KR101602418B1 - 광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자 - Google Patents

광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101602418B1
KR101602418B1 KR1020120035973A KR20120035973A KR101602418B1 KR 101602418 B1 KR101602418 B1 KR 101602418B1 KR 1020120035973 A KR1020120035973 A KR 1020120035973A KR 20120035973 A KR20120035973 A KR 20120035973A KR 101602418 B1 KR101602418 B1 KR 101602418B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
porous layer
light emitting
organic light
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020120035973A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130113642A (ko
Inventor
박성식
Original Assignee
코닝정밀소재 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닝정밀소재 주식회사 filed Critical 코닝정밀소재 주식회사
Priority to KR1020120035973A priority Critical patent/KR101602418B1/ko
Priority to JP2013078951A priority patent/JP6310638B2/ja
Priority to US13/857,607 priority patent/US9837636B2/en
Priority to EP13162647.5A priority patent/EP2648240B1/en
Priority to CN201310119716.9A priority patent/CN103367651B/zh
Publication of KR20130113642A publication Critical patent/KR20130113642A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101602418B1 publication Critical patent/KR101602418B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/02131—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being halogen doped silicon oxides, e.g. FSG
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02203—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being porous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

본 발명은 광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 광추출 효율이 향상되고, 시야각이 증가함에 따라 색상이 변화하는 컬러 시프트(color shift) 현상이 저감되는 유기 발광소자용 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 애노드, 유기 발광층 및 캐소드의 적층으로 이루어진 유기 발광소자에 사용되는 투명한 기판에 있어서, 상기 유기 발광소자와의 경계면 중 적어도 한 부분에 상기 기판보다 굴절률이 상대적으로 낮은 다공성층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자를 제공한다.

Description

광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자{SUBSTRATE FOR OLED WITH ENHANCED LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY, METHOD FOR FABRICATING THEREOF AND OLED HAVING THE SAME}
본 발명은 광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 광추출 효율이 향상되고, 시야각이 증가함에 따라 색상이 변화하는 컬러 시프트(color shift) 현상이 저감되는 광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, 유기 발광소자(organic light emitting diode; OLED)는 애노드(anode), 발광층 및 캐소드(cathode)를 포함하여 형성된다. 여기서, 애노드와 캐소드 간에 전압을 인가하면, 정공은 애노드로부터 전공 주입층 내로 주입되고 전공 수송층을 거쳐 발광층으로 이동되며, 전자는 캐소드로부터 전자 주입층 내로 주입되고 전자 수송층을 거쳐 발광층으로 이동된다. 이때, 발광층 내로 주입된 정공과 전자는 발광층에서 재결합하여 엑시톤(excition)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 전이하면서 빛을 방출하게 된다.
한편, 이러한 유기 발광소자로 이루어진 유기 발광 표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 NㅧM개의 화소들을 구동하는 방식에 따라, 수동 매트릭스(passive matrix) 방식과 능동 매트릭스(active matrix) 방식으로 나뉘어진다.
여기서, 능동 매트릭스 방식의 경우 단위화소 영역에는 발광영역을 정의하는 화소전극과 이 화소전극에 전류 또는 전압을 인가하기 위한 단위화소 구동회로가 위치하게 된다. 이때, 단위화소 구동회로는 적어도 두개의 박막트랜지스터(thin film transistor; TFT)와 하나의 캐패시터(capacitor)를 구비하며, 이를 통해, 화소수와 상관없이 일정한 전류의 공급이 가능해져 안정적인 휘도를 나타낼 수 있다. 이러한 능동 매트릭스 방식의 유기 발광 표시장치는 전력 소모가 적어, 고해상도 및 대형 디스플레이의 적용에 유리하다는 장점을 갖고 있다.
하지만, 도 6에 도시한 바와 같이, 유기 발광소자는 발광량의 약 20%만 외부로 방출되고 80% 정도의 빛은 유리 기판(10)과 애노드(20) 및 정공 주입층, 정공수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함한 유기 발광층(30)의 굴절률 차이에 의한 도파관(wave guiding) 효과와 유리 기판(10)과 공기의 굴절률 차이에 의한 전반사 효과로 손실된다. 즉, 내부 유기 발광층(30)의 굴절률은 1.7 내지 1.8이고, 애노드(20)로 일반적으로 사용되는 ITO의 굴절률은 1.9 내지 2.0이다. 이때, 두 층의 두께는 대략 100 내지 400㎚로 매우 얇고, 유리 기판(10)으로 사용되는 유리의 굴절률은 1.5 정도이므로, 유기 발광소자 내에는 평면 도파로가 자연스럽게 형성된다. 계산에 의하면, 상기 원인에 의한 내부 도파모드로 손실되는 빛의 비율이 약 45%에 이른다. 그리고 유리 기판(10)의 굴절률은 약 1.5이고, 외부 공기의 굴절률은 1.0이므로, 유리 기판(10)에서 외부로 빛이 빠져 나갈 때, 임계각 이상으로 입사되는 빛은 전반사를 일으켜 유리 기판(10) 내부에 고립되는데, 이렇게 고립된 빛의 비율은 약 35%에 이르기 때문에, 불과 발광량의 20% 정도만 외부로 방출된다. 여기서, 참조번호 31, 32, 33은 유기 발광층(30)을 구성하는 구성요소로, 31은 정공 주입층과 정공 수송층, 32는 발광층, 33은 전자 주입층과 전자 수송층을 나타낸다.
한편, 도 7에 도시한 바와 같이, 종래에는 상기의 문제를 해결하기 위해, 저굴절률을 갖는 그리드(low index grid; LIG)(50)를 ITO 애노드(20) 위에 형성하여 도파 모드로 움직이는 빛의 방향을 전면으로 바꾸어 줌으로써 광추출 효율을 향상시킬 수 있었다.
도 8은 도 7의 유기 발광소자에 대한 시뮬레이션 결과로, 그리드(50)의 굴절률이 낮을수록 효과가 있으나 실제 굴절률 1.2 이하인 물질은 거의 없으며 그나마 굴절률이 낮을수록 물질의 가격이 높은 문제가 있다. 또한, 도 7에 도시한 바와 같이, ITO 애노드(20) 위에 그리드(50)가 형성되면, 단차가 발생하기 때문에 누설전류가 발생할 수 있다. 그리고 도 7의 유기 발광소자는 ITO 애노드(20) 위에 그리드(50)를 형성하는 공정에서 유기 발광층(30)과 접촉하는 애노드(20) 면이 변성되어 일함수(work function)가 달라지는 경우가 있는 등 공정이 까다로운 문제가 있다. 게다가, 그리드(50)가 형성된 부분은 애노드(20)에서 정공이 유기 발광층(30)으로 주입되지 않으며, 인가되는 전기장의 크기도 주변과 달라서 발광 균일도가 떨어지는 문제가 있다.
또한, 도 9에 도시한 바와 같이, 종래에는 애노드(20) 아래(도면기준) 즉, 애노드(20)와 유리 기판(10) 사이의 경계면에 요철 구조물(60)을 형성하여 광추출 효율을 향상시키고자 하였다.
여기서, 상술한 바와 같이, 애노드(20)와 유기 발광층(30)은 일반적으로 캐소드(40)와 유리 기판(10) 사이에서 하나의 광도파로 역할을 하게 된다. 따라서, 애노드(20)와 유기 발광층(30)에 도파모드가 존재하는 가운데, 애노드(20)에 인접한 경계면에 광산란을 일으키는 요철 구조물(60)을 형성하면, 도파모드가 교란되어 외부로 추출되는 빛이 증가하게 된다. 하지만, 애노드(20) 아래에 요철 구조물(60)이 형성되어 있으면, 그 위의 애노드(20) 형상이 아래 요철 구조물(60)의 형상을 따라 가게 되어, 국부적으로 뾰족한 부분이 발생할 가능성이 높아진다. 유기 발광소자는 매우 얇은 박막의 적층구조로 이루어져 있으므로, 애노드(20)에 뾰족하게 돌출된 부분이 있으면, 그 부분에 전류가 집중하게 되고, 큰 누설전류의 원인이 되거나 전력 효율의 저하를 가져온다. 따라서, 이러한 전기적 특성의 저하를 방지하기 위해, 애노드(20) 아래 요철 구조물(60)을 형성할 경우에는 평탄막(70)을 반드시 함께 사용한다. 이때, 평탄막(70)은 요철 구조물(60)의 요철이 평탄화되도록 하는 역할을 하게 된다. 평탄막(70)이 평탄하지 않아 뾰족하게 돌출된 부분이 있으면, 애노드(20)에도 돌출 부분이 형성되어 누설전류가 발생하는 원인이 된다. 따라서, 평탄막(70)의 평탄도는 매우 중요하며 약 Rpv = 30㎚ 이하로 요구된다.
또한, 평탄막(70)은 애노드(20)와 유사한 굴절률을 가진 소재를 사용해야 하는데, 만약, 그렇지 않고 평탄막(70)의 굴절률이 낮으면, 빛이 요철 구조물(60)에 의해 교란되기도 전에 애노드(20)/평탄막(70)의 경계면에서 대부분 반사되어 애노드(20)/유기 발광층(30)에 갇히는 도파모드로 된다. 여기서, 평탄막(70)의 두께는 가능한 얇은 것이 좋다. 평탄막(70)이 너무 두꺼우면, 불필요한 광흡수가 증가할 수 있고, 요철 구조물(60)과 유기 발광층(30)과의 거리가 너무 멀어 산란 효과가 감소될 수 있다.
하지만, 올록볼록한 요철 구조물(60)을 수백㎚의 얇은 평탄막(70)으로 완벽하게 평탄화하는 것은 공정적으로 매우 어렵다. 또한, 요철 구조물(60)을 덮고 평판화하기 위한 방법으로는 증착코팅법과 용액코팅법이 있는데, 증착코팅법은 특성상 요철 구조물(60)의 형상을 따라가면서 막을 형성하기 때문에 증착코팅법보다는 용액코팅법에 의한 코팅을 통해 평탄막(70)을 형성하는 것이 바람직하다. 하지만, 굴절률이 ITO 애노드(20)의 굴절률 이상이고, 유기 발광소자 기판 표면에 요구되는 까다로운 조건과 고온 공정이 수반되는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(polycrystalline thin film transistor) 공정을 만족하는 고굴절 용액 코팅소재를 구하기는 현재 매우 어려운 상황이다.
한편, 종래에는 유기 발광소자의 발광효율을 증가시키기 위해 미세 공동(micro-cavity) 구조를 유기 발광소자에 적용하였다. 이는 투명 전극인 ITO 애노드 (20)를 ITO/금속/ITO로 구성하여, 애노드(20)에서 일부 빛이 반사되어 애노드(20)와 금속 캐소드(40) 사이에 미세 공동을 형성하여 발광되는 빛을 보강간섭 및 공진을 이용하여 발광효율을 증가시킨다. 하지만, 이러한 미세 공동 구조는 시야각이 증가함에 따라 색상이 변화하는 컬러 시프트(color shift) 현상을 초래하는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 광추출 효율이 향상되고, 시야각이 증가함에 따라 색상이 변화하는 컬러 시프트(color shift) 현상이 저감되는 광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자를 제공하는 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 애노드, 유기 발광층 및 캐소드의 적층으로 이루어진 유기 발광소자에 사용되는 투명한 기판에 있어서, 상기 유기 발광소자와의 경계면 중 적어도 한 부분에 상기 기판보다 굴절률이 상대적으로 낮은 다공성층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판을 제공한다.
