CN104247052B - 具有减少导光效果的低折射率材料层的发光二极管 - Google Patents

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Abstract

公开了包括用于减少导光的低折射率层的发光二极管。该发光二极管包括至少一个n型掺杂层、至少一个p型掺杂层、以及设置在至少一个n型掺杂层和至少一个p型掺杂层之间的有源区域。有源区域包括发光材料。发光二极管进一步包括设置在有源区域中或者有源区域周围的至少一个低折射率层。

Description

具有减少导光效果的低折射率材料层的发光二极管
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年3月6日提交的美国临时申请第61/607,188号的权益，通过引用将其全部内容合并于此。
技术领域
本发明涉及从发光二极管(LED)的光提取的领域，且更具体地涉及在发光二极管中使用低折射率材料层以减少导光效果。
背景技术
从发光二极管(LED)的光提取的问题是众所周知的。LED由高折射率的半导体材料制成。令人遗憾地，由LED产生的光的部分由于全内反射而从外部介质(空气或者密封材料)的界面内反射。该光被称为导光(guided light)。因为其限制了光提取，所以它的存在对LED的性能是不利的。各种方法可被用于提取导光，诸如成形LED，或者粗糙化一些表面。这些方法的目的在于中断引导轨迹从而增加光提取。然而，传统方法未能减小导光并且从而没能使从LED的光提取最大化。
因此，期望一种增加光提取效率且尤其是减小LED中导光的改进方法。
发明内容
公开了一种包括用于减少导光的低折射率层的发光二极管。发光二极管包括：至少一个n型掺杂层、至少一个p型掺杂层、和设置在至少一个n型掺杂层和至少一个p型掺杂层之间的有源区域(active region)。有源区域包括发光材料。发光二极管进一步包括设置在有源区域中或者有源区域周围的至少一个低折射率层。
在第一方面中，提供一种发光二极管包括：至少一个n型掺杂层；至少一个p型掺杂层；有源区域，包括至少一个发光材料层，设置在至少一个n型掺杂层和至少一个p型掺杂层之间；以及至少一个低折射率层，设置在有源区域一个光波长之内，低折射率层被配置为显著减小由有源区域引导的光。
在第二方面中，提供一种发光二极管包括：至少一个n型掺杂层，包含氮化镓基材料；至少一个p型掺杂层，包含氮化镓基材料；AlGaN/InGaN超晶格的特征在于，小于所述AlGaN/InGaN超晶格的平均折射率(whose average index)的平均折射率(averagerefractive index)未比GaN的平均折射率超过多于0.05；有源区域，包括一系列量子阱或者一个或多个双异质结构，其中，有源区域的特征在于总厚度小于50nm；以及电子阻挡层，电子阻挡层的折射率比GaN的折射率减去0.05低。
在第三方面中，提供一种发光二极管包括：至少一个n型掺杂层，包含氮化镓基材料；至少一个p型掺杂层，包含氮化镓基材料；有源区域，设置在至少一个n型掺杂层和至少一个p型掺杂层之间，有源区域包括由氮化铟镓基材料形成的一个或多个层；以及至少一个低折射率材料层，设置在至少一个p型掺杂层与有源区域之间、或者设置在至少一个n型掺杂层与有源区域之间，其中至少一个低折射率材料层具有低于氮化镓的折射率的折射率。
在第四方面中，提供一种制造发光二极管的方法包括：提供基板，基板包括含有氮化镓基材料的表面区域；形成耦接至基板的表面区域的至少一个n型掺杂层，至少一个n型掺杂层包含氮化镓基材料；形成耦接至n型掺杂层的有源区域，有源区域包括由氮化铟镓基材料形成的一个或多个层；形成耦接至有源区域的至少一个p型掺杂层，至少一个p型掺杂层包含氮化镓基材料；以及形成至少一个低折射率材料层，设置在至少一个p型掺杂层和有源区域之间、或者设置在至少一个n型掺杂层和有源区域之间，其中至少一个低折射率材料层具有低于氮化镓的折射率的折射率，并且低折射率层形成为显著减少由有源区域引导的光。
附图说明
图1是根据一些实施方式的生长在GaN基板上的LED的简图。
图2是根据一些实施方式的生长在具有透明的p-接触的蓝宝石基板上的LED的简图。
图3示出根据一些实施方式的发射大约为400nm波长的光并且在有源区域中具有导光的LED的发光光谱和吸收光谱的实验结果。
图4是示出根据一些实施方式的对LED的有源区域中被引导的部分作为量子阱的数量的函数的建模结果的曲线图。
图5是示出根据一些实施方式的具有跨在有源区域上的低折射率层的LED的简图。
图6A和图6B是示出根据一些实施方式的分别具有电子阻挡层设计和具有低折射率材料层设计的LED中的导模分布(guided mode profile)的简图。
图7A和图7B示出根据一些实施方式的对分别具有电子阻挡层设计和具有低折射率材料层设计的LED建模的导模分布的简图。还示出针对两个设计的折射率分布。
图8示出根据一些实施方式的在低折射率材料层中的各种成分(composition，组合物)的情况下，LED的有源区域中被引导光的部分作为量子阱的数量的函数的建模结果。示出针对没有电子阻挡层和没有低折射率材料层的LED结构的建模结果以供参考。
图9示出根据一些实施方式的针对低折射率材料层的各种厚度，LED的有源区域中被引导光的部分作为量子阱的数量的函数的建模结果。示出针对没有电子阻挡层和没有低折射率材料层的LED结构的建模结果以供参考。
图10示出根据一些实施方式的针对量子势垒的各种成分，LED的有源区域中被引导光的部分作为量子阱的数量的函数的建模结果。示出针对没有电子阻挡层和没有低折射率材料层的LED结构的建模结果以供参考。
图11示出根据一些实施方式的包括低折射率材料势垒和低折射率材料电子阻挡层的LED的有源区域中被引导光的部分作为量子阱的数量的函数的建模结果。也示出用于没有电子阻挡层和没有低折射率材料层的LED结构的建模结果以供参考。
图12是示出根据一些实施方式的在包括超晶格层的LED中的导模分布的简图。
图13示出根据一些实施方式的包括设置在超晶格层内的低折射率层的LED的有源区域中被引导光的部分作为量子阱的数量的函数的建模结果。也示出没有电子阻挡层、以及有超晶格层的LED和没有超晶格层的LED的有源区域中被引导光的部分的建模结果。
图14是示出根据一些实施方式的制造LED的方法的简化流程图。
图15示出根据一些实施方式的折射率作为第III族氮化物化合物的波长(1502、1504、1506、以及1508)以及作为第III族氮化物LED(1510)的发射光谱的函数的实验值。
图16示出根据一些实施方式的在波长415nm时第III族氮化物化合物的折射率作为In或者Al含量的函数。
图17示出根据一些实施方式的具有量子阱有源区域、较低含量的量子阱和各种低折射率材料层的第III族氮化物LED的折射率分布。
图18示出用于测量外延结构中的导光的存在的实验装置(setup)。
图19示出通过图18中描述的实验装置在LED刻面收集的导光的图像。
图20示出根据一些实施方式的具有双异质结构有源区域、较低含量的量子阱和各种低折射率材料层的第III族氮化物LED的折射率分布。
图21示出具有包括四个量子阱、超晶格、和电子阻挡层的有源区域的第III族氮化物LED的折射率分布，用于与其他实施方式比较。
图22示出针对图21中描述的结构，导光的部分作为LED的发射波长的函数。
图23示出针对与图21相似的但是具有低折射率材料层以便减少导光发射的本发明的实施方式，导光的部分作为LED的发射波长的函数。
图24示出了作为量子阱的数量的函数的建模的提取效率，针对没有低折射率层的LED(2402)的LED并且与具有低折射率层的LED(2404)相比较。
具体实施方式
在下文中，将参照其中示出示例性实施方式的附图更加全面地描述各种的实施方式。但是，可以体现为许多不同的形式并且不应被解释为仅限于本文所阐述的实施方式。更确切地说，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域的技术人员充分地传达本发明的范围。
本公开内容的一些实施方式涉及改进用于实施具有减少导光效果的低折射率材料(LIM)层的发光二极管的方法。更具体地，本文所公开的是用于具有减少导光效果的LIM层的发光二极管的方法和系统。
从发光二极管(LED)的光提取的问题是众所周知的。LED由高折射率的半导体材料制成。令人遗憾地，由LED产生的光的部分由于全内反射而从外部介质(空气或者密封材料)的界面内反射。该光被称为导光(guided light)。因为其限制了光提取，所以它的存在对LED的性能是不利的。各种方法可被用于提取导光，诸如成形LED，或者粗糙化一些表面。这些方法的目的在于中断引导轨迹从而增加光提取。然而，传统方法未能考虑最小化或者消除有源区域内的导光的方面。此外，上述传统技术的应用没有产生采用LIM层以便减少导光效果的发光二极管的设计。
图1示出根据一些实施方式的生长在GaN基板上的LED 100的简图。长在块GaN基板101上的LED被翻转在基台(submount)102上。除了由于在GaN/空气界面103的全内反射而光在LED中被引导之外，有源区域104提供附加的引导105。在有源区域104的右侧描绘了导光105的分布。
如在图1中示出的，LED生长在块(bulk)的氮化镓(GaN)基板101上，并且被放置在可以用作p-接触的基台102上。光106通过有源区域104发射。尽管其他轨迹103在LED结构内被引导，但一些光轨迹被提取至外部介质107。在LED的有源区域104内可能存在传统设计中通常没有解决的用于导光的另一个通道，即，附加的导光效果105。LED的有源区域104内的附加的导光效果105适用于图1的LED以及其他类型的LED构造，例如，在图2中示出的LED。GaN构成LED的基板材料，和它的基质材料(即，生长在基板上并且构成外延层的基体(matrix)的材料，其中，嵌入其他LED层)。
图2示出根据一些实施方式的生长在具有透明的p-接触202的蓝宝石基板201上的LED 200的简图。光203通过有源区域204发射。一些光轨迹被提取到外部介质205，其它被提取到蓝宝石基板206，以及其他207在LED内被引导。除由于在GaN/空气界面的全内反射205，光在LED中被引导之外，有源区域204提供附加的引导208。在LED的一些实施方式中，有源区域204包括发光层，该发光层的特征在于折射率大于LED的基质材料的折射率。例如，在第III族氮化物LED的情况下，有源区域通常是生长在氮化镓基质层(host layer)上的交替InGaN量子阱和氮化镓量子势垒(QB)的堆叠，InGaN的折射率大于GaN的折射率。在一些情况下，量子阱/量子势垒堆叠可以被双异质结构有源区域替代。这里，基板是蓝宝石而基质材料(host material)是GaN。
如果量子阱堆叠的成分/数量/厚度足够大，那么有源区域可以支撑一个或多个导模。许多商业LED包括具有生长在有源区域以下的适度的铟成分的GaN/InGaN超晶格或者块InGaN层。该层也可以导致不希望有的导光和/或增加由有源区域所引起的引导效果。
如本文中使用，术语“导模”是指有源区域(GLAR)中的和在有源区域附近的导光而不是引导在LED的块(例如，除有源区域之外)中的常规光。有源区域(GLAR)中的导光的命运不同于非GLAR导光的命运。非GLAR导光照射在外部介质的各种界面上，使得这些界面成形或者纹理可以引起改善的光提取。在另一方面，GLAR只限于在有源区的附近并且仅可横向地传播穿过该层。因此，用于提高光提取的常规技术基本上不影响GLAR。
一般而言，GLAR的存在是由于高折射率的层(诸如发光层)和较低折射率的周围层之间的折射率差异。低折射率的层可以包括所谓的基质材料，即，生长在基板上的材料基体并且其中嵌入各种其他LED层。例如，在蓝宝石基板上的块GaN LED和GaN LED的两种情况下，基质材料是GaN。高折射率的层可以包括发光层，及在有源区域附近的诸如超晶格等的其他层。GLAR的特征在于其在基质材料或者一些其他低折射率层中逐渐消失，但是在一些高折射率层中传播的事实。
当其传播时，GLAR可以被有源区域重新吸收，或者被其他层吸收，诸如通过有损耗的接触吸收。在被有源区域重新吸收的情况下，创建的载体对可以进一步被重新发射为光并且因此经历多个吸收-发射周期。然而，该多个吸收-发射过程具有比单个吸收-发射周期低的效率，因为有源区域的内部量子效率小于单位(unity)。
图3示出根据一些实施方式的发射波长为大约400nm的光和具有在有源区域中的导光的LED的发光光谱和吸收光谱的实验结果。虚线表示在该波长以下，吸收系数大于约0.02μm-1。在该图中选择该值是因为其对应于光吸收长度50μm，与LED的横向长度相比，该光吸收长度是短的长度。因此，在相应的波长的导光在其可以在LED内传播显著的横向距离之前将被有源区域重新吸收。一旦导模被支撑，其可以运载有源区域的总的自发发射的大部分。
图4是示出根据一些实施方式的LED的有源区域中被引导的光的部分作为量子阱的数量的函数的建模结果的曲线图。在建模中，使用GaN和InGaN之间的0.2的折射率步长。该值是本领域中已知的实际值。如在图4中示出的，如果使用多于8个量子阱，将引导高达20％的总发射光。对于大量的量子阱来说，GLAR的部分达到25％以上的渐近值。因此，LED的总功率的相当大部分可以被发射为GLAR并且最终无法吸收，因此降低了LED的性能。因此，避免GLAR是期望的，或者将它的大小限制为表示小于总的发射光的5％的GLAR值。
本文进一步讨论描述LIM层如何可用于减小光在LED中的有源区域中被引导的部分。一些商业的LED包括AlGaN层，其特征在于低的折射率并且用作形成为覆盖(overlying，重叠)有源区域的电子阻挡层。然而，电子阻挡层的厚度和折射率有时不足够显著地减小GLAR的量。如下所述，低折射率材料的位置、厚度、和成分应被选择为基本上减少GLAR，如下所述。
图5是示出根据一些实施方式的在有源区域506的任一侧上具有低折射率层508的LED的简图。使生长在块GaN基板和n-GaN层502上的LED翻转使得p-GaN层504在基台503上，并且包括在有源区域506的任一侧面上的两个低折射率材料层508。低折射率材料层508的存在减小了在有源区域506中被引导的光的部分。可以存在用于有源区域506发射的光509的其他光轨迹，诸如传播至外部介质507的光和在LED的基质材料505中的导光。可以将传统的光提取特征添加到LED以便帮助提取此类形式的光。例如，LED器件可以被成形为立方体形状、三角形形状、四边形形状、或者锥体形状。如所示，低折射率层508的存在使有源区域510中的导模最小化或者防止有源区域510中的导模。
在一些实施方式中，低折射率材料层覆盖有源区域。低折射率材料层足够厚并且具有足够低的折射率，使得导模的波函数从有源区域分散开，从而减小或者抑制导模内的光发射/传播。根据一些实施方式，低折射率材料具有低于GaN的折射率的折射率。
图6A和图6B对比具有传统的电子阻挡层(图6A)与电子阻挡层还被设计为低折射率材料层以便减小导光效果(图6B)的发光二极管的设计之间的导模剖面形状(guidedmode profile shapes)600。图6A和图6B示出了LED结构的略图以便提供有源区域中的结构和有源区域附近周围的结构的细节。详细示出叠加的导模分布。
图6A示出具有薄的、低含量AlGaN电子阻挡层601的传统的LED结构。图6A示出覆在低含量AlGaN电子阻挡层601上的p-GaN层604，其中，低含量AlGaN电子阻挡层601覆在有源区域603上，有源区域603覆在n-GaN层605上。如所示，导模602被强烈限制在有源区域603中。
图6B是根据一些实施方式的具有足够厚度和低折射率的低折射率材料层606以便逼迫(push)导模分布607远离有源区域603。低折射率材料层606也可以用作电子阻挡层的通常功能，诸如载流子限制(carrier confinement)。
图6A和图6B是示出根据一些实施方式的分别具有电子阻挡层设计和具有低折射率材料层设计的LED中的导模分布的简图。传统结构包括具有p型掺杂层、n型掺杂层、有源区域(由量子阱的堆叠制成)和薄的AlGaN电子阻挡层(EBL)的堆叠。在该结构中，导模被较好地限制在有源区域中。因为进入导模中的光发射与其与有源区域的重叠成比例，所以GLAR的量是大的。
与此相反，在具有如图6B中所示的低折射率材料(LIM)层的结构中，传统的电子阻挡层被具有较低折射率的较厚的层替代。低折射率材料用作电子阻挡层并且还显著地从有源区域分散导模的分布，使得GLAR的量减小。在一些实施方式中，低折射率材料层在有源区域至少一个光波长之内，其中光波长是LED的发射波长或者波长范围。在一些实施方式中，低折射率层在有源区域500nm之内、有源区域300nm之内、有源区域200nm内、并且在一些实施方式中，在有源区域100nm内。低折射率层可以在有源区域内、与有源区域相邻、或者在与有源区域相邻的区域内，诸如包层、p型掺杂层、或者n型掺杂层。在一些实施方式中，低折射率层被设置在上述任何的组合中。如本文中使用的，当层被称作在另一层之上或者下时，相对位置不是绝对的并且将取决于LED的方位。类似地，上覆和下伏并不表示绝对位置而是取决于具体的LED的方位。
图7A和图7B示出根据一些实施方式的用于分别具有电子阻挡层(EBL)的设计和具有低折射率材料(LIM)层的设计的LED的建模的导模分布。对于图7A和图7B，每个LED在有源区域中包括十个量子阱。
图7A和图7B还示出了LED的折射率分布。图7A示出基于包括p-侧面上的金属接触和AlGaN电子阻挡层(Al15GaN，10nm厚)的LED结构的折射率分布。图7B示出基于电子阻挡层被低折射率材料层(Al83InN，40nm厚)替代的LED结构的折射率分布。这里，低折射率材料用作电子阻挡层并且还显著减少导光。如可以在图7A中看出，尽管存在电子阻挡层，导模被较好地限制在有源区域。与此相反，可以从图7B中看出，限制减小。
图8示出在具有低折射率材料层中的各种成分情况下LED的有源区域中被引导的光的部分作为量子阱的数量的函数的建模结果。假定低折射率材料层在建模中20nm厚。示出没有电子阻挡层和没有低折射率材料层的LED结构的建模结果以供参考(实线)。
如可以在图8中看出，在没有任何电子阻挡层或者低折射率材料(实线)的情况下，引导是最强烈的。插入电子阻挡层(Al10GaN，20nm厚)稍微减小引导。使用由Al25GaN或者与GaN基质匹配的AlInN晶格制成的低折射率材料，它们各自具有低于Al10GaN的折射率的折射率，更加减小引导。根据成分和厚度的一些设计可以显著减小GLAR的量，尤其在有源区域中的量子阱的数量是约5至约8时。在一些实施方式中，一个或者几个低折射率材料层被插入有源区域之上和/或之下，例如，朝向n-GaN和/或p-GaN层。
图9示出根据一些实施方式的针对低折射率材料层的各种厚度，LED的有源区域内被引导的光的部分作为量子阱的数量有的函数的建模结果。低折射率材料包括与GaN晶格匹配的AlInN。示出用于没有电子阻挡层和没有低折射率材料层的LED结构的建模结果以供参考(实线)。图9进一步示出低折射率材料层的厚度和数量如何影响导光发射。如可以从图9看出，与没有电子阻挡层和没有低折射率材料层的LED结构相比，将20nm厚的低折射率材料层放置在有源区域上减小引导。通过增加低折射率材料层的厚度，例如至40nm厚，进一步减小导光的部分。此外，将两个40nm厚的低折射率材料层放置在有源区域的两侧，更加减小引导。在最后的情况下，即使在有源区域包括15量子阱时，GLAR被显著减小或者禁止。
示出上述呈现的实施方式以便减小针对给定数量的量子阱的GLAR的量，但是示出的任何变化没有显著地影响用于具有许多量子阱(例如，20个量子阱或更多)的结构的GLAR的渐近部分。可以通过降低有源区域中的平均折射率减小该渐近值。这在一些实施方式(诸如在图10中示出和描述的实施方式)中被实现，其中，量子势垒由低折射率材料制成。
图10示出根据一些实施方式的针对量子势垒的各种成分，LED的有源区域内被引导的光的部分作为量子阱的数量的函数的建模结果。图10示出量子势垒的成分如何影响导光发射。示出用于没有电子阻挡层和没有低折射率材料层的LED结构的建模结果以供参考(实线)。可以在图10中看出，在量子势垒由Al10GaN制成时，与没有电子阻挡层和没有低折射率材料层的LED结构相比，针对给定数量的量子阱的GLAR部分被减小。此外，GLAR的渐近的部分也被减小。在量子势垒由具有低于Al10GaN的折射率的折射率的Al20GaN制成时，进一步减小针对给定数量的量子阱的GLAR的部分和GLAR的渐近的部分。
一些实施方式可以将放置在有源区域之上和之下的低折射率材料层与由低折射率材料制成的量子势垒组合。
图11示出根据一些实施方式的使用低折射率材料势垒和低折射率材料电子阻挡层的LED的有源区域中被引导的光的部分作为量子阱的数量的函数的部分的建模结果。示出基于没有电子阻挡层和没有低折射率材料层的LED结构(实线)的曲线以供参考。虚线曲线基于具有在有源区域上的低折射率材料层(Al30GaN，20nm厚)和具有由低折射率材料制成的量子势垒(Al05GaN)的结构。如可以在图11中看出，与没有电子阻挡层和没有低折射率材料的LED相比，引导在使用低折射率材料势垒和低折射率材料电子阻挡层的LED中减小。
示出的几个实施方式允许使用具有10个量子阱、没有或者很少有GLAR的结构。
如已经提到的，超晶格层(SL)经常生长在LED中，覆在有源区域之上以便提高性能。然而，SL可以具有通过增加接近有源区域的高折射率材料的量来增加GLAR的不利影响。超晶格层通常由连续的薄的InGaN层和GaN层形成。在一些情况下，使用低铟含量的均质InGaN层，而不是SL。我们也参考这样的层作为SL层，因为它提供了类似的目的，并具有关于GLAR的类似效果。
图12是示出根据一些实施方式的在包括超晶格层(SL)的LED中的导模分布的简图。在图12中示出的LED包括覆在薄电子阻挡层1204上的p-GaN层1201、薄电子阻挡层1204覆在有源区域1203、超晶格1202、和n-GaN层1205之上。如图12中所示，SL有助于模式的引导1210。因此，在超晶格层内或者超晶格层周围包括低折射率材料层以便减轻不利影响，是期望的。
图13示出根据一些实施方式的包括插入在超晶格层内的低折射率层的LED的有源区域中被引导的光的部分作为量子阱的数量的函数的建模结果。还示出在没有电子阻挡层与有超晶格层的、以及有超晶格层的LED的有源区域中被引导的光的部分的建模结果，用于比较。可以在图13中看出，与没有超晶格层的LED相比，在增加由GaN和InGaN的交替薄层制成的典型SL时，GLAR在量子阱的数量小于约5时明显地增加。还可以在图13中看出，在LIM电子阻挡层(例如，20nm厚，由AlInN制成)放置在有源区域之上，并且SL被修改为包括LIM层时，在量子阱的数量小于大约12时与具有SL的LED相比，GLAR减小。如果量子阱的数量小于约15，与没有SL和没有EBL的LED相比，GLAR也被减小。在该说明性的示例中，SL由AlGaN和InGaN的交替层制成，其中，AlGaN层作为LIM层并且用来降低SL的平均折射率。
因此，一些实施方式减小SL的导光效果。在一个此类实施方式中，GaN/InGaN SL被替换为低折射率材料/InGaN超晶格(诸如AlGaN/InGaN SL或者AlInN/InGaN SL)使得降低了SL的平均折射率并且减小引导。在另一个实施方式中，GaN/InGaN SL被替换为GaN/LIM超晶格(诸如GaN/AlInGaN SL)，其中在SL的一些实施方式中低折射率材料具有与InGaN相同的有益效果，但是它的低折射率减轻引导。在其他此类实施方式中，SL被包覆在两个低折射率材料层之间。
上述实施方式考虑使用由均质材料，诸如AlGaN、AlInN、或者AlInGaN制成的低折射率材料层。然而，在一些实施方式中，低折射率材料层的成分是非均质的。在一些实施方式中，低折射率材料层是超晶格(诸如GaN/AlGaN超晶格或者GaN/AlInN超晶格)。在其他实施方式中，低折射率材料层具有跨其生长方向变化的成分，诸如化学计量分级层。
如先前已经提到的，低折射率材料层可以提供作为电子阻挡层的附加的目的。在一些实施方式中，低折射率材料层同样可以放置为有源区域以下并且用作空穴-阻挡层。
如已经示出的，使用放置在有源区域周围的几个LIM层是可能的并且有时是需要的。可以组合多个LIM层以便减小GLAR。
因此，一些实施方式涉及实现LIM层的特定的累积厚度，使得明显减小GLAR。在这些实施方式的一些中，给定厚度的LIM层生长在有源区域以下和另一LIM层生长在具有厚度的有源区域以上，使得LIM层的累积厚度大于目标值。
如提到的，一些实施方式可以将减小GLAR的LIM层与其他光提取特征组合使用以便增加传播穿过块LED的光的提取。在一些此类实施方式中，LIM层与LED的表面粗糙化结合。这可以通过使包括LIM层的外延材料生长、利用此类材料形成LED芯片、以及在LED的至少一些刻面(facets)上形成表面粗糙度获得。类似地，其他实施方式可以将LIM层与其他光提取结构组合使用，诸如LED模具的宏观成形。
一些实施方式可可在其他人的外延可行性的观点出发来实现。晶格常数的差值导致张力并且可以使外延生长具有挑战性。例如，一些AlInGaN化合物可以具有相对于LED的基质材料(诸如GaN)的大的晶格常数差值。在此情况下，相应的低折射率材料层的最大厚度受限制。因此，可能期望限制晶格失配。在一些实施方式中，低折射率材料是与LED的基质材料晶格匹配的或者基本上晶格匹配的。一个示例是Al83InN，因为低折射率材料Al83InN的晶格接近与GaN晶格匹配。在其他实施方式中，低折射率材料与量子阱的晶格常数晶格匹配或者基本晶格匹配。
在第III族氮化物材料中，极化场可能存在在异质结构中。降低这些场的强度可能是期望的。在一些实施方式中，低折射率材料与GaN极化匹配或者基本上极化匹配。在其他实施方式中，低折射率与量子阱极化匹配或者基本上极化匹配。
在一些实施方式中，LED是具有沿着半极性界面的表面取向的第III族氮化物LED。在其他实施方式中，LED是具有沿着非极性界面的表面取向的第III族氮化物LED。
图14是示出制造LED的方法的简化流程图。下文论述该方法及其他方法。方法包括提供基板1410，沉积覆在基板之的n型掺杂层1420，沉积覆在基板上的包括至少一个发光材料的层的有源区域1430，沉积覆在基板上的p型掺杂层1440，并且沉积在有源区域至少一个波长内的至少一个低折射率层，低折射率层被配置为显著的减小有源区域的导光1450。
图15示出各种III族氮化物层的折射率与波长的实验结果。为了设计具体的实施方式，可能期望采用建模并且使用各个层的折射率的精确值。图15示出通过椭圆偏振光谱法获得的各种III族氮化物层的折射率1500的实验值。以下层包括在图15中：GaN(1502)、具有410nm的带隙的InGaN(1504)、具有320nm的带隙的AlGaN(1506)、具有380nm的带隙的InGaN(1508)。图15还示出发射大约400nm的第III族氮化物有源区域的发射光谱1510。通过使用图15上示出的折射率全部色散(full dispersion)，可以准确地设计实施方式以减小或者消除GLAR。各种成分的层可以生长和表征这种效果。
图16示出从实验结果得出的折射率1600与化合物成分的值。图16示出多种化合物在415nm的波长的折射率。表示了GaN的折射率1602。此外，InGaN的折射率1604和AlGaN的折射率1606被分别表示为In和Al成分的函数。可以采用图16来设计具有给定的平均折射率的层的设计继续。例如，由类似厚度的AlGaN和InGaN层(其中，Al和In成分相似)制成的超晶格具有与GaN的折射率相似的平均折射率。这是因为在InGaN层中增加的折射率通过AlGaN层中减小的折射率来补偿。此类设计可被期望来减小或抑制GLAR。
在一些实施方式中，希望生长所谓的“伪量子阱”(DQW)。DQW是具有高于有源区域的带隙的带隙的量子阱层。例如，在InGaN LED的情况下，DQW可以是量子阱，在该量子阱中，In含量低于有源区域的In含量。DQW没有发出大量的光，但是可以例如通过提高晶体的结构质量或者通过整合缺陷提高LED的性能。DQW可以生长在有源区域附近，例如在有源区域之上或者之下。
图17示出包括DQW的特定外延结构的折射率分布1700，作为跨外延堆叠的位置的函数。位置x＝0对应于堆叠的顶部。在图17的结构中存在各个层。它们包括GaN 1702(存在于堆叠的n-和p-侧面)；EBL 1704；有源区域1706(包括量子阱和势垒)；DQW及其势垒的堆叠1708；和超晶格1710(仅示出超晶格中的平均折射率，虽然其可以包括较低和较高折射率层的连续)。
与图17的结构相似的结构可以在一些实施方式中使用。在一些实施方式中，超晶格可以包括InGaN和诸如AlGaN层的LIM。在一些实施方式中，DQW的势垒可以包括诸如AlGaN的LIM。在一些实施方式中，有源区域中的势垒可以包括诸如AlGaN的LIM。在一些实施方式中，EBL可以包括诸如AlGaN的LIM。可以选择所述LIM层的厚度和成分以便减小或者抑制GLAR。同样地，可以选择DQW和发射量子阱的数量以便减小或者抑制GLAR。
图18描述用于检测GLAR的存在的实验装置1800。图18示出如何能检测GLAR。通过激光1802的激励引起光致发光1804。一些发光被发射到GLAR 1806里，可以传播至样品的边缘并且被诸如相机的检测器1808收集。
图19示出收集在诸如图18的那个的装置上的相机图像1900。图19比较两个样本。左边图像1902对应于使用标准外延堆叠生长的样本和右边图像1904对应于使用抑制GLAR的外延堆叠生长的样本。后者堆叠与图17中描述的相似。在左边图像1902上观察到明线1906：其对应于到达样品边缘的导光。在右边图像1904上没有观察到信号(在相似条件下收集的)。这表明在外延设计中没有GLAR(例如，使左边图像1902与右边图像1904比较)。
在一些实施方式中，可以采用双异质结构(DH)有源区域而不是量子阱堆叠。在一些实施方式中，外延结构可以包括DH和在DH之下或者之上生长的一个或者几个DQW。在一些实施方式中，DQW区域的势垒可以包括LIM层。
图20示出包括DQW和DH的特定外延结构的折射率分布2000，作为跨外延堆叠的位置的函数。位置x＝0对应于堆叠的顶部。在图20的结构中存在各种层。它们包括GaN 2002(存在于堆叠的n-和p-侧面)；EBL2004；DQW及其势垒的堆叠2006；DH有源区域2008；DQW及其势垒的堆叠2010；和超晶格2012(仅示出超晶格中的平均折射率，虽然其可以包括较低和较高折射率层的连续)。
可以在一些实施方式中使用与图20的结构相似的结构。在一些实施方式中，超晶格可以包括InGaN和诸如AlGaN层的LIM。在一些实施方式中，DQW的势垒可以包括诸如AlGaN的LIM。在一些实施方式中，EBL可以包括诸如AlGaN的LIM。可以选择所述LIM层的厚度和成分以便减小或者抑制GLAR。同样地，可以选择在DH任一侧上的DQW的数量、和DH的厚度以便减小或者抑制GLAR。
在一些实施方式中，LED是第III族氮化物LED。在一些实施方式中，SL层的成分是使得SL的平均折射率不比GaN的平均折射率超过多于0.05。在一些实施方式中，EBL的成分为使得其折射率小于GaN的折射率减去0.05。在一些实施方式中，DQW和它们的势垒的成分是使得DQW区域的平均折射率不比GaN的平均折射率超过多于0.05。所有的这些值属于峰值发射的波长。
在实施方式中，LED是第III族氮化物LED，其外延结构包括以下层：
-一系列n型掺杂层；
-AlGaN/InGaN超晶格，其平均折射率未比GaN的平均折射率超出多于0.05；
-GaN势垒；
-具有AlGaN势垒的一系列InGaN DQW，使得该区域的平均折射率不超过GaN的平均折射率0.05以上，并且DQW的数量介于0与20之间；
-有源区域，由DH或者一系列量子阱组成，使得活性材料的总量小于50nm；
-一系列InGaN DQW，具有GaN或者AlGaN势垒，其中，DQW的数量介于0与5之间；
-GaN势垒；
-EBL，其折射率比GaN的折射率减去0.05低；以及
-一系列p-层。
作为减小GLAR部分另一种方法，一些实施方式采用成分是非均质的发光层。例如，在第III族氮化物LED的情况下，一些实施方式采用InGaN发光层，In成分跨至少一个发光层变化，诸如具有梯阶或者等级的In分布的量子阱或者双异质结构。In成分中的变化可以帮助减小有源区域中的平均折射率，并且有助于减小或者抑制GLAR的发射。
可以在多种LED结构中期望GLAR的现象。例如，在发射200-1,000nm范围的光的典型结构中可能期望。随着LED发射波长的增加，基质材料(例如GaN)和发光层(例如InGaN)之间的折射率差通常增加，导致较大的GLAR部分。
图21示出作为横穿外延堆叠的位置的函数的特定外延结构的折射率分布2100。位置x＝0对应于堆叠的顶部。图21包括GaN层2102、EBL2104、四个量子阱2106和超晶格2108。四个量子阱是4.5nm厚和它们的势垒是3.5nm厚。EBL包含10％Al并且是10nm厚。超晶格中的平均In含量是4％。图21是没有包含大量In的简单的LED结构。因此，其可以认为是关于GLAR的存在的保守结构。图21是一些商业可获得的LED结构的代表。
图22示出针对图21的结构的作为LED的发射波长的函数的导光的量2200。图22表示发射到GLAR里的总的发射光的部分，作为LED的发射波长的函数。对于较长的发射波长，GLAR的部分增加。这是由于量子阱和GaN之间的较大的折射率差。图22表示简单的蓝色发光LED的结构受到了限制其性能的GLAR。
