JP2014508416A - インジウム含有クラッド層を有する半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
(a)GaN,AlGaN,InGaNまたはAlNの基板、(b)基板に重ねて配置されたnドープクラッド層、(c)nドープクラッド層に重ねて配置されたpドープクラッド層、(d)nドープクラッド層とpドープクラッド層の間に配置された少なくとも1つの活性層を有する、半導体レーザの実施形態。クラッド層の内の少なくとも一方は、全体構造の総格子不整合歪が40nm%をこえないような組成を有する、AlInGaN/GaN,AlInGaN/AlGaN,AlInGaN/InGaNまたはAlInGaN/AlNの超構造を含む。
Description
本出願は2011年2月28日に出願された米国仮特許出願第61/447245号の優先権の恩典を主張する。
本開示は全般には光電子半導体デバイスに関し、さらに詳しくはインジウム(In)含有クラッド層を有するGaN系半導体レーザに関する。
GaN系レーザはGaN基板の極性面上に成長させることが多く、このため発光に必要な電子−正孔再結合を妨げ得る強い内部電界が生じる。しかし、緑色スペクトル範囲において発光するLD(レーザダイオード)のためのc−面高品質QW(量子井戸)上の成長は、QW構造及び成長許容範囲の要件が非常に厳しく(例えば許容範囲が狭く)、また独特な装置が必要であることから、挑戦的課題である。
GaN基板は、かなり弱い内部電界を生じ、より少ない結晶成長上の困難で発光波長を緑色領域まで拡げることができる、高濃度のインジウム(In)を含有する高品質活性領域(c−面に沿ってスライスされた基板上の量子井戸に比較して高品質の量子井戸)を可能にする、半極性結晶面に沿ってスライスすることもできる。そのような基板は、バルク厚(例えば100nmより厚く、例えば1μm以上)のAlGaNあるいはAlGaInNのn型クラッド層及びp型クラッド層とともに用いて、緑色レーザを形成することができる。しかし、バルクAlGaN層をそのようなクラッド層上に成長させるときに、それらのクラッド層は、クラッド層の歪−厚さ積が十分に高い場合に基板に貫通転位が存在すれば、滑りによって緩和する傾向がある。さらに、これらの層には歪を解放するためにクラックを生じる傾向がある。これは、層内に光を閉じ込めるに十分に厚い導波路を形成するための要件によって規定される、厚い層が必要であるためにおこる。クラッド層の歪−厚さ積が(層内に光を閉じ込めるために)臨界値をこえると、ミスフィット転位が生じるようである。
AlGaInNクラッド層は、インジウム原子が、緩和を防止し、したがってミスフィット転位を妨げる傾向がある、クラッド層と基板の間の良好な格子整合を可能にするから、半極性結晶面に沿ってスライスされたGaN基板とともに用いることもできる。しかし、高伝導p型バルクAlGaInNクラッド層は、これらの層にインジウム(In)を導入するためには低成長温度(800℃未満)が必要とされることから成長させることが困難である。さらに、それぞれの組成のバルクAlGaInN層に対する特定の成長条件が確立されなければならず、これには多くの成長実験が必要であり、これは製造コストに加わる。
本明細書に挙げられているかまたは説明されているいずれの参考文献も従来技術を構成するとは認められていない。出願人は挙げられたいずれの文献の正確性及び適切性にも異議を申し立てる権利を明白に保持する。
本開示の一実施形態は、
(a)GaN,AlGaN,InGaNまたはAlNの基板、
(b)基板に重ねて配置されたnドープクラッド層、
(c)nドープクラッド層に重ねて配置されたpドープクラッド層、
(d)nドープクラッド層とpドープクラッド層の間に配置された少なくとも1つの活性層、
を有し、
クラッド層の内の少なくとも一方はインジウムを含有し、四元/二元、三元/二元及び/または四元/三元のサブレイヤーの超構造を有する、
半導体レーザに関する。
(a)GaN,AlGaN,InGaNまたはAlNの基板、
(b)基板に重ねて配置されたnドープクラッド層、
(c)nドープクラッド層に重ねて配置されたpドープクラッド層、
(d)nドープクラッド層とpドープクラッド層の間に配置された少なくとも1つの活性層、
を有し、
クラッド層の内の少なくとも一方はインジウムを含有し、四元/二元、三元/二元及び/または四元/三元のサブレイヤーの超構造を有する、
半導体レーザに関する。
いくつかの実施形態にしたがえば、
(i)基板に対するクラッド層の超構造全体の総格子不整合歪は40nm%をこえない、及び/または
(ii)少なくとも一方のクラッド層の下側に配置された半導体レーザ構造の総格子不整合歪は40nm%をこえない、及び/または
(iii)いずれか高い側のクラッド層の下側に配置された半導体レーザ構造の総格子不整合歪は40nm%をこえない、及び/または
(iv)半導体レーザ構造の総格子不整合歪は40nm%をこえない。
(i)基板に対するクラッド層の超構造全体の総格子不整合歪は40nm%をこえない、及び/または
(ii)少なくとも一方のクラッド層の下側に配置された半導体レーザ構造の総格子不整合歪は40nm%をこえない、及び/または
(iii)いずれか高い側のクラッド層の下側に配置された半導体レーザ構造の総格子不整合歪は40nm%をこえない、及び/または
(iv)半導体レーザ構造の総格子不整合歪は40nm%をこえない。
例えば、一実施形態にしたがえば、レーザは、
(a)GaN,AlGaN,InGaNまたはAlNの基板、
(b)基板に重ねて配置されたnドープクラッド層、
(c)nドープクラッド層に重ねて配置されたpドープクラッド層、
(d)nドープクラッド層とpドープクラッド層の間に配置された少なくとも1つの活性層、
を有し、
クラッド層の内の少なくとも一方は、AlInGaN/GaN,AlInN/GaN,AlInGaN/AlGaN,AlInGaN/InGaNまたはAlInGaN/AlNの超構造を有し、これらの組成は超構造全体の総格子不整合歪が40nm%をこえないように選ばれている。