여기서, 상기 유기 발광소자와 상기 다공성층을 포함하는 상기 기판은 직접 접촉되어 있을 수 있다.
상기 다공성층은 상기 기판을 이루는 성분들 중 산화규소(SiO2)를 제외한 나머지 성분이 용출되어 상기 기판에 형성될 수 있다.
상기 다공성층은 상기 기판의 내측 방향으로 형성되되, 상기 유기 발광소자의 표면과, 상기 유기 발광소자와의 경계면인 상기 기판의 표면은 수평을 이룰 수 있다.
상기 다공성층은 격자(grid) 패턴 또는 복수개의 세미 오벌(semi-oval) 또는 사다리꼴, 직사각형, 쐐기 형상으로 이루어진 다공성층 패턴으로 형성되어 있을 수 있다.
상기 기판의 굴절률이 n1일 경우 상기 다공성층 패턴의 폭(w), 깊이(d) 및 피치(p)는 하기의 관계식 1을 만족할 수 있다.
[관계식 1]
d:w:p≤2:1:pc
1/2+2/(n1 2-1)1/2=pc
상기 관계식 1에서, Pc는 실수임.
상기 다공성층 패턴의 피치(p)는 1㎛ 이상, 200㎚ 이하일 수 있다.
상기 유기 발광소자로부터 방출된 빛의 파장 크기로 상기 다공성층 패턴이 형성되면, 상기 다공성층 패턴의 피치(p) 값은 랜덤하게 결정될 수 있다.
상기 다공성층은 단면이 직사각형으로 이루어진 다공성층 패턴으로 형성되어 있을 수 있다.
상기 기판의 굴절률이 n1일 경우 상기 다공성층 패턴의 폭(w), 깊이(d) 및 피치(p)는 하기의 관계식 2를 만족할 수 있다.
[관계식 2]
d:w:p≤2:1:pc
1+2/(n1 2-1)1/2=pc
상기 관계식 2에서, Pc는 실수임.
상기 다공성층 패턴의 피치(p)는 1㎛ 이상, 200㎚ 이하일 수 있다.
상기 유기 발광소자로부터 방출된 빛의 파장 크기로 상기 다공성층 패턴이 형성되면, 상기 다공성층 패턴의 피치(p) 값은 랜덤하게 결정될 수 있다.
상기 기판 및 상기 다공성층은 유리로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명은, 애노드, 유기 발광층 및 캐소드의 적층으로 이루어진 유기 발광소자에 사용되는 투명한 기판을 제조하는 방법에 있어서, 상기 기판의 일면에서, 상기 기판을 이루는 성분들 중 산화규소(SiO2)를 제외한 나머지 성분을 용출하여, 상기 기판의 일면 중 적어도 한 부분에 상기 기판보다 굴절률이 상대적으로 낮은 다공성층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 다공성층을 격자(grid) 패턴 또는 복수개의 세미 오벌(semi-oval) 또는 사다리꼴, 직사각형, 쐐기 형상으로 이루어진 다공성층 패턴으로 형성할 수 있다.
상기 격자 패턴 또는 다공성층 패턴은 리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 리소그래피 공정은 포토리소그래피 공정으로 진행되되, 상기 기판의 표면에 포토 레지스트를 도포하는 단계; 마스크를 통해 상기 포토 레지스트를 패터닝하여 상기 기판 표면의 복수개의 영역을 노출시키는 단계; 상기 복수개의 영역에 대한 용출을 실시하여 상기 복수개의 영역으로부터 내측 방향으로 상기 다공성층을 형성시키는 단계; 및 패터닝된 상기 포토 레지스트를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 리소그래피 공정은, 상기 기판의 표면에 코팅물질을 코팅하는 단계; 상기 코팅물질의 용융온도 부근에서 어닐링하여 반구 형태의 나노 입자를 형성시키는 단계; 상기 나노 입자를 마스크로 하여 상기 기판의 표면에 다공성층이 형성되도록 패터닝하는 단계; 및 상기 나노 입자를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 다공성층의 단위 패턴들은 랜덤한 크기로 형성될 수 있다.
상기 코팅물질은 Ag, Au, Pt, Pd, Co, Ni, Ti, Al, Sn 및 Cr 등으로 이루어진 금속군 중 적어도 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금일 수 있다.
상기 코팅물질은 고분자 또는 산화물일 수 있다.
한편, 본 발명은, 제1 기판; 상기 제1 기판에 대향되게 배치되는 제2 기판; 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되고, 상기 제1 기판 상에 적층되는 애노드; 상기 애노드 상에 적층되는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 적층되는 캐소드를 포함하되, 상기 제1 기판에는 상기 애노드와의 경계면 중 적어도 한 부분에 상기 제1 기판보다 굴절률이 낮은 다공성층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자를 제공한다.
여기서, 상기 애노드와 상기 다공성층을 포함하는 상기 제1 기판은 직접 접촉되어 있을 수 있다.
본 발명에 따르면, 유리 기판에 유리보다 굴절률이 낮은 다공성층을 형성시킴으로써, 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 다공성층을 단차 없이 유리 기판 내측으로 형성시킴으로써, 종래 별도의 구성으로 형성되는 그리드 형성 공정보다 공정적으로 용이하고, 종래 그리드로 인해 발생되는 단차로 인한 발광 균일도 저하에 대한 우려도 불식시킬 수 있을 뿐만 아니라 누설전류를 발생에 대한 우려도 해소시킬 수 있으며, 종래의 애노드에 인접한 경계면에 광산란을 일으키는 요철 구조물과 이 구조물에 의해 발생된 단차를 평탄화하기 위해 형성하는 평탄막 형성 공정을 생략할 수 있어 공정 및 구조의 단순화를 꾀할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 복수개의 세미 오벌(semi-oval) 또는 사다리꼴, 직사각형, 쐐기 형상으로 이루어진 산란 패턴으로 구성되는 다공성층을 형성시킴으로써, 색 혼합을 유도하여 컬러 시프트를 개선시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판을 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판을 나타낸 단면도.
도 3은 광의 굴절 및 광도파로 효과에 의해 image blur를 나타낸 모식도.
도 4은 광의 굴절 및 산란을 나타낸 모식도.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판 제조방법을 나타낸 공정도.
도 6는 종래 기술에 따른 유기 발광소자의 단면도 및 광추출 효율을 설명하기 위한 개념도.
도 7은 종래 기술에 따른 다른 유기 발광소자를 나타낸 단면, 분해 및 결합 사시도.
도 8은 도 7의 유기 발광소자의 광추출 효율에 대한 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프.
도 9은 종래 기술에 따른 또 다른 유기 발광소자를 나타낸 부분 분해 사시도.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판(100)은 유기 발광소자(1)에 사용되는 서로 대향되는 기판 중 유기 발광소자(1)의 일면에 접합되는 기판이다. 그리고 이러한 유기 발광소자용 기판(100)은 유기 발광소자(1)를 외부 환경으로부터 보호함과 동시에 유기 발광소자(1)로부터 발생된 광을 외부로 방출시키는 통로 역할을 한다.
여기서, 유기 발광소자(1)는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 (100)과 이와 대향되는 봉지(encapsulation) 기판(미도시) 사이에 배치되는 애노드(11), 유기 발광층(12) 및 캐소드(13)의 적층 구조로 이루어진다. 이때, 애노드(11)는 전공 주입이 잘 일어나도록 일함수(work function)가 큰 금속 Au, In, Sn 또는 ITO와 같은 금속 또는 산화물로 이루어질 수 있고, 캐소드(13)는 전자 주입이 잘 일어나도록 일함수가 작은 Al, Al:Li 또는 Mg:Ag의 금속 박막으로 이루어져 있고, 전면 발광(top emission) 구조인 경우 유기 발광층(12)에서 발광된 빛이 잘 투과될 수 있도록 Al, Al:Li 또는 Mg:Ag의 금속 박막의 반투명 전극(semitransparent electrode)과 인듐 주석산화물(indium tin oxide; ITO)과 같은 산화물 투명 전극(transparent electrode) 박막의 다층구조로 이루어질 수 있다. 그리고 유기 발광층(12)은 애노드(11) 상에 차례로 적층되는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하여 형성된다. 이러한 구조에 따라, 애노드(11)와 캐소드(13) 사이에 순방향 전압이 인가되면, 캐소드(13)로부터 전자가 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되고, 애노드(11)로부터 정공이 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 된다. 그리고 발광층 내로 주입된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 전이하면서 빛을 방출하게 되는데, 이때, 방출되는 빛의 밝기는 애노드(11)와 캐소드(13) 사이에 흐르는 전류량에 비례하게 된다.
한편, 상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판(100)은 애노드(11)와 경계면을 이루게 되는데, 이 애노드(11)와의 경계면 중 적어도 한 부분에 다공성층(110)이 형성된다. 여기서, 다공성층(110)은 애노드(11)와 유기 발광층(12)에 의해 형성된 도파모드를 교란시켜 외부로 추출되는 광량을 증가시키는 역할을 한다. 또한, 기판(100) 보다 상대적으로 낮은 굴절률을 형성하여 기판(100)과 공기의 계면에서의 전반사가 일어나는 임계각도로 방출되는 빛의 방향을 임계각도 보다 작게 바꾸어 외부로 추출되는 광량을 증가시키는 역할을 한다. 이를 위해, 다공성층(110)은 유기 발광소자용 기판(110)을 이루는 물질인 유리보다 상대적으로 굴절률이 낮은 층으로 형성되는데, 이는 다공성층(110) 내에 존재하는 기공(pore)을 통해 구현된다.
본 발명의 일 실시 예에서, 이러한 다공성층(110)은 격자(grid) 패턴으로 형성될 수 있다. 여기서 격자의 단면 형상은 직사각형 또는 사다리꼴, 쐐기, 세미 오벌 등이 가능하다. 그리고 다공성층(110)은 다음과 같은 원리로 형성될 수 있다.
유기 발광소자용 기판(100)은 조명용의 경우, 소다 라임 유리(soda lime glass), 디스플레이용의 경우, alumino-silicate계 유리를 사용하며 주성분은 산화규소(SiO2)로 용도에 따라 조성은 다르지만 유리 표면에 다공성층을 형성하기 위한 용출 방법은 유리를 용출액에 침지시키는 방법으로 구현된다. 이때, 용출 공정에 사용되는 용출액으로는 산화규소(SiO2)를 첨가하여 포화시킨 불화규산(H2SiF6)이 사용되며, 붕산(boric acid) 수용액이 첨가될 수 있다. 불화규산(H2SiF6) 용액에 산화규소(SiO2)를 과포화시키면 H2SiF6ㆍSiF4를 생성되며 이에 의해 유리기판 구조 중 결합력이 강한 ≡Si-O-Si≡를 제외한 나머지 성분을 용출시키게 되어 다공성 실리카(porous silica structure) 구조 즉, 다공성층(110)이 유기 발광소자용 기판(100)의 표면으로부터 내측 방향으로 형성된다.
그리고 다공성층(110)의 형상은 상기의 원리를 기반으로 한 산화규소(SiO2)를 제외한 나머지 성분을 용출함을 통해서 만들어지는데, 이에 대해서는 하기의 유기 발광소자용 기판 제조방법에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
이와 같이, 유기 발광소자용 기판(100) 표면에 형성된 다공성층(110)은 그 표면이 유기 발광소자용 기판(100)의 표면 즉, 애노드(11)와의 경계면과 수평을 이루게 되며 기공의 직경이 수십㎚ 수준으로 미세하여 표면 거칠기가 원래 유리 표면과 거의 동일하다. 이에 따라, 종래 별도의 구성으로 애노드 위에 형성된 격자 패턴으로 인해 발생되던 문제들, 예컨대, 단차 발생으로 인한 누설전류 발생, 발광 균일도 저하 등을 원천적으로 차단시킬 수 있고, 단차 발생 부분을 평탄화하기 위한 평탄막 형성과 같은 난해한 추가 공정 등도 생략 가능해진다.
또한, 애노드 아래 요철 구조물과 평탄막 존재로 인해 발생되던 문제들, 예컨데, 낮은 평탄도로 인한 누설전류의 발생, 평탄도를 향상하기 위해 두께 증가 시 불필요한 광흡수 증가 및 비용 증가, 산란 효과의 감소 등도 해결할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판에 대해 도 2, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판을 나타낸 단면도이고, 도 3은 광의 굴절 및 광도파로 효과에 의해 image blur를 나타낸 모식도이며, 도 4은 광의 굴절 및 산란을 나타낸 모식도이다.
도 2 및 도 3, 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판(200)은 복수개의 세미 오벌(semi-oval) 또는 사다리꼴, 직사각형, 쐐기 형상(미도시)의 다공성층 패턴으로 이루어진 다공성층(210)을 포함하여 형성된다. 즉, 애노드(11)와의 경계면인 기판(200)의 표면으로부터 내측 방향으로 다공성층(210)이 형성되어 있다.
본 발명이 다른 실시 예는 본 발명의 일 실시 예와 비교하여, 다공성층의 패턴 형상에만 차이가 있을 뿐 유기 발광소자의 구조는 동일하므로, 동일한 구조에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하고, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 다공성층 패턴으로 이루어진 다공성층(210)은 본 발명의 일 실시 예에 따른 다공성층(110)과 마찬가지로 용출을 통해 기판(200)의 내측 방향으로 기공(pore)을 생성시킴으로써, 형성될 수 있고, 이를 통해, 유리로 이루어진 기판(200)보다 상대적으로 낮은 굴절률을 가져 다공성층(210)이 애노드(11)와 유기 발광층(12)에 의해 형성된 도파모드를 교란시키고 기판(200)과 공기의 계면에서의 전반사가 일어나는 임계각도로 방출되는 빛의 방향을 임계각도 보다 작게 바꾸어 외부로 추출되는 광량을 증가시킬 수 있다.
다만, 도 3에서는 보는 바와 같이 유기 발광소자(1)에서 방출되는 빛 중 다공성층(210)을 만나지 않고 기판(200)과 공기의 계면, 기판(200)과 애노드(11)의 계면에서 전반사되어 진행하다 다공성층(210)에서 굴절, 산란되어 방출될 수 있다. 이러한 빛으로 인해 Image blur가 발생하여 화질이 저하된다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 패턴의 단면이 세미 오벌 또는 사다리꼴, 쐐기일 경우, 기판의의 굴절률이 n1일 때 다공성층(210)의 단위 패턴의 폭(w)과 깊이(d), 피치(p)는 다음과 같은 비율을 만족하는 것이 바람직하다.
d:w:p≤2:1:pc
1/2+2/(n1 2-1)1/2=pc
이때, 패턴의 깊이(d)는 폭(w)의 두 배 이하인 것이 이중상 제거를 위해서 바람직하다.
그리고 패턴의 단면이 직사각형인 경우는 상기 식과 동일한 비율 만족하는 것이 바람직하되 아래 식을 만족해야 한다.
1+2/(n1 2-1)1/2=pc
상기 식은 다음과 같이 유도되었다.
아래 식과 같이, 패턴의 단면이 세미 오벌 또는 사다리꼴, 쐐기일 경우, 다공성층 패턴의 폭(w)과 깊이(d), 피치(p)에 의해 결정되는 각도 는
tanθ=(p-w/2)/d
상기 image blur 발생을 방지하기 위해 전반사의 임계각도 보다 작아야 한다.
θ<θc
Snell의 법칙과 임계각 조건 및 위의 식을 바탕을 아래와 같은 결과를 얻을 수 있다.
tanθc=n2/(n1 2-n2 2)1/2>tanθ(p-w/2)/d
n2/(n1 2-n2 2)1/2>(p-w/2)/d
w/2+n2d/(n1 2-n2 2)1/2>p, w/2+n2d/(n1 2-n2 2)1/2=pc
기존의 출원특허에서 기술한 바와 이중상이 안 보이려면
d:w≤2:1
이어야 하고, 공기 굴절률이 1이므로
n2=1(air),
1/2+2/(n1 2-1)1/2=pc, d:w:p≤2:1:pc
이다.
예를 들어 기판의 굴절률이
n2=1.5
인 경우
p<1/2+2/(1.52-1)1/2=2.29
로 깊이(d)는 폭(w)의 2배 이하이어야 하고 피치(p)는 2.29이하이어야 한다.
직사각형 단면의 경우는 상기 식에서 w/2 대신 w를 대입하여 동일하게 적용된다. 이 때, 마찬가지로 기판의 굴절률이
n2=1.5
인 경우
p<1/2+2/(1.52-1)1/2=2.79
로 깊이는(d)는 폭(w)의 2배 이하이어야 하고 피치(p)는 2.79이하이어야 한다.
