CN106207754A - 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法 - Google Patents

一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106207754A
CN106207754A CN201610833227.3A CN201610833227A CN106207754A CN 106207754 A CN106207754 A CN 106207754A CN 201610833227 A CN201610833227 A CN 201610833227A CN 106207754 A CN106207754 A CN 106207754A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
gan
superlattices
pin
pal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610833227.3A
Other languages
English (en)
Inventor
马旺
王成新
徐现刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd filed Critical Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN201610833227.3A priority Critical patent/CN106207754A/zh
Publication of CN106207754A publication Critical patent/CN106207754A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34346—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser characterised by the materials of the barrier layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法，该外延结构自下至上依次包含衬底、成核层、高温GaN层、n型GaN/AlGaN超晶格光限制层、n型波导层、发光层、pAlxGa1‑xN/pInyGa1‑yN超晶格电子阻挡层、P型GaN波导层、P型GaN/AlGaN超晶格光限制层和表面欧姆接触层；其生长方法是在衬底上依次生长所述各层，pAlxGa1‑xN/pInyGa1‑yN超晶格电子阻挡层生长压力为80torr‑260torr，生长温度800℃‑1000℃。本发明采用pAlGaN/pInGaN超晶格电子阻挡层，通过pInGaN层生长引入的张应力缓解pAlGaN层生长引入的压应力，有利于pAlGaN层的生长，又能改善pAlGaN层带来的能带结构变化，从而改善和解决电子积聚和电子泄露问题，能够提高pAlGaN层的折射率。