(a)GaN,AlGaN,InGaNまたはAlNの基板、
(b)基板に重ねて配置されたnドープクラッド層、
(c)nドープクラッド層に重ねて配置されたpドープクラッド層、
(d)nドープクラッド層とpドープクラッド層の間に配置された少なくとも1つの活性層、
を有し、
クラッド層の内の少なくとも一方は、AlInGaN/GaN,AlInN/GaN,AlInGaN/AlGaN,AlInGaN/InGaNまたはAlInGaN/AlNの超構造を有し、これらの組成は超構造全体の総格子不整合歪が40nm%をこえないように選ばれている。
本開示の別の実施形態は、
(i)GaN,AlGaN,InGaNまたはAlNの基板、
(ii)基板に重ねて配置されたnドープクラッド層、
(iii)nドープクラッド層に重ねて配置されたpドープクラッド層、
(iv)nドープクラッド層とpドープクラッド層の間に配置された少なくとも1つの活性層、
を有し、
クラッド層の内の少なくとも一方は、
(a)AlInGaN/GaN,AlInN/GaN,AlInGaN/AlGaN,AlInGaN/InGaN,AlInGaN/AlNの、インジウムを含有する超格子構造、または
(b)AlInN/GaN三元/二元超構造、
を有する。
(i)GaN,AlGaN,InGaNまたはAlNの基板、
(ii)基板に重ねて配置されたnドープクラッド層、
(iii)nドープクラッド層に重ねて配置されたpドープクラッド層、
(iv)nドープクラッド層とpドープクラッド層の間に配置された少なくとも1つの活性層、
を有し、
クラッド層の内の少なくとも一方は、
(a)AlInGaN/GaN,AlInN/GaN,AlInGaN/AlGaN,AlInGaN/InGaN,AlInGaN/AlNの、インジウムを含有する超格子構造、または
(b)AlInN/GaN三元/二元超構造、
を有する。
いくつかの実施形態にしたがえば、基板はGaNであり、クラッド層の内の少なくとも一方はインジウム含有周期構造(例えば四元/二元超構造)である。いくつかの実施形態にしたがえば、基板はGaNであり、n型クラッド層はAlInGaN/GaNの超格子構造である。
本開示の特定の実施形態はGaN基板の(2021)結晶面上の成長に関し、この場合、GaN基板は(2021)結晶成長面を定めると言い表すことができる。
さらなる特徴及び利点は以下の詳細な説明に述べられ、ある程度は、当業者には、その説明から容易に明らかであろうし、あるいは記述及び添付される特許請求の範囲に、また
添付図面にも、説明されるように実施形態を実施することによって認められるであろう。
添付図面にも、説明されるように実施形態を実施することによって認められるであろう。
上記の全般的説明及び以下の詳細な説明がいずれも例示に過ぎず、特許請求の範囲の本質及び特質を理解するための概要または枠組みの提供が目的とされていることは当然である。
添付図面はさらに深い理解を提供するために含められ、本明細書に組み入れられて、本明細書の一部をなす。図面は1つ以上の実施形態を示し、記述とともに様々な実施形態の原理及び動作の説明に役立つ。
開示される方法及び組成に用いることができるか、開示される方法及び組成とともに用いることができるか、開示される方法及び組成の作製に用いることができるか、または、開示される方法及び組成の製品である、材料、化合物、組成物または成分が開示される。上記及びその他の材料が本明細書に開示され、これらの材料の組合せ、サブセット、相互作用、グループ、等が開示される場合、様々な個々のまたは総括的な組合せ及び置換のそれぞれの特定の言及は明示的にはなされないが、それぞれは本明細書において特に考えられ、説明されることは当然である。したがって、一類の置換基A,B及びCが開示され、一類の置換基D,E及びFと組合せ実施形態の一例、A−Dも開示されていれば、それぞれは個々に及び総括的に考えられている。すなわち、この例において、組合せA−E,A−F,B−D,B−E,B−F,C−D,C−E及びC−Fのそれぞれが具体的に考えられ、A,B及びC,D,E及びF,及び組合せ例A−Dの開示により開示されていると見なされるべきである。この概念は、開示される組成物の作製及び使用の方法における組成物のいずれの成分及び工程も含むがこれらには限定されない、本開示の実施形態の全てに適用される。すなわち、実施することができる様々な付加工程があれば、これらの付加工程のそれぞれは開示される方法のいずれの特定の実施形態あるいは実施形態の組合せとともに実施することができ、そのようの組合せのそれぞれは具体的に考えられ、開示されていると見なされるべきである。
さらに、範囲のそれぞれの端点は、他方の端点との関連においても、他方の端点とは独立にも、有意であることは理解されるであろう。
[定義]
超構造:超構造は、層厚が紫外から緑色の範囲の光の波長に比較して小さい(60nm以下)、少なくとも2つの異なる材料の交互する層の構造である。超構造は周期的または非周期的であり得る。
超構造:超構造は、層厚が紫外から緑色の範囲の光の波長に比較して小さい(60nm以下)、少なくとも2つの異なる材料の交互する層の構造である。超構造は周期的または非周期的であり得る。
超格子:超格子は、層厚が、4nm以下の層厚のように、材料内の電子及び正孔の波長と同等である、少なくとも2つの異なる材料の交互する層の構造(超構造)である。超格子構造は周期的または非周期的であり得る。
屈折率コントラスト:クラッド層と導波路層の間の屈折率コントラストは、動作波長λにおける、クラッド層の平均屈折率ncと導波路層の平均屈折率nwの間の差(すなわちΔ=|nc−nw|)であり、λは約530nm(500nm≦λ≦565nm)である。例えば、クラッド層の平均屈折率ncはΣniLi/ΣLiであり、ここで、クラッド層は複数のサブレイヤーからなり、iはクラッド層内のサブレイヤー番号に対応する整数であり、niは与えられたサブレイヤーの屈折率であり、Liは与えられたサブレイヤーの厚さである。
