CN103367651A - 用于有机发光装置的具有提高的光提取效率的基板及其制造方法和具有它的有机发光装置 - Google Patents

用于有机发光装置的具有提高的光提取效率的基板及其制造方法和具有它的有机发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103367651A
CN103367651A CN2013101197169A CN201310119716A CN103367651A CN 103367651 A CN103367651 A CN 103367651A CN 2013101197169 A CN2013101197169 A CN 2013101197169A CN 201310119716 A CN201310119716 A CN 201310119716A CN 103367651 A CN103367651 A CN 103367651A
Authority
CN
China
Prior art keywords
porous layer
transparency carrier
pattern
substrate
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2013101197169A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103367651B (zh
Inventor
朴晟植
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Precision Materials Co Ltd
Original Assignee
Samsung Corning Precision Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Corning Precision Materials Co Ltd filed Critical Samsung Corning Precision Materials Co Ltd
Publication of CN103367651A publication Critical patent/CN103367651A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103367651B publication Critical patent/CN103367651B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/02131Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being halogen doped silicon oxides, e.g. FSG
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02203Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being porous
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145Organic substrates, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

用于有机发光装置(OLED)的具有提高的光提取效率的基板及其制造方法和具有它的OLED,其中提高了光提取效率,从而减小了色移现象,其中,颜色根据观察者在视角内的位置而改变。用在OLED中的透明基板包含互相堆叠的阳极、有机发光层和阴极,透明基板在它的邻接有机发光装置的一个表面的至少一个部分中包括多孔层,多孔层的折射率小于透明基板的折射率。

Description

用于有机发光装置的具有提高的光提取效率的基板及其制造方法和具有它的有机发光装置
相关专利申请的交叉引用
本申请要求于2012年4月6日递交的韩国专利申请第10-2012-0035973号的优先权,申请的全部内容为全部的目的通过该引用合并于此。
技术领域
用于有机发光装置(OLED)的具有提高的光提取效率的基板及其制造方法和具有它的OLED;更具体地涉及用于OLED的具有提高的光提取效率的基板及其制造方法和具有它的OLED,其中,提高了光提取效率,从而减小了色移现象,其中,颜色根据观察者在视角内的位置而改变。
背景技术
通常,有机发光装置(OLED)包含阳极、发光层和阴极。当在阳极和阴极之间施加电压时,空穴从阳极注入至空穴注入层,然后从空穴注入层迁移到有机发光层,并且电子从阴极注入至电子注入层,然后从电子注入层迁移到发光层。注入发光层的空穴和电子在发光层中彼此再结合,从而产生激子。当这样的激子从激发态跃迁至基态时,发出光。
根据驱动在矩阵形状中排列的N X M数目的像素的机制,包含OLED的有机发光显示器分成无源矩阵类型和有源矩阵类型。
在有源矩阵类型中,限定发光区域的像素电极和应用电流或电压到像素电极的单元像素驱动电路位于单元像素区域内。单元像素驱动电路具有至少两个薄膜晶体管(TFT)和一个电容器。由于这个结构,单元像素驱动电路可不计像素的数目而提供恒定的电流,从而实现均匀的亮度。有源矩阵类型有机发光显示器消耗较少的能量,因此可有利地适用于高清晰度显示器和大显示器。
然而,如图6中所示,只有约20%的OLED产生的光发射到外部,并且约80%的光通过由于玻璃基板10和有机发光层30之间的折射率差异产生的波导效应以及由于玻璃基板10和空气之间的折射率的差异产生的全内反射而损失,有机发光层30包含阳极20、空穴注入层、空穴载体层、发光层、电子载体层和电子注入层。具体地,内部有机发光层30的折射率为从1.7至1.8的范围,而通常用于阳极20的氧化铟锡(ITO)的折射率为从1.9至2.0的范围。由于这两个层具有100nm至400nm的非常小的厚度,并且用于玻璃基板10的玻璃的折射率为约1.5,从而在OLED内部形成平面型波导。计算由于上述原因在内部波导模式中损失的光的比为约45%。此外,由于玻璃基板10的折射率为约1.5,周围空气的折射率为1.0,当光从玻璃基板10的内部指向外部时,具有大于临界角的入射角的光线全部反射,并在基板10的内部被捕获。由于捕获的光的比达到约35%,产生的光仅有约20%发射到外部。这里,附图标记31、32和33表示有机发光层30的部件。具体地,31表示空穴注入层和空穴载体层,32表示发光层,并且33表示电子注入层和电子载体层。
此外,如图7中所示,为克服上述问题,在现有技术中,低折射率网格(low indexgrid,LIP)50形成在ITO阳极20上。网格50将在波导模式中传播的光的方向转换为正面,从而提高光提取效率。
图8示出了图7中所示的OLED的模拟结果。当网格50的折射率较低时,提高光提取效率的效果增加。但是,问题在于几乎没有材料具有1.2或更小的折射率,并且当折射率较小时,材料的价格更贵。此外,如图7中所示,当网格50形成在ITO阳极20上时,形成了台阶式的部分。结果,可出现漏电流。此外,图7中所示的OLED具有难于加工的问题。例如,在一些情况下,邻接有机发光层30的阳极20的表面在于ITO阳极20上形成网格50的过程中变形,从而改变功函。此外,空穴未通过阳极20上形成有网格50的部分注入至有机发光层30,并且那里应用的电场大小与环境不同,从而减小产生的光的均匀性。
此外,如图9中所示,在现有技术中,凹凸结构60设置在阳极20下面(相对于纸张表面),即在阳极20和玻璃基板10之间的界面,以提高光提取效率。
如上所述,阳极20和有机发光层30通常用作为阴极40和玻璃基板10之间的一个光波导。因此,在阳极20和有机发光层30以波导模式作用的情况下,当引起光散射的凹凸结构60形成在邻接阳极20的表面时,扰乱了波导模式,所以提高了提取到外面的光的质量。然而,当凹凸结构60形成在阳极20的下面时,阳极20形状类似于阳极20下面的凹凸结构60的形状,从而增加尖锐部分局部化的可能性。由于OLED具有非常薄的膜的堆积结构,当阳极20具有尖锐突出部分时,电流集中于那个部分,它作为大的漏电流或减小的能量效率的原因。因此,为防止电特性的这种劣化,当凹凸结构60形成在阳极20下面时,必需加入平面薄膜70。平面薄膜70用于使凹凸结构60的凸起和凹入部分平坦。当平面薄膜70不平,并具有尖锐突出部分时,阳极20还具有引起漏电流的突出部分。因此,平面薄膜70的平面非常重要,并需要为约Rpv=30nm或更小。
此外,平面薄膜70需要由折射率与阳极20的折射率相似的材料制造。如果平面薄膜70的折射率低,大部分光在被凹凸结构60扰乱前,在阳极20和平面薄膜70之间的界面被反射。然后,光在阳极20和有机发光层30之间被捕获,这被称为波导模式。需要平面薄膜70尽可能薄。如果平面薄膜70太厚,可能不必要的吸收更多的光,并且由于凹凸结构60与有机发光层30之间的距离太大,散射效应可减小。
然而,使用具有几百个纳米厚度的薄的平面薄膜70完全使凹凸结构60变平的工艺是很困难的。此外,覆盖和使凹凸结构60变平的方法包含沉积涂布和溶液涂布。由于沉积涂布特征为形成凹凸结构60的形状后形成膜,当形成平面薄膜70时,溶液涂布优于沉积涂布。然而,目前,获得具有高的折射率,即等于或大于ITO阳极20的折射率的溶液涂布材料,并且满足用于多晶薄膜晶体管的加工条件,例如OLED基板的表面和高温加工需要的复杂条件,是非常难的。
现有技术中,将微腔结构应用到OLED以提高OLED的光提取效率。这里,ITO阳极20或透明电极由ITO/金属/ITO制造。在这个方法中,一部分的光从阳极20反射,并且微腔结构形成在阳极20和金属阴极40之间,以使光经相长干涉和共振,从而提高光提取效率。然而,这个微腔结构具有引起色移的问题,其中,颜色根据观察者在视角内的位置而改变。
发明部分的背景公开的信息仅用于本发明背景的理解,并且不应作为承认或任何形式地建议该信息形成本领域技术人员已知的现有技术。
发明内容
本发明的各个方面提供了用于有机发光装置(OLED)的具有提高的光提取效率的基板及其制造方法和具有它的OLED,其中,提高了光提取效率,从而减小了色移现象,其中,颜色根据观察者在视角内的位置而改变。
在本发明的方面中,提供了用在OLED中的透明基板,所述OLED包含互相堆叠的阳极、有机发光层和阴极,所述透明基板在它的邻接所述OLED的一个表面的至少一个部分中包括多孔层,所述多孔层的折射率小于所述透明基板的折射率。
在本发明的示例性实施方式中,具有所述多孔层的所述透明基板可在与所述OLED直接接触。
可形成所述多孔层,以使透明基板的组分中除了二氧化硅以外的至少一种组分从所述透明基板洗脱。
所述多孔层可延伸到透明基板内,所述有机发光装置的表面和与所述有机发光装置邻接的所述透明基板形成平面。
所述多孔层可具有多孔层图案,所述多孔层图案的横截面形状选自由半椭圆形、梯形和楔形组成的组中。所述多孔层图案可选自网格图案、由多个条纹组成的图案、由多个波浪组成的图案、蜂巢状图案和由多个点组成的图案。
所述多孔层图案的宽度、深度和间距以及所述透明基板的折射率可满足下面的关系:
d:w≤2:1,p≤pc,并且
1/2+2/(n1 2-1)1/2=pc
其中,d表示所述多孔层图案的深度,w表示所述多孔层图案的宽度,p表示所述多孔层图案的间距,n1表示所述透明基板的折射率,并且pc表示实数。
所述多孔层图案的间距可等于或小于200nm,或等于或大于1μm。
所述多孔层图案的间距可在所述OLED发出的光的波长范围内,并具有彼此不同的随机值。
所述多孔层可具有为长方形(oblong)的横截面的多孔层图案。
所述多孔层图案的宽度、深度和间距以及所述透明基板的折射率可满足下面的关系:
d:w≤2:1,p≤pc,并且
1+2/(n1 2-1)1/2=pc
其中,d表示所述多孔层图案的深度,w表示所述多孔层图案的宽度,p表示所述多孔层图案的间距,n1表示透明基板的折射率,并且pc表示实数。
所述多孔层图案的间距可等于或小于200nm,或等于或大于1μm。
所述多孔层图案的间距可在所述OLED发出的光的波长范围内,并具有彼此不同的随机值。
所述透明基板和所述多孔层可由玻璃制成。
在本发明的另一个方面,提供了制造用在OLED中的透明基板的方法,所述OLED包括互相堆叠的阳极、有机发光层和阴极。所述方法包括:通过从所述透明基板洗脱透明基板的组分中除了二氧化硅以外的至少一种组分,在所述透明基板的一个表面的至少一个部分中形成多孔层,所述多孔层的折射率小于所述透明基板的折射率。
在示例性实施方式中,所述多孔层可具有多孔层图案,所述多孔层图案的横截面形状选自由半椭圆形、梯形、长方形和楔形组成的组中。所述多孔层图案可选自网格图案、由多个条纹组成的图案、由多个波浪组成的图案、蜂巢状图案和由多个点组成的图案。
可通过平板印刷形成所述多孔层。
所述平板印刷可以照相平板印刷工艺实现,所述照相平板印刷工艺包括下面的步骤:在所述基板的表面上涂布光致抗蚀剂;通过用掩膜图案化光致抗蚀剂而暴露所述基板的表面的多个区域;通过洗脱所述透明基板的除二氧化硅以外的组分而从多个区域在向内的方向形成多孔层;和去除所述图案化的光致抗蚀剂。
所述平板印刷可包括下面的步骤:用涂布材料涂布所述基板的表面;通过在所述涂布材料的熔点附近的温度退火,而形成半球形纳米颗粒;图案化所述透明基板的表面,以便用纳米颗粒作为掩膜形成所述多孔层;和去除所述纳米颗粒。
所述多孔层图案的间距可具有彼此不同的随机值。
所述涂布材料可为选自Ag、Au、Pt、Pd、Co、Ni、Ti、Al、Sn、Cr和它们的合金的一种金属。
所述涂布材料可为聚合物或氧化物。
在本发明另一个的方面中,提供了OLED,包含第一基板;面对所述第一基板的第二基板;设置在所述第一基板和所述第二基板之间的阳极,所述阳极堆叠在所述第一基板上;堆叠在所述阳极上的有机发光层;和堆叠在所述有机发光层上的阴极。所述第一基板在它的邻接所述阳极的一个表面的至少一个部分中可包括多孔层,所述多孔层的折射率小于所述第一基板的折射率。
具有所述多孔层的所述第一基板与所述阳极直接接触。
根据本发明的实施方式,可能通过在玻璃基板上形成所述多孔层而提高光提取效率,所述多孔层的折射率小于玻璃的折射率。
此外,由于所述多孔层形成在玻璃基板的内部部分,加工比现有技术中单独形成网格的加工容易。可能消除现有技术中由网格形成的台阶式的部分引起的光均匀性下降的问题,及漏电流出现的问题。由于可省略现有技术中形成引起光在邻接阳极的界面处散射的凹凸结构的工艺,以及可省略为了使这种凹凸结构形成的台阶式部分平坦化而形成平面薄膜,所以还可能简化工艺和结构。
此外,由于多孔层具有选自由多个半椭圆形横截面组成的图案、由多个梯形横截面组成的图案、由多个长方形横截面组成的图案和由多个楔形横截面组成的图案的散射图案,可能通过促进颜色混合而减小色移。
从在文中整合的附图和本发明的下面详细说明中,本发明的方法和装置具有的其他特征和优点将清晰或更详细地说明,它们共同用于解释本发明的特定原理。
附图说明
图1为示出了根据本发明的一个实施方式的用于OLED的基板的横截面视图;
图2为示出了根据本发明的另一个实施方式的用于OLED的基板的横截面视图;
图3示出了由光的折射和波导效应引起的图像模糊的示意图;
图4为示出了光的折射和散射的示意图;
图5为示出了制造根据本发明的一个实施方式的用于OLED的基板的方法的过程视图;
图6为描述现有技术的OLED的横截面和它的光提取效率的概念图;
图7为示出了根据现有技术的另一个实例的OLED的横截面、爆破和组装视图;
图8为示出了图7中所示的OLED的光提取效率的模拟结果的图;和
图9为示出了根据现有技术的另一个实例的OLED的爆破透视图。
具体实施方式
现将详细地参照根据本发明的用于OLED的基板和它的制造方法,它的实施方式在附图中描述,并且下面说明,以使本发明相关的本领域普通技术人员可容易地将本发明付诸实施。
整个文献中,将参照附图,全部不同的图中使用相同的附图标记和符号表示相同或相似的部件。在本发明的下面说明中,当文中整合的已知功能和部件使本发明的主题不清楚时,将省略它们的详细说明。
如图1中所示,根据本发明的一个实施方式的用于OLED的基板100为在OLED1中使用的相对的基板的一个,并粘合到OLED1的一个表面。基板100保护OLED1免受外部环境,同时作为OLED1产生的光发射到外部的通道。
这里,OLED1具有设置在根据本发明的这个实施方式的用于OLED的基板100和面对基板100的封装基板(未示出)的堆叠结构,堆叠结构包含彼此互相堆叠的阳极11、有机发光层12和阴极13。阳极11可由具有大的功函以促进空穴注入的金属或氧化物,例如Au、In、Sn或氧化铟锡(ITO)制成。阴极13可以具有小的功函以促进电子注入的Al、Al:Li或Mg:Ag的金属薄膜实现。在顶发光结构的情况下,阴极13可以包含由Al、Al:Li或Mg:Ag的金属薄膜制造的半透明电极和氧化铟锡(ITO)的氧化物薄膜的透明电极的多层结构实现,以促进有机发光层12产生的光的传输。有机发光层12包含在阳极11上按次序堆叠的空穴注入层、空穴载体层、发光层、电子载体层和电子注入层。在这个结构中,当施加正向电压于阳极11和阴极13之间时,电子从阴极13通过电子注入层和电子载体层迁移到发光层,并且空穴通过空穴注入层和空穴载体层迁移到发光层。已经迁移到发光层中的电子和空穴彼此再结合,从而产生激子。当这样的激子由激发态跃迁至基态时,发出光。发出的光的亮度与阳极11和阴极13之间流动的电流的量成正比。
如上所述,根据本发明的实施方式的用于OLED的基板100具有一个邻接阳极11的一个表面、形成在邻接阳极11的表面的至少一个部分中的多孔层110。多孔层110用于扰乱由阳极11和有机发光层12形成的波导模式,从而增加提取到外部的光的量。此外,多孔层110具有比基板100低的折射率。由于这个性质,多孔层110改变了以在基板100和空气之间的全内反射的临界角的发出的光的方向,以使光的角度变得比临界角小,从而增加提取到外部的光的量。为此,多孔层110以层实现,它的折射率小于基板100的材料即玻璃的折射率。通过多孔层110中存在的孔实现较低的折射率。
根据本发明的这个实施方式,多孔层110可具有网格图案。此外,多孔层110可设置为选自但不限于由多个条纹组成的图案、由多个波浪组成的图案、蜂巢状图案和由多个点组成的图案组成的图案。所述图案的横截面形状选自但不限于长方形、梯形、楔形和半椭圆形。
当OLED用于照明时,用于OLED的基板100以钠钙玻璃实现,并且当OLED用于显示时,可以铝硅玻璃实现。虽然它的组成可根据用途而变化,但是基板具有作为主要成分的二氧化硅(SiO2)。用于在玻璃基板的表面中形成多孔层的洗脱工艺包含将玻璃基板浸渍到洗脱溶液中。用在洗脱工艺中的洗脱溶液以通过加入SiO2而饱和的六氟代硅酸(H2SiF6)实现。硼酸溶液可加到洗脱溶液中。当SiO2在H2SiF6溶液中过饱和时,产生H2SiF6·SiF4。因此,这洗脱玻璃基板除了具有强结合力的强结合≡Si-O-Si≡以外的组分。因此,多孔的二氧化硅结构或多孔层110形成在基板100中,以使它从基板100的表面延伸到内部。
基于上述原理,通过洗脱除了SiO2以外的其余组分的至少一种组分,形成多孔层110。这将在后面更详细地说明制造用于OLED的基板的方法。
在如上述在用于OLED的基板100的表面中形成的多孔层110中,多孔层110的表面与基板100的表面即基板100和阳极11的界面是共面的。多孔层110的孔具有约数十纳米的非常小的直径,并且多孔层110的表面粗糙度与最初的玻璃表面的粗糙度基本相同。因此,可能根本地克服由在阳极上的凹凸结构引起的现有技术的问题,例如由于台阶式的部分引起的漏电流的出现或光均匀性的减小。还可能省略复杂的附加工艺,例如旨在使台阶式的部分平坦的形成平面薄膜的工艺。
还可能克服由在阳极下面的凸凹结构和平面薄膜的存在引起的现有技术的问题。在现有技术中,例如,由于低的平整度而产生漏电流,由于旨在改善平整度而增加厚度引起的不必要地增加光吸收和成本,并减小了散射效果。
参照图2、图3和图4,下面将给出根据本发明的另一个实施方式的用于OLED的基板的说明。
图2为示出了根据本发明这个实施方式的用于OLED的基板的横截面视图,图3为示出了由光的折射和波导效应引起的图像模糊的示意图,和图4为示出了光的折射和散射的示意图。
如图2至4所示,根据本发明这个实施方式的用于OLED的基板200包含多孔层210,多孔层210具有选自但不限于由半椭圆形横截面组成的图案、由多个梯形横截面组成的图案、由多个长方形横截面组成的图案和由多个楔形横截面组成的图案的多孔层图案。多孔层210在基板200中形成,以使它从邻接阳极11的基板200的表面向内延伸。
与本发明前面的实施方式相比,除了多孔层的图案的形状以外,根据发明的这个实施方式的OLED的结构基本与前面的实施方式的OLED的结构相同。因此,将使用相同的附图标记表示相同的部件,并将省略它们的详细的说明。
像根据本发明的前述实施方式的多孔层110一样,可通过洗脱在基板200内部产生孔而形成根据本发明的这个实施方式的具有多孔层图案的多孔层210。所以,多孔层210的折射率小于玻璃基板200的折射率,所以多孔层210可扰乱由阳极11和有机发光层12引起的波导模式。多孔层210还可改变以在基板200和空气之间的界面的全折射的临界角发出的光的方向,以使光的角度变得小于临界角,从而增加提取到外部的光的量。
如图3所示,从OLED1发出的光线可于在基板200和空气之间的界面和/或基板200和阳极11之间的界面完全被反射的同时在基板200内部传播,而不撞击多孔层210,直至被多孔层210折射和/或散射而被发射。这个光线引起图像模糊,从而劣化图像的质量。
为了克服这个问题,当图案的横截面为半椭圆形、梯形或楔形时,优选多孔层图案的深度和间距与透明基板的折射率满足下面的关系:
d:w≤2:1,p≤pc,和
1/2+2/(n1 2-1)1/2=pc
其中,d表示多孔层图案的深度,w表示多孔层210的单元图案的宽度,p表示多孔层图案的间距,n1表示透明基板的折射率,并且pc表示实数。
这里,优选图案的深度d等于图案的宽度w,或小于两倍的图案的宽度w,以去除重影。
当图案的横截面为长方形时,优选满足上面关系中的相同的比率。此外,必须满足下面的公式。
1+2/(n1 2-1)1/2=pc
如下得出上面的公式。
当图案的横截面为半椭圆形、梯形或楔形时,通过多孔层图案的宽度w、深度d和间距p确定的角度θ必须满足下面的公式:
tanθ=(p-w/2)/d
为了防止图像模糊,如在下面的关系中,角度必须小于用于全反射的临界角:
θ<θc
根据斯涅尔定律、临界角条件和上面的公式,可获得下面的结果。
tanθc=n2/(n1 2-n2 2)1/2>tanθ(p-w/2)/d,
n2/(n1 2-n2 2)1/2>(p-w/2)/d,并且
w/2+n2d/(n1 2-n2 2)1/2>p,w/2+n2d/(n1 2-n2 2)1/2=pc
如现有技术所述,需要下面的关系以去除重影。
d:w≤2:1
由于空气的折射率为1,得出下面的公式。
n2=1(空气),
1/2+2/(n1 2-1)1/2=pc,并且
d:w≤2:1,p≤pc
在实施例中,当基板的折射率为n2=1.5时,得出下面的公式。
p<1/2+2/(1.52-1)1/2=2.29
根据这个公式,深度d必须等于宽度w,或小于两倍的宽度w,并且间距p为2.29或更小。
在长方形横截面的情况下,w以同样的方式代替w/2。这时,当基板的折射率为上述n2=1.5,得到下面的公式。
p<1/2+2/(1.52-1)1/2=2.79
根据这个公式,深度d必须等于宽度w,或小于两倍的宽度w,并且间距p为2.79或更小。
在两种情况下,需要图案的间距p等于或大于约1微米,大于从OLED发出的光的波长,或等于或小于约200nm(比发出的光的波长更小)。
当图案的间距的范围设置为与发出的光的波长相似的范围或值时,优选地图案的间距在光的波长范围内是随机的。(例如,优选地,图案具有不同间距,以使一个单元图像的间距为500nm,并且邻近的单元图案的间距为530nm。)
当形成与从OLED1发出的光的波长相似的周期性图案时,由于布拉格光栅和光子晶体效应,光谱变化,所以根据观察者视角内的位置的改变而发生颜色的变化。
此外,如图4中所示,根据本发明的这个实施方式的多孔层210可折射和散射从OLED1入射的光。具体地,具有半椭圆形状的多孔层210改变从垂直于OLED1和基板之间的界面发出的光的方向,以使光线的方向偏移法线方向,同时改变从偏离法线方向发出的光线的方向,以使光线的方向垂直于界面。因此,具有半椭圆形状的多孔层210可根据观察者在视角内的位置而改变光的方向,从而减小在具有微腔结构的OLED中出现的色移,以通过促进颜色混合提高光提取效率。
参照图5,下面将给出制造根据本发明的实施方式的用于OLED的基板的方法。
制造根据这个实施方式的用于OLED的基板的方法通过洗脱基板200的组分中除了二氧化硅(SiO2)以外的至少一种组分而在基板200的一个表面的至少一个部分中形成多孔层210,多孔层210的折射率小于基板200的折射率。
这时,如图5中所示,可通过平板印刷形成多孔层210,以使它具有半椭圆形的散射图案。因为可通过各种方法形成多孔层210的图案,本发明的形成多孔层210的方法不限于平板印刷。
当通过各种方法的已知方法形成多孔层210的图案时,首先,在基板200的表面涂布光致抗蚀剂(PR)2。然后,用掩膜(未示出)图案化光致抗蚀剂2,以暴露其中将形成多孔层210的基板200的表面中的多个区域。然后,进行洗脱,以使多孔层210在通过图案化的光致抗蚀剂2而暴露的基板200的公开区域中形成,以使多孔层210从基板200的表面向内延伸。最后,通过剥离去除图案化的光致抗蚀剂2,从而生成用于OLED的不具有台阶式部分的多孔层210的基板200。由于多孔层210的折射率小于基板200的折射率,可提高OLED1的光提取效率。
根据另一个平板印刷工艺,在基板上涂布选自Ag、Au、Pt、Pd、Co、Ni、Ti、Al、Sn、Cr和它们合金的一种制造的金属薄膜至数十个纳米的厚度,以形成具有随机间距大小的图案。在薄膜的熔点附近的温度退火,以使金属薄膜通过去湿形成半球状纳米颗粒。当图案化多孔层时金属纳米颗粒可用作掩膜,然后被去除,从而产生具有多孔层的基板。聚合物薄膜或氧化物可取代金属薄膜而使用。
已经结合特定的实施方式和附图呈现了本发明的具体的示例性实施方式的上述说明。它们不旨在穷尽,或限制本发明于公开的具体形式,并且显而易见的是根据上述技术,对本领域技术人员来说,许多修改和变化是可能的。
因此,本发明的范围不旨在限于上述实施方式,而是通过它们所附的权利要求和它们的等价方式限定。

Claims (25)

1.一种用在有机发光装置中的透明基板,所述有机发光装置包括互相堆叠的阳极、有机发光层和阴极,所述透明基板在它的邻接所述有机发光装置的一个表面的至少一个部分中包括多孔层,所述多孔层的折射率小于所述透明基板的折射率。
2.如权利要求1所述的透明基板,其中,具有所述多孔层的所述透明基板与所述有机发光装置直接接触。
3.如权利要求1所述的透明基板,其中,形成所述多孔层,以使所述透明基板的组分中除了二氧化硅以外的至少一种组分从所述透明基板洗脱。
4.如权利要求1所述的透明基板,其中,所述多孔层延伸到所述透明基板内,所述有机发光装置的表面和与所述有机发光装置邻接的所述透明基板的表面形成平面。
5.如权利要求1所述的透明基板,其中,所述多孔层具有多孔层图案,所述多孔层图案的横截面形状选自由半椭圆形、梯形和楔形组成的组中。
6.如权利要求5所述的透明基板,其中,所述多孔层图案的宽度、深度和间距与所述透明基板的折射率满足下面的关系:
d:w≤2:1,p≤pc,并且
1/2+2/(n1 2-1)1/2=pc
其中,d表示所述多孔层图案的深度,w表示所述多孔层图案的宽度,p表示所述多孔层图案的间距,n1表示所述透明基板的折射率,并且pc表示实数。
7.如权利要求6所述的透明基板,其中,所述多孔层图案的间距等于或小于200nm,或等于或大于1μm。
8.如权利要求5所述的透明基板,其中,所述多孔层图案的间距在所述有机发光装置发出的光的波长范围内,并具有彼此不同的随机值。
9.如权利要求1所述的透明基板,其中,所述多孔层具有为长方形的横截面的图案。
10.如权利要求9所述的透明基板,其中,所述多孔层图案的宽度、深度和间距及所述透明基板的折射率满足下面的关系:
d:w≤2:1,p≤pc,并且
1+2/(n1 2-1)1/2=pc
其中,d表示所述多孔层图案的深度,w表示所述多孔层图案的宽度,p表示所述多孔层图案的间距,n1表示所述透明基板的折射率,并且pc表示实数。
11.如权利要求10所述的透明基板,其中,所述多孔层图案的间距等于或小于200nm,或等于或大于1μm。
12.如权利要求11所述的透明基板,其中,所述多孔层图案的间距在所述有机发光装置发出的光的波长范围内,并具有彼此不同的随机值。
13.如权利要求1所述的透明基板,其中,所述透明基板和所述多孔层由玻璃制成。
14.如权利要求1所述的透明基板,其中,所述多孔层具有选自由网格图案、由多个条纹组成的图案、由多个波浪组成的图案、蜂巢状图案和由多个点组成的图案组成的组中的多孔层图案。
15.一种制造用在有机发光装置中的透明基板的方法,所述有机发光装置包括互相堆叠的阳极、有机发光层和阴极,所述方法包括:
通过从透明基板洗脱所述透明基板的组分中除了二氧化硅以外的至少一种组分,在所述透明基板的一个表面的至少一个部分中形成多孔层,所述多孔层的折射率小于所述透明基板的折射率。
16.如权利要求15所述的方法,其中,所述多孔层具有多孔层图案,所述多孔层图案的横截面形状选自由半椭圆形、梯形、长方形和楔形组成的组中。
17.如权利要求16所述的方法,其中,所述多孔层具有选自由网格图案、由多个条纹组成的图案、由多个波浪组成的图案、蜂巢状图案和由多个点组成的图案组成的组中的多孔层图案。
18.如权利要求16所述的方法,其中,所述多孔层通过平板印刷形成。
19.如权利要求18所述的方法,其中,所述平板印刷包括照相平板印刷工艺,所述照相平板印刷工艺包括:
在所述透明基板的所述一个表面上涂布光致抗蚀剂;
通过用掩膜图案化所述光致抗蚀剂而暴露所述透明基板的所述一个表面的多个区域;
通过洗脱所述至少一种组分而从所述多个区域在向内的方向形成所述多孔层;和
去除图案化的所述光致抗蚀剂。
20.如权利要求18所述的方法,其中,所述平板印刷包括:
用涂布材料涂布所述透明基板的所述一个表面;
通过在所述涂布材料的熔点附近的温度退火而形成半球形纳米颗粒;
图案化所述透明基板的所述一个表面,以用所述纳米颗粒作为掩膜形成所述多孔层;和
去除所述纳米颗粒。
21.如权利要求20所述的方法,其中,所述多孔层具有多孔层图案,所述多孔层图案的间距具有彼此不同的随机值。
22.如权利要求20所述的方法,其中,所述涂布材料为选自由Ag、Au、Pt、Pd、Co、Ni、Ti、Al、Sn、Cr和它们的合金组成的组中的一种金属。
23.如权利要求20所述的方法,其中,所述涂布材料包含聚合物或氧化物。
24.一种有机发光装置,包括:
第一基板;
面对所述第一基板的第二基板;
设置在所述第一基板和所述第二基板之间的阳极,所述阳极堆叠在所述第一基板上;
堆叠在所述阳极上的有机发光层;和
堆叠在所述有机发光层上的阴极,
其中,所述第一基板在它的邻接所述阳极一个表面的至少一个部分中包括多孔层,所述多孔层的折射率小于所述第一基板的折射率。
25.如权利要求24所述的有机发光装置,其中,具有所述多孔层的所述第一基板与所述阳极直接接触。
CN201310119716.9A 2012-04-06 2013-04-08 用于有机发光装置的具有提高的光提取效率的基板及其制造方法和具有它的有机发光装置 Active CN103367651B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2012-0035973 2012-04-06
KR1020120035973A KR101602418B1 (ko) 2012-04-06 2012-04-06 광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103367651A true CN103367651A (zh) 2013-10-23
CN103367651B CN103367651B (zh) 2017-03-01

Family

ID=48082950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310119716.9A Active CN103367651B (zh) 2012-04-06 2013-04-08 用于有机发光装置的具有提高的光提取效率的基板及其制造方法和具有它的有机发光装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9837636B2 (zh)
EP (1) EP2648240B1 (zh)
JP (1) JP6310638B2 (zh)
KR (1) KR101602418B1 (zh)
CN (1) CN103367651B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105261710A (zh) * 2015-11-19 2016-01-20 深圳市华星光电技术有限公司 显示器及其有机发光二极管器件
CN111048689A (zh) * 2016-06-30 2020-04-21 乐金显示有限公司 有机发光显示装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160317979A1 (en) * 2014-01-21 2016-11-03 Empire Technology Development Llc Graphene membranes and methods for making and using the same
US10763491B2 (en) 2014-04-01 2020-09-01 The Research Foundation For The State University Of New York Low-temperature synthesis process of making MgzMxOy, where M is Mn, V or Fe, for manufacture of electrode materials for group II cation-based batteries
JPWO2016047443A1 (ja) * 2014-09-26 2017-07-06 次世代化学材料評価技術研究組合 発光素子
KR102518130B1 (ko) 2016-08-04 2023-04-06 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN110582863B (zh) * 2017-05-05 2022-07-05 3M创新有限公司 包括聚合物膜的显示设备
CN109638175A (zh) * 2018-11-30 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光装置及阵列基板
KR20200138507A (ko) 2019-05-30 2020-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
US10826010B1 (en) 2019-06-20 2020-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha High-efficiency QLED structures
US10930888B2 (en) 2019-07-22 2021-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha High-efficiency QLED structures
US11316135B2 (en) 2019-07-22 2022-04-26 Sharp Kabushiki Kaisha High-efficiency QLED structures
CN112396965B (zh) * 2020-11-18 2023-04-07 合肥维信诺科技有限公司 一种显示面板和显示装置
CN114361359B (zh) * 2021-12-29 2023-10-27 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1578565A (zh) * 2003-07-29 2005-02-09 三星Sdi株式会社 光学元件用基板、有机电致发光元件和显示器件
CN1781339A (zh) * 2003-03-25 2006-05-31 国立大学法人京都大学 发光元件以及有机电致发光元件
CN102097597A (zh) * 2009-11-18 2011-06-15 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管装置及其制造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5775139A (en) * 1980-10-27 1982-05-11 Toyobo Co Ltd Separation of heavy metal
CA2248042C (en) * 1996-03-27 2002-04-23 British Telecommunications Public Limited Company Optical diffraction grating
JP4279971B2 (ja) * 1999-11-10 2009-06-17 パナソニック電工株式会社 発光素子
JP4717200B2 (ja) * 2000-12-15 2011-07-06 キヤノン株式会社 有機発光素子
US6674778B1 (en) * 2002-01-09 2004-01-06 Sandia Corporation Electrically pumped edge-emitting photonic bandgap semiconductor laser
JP2004063303A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Nippon Sheet Glass Co Ltd El素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板
JP4251093B2 (ja) * 2004-02-24 2009-04-08 パナソニック電工株式会社 照明装置
JP4406572B2 (ja) * 2004-03-03 2010-01-27 株式会社 日立ディスプレイズ 発光素子及びその表示装置
KR20060030396A (ko) * 2004-10-05 2006-04-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP4511440B2 (ja) 2004-10-05 2010-07-28 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機発光素子及び有機発光素子の製造方法
JP2006114432A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Konica Minolta Holdings Inc 面発光素子
JP2007069272A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Toshiba Corp 微粒子配列体、薄膜配列体および磁気記録媒体の製造方法
JP2007327081A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 接着方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
TW200919743A (en) * 2007-10-30 2009-05-01 Aurotek Corp Dye-sensitized solar cell
WO2010032596A1 (ja) * 2008-09-22 2010-03-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 面発光パネル
JP5297991B2 (ja) * 2009-12-11 2013-09-25 株式会社日立製作所 有機発光ダイオード及びこれを用いた光源装置
KR20120001997A (ko) * 2010-06-30 2012-01-05 한국전자통신연구원 발광 소자
US8415555B2 (en) * 2010-08-24 2013-04-09 Corning Incorporated Dimensional silica-based porous silicon structures and methods of fabrication
JP2012058590A (ja) 2010-09-10 2012-03-22 Canon Inc 反射防止構造体及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1781339A (zh) * 2003-03-25 2006-05-31 国立大学法人京都大学 发光元件以及有机电致发光元件
CN1578565A (zh) * 2003-07-29 2005-02-09 三星Sdi株式会社 光学元件用基板、有机电致发光元件和显示器件
CN102097597A (zh) * 2009-11-18 2011-06-15 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管装置及其制造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
胥焕岩等: "《多孔玻璃的性质、用途及制备》", 《武汉化工学院学报》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105261710A (zh) * 2015-11-19 2016-01-20 深圳市华星光电技术有限公司 显示器及其有机发光二极管器件
CN105261710B (zh) * 2015-11-19 2017-05-10 深圳市华星光电技术有限公司 显示器及其有机发光二极管器件
CN111048689A (zh) * 2016-06-30 2020-04-21 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN111048689B (zh) * 2016-06-30 2022-10-28 乐金显示有限公司 有机发光显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2648240B1 (en) 2020-12-02
KR101602418B1 (ko) 2016-03-10
KR20130113642A (ko) 2013-10-16
US9837636B2 (en) 2017-12-05
CN103367651B (zh) 2017-03-01
JP2013219032A (ja) 2013-10-24
EP2648240A2 (en) 2013-10-09
EP2648240A3 (en) 2016-07-27
JP6310638B2 (ja) 2018-04-11
US20140131669A1 (en) 2014-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103367651A (zh) 用于有机发光装置的具有提高的光提取效率的基板及其制造方法和具有它的有机发光装置
CN103390726B (zh) 用于显示器的多孔玻璃基板及其制造方法
JP5037344B2 (ja) 有機発光ダイオードに基づいたディスプレイおよびその製造方法
CN202977534U (zh) 有机发光装置
US8247962B2 (en) Organic light emitting device and manufacturing method thereof
KR102295610B1 (ko) 유기 발광 다이오드 표시 장치
KR20120054887A (ko) 유기발광소자 및 그의 제조방법
KR101674066B1 (ko) 유기발광소자
KR101466831B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN103597623B (zh) 具有改进的光提取的有机发光装置
KR101579457B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
JP2018506822A (ja) 有機発光装置用光取り出し基板及びこれを含む有機発光装置
CN110335960A (zh) Oled显示面板及其制备方法、显示装置
EP2720284B1 (en) Method of fabricating a metal oxide thin film substrate for OLED
US20160172629A1 (en) Method for manufacturing ultrathin organic light-emitting device
KR101659331B1 (ko) 광추출 효율이 향상된 유기발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
US20170352839A1 (en) Light extracting substrate for organic light emitting device, method of manufacturing same, and organic light emitting device including same
KR101470293B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법
KR101602470B1 (ko) 디스플레이용 다공성 유리 기판 및 그 제조방법
KR101580596B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
JP2004303546A (ja) 薄膜エレクトロルミネッセンス装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: Chungnam, South Korea

Applicant after: Corning Precision Materials Co.,Ltd.

Address before: Gyeongbuk, South Korea

Applicant before: Samsung Corning Precision Materials Co., Ltd.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD. TO: KANGNING PRECISION MATERIAL CO., LTD.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant