JP4564773B2 - 発光素子及びその表示装置 - Google Patents
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Description
70−400nmで200−900nm周期のパターンを設けたフォトニック結晶をベースとして、光取り出し効率の改善を試みている。その結果、パターン溝の深さを深くすることにより光取り出し効率が向上でき、光り取り出しを50%増大できることが示されている。
Rayleigh散乱との境界となる50nmから入射光の半分の波長まで程度となる。これによると、本発明の光学薄膜に導入するナノメータサイズの空隙の大きさは、可視光波長程度を対象とするとき、50nmから200nm程度に制御することが望ましいことになる。
θc=sin-1(1/nglass) で求まり、これ以上の入射角となる光は外部へ取り出せなくなる。このため、光取り出し面における臨界角で外部への光取り出しが制限されることになる。光取り出し面において臨界角となる光線で見ていくと、立体角から計算される光取り出し効率を計算することができる。即ち、光取り出し面で臨界角となる場合の光線において、低屈折率層である光学薄膜5と透明電極6を通して、有機層7の発光点に到達したとき、発光点での出射角θstを用いると、立体角は2π(1−cosθst) となるので、光取り出し効率ηextはηext=1−cosθst で表される。この光取り出し効率は、低屈折率の光学薄膜5があっても、古典光学では屈折率だけで膜における光線の屈折が決まるので、変化しないことになる。
27%低減させることが可能であった。また本発明における低屈折率の光学薄膜は、光学的に安定な膜であり、上記の光学的特性が安定して得られるので、電気的特性の改善にも有効に作用する効果があった。また、本発明に適用した光学薄膜は、水分を吸収する吸湿性に富み、かつ局所的な電荷の蓄積のない帯電防止性があり、耐環境性に優れた膜であるので、有機EL発光素子を構成する有機膜や電極の劣化を抑制する効果があり、素子の信頼性向上にも寄与するものであった。
EL発光素子の封止基板の両側に、本発明の光学薄膜を構成して、外部光の反射率を低減した反射防止膜としても活用できる。
TiO2等、金属窒化物SiNやAlN等に代表される誘電体材料で構成されている材料を用いてもよい。
17では、トップエミッション型の有機EL発光素子により、ディスプレイ表示装置用の
RGB画素を形成する。図16と図17において、薄膜トランジスタ素子及び回路を有する基板38の上に、LiF/AlNd電極39を設けた後、それぞれRGB画素を形成するためと画素間を分離するためのバンク層40を形成する。その後、それぞれ実施例1及び2と同様にして、発光層を赤色緑色青色の波長域に相当するように材料を選択して有機膜を蒸着し、RGB画素を図に示すように設ける。次に、図16では、実施例1と同様にして、封止ガラス板41上に、シリカ分散ゾル,コロイダルシリカ及びアルコールを原料に用いて、ナノメータサイズの空隙を含有する光学薄膜42を形成した封止板を準備し、前記光学薄膜をIZO透明電極に対向させ接するようにして、有機EL発光素子を閉じ込めるため、前記光学薄膜42を形成した封止ガラス板41を封止シール剤43により固定する。また、図17では、実施例2と同様にして、IZO透明電極上に、ナノメータサイズの空隙を含有する光学薄膜42を形成し、その後、有機EL発光素子を閉じ込め、封止ガラス板41を前記光学薄膜42に接するように、封止シール剤43を用いて固定する。
44を形成した後、それぞれRGB画素を形成するためと画素間を分離するためのバンク層40を形成する。次に、それぞれ実施例3と同様にして、発光層を赤色緑色青色の波長域に相当するように材料を選択して有機膜を蒸着し、RGB画素を図に示すように設ける。その後、有機EL発光素子を閉じ込めるため、封止ガラス板41を封止シール剤43により固定する。
EL素子パネル53とを貼り合せた形の表示パネルモジュールを構成する。液晶表示装置のパネル48では、両側に偏光板49Aと49Bを貼り付けた一対の透明基板50Aと
50Bの間に液晶層51を封止固定柱52で規定される空間に充填し、液晶層51に電圧を印加することにより光透過を制御する液晶表示装置パネル48を構成してある。本発明の光学薄膜を導入した白色有機EL素子パネル53では、透明ガラス基板54上に白色有機EL層55を形成し、透明封止板56を封止シール剤57で固定することにより、白色有機EL素子パネル53を構成してある。或いは図21に示すように、本発明の光学薄膜を導入した白色有機EL素子パネル53の構成は、透明封止板56を取り除き、封止シール剤57で直接液晶パネルに貼り合せる形をとってもよい。液晶層51に電界を印加するためのスイッチとしての薄膜トランジスタ、及び電圧供給のための配線は省略した。またカラー表示においては、基板の内側にカラーフィルタを配置することでカラー表示ができることは言うまでも無い。
0.3−0.6mmの厚さに構成できる。
10…電子輸送有機層、11…発光有機層、12,22,32…正孔輸送有機層、13,23,31…正孔注入有機層、14,24…IZO透明電極、15,26,36,41…封止ガラス板、16,27,37,43,57…封止シール剤、17,25,29,42…光学薄膜、20,34…電子輸送有機層、21,33…発光有機層、30,44…ITO透明電極、35…LiF/Al電極、38…薄膜トランジスタ素子及び回路を有する基板、40…バンク層、45…パネル画面、46…回路配線、47…駆動電源、48…液晶表示装置パネル、49A,49B…偏光板、50A,50B…透明基板、51…液晶層、
52…封止固定柱、53…本発明の白色有機EL素子パネル、55…白色有機EL層、
56…透明封止板。
Claims (14)
- 第一の基板と、
前記第一の基板上に形成された第一の電極と、
第二の電極と、
前記第一の電極と前記第二の電極との間に配置される発光層と、
前記第二の電極上に形成された光学薄膜と、
前記光学薄膜上に形成された第二の基板とを有する発光素子において、
前記光学薄膜は誘電体材料を母材とし、
前記光学薄膜は空隙を含有しており、
前記空隙の大きさは50nm以上700nm以下の範囲であり、
前記光学薄膜の膜厚方向における前記第一の基板と前記第一の電極の間の第一の界面から前記光学薄膜と前記第二の基板の間の第二の界面に向かって、または前記第二の界面から前記第一の界面に向かって前記空隙の割合が大きくなり、
前記光学薄膜の膜厚方向において、前記光学薄膜の屈折率の変化が変わる部分が存在することを特徴とする発光素子。 - 前記光学薄膜は、アルコールを含有することを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記光学薄膜の膜厚方向における前記第一の界面から前記第二の界面に向かって、前記空隙の長軸長さが増大していることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記空隙の長軸は、前記第二の界面に対して平行な方向であることを特徴とする請求項3記載の発光素子。
- 前記光学薄膜の表面抵抗率が1010Ω/cm2以上1011Ω/cm2以下であることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記空隙の長軸の大きさが5nm以上200nm以下の範囲であることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記光学薄膜の膜厚は、前記光学薄膜を通過する可視光波長のピークの半分以下であることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記光学薄膜は複数層積層されており、
かつ積層された各前記光学薄膜の膜厚が10nm以上700nm以下の範囲内であることを特徴とする請求項1記載の発光素子。 - 前記発光素子の構成材料が有機低分子材料或いは有機高分子材料である有機材料により構成され、
かつエレクトロルミネセンス光が発せられる発光層の光取り出し面方向に前記光学薄膜を積層してあることを特徴とする請求項1記載の発光素子。 - 前記第一の電極若しくは第二の電極は透明電極であり、
かつ前記光学薄膜に接して配置されていることを特徴とする請求項1記載の発光素子。 - 可視光波長域において透明な封止板が前記透明電極に接して配置されていることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記封止板は前記光学薄膜を単層又は多層に積層して設けてあることを特徴とする請求項9記載の発光素子。
- 前記光学薄膜は、金属酸化物であるSiO2又はAl2O3又はTiO2或いは金属窒化物であるSiN又はAlNを母材とすることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記光学薄膜を光取り出し方向に配置したことを特徴とする請求項1記載の発光素子を用いた発光ディスプレイ表示装置。
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DE102007000791A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Universität Köln | Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode oder einer organischen Solarzelle und hergestellte organische Leuchtdioden oder Solarzellen |
US8487299B2 (en) | 2008-09-26 | 2013-07-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic EL device and method of manufacturing same |
JPWO2010055773A1 (ja) * | 2008-11-17 | 2012-04-12 | コニカミノルタオプト株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置 |
JP5356801B2 (ja) | 2008-12-25 | 2013-12-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
KR101148886B1 (ko) * | 2009-05-13 | 2012-05-29 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
WO2011062857A2 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Universal Display Corporation | Oleds with low-index islands to enhance outcoupling of light |
US20110151222A1 (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-23 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Anti-reflective coatings and methods of making the same |
US20110193103A1 (en) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | Fujifilm Corporation | Semiconductor device, method for producing the semiconductor device, substrate for semiconductor element and method for producing the substrate |
US8469551B2 (en) * | 2010-10-20 | 2013-06-25 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction films for increasing pixelated OLED output with reduced blur |
US11038144B2 (en) * | 2010-12-16 | 2021-06-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
EP2697840A4 (en) * | 2011-04-12 | 2014-11-05 | Arkema Inc | INTERNAL OPTICAL EXTRACTION LAYER FOR OLED DEVICES |
KR101335642B1 (ko) * | 2012-02-13 | 2013-12-03 | 한국기계연구원 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
WO2013134432A1 (en) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | Soraa, Inc. | Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects |
KR101715112B1 (ko) * | 2012-06-14 | 2017-03-10 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | Oled 소자용 적층체, 그 제조방법 및 이를 구비한 oled 소자 |