이 때, 두 경우 모두 패턴의 피치(p)는 유기 발광소자에서 방출된 빛의 파장보다 큰 대략 1 마이크로 미터 수준이상이거나 방출된 빛의 파장보다 대략 200nm이하 이어야 하고, 방출된 빛의 파장 수준의 패턴이 형성되는 경우는 상기 범위 내에서 패턴 피치가 랜덤한 것이 바람직하다.
그 이유는 유기 발광소자(1)에서 방출된 빛의 파장과 유사한 주기적인 패턴이 형성되는 경우, Bragg grating 및 photonic crystal 현상에 의해 방출된 빛의 스펙트럼이 변화하며 시야각이 변화함에 따라 색변화가 발생하기 때문이다.
이와 아울러, 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 다공성층 (210)은 유기 발광소자(1)로부터 입사되는 광을 굴절, 산란시킬 수 있다. 즉, 세미 오벌 형상의 다공성층 (210)은 유기 발광소자(1)와 기판(200)의 경계면에 법선 방향으로 발광되는 빛의 방향을 법선 방향에서 벗어나는 방향으로 변경시킴과 아울러, 경계면의 법선 방향에서 벗어나는 방향으로 나오는 빛의 일부를 법선 방향으로 변경시킨다. 즉, 세미 오벌 형상의 다공성층(210)은 시야각에 따라 발광되는 빛의 방향을 변화시킴으로써, 색 혼합(color mixing)을 유도하여 발광효율을 증가시키기 위해 미세 공동(micro-cavity) 구조를 적용한 유기 발광소자에서 발생되는 컬러 시프트(color shift)를 개선할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판 제조방법에 대해 도 5를 참조하여 설명한다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광소자용 기판 제조방법에서는, 기판(200)의 일면을 산화규소(SiO2)를 제외한 나머지 성분을 용출하여 기판(200)의 일면 중 적어도 한 부분에 기판(200)보다 굴절률이 상대적으로 낮은 다공성층(210)을 형성시킨다.
이때, 도 5에 도시한 바와 같이, 리소그래피(lithography) 공정을 이용하여 다공성층(210)을 세미 오벌 형상의 산란 패턴으로 형성할 수 있고, 격자 패턴으로도 형성할 수 있다. 이때, 이러한 다공성층(210)의 패턴은 다양한 방법으로 형성할 수 있는 바, 본 발명에서 다공성층(210)이 패턴 형성 방법을 리소그래피 공정으로 특별히 한정하지는 않는다.
다양한 리소그래피 공정 중에 잘 알려진 포토리소그래피 공정을 통해, 이와 같은 다공성층(210) 패턴을 형성하는 경우, 먼저, 기판(200)의 표면에 레지스트(PR)(2)를 도포한다. 그 다음, 다공성층(210)이 형성될 기판(200) 표면의 복수개 영역을 노출시키기 위해, 마스크(미도시)를 이용하여 레지스트(2)를 패터닝한다. 그 다음, 이에 대해 용출을 진행하면, 패터닝된 레지스트(2) 사이 사이에 노출된 기판(200)의 표면으로부터 내측 방향으로 다공성층(210)이 형성된다. 마지막으로, 패터닝된 레지스트(2)를 스트립(strip) 공정을 통해 제거하면, 기판(200)보다 굴절률이 낮아 유기 발광소자(1)의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 다공성층(210)이 형성된 단차 없는 유기 발광소자용 기판(200)이 제조된다.
다른 리소그래피 공정으로는. 랜덤한 패턴을 형성하기 위해 수십 nm 두께의 Ag, Au, Pt, Pd, Co, Ni, Ti, Al, Sn, Cr 등과 같은 금속 및 합금을 기판에 코팅한 후 용융온도(melting point)부근에서 annealing하면 금속 박막이 dewetting되어 반구 형태의 나노 입자를 형성하다. 이를 mask로 이용하여 기판에 다공성층을 패터닝하고 금속 나노 입자를 제거하여 다공성층이 형성된 기판을 형성할 수 있다. 상기 금속 대신 고분자 박막이나 산화물을 이용할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100, 200: 유기 발광소자용 기판 110, 210: 다공성층
1: 유기 발광소자 2: 레지스트
11: 애노드 12: 유기 발광층
13: 캐소드

Claims (23)

  1. 애노드, 유기 발광층 및 캐소드의 적층으로 이루어진 유기 발광소자에 사용되는 투명한 기판에 있어서,
    상기 유기 발광소자와의 경계면 중 적어도 한 부분에 상기 기판보다 굴절률이 상대적으로 낮은 다공성층이 형성되어 있고,
    상기 다공성층은 상기 기판을 이루는 성분들 중 산화규소(SiO2)를 제외한 나머지 성분이 용출되어 상기 기판에 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유기 발광소자와 상기 기판은 직접 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 다공성층은 상기 기판의 내측 방향으로 형성되되,
    상기 유기 발광소자의 표면과, 상기 유기 발광소자와의 경계면인 상기 기판의 표면은 수평을 이루는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 다공성층은 격자(grid) 패턴 또는 복수개의 세미 오벌(semi-oval) 또는 사다리꼴, 직사각형, 쐐기 형상으로 이루어진 다공성층 패턴으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기판의 굴절률이 n1일 경우 상기 다공성층 패턴의 폭(w), 깊이(d) 및 피치(p)는 하기의 관계식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판.