图23示出针对与图21和图22结构相似，但是具有LIM层的结构的，作为LED的发射波长的函数的导光的量2200。图23中考虑的结构包括Al05GaN/In04GaN超晶格、Al15GaN量子阱势垒和20nm厚的Al20GaN EBL。所有这些层构成LIM层，如其他实施方式描述的。导光的部分在图23中明显低于在图22中的导光部分。对于在450nm发射的LED，GLAR的部分可以十倍减小。
因此，本文中的技术与整个多种波长范围和LED设计相关。其可以将性能明显提高超过商业可获得的LED外延堆叠。此外，使用LIM减小GLAR部分可以对LED的性能具有重要的影响。在一些实施方式中，使用LIM可以影响期间的净提取效率的一个或多个百分点，诸如从1％至3％、从1％至5％、或者从1％至10％。
图24示出作为结构中的量子阱数量的函数的LED的建模净提取效率2400。正在审议(under consideration)的LED是具有表面粗糙度的块GaN LED。在没有任何引导和有源区域再次吸收的情况下，它们的提取效率约是77％。在没有考虑到设计LIM层的标准外延结构情况下，提取效率2402受量子阱的数量的显著的影响。使用六个量子阱使提取降低约4％。如果使用精心设计的LIM层，提取效率2404仅稍微受量子阱的数量的影响；这种情况中的仅有的影响是量子阱对传播光的吸收。图24示出本发明的实施方式可以将LED的性能提高一个或者几个百分点。
获得器件实施方式的步骤的可能设定如下：
-在外延基板上生长一组传统的外延层(诸如GaN缓冲区和n型掺杂GaN)；
-进一步生长包括LIM层的超晶格堆叠；
-进一步使由几个量子阱和势垒制成的有源区域生长；
-进一步使还用作EBL的LIM层生长；
-进一步使p型掺杂GaN层的堆叠生长；以及
-加工所得的外延材料以便形成LED芯片。
加工可以包括步骤(例如，在上述步骤内或者在上述步骤之前或之后)。例如，任何已知的加工技术可以用于对LED芯片生产光提取特征(诸如表面粗糙度)。
图14是示出根据一些实施方式的制造LED的方法的简化流程图。如所示，可以使用几个加工步骤形成LED器件。加工步骤可以被单独分开，并且一个加工步骤的任何方面或者材料可以使用路径1405提供至另一加工。如示出，方法包括：
提供基板(参见加工步骤1410)；
在基板上沉积n型掺杂层(参见加工步骤1420)；
在基板上沉积由至少一层发光材料组成的有源区域(参见加工步骤1430)；
在基板上沉积p型掺杂层(参见加工步骤1440)；以及
在有源区域中或者有源区域周围沉积至少一个低折射率层，通过有源区域形成低折射率层以便显著减小导光(参见加工步骤1450)。
应当理解，在图14中示出的具体的步骤提供制造根据本发明的实施方式的LED的具体方法。也可以根据替换实施方式执行步骤的其他顺序。例如，本发明的替换实施方式可以以不同的顺序进行以上概述的步骤。此外，在图14中示出的个别的步骤可以包括多个子步骤，多个子步骤可以根据个别步骤的情况按各种顺序执行。此外，可以根据具体应用增加或者除去附加的步骤。本领域普通技术人员将认识到许多变化、变形或修改。
示例性实施方式的上述描述仅出于说明和描述的目而呈现，并且不旨在穷尽或者将本发明局限于所公开的优选形式。按照上述教导的许多修改和变化是可能的。
选择并且描述各种实施方式，以解释本发明及其实际应用的基本原理，从而使得本领域中的其他技术人员利用本发明和各种实施方式并且使得各种变形适合于预期的具体用途。替换实施方式将变得对本文明所属领域的技术人员明显，而没有偏离其精神和范围。因此，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明和其中描述的示例性实施方式限定。

Claims (32)

1.一种发光二极管，包括：
至少一个n型掺杂层；
至少一个p型掺杂层；
有源区域，设置在所述至少一个n型掺杂层与所述至少一个p型掺杂层之间，包含多个量子阱和量子势垒；以及
至少一个低折射率层，设置在所述至少一个n型掺杂层与所述有源区域之间，或者设置在所述有源区域与所述至少一个p型掺杂层之间，所述至少一个低折射率层被配置为使得小于10％的从所述有源区域发射的总光通过所述有源区域引导，其中，所述有源区域特征在于发射波长，并且其中，所述低折射率层设置在距所述有源区域的距离小于所述发射波长之处。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，小于2％的由所述有源区域发射的总光通过所述有源区域引导。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，进一步包括光提取特征。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，所述光提取特征包括将所述发光二极管形状选自立方体形状、三角形形状、四边形形状和锥体形状。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述n型掺杂层特征在于基质折射率，并且所述低折射率层的折射率比所述基质折射率减去0.05小。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发光二极管包含第III族氮化物材料。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，进一步包括形成在所述有源区域与所述至少一个p型掺杂层之间的电子阻挡层。
8.根据权利要求6所述的发光二极管，进一步包括基板，其中，所述基板包含第III族氮化物材料。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述至少一个低折射率材料层包含非均质材料成分。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述至少一个低折射率材料层被配置作为载流子限制层。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述有源区域的特征在于至少10nm的累积厚度。
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述有源区域的特征在于累积厚度小于100nm。
13.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，至少一个附加低折射率材料层设置在所述有源区域的一侧上、所述有源区域的两侧上、所述有源区域内或者以上任意的组合。
14.根据权利要求13所述的发光二极管，其中，
所述有源区域包括两个或更多量子阱；并且
所述两个或更多量子阱之间的至少一个势垒层包含所述至少一个附加低折射率材料层。
15.根据权利要求1所述的发光二极管，包括：超晶格，其中，
所述超晶格设置在所述有源区域的一侧上或者所述有源区域的两侧上。
16.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述至少一个低折射率材料层与所述发光二极管的基质材料基本上晶格匹配。
17.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述至少一个低折射率材料层与形成所述有源区域的材料基本上晶格匹配。
18.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述至少一个低折射率材料层与所述发光二极管的基质材料基本上极化匹配。
19.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述至少一个低折射率材料层与形成所述有源区域的材料基本上极化匹配。
20.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述n型掺杂层具有基质折射率，并且其中所述有源区域和所述至少一个低折射率材料层具有的平均折射率比所述基质折射率高出从0％至5％。
21.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述有源区域包括一个或多个双异质结构层。
22.根据权利要求1所述的发光二极管，包括：设置在所述有源区域的一侧上的低折射率量子阱区域，其中，所述低折射率量子阱区域被配置为不发射大量的光。
23.根据权利要求22所述的发光二极管，包括：围绕所述低折射率量子阱区域的至少一个低折射率材料层。
24.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发光二极管的特征在于发射波长从200nm至1000nm。
25.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发光二极管的特征在于发射波长选自从390nm至430nm的范围内以及从430nm至470nm的范围内。
26.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发光二极管的特征在于发射波长处于430nm至470nm的范围内。
27.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述有源区域包括至少一个层的发光材料，所述至少一个层的发光材料中的至少一个层包含与所述至少一个层的发光材料中的另一个层不同的材料成分。
28.一种发光二极管，包括：
至少一个n型掺杂层，包含氮化镓基材料；
至少一个p型掺杂层，包含氮化镓基材料；
AlGaN/InGaN超晶格，其特征在于平均折射率未比GaN的折射率超过多于0.05，其中，所述超晶格设置在所述至少一个n型掺杂层与所述至少一个p型掺杂层之间；
有源区域，包括一系列量子阱或者一个或多个双异质结构，其中，所述有源区域的特征在于总厚度小于50nm，其中，所述有源区域设置在所述至少一个n型掺杂层与所述至少一个p型掺杂层之间；以及
电子阻挡层，其特征在于折射率比GaN的折射率减去0.05低，其中，所述电子阻挡层设置在所述至少一个n型掺杂层与所述至少一个p型掺杂层之间；
其中，所述有源区域特征在于发射波长，并且其中，所述超晶格或者电子阻挡层中的至少一个设置在距所述有源区域的距离小于所述发射波长之处。
29.根据权利要求28所述的发光二极管，进一步包括：设置在发光量子阱的一侧或两侧上的多个InGaN量子阱，其中，
所述多个InGaN量子阱不发射大量的光；并且
所述多个InGaN量子阱的特征在于折射率比所述发光量子阱的折射率低。
30.一种用于发射具有发射波长的光的发光二极管，所述发光二极管包括：
至少一个n型掺杂层，包含氮化镓基材料；
至少一个p型掺杂层，包含氮化镓基材料；
有源区域，设置在所述至少一个n型掺杂层与所述至少一个p型掺杂层之间，其中，所述有源区域包括由氮化铟镓基材料形成的一个或多个层；以及
至少一个低折射率材料层，被设置在距所述有源区域的距离小于所述有源区域的发射波长之处以内，所述至少一个低折射率材料层被配置为使得小于10％的由所述有源区域发射的光通过所述有源区域引导，其中，所述至少一个低折射率材料层包括两个或更多低折射率材料层，其中，所述低折射率材料层中的至少一个在所述有源区域之上，并且其中所述低折射率材料层中的至少一个在所述有源区域之下。
31.根据权利要求30所述的发光二极管器件，其中，所述至少一个低折射率材料层包含铝铟镓氮化物基材料。
32.一种制造发光二极管的方法，包括：
提供基板，其中，所述基板包括包含氮化镓基材料的表面区域；
形成覆盖在所述基板的所述表面区域上的至少一个n型掺杂层，其中，所述至少一个n型掺杂层包含氮化镓基材料；
形成覆盖在所述n型掺杂层上的有源区域，其中，所述有源区域包括由氮化铟镓基材料形成的一个或多个层；
形成覆盖在所述有源区域上的至少一个p型掺杂层，其中，所述至少一个p型掺杂层包含氮化镓基材料；并且
形成设置在所述至少一个p型掺杂层与所述有源区域之间、或者所述至少一个n型掺杂层与所述有源区域之间的至少一个低折射率材料层，其中，
所述至少一个低折射率材料层的特征在于折射率低于氮化镓的折射率；并且
所述至少一个低折射率材料层被配置为将由所述有源区域引导的光减少为小于10％的从所述有源区域发射的总光。
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PCT/US2013/029453 WO2013134432A1 (en) 2012-03-06 2013-03-06 Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104247052A CN104247052A (zh) 2014-12-24
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CN201380020302.9A Active CN104247052B (zh) 2012-03-06 2013-03-06 具有减少导光效果的低折射率材料层的发光二极管

Country Status (5)

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US (3) US9269876B2 (zh)
EP (1) EP2823515A4 (zh)
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CN (1) CN104247052B (zh)
WO (1) WO2013134432A1 (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10036099B2 (en) 2008-08-07 2018-07-31 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8247886B1 (en) 2009-03-09 2012-08-21 Soraa, Inc. Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations
US8791499B1 (en) 2009-05-27 2014-07-29 Soraa, Inc. GaN containing optical devices and method with ESD stability
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
CN107256915A (zh) 2009-09-18 2017-10-17 天空公司 发光二极管器件
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8740413B1 (en) 2010-02-03 2014-06-03 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US9450143B2 (en) 2010-06-18 2016-09-20 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices
US8786053B2 (en) 2011-01-24 2014-07-22 Soraa, Inc. Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
US8686431B2 (en) 2011-08-22 2014-04-01 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices
US8912025B2 (en) 2011-11-23 2014-12-16 Soraa, Inc. Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process
WO2013134432A1 (en) * 2012-03-06 2013-09-12 Soraa, Inc. Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects
US10145026B2 (en) 2012-06-04 2018-12-04 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
US8802471B1 (en) 2012-12-21 2014-08-12 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
US11093667B2 (en) * 2017-05-22 2021-08-17 Purdue Research Foundation Method and system for realistic and efficient simulation of light emitting diodes having multi-quantum-wells