半導体レーザのいくつかの実施形態は、
(a)GaN,AlGaN,InGaNまたはAlNの基板、
(b)基板に重ねて配置されたnドープクラッド層、
(c)nドープクラッド層に重ねて配置されたpドープクラッド層、及び
(d)nドープクラッド層とpドープクラッド層の間に配置された少なくとも1つの活性層、
を有する。クラッド層の内の少なくとも一方は、インジウムを含有し、交互する薄い(それぞれが60nm以下の、例えば、50nm,45nm,40nm,35nm,30nm,25nm,20nm,ないしさらに薄い)サブレイヤーの,周期的または非周期的な構造を形成する、構造を有する。例えば、クラッド層の内の少なくとも一方は、インジウム(In)を含有する、超構造及び/または超格子構造とすることができる。例えば、クラッド層の内の少なくとも一方は、インジウム(In)を含有する、四元/二元、三元/二元または四元/三元の超構造または超格子構造とすることができる。
(a)GaN,AlGaN,InGaNまたはAlNの基板、
(b)基板に重ねて配置されたnドープクラッド層、
(c)nドープクラッド層に重ねて配置されたpドープクラッド層、及び
(d)nドープクラッド層とpドープクラッド層の間に配置された少なくとも1つの活性層、
を有する。クラッド層の内の少なくとも一方は、インジウムを含有し、交互する薄い(それぞれが60nm以下の、例えば、50nm,45nm,40nm,35nm,30nm,25nm,20nm,ないしさらに薄い)サブレイヤーの,周期的または非周期的な構造を形成する、構造を有する。例えば、クラッド層の内の少なくとも一方は、インジウム(In)を含有する、超構造及び/または超格子構造とすることができる。例えば、クラッド層の内の少なくとも一方は、インジウム(In)を含有する、四元/二元、三元/二元または四元/三元の超構造または超格子構造とすることができる。
これらの実施形態にしたがえば、クラッド層は以下のサブレイヤー対、AlInGaN/GaN,AlInN/GaN,AlInGaN/AlGaN,AlInGaN/InGaNまたはAlInGaN/AlNの内の少なくとも一方、あるいはこれらの対の組合せを含むことができる。
例えば、いくつかの実施形態において、クラッド層の内の少なくとも一方は、インジウムを含有する、四元/二元、四元/三元または三元/二元の超格子構造を有し、基板に対するこのクラッド層の全体構造の総格子不整合歪は40nm%をこえない。少なくともいくつかの実施形態において、このクラッド層の全体構造の総格子不整合歪は35nm%をこえない(例えば約30nm%以下である)。
実施形態の内の少なくともいくつかにしたがえば、(基板に対する)レーザの全体構造の総格子不整合歪は40nm%をこえないことが好ましい。少なくともいくつかの実施形態において、レーザの全体構造の総格子不整合歪は35nm%をこえない(例えば約30nm%以下である)。
また、実施形態の内の少なくともいくつかにしたがえば、与えられたいずれの層の下側に配置されたレーザ構造の総格子不整合歪も40nm%をこえないことが好ましい。実施形態の内の少なくともいくつかにしたがえば、与えられたいずれかの層の下側に配置されたレーザ構造の総格子不整合歪も35nm%をこえない(例えば約30nm%以下である)ことが好ましい。
実施形態の内の少なくともいくつかにしたがえば、Inを含有し、交互する(例えば周期構造の)、AlInGaN/GaN,AlInN/GaN,AlInGaN/AlGaN,AlInGaN/InGaNまたはAlInGaN/AlN(あるいはこれらの対の組合せ)を含む、クラッド層の内の少なくとも一方は、クラッド層の全体構造の総格子不整合歪が40nm%をこえないような組成を有することが好ましい。
いくつかの実施形態にしたがえば、基板はGaNであり、少なくとも一方のクラッド層は超格子(SL)構造とすることができる四元/二元超構造である。例えば、いくつかの実施形態にしたがえば、基板がGaNであり、n−クラッド層がAlInGaN/GaNの超格子構造である。本開示の特定の実施形態の内の少なくともいくつかは、GaN基板の半極性面上、例えばGaN基板の(2021)結晶面上の成長に関し、この場合GaN基板は(2021)結晶成長面を定めると言い表すことができる。あるいは、GaN基板の他の半極性面、例えば以下の結晶成長面(1122),(1122),(2021),(2021),(3031),または(3031)にあるかまたはこれらの10°以内にある、半極性面を用いることもできる。半導体レーザは、好ましくは500nm≦λ≦565nm,さらに好ましくは510nm≦λ≦540nmの、動作波長λにおいて発光するように構成される。
図1に示される実施形態を総合的に参照すれば、本開示にしたがう一例のGaN端面発光レーザ100は、必要に応じて設けられるバッファ層15,活性領域20,n側導波路層30,p側導波路層40,n型クラッド層50,及び(本明細書において、pドープクラッド層またはp側クラッド層とも称される)p型クラッド層60,及び必要に応じて設けられる正孔遮断層65を有する。(2021)またはその他の半極性結晶成長面を定めることができる、GaN基板10は、ほぼ1×106/cm2のオーダーの、すなわち、1×105/cm2より高いが1×107/cm2より低い、貫通転位密度を有することができる。あるいは、GaN基板10は1×102/cm2と1×105/cm2の間の転位密度を有することができる。図1に示されるように、活性領域20はn側導波路層30とp側導波路層(WG)40の間に挟み込まれ、n側導波路層30及びp側導波路層(WG)40に実質的に平行に拡がる。(本明細書において、nドープクラッド層またはn側クラッド層とも称される)n型クラッド層50はn側導波路層(WG)30とGaN基板10の間に挟み込まれる。p型クラッド層60はp側導波路層10に重ねて形成される。本開示にしたがう、一例のGaN端面光レーザ100は、例えば、p側導波路層40とp型クラッド層60の間及び/またはn側導波路層30とn型クラッド層50の間に配置することができる、少なくとも1つのスペーサ層80,70も有することができる。例えば、MQW層20とp側導波路層40の間に、電子遮断層(EBL)90も存在し得る。最後に、図1の実施形態において、n側スペーサ層70はn型クラッド層50とn側導波路層30の間に配置され、p側スペーサ層80はp側導波路層40とp型クラッド層60の間に配置される。金属層11(p側)及び14(n側)がそれぞれ、p型クラッド層60の上側及び基板層10の下側に存在する。