    [관계식 1]
    d:w:p≤2:1:pc
    1/2+2/(n1 2-1)1/2=pc
    상기 관계식 1에서, Pc는 실수임.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 다공성층 패턴의 피치(p)는 1㎛~100㎛ 또는 50㎚~200㎚인 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 유기 발광소자로부터 방출된 빛의 파장 크기와 대응되는 폭과 깊이를 갖는 상기 다공성층 패턴이 형성되면, 상기 다공성층 패턴의 피치(p) 값은 랜덤하게 결정되는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 다공성층은 단면이 직사각형으로 이루어진 다공성층 패턴으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 기판의 굴절률이 n1일 경우 상기 다공성층 패턴의 폭(w), 깊이(d) 및 피치(p)는 하기의 관계식 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판.
    [관계식 2]
    d:w:p≤2:1:pc
    1+2/(n1 2-1)1/2=pc
    상기 관계식 2에서, Pc는 실수임.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 다공성층 패턴의 피치(p)는 1㎛~100㎛ 또는 50㎚~200㎚인 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 유기 발광소자로부터 방출된 빛의 파장 크기와 대응되는 폭과 깊이를 갖는 상기 다공성층 패턴이 형성되면, 상기 다공성층 패턴의 피치(p) 값은 랜덤하게 결정되는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 기판 및 상기 다공성층은 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판.
  14. 애노드, 유기 발광층 및 캐소드의 적층으로 이루어진 유기 발광소자에 사용되는 투명한 기판을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 기판의 일면에서, 상기 기판을 이루는 성분들 중 산화규소(SiO2)를 제외한 나머지 성분을 용출하여, 상기 기판의 일면 중 적어도 한 부분에 상기 기판보다 굴절률이 상대적으로 낮은 다공성층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 다공성층을 격자(grid) 패턴 또는 복수개의 세미 오벌(semi-oval) 또는 사다리꼴, 직사각형, 쐐기 형상으로 이루어진 다공성층 패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 격자 패턴 또는 다공성층 패턴은 리소그래피 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 리소그래피 공정은 포토리소그래피 공정으로 진행되되,
    상기 기판의 표면에 포토 레지스트를 도포하는 단계;
    마스크를 통해 상기 포토 레지스트를 패터닝하여 상기 기판 표면의 복수개의 영역을 노출시키는 단계;
    상기 복수개의 영역에 대한 용출을 실시하여 상기 복수개의 영역으로부터 내측 방향으로 상기 다공성층을 형성시키는 단계; 및
    패터닝된 상기 포토 레지스트를 제거하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판 제조방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 리소그래피 공정은,
    상기 기판의 표면에 코팅물질을 코팅하는 단계;
    상기 코팅물질의 용융온도 부근에서 어닐링하여 반구 형태의 나노 입자를 형성시키는 단계;
    상기 나노 입자를 마스크로 하여 상기 기판의 표면에 다공성층이 형성되도록 패터닝하는 단계; 및
    상기 나노 입자를 제거하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 다공성층의 단위 패턴들은 랜덤한 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판 제조방법.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 코팅물질은 Ag, Au, Pt, Pd, Co, Ni, Ti, Al, Sn 및 Cr을 포함하는 금속군 중 적어도 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판 제조방법.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 코팅물질은 고분자 또는 산화물인 것을 특징으로 하는 유기 발광소자용 기판 제조방법.
  22. 제1 기판;
    상기 제1 기판에 대향되게 배치되는 제2 기판;
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되고, 상기 제1 기판 상에 적층되는 애노드;
    상기 애노드 상에 적층되는 유기 발광층; 및
    상기 유기 발광층 상에 적층되는 캐소드;
    를 포함하되,
    상기 제1 기판에는 상기 애노드와의 경계면 중 적어도 한 부분에 상기 제1 기판보다 굴절률이 낮은 다공성층이 형성되어 있고,
    상기 다공성층은 상기 제1 기판을 이루는 성분들 중 산화규소(SiO2)를 제외한 나머지 성분이 용출되어 상기 제1 기판에 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광소자.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 애노드와 상기 제1 기판은 직접 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자.
KR1020120035973A 2012-04-06 2012-04-06 광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자 KR101602418B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120035973A KR101602418B1 (ko) 2012-04-06 2012-04-06 광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자
JP2013078951A JP6310638B2 (ja) 2012-04-06 2013-04-04 光取り出し効率が向上した有機発光素子用基板、その製造方法、及びこれを具備する有機発光素子
US13/857,607 US9837636B2 (en) 2012-04-06 2013-04-05 Substrate for organic light-emitting device with enhanced light extraction efficiency, method of manufacturing the same and organic light-emitting device having the same
EP13162647.5A EP2648240B1 (en) 2012-04-06 2013-04-08 Substrate for organic light-emitting device with enhanced light extraction efficiency, method of manufacturing the same and organic light-emitting device having the same
CN201310119716.9A CN103367651B (zh) 2012-04-06 2013-04-08 用于有机发光装置的具有提高的光提取效率的基板及其制造方法和具有它的有机发光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120035973A KR101602418B1 (ko) 2012-04-06 2012-04-06 광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130113642A KR20130113642A (ko) 2013-10-16
KR101602418B1 true KR101602418B1 (ko) 2016-03-10

Family

ID=48082950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120035973A KR101602418B1 (ko) 2012-04-06 2012-04-06 광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9837636B2 (ko)
EP (1) EP2648240B1 (ko)
JP (1) JP6310638B2 (ko)
KR (1) KR101602418B1 (ko)
CN (1) CN103367651B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10297794B2 (en) 2016-08-04 2019-05-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device
US11532806B2 (en) 2014-04-01 2022-12-20 The Research Foundation For The State University Of New York Electrode materials that include an active composition of the formula MgzMxOy for group II cation-based batteries

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160317979A1 (en) * 2014-01-21 2016-11-03 Empire Technology Development Llc Graphene membranes and methods for making and using the same
JPWO2016047443A1 (ja) * 2014-09-26 2017-07-06 次世代化学材料評価技術研究組合 発光素子
CN105261710B (zh) * 2015-11-19 2017-05-10 深圳市华星光电技术有限公司 显示器及其有机发光二极管器件
US10199607B2 (en) * 2016-06-30 2019-02-05 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
CN110582863B (zh) * 2017-05-05 2022-07-05 3M创新有限公司 包括聚合物膜的显示设备