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1567606A (zh) * 2003-06-26 2005-01-19 威凯科技股份有限公司 氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构
CN1698215A (zh) * 2004-04-16 2005-11-16 氮化物半导体株式会社 氮化镓系发光器件
CN101032034A (zh) * 2004-06-30 2007-09-05 克里公司 用于封装发光器件的芯片级方法和芯片级封装的发光器件
CN101165933A (zh) * 2006-10-19 2008-04-23 日立电线株式会社 半导体发光元件
CN102237465A (zh) * 2010-04-23 2011-11-09 Lg伊诺特有限公司 发光器件

Family Cites Families (325)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3691476A (en) * 1970-12-31 1972-09-12 Bell Telephone Labor Inc Double heterostructure laser diodes
US4065688A (en) 1977-03-28 1977-12-27 Westinghouse Electric Corporation High-pressure mercury-vapor discharge lamp having a light output with incandescent characteristics
CA1137605A (en) * 1979-01-15 1982-12-14 Donald R. Scifres High output power laser
DE3624934A1 (de) 1986-07-23 1988-01-28 Dynamit Nobel Ag Bei hohen temperaturen bestaendige katalysator-formkoerper und verfahren zu deren herstellung
JPH03292778A (ja) * 1990-04-10 1991-12-24 Nec Corp 半導体発光素子
US5115442A (en) * 1990-04-13 1992-05-19 At&T Bell Laboratories Top-emitting surface emitting laser structures
US5237581A (en) * 1990-11-14 1993-08-17 Nec Corporation Semiconductor multilayer reflector and light emitting device with the same
US5331654A (en) * 1993-03-05 1994-07-19 Photonics Research Incorporated Polarized surface-emitting laser
JPH06267846A (ja) 1993-03-10 1994-09-22 Canon Inc ダイヤモンド電子装置およびその製造法
US5351256A (en) * 1993-04-28 1994-09-27 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Electrically injected visible vertical cavity surface emitting laser diodes
JPH06334215A (ja) 1993-05-18 1994-12-02 Daido Steel Co Ltd 面発光型発光ダイオード
JP3623001B2 (ja) 1994-02-25 2005-02-23 住友電気工業株式会社 単結晶性薄膜の形成方法
US5778018A (en) * 1994-10-13 1998-07-07 Nec Corporation VCSELs (vertical-cavity surface emitting lasers) and VCSEL-based devices
JPH0982587A (ja) 1995-09-08 1997-03-28 Hewlett Packard Co <Hp> 非方形電子チップの製造方法
US5832017A (en) * 1996-03-15 1998-11-03 Motorola Inc Reliable near IR VCSEL
US5764674A (en) 1996-06-28 1998-06-09 Honeywell Inc. Current confinement for a vertical cavity surface emitting laser
US5940422A (en) * 1996-06-28 1999-08-17 Honeywell Inc. Laser with an improved mode control
US5684309A (en) * 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
US6104450A (en) 1996-11-07 2000-08-15 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device, and methods of manufacturing and driving same
US6533874B1 (en) 1996-12-03 2003-03-18 Advanced Technology Materials, Inc. GaN-based devices using thick (Ga, Al, In)N base layers
US6677619B1 (en) 1997-01-09 2004-01-13 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
EP0985007B2 (en) 1997-02-24 2010-11-03 Cabot Corporation Oxygen-containing phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
JPH10335750A (ja) 1997-06-03 1998-12-18 Sony Corp 半導体基板および半導体装置
EP2200071B1 (en) 1997-10-30 2012-01-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. GaN single crystal substrate and method of making the same using homoepitaxy
JPH11340507A (ja) 1998-05-26 1999-12-10 Matsushita Electron Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JPH11340576A (ja) 1998-05-28 1999-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム系半導体デバイス
TW413956B (en) 1998-07-28 2000-12-01 Sumitomo Electric Industries Fluorescent substrate LED
WO2000011106A1 (fr) 1998-08-18 2000-03-02 Nichia Corporation Luminophore a photoluminescence residuelle emettant une lumiere rouge et lampe a luminescence residuelle comprenant ce luminophore
KR100304881B1 (ko) 1998-10-15 2001-10-12 구자홍 Gan계화합물반도체및그의결정성장방법
JP2001060227A (ja) * 1999-08-23 2001-03-06 Seiji Yao 印刷・物流委託システム
DE60033829T2 (de) 1999-09-07 2007-10-11 Sixon Inc. SiC-HALBLEITERSCHEIBE, SiC-HALBLEITERBAUELEMENT SOWIE HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE SiC-HALBLEITERSCHEIBE
US6452220B1 (en) 1999-12-09 2002-09-17 The Regents Of The University Of California Current isolating epitaxial buffer layers for high voltage photodiode array
JP2001177146A (ja) 1999-12-21 2001-06-29 Mitsubishi Cable Ind Ltd 三角形状の半導体素子及びその製法
US6646292B2 (en) * 1999-12-22 2003-11-11 Lumileds Lighting, U.S., Llc Semiconductor light emitting device and method
JP2001356701A (ja) 2000-06-15 2001-12-26 Fuji Photo Film Co Ltd 光学素子、光源ユニットおよび表示装置
US6680959B2 (en) 2000-07-18 2004-01-20 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and semiconductor laser
JP3906653B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
US6534797B1 (en) 2000-11-03 2003-03-18 Cree, Inc. Group III nitride light emitting devices with gallium-free layers
AU2002235132A1 (en) 2000-11-16 2002-05-27 Emcore Corporation Led packages having improved light extraction
JP2002161000A (ja) 2000-11-22 2002-06-04 Otts:Kk 窒化ガリウム単結晶の製造方法
US6836501B2 (en) * 2000-12-29 2004-12-28 Finisar Corporation Resonant reflector for increased wavelength and polarization control
US7214325B2 (en) 2001-03-23 2007-05-08 Lg Electronics Inc. Method of fabricating ohmic contact on n-type gallium nitride (GaN) of room temperature by plasma surface treatment
US6547249B2 (en) 2001-03-29 2003-04-15 Lumileds Lighting U.S., Llc Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
US6939730B2 (en) 2001-04-24 2005-09-06 Sony Corporation Nitride semiconductor, semiconductor device, and method of manufacturing the same
US6734530B2 (en) 2001-06-06 2004-05-11 Matsushita Electric Industries Co., Ltd. GaN-based compound semiconductor EPI-wafer and semiconductor element using the same
JP3639807B2 (ja) 2001-06-27 2005-04-20 キヤノン株式会社 光学素子及び製造方法
JP2003031844A (ja) 2001-07-11 2003-01-31 Sony Corp 半導体発光素子の製造方法
JP2003060227A (ja) 2001-08-09 2003-02-28 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子
DE10139723A1 (de) 2001-08-13 2003-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Chip und strahlungsemittierendes Bauelement
TW595012B (en) 2001-09-03 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light-emitting device, light-emitting apparatus and manufacturing method of semiconductor light-emitting device
US6616734B2 (en) 2001-09-10 2003-09-09 Nanotek Instruments, Inc. Dynamic filtration method and apparatus for separating nano powders
US7303630B2 (en) 2003-11-05 2007-12-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of growing GaN crystal, method of producing single crystal GaN substrate, and single crystal GaN substrate
US6498355B1 (en) 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
PL214287B1 (pl) 2001-10-26 2013-07-31 Ammono Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia Struktura urzadzenia emitujacego swiatlo z monokrystaliczna objetosciowa warstwa azotku
DE10161882A1 (de) 2001-12-17 2003-10-02 Siemens Ag Wärmeleitfähige thermoplastische Compounds und Verwendung dazu
AUPS240402A0 (en) 2002-05-17 2002-06-13 Macquarie Research Limited Gallium nitride
US6828596B2 (en) 2002-06-13 2004-12-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices
US6995032B2 (en) 2002-07-19 2006-02-07 Cree, Inc. Trench cut light emitting diodes and methods of fabricating same
AU2002951465A0 (en) * 2002-09-18 2002-10-03 Poly Optics Australia Pty Ltd Light emitting device
US6809781B2 (en) 2002-09-24 2004-10-26 General Electric Company Phosphor blends and backlight sources for liquid crystal displays
US7009199B2 (en) 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