技術上十分に文書で説明されている、マシュー−ブレイクスリー(Matthew-Blakeslee)平衡理論は、ミスフィット転位の発生に対する、歪をもつヘテロエピタキシャル層の臨界厚の推定値を与える。理論によれば、ミスフィット転位発生による緩和は、層厚がマシュー−ブレイクスリー臨界層厚をこえるとおこる。この厚さと層内の歪の数学的積は本明細書において層の歪−厚さ積と称される。出願人等は層に対する歪厚さ積が40nm%をこえるべきではないことが好ましく、30nm%をこえるべきではないことがさらに好ましいことを見いだした。モード誘導には屈折率コントラストが高いほど望ましく、クラッド層がAlを含有していると、Al濃度が高くなるとともに、クラッド層と最近接導波路層の間の屈折率コントラストが高くなる。したがって、これらの実施形態の内の少なくともいくつかにしたがえば、クラッド層と最近接導波路層の間の平均屈折率コントラストは少なくとも0.01(少なくともいくつかの実施形態にしたがえば、好ましくは0.02〜0.03)であり、基板に対するレーザの全体構造の総格子不整合歪は40nm%をこえない。レーザの全体構造の総格子不整合歪は35nm%をこえないことが好ましく、30nm%より大きくはないことがさらに好ましい。
例えば、GaN半導体レーザ100の一実施形態は、n型クラッド層50として、交互する7.7nmAlGaInNサブレイヤーと23nmGaNサブレイヤーの(すなわち7.7nmAlGaInN/23nmGaNの)超構造(SS)を、またp型クラッド層60には、交互する2.5nmAlGaNサブレイヤーと7.5nmGaNサブレイヤーの(すなわち2.5nmAlGaN/7.5nmGaNの)超構造(SS)を用いることができる。クラッド層50,60のAlGaInN組成は、例えば、336nmにあるフォトルミネセンス発光ピークを与え、同時に、a−結晶方位に沿うGaNへの格子整合を与えるように、選ばれる。この実施形態において、導波路層30及び40は、交互する(それぞれ)2nm厚のGaInNサブレイヤーと(それぞれ)4nm厚のGaNサブレイヤー(例えば、2nmGa0.88In0.12N/4nmGaN)の超格子(SL)を含む。この実施形態に対し、クラッド層50,60と最近接導波路層30及び40の間の平均屈折率コントラストは約0.025である。
総合して、n−クラッド層とp−クラッド層の平均屈折率は同じであってはならない。いくつかの設計に対し、n−クラッド層の屈折率は(AlInGaN材料内のAlInNの分率を高めることによって)低くなっていることが好ましい。n−クラッド層により屈折率コントラストを強くすれば、基板への光モードの漏洩の最小化が可能になる。光漏洩の最小化により、光損失を最小化することができ、良好なファーフィールドパターンを保証することができる。
様々な実施形態は、以下の実施例によってさらに明確に説明されるであろう。
実施例1
GaN半導体レーザのこれらの実施形態例においては、AlGaInN/GaNの超構造(SS)及び/または超格子構造(SLS)がn型クラッド層50及びp型クラッド層60に、n型クラッド層50とp型クラッド層60の間に挟み込まれた多重量子井戸(MQW)を有する活性層20とともに、用いられる。これらの実施形態の活性層20は、例えば、GaInN/GaN/AlGAInNを含む。さらに、これらの実施形態には、n−AlGaInN/n−AlGaNまたはn−AlGaNまたはこれらの組合せを含む、n側正孔遮断層65及び,例えば、p−AlGaNまたはp−AlGaN/p−AlGaInNまたはp−AlGaN/p−AlGaInNを含む、p側正孔遮断層90も用いられる。
GaN半導体レーザのこれらの実施形態例においては、AlGaInN/GaNの超構造(SS)及び/または超格子構造(SLS)がn型クラッド層50及びp型クラッド層60に、n型クラッド層50とp型クラッド層60の間に挟み込まれた多重量子井戸(MQW)を有する活性層20とともに、用いられる。これらの実施形態の活性層20は、例えば、GaInN/GaN/AlGAInNを含む。さらに、これらの実施形態には、n−AlGaInN/n−AlGaNまたはn−AlGaNまたはこれらの組合せを含む、n側正孔遮断層65及び,例えば、p−AlGaNまたはp−AlGaN/p−AlGaInNまたはp−AlGaN/p−AlGaInNを含む、p側正孔遮断層90も用いられる。
上で論じたように、構造1に対応する一例のGaNレーザはAlGaInN/GaN超構造(SS)を含むクラッド層を用いることができる。これは、ミスフィット転位形成を回避するための、面(基板面に平行な面)内の一方向における(基板に対する)格子整合及び直交方向(すなわち、その面内で、上記一方向に直交する方向)での歪最小化を可能にする。GaNに(一方向において)格子整合されるGaN及びAlInNのいかなる組成も、所望の屈折率(したがって導波路層との所望の屈折率コントラスト)を得るため、AlGaInN含有クラッド層に用いられ得る。しかし、AlInN濃度が高くなるほど電気伝導度が低下する傾向があるから、低屈折率(すなわち、AlGaN濃度を高めるためのより多くのAl)または高電気伝導度(すなわちAlGaN濃度を低めるためのより少ないAl)の間で選択することになろう。