CN109638175A (zh) * 2018-11-30 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光装置及阵列基板
KR20200138507A (ko) 2019-05-30 2020-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
US10826010B1 (en) 2019-06-20 2020-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha High-efficiency QLED structures
US10930888B2 (en) 2019-07-22 2021-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha High-efficiency QLED structures
US11316135B2 (en) 2019-07-22 2022-04-26 Sharp Kabushiki Kaisha High-efficiency QLED structures
CN112396965B (zh) * 2020-11-18 2023-04-07 合肥维信诺科技有限公司 一种显示面板和显示装置
CN114361359B (zh) * 2021-12-29 2023-10-27 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005243319A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Matsushita Electric Works Ltd 照明装置
JP2012058590A (ja) 2010-09-10 2012-03-22 Canon Inc 反射防止構造体及びその製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5775139A (en) * 1980-10-27 1982-05-11 Toyobo Co Ltd Separation of heavy metal
CA2248042C (en) * 1996-03-27 2002-04-23 British Telecommunications Public Limited Company Optical diffraction grating
JP4279971B2 (ja) * 1999-11-10 2009-06-17 パナソニック電工株式会社 発光素子
JP4717200B2 (ja) * 2000-12-15 2011-07-06 キヤノン株式会社 有機発光素子
US6674778B1 (en) * 2002-01-09 2004-01-06 Sandia Corporation Electrically pumped edge-emitting photonic bandgap semiconductor laser
JP2004063303A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Nippon Sheet Glass Co Ltd Ｅｌ素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板
CN1781339A (zh) 2003-03-25 2006-05-31 国立大学法人京都大学 发光元件以及有机电致发光元件
JP2005050708A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Samsung Sdi Co Ltd 光学素子用基板及び有機エレクトロルミネッセンス素子並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4406572B2 (ja) * 2004-03-03 2010-01-27 株式会社 日立ディスプレイズ 発光素子及びその表示装置
KR20060030396A (ko) * 2004-10-05 2006-04-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP4511440B2 (ja) 2004-10-05 2010-07-28 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機発光素子及び有機発光素子の製造方法
JP2006114432A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Konica Minolta Holdings Inc 面発光素子
JP2007069272A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Toshiba Corp 微粒子配列体、薄膜配列体および磁気記録媒体の製造方法
JP2007327081A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 接着方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
TW200919743A (en) * 2007-10-30 2009-05-01 Aurotek Corp Dye-sensitized solar cell
WO2010032596A1 (ja) * 2008-09-22 2010-03-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 面発光パネル
KR20110054841A (ko) 2009-11-18 2011-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5297991B2 (ja) * 2009-12-11 2013-09-25 株式会社日立製作所 有機発光ダイオード及びこれを用いた光源装置
KR20120001997A (ko) * 2010-06-30 2012-01-05 한국전자통신연구원 발광 소자
US8415555B2 (en) * 2010-08-24 2013-04-09 Corning Incorporated Dimensional silica-based porous silicon structures and methods of fabrication

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005243319A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Matsushita Electric Works Ltd 照明装置
JP2012058590A (ja) 2010-09-10 2012-03-22 Canon Inc 反射防止構造体及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11532806B2 (en) 2014-04-01 2022-12-20 The Research Foundation For The State University Of New York Electrode materials that include an active composition of the formula MgzMxOy for group II cation-based batteries
US10297794B2 (en) 2016-08-04 2019-05-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device

Also Published As

Publication number Publication date
EP2648240B1 (en) 2020-12-02
KR20130113642A (ko) 2013-10-16
US9837636B2 (en) 2017-12-05
CN103367651B (zh) 2017-03-01
JP2013219032A (ja) 2013-10-24
EP2648240A2 (en) 2013-10-09
EP2648240A3 (en) 2016-07-27
CN103367651A (zh) 2013-10-23
JP6310638B2 (ja) 2018-04-11
US20140131669A1 (en) 2014-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101602418B1 (ko) 광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자
JP6182354B2 (ja) ディスプレイ用多孔性ガラス基板及びその製造方法
US7375463B2 (en) Optical device and organic EL display
US8232572B2 (en) Light emitting device
US8247962B2 (en) Organic light emitting device and manufacturing method thereof
JP2012226931A (ja) 表示装置
KR20110021991A (ko) 광출력을 향상시킨 ｌｅｄ 디바이스 구조
US8648527B2 (en) Display apparatus
US20130076236A1 (en) Display apparatus
KR101466831B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
JP2012221686A (ja) 表示装置
US9882170B2 (en) Organic light emitting device with improved light extraction
JP2009044117A (ja) 発光装置
JP2009272194A (ja) 発光装置
KR101470295B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101659331B1 (ko) 광추출 효율이 향상된 유기발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101421024B1 (ko) 유기발광소자용 금속산화물 박막 기판 및 그 제조방법
KR101602470B1 (ko) 디스플레이용 다공성 유리 기판 및 그 제조방법
JP2012221687A (ja) 表示装置
KR101608332B1 (ko) 전면 발광형 유기발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 전면 발광형 유기발광소자
JP2010244848A (ja) 発光装置
US20130082909A1 (en) Display apparatus
JP2013026067A (ja) 表示装置
WO2014069564A1 (ja) 有機ｅｌ素子並びにそれを備えた画像表示装置及び照明装置
KR20150012729A (ko) 엘이디 발광소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181219

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191219

Year of fee payment: 5