢光粉所組成。
在本發明之一實施例中，上述之膠體溶劑包括二甲苯、正庚烷或丙酮。
在本發明之一實施例中，上述之膠體包括矽膠或環氧樹脂。
在本發明之一實施例中，上述之在第一螢光體溶液中，膠體溶劑、膠體與螢光粉之比例約為50%、20%與30%。
在本發明之一實施例中，上述之進行第二次噴塗製程的同時，更包括進行一第二加熱製程，以蒸發噴塗在發光二極體晶片上的第二螢光體溶液中的膠體溶劑。
在本發明之一實施例中，上述之噴塗裝置包括一噴嘴。噴嘴以霧化的方式將第一螢光體溶液與第二螢光體溶液分別噴塗於發光二極體晶片上。
在本發明之一實施例中，上述之在進行固化製程的同時，更包括將位在發光二極體晶片上的第二螢光體溶液固化成一第二螢光層。
在本發明之一實施例中，上述之於提供第一遮罩於發光二極體晶片的上方之前，更包括形成至少一導線。發光二極體晶片透過導線與承載器電性連接。
在本發明之一實施例中，上述之承載器包括一電路基板或一導線架。
本發明提出一種發光二極體封裝結構，其包括一發光二極體晶片、一第一螢光層、一第二螢光層以及一封裝膠體。發光二極體晶片配置於一承載器上，且發光二極體晶片具有一出光面與多個連接出光面的側表面。第一螢光層共形地包覆發光二極體晶片的出光面與這些側表面。第二螢光層配置於發光二極體晶片的出光面上的部分第一螢光層上。封裝膠體包覆第一螢光層、第二螢光層與部分承載器。
在本發明之一實施例中，上述之第一螢光層包括一膠體與一螢光粉。
在本發明之一實施例中，上述之膠體包括矽膠或環氧樹脂。
在本發明之一實施例中，上述之第二螢光層包括一膠體與一螢光粉。
在本發明之一實施例中，上述之第二螢光層於第一螢光層上具有實質上相同的厚度。
在本發明之一實施例中，上述之第二螢光層的厚度小於或大於第一螢光層的厚度。
在本發明之一實施例中，上述之第一螢光層的厚度介於10微米至30微米之間，第二螢光層的厚度介於10微米至20微米之間。
在本發明之一實施例中，上述之發光二極體封裝結構更包括至少一導線。發光二極體晶片透過導線與承載器電性連接。
在本發明之一實施例中，上述之承載器包括一電路基板或一導線架。
基於上述，本發明因採用沿著相同路徑往返噴塗螢光體溶液於發光二極體晶片的出光面與側表面上，且螢光層於出光面與側表面上具有實質上相同的厚度，意即螢光層是以均勻厚度配置於出光面與側表面上，而螢光層於出光面上的厚度實質上與螢光層於每一側表面的厚度相同。因此，當發光二極體晶片所發出的光經過封裝膠體而傳遞至外界時，發光二極體封裝結構能具有較佳的發光均勻度。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為本發明之一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。請參考圖1，在本實施例中，發光二極體封裝結構100包括一承載器110、一發光二極體晶片120、一第一螢光層130、一第二螢光層140以及一封裝膠體150。
詳細而言，發光二極體晶片120配置於承載器110上，且發光二極體晶片120具有一出光面122與多個連接出光面122的側表面124，其中發光二極體晶片120透過至少一導線160(圖1中僅示意地繪示一條)與承載器110電性連接。在本實施例中，承載器110例如是一電路基板或一導線架，且發光二極體晶片120包括藍光發光二極體晶片、紅光發光二極體晶片、綠光發光二極體晶片或紫外光發光二極體晶片。
第一螢光層130配置於發光二極體晶片120上，且包覆發光二極體晶片120的出光面122與這些側表面124，其中第一螢光層130於出光面122與這些側表面124上具有實質上相同的厚度，意即第一螢光層130是以均勻厚度配置於發光二極體晶片120的出光面122與這些側表面124上，且第一螢光層130於出光面122上的厚度實質上與第一螢光層130於每一側表面124的厚度相同。在本實施例中，第一螢光層130的材質包括一膠體與一螢光粉。
第二螢光層140配置於位於發光二極體晶片120之出光面122上的部分第一螢光層130上，且第二螢光層140於第一螢光層130上具有實質上相同的厚度，意即第二螢光層140是以均勻厚度配置於發光二極體晶片120之出光面122上的部分第一螢光層130上。此外，在本實施例中，第二螢光層140的厚度可以大於、小於或等於第一螢光層130的厚度。較佳地，第一螢光層130的厚度介於10微米至30微米之間，第二螢光層140的厚度介於10微米至20微米。在本實施例中，第二螢光層140的材質包括一膠體與一螢光粉。值得一提的是，第一螢光層130與第二螢光層140所含的螢光粉實質上相同，當然，亦可以因所需要的顏色，而使得第一螢光層130所含的螢光粉不同於第二螢光層140所含的螢光粉。
封裝膠體150包覆部分承載器110、第一螢光層130、第二螢光層140以及導線160，其中封裝膠體150的功用為保護發光二極體晶片120與導線160，以避免受到外界溫度、濕氣與雜訊的影響。在本實施例中，封裝膠體150的材質例如是環氧樹脂。
當發光二極體晶片120所發出的色光從出光面122或這些側表面124經由封裝膠體150而傳遞至外界時，在此過程中，發光二極體晶片120所發出的色光會有一部份從出光面122照射到第一螢光層130與第二螢光層140，而另一部份的色光會從發光二極體晶片120的這些側表面124照射到第一螢光層130，自發光二極體晶片120所發出的光會分別激發第一螢光層130與第二螢光層140中的螢光粉且發出色光，並與發光二極體晶片120所發出的色光相混合，以產生人眼所見的白光。
由於本實施例之第一螢光層130是以均勻厚度配置於發光二極體晶片120的出光面122與這些側表面124上，而第二螢光層140是以均勻厚度配置在發光二極體晶片120之出光面122上的部分第一螢光層130上，因此，第一螢光層130與第二螢光層140所發出的色光與發光二極體晶片120所發出的色光相混合後之色光均勻度較佳，也就是說，混合後的色光透過封裝膠體150而傳遞外界時，發光二極體封裝結構100於各角度所呈現的出光均勻度較佳。換言之，本實施例之發光二極體封裝結構100具有較佳的出光均勻度。
以上僅介紹本發明之發光二極體封裝結構100，並未介紹本發明之發光二極體封裝結構的製作方法。對此，以下將以圖1中的發光二極體封裝結構100作為舉例說明，並配合圖2、圖3A至圖3C對本發明的發光二極體封裝結構的製作方法進行詳細的說明。
圖2為本發明之一實施例之一種發光二極體封裝結構的製作方法的流程圖，圖3A至圖3C為本發明之一實施例之一種發光二極體封裝結構的製作方法的流程剖面示意圖。請先參考圖2與圖3A，依照本實施例之發光二極體封裝結構的製造方法，首先，步驟S301是提供一承載器110及一發光二極體晶片陣列201，發光二極體晶片陣列201包括一第一發光二極體晶片120a、一第二發光二極體晶片120b及一第三發光二極體晶片120c，圖3A僅示意地繪示三個，但不以此為限。
詳細而言，這些發光二極體晶片120a、120b、120c配置於承載器110上，且這些發光二極體晶片120a、120b、120c分別具有一出光面122a、122b、122c與多個連接出光面122的側表面124a、124b、124c，其中每一發光二極體晶片120a、120b、120c透過至少一導線160(圖3A中僅示意地繪示一個)與承載器110電性連接。在本實施例中，承載器110例如是一電路基板或一導線架(未繪示)。發光二極體晶片陣列201包括藍光發光二極體晶片、紅光發光二極體晶片、綠光發光二極體晶片或紫外光發光二極體晶片。
接著，步驟S302是提供一第一遮罩M1於發光二極體晶片陣列201的上方。詳細而言，第一遮罩M1具有至少一第一開口O1(圖3A中僅示意地繪示三個)，這些第一開口O1分別對應暴露出發光二極體晶片120a、120b、120c的出光面122a、122b、122c與部分承載器110。
接著，步驟S303是提供一噴塗裝置200於第一遮罩M1的上方，以進行一第一噴塗製程。噴塗裝置200沿著一路徑(圖3A中的箭頭方向)往返噴塗一第一螢光體溶液130’，以包覆暴露於這些第一開口O1與承載器110之外的發光二極體晶片120a、120b、120c的出光面122a、122b、122c與側表面124a、124b、124c。由於本發明是採用相同路徑往返噴塗第一螢光體溶液130’於發光二極體晶片120a、120b、120c的出光面122a、122b、122c與側表面124a、124b、124c上，因此，第一發光二極體晶片120a與第三發光二極體晶片120c的出光面122a、122c與側表面124a、124c上的螢光粉分佈大致上相同，如此一來，可提高每一發光二極體晶片120a、120b、120c整體的出光均勻度。
詳細而言，噴塗裝置200包括一二流體噴嘴202，其中二流體噴嘴202是利用壓縮空氣高速流動的原理，使液體變微粒化的噴嘴。第一螢光體溶液130’透過二流體噴嘴202以霧化液體的方式噴塗於這些發光二極體晶片120a、120b、120c的這些出光面122a、122b、122c與這些側表面124a、124b、124c上。在本實施例中，第一螢光體溶液130’是由一膠體溶劑、一膠體與一螢光粉所組成，其中膠體溶劑例如是二甲苯、正庚烷或丙酮，且膠體溶劑、膠體與螢光粉分別約佔第一螢光體溶液130’的50%、20%與30%。
值得一提的是，在本實施例中，沿著路徑(圖3A中的箭頭方向)往返噴塗第一螢光體溶液130’於這些發光二極體晶片120a、120b、120c的這些出光面122a、122b、122c與這些側表面124a、124b、124c的同時，更包括進行一第一加熱製程，以蒸發第一螢光體溶液130’中的膠體溶劑。由於本實施例之第一螢光體溶液130’中具有膠體溶劑，可使第一螢光體溶液130’的黏度降低，因此當採用二流體噴嘴202噴塗第一螢光體溶液130’時，可使第一螢光體溶液130’均勻的分佈於這些發光二極體晶片120a、120b、120c的這些出光面122a、122b、122c與這些側表面124a、124b、124c，且同時進行加熱過程時，第一螢光體溶液130’能先行成型，可降低第一螢光體溶液130’中螢光粉分布不均的問題。換言之，第一加熱製程後，僅遺留第一螢光體溶液130’中的螢光粉與少許的膠體於這些發光二極體晶片120a、120b、120c的這些出光面122a、122b、122c與這些側表面124a、124b、124c上。
接著，移除第一遮罩M1。
接著，請參考圖3B，提供一第二遮罩M2於發光二極體晶片120a、120b、120c的上方，其中第二遮罩M2位於發光二極體晶片120a、120b、120c與噴塗裝置200之間，且第二遮罩M2具有至少一第二開口O2(圖3B中僅示意地繪示三個)，這些第二開口O2以對應暴露出這些發光二極體晶片120a、120b、120c之這些出光面122a、122b、122c上的部分第一螢光體溶液130’。
接著，請再參考圖3B，進行一第二噴塗製程。噴塗裝置200沿著路徑(圖3B中的箭頭方向)往返噴塗一第二螢光體溶液140’於第二開口O2所暴露出的這些發光二極體晶片120a、120b、120c之這些出光面122a、122b、122c上的部分第一螢光體溶液130’上。在本實施例中，第二螢光體溶液140’是透過二流體噴嘴202以霧化液體的方式噴塗於這些發光二極體晶片120a、120b、120c的這些出光面122a、122b、122c上的部份第一螢光體溶液130’上。第二螢光體溶液140’是由一膠體溶劑、一膠體與一螢光粉所組成，其中膠體溶劑例如是二甲苯、正庚烷或丙酮，且膠體溶劑、膠體與螢光粉分別約佔第二螢光體溶液140’的50%、20%與30%。
值得一提的是，在本實施例中，沿著路徑(圖3B中的箭頭方向)往返噴塗第二螢光體溶液140’於這些發光二極體晶片120a、120b、120c之這些出光面122a、122b、122c上的第一螢光體溶液130’上的同時，更包括進行一第二加熱製程，以蒸發第二螢光體溶液140’中的膠體溶劑。由於本實施例之第二螢光體溶液140’中具有膠體溶劑，可使第二螢光體溶液140’的黏度降低，因此當採用二流體噴嘴202噴塗第二螢光體溶液140’時，可使第二螢光體溶液140’均勻的分佈於這些發光二極體晶片120a、120b、120c之出光面122a、122b、122c上的第一螢光層130上，且同時進行加熱過程時，第二螢光體溶液140’能先行成型，可降低第二螢光體溶液140’中螢光粉分布不均的問題。換言之，第二加熱製程後，僅遺留第二螢光體溶液140’中的螢光粉與少許的膠體於這些發光二極體晶片120a、120b、120c之這些出光面122a、122b、122c上的第一螢光體溶液130’上。