JP6136232B2 (ja) * | 2012-12-19 | 2017-05-31 | 凸版印刷株式会社 | El素子、照明装置、ディスプレイ装置および液晶ディスプレイ装置 |
CN103943785A (zh) * | 2013-06-18 | 2014-07-23 | 厦门天马微电子有限公司 | 光学调节膜及其制造方法 |
KR101520742B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2015-05-15 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
KR101750398B1 (ko) | 2014-01-02 | 2017-06-23 | 삼성전자주식회사 | 광산란층 제조 방법 |
KR101866243B1 (ko) * | 2015-01-21 | 2018-06-12 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
KR102103516B1 (ko) | 2018-08-29 | 2020-04-23 | 주식회사 첨단랩 | 광 추출 구조체 및 유기 발광 조명 장치 |
CN109119450B (zh) * | 2018-08-31 | 2021-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000019308A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Nitto Denko Corp | 光散乱フィルム、その製造方法及び複屈折性フィルム |
JP2001313164A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた表示装置及び携帯端末 |
JP2002050469A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-15 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2003142262A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、膜状部材、積層膜、低屈折率膜、多層積層膜、電子機器 |
JP2003279736A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学補償シート、偏光板および液晶表示装置 |
JP2004087234A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Daicel Chem Ind Ltd | 面光源ユニット及びそれを用いた透過型表示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19518668A1 (de) * | 1995-05-22 | 1996-11-28 | Bosch Gmbh Robert | Elektrolumineszierendes Schichtsystem |
JP4279971B2 (ja) | 1999-11-10 | 2009-06-17 | パナソニック電工株式会社 | 発光素子 |
JP4107050B2 (ja) | 2001-10-25 | 2008-06-25 | 松下電工株式会社 | コーティング材組成物及びそれにより形成された被膜を有する物品 |
WO2003035389A1 (fr) * | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Substrat de support a film mince composite, substrat de support a film conducteur transparent et corps emetteur pour eclairage de panneau |
DE10228937A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Elektrolumineszierende Vorrichtung mit verbesserter Lichtauskopplung |
JP5005164B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2012-08-22 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 発光素子,発光型表示装置及び照明装置 |
-
2004
- 2004-04-07 JP JP2004112634A patent/JP4564773B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-04-04 US US11/099,233 patent/US7355211B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000019308A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Nitto Denko Corp | 光散乱フィルム、その製造方法及び複屈折性フィルム |
JP2001313164A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた表示装置及び携帯端末 |
JP2002050469A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-15 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2003142262A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、膜状部材、積層膜、低屈折率膜、多層積層膜、電子機器 |
JP2003279736A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学補償シート、偏光板および液晶表示装置 |
JP2004087234A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Daicel Chem Ind Ltd | 面光源ユニット及びそれを用いた透過型表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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