すなわち、屈折率コントラストと伝導度sの間のトレードオフのため、レーザに対する仕様要件に基づいて、屈折率コントラストと伝導度の最適な組合せの中から選択することができる。さらに、AlGaInN/GaN超構造を含むクラッド層の平均屈折率はGaNサブレイヤー厚に対するAlGaInNサブレイヤー厚の比の適切な選択によって制御することができる。クラッド層内のGaNサブレイヤー厚に対するAlGaInNサブレイヤー厚の比は1:2〜1:4,例えば、1:2.5〜1:3.5または1.28〜1.36であることが好ましい。クラッド層を形成する超構造におけるAlGaInNサブレイヤーとGaNサブレイヤーに対する厚さの例は、それぞれ約7〜10nm(AlGaInN)と約20〜24nm(GaN)、またはそれぞれ約2〜3nm(AlGaInN)と約7〜10nm(GaN)である。いくつかの実施形態において、AlGaInN層の組成は室温(22℃)において336nmのフォトルミネセンス発光波長を与えるように選ばれる。しかし、フォトルミネセンス発光波長は、全体設計に依存して、より短くまたはより長く(例えば、330nm、340nmまたは350nmに)することができ、層厚及び層厚比は所望に応じて変えることができる。そのような超構造は成長パラメータにより大きな自由度を与え、これはクラッド層の結晶品質の向上に役立つ。(注:短いフォトルミネセンス(PL)発光波長は低屈折率に対応し、長いフォトルミネセンス発光波長は高屈折率に対応する。フォトルミネセンス発光波長はバンドギャップの指標であり−大きなバンドギャップは短いフォトルミネセンス発光波長に対応する−、屈折率はバンドギャップの関数であり、大きなバンドギャップは低屈折率に対応する。)したがって、フォトルミネセンス発光波長はクラッド層と導波路層の間に必要な屈折率コントラストに基づいて選ぶことができる。
さらに詳しくは、構造1にしたがう実施形態例の少なくともいくつかは以下に示される層を有する。
上の表において、‘TH’は与えられた層の総厚(すなわち、対応するサブレイヤーの厚さの総和)を表し、xは1未満の正整数であり、yは1未満の正整数またはゼロであって、p+記号は、層にp側伝導度を与えるためにMg,BeまたはZnのようなアクセプタがヘビードープされていることを示す。例えば、Mgが用いられれば、p側コンタクト層12内のMgの量は少なくとも1018/cm3(例えば、1019/cm3,1020/cm3)であることが好ましい。p++記号は、p+層に関わる層より強くアクセプタがヘビードープされていることを示す(+符号は層が比較的高いp型ドーパント濃度を有することを意味する。+符号が多くなるほど、他の層に対する、p型ドーパントのレベルが高くなる)。n側アクセプタドーパントの例には(例えば2×1018〜5×1018/cm3の量の)Si及び/またはGeがある。
少なくともいくつかの実施形態にしたがえば、構造1にしたがうGaNレーザの実施例のクラッド層50及び60内のAl,In及びGaに対する濃度は、Alが8〜82モル%、Gaが0〜90モル%、Inが2〜18モル%である。例えば、いくつかの実施形態において、Alの量は20.8モル%、Gaの量は74.64モル%、Inの量は4.56モル%である。別の実施形態において、Alの量は82モル%、Gaの量は0モル%(すなわちGaは存在しない)、Inの量は約18モル%である。クラッド層50及び60の構造が同じである必要はない(すなわち、層50に対応するxとyの数値が層60に対応するxとyの数値と同じである必要はない)ことに注意されたい。
以下の表1は構造1に対応する第1の実施形態例の構造パラメータを与える。この実施形態は図1に示される。
実施例2
これらの実施形態においては、n側クラッド層50に比較して、p側クラッド層60にはインジウムが全くまたはごく僅か(0.5モル%未満)しか用いられていない。このため、実施例2の実施形態は実施例1の実施形態より高い伝導度を与える。p側のより高い伝導度は、その層にかけての電圧降下を低下させるから、有益である。(以下に示す)構造2は実施例2の実施形態の構造パラメータの例を与える。構造2の実施形態も図1に対応する。構造2にしたがう実施形態の例は、n側(n型クラッド層50)にAlGaInN/GaN層(超構造または超格子構造)を用い、p側(すなわちp型クラッド層60)にAlGaN/GaN層(超構造または超格子構造)を用いる。
これらの実施形態においては、n側クラッド層50に比較して、p側クラッド層60にはインジウムが全くまたはごく僅か(0.5モル%未満)しか用いられていない。このため、実施例2の実施形態は実施例1の実施形態より高い伝導度を与える。p側のより高い伝導度は、その層にかけての電圧降下を低下させるから、有益である。(以下に示す)構造2は実施例2の実施形態の構造パラメータの例を与える。構造2の実施形態も図1に対応する。構造2にしたがう実施形態の例は、n側(n型クラッド層50)にAlGaInN/GaN層(超構造または超格子構造)を用い、p側(すなわちp型クラッド層60)にAlGaN/GaN層(超構造または超格子構造)を用いる。
先に説明した実施例1の実施形態におけるように、必要に応じて設けられる正孔遮断層65,例えばn−AlGaInNまたはn−AlGaNが実施例2の実施形態にも用いられる。構造2にしたがうGaN系半導体レーザの実施形態例の少なくともいくつは以下に示される層を有する。
上の表において、‘TH’は与えられた層の総厚(すなわち、対応するサブレイヤーの厚さの総和)を表し、xは1未満の正整数であり、yは1未満の正整数またはゼロであって、p+記号は、層にp側伝導度を与えるためにMg,BeまたはZnのようなアクセプタがヘビードープされていることを示す。
少なくともいくつかの実施形態にしたがえば、構造2にしたがう実施例のクラッド層50に対するAl,In及びGaについての範囲は、Alが8〜82モル%、Gaが0〜90モル%、Inが2〜18モル%である。例えば、いくつかの実施形態において、Alの量は20.8モル%、Gaの量は74.64モル%、Inの量は4.56モル%である。別の実施形態において、クラッド層50内の、Alの量は82モル%、Gaの量は0モル%(すなわちGaは存在しない)、Inの量は約18モル%である。