此外，本實施例之第一螢光體溶液130’可與第二螢光體溶液140’實質上相同，當然，亦可以因螢光體溶液所選擇的螢光粉不同，而使得第一螢光體溶液130’不同於第二螢光體溶液140’，此仍屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。
接著，步驟S304是進行一固化製程，以使第一螢光體溶液130’固化成一第一螢光層130，第二螢光體溶液140’固化成一第二螢光層140。詳細而言，第一螢光層130於這些發光二極體晶片120a、120b、120c之這些出光面122a、122b、122c與這些側表面124a、124b、124c上具有實質上相同的厚度，意即第一螢光層130是以均勻厚度分布於這些發光二極體晶片120a、120b、120c的這些出光面122a、122b、122c與這些側表面124a、124b、124c上。第一螢光層130於每一出光面122a、122b、122c上的厚度實質上與第一螢光層130於每一側表面124a、124b、124c的厚度相同。第二螢光層140於這些發光二極體晶片120a、120b、120c之這些出光面122a、122b、122c上的部分第一螢光層130上具有實質上相同的厚度，或是第二螢光層140的厚度小於或大於第一螢光層130的厚度。
接著，移除第二遮罩M2。
之後，步驟S305是形成一封裝膠體150以包覆部分承載器110、第一螢光層130、第二螢光層140以及導線160，其中封裝膠體150的功用為保護發光二極體晶片120與導線160，以避免受到外界溫度、濕氣與雜訊的影響。在本實施例中，封裝膠體150的材質例如是環氧樹脂。最後，進行一單體化製程，以形成多個獨立的發光二極體封裝結構100，請參考圖3C。
簡言之，由於本實施例之發光二極體封裝結構的製作方法，是採用相同路徑往返噴塗第一螢光體溶液130’於這些發光二極體晶片120的這些出光面122與這些側表面124上，且第一螢光層130是以均勻厚度配置於這些出光面122與這些側表面124上，第一螢光層130於每一出光面122上的厚度實質上與第一螢光層130於每一側表面124的厚度相同，因此本實施例之發光二極體封裝結構的製作方法可提高這些發光二極體封裝結構100整體的出光均勻度。
此外，由於發光二極體晶片120所產生的色光指向性強(即出光面的光較強)，因此在本發明中，於第一噴塗製程後，利用不同於第一遮罩M1尺寸的第二遮罩M2來進行第二噴塗製程，以於這些發光二極體晶片120的這些出光面122上的第一螢光層130上形成第二螢光層140。換言之，利用不同尺寸的遮罩，可於發光二極體晶片120上製作出局部多層的螢光層，以提高發光二極體封裝結構100整體的出光均勻度。
另外，噴塗裝置200沿著相同路徑往返噴塗第二螢光體溶液140’於這些發光二極體晶片120a、120b、120c之出光面122a、122b、122c上的第一螢光體溶液130’，且第二螢光層140是以均勻厚度配置於這些出光面122a、122b、122c上的第一螢光層130上，因此每一發光二極體晶片120a、120b、120c所發出的色光與第一螢光層130與第二螢光層140所發出的色光相混合後並透過封裝膠體150而傳遞外界時，每一發光二極體封裝結構100於各角度所呈現的出光均勻度較佳。換言之，本實施例之發光二極體封裝結構的製造方法所形成之每一發光二極體封裝結構100皆具有較佳的出光均勻度。
綜上所述，本發明因採用沿著相同路徑往返噴塗第一螢光體溶液與第二螢光體溶液於發光二極體晶片的出光面與側表面上及出光面上的第一螢光層上，且第一螢光層是以均勻厚度配置於出光面與側表面上，第二螢光層是以均勻厚度配置於出光面上的第一螢光層上。因此，當發光二極體晶片所發出的色光與第一螢光層與(或)第二螢光層所發出的色光相混合後並透過封裝膠體而傳遞外界時，發光二極體封裝結構於各角度所呈現的出光均勻度較佳。換言之，本發明之發光二極體封裝結構具有較佳的出光均勻度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．發光二極體封裝結構
110．．．承載器
120、120a～120c．．．發光二極體晶片
122、122a～122c．．．出光面
124、124a～124c．．．側表面
130．．．第一螢光層
130’．．．第一螢光體溶液
140．．．第二螢光層
140’．．．第二螢光體溶液
150．．．封裝膠體
160．．．導線
200．．．噴塗裝置
201．．．發光二極體晶片陣列
202．．．二流體噴嘴
M1．．．第一遮罩
M2．．．第二遮罩
O1．．．第一開口
O2．．．第二開口
S301～S305．．．發光二極體封裝結構的製造方法的各步驟
圖1為本發明之一實施例之一種發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖2為本發明之一實施例之一種發光二極體封裝結構的製作方法的流程圖。
圖3A至圖3C為本發明之一實施例之一種發光二極體封裝結構的製作方法的流程剖面示意圖。
100．．．發光二極體封裝結構
110．．．承載器
120．．．發光二極體晶片
122．．．出光面
124．．．側表面
130．．．第一螢光層
140．．．第二螢光層
150．．．封裝膠體
160．．．導線
Claims (22)
