CN109638175A - 有机发光装置及阵列基板 - Google Patents
有机发光装置及阵列基板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109638175A CN109638175A CN201811450197.3A CN201811450197A CN109638175A CN 109638175 A CN109638175 A CN 109638175A CN 201811450197 A CN201811450197 A CN 201811450197A CN 109638175 A CN109638175 A CN 109638175A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- electrode
- light
- organic light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 61
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 39
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 257
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 claims description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- -1 class Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 238000007651 thermal printing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
- G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
- G02B5/0242—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of dispersed particles
Abstract
本发明公开了一种有机发光装置及阵列基板，有机发光装置包括发光结构层，具有一出光侧；光萃取层，位于所述发光结构的所述出光侧；所述光萃取层中具有至少一折射层，每一所述折射层包括若干第一光折射体、若干第二光折射体、第二聚合物层。本发明的有机发光装置及阵列基板，通过在有机发光结构上增设光萃取层，可以增加有机发光装置的光萃取效率，而且结构设置简单，有效解决现有技术中光萃取难以实现的问题，实现了高效率OLED装置的制备。
Description
技术领域
本发明涉及OLED显示技术领域，具体为一种有机发光装置及阵列基板。
背景技术
目前有机发光装置，简称OLED装置内部的发光效率虽然接近于100％，但是能够成功光萃取出OLED外部的比例还有待提高。OLED装置内部产生的光在其内部进行传播时，由于各材料界面的光学系数(比如折射率)的不匹配，会有反射、折射以及全反射的发生。要想获得高效率的OLED装置，其光萃取效率必须大幅提高。
提高OLED装置的出光效率(光萃取技术)是提高OLED装置各种性能参数的重要手段之一，目前提高光萃取效率的方法主要有减少全反射、微腔共振效应(microcavity)和减少波导效应。通过增加出光面的粗糙度、在出光面涂覆微球颗粒(microspheres)以及覆盖微透镜(microlenses)是主要的减少全反射的方式。
目前特别针对减少全反射、微腔共振效应和减少波导效应有一些公开的专利设计。例如美国专利US8466484通过热感式印刷(Thermal Printing)将空穴传输材料(HTM,hole transport material)在阳极上做成不同的薄膜形态来调整微腔共振效应以提高有机发光元件的光萃取效率。此方法虽然能够制备不同的薄膜形态，但是对于规整的矩阵形状需求难以实现。美国专利US8917014在出光面基板上通过半月板涂布的方式在平整的表面上增加一层具有散射颗粒的结构层(连接一层平坦层)来提高出光效率。美国专利US9130195B2同样是在出光界面或者是在接近出光界面形成特殊的规律形状来增加元件的出光效率，但是向外凸起的图案想要依靠材料自身的性能形成规律的形状和尺寸具有相当大的难度。
发明内容
为解决上述技术问题：本发明提供一种有机发光装置及阵列基板，在有机发光的出光侧增加光萃取层可以增加有机发光装置的光萃取效率，能够方便和高效率的制备OLED显示装置。
解决上述问题的技术方案是：本发明提供了一种有机发光装置，包括发光结构层，具有一出光侧；以及光萃取层，位于所述发光结构层的所述出光侧；所述光萃取层中具有至少一折射层，所述折射层包括若干第一光折射体，阵列式分布在同一层上，每一第一光折射体具有第一入光面和第一出光面，所述第一入光面朝向所述发光结构层；若干第二光折射体，每一第二光折射体均位于相对应的第一光折射体内，每一第二光折射体具有第二入光面和第二出光面，所述第二入光面朝向所述第一入光面，所述第二出光面朝向所述第一出光面；以及聚合物层，覆盖所有的所述第一光折射体的所述第一出光面。
在本发明一实施例中，所述聚合物层的折射率小于或等于所述第一光折射体的折射率，且所述第一光折射体的折射率小于所述第二光折射体的折射率。
在本发明一实施例中，所述光萃取层还包括第一聚合物层，所述折射层中的所述第一光折射体覆于所述第一聚合物层上；所述聚合物层的折射率大于或等于所述第一聚合物层的折射率。