JP5138145B2 (ja) 2002-11-12 2013-02-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
US6927412B2 (en) * 2002-11-21 2005-08-09 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light emitter
US7186302B2 (en) 2002-12-16 2007-03-06 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
US8089097B2 (en) 2002-12-27 2012-01-03 Momentive Performance Materials Inc. Homoepitaxial gallium-nitride-based electronic devices and method for producing same
TWI230978B (en) 2003-01-17 2005-04-11 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor device and the manufacturing method thereof
US7118438B2 (en) 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
JP3778186B2 (ja) 2003-02-18 2006-05-24 株式会社豊田自動織機 導光板
US7112860B2 (en) * 2003-03-03 2006-09-26 Cree, Inc. Integrated nitride-based acoustic wave devices and methods of fabricating integrated nitride-based acoustic wave devices
JP2004273798A (ja) 2003-03-10 2004-09-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光デバイス
US7157745B2 (en) 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
US7329029B2 (en) * 2003-05-13 2008-02-12 Light Prescriptions Innovators, Llc Optical device for LED-based lamp
WO2005004247A1 (en) 2003-07-03 2005-01-13 Epivalley Co., Ltd. Iii-nitride compound semiconductor light emitting device
EP2520953A1 (en) * 2003-07-29 2012-11-07 Light Engine Limited Circumferentially emitting luminaires and lens elements formed by transverse-axis profile-sweeps
WO2005022654A2 (en) 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
US7341880B2 (en) 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
CN1275337C (zh) * 2003-09-17 2006-09-13 北京工大智源科技发展有限公司 高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管
US7012279B2 (en) 2003-10-21 2006-03-14 Lumileds Lighting U.S., Llc Photonic crystal light emitting device
US7009215B2 (en) 2003-10-24 2006-03-07 General Electric Company Group III-nitride based resonant cavity light emitting devices fabricated on single crystal gallium nitride substrates
US7128849B2 (en) 2003-10-31 2006-10-31 General Electric Company Phosphors containing boron and metals of Group IIIA and IIIB
KR101156146B1 (ko) 2003-12-09 2012-06-18 재팬 사이언스 앤드 테크놀로지 에이젼시 질소면의 표면상의 구조물 제조를 통한 고효율 3족 질화물계 발광다이오드
US20060038542A1 (en) 2003-12-23 2006-02-23 Tessera, Inc. Solid state lighting device
US7384481B2 (en) 2003-12-29 2008-06-10 Translucent Photonics, Inc. Method of forming a rare-earth dielectric layer
TWI229463B (en) 2004-02-02 2005-03-11 South Epitaxy Corp Light-emitting diode structure with electro-static discharge protection
JP5005164B2 (ja) * 2004-03-03 2012-08-22 株式会社ジャパンディスプレイイースト 発光素子，発光型表示装置及び照明装置
WO2005086245A2 (en) 2004-03-03 2005-09-15 S.C. Johnson & Son, Inc. Led light bulb with active ingredient emission
US20050199899A1 (en) 2004-03-11 2005-09-15 Ming-Der Lin Package array and package unit of flip chip LED
KR100568297B1 (ko) 2004-03-30 2006-04-05 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US7285801B2 (en) 2004-04-02 2007-10-23 Lumination, Llc LED with series-connected monolithically integrated mesas
JP4564773B2 (ja) * 2004-04-07 2010-10-20 株式会社 日立ディスプレイズ 発光素子及びその表示装置
EP1598681A3 (de) 2004-05-17 2006-03-01 Carl Zeiss SMT AG Optische Komponente mit gekrümmter Oberfläche und Mehrlagenbeschichtung
US7768023B2 (en) * 2005-10-14 2010-08-03 The Regents Of The University Of California Photonic structures for efficient light extraction and conversion in multi-color light emitting devices
US9130119B2 (en) 2006-12-11 2015-09-08 The Regents Of The University Of California Non-polar and semi-polar light emitting devices
US7582910B2 (en) * 2005-02-28 2009-09-01 The Regents Of The University Of California High efficiency light emitting diode (LED) with optimized photonic crystal extractor
US7977694B2 (en) * 2006-11-15 2011-07-12 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency light emitting diode (LED) with emitters within structured materials
US6956246B1 (en) 2004-06-03 2005-10-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Resonant cavity III-nitride light emitting devices fabricated by growth substrate removal
US8398767B2 (en) 2004-06-11 2013-03-19 Ammono S.A. Bulk mono-crystalline gallium-containing nitride and its application
EP2733744A1 (en) 2004-06-30 2014-05-21 Seoul Viosys Co., Ltd Light emitting element comprising a plurality of vertical-type LEDs connected in series on the same carrier substrate
US8142566B2 (en) 2004-08-06 2012-03-27 Mitsubishi Chemical Corporation Method for producing Ga-containing nitride semiconductor single crystal of BxAlyGazIn1-x-y-zNsPtAs1-s-t (0<=x<=1, 0<=y<1, 0<z<=1, 0<s<=1 and 0<=t<1) on a substrate
JP2006086516A (ja) 2004-08-20 2006-03-30 Showa Denko Kk 半導体発光素子の製造方法
US7737459B2 (en) 2004-09-22 2010-06-15 Cree, Inc. High output group III nitride light emitting diodes
CA2581626C (en) 2004-09-27 2013-08-13 Gallium Enterprises Pty Ltd Method and apparatus for growing a group (iii) metal nitride film and a group (iii) metal nitride film
JP2006108435A (ja) 2004-10-06 2006-04-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体ウエハ
FR2876841B1 (fr) * 2004-10-19 2007-04-13 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation de multicouches sur un substrat
KR100661708B1 (ko) 2004-10-19 2006-12-26 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US7326963B2 (en) * 2004-12-06 2008-02-05 Sensor Electronic Technology, Inc. Nitride-based light emitting heterostructure
KR100580751B1 (ko) * 2004-12-23 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100661709B1 (ko) 2004-12-23 2006-12-26 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US7897420B2 (en) 2005-01-11 2011-03-01 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
EP1681712A1 (en) 2005-01-13 2006-07-19 S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. Method of producing substrates for optoelectronic applications
US7221044B2 (en) 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
US7358542B2 (en) 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US7535028B2 (en) 2005-02-03 2009-05-19 Ac Led Lighting, L.Lc. Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp
US7932111B2 (en) 2005-02-23 2011-04-26 Cree, Inc. Substrate removal process for high light extraction LEDs
JP2006270028A (ja) * 2005-02-25 2006-10-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光素子
CA2563731A1 (en) 2005-03-04 2006-09-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Vertical gallium nitride semiconductor device and epitaxial substrate
JP2006253180A (ja) 2005-03-08 2006-09-21 Sony Corp 半導体発光素子
JP5010108B2 (ja) 2005-03-25 2012-08-29 株式会社沖データ 半導体複合装置、プリントヘッド、及びそれを用いた画像形成装置
WO2006116030A2 (en) * 2005-04-21 2006-11-02 Aonex Technologies, Inc. Bonded intermediate substrate and method of making same
US7483466B2 (en) 2005-04-28 2009-01-27 Canon Kabushiki Kaisha Vertical cavity surface emitting laser device
JP4636501B2 (ja) 2005-05-12 2011-02-23 株式会社沖データ 半導体装置、プリントヘッド及び画像形成装置
US7358543B2 (en) 2005-05-27 2008-04-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device having a layer of photonic crystals and a region of diffusing material and method for fabricating the device
JP2007049114A (ja) * 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
WO2006130696A2 (en) 2005-06-01 2006-12-07 The Regents Of The University Of California Technique for the growth and fabrication of semipolar (ga,al,in,b)n thin films, heterostructures, and devices