- 一種發光二極體封裝結構的製作方法，包括：提供至少一發光二極體晶片，該發光二極體晶片配置於一承載器上，且該發光二極體晶片具有一出光面與多個連接該出光面的側表面；提供一第一遮罩，具有至少一第一開口，該第一開口至少暴露出該發光二極體晶片；提供一噴塗裝置，配置於該第一遮罩的上方，以進行一第一噴塗製程，該噴塗裝置沿著一路徑往返噴塗一第一螢光體溶液，使得該發光二極體晶片的該出光面與該些側表面被該第一螢光體溶液共形地包覆；進行一固化製程，使包覆於該發光二極體晶片之表面上的第一螢光體溶液固化成一第一螢光層；以及形成一封裝膠體，包覆該第一螢光層與部分該承載器。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中該第一螢光體溶液是由一膠體溶劑、一膠體與一螢光粉所組成。
- 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中沿著該路徑往返向該第一遮罩噴塗該第一螢光體溶液的同時，更包括對該發光二極體晶片及該承載器進行一第一加熱製程，使得該發光二極體晶片上的該第一螢光體溶液中的該膠體溶劑被蒸發。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結 構的製作方法，其中在進行該固化製程之前，更包括：移除該第一遮罩；提供一第二遮罩於該發光二極體晶片的上方，該第二遮罩具有至少一小於該第一開口的第二開口，該第二開口對應暴露出該發光二極體晶片之出光面上部分的該第一螢光層；以及進行一第二噴塗製程，其中該噴塗裝置沿著該路徑往返噴塗一第二螢光體溶液於該第二開口所暴露出部分的該第一螢光層上。
- 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中該第二螢光體溶液是由一膠體溶劑、一膠體與一螢光粉所組成。
- 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中該膠體溶劑包括二甲苯、正庚烷或丙酮。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中該膠體包括矽膠或環氧樹脂。
- 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中在該第一螢光體溶液中，該膠體溶劑、該膠體與該螢光粉之比例約為50%、20%與30%。
- 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中進行該第二噴塗製程的同時，更包括進行一第二加熱製程，以蒸發噴塗在該發光二極體晶片上的該第二螢光體溶液中的該膠體溶劑。
- 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中該噴塗裝置包括一噴嘴，該噴嘴以霧化的方式將該第一螢光體溶液與該第二螢光體溶液分別噴塗於該發光二極體晶片上。
- 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中在進行該固化製程的同時，更包括將位在該發光二極體晶片上的該第二螢光體溶液固化成一第二螢光層。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中於提供該第一遮罩於該發光二極體晶片的上方之前，更包括形成至少一導線，該發光二極體晶片透過該導線與該承載器電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構的製作方法，其中該承載器包括一電路基板或一導線架。
- 一種發光二極體封裝結構，包括：一發光二極體晶片，配置於一承載器上，該發光二極體晶片具有一出光面與多個連接該出光面的側表面；一第一螢光層，共形地包覆該發光二極體晶片之該出光面與該些側表面，其中該第一螢光層是以一均勻厚度配置於該發光二極體晶片的該出光面以及該些側表面上，且該第一螢光層於該出光面上的厚度實質上與該第一螢光層於各該側表面上的厚度相同；一第二螢光層，以一均勻厚度配置在該發光二極體晶片之該出光面上的部分該第一螢光層上，以及 一封裝膠體，包覆該第一螢光層、該第二螢光層與部分該承載器。
- 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝結構，其中該第一螢光層包括一膠體與一螢光粉。
- 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體封裝結構，其中該膠體包括矽膠或環氧樹脂。
- 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝結構，其中該第二螢光層包括一膠體與一螢光粉。
- 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝結構，其中該第二螢光層於該第一螢光層上具有實質上相同的厚度。
- 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝結構，其中該第二螢光層的厚度小於或大於該第一螢光層的厚度。
- 如申請專利範圍第19項所述之發光二極體封裝結構，其中該第一螢光層的厚度介於10微米至30微米之間，該第二螢光層的厚度介於10微米至20微米。
- 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體封裝結構，更包括至少一導線，該發光二極體晶片透過該導線與該承載器電性連接。
- 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體封裝結構，其中該承載器包括一電路基板或一導線架。
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| US8647900B2 (en) * | 2010-09-20 | 2014-02-11 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Micro-structure phosphor coating |