在本发明一实施例中，所述第一光折射体为半球形聚合物结构，具有一平面和第一球面，所述平面为所述第一入光面，所述第一球面为第一出光面；所述半球形聚合物结构的直径为1-50um。
在本发明一实施例中，所述第二光折射体为球形聚合物结构，具有一第二球面，所述第二入光面和所述第二出光面分布于所述第二球面上；所述球形聚合物结构的直径为0.1-20um。
在本发明一实施例中，所述折射层还包括第三无机层，覆于所述聚合物层上；所述光萃取层还包括第一无机层，覆于所述发光结构层上；以及第二无机层，覆于所述第一无机层上；所述折射层的层数在两层或以上，所述折射层叠层分布。
在本发明一实施例中，所述发光结构层包括第一电极；有机发光层，设于所述第一电极上；第二电极，设于所述有机发光层上；以及电极覆盖层，覆盖于所述第二电极上；所述光萃取层设于所述电极覆盖层的上方；所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透明或半透明电极，所述第二电极所在的一侧为所述出光侧；所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；或所述第二电极为阴极，所述第一电极为阳极。
在本发明一实施例中，从所述阳极至所述阴极，所述有机发光层中依次堆叠有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光材料层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层；其中，所述有机发光装置中具有若干发光单元；所述发光单元为红光发光单元、蓝光发光单元、滤光发光单元、白光发光单元、黄光发光单元中的至少一种。
在本发明一实施例中，所述发光单元对应于所述第一光折射体，并且能够与所述第一光折射体一一对应的所述发光单元占所有所述发光单元数量的30％或以上；所述发光单元具有一最小宽度，所述第一光折射体的直径与所述发光单元的所述最小宽度的相差1％-20％。
本发明还公开了一种阵列基板，其特征在于，包括基层；阵列层，覆于所述基层上，所述阵列层中具有若干像素单元；以及所述的有机发光装置，设于所述阵列层上；其中，每一发光单元对应一个像素单元。
本发明的有益效果是：本发明的有机发光装置及阵列基板，通过在有机发光结构上增设光萃取层，可以增加有机发光装置的光萃取效率，而且结构设置简单，有效解决现有技术中光萃取难以实现的问题，实现了高效率OLED装置的制备。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步解释。
图1是本发明一实施例的有机发光装置的结构示意图。
图2是本发明一实施例的阵列基板的结构示意图，主要体现阵列基板的阵列层结构和像素单元与发光单元之间的对应关系。
图3是本发明一实施例的光线经光萃取层折射的光路图。
图4是本发明另一实施例的有机发光装置的结构示意图。
其中，
1阵列基板；
10基层；20阵列层；30钝化层；40平坦层；50像素限定层；60有机发光装置；
201阻隔层；202有源层；203第一栅极绝缘层；204第一栅极层；205第二栅极绝缘层；206第二栅极层；207介电层；208源极；209漏极；
51开槽；52像素单元；61发光单元；
610发光结构层；620光萃取层；
611第一电极；612有机发光层；613第二电极；614电极覆盖层；
6121空穴注入层；6122空穴传输层；6123电子阻挡层；6124发光材料层；6125空穴阻挡层；6126电子传输层；6127电子注入层；
621第一无机层；622第二无机层；623第一聚合物层；624折射层；
6241第一光折射体；6242第二光折射体；6243第二聚合物层；6244第三无机层；
62411第一入光面；62412第一出光面；62421第二入光面；62422第二出光面；
611出光侧。
具体实施方式
以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
如图1所示，在其中一实施例中，本发明的有机发光装置60，包括发光结构层610、以及光萃取层620。所述发光结构层610具有一出光侧611，所述光萃取层620位于所述发光结构层610的所述出光侧611。
所述发光结构层610从下到上依次包括第一电极611、有机发光层612、第二电极613、以及电极覆盖层614。其中，所述有机发光层612设于所述第一电极611上；所述第二电极613设于所述有机发光层612上；所述电极覆盖层614覆盖于所述第二电极613上，所述第二电极613就是所述的出光侧611。
本实施例提供的所述发光结构层610采用如下的结构形式：所述第一电极611为阳极，所述阳极为反射电极，所述反射电极为银、铝、铜、铁、锌、金、镱、钼、镁、钛等金属材料所制成的反光的金属栅线。所述第二电极613为阴极，为透明或半透明电极，所述阴极所用材料为氧化铟锡、铝掺杂氧化锌材料、银纳米线、石墨烯纳米线、有机导电材料等制成的明或半透明导电薄膜。从所述阳极至所述阴极，所述有机发光层612中从下至上依次堆叠有空穴注入层6121、空穴传输层6122、电子阻挡层6123、发光材料层6124、空穴阻挡层6125、电子传输层6126、以及电子注入层6127。所述电极覆盖层614为阴极覆盖层，所述阴极覆盖层覆于阴极上以保护阴极，一般可采用银、铝、铜、铁、锌、金、镱、钼、镁等透明的金属纳米材料或透明的金属氧化物材料。
本实施例中，所述有机发光装置60具有若干发光单元61(见图3)；根据发光的颜色选择不同，所述发光单元61为红光发光单元、蓝光发光单元、滤光发光单元、白光发光单元、黄光发光单元中的至少一种，每一发光单元61发出的光的颜色是由其所对应的所述发光材料层6124的材料决定的。
所述光萃取层620设于所述电极覆盖层614的上方；所述光萃取层620具有第一无机层621、第二无机层622、第一聚合物层623以及折射层624。所述第一无机层621覆盖于所述电极覆盖层614上，用以保护所述电极覆盖层614。所述第二无机层622覆于所述第一无机层621上，所述第二无机层622具有阻隔水氧功能。所述第一聚合物层623覆于所述第二无机层622上，所述折射层624覆于所述第一聚合物层623上。
本实施例中，所述第一无机层621为可见光(波长为380-780nm)无吸收的无机薄膜，所述第一无机层621的材料可采用无机盐，如氟化锂、氟化钠、氟化钾、氯化钠、氯化钾等，或者采用金属材料，如铝、银、镱、镁等的透明金属材料，或者采用透明金属氧化物材料，如氧化铝、氧化锆、氧化钛、氧化铟锡、氧化锌等材料中的一种。所述第二无机层622的所用材料为可选用氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛等材料中的一种。所述第一聚合物层623所用材料可以选用六甲基二甲基硅醚、聚合体pp-HMDSO(Plasma Polymerized HMDSO)、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯类、聚酰亚胺类等材料中的一种。所述第一聚合物层623在制备过程中，可采用化学气相沉积或喷墨打印法或刮刀涂布法形成。
所述折射层624包括若干第一光折射体6241、若干第二光折射体6242、第二聚合物层6243以及第三无机层6244。
所述若干第一光折射体6241阵列式分布在同一层上，本实施例中，所述若干第一光折射体6241阵列式分布在所述第一聚合物层623上。如图2所示，每一第一光折射体6241具有第一入光面62411和第一出光面62412，所述第一入光面62411朝向所述发光结构层610。本实施例中，所述第一光折射体6241为半球形聚合物结构，具有一平面和第一球面，所述平面为所述第一入光面62411，所述第一球面为第一出光面62412。所述半球形聚合物结构的直径为1um-50um，优选为5um-20um。所述第一光折射体6241的所用材料也可以选用六甲基二甲基硅醚、聚合体pp-HMDSO(Plasma Polymerized HMDSO)、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯类、聚酰亚胺类等材料中的一种。
再请参照图2所示，每一第二光折射体6242位于相对应的一个第一光折射体6241内，所述第二光折射体6242具有第二入光面62421和第二出光面62422，所述第二入光面62421朝向所述第一入光面62411，所述第二出光面62422朝向所述第一出光面62412。本实施例中，所述第二光折射体6242为球形聚合物结构，具有一第二球面，所述第二入光面62421和所述第二出光面62422分布于所述第二球面上，所述第二入光面62421和所述第二出光面62422构成所述第二球面，并且在所述第二球面上并未限定所述第二入光面62421和所述第二出光面62422之间的分界线。所述球形聚合物结构的直径为0.1um-20um，优选为0.4um-10um。所述第二光折射体6242的所用材料也可以选用六甲基二甲基硅醚、聚合体pp-HMDSO(Plasma Polymerized HMDSO)、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯类、聚酰亚胺类等材料中的一种。
如图2所示，所述第二聚合物层6243覆盖所有所述第一光折射体6241的所述第一出光面62412。所述第二聚合物层6243可以通过喷墨打印或者刮涂法形成，所述第二聚合物层6243将所有第一光折射体6241刚好覆盖，使得表面平整。所述第二聚合物层6243的所用材料也可以选用六甲基二甲基硅醚、聚合体pp-HMDSO(Plasma Polymerized HMDSO)、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯类、聚酰亚胺类等材料中的一种。
如图1所示，所述第三无机层6244覆于所述第二聚合物层6243上。所述第三无机层6244的所用材料为可选用氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛等材料中的一种。
为了实现较佳的萃光效果，本实施例中，所述第二聚合物层6243的折射率大于或等于所述第一聚合物层623的折射率。所述第二聚合物层6243的折射率小于或等于所述第一光折射体6241的折射率，且所述第一光折射体6241的折射率小于所述第二光折射体6242的折射率。本实施例中，所述第一聚合物层623的折射率一般大于或等于1.5且小于1.6；所述第一折射体的折射率大于或等于1.5，优选为大于1.7且小于等于1.8；所述第二折射体的折射率大于1.8，更倾向于大于2.0小于等于2.5；所述第二聚合物层6243的折射率大于或等于1.5，优选为，所述第二聚合物层6243的折射率大于或等于1.6小于1.7。如图2所示，图2中光线从所述发光结构层610进入所述第一聚合物层623后，进入所述第一光折射体6241，经所述第一光折射体6241折射后，再经过所述第二光折射体6242折射，然后进入所述第二聚合物层6243，经所述第二聚合物层6243折射后，从所述出光侧611出光。
为了实现较佳的萃光效果，本实施例中，所述的若干发光单元61与所述若干第一光折射体6241相对应，能够与所述第一光折射体6241形成一一对应关系的所述发光单元61占所有所述发光单元61数量的30％或以上。
本实施例中，所述光萃取层620可以设置一层，也可以设置多层，当所述光萃取层620的层数在两层或以上时，所述光萃取层620叠层分布。
如图3所示，同时参见图1，本实施例还提供了一种阵列基板1，该阵列基板1包括有基层10、阵列层20、钝化层30、平坦层40、像素限定层50以及有机发光装置60。所述阵列层20覆于所述基层10上，所述阵列层20中具有若干像素单元52。所述有机发光装置60设于所述阵列层20上，其中所述有机发光装置60中的第一电极611形成于所述像素单元52的上方。每一所述发光单元61对应一个像素单元52。
一般来说，所述阵列层20从基层10开始依次设置阻隔层201、有源层202、第一栅极绝缘层203、第一栅极层204、第二栅极绝缘层205、第二栅极层206、介电层207、源极208、漏极209等。其中，所述源极208和漏极209设于所述介电层207上且穿过所述介电层207对应连接至所述有源层202上，所述钝化层30覆于所述介电层207、所述源极208、以及所述漏极209上，所述平坦层40覆于所述钝化层30上，所述第一电极611设置在所述平坦层40且穿过所述平坦层40、所述钝化层30连接至所述漏极209上，所述像素限定层50覆于所述第一电极611上，所述像素限定层50上具有一开槽51，该开槽51对应所述第一电极611。本实施例中，所述第一电极611为阳极，且反射电极。然后在所述开槽51中的所述阳极上依次形成所述电子阻挡层6123、所述发光材料层6124、所述空穴阻挡层6125、所述电子传输层6126、所述电子注入层6127、所述第二电极613、所述电极覆盖层614以及所述光萃取层620。所述第二电极613为阴极，且为透明或半透明电极。
在实际制程过程中，为了方便制程，所述发光单元61具有一最小宽度，该最小宽度是根据在所述像素限定层50中的所述开槽51宽度决定的，而所述开槽51宽度是根据发光制程要求设计的，即像素单元52的尺寸设计的，为了方便制程同时提高发光效果，本实施例中所述第一光折射体6241的直径与所述发光单元61的所述最小宽度的相差1％-20％，优选方案为5％-10％。
如图4所示，在本发明的另一实施例中，本发明的有机发光装置60中的发光结构层610的层状结构与上一实施例不同，其他的结构，如所述光萃取层620均可采用上一实施例的方案。
如图4所示，在本实施例中，所述发光结构层610具有一出光侧611，所述光萃取层620位于所述发光结构的所述出光侧611。所述发光结构层610从下至上依次包括第一电极611、有机发光层612、第二电极613、以及电极覆盖层614。其中，所述有机发光层612设于所述第一电极611上；所述第二电极613设于所述有机发光层612上；所述电极覆盖层614覆盖于所述第二电极613上，所述第二电极613为出光侧611。
如图4所示，本实施例提供的所述发光结构层610采用如下的结构形式：所述第一电极611为阴极，所述阴极为反射电极，所述反射电极为银、铝、铜、铁、锌、金、镱、钼、镁、钛等金属材料所制成的反光的金属栅线。所述第二电极613为阳极，为透明或半透明电极，所述反射电极所用材料为氧化铟锡、铝掺杂氧化锌材料、银纳米线、石墨烯纳米线、有机导电材料等制成的明或半透明导电薄膜。从所述阳极至所述阴极，所述有机发光层612中从上至下依次堆叠有电子阻挡层6123、发光材料层6124、空穴阻挡层6125、电子传输层6126、电子注入层6127。所述电极覆盖层614为阴极覆盖层，所述阴极覆盖层覆于阴极上以保护阴极，一般可采用银、铝、铜、铁、锌、金、镱、钼、镁等透明的金属纳米材料或透明的金属氧化物材料。所述光萃取层620设于所述电极覆盖层614的上方。
参见图3以及图4，根据图4所示的实施例也能够提供如图3所示的阵列基板1，该阵列基板1包括有基层10、阵列层20、钝化层30、平坦层40、像素限定层50以及有机发光装置60。所述阵列层20覆于所述基层10上，所述阵列层20中具有若干像素单元52。所述有机发光装置60设于所述阵列层20上，其中所述有机发光装置60中的第一电极611形成于所述像素单元52的上方。每一所述发光单元61对应一所述像素单元52。
在本实施例中，所述阵列层20从基层10开始依次设置阻隔层201、有源层202、第一栅极绝缘层203、第一栅极层204、第二栅极绝缘层205、第二栅极层206、介电层207、源极208、漏极209、等。其中，所述源极208、漏极209设于所述介电层207上且穿过所述介电层207对应连接至所述有源层202上，所述钝化层30覆于所述介电层207以及所述漏极209上，所述平坦层40覆于所述钝化层30上，所述第一电极611设置在所述平坦层40且穿过所述平坦层40、所述钝化层30连接至所述源极208、漏极209上，所述像素限定层50覆于所述第一电极611上，所述像素限定层50上具有一开槽51，该开槽51对应所述第一电极611。本实施例中，所述第一电极611为阴极，且为反射电极。然后在所述开槽51中的所述阴极上依次形成所述电子阻挡层6123、所述发光材料层6124、所述空穴阻挡层6125、所述电子传输层6126、所述电子注入层6127、所述第二电极613、所述电极覆盖层614以及所述光萃取层620。所述第二电极613为阳极，且为透明或半透明电极。
本发明的阵列基板1可以应用在多种显示设备上，比如移动电话、笔记本电脑、电视、智能手表、虚拟显示装置等等。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种有机发光装置，其特征在于，包括
发光结构层，具有一出光侧；以及
光萃取层，位于所述发光结构层的所述出光侧；所述光萃取层中具有至少一折射层，所述折射层包括
若干第一光折射体，阵列式分布在同一层上，每一第一光折射体具有第一入光面和第一出光面，所述第一入光面朝向所述发光结构层；
若干第二光折射体，每一第二光折射体均位于相对应的第一光折射体内，每一第二光折射体具有第二入光面和第二出光面，所述第二入光面朝向所述第一入光面，所述第二出光面朝向所述第一出光面；以及
聚合物层，覆盖所有的所述第一光折射体的所述第一出光面。
2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于，所述聚合物层的折射率小于或等于所述第一光折射体的折射率，且所述第一光折射体的折射率小于所述第二光折射体的折射率。
3.根据权利要求2所述的有机发光装置，其特征在于，所述光萃取层还包括第一聚合物层，所述折射层中的所述第一光折射体覆于所述第一聚合物层上；所述聚合物层的折射率大于或等于所述第一聚合物层的折射率。
4.根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于，所述第一光折射体为半球形聚合物结构，具有一平面和第一球面，所述平面为所述第一入光面，所述第一球面为第一出光面；所述半球形聚合物结构的直径为1-50um。
5.根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于，所述第二光折射体为球形聚合物结构，具有一第二球面，所述第二入光面和所述第二出光面分布于所述第二球面上；所述球形聚合物结构的直径为0.1-20um。
6.根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于，所述折射层还包括第三无机层，覆于所述聚合物层上；
所述光萃取层还包括
第一无机层，覆于所述发光结构层上；以及
第二无机层，覆于所述第一无机层上；
所述折射层的层数在两层或以上，所述折射层叠层分布。
7.根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于，所述发光结构层包括第一电极；
有机发光层，设于所述第一电极上；
第二电极，设于所述有机发光层上；以及
电极覆盖层，覆盖于所述第二电极上；
所述光萃取层设于所述电极覆盖层的上方；
所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透明或半透明电极，所述第二电极所在的一侧为所述出光侧；
所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；或所述第二电极为阴极，所述第一电极为阳极。
8.根据权利要求7所述的有机发光装置，其特征在于，从所述阳极至所述阴极，所述有机发光层中依次堆叠有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光材料层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层；其中，所述有机发光装置中具有若干发光单元；所述发光单元为红光发光单元、蓝光发光单元、滤光发光单元、白光发光单元、黄光发光单元中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的有机发光装置，其特征在于，所述发光单元对应于所述第一光折射体，并且能够与所述第一光折射体一一对应的所述发光单元占所有所述发光单元数量的30％或以上；
所述发光单元具有一最小宽度，所述第一光折射体的直径与所述发光单元的所述最小宽度的相差1％-20％。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括
基层；
阵列层，覆于所述基层上，所述阵列层中具有若干像素单元；以及
如权利要求1-9中任意一项所述的有机发光装置，设于所述阵列层上；
其中，每一发光单元对应一个像素单元。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811450197.3A CN109638175A (zh) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 有机发光装置及阵列基板 |
| PCT/CN2019/077090 WO2020107739A1 (zh) | 2018-11-30 | 2019-03-06 | 有机发光装置及阵列基板 |
| US16/462,946 US10879495B2 (en) | 2018-11-30 | 2019-03-06 | Organic light emitting device and array substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811450197.3A CN109638175A (zh) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 有机发光装置及阵列基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109638175A true CN109638175A (zh) | 2019-04-16 |
Family
ID=66070414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811450197.3A Pending CN109638175A (zh) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 有机发光装置及阵列基板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10879495B2 (zh) |
| CN (1) | CN109638175A (zh) |
| WO (1) | WO2020107739A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109860239B (zh) * | 2018-12-13 | 2021-03-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110147701A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display device |
| KR20130051296A (ko) * | 2011-11-09 | 2013-05-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| CN103824963A (zh) * | 2012-11-19 | 2014-05-28 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104465995A (zh) * | 2013-09-12 | 2015-03-25 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光装置及其制备方法 |
| CN104508517A (zh) * | 2012-07-27 | 2015-04-08 | 日本瑞翁株式会社 | 光学片及面光源装置 |
| CN105209940A (zh) * | 2013-03-28 | 2015-12-30 | 三菱丽阳株式会社 | 光学膜、光学膜的制造方法和面发光体 |
| CN107170903A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-09-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 平板显示装置及其Top‑OLED |
| CN107408629A (zh) * | 2015-03-31 | 2017-11-28 | 沙特基础工业全球技术公司 | 用于oled照明应用的多功能衬底 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7582351B2 (en) * | 2001-10-25 | 2009-09-01 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Composite thin film holding substrate, transparent conductive film holding substrate, and panel light emitting body |
| KR101602418B1 (ko) * | 2012-04-06 | 2016-03-10 | 코닝정밀소재 주식회사 | 광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자 |
| JP6228380B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2017-11-08 | 恵和株式会社 | 視野角制限シート及びフラットパネルディスプレイ |
| EP2986082A4 (en) * | 2013-04-12 | 2016-05-11 | Panasonic Ip Man Co Ltd | LIGHT EMITTING DEVICE |
| KR102090276B1 (ko) * | 2013-08-08 | 2020-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 광학 필름 |
| KR20150042937A (ko) * | 2013-10-14 | 2015-04-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광학 시트, 광학 시트의 제조 방법 및 광학 시트를 포함하는 표시 장치 |
| WO2015137205A1 (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-17 | コニカミノルタ株式会社 | 電界発光素子、照明装置、および電界発光素子の製造方法 |
| JPWO2015166764A1 (ja) * | 2014-04-28 | 2017-04-20 | コニカミノルタ株式会社 | 光取り出し積層体、有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| CN104617121A (zh) * | 2015-01-04 | 2015-05-13 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种提高有源矩阵微型led显示器光学性能的方法 |
| CN107863440A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-03-30 | 西安科锐盛创新科技有限公司 | 高发光率led |
-
2018
- 2018-11-30 CN CN201811450197.3A patent/CN109638175A/zh active Pending
-
2019
- 2019-03-06 WO PCT/CN2019/077090 patent/WO2020107739A1/zh active Application Filing
- 2019-03-06 US US16/462,946 patent/US10879495B2/en active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110147701A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display device |
| KR20130051296A (ko) * | 2011-11-09 | 2013-05-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| CN104508517A (zh) * | 2012-07-27 | 2015-04-08 | 日本瑞翁株式会社 | 光学片及面光源装置 |
| CN103824963A (zh) * | 2012-11-19 | 2014-05-28 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN105209940A (zh) * | 2013-03-28 | 2015-12-30 | 三菱丽阳株式会社 | 光学膜、光学膜的制造方法和面发光体 |
| CN104465995A (zh) * | 2013-09-12 | 2015-03-25 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光装置及其制备方法 |
| CN107408629A (zh) * | 2015-03-31 | 2017-11-28 | 沙特基础工业全球技术公司 | 用于oled照明应用的多功能衬底 |
| CN107170903A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-09-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 平板显示装置及其Top‑OLED |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10879495B2 (en) | 2020-12-29 |
| WO2020107739A1 (zh) | 2020-06-04 |
| US20200185653A1 (en) | 2020-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104282719B (zh) | 发光装置 | |
| CN103208590B (zh) | 有机电致发光器件、照明装置、以及有机电致发光器件的制造方法 | |
| JP6721425B2 (ja) | 改善された効率を有するｏｌｅｄデバイス | |
| US10756304B2 (en) | Organic light-emitting display panel and display device thereof | |
| CN106684256A (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
| KR102060939B1 (ko) | 유기 일렉트로 루미네선스 소자 및 전자 기기 | |
| CN104037357B (zh) | 一种有机发光显示装置及其制造方法 | |
| CN103715372B (zh) | Oled显示面板及其制作方法 | |
| US10446798B2 (en) | Top-emitting WOLED display device | |
| CN104659267B (zh) | 增强oled装置的光提取和寿命的结构 | |
| US20130181242A1 (en) | Organic electroluminescent device and method for manufacturing thereof | |
| CN105895826B (zh) | 一种自发光器件、制备方法及显示装置 | |
| CN105261711B (zh) | 用于有机发光装置的增强光出耦的组合内部与外部提取层和用于制造所述提取层的方法 | |
| CN103682145A (zh) | 有机发光显示面板 | |
| CN108885848A (zh) | 显示装置和电子设备 | |
| CN103258838B (zh) | 显示设备及用于制造显示设备的方法 | |
| CN103633251B (zh) | 光取出部件及应用其的有机电致发光器件及制备方法 | |
| CN105810840B (zh) | 一种有机电致发光器件 | |
| TW201301612A (zh) | 有機電致發光元件 | |
| CN108878491A (zh) | 有机发光显示面板及其有机发光显示装置 | |
| JP2007273397A (ja) | 有機ｅｌ多色ディスプレイパネル | |
| WO2010111495A1 (en) | Concave-hemisphere-patterned organic top-light emitting device | |
| US20240049580A1 (en) | Display panel and display device | |
| JP2010272515A (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
| CN106211489B (zh) | 电激发光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190416 |