EP1905088A4 (en) 2005-06-21 2012-11-21 Univ California PACKAGING TECHNIQUE FOR THE MANUFACTURE OF POLARIZED ELECTROLUMINESCENT DIODES
US8148713B2 (en) 2008-04-04 2012-04-03 The Regents Of The University Of California Method for fabrication of semipolar (Al, In, Ga, B)N based light emitting diodes
US7799236B2 (en) 2005-08-30 2010-09-21 Lg Chem, Ltd. Gathering method and apparatus of powder separated soluble component
WO2008027027A2 (en) 2005-09-07 2008-03-06 Cree, Inc Transistor with fluorine treatment
JP2007110090A (ja) 2005-09-13 2007-04-26 Sony Corp ＧａＮ系半導体発光素子、発光装置、画像表示装置、面状光源装置、及び、液晶表示装置組立体
JP2007081180A (ja) 2005-09-15 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子
US8661660B2 (en) 2005-09-22 2014-03-04 The Artak Ter-Hovhanissian Patent Trust Process for manufacturing LED lighting with integrated heat sink
US20080099777A1 (en) 2005-10-19 2008-05-01 Luminus Devices, Inc. Light-emitting devices and related systems
US20070096239A1 (en) 2005-10-31 2007-05-03 General Electric Company Semiconductor devices and methods of manufacture
JP4696886B2 (ja) 2005-12-08 2011-06-08 日立電線株式会社 自立した窒化ガリウム単結晶基板の製造方法、および窒化物半導体素子の製造方法
JP2007173465A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2007184411A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 Sony Corp 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法
JP5108532B2 (ja) 2006-01-18 2012-12-26 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光装置
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
DE102006015788A1 (de) * 2006-01-27 2007-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
KR100896576B1 (ko) 2006-02-24 2009-05-07 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100765075B1 (ko) 2006-03-26 2007-10-09 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
JP2007273492A (ja) 2006-03-30 2007-10-18 Mitsubishi Electric Corp 窒化物半導体装置およびその製造方法
US8728234B2 (en) 2008-06-04 2014-05-20 Sixpoint Materials, Inc. Methods for producing improved crystallinity group III-nitride crystals from initial group III-nitride seed by ammonothermal growth
EP2023168A4 (en) * 2006-05-01 2012-12-26 Mitsui Chemicals Inc METHOD FOR COMPENSATING THE WAVE LENGTH DEPENDENCE OF DOUBLE BREAKING OF AN OPTICAL PART, OPTICAL PART AND DISPLAY THEREWITH
KR100735496B1 (ko) 2006-05-10 2007-07-04 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 ｌｅｄ 소자의 제조방법
WO2007133766A2 (en) 2006-05-15 2007-11-22 The Regents Of The University Of California Electrically-pumped (ga,in, ai) n vertical-cavity surface-emitting laser
JP4819577B2 (ja) 2006-05-31 2011-11-24 キヤノン株式会社 パターン転写方法およびパターン転写装置
JP5250999B2 (ja) * 2006-06-08 2013-07-31 ソニー株式会社 面発光型半導体レーザ
JP4816277B2 (ja) 2006-06-14 2011-11-16 日立電線株式会社 窒化物半導体自立基板及び窒化物半導体発光素子
JP4854566B2 (ja) 2006-06-15 2012-01-18 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子
US20070290191A1 (en) * 2006-06-16 2007-12-20 Vitaly Shuchukin Resonant cavity optoelectronic device with suppressed parasitic modes
CN102361052B (zh) 2006-06-23 2015-09-30 Lg电子株式会社 具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法
US20090273005A1 (en) 2006-07-24 2009-11-05 Hung-Yi Lin Opto-electronic package structure having silicon-substrate and method of forming the same
JP4957110B2 (ja) 2006-08-03 2012-06-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP2060155A2 (en) 2006-08-23 2009-05-20 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
JP4300245B2 (ja) * 2006-08-25 2009-07-22 キヤノン株式会社 多層膜反射鏡を備えた光学素子、面発光レーザ
JP4110181B2 (ja) * 2006-09-01 2008-07-02 キヤノン株式会社 半導体レーザ装置
TWI318013B (en) 2006-09-05 2009-12-01 Epistar Corp A light emitting device and the manufacture method thereof
JP2008084973A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光デバイス
JP4246242B2 (ja) 2006-09-27 2009-04-02 三菱電機株式会社 半導体発光素子
US7714348B2 (en) 2006-10-06 2010-05-11 Ac-Led Lighting, L.L.C. AC/DC light emitting diodes with integrated protection mechanism
EP2078105B1 (en) 2006-10-08 2017-11-22 Soraa, Inc. Method for forming nitride crystals
KR20080035865A (ko) 2006-10-20 2008-04-24 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
JP2008135697A (ja) 2006-10-23 2008-06-12 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
TWI371870B (en) 2006-11-08 2012-09-01 Epistar Corp Alternate current light-emitting device and fabrication method thereof
JP5105160B2 (ja) 2006-11-13 2012-12-19 クリー インコーポレイテッド トランジスタ
WO2008060594A2 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency light emitting diode (led) through multiple extractors
WO2008073385A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Metalorganic chemical vapor deposition (mocvd) growth of high performance non-polar iii-nitride optical devices
US20080217745A1 (en) 2006-12-19 2008-09-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Nitride Semiconductor Wafer
US8742251B2 (en) 2006-12-20 2014-06-03 Jds Uniphase Corporation Multi-segment photovoltaic power converter with a center portion
US7956356B2 (en) 2006-12-28 2011-06-07 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Sapphire substrates and methods of making same
JP2008172040A (ja) 2007-01-12 2008-07-24 Sony Corp 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、バックライト、ディスプレイおよび電子機器
TWI440210B (zh) 2007-01-22 2014-06-01 Cree Inc 使用發光裝置外部互連陣列之照明裝置及其製造方法
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
TW200834962A (en) 2007-02-08 2008-08-16 Touch Micro System Tech LED array package structure having Si-substrate and method of making the same
US7768020B2 (en) 2007-03-13 2010-08-03 Seoul Opto Device Co., Ltd. AC light emitting diode
KR100974923B1 (ko) 2007-03-19 2010-08-10 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드
JP5032171B2 (ja) 2007-03-26 2012-09-26 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置
JP2008244360A (ja) 2007-03-28 2008-10-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体発光素子
TWI392111B (zh) 2007-04-11 2013-04-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體裝置的螢光粉塗佈製程
US8088670B2 (en) 2007-04-18 2012-01-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for manufacturing bonded substrate with sandblast treatment
DE102007019776A1 (de) * 2007-04-26 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente
JP2008285364A (ja) 2007-05-17 2008-11-27 Sumitomo Electric Ind Ltd ＧａＮ基板、それを用いたエピタキシャル基板及び半導体発光素子
KR100867551B1 (ko) 2007-05-18 2008-11-10 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 어레이 구동 장치
US20080303033A1 (en) 2007-06-05 2008-12-11 Cree, Inc. Formation of nitride-based optoelectronic and electronic device structures on lattice-matched substrates
EP2003696B1 (en) 2007-06-14 2012-02-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. GaN substrate, substrate with epitaxial layer, semiconductor device and method of manufacturing GaN substrate
GB2450377A (en) 2007-06-23 2008-12-24 Ian Charles Williamson Vehicle load and parking warning system
US7733571B1 (en) 2007-07-24 2010-06-08 Rockwell Collins, Inc. Phosphor screen and displays systems
US20090278233A1 (en) * 2007-07-26 2009-11-12 Pinnington Thomas Henry Bonded intermediate substrate and method of making same
JP5044329B2 (ja) 2007-08-31 2012-10-10 株式会社東芝 発光装置
WO2009035648A1 (en) 2007-09-14 2009-03-19 Kyma Technologies, Inc. Non-polar and semi-polar gan substrates, devices, and methods for making them
US8058663B2 (en) 2007-09-26 2011-11-15 Iii-N Technology, Inc. Micro-emitter array based full-color micro-display
US8783887B2 (en) 2007-10-01 2014-07-22 Intematix Corporation Color tunable light emitting device
US8434909B2 (en) * 2007-10-09 2013-05-07 Flex Lighting Ii, Llc Light emitting display with light mixing within a film
GB2454655A (en) * 2007-11-09 2009-05-20 Sharp Kk Nitride structures with AlInN current confinement layers
US7985970B2 (en) 2009-04-06 2011-07-26 Cree, Inc. High voltage low current surface-emitting LED
US20110017298A1 (en) 2007-11-14 2011-01-27 Stion Corporation Multi-junction solar cell devices
CN101874307B (zh) * 2007-11-30 2014-06-18 加利福尼亚大学董事会 通过表面粗糙化的高光提取效率的基于氮化物的发光二极管
US20090140279A1 (en) 2007-12-03 2009-06-04 Goldeneye, Inc. Substrate-free light emitting diode chip
US7985979B2 (en) * 2007-12-19 2011-07-26 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Semiconductor light emitting device with light extraction structures
CA2711858C (en) * 2008-01-11 2015-04-28 Opdi Technologies A/S A touch-sensitive device
US8337029B2 (en) 2008-01-17 2012-12-25 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
GB0801509D0 (en) 2008-01-28 2008-03-05 Photonstar Led Ltd Light emitting system with optically transparent thermally conductive element
JP2009200178A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
JP5053893B2 (ja) 2008-03-07 2012-10-24 住友電気工業株式会社 窒化物半導体レーザを作製する方法
KR101092079B1 (ko) 2008-04-24 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5207812B2 (ja) 2008-04-25 2013-06-12 京セラ株式会社 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法
US20110180781A1 (en) 2008-06-05 2011-07-28 Soraa, Inc Highly Polarized White Light Source By Combining Blue LED on Semipolar or Nonpolar GaN with Yellow LED on Semipolar or Nonpolar GaN
US8847249B2 (en) 2008-06-16 2014-09-30 Soraa, Inc. Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions
TWI384898B (zh) 2008-06-18 2013-02-01 Delta Electronics Inc 可調光之發光二極體驅動電路
US20100006873A1 (en) 2008-06-25 2010-01-14 Soraa, Inc. HIGHLY POLARIZED WHITE LIGHT SOURCE BY COMBINING BLUE LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN WITH YELLOW LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN
CN101621101A (zh) 2008-06-30 2010-01-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
US20120000415A1 (en) 2010-06-18 2012-01-05 Soraa, Inc. Large Area Nitride Crystal and Method for Making It
KR20110034041A (ko) 2008-08-05 2011-04-04 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 액정 디스플레이들에서 사용하기 위한 편광된 형광체 방출 스크린들과 결합된 선형적으로 편광된 백라이트 소스
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
TWI497745B (zh) * 2008-08-06 2015-08-21 Epistar Corp 發光元件
US20100117118A1 (en) 2008-08-07 2010-05-13 Dabiran Amir M High electron mobility heterojunction device
US8979999B2 (en) 2008-08-07 2015-03-17 Soraa, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
JP4599442B2 (ja) 2008-08-27 2010-12-15 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
US20100295088A1 (en) 2008-10-02 2010-11-25 Soraa, Inc. Textured-surface light emitting diode and method of manufacture
JP2010098068A (ja) 2008-10-15 2010-04-30 Showa Denko Kk 発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプ
US8455894B1 (en) 2008-10-17 2013-06-04 Soraa, Inc. Photonic-crystal light emitting diode and method of manufacture
JP2010118647A (ja) 2008-10-17 2010-05-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物系半導体発光素子、窒化物系半導体発光素子を作製する方法、及び発光装置
JP2012507874A (ja) 2008-10-31 2012-03-29 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 無極性または半極性ＡｌＩｎＮおよびＡｌＩｎＧａＮ合金に基づく光電子デバイス
US8017415B2 (en) 2008-11-05 2011-09-13 Goldeneye, Inc. Dual sided processing and devices based on freestanding nitride and zinc oxide films
US8062916B2 (en) 2008-11-06 2011-11-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Series connected flip chip LEDs with growth substrate removed
US20100117106A1 (en) 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
US8000366B2 (en) * 2008-11-21 2011-08-16 Palo Alto Research Center Incorporated Laser diode with high indium active layer and lattice matched cladding layer
US8461071B2 (en) 2008-12-12 2013-06-11 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US8878230B2 (en) 2010-03-11 2014-11-04 Soraa, Inc. Semi-insulating group III metal nitride and method of manufacture
US7923741B1 (en) 2009-01-05 2011-04-12 Lednovation, Inc. Semiconductor lighting device with reflective remote wavelength conversion
JP2010177651A (ja) 2009-02-02 2010-08-12 Rohm Co Ltd 半導体レーザ素子
JP2010206063A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Sony Corp ＧａＮ系半導体発光素子の駆動方法、画像表示装置におけるＧａＮ系半導体発光素子の駆動方法、面状光源装置の駆動方法、及び、発光装置の駆動方法
JP5326677B2 (ja) * 2009-03-09 2013-10-30 ソニー株式会社 半導体レーザおよびその製造方法
US8247886B1 (en) 2009-03-09 2012-08-21 Soraa, Inc. Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations
JP4375497B1 (ja) 2009-03-11 2009-12-02 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体素子、エピタキシャル基板、及びｉｉｉ族窒化物半導体素子を作製する方法
TWI381556B (zh) 2009-03-20 2013-01-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
US8252662B1 (en) 2009-03-28 2012-08-28 Soraa, Inc. Method and structure for manufacture of light emitting diode devices using bulk GaN
US20140175377A1 (en) * 2009-04-07 2014-06-26 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
US8299473B1 (en) * 2009-04-07 2012-10-30 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
US8536618B2 (en) 2009-11-03 2013-09-17 The Regents Of The University Of California Light emitting diode structure utilizing zinc oxide nanorod arrays on one or more surfaces, and a low cost method of producing such zinc oxide nanorod arrays
JP2010262813A (ja) * 2009-05-01 2010-11-18 Hitachi Displays Ltd 照明装置及び液晶表示装置
JP5178623B2 (ja) 2009-05-08 2013-04-10 サンユレック株式会社 照明装置の製造方法
US8337030B2 (en) 2009-05-13 2012-12-25 Cree, Inc. Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods
US8247887B1 (en) 2009-05-29 2012-08-21 Soraa, Inc. Method and surface morphology of non-polar gallium nitride containing substrates
JP2010278335A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子及びこれを用いた光ピックアップ装置
WO2010141943A1 (en) * 2009-06-05 2010-12-09 The Regents Of The University Of California LONG WAVELENGTH NONPOLAR AND SEMIPOLAR (Al,Ga,In)N BASED LASER DIODES
TWI419427B (zh) * 2009-08-21 2013-12-11 Univ Nat Chiao Tung 能帶邊緣型光子晶體雷射二極體
US20110056429A1 (en) 2009-08-21 2011-03-10 Soraa, Inc. Rapid Growth Method and Structures for Gallium and Nitrogen Containing Ultra-Thin Epitaxial Structures for Devices
US9000466B1 (en) * 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US10043946B2 (en) * 2009-08-25 2018-08-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US8350273B2 (en) 2009-08-31 2013-01-08 Infineon Technologies Ag Semiconductor structure and a method of forming the same
JP5549157B2 (ja) 2009-09-04 2014-07-16 住友電気工業株式会社 ＧａＮ単結晶基板およびその製造方法、ならびにＧａＮ系半導体デバイスおよびその製造方法
US8207554B2 (en) 2009-09-11 2012-06-26 Soraa, Inc. System and method for LED packaging
US8314429B1 (en) 2009-09-14 2012-11-20 Soraa, Inc. Multi color active regions for white light emitting diode
US9583678B2 (en) * 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
US9293667B2 (en) 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
CN107256915A (zh) 2009-09-18 2017-10-17 天空公司 发光二极管器件
US9293644B2 (en) * 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