Description

一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法
技术领域
本发明涉及一种氮化镓基激光器的外延结构及其生长方法，用于改善和解决氮化镓基激光器产品电子积聚和电子泄露问题，同时可以达到降低激光在n型限制层和P型限制层之间内往返折射时激光器内部的光损失，提高激光器(LD)产品的性能的作用，属于激光器(LD)制备技术领域。
背景技术
宽禁带半导体是继硅和砷化镓之后的第三代半导体材料，近年来越来越受到人们的重视，目前广泛研究的主要包含了III-V族与II-VI化合物半导体材料、碳化硅(SiC)和金刚石薄膜等，在蓝绿光、紫外光LED、LD、探测器和微波功率器件等方面获得了广泛的应用。由于其优良的特性和广泛的应用，受到广泛的关注。特别是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中的氮化镓(GaN)材料，由于其在半导体照明应力的商业化应用，成为了当今全球半导体领域的研究热点。
Ⅲ族氮化物材料包含AlN、GaN、InN和它们的合金，通过控制其组份，可使其禁带宽度从InN的0.9eV至AlN的6.2eV连续变化，对应的波长范围覆盖整个可见光区，并可延伸至紫外区域。这一类材料是直接带隙材料，并具有热导率高、发光效率高、介电常数小、化学性质稳定、硬度大和耐高温等特点，是制作激光二极管(LD)、高亮度蓝绿光发光二极管(LED)和异质结场效应晶体管(HFETs)等器件的理想材料。
现有技术中，GaN基激光器(LD)结构中都是采用单层固定Al组分的AlxGa1-xN(通常x～0.2)作为子阻挡层。然而，对于(0001)c极性面上生长的III-V族氮化物外延结构，传统量子阱有源区最靠近p型层的GaN势垒层(以下称之为最后势垒层)和AlGaN电子阻挡层之间会存在组分的突变，组分的突变会导致电势分布和电子能带结构的变化，产生很大的内建极化电场，在界面上产生电子积聚；而电子积聚会引起非辐射复合或者溢出有源区，形成电子泄露，也可能作为吸收区域增大激光器的光吸收，这些效应都会降低激光器的性能。
因此，有必要提出一种LD生长工艺，改善和解决因最后势垒层和AlGaN电子阻挡层之间组分突变导致的电子积聚问题，提高LD产品的性能。
中国专利文献CN102545058A公开的《一种氮化镓基激光器外延结构及其制作方法》，是在；生长最后一个InaGa1-aN量子阱后，将最后一个GaN势垒层用AlGaN层取代，所述AlGaN层为一层1～50nm厚的Al组分渐变的AlxGa1-xN，或者为至少2层Al组分逐渐增加的AlyGa1-yN层；外延生长一层p型AlzGa1-zN电子阻挡层。该方法将最后一个GaN势垒层用AlGaN层取代，因AlGaN层的折射率低，透光性差，激光在n型限制层和P型限制层之间内往返折射时，增加了激光器内部的光损失，降低了激光器的性能。
中国专利文献CN103956653 A公开的《减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法》，是通过在有源区和电子阻挡层之间插入不掺杂且很薄的InGaN插入层，提高电子跃过电子阻挡层的有效势垒高度，从而达到减小电子泄漏。但是该方法仍然无法降低因生长的AlGaN电子阻挡层带来的激光器内部的光损失。
发明内容
本发明针对现有GaN基激光器(LD)生长技术中因最后势垒层和pAlGaN电子阻挡层之间组分突变导致的电子积聚问题，提供一种能够改善和解决电子积聚和电子泄露问题，提高pAlGaN层的折射率，降低激光器内部的光损失的氮化镓基激光器外延结构。同时提供一种该结构的生长方法。
本发明的氮化镓基激光器外延结构，采用以下技术方案：
该外延结构，自下至上依次包含衬底、成核层、高温GaN层、n型GaN/AlGaN超晶格光限制层、n型波导层、发光层(或者称为多量子阱层)、电子阻挡层、P型GaN波导层、P型GaN/AlGaN超晶格光限制层和表面欧姆接触层，所述电子阻挡层为pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层。
所述衬底为C面蓝宝石衬底、SiC衬底或者GaN衬底。
所述n型波导层为GaN或者InGaN层，其中In组分为0-0.5，掺杂浓度为0-1E+19cm-3的Si(掺杂或者不掺杂)。
所述发光层为1-10周期的InaGa1-aN/InbGa1-bN，其中量子阱阱层InaGa1-aN层厚度1-15nm，a为0.1-0.2；量子阱垒层InbGa1-bN厚度1-20nm，b为0-0.15。
所述pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层的周期数为1-20个。
所述pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层的单个周期厚度为10-200nm。
所述pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层单个周期中pAlxGa1-xN厚度为5-100nm，x为0.1-0.3。
所述pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层单个周期中pInyGa1-yN厚度为5-100nm，y为0.01-0.2。
所述pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层中pAlxGa1-xN和pInyGa1-yN中Mg的掺杂浓度为0-1E+19cm-3(可掺杂或不掺杂)。
上述外延结构，用pAlGaN/pInGaN超晶格电子阻挡层取代传统pAlGaN电子阻挡层结构，通过pInGaN层生长引入的张应力缓解pAlGaN层生长引入的压应力，既有利于pAlGaN层的生长，又能改善pAlGaN层带来的能带结构变化，从而改善和解决电子积聚和电子泄露问题，同时因为pInGaN层的引入，pInGaN层的In会扩散至pAlGaN层中，能够提高pAlGaN层的折射率，降低激光在n型限制层和P型限制层之间内往返折射时激光器内部的光损失，提高LD产品的性能。
上述氮化镓基激光器外延结构的生长方法，包括以下步骤：
(1)在金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备的反应室中，在衬底上依次生长GaN成核层和高温GaN层；
(2)在高温GaN层上外延n型GaN/AlGaN超晶格光限制层；