| DE102010054280A1 (de) * | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Erzeugen einer Lumineszenzkonversionsstoffschicht, Zusammensetzung hierfür und Bauelement umfassend eine solche Lumineszenzkonversionsstoffschicht |
| US8860056B2 (en) * | 2011-12-01 | 2014-10-14 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Structure and method for LED with phosphor coating |
| JP5772293B2 (ja) * | 2011-06-28 | 2015-09-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| CN103178194B (zh) * | 2011-12-23 | 2016-05-25 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种大功率白光led封装结构及其制备方法 |
| JP5817521B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2015-11-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP5712949B2 (ja) * | 2012-02-16 | 2015-05-07 | コニカミノルタ株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| WO2013121646A1 (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-22 | コニカミノルタ株式会社 | 発光装置の製造方法及び蛍光体塗布装置 |
| CN104247052B (zh) | 2012-03-06 | 2017-05-03 | 天空公司 | 具有减少导光效果的低折射率材料层的发光二极管 |
| USD749051S1 (en) | 2012-05-31 | 2016-02-09 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) package |
| US9349929B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-05-24 | Cree, Inc. | Light emitter packages, systems, and methods |
| US10439112B2 (en) | 2012-05-31 | 2019-10-08 | Cree, Inc. | Light emitter packages, systems, and methods having improved performance |
| US10145026B2 (en) | 2012-06-04 | 2018-12-04 | Slt Technologies, Inc. | Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules |
| CN102751428B (zh) * | 2012-07-20 | 2016-02-17 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种光转换结构及其制造方法及发光二级管器件 |
| US9978904B2 (en) | 2012-10-16 | 2018-05-22 | Soraa, Inc. | Indium gallium nitride light emitting devices |
| US9761763B2 (en) * | 2012-12-21 | 2017-09-12 | Soraa, Inc. | Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs |
| JP5994628B2 (ja) * | 2012-12-26 | 2016-09-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法およびスプレーコーティング装置 |
| KR101958418B1 (ko) * | 2013-02-22 | 2019-03-14 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| JP6233872B2 (ja) * | 2013-03-13 | 2017-11-22 | エムテックスマート株式会社 | Ｌｅｄの製造方法 |
| DE102013208223B4 (de) * | 2013-05-06 | 2021-09-16 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
| DE102013211634A1 (de) * | 2013-06-20 | 2014-12-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements |
| CN104300074B (zh) * | 2013-07-19 | 2017-09-12 | 深圳大学 | 一种荧光粉的涂覆方法及发光二极管装置 |
| JP2015039975A (ja) * | 2013-08-22 | 2015-03-02 | 株式会社Ｗｏｒｌｄ Ｗｉｎｇ | 自動車用照明装置の製造方法 |
| JP2015041709A (ja) * | 2013-08-22 | 2015-03-02 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