JP5233936B2 (ja) 2009-09-24 2013-07-10 住友電気工業株式会社 窒化物半導体基板
JP5387302B2 (ja) * 2009-09-30 2014-01-15 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子、及びｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP2011077325A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法
US20110149201A1 (en) * 2009-10-16 2011-06-23 Karlton David Powell Lightguide illuminator embedded display
TW201118946A (en) 2009-11-24 2011-06-01 Chun-Yen Chang Method for manufacturing free-standing substrate and free-standing light-emitting device
US8907321B2 (en) * 2009-12-16 2014-12-09 Lehigh Univeristy Nitride based quantum well light-emitting devices having improved current injection efficiency
JP5327154B2 (ja) * 2009-12-25 2013-10-30 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子、及びｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5593700B2 (ja) * 2010-01-08 2014-09-24 富士ゼロックス株式会社 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
JP5251893B2 (ja) 2010-01-21 2013-07-31 日立電線株式会社 導電性ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法及び導電性ｉｉｉ族窒化物基板の製造方法
US20110182056A1 (en) 2010-06-23 2011-07-28 Soraa, Inc. Quantum Dot Wavelength Conversion for Optical Devices Using Nonpolar or Semipolar Gallium Containing Materials
US20110186874A1 (en) 2010-02-03 2011-08-04 Soraa, Inc. White Light Apparatus and Method
KR100986318B1 (ko) * 2010-02-09 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
DE102010009457A1 (de) * 2010-02-26 2011-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
TWI560963B (en) 2010-03-04 2016-12-01 Univ California Semi-polar iii-nitride optoelectronic devices on m-plane substrates with miscuts less than +/- 15 degrees in the c-direction
JP5552873B2 (ja) 2010-04-08 2014-07-16 日立金属株式会社 窒化物半導体基板、その製造方法及び窒化物半導体デバイス
JP2011233870A (ja) 2010-04-09 2011-11-17 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置
JP5549338B2 (ja) * 2010-04-09 2014-07-16 ウシオ電機株式会社 紫外光放射用窒素化合物半導体ｌｅｄおよびその製造方法
US9028123B2 (en) * 2010-04-16 2015-05-12 Flex Lighting Ii, Llc Display illumination device with a film-based lightguide having stacked incident surfaces
JP2011243963A (ja) 2010-04-21 2011-12-01 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
KR101064020B1 (ko) 2010-04-23 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR101047720B1 (ko) * 2010-04-23 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
CN102237454A (zh) 2010-04-29 2011-11-09 展晶科技(深圳)有限公司 半导体光电元件及其制造方法
US9450143B2 (en) 2010-06-18 2016-09-20 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices
US8293551B2 (en) 2010-06-18 2012-10-23 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices
US20120007102A1 (en) 2010-07-08 2012-01-12 Soraa, Inc. High Voltage Device and Method for Optical Devices
US8217488B2 (en) * 2010-07-19 2012-07-10 Walsin Lihwa Corporation GaN light emitting diode and method for increasing light extraction on GaN light emitting diode via sapphire shaping
WO2012017685A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 半導体発光素子
JP5319623B2 (ja) * 2010-08-06 2013-10-16 株式会社東芝 半導体発光素子
DE102010034913B4 (de) 2010-08-20 2023-03-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung des Strahlung emittierenden Bauelements
KR20120018538A (ko) * 2010-08-23 2012-03-05 일진머티리얼즈 주식회사 발광 다이오드 소자 및 이의 제조 방법
US9293653B2 (en) * 2010-10-08 2016-03-22 Guardian Industries Corp. Light source with light scattering features, device including light source with light scattering features, and/or methods of making the same
US8492788B2 (en) * 2010-10-08 2013-07-23 Guardian Industries Corp. Insulating glass (IG) or vacuum insulating glass (VIG) unit including light source, and/or methods of making the same
US8357553B2 (en) * 2010-10-08 2013-01-22 Guardian Industries Corp. Light source with hybrid coating, device including light source with hybrid coating, and/or methods of making the same
US9209359B2 (en) * 2010-11-02 2015-12-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with improved extraction efficiency
JP5824802B2 (ja) * 2010-12-10 2015-12-02 富士ゼロックス株式会社 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
US8786053B2 (en) 2011-01-24 2014-07-22 Soraa, Inc. Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
KR20120088130A (ko) * 2011-01-31 2012-08-08 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
JP2014508416A (ja) * 2011-02-28 2014-04-03 コーニング インコーポレイテッド インジウム含有クラッド層を有する半導体レーザ
KR20140031899A (ko) * 2011-04-20 2014-03-13 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시건 최소의 각 의존성을 갖는 표시 장치들 및 이미징을 위한 스펙트럼 필터링
JP5139555B2 (ja) * 2011-04-22 2013-02-06 住友電気工業株式会社 窒化物半導体レーザ、及びエピタキシャル基板
JP5117596B2 (ja) * 2011-05-16 2013-01-16 株式会社東芝 半導体発光素子、ウェーハ、および窒化物半導体結晶層の製造方法
KR20130008295A (ko) * 2011-07-12 2013-01-22 삼성전자주식회사 질화물 발광소자
US8686431B2 (en) 2011-08-22 2014-04-01 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices
US8785952B2 (en) * 2011-10-10 2014-07-22 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package including the same
FR2981506B1 (fr) * 2011-10-18 2014-06-27 Commissariat Energie Atomique Composant diode electroluminescente
TWI466323B (zh) 2011-11-07 2014-12-21 Ind Tech Res Inst 發光二極體
JP6085143B2 (ja) * 2011-11-11 2017-02-22 住友化学株式会社 光学フィルム
US8912024B2 (en) * 2011-11-18 2014-12-16 Invensas Corporation Front facing piggyback wafer assembly
US9293641B2 (en) * 2011-11-18 2016-03-22 Invensas Corporation Inverted optical device
US8912025B2 (en) 2011-11-23 2014-12-16 Soraa, Inc. Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process
WO2013102759A2 (en) * 2012-01-06 2013-07-11 Milan Momcilo Popovich Contact image sensor using switchable bragg gratings
US20130022758A1 (en) 2012-01-27 2013-01-24 Soraa, Inc. Method and Resulting Device for Processing Phosphor Materials in Light Emitting Diode Applications
WO2013134432A1 (en) * 2012-03-06 2013-09-12 Soraa, Inc. Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects
US10145026B2 (en) 2012-06-04 2018-12-04 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules
WO2014006813A1 (ja) * 2012-07-06 2014-01-09 パナソニック株式会社 半導体発光素子
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
JP6255763B2 (ja) * 2013-07-19 2018-01-10 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
US9368939B2 (en) * 2013-10-18 2016-06-14 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode formed on C-plane gallium and nitrogen material
US9520697B2 (en) * 2014-02-10 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable multi-emitter laser diode
CN105423238B (zh) * 2014-09-11 2017-05-10 松下知识产权经营株式会社 波长变换部件、发光装置、投影机、以及波长变换部件的制造方法
US11437775B2 (en) * 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. Integrated light source using a laser diode
US9787963B2 (en) * 2015-10-08 2017-10-10 Soraa Laser Diode, Inc. Laser lighting having selective resolution
US10490696B2 (en) * 2016-08-10 2019-11-26 Soraa, Inc. III-nitride LED with tunnel junction

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1567606A (zh) * 2003-06-26 2005-01-19 威凯科技股份有限公司 氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构
CN1698215A (zh) * 2004-04-16 2005-11-16 氮化物半导体株式会社 氮化镓系发光器件
CN101032034A (zh) * 2004-06-30 2007-09-05 克里公司 用于封装发光器件的芯片级方法和芯片级封装的发光器件
CN101165933A (zh) * 2006-10-19 2008-04-23 日立电线株式会社 半导体发光元件
CN102237465A (zh) * 2010-04-23 2011-11-09 Lg伊诺特有限公司 发光器件

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