以下に示される表2Aは構造2(第2の実施形態例)に対応する一実施形態例の構造パラメータを与える。
構造2に対応するGaNレーザはAlGaInN/GaN超構造(SS)を含む少なくとも一方のクラッド層、例えばn型クラッド層50を用いることができる。これは、ミスフィット転位形成を回避するための、一方向における格子整合及び直交方向における歪最小化を可能にする。GaNに(一方向において)格子整合されるGaN及びAlInNのいかなる適する組成も、所望の屈折率を得るため、AlGaInN含有クラッド層に用いられ得る。しかし、AlInN濃度が高くなるほど電気伝導度が低下する傾向があり、したがって、低屈折率をとるか、または高電気伝導度をとるかを選択しなければならないことになろう。AlGaInN/GaN超構造を含むクラッド層の平均屈折率はGaNサブレイヤー厚に対するAlGaInNサブレイヤー厚の比の選択によって制御することもできる。n側クラッド層50を形成する超構造におけるAlGaInNサブレイヤーとGaNサブレイヤーに対する厚さの例は、それぞれ7〜12nm(例えば10nm)と15〜25nm(例えば20nm)である。いくつかの実施形態において、AlGaInN層の組成は室温(22℃)において336nmのフォトルミネセンス発光波長を与えるように選ばれる。しかし、フォトルミネセンス発光波長は、全体設計及び層厚に依存して、より短くまたはより長く(例えば、330nm、340nmまたは350nmに)することができ、層厚比は所望に応じて変えることができる。そのような超構造は成長パラメータにより大きな自由度を与え、これはクラッド層の結晶品質の向上に役立つ。しかし、出願人等はそのような超構造を有するp側クラッド層を伝導度を高レベルにしてつくることは困難であることを見いだしたから、構造2にしたがう実施例2の実施形態はn側にAlGaInN/GaN超構造、p側にAlGaN/GaN超構造を用いることが好ましい。いくつかの実施形態例において、p側クラッド層の超構造は超格子(SL)構造である。実施例2の実施形態において、p側クラッド層60のAlGaNサブレイヤーとGaNサブレイヤーは超格子(SL)構造を形成し、AlGaNサブレイヤーのAl含有量は10モル%以下(平均Al含有量が2〜9モル%)である。いくつかの実施形態において、p側クラッド層60の超格子構造の個々のサブレイヤーの厚さは約2〜5nm、例えば、それぞれ、2,2.5,3または4nmである。しかし、Al含有量は、設計及びコヒーレンス性の要件に応じて、より多く、またはより少なく、することができる。p側SL(p側クラッド層60)にはインジウムが存在しないから、p側クラッド層60は、良好なp側伝導度を得るため、より高い(800℃より高い)温度、例えば850℃〜1100℃(例えば900〜1000℃)で成長させることができる。一方の側だけに引張歪をもつAlGaN/GaN超格子のp側クラッド層を有することにより、MQW及び導波路層の圧縮歪がp側クラッド層の引張歪を補償するから正味の歪は低められ、ミスフィット転位の形成の回避が可能になる。図2は図1のGaN半導体レーザに対応するレーザ構造のRSM(逆格子空間マップ)を示す。基板ピークを通る垂直線が層のピーク及びサテライトピークを通過し、全ての層が基板とコヒーレントであることを示していることが分かる。構造2に対応するGaNレーザにおいて、出願人等は、500nmより大きい(好ましくは550nm以上で2000nm未満の)層厚を有する、AlGaN/GaN超構造のp側クラッド層60を作製することが好ましいことを見いだした。p側金属コンタクト層11による吸収による光損失を最小限に抑えるかまたは回避するため、p側クラッド層60の厚さは700nmより大きいことが好ましく、800nmまたは850nmより大きい(例えば約1μm厚である)ことがさらに好ましい。p側クラッド層60に対する代表的な厚さ範囲は750nm〜1200nm、例えば800nm〜1100nmである。
さらに詳しくは、紫色スペクトル範囲において発光するGaN系LDに対し、p−クラッド層の幅(厚さ)は一般に(より小さい抵抗を与え、これがより小さい電圧降下をもたらすから)400nm以下であることが知られている。しかし、出願人等は緑色スペクトル範囲で発光するレーザに対しては状況が異なることを見いだした。一般に、動作波長が長くなるほど、導波路層とクラッド層の間の屈折率コントラストが小さくなるから、光閉込めは弱くなる。これは金属層11への光モード進入を強くし、よってこの金属層による光吸収による光損失を大きくする。
以下は所望の屈折率コントラストを得るための設計要件である。InGaN導波路層及び量子井戸における緩和を回避するため、導波路層には限定されたインジウム含有量が用いられるべきである。特定のインジウム含有量は導波路の厚さに依存するが、平均Inモル濃度は10モル%未満であることが好ましく、3〜6モル%であることが好ましい。
また、構造2の実施形態においては、p側クラッド層60内の平均Al濃度も限定される。クラッド層60内の平均Al濃度が10%より高いと、一般に、良好な材料品質及びp−伝導度を達成することは困難である。p側クラッド層60にAlが用いられる場合、平均Al濃度は2〜10モル%であることが好ましく、2〜7モル%(例えば約4〜6モル%)であることがさらに好ましい。