(3)生长n型GaN或者InGaN波导层，其中In组分为0-0.5，掺杂浓度为0-1E+19cm-3的Si(掺杂或者不掺杂)；
(4)生长1-10周期的InaGa1-aN/InbGa1-bN发光层(或者称为多量子阱层)，其中量子阱阱层InaGa1-aN层厚度1-15nm，a为0.1-0.2；量子阱垒层InbGa1-bN厚度1-20nm，b为0-0.15；整个发光层掺杂浓度为0-1E+18cm-3的Si(掺杂或者不掺杂)，；
(5)生长完最后一个发光层的量子阱垒层后，生长pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层，其周期数为1-20个，单个周期厚度为10-200nm，单个周期中pAlxGa1-xN厚度为5-100nm，x为0.1-0.3，Mg掺杂浓度0-1E+19cm-3(可掺杂或不掺杂)，生长压力为80torr-260torr，生长温度800℃-1000℃；单个周期中pInyGa1-yN厚度为5-100nm，y为0.01-0.2，Mg掺杂浓度0-1E+19cm-3(可掺杂或不掺杂)，生长压力为80torr-260torr，生长温度800℃-1000℃；
(6)外延生长掺杂Mg的P型GaN波导层，掺杂浓度1E+19cm-3-5E+20cm-3；
(7)在波导层上外延生长P型GaN/AlGaN超晶格光限制层；
(8)在超晶格光限制层上外延生长表面欧姆接触层。
除所述结构中的pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层外，其余各层的具体生长条件可采用现有常规氮化镓基激光器外延结构的生长条件。
上述方法在氮化镓基激光器外延结构中生长出了pAlGaN/pInGaN超晶格电子阻挡层。
附图说明
图1是本发明氮化镓基激光器外延结构的示意图。
图2是本发明中pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层的结构示意图。
图中：1、衬底；2、成核层；3、高温GaN层；4、n型GaN/AlGaN超晶格光限制层；5、n型波导层；6、发光层；7、pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层；71、pAlxGa1-xN层；72、pInyGa1- yN；8、P型GaN层波导层；9、P型GaN/AlGaN超晶格光限制层；10、表面欧姆接触层。
具体实施方式
如图1所示，本发明的氮化镓基激光器外延结构，自下至上依次包含衬底1、成核层2、高温GaN层3、n型GaN/AlGaN超晶格光限制层4、n型波导层5、发光层6、pAlxGa1-xN/pInyGa1- yN超晶格电子阻挡层7、P型GaN层波导层8、P型GaN/AlGaN超晶格光限制层9和表面欧姆接触层10。衬底1为C面蓝宝石衬底、SiC衬底或者GaN衬底。n型波导层5为GaN或者InGaN层，其中In组分为0-0.5，掺杂或者不掺杂Si，掺杂浓度为0-1E+19cm-3的Si。发光层为1-10周期的InaGa1-aN/InbGa1-bN，其中量子阱阱层InaGa1-aN层厚度1-15nm，a为0.1-0.2；量子阱垒层InbGa1-bN厚度1-20nm，b为0-0.15。
如图2所示，pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层7由1-20个周期的pAlxGa1-xN层71和pInyGa1-yN72组成，单个周期厚度为10-200nm，单个周期中pAlxGa1-xN71厚度为5-100nm，x为0.1-0.3，可掺杂Mg或不掺杂,掺杂浓度0-1E+19cm-3；单个周期中pInyGa1-yN72厚度为5-100nm，y为0.01-0.2，可掺杂Mg或不掺杂,掺杂浓度0-1E+19cm-3。
本发明用pAlGaN/pInGaN超晶格电子阻挡层取代传统pAlGaN电子阻挡层结构，通过pInGaN层生长引入的张应力缓解pAlGaN层生长引入的压应力，既有利于pAlGaN层的生长，又能改善pAlGaN层带来的能带结构变化，从而改善和解决电子积聚和电子泄露问题，同时因为pInGaN层的引入，pInGaN层的In会扩散至pAlGaN层中，能够提高pAlGaN层的折射率，降低激光在n型限制层和P型限制层之间内往返折射时激光器内部的光损失，提高LD产品的性能。
该外延结构是运用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备以金属有机物化学气相沉积法在衬底上生长，具体包括以下步骤：
(1)在金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备的反应室中，按现有工艺条件，在衬底上依次生长GaN成核层和高温GaN层；
(2)在高温GaN层上外延n型GaN/AlGaN超晶格光限制层；
(3)生长n型GaN波导层或者InGaN层，其中In组分为0-0.5，可掺杂或不掺杂Si，掺杂浓度0-1E+19cm-3；
(4)生长1-10周期的InaGa1-aN/InbGa1-bN发光层(或者称为多量子阱层)，其中量子阱阱层InaGa1-aN层厚度1-15nm，a为0.1-0.2；量子阱垒层InbGa1-bN厚度1-20nm，b为0-0.15；整个发光层为不掺杂或者轻掺Si，掺杂浓度0-1E+18cm-3；
(5)生长完最后一个发光层的量子阱垒层后，生长pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层，其周期数为1-20个，单个周期厚度为10-200nm，单个周期中pAlxGa1-xN厚度为5-100nm，x为0.1-0.3，可掺杂Mg或不掺杂，掺杂浓度0-1E+19cm-3，生长压力为80-260torr，温度800-1000℃；单个周期中pInyGa1-yN厚度为5-100nm，y为0.01-0.2，可掺杂Mg或不掺杂，掺杂浓度0-1E+19cm-3，生长压力为80-260torr，温度800-1000℃；
(6)外延生长掺杂Mg的P型GaN波导层，掺杂浓度1E+19-5E+20cm-3；
(7)在波导层上外延生长P型GaN/AlGaN超晶格光限制层；
(8)在超晶格光限制层上外延生长表面欧姆接触层。
除所述结构中的pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层外，其余各层的具体生长条件可采用现有常规氮化镓基激光器外延结构的生长工艺条件进行。