| US9410664B2 (en) | 2013-08-29 | 2016-08-09 | Soraa, Inc. | Circadian friendly LED light source |
| JP6713720B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2020-06-24 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及びそれを含む車両用照明装置 |
| JP6229412B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-11-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| KR101520017B1 (ko) * | 2013-10-10 | 2015-05-14 | 한국생산기술연구원 | 주입유닛을 이용한 발광 다이오드 패키지용 형광층 제조장치, 그리고 이를 이용한 발광 다이오드 패키지용 형광층 제조방법 및 발광 다이오드 패키지 제조방법 |
| US9419189B1 (en) | 2013-11-04 | 2016-08-16 | Soraa, Inc. | Small LED source with high brightness and high efficiency |
| JP6237316B2 (ja) * | 2014-02-18 | 2017-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
| JP6237181B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2017-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| DE102014106074A1 (de) * | 2014-04-30 | 2015-11-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung |
| US9660151B2 (en) | 2014-05-21 | 2017-05-23 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device |
| JP2016018960A (ja) | 2014-07-10 | 2016-02-01 | エムテックスマート株式会社 | Ｌｅｄの製造方法及びｌｅｄ |
| JP6428106B2 (ja) * | 2014-09-29 | 2018-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| DE102014116076A1 (de) * | 2014-11-04 | 2016-05-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Aufbringen eines Materials auf einer Oberfläche |
| JP6551015B2 (ja) * | 2015-02-27 | 2019-07-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| US20160380162A1 (en) * | 2015-06-26 | 2016-12-29 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light Emitting Device And Manufacturing Method Thereof |
| US10193031B2 (en) * | 2016-03-11 | 2019-01-29 | Rohinni, LLC | Method for applying phosphor to light emitting diodes and apparatus thereof |
| CN107680497B (zh) * | 2017-11-03 | 2019-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制造方法、显示基板、显示面板和显示装置 |
| JP2019134150A (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP6760350B2 (ja) * | 2018-10-25 | 2020-09-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| WO2020182313A1 (en) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component |
| CN114156377A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-08 | 深圳市德明新微电子有限公司 | 一种无模具的led封装方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080203414A1 (en) * | 2007-02-07 | 2008-08-28 | Jui-Kang Yen | White light led device |
| US20080210961A1 (en) * | 2007-03-03 | 2008-09-04 | Lite-On Technology Corp. | Light emitting device |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580097B1 (en) * | 1998-02-06 | 2003-06-17 | General Electric Company | Light emitting device with phosphor composition |
| JP4165592B2 (ja) * | 2001-04-17 | 2008-10-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP4122738B2 (ja) * | 2001-07-26 | 2008-07-23 | 松下電工株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| WO2003034508A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-24 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacture thereof |
| JP4269709B2 (ja) * | 2002-02-19 | 2009-05-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| JP4450547B2 (ja) * | 2002-08-29 | 2010-04-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP5138145B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2013-02-06 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源 |
| US7915085B2 (en) * | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
| JP2006135225A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP2008545269A (ja) * | 2005-07-01 | 2008-12-11 | ラミナ ライティング インコーポレーテッド | 白色発光ダイオード及びダイオードアレイを有する照明装置、それらの製造方法及び製造装置 |
| US20070128745A1 (en) * | 2005-12-01 | 2007-06-07 | Brukilacchio Thomas J | Phosphor deposition method and apparatus for making light emitting diodes |
| KR100665372B1 (ko) * | 2006-02-21 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 광 추출 효율이 높은 발광 다이오드 패키지 구조 및 이의제조방법 |
| JP4859050B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2012-01-18 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US8647900B2 (en) * | 2010-09-20 | 2014-02-11 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Micro-structure phosphor coating |
| CN103094267B (zh) * | 2011-11-01 | 2018-05-25 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置，照明器具 |
| TW201327937A (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-01 | Radiant Opto Electronics Corp | 發光二極體元件 |
| USD709464S1 (en) * | 2012-05-31 | 2014-07-22 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) package |
-
2009
- 2009-03-20 TW TW098109175A patent/TWI381556B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-03-18 EP EP10156859.0A patent/EP2230700A3/en not_active Withdrawn
- 2010-03-19 JP JP2010065152A patent/JP5596382B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-19 US US12/727,238 patent/US20100237775A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080203414A1 (en) * | 2007-02-07 | 2008-08-28 | Jui-Kang Yen | White light led device |
| US20080210961A1 (en) * | 2007-03-03 | 2008-09-04 | Lite-On Technology Corp. | Light emitting device |
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| Publication number | Publication date |
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