出願人等は、p側金属層11への光進入を減じるための好ましい方法が、p側クラッド層超構造(またはSL)の層厚、すなわちクラッド層60の層厚を大きくすることであることを見いだした。図3は、シミュレーションによる、構造2の実施例に対応する半導体GaNレーザの9つの実施形態の光モード強度及びp側金属層11への光モード進入(光モード進入は図3の垂直破線の左側の曲線部分に対応する)を示す。これらの実施形態は、550nmから950nmまで順次に大きくなるように変えられているp側クラッド層60の厚さを除いて、相互に同様である(構造1に対応する実施形態についても同様の曲線を得ることができる)。さらに詳しくは、図3の垂直線はp−金属層11とp++GaNコンタクト層12の間の界面に対応する。上述したように、垂直破線の左側への曲線は金属層11への光モードの進入に対応する。9つの曲線の垂直線との交点はp側金属層11とp++GaNコンタクト層12の間の界面におけるモード強度の大きさに対応する。好ましくは、この界面におけるモード強度は、1×10−3未満であり、2×10−3未満であることが好ましく、5×10−4以下、例えば2×10−4以下であることがさらに好ましい。図3はクラッド層厚の増大が金属層11への光モード進入の低減に役立つことを示す。例えば、p側の超格子クラッド層厚の550nmから850nmへの増大はp−金属層11への光モード進入を実質的に低減し、したがってp−金属層11における光損失を低減する。図5Aに示されるように、p側クラッド層60の厚さが約850nmである場合、他のp側層の上への金属層11の付加(出願人等の実施例1及び2では金属層11が層12の上に配される)は非常に小さい(Δ<3cm−1,好ましくは<2.5cm−1)内部光損失しか生じさせない。クラッド層厚を、例えば900nmまたは950nmまで(図3を見よ)あるいは、例えば1μmまで(図示せず)大きくすることで、損失のさらなる低減が可能である。図5Bは比較的厚い(この実施例においては850nmの)クラッド層60により小さくされた光損失が、低閾電流の達成に有利であり、(パルス動作に加えて)CWレーザ発振発生の達成にも有利に役立つことを示す(表2Aの構造パラメータを有する2×750μmストライプ素子の閾電流は、パルス動作の下で80mAであり、CW動作の下で130mAである。LDレーザ発振波長は522nmである)。この高性能及び連続CW動作は比較的薄い(550nmないしさらに薄い)p−クラッド層では達成できない。金属層による光損失は、クラッド層厚が550nmまで減じられると大きくなり、この層の厚さが500nmより小さい場合には一層大きくなる。したがって、p側クラッド層60には500nm以上の厚さを用いることが好ましく、p側クラッド層60の厚さは少なくとも550nmであることがさらに好ましく、700nm以上(例えば750nm以上)であることがさらに一層好ましい。p側クラッド層60の厚さは800nm以上であることが最も好ましい。n側クラッド層50の厚さは、例えば1〜2μmとすることができる。
実施例3,表2B
この実施形態例は表2Aに示される構造と同様の構造を有するが、p側クラッド層60が薄くなっている。この構造にしたがう一実施形態例の特定のパラメータが表2Bに与えられる。
この実施形態例は表2Aに示される構造と同様の構造を有するが、p側クラッド層60が薄くなっている。この構造にしたがう一実施形態例の特定のパラメータが表2Bに与えられる。
実施例4,表2C
この実施形態例は表2Bに示される構造と同様の構造を有するが、p側クラッド層60が厚くなっており、n−クラッド層50内のサブレイヤーが厚くなっている。この構造にしたがう一実施形態例の特定のパラメータが表2Cに与えられる。この実施形態例のシミュレーションによる光モードプロファイル及び屈折率プロファイルが図4に示され、図4も良好な光閉込め構造を示す。
この実施形態例は表2Bに示される構造と同様の構造を有するが、p側クラッド層60が厚くなっており、n−クラッド層50内のサブレイヤーが厚くなっている。この構造にしたがう一実施形態例の特定のパラメータが表2Cに与えられる。この実施形態例のシミュレーションによる光モードプロファイル及び屈折率プロファイルが図4に示され、図4も良好な光閉込め構造を示す。
上に論じたように、長波長で発光するIII族元素窒化物LDに対して、光閉込めは一般に、導波路層とクラッド層の間の屈折率が比較的小さいため、弱くなる。このため、p側クラッド層の設計が不適切である(すなわち、屈折率コントラストが不十分である、及び/またはクラッド層の厚さが十分ではない)と、光モードはp側金属層に向けて強く進入する。表2Bに対応する実施例において、p側クラッド層の厚さは表2Aの実施形態のp側クラッド層の厚さより小さく、したがって、p側金属層形成後の光損失は表2Aに対応する実施形態が示す光損失よりも大きい。p−クラッド層60の厚さを895nmから595nmに減じると、結果として、レーザ発振の微分効率が低下し、閾電流レベルが高くなる。これは図6A及び6Bで示される。
p側クラッド層60の厚さがさらに減じられると、p−金属層形成後の光損失はp−金属膜形成前の光損失よりかなり大きくなる。
さらに詳しくは、図6Aは、p−クラッド層60の厚さが比較的小さい(595nm)構造2の実施例に対する、構造のp側にp側金属層11を被着する前の、及び構造の上部にp側金属層11が付加されたときの、光損失を示す。p−クラッド層60の厚さが895nmから595nmに減じられた結果として、図6Bに示される光出力パワー対電流のグラフに見られるように、レーザ発振動作の微分効率が低下し、閾値電流が増大した。リッジ寸法が2×750μmの素子の閾電流は、パルス動作の下で140mAであり、CWレーザ発振は達成されなかった。
比較例
表3は対照GaNレーザの構造パラメータを与える。このレーザはn側クラッド層またはp側クラッド層のいずれにもインジウムを用いていない。表3の比較例はAlGaNまたはAlGaN/GaN超格子(SL)構造のクラッド層を用いる。半極性基板上に緑色スペクトル範囲にあるレーザを作製するためにそのようなクラッド層が用いられる場合、ミスフィット転位発生を防止することは困難であり、この結果総歪−厚さ積が限界をこえるため、低品質のMQW(多重量子井戸)しか得られない(これはAlGaNがGaNに格子整合されないためにおこる。出願人等の実施形定例は格子定数をGaNの格子定数に近づけるため、インジウムを用いている)。