Claims (10)

1.一种氮化镓基激光器外延结构，自下至上依次包含衬底、成核层、高温GaN层、n型GaN/AlGaN超晶格光限制层、n型GaN波导层、发光层、电子阻挡层、P型GaN波导层、P型GaN/AlGaN超晶格光限制层和表面欧姆接触层，其特征是：所述电子阻挡层为pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器外延结构，其特征是：所述衬底为C面蓝宝石衬底、SiC衬底或者GaN衬底。
3.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器外延结构，其特征是：所述n型波导层为GaN或者InGaN层，其中In组分为0-0.5，掺杂浓度为0-1E+19cm-3的Si(掺杂或者不掺杂)。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器外延结构，其特征是：所述发光层为1-10周期的InaGa1-aN/InbGa1-bN，其中量子阱阱层InaGa1-aN层厚度1-15nm，a为0.1-0.2；量子阱垒层InbGa1-bN厚度1-20nm，b为0-0.15。
5.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器外延结构，其特征是：所述pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层的周期数为1-20个。
6.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器外延结构，其特征是：所述pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层的单个周期厚度为10-200nm。
7.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器外延结构，其特征是：所述pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层单个周期中pAlxGa1-xN厚度为5-100nm，x为0.1-0.3。
8.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器外延结构，其特征是：所述pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层单个周期中pInyGa1-yN厚度为5-100nm，y为0.01-0.2。
9.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器外延结构，其特征是：所述pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层中pAlxGa1-xN和pInyGa1-yN中Mg的掺杂浓度为0-1E+19cm-3。
10.一种权利要求1所述氮化镓基激光器外延结构的生长方法，其特征是：包括以下步骤：
(1)在金属有机物化学气相沉积设备的反应室中，在衬底上依次生长GaN成核层和高温GaN层；
(2)在高温GaN层上外延n型GaN/AlGaN超晶格光限制层；
(3)生长n型GaN波导层或者InGaN层，其中In组分为0-0.5，掺杂浓度为0-1E+19cm-3的Si；
(4)生长1-10周期的InaGa1-aN/InbGa1-bN发光层(或者称为多量子阱层)，其中量子阱阱层InaGa1-aN层厚度1-15nm，a为0.1-0.2；量子阱垒层InbGa1-bN厚度1-20nm，b为0-0.15；整个发光层掺杂浓度为0-1E+18cm-3的Si；
(5)生长完最后一个发光层的量子阱垒层后，生长pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层，其周期数为1-20个，单个周期厚度为10-200nm，单个周期中pAlxGa1-xN厚度为5-100nm，x为0.1-0.3，Mg掺杂浓度0-1E+19cm-3，生长压力为80torr-260torr，生长温度800℃-1000℃；单个周期中pInyGa1-yN厚度为5-100nm，y为0.01-0.2，Mg掺杂浓度0-1E+19cm-3，生长压力为80torr-260torr，生长温度800℃-1000℃；
(6)外延生长掺杂Mg的P型GaN波导层，掺杂浓度1E+19cm-3-5E+20cm-3；
(7)在波导层上外延生长P型GaN/AlGaN超晶格光限制层；
(8)在超晶格光限制层上外延生长表面欧姆接触层。
CN201610833227.3A 2016-09-20 2016-09-20 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法 Pending CN106207754A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610833227.3A CN106207754A (zh) 2016-09-20 2016-09-20 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610833227.3A CN106207754A (zh) 2016-09-20 2016-09-20 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106207754A true CN106207754A (zh) 2016-12-07

Family

ID=58068168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610833227.3A Pending CN106207754A (zh) 2016-09-20 2016-09-20 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106207754A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107809057A (zh) * 2017-08-25 2018-03-16 华南师范大学 GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法
CN108808446A (zh) * 2018-06-27 2018-11-13 潍坊华光光电子有限公司 一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法
CN109346574A (zh) * 2018-09-03 2019-02-15 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种提高氮化镓基led发光二极管亮度的外延片及生长方法
CN110474232A (zh) * 2019-09-17 2019-11-19 全磊光电股份有限公司 一种高性能dfb激光器外延结构及其制造方法
CN114389151A (zh) * 2020-10-21 2022-04-22 山东华光光电子股份有限公司 一种具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030136970A1 (en) * 2002-01-24 2003-07-24 Motonobu Takeya Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
US20060097242A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device
CN102064471A (zh) * 2010-11-26 2011-05-18 北京化工大学 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
CN103367581A (zh) * 2013-07-26 2013-10-23 东南大学 一种具有电子阻挡层结构的发光二极管
CN103403985A (zh) * 2011-02-28 2013-11-20 康宁股份有限公司 具有含铟包层的半导体激光器
CN104064643A (zh) * 2014-06-24 2014-09-24 湘能华磊光电股份有限公司 Led的p型外延层、其制作方法及包括其的led外延片
CN105932130A (zh) * 2016-04-25 2016-09-07 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种具有新型电子阻挡层的近紫外led及其制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030136970A1 (en) * 2002-01-24 2003-07-24 Motonobu Takeya Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
US20060097242A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device
CN102064471A (zh) * 2010-11-26 2011-05-18 北京化工大学 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
CN103403985A (zh) * 2011-02-28 2013-11-20 康宁股份有限公司 具有含铟包层的半导体激光器
CN103367581A (zh) * 2013-07-26 2013-10-23 东南大学 一种具有电子阻挡层结构的发光二极管
CN104064643A (zh) * 2014-06-24 2014-09-24 湘能华磊光电股份有限公司 Led的p型外延层、其制作方法及包括其的led外延片
CN105932130A (zh) * 2016-04-25 2016-09-07 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种具有新型电子阻挡层的近紫外led及其制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘颂豪等: "《光子学技术与应用》", 30 September 2006 *
江剑平: "《半导体激光器》", 29 February 2000 *
田永君等: "《先进材料导论》", 31 December 2014 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107809057A (zh) * 2017-08-25 2018-03-16 华南师范大学 GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法
CN107809057B (zh) * 2017-08-25 2020-06-02 华南师范大学 GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法
CN108808446A (zh) * 2018-06-27 2018-11-13 潍坊华光光电子有限公司 一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法
CN109346574A (zh) * 2018-09-03 2019-02-15 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种提高氮化镓基led发光二极管亮度的外延片及生长方法
CN110474232A (zh) * 2019-09-17 2019-11-19 全磊光电股份有限公司 一种高性能dfb激光器外延结构及其制造方法
CN110474232B (zh) * 2019-09-17 2023-09-22 全磊光电股份有限公司 一种高性能dfb激光器外延结构及其制造方法
CN114389151A (zh) * 2020-10-21 2022-04-22 山东华光光电子股份有限公司 一种具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法
CN114389151B (zh) * 2020-10-21 2024-01-02 山东华光光电子股份有限公司 一种具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW475275B (en) Vertical geometry ingan led
CN101488550B (zh) 高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法
CN101488548B (zh) 一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED
CN108461592B (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN106207754A (zh) 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法
KR100649496B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
CN101981711B (zh) 氮化物半导体发光器件
CN105103309A (zh) 紫外发光器件
CN110752279B (zh) 一种具有超薄铝铟氮插入层的紫外发光二极管及其制备方法
CN105206726A (zh) 一种led结构及其生长方法
US8138494B2 (en) GaN series light-emitting diode structure
CN114883462B (zh) 发光二极管外延片及其制备方法
CN109256445B (zh) 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法
CN109216514A (zh) 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法
CN109192831A (zh) 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法
CN103137807A (zh) 具有应力释放层的绿光led外延结构及制作方法
CN103824916B (zh) 一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法
CN109473514A (zh) 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法
CN109103312A (zh) 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法
CN108281519A (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN116960248A (zh) 一种发光二极管外延片及制备方法
CN114824005B (zh) 一种GaN基发光二极管的外延结构及其制备方法
CN214378484U (zh) 一种基于GaN外延片结构
US11538960B2 (en) Epitaxial light emitting structure and light emitting diode
CN107546305A (zh) 一种GaN基发光二极管外延结构

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20161207

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication