JP4406572B2 - 発光素子及びその表示装置 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 150
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 134
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 claims description 33
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 19
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 11
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 9
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 17
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 15
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 10
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 2
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 2
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 2
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002210 supercritical carbon dioxide drying Methods 0.000 description 2
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
nmで200−900nmの周期パターンを設けたフォトニック結晶をベースとして、光取り出し効率の改善を試みている。その結果、パターン溝の深さを深くすることにより光取り出し効率が向上でき、光取り出しを50%増大できることが示されている。
10−50nm程度存在した構成を有しており、屈折率が1.01−1.2の低い値となっている。この薄膜は非常に低い屈折率を有しているが、網目状空隙の占める割合が全体に対して大きいため、膜強度が弱く脆弱性がある膜となっている。また作製工程において、疎水化処理や超臨界CO2 乾燥といった特殊な工程が必要となっている。さらに、シリカ球は3−10nmの範囲で網目状空隙が10−50nmの範囲であるので、この大きさは通常の可視光の波長400−700nmに対して散乱光を生じる際に、波長よりも非常に小さい粒子や空隙に相当する、特に50nm以下の物体に対する散乱を示すRayleigh散乱に基づく散乱光になる。
Rayleigh散乱との境界となる50nmから入射光の半分の波長まで程度となる。これによると、本発明の光学薄膜に導入するナノメータサイズの空隙の大きさは、50nmから
200nm程度に制御することが望ましい。
(b)に示すように、本発明の光学薄膜9を単純に複数層重ねるだけで、空隙の存在する屈折率の相対的に低い領域と空隙の存在しない屈折率の相対的に高い領域を繰り返した周期構造にできることが特徴である。この空隙の存在する領域を光が通過する際に、散乱光として上部へ取り出すことが可能である。反射により光の減衰が徐々に大きくなるので、光取り出し成分の強度を確保するには、光学薄膜9の積層数を適切に制御して周期数を最適設計する必要がある。
(Distributed Bragg Reflector) 反射鏡とすることができ、積層数を制御することによってDBR反射鏡の反射率を制御したり反射や透過スペクトルを制御することが可能となる。本発明の素子構成では、光学薄膜9の積層数を適切に設定して、有機層7の発光スペクトルの制御を行った。有機EL発光素子では、青色素子のスペクトルにおける長波長域の裾の部分に相当する青色から緑色の波長域と、緑色素子のスペクトルにおける短波長側の緑色から青色の波長域が重なる領域があり、青色素子と緑色素子においてスペクトル幅が広いため色純度が低いという問題があった。これを解決するために、本発明の素子では光学薄膜9を積層しDBR反射鏡周期構造を形成させることによって、青色素子と緑色素子のスペクトルピーク間での透過率を制御する対策を行った。この対策を施した実施例において結果を示しているが、青色素子と緑色素子のスペクトルにおいて半値幅を縮小させ色純度を向上できることが計算により説明できた。さらに緑色素子と赤色素子のスペクトルピーク間でも同様に、適切に設定した光学薄膜9の積層により形成したDBR反射鏡周期構造によって、緑色素子と青色素子のスペクトルピーク間での透過率制御の対策を行うと、緑色素子のスペクトルにおいて半値幅を縮小しさらに色純度を向上できることを計算により説明した。
(b)に示すように、封止ガラス板18を光学薄膜11に接するように、真空引きをしながら封止を行うことによって、封止ガラス板18が光学薄膜11に密着するようにした構成も形成可能である。
Mie散乱に基づいて散乱光を取り出す。このため2つの光学薄膜11の無い場合に比べて封止ガラス板18からの光取り出し効率を改善できる。
13の570nm中心の透過率スペクトルを有する積層膜を通すことによって、青色素子ではスペクトルの半値幅を46nmから24nmへ半分近く縮小でき、緑色素子ではスペクトルの半値幅を57nmから44nmへ23%縮小できることが判った。特に、青色素子に対しては、ピーク強度をほとんど変化させずに、スペクトルの半値幅を半減できる効果があった。また赤色素子に対しては、ピーク強度をほとんど変化させずに、半値幅を
36nmから33nmへと多少とも縮小できる効果があった。緑色素子に対しては、スペクトルの両側において、透過率を制限する光学薄膜の周期構造によりさらに半値幅を縮小させる設計が可能である。
34…駆動電源。
Claims (12)
- 基板と、
第一の電極と、
第二の電極と、
前記第一の電極と前記第二の電極との間に配置される発光層とを有する発光素子であって、
前記発光素子が封止ガラス板により封止されており、
前記基板と前記第一の電極との間、もしくは前記第二の電極と前記封止ガラス板との間に光学薄膜が形成され、
前記光学薄膜は、誘電体材料のみからなる第一の領域と、前記誘電体材料中に空隙が存在する第二の領域とが上下方向に分離した構造を有し、
前記光学薄膜は、シリカ分散ゾル,コロイダルシリカ及びアルコールを出発原料とし、
前記光学薄膜を複数層積層することを特徴とする発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子において、
前記光学薄膜は前記発光素子を構成するいずれの材料層よりも屈折率が低いことを特徴とする発光素子。 - 請求項1または2に記載の発光素子において、
前記空隙は5nm以上700nm以下のサイズであることを特徴とする発光素子。 - 請求項1または2に記載の発光素子において、
前記空隙のサイズは可視光波長と同程度かそれ以下の短い波長に相当する物体の大きさに光が当たったときに生じるMie散乱に基づく散乱光を前記発光素子の外部に取り出す構成を有していることを特徴とする発光素子。 - 請求項1または2に記載の発光素子において、
前記空隙の形状は、球状や楕円球状であるか、或いは扁平な形状でもよく縦長の形状でもよく、
屈折率が前記誘電体材料の屈折率よりも小さく設定されていることを特徴とする発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子において、
前記誘電体材料は、酸化物の絶縁材料であることを特徴とする発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子において、
前記光学薄膜は透明である前記第一の電極上に接する配置であることを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発光素子において、
前記封止ガラス板は封止シール剤を用いて発光素子に対向して設定してある配置で構成され、
前記封止ガラス板には前記光学薄膜を多層に積層して設けてあり、
積層した前記光学薄膜の側を有機発光素子と電極に相対向させてある構成において、
前記封止ガラス板に積層された前記光学薄膜を通して、前記有機発光素子の発光層から出射した光が外部へ取り出されるように構成してあることを特徴とする発光素子。 - 請求項8に記載の発光素子において、
前記光学薄膜を多層に積層して設けてある前記封止ガラス板が前記第二の電極に接して設けてあることにより、
前記有機発光素子の発光層から出射光が前記第二の電極から封止気体を通らずに前記封止ガラス板の前記光学薄膜に直接入射通過した後、光が外部へ取り出されるように構成してあることを特徴とする発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子において、
光取り出し面の最上層である封止ガラス板が透明のときに、前記封止ガラス板上に接する形で、前記光学薄膜を設けてあることを特徴とする発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子において、
母材である誘電体材料からなる空隙のない領域と、
可視光波長程度以下のナノメータオーダのサイズである空隙を有している領域とが分離して構成されている前記光学薄膜の一層に対しては、原材料としてゾル状材料を用いて紫外線照射或いは加熱によりまたは紫外線照射及び加熱の両方により硬化させる一回の工程において形成してあり、屈折率の低い領域と屈折率の高い領域を有している該光学薄膜を設けてあることを特徴とする発光素子。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の発光素子を有することを特徴とする発光ディスプレイ表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004058354A JP4406572B2 (ja) | 2004-03-03 | 2004-03-03 | 発光素子及びその表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004058354A JP4406572B2 (ja) | 2004-03-03 | 2004-03-03 | 発光素子及びその表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005251489A JP2005251489A (ja) | 2005-09-15 |
JP4406572B2 true JP4406572B2 (ja) | 2010-01-27 |
Family
ID=35031765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004058354A Expired - Lifetime JP4406572B2 (ja) | 2004-03-03 | 2004-03-03 | 発光素子及びその表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4406572B2 (ja) |
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-
2004
- 2004-03-03 JP JP2004058354A patent/JP4406572B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005251489A (ja) | 2005-09-15 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Request for written amendment filed |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081127 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091027 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091109 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121113 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4406572 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121113 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121113 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131113 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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