表3は対照GaNレーザの構造パラメータを与える。このレーザはn側クラッド層またはp側クラッド層のいずれにもインジウムを用いていない。表3の比較例はAlGaNまたはAlGaN/GaN超格子(SL)構造のクラッド層を用いる。半極性基板上に緑色スペクトル範囲にあるレーザを作製するためにそのようなクラッド層が用いられる場合、ミスフィット転位発生を防止することは困難であり、この結果総歪−厚さ積が限界をこえるため、低品質のMQW(多重量子井戸)しか得られない(これはAlGaNがGaNに格子整合されないためにおこる。出願人等の実施形定例は格子定数をGaNの格子定数に近づけるため、インジウムを用いている)。
さらに詳しくは、半極性基板上の緑色波長範囲におけるレーザ発振を達成するため、表3の対照レーザ設計は、厚い、n側AlGaNまたはn−AlGaN/GaN(SL)のクラッド層及びAlGaNまたはAlGaN/GaN SL層のp側クラッド層を用いる。この対照レーザ構造では、ミスフィット転位が生じ、n側クラッド層の引張歪が入っているAlGaNまたはAlGaN/GaN超格子(SL)構造の緩和による、MQW活性領域の欠陥及び劣化がおこり得る。例えば、図7は、n側n−AlGaNクラッド層及びp側p−AlGaN/p−GaNクラッド層を用いる、表3のレーザ構造の逆格子空間マップ(RSM)を示す。図7は層ピーク及びサテライトピークが基板ピークを通過する垂直線上に乗らないことを示す。これは、図1に対応するレーザの実施形態のそれとは異なり、表3の対照レーザ内の層の面内格子定数が基板の格子定数と異なることを示し、したがってクラッド層の緩和を示す。
別途に明白に言明されない限り、本明細書に述べられるいずれの方法もその工程が特定の順序で実施されることが必要であると解されるつもりは全く無い。したがって、方法請求項が、その工程がしたがうべき順序を挙げていないか、または工程が特定の順序に限定されるべきであることを特許請求項または説明の中で別途に特に言明していない場合は、いかなる特定の順序も推定されることは全く考えていない。
本発明の精神または範囲を逸脱することなく様々な改変及び変形がなされ得ることが当業者には明らかであろう。本発明の精神または本質を組み入れている開示された実施形態の改変、組合せ、準組合せ及び変形が当業者に思い浮かび得るから、本発明は添付される特許請求項及びそれらの等価形態の範囲内に全てが含まれると解されるべきである。
10 半極性GaN基板
11 p側金属層
12 p++GaNコンタクト層
14 n側金属層
15 バッファ層
20 活性領域(MQW層)
30 n側導波路層
40 p側導波路層
50 n型クラッド層
60 p型クラッド層
65 正孔遮断層
70 n側スペーサ層
80 p側スペーサ層
90 電子遮断層
100 GaN端面発光レーザ
11 p側金属層
12 p++GaNコンタクト層
14 n側金属層
15 バッファ層
20 活性領域(MQW層)
30 n側導波路層
40 p側導波路層
50 n型クラッド層
60 p型クラッド層
65 正孔遮断層
70 n側スペーサ層
80 p側スペーサ層
90 電子遮断層
100 GaN端面発光レーザ
Claims (6)
- 半導体レーザにおいて、
(a)GaN,AlGaN,InGaNまたはAlNの基板、
(b)前記基板に重ねて配置されたnドープクラッド層、
(c)前記nドープクラッド層に重ねて配置されたpドープクラッド層、及び
(d)前記nドープクラッド層と前記pドープクラッド層の間に配置された少なくとも1つの活性層、
を有し、
前記クラッド層の少なくとも一方がインジウムを含有し、四元/二元、三元/二元及び/または四元/三元のサブレイヤーの超構造を有する、
ことを特徴とする半導体レーザ。 - インジウムを含有し、四元/二元、三元/二元及び/または四元/三元のサブレイヤーの超構造を有する、前記少なくとも一方のクラッド層が、
(i)前記基板に対する前記クラッド層の超構造全体の総格子不整合歪が40nm%をこえない、及び/または
(ii)前記少なくとも一方のクラッド層の下側に配置された前記半導体レーザ構造の総格子不整合歪が40nm%をこえない、及び/または
(iii)いずれか高い側のクラッド層の下側に配置された前記半導体レーザ構造の総格子不整合歪が40nm%をこえない、及び/または
(iv)前記半導体レーザ構造の総格子不整合歪が40nm%をこえない、
ような形状寸法及び組成を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。 - 前記少なくとも一方のクラッド層が超格子構造を有し、以下のサブレイヤー対、(i)AlInGaNとGaN,(ii)AlInGaNとAlGaN,(iii)AlInGaNとInGaN,(iv)AlInGaN/AlN,(v)AlInN/GaNまたはこれらの組合せの内の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。
- 請求項1に記載の半導体レーザにおいて、
(i)インジウムを含有し、四元/二元、三元/二元及び/または四元/三元のサブレイヤーの超構造を有する、前記クラッド層の内の前記少なくとも一方が、n型クラッド層である、及び/または
(ii)前記p型クラッド層及び前記n型クラッド層がいずれもインジウムを含有する、
ことを特徴とする半導体レーザ。 - 前記少なくとも一方のクラッド層がAlInGaN/GaN周期構造を有し、他方のクラッド層が(i)AlGaN/GaN超格子、または(ii)GaNバルク材料であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。
- 前記基板がウルツァイト型結晶の半極性面を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。
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