WO2011132773A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 - Google Patents

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layer
organic
index layer
light
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亮 奈良岡
福田 雅彦
均 熊
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出光興産株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescence element and a lighting device.
  • An organic thin film layer including a light emitting layer is provided between the anode and the cathode, and holes injected from the anode into the light emitting layer and electrons injected from the cathode into the light emitting layer are recombined in the organic thin film layer and recombination thereof.
  • An organic electroluminescence device that emits light by exciton energy generated by the above is known.
  • An organic electroluminescence element is expected as a light-emitting element excellent in luminous efficiency, image quality, power consumption, and thin design, taking advantage of a self-luminous element.
  • the optical interference distance is adjusted in order to improve the light emission efficiency.
  • the film thickness of an organic layer such as a hole transport layer
  • effective luminous efficiency can be improved and the emission spectrum can be modulated, which is an indispensable technique in device design.
  • the light confined inside the element cannot be extracted only by adjusting the optical interference distance.
  • an element having a structure for efficiently extracting light confined inside the element and dramatically improving the light emission efficiency has been proposed.
  • the loss of light in the element configuration that extracts light in the direction in which the translucent support base (translucent body) that supports the organic thin film layer is located is mainly classified into the following modes.
  • (ii) Mode of light confined in the transparent electrode and the organic layer due to total reflection at the interface between the transparent electrode and the transparent body (iii) Mode of light absorbed as surface plasmon by metal electrode (surface plasmon mode)
  • These loss modes range from several tens of percent to nearly 100% depending on the state of the luminescent molecules with respect to the total amount of luminescence energy in the organic light emitting layer.
  • the light confinement due to the substrate mode, the thin film mode, and the surface plasmon mode is all due to the light emitted from the light emitting layer being confined inside the device as evanescent light.
  • Various methods have been reported as specific methods for extracting light confined as evanescent light inside the device.
  • a technique for extracting light in the substrate mode a technique is proposed in which concave and convex structures such as light scattering fine particles and microlenses are provided on the surface of the translucent support substrate.
  • concave and convex structures such as light scattering fine particles and microlenses are provided on the surface of the translucent support substrate.
  • an electrode, an electroluminescence layer, and a light transmitting body are arranged in this order, and a layer having a light scattering function is provided on the light extraction surface side of the light transmitting body.
  • Light is extracted from the substrate mode by arranging light scattering fine particles at the interface between the light transmitting body and air.
  • an element configuration in which a structure such as a scattering layer that changes the direction of light and suppresses total reflection is provided in the translucent body.
  • the light scattering layer is a dispersion of high refractive index fine particles such as titania having a particle size of about several tens of nanometers to several tens of micrometers in a binder resin, a porous silica layer, or various novel light scattering materials. Is used.
  • an electrode, an electroluminescence layer, a high refractive index transparent electrode layer, and a transparent body are arranged in this order, and further, on the light extraction surface side of each of the high refractive index transparent electrode layer and the transparent body, A seepage light diffusion layer is provided.
  • the seepage light diffusion layer is a layer in which particles that scatter light are contained in a matrix made of a low refractive material, has a function of scattering evanescent light, and performs light extraction in a thin film mode.
  • the light scattering function is to scatter scattered emission light by Mie scattering, and to scatter guided light traveling inside the organic thin film layer in the light extraction direction.
  • Patent Document 3 proposes a method of suppressing total reflection of light by providing an uneven structure such as a microlens between a translucent electrode and a translucent substrate.
  • Patent Document 4 or Patent Document 5 proposes an organic electroluminescence element including a diffraction grating portion having a periodicity of about submicron between a light-transmitting substrate and a first electrode.
  • organic electroluminescence elements by providing a diffraction grating, it becomes possible to take out light confined as evanescent light (light in a thin film mode).
  • JP-A-8-83688 Japanese Patent No. 4140541 Japanese Patent No. 4073510 Japanese Patent No. 4253302 Japanese Patent No. 4386285
  • Patent Document 1 cannot effectively extract light in a thin film mode or a surface plasmon mode confined in the transparent electrode and the organic layer.
  • the techniques described in Patent Document 4 and Patent Document 5 cause white light to be dispersed by a diffraction grating having a submicron periodicity, and are not particularly suitable for a light-emitting element used as a light source of an illumination device. There was also.
  • An object of the present invention is to provide an organic electroluminescence element that has high light extraction efficiency and is suitable as a light source for a lighting device.
  • it is possible to adjust the optical loss of the thin film mode and the surface plasmon mode, and to effectively extract the light from the thin film mode to improve the external quantum efficiency, and to obtain good white light emission with low diffraction
  • It is to provide an electroluminescent device.
  • the objective of this invention is providing the illuminating device provided with the said organic electroluminescent element.
  • the present inventors have found that a predetermined uneven shape is interposed at the interface between the transparent electrode and the transparent substrate.
  • the present inventors have found that the total reflection at the interface can be suppressed and the evanescent light generated by the total reflection can be efficiently extracted outside the device.
  • the present invention has been made based on such knowledge.
  • the organic electroluminescence device of the present invention is an organic electroluminescence device comprising a transparent electrode, a counter electrode, an organic light emitting layer provided between the transparent electrode and the counter electrode, and a translucent substrate,
  • the transparent electrode is provided with a light extraction layer adjacent to a surface opposite to the surface facing the organic light emitting layer, and the light extraction layer includes a high refractive index layer and a low refractive layer that are sequentially stacked from the transparent electrode side.
  • the translucent substrate is provided adjacent to the low refractive index layer, and the cross section in the thickness direction of the organic electroluminescent element is viewed with the light extraction layer facing up with respect to the counter electrode.
  • the high refractive index layer has a plurality of concavo-convex part units composed of convex parts and concave parts at the interface between the high refractive index layer and the low refractive index layer, and the plurality of concavo-convex part units.
  • At least One in the high refractive index layer of the concavo-convex part unit and the low-refractive index layer and the distance d 1 from the interface to the interface between the high refractive index layer and the transparent electrode is an optical coherence length or more, and the convex
  • the height d 2 of the part, the width d 3 of the convex part, and the distance d 4 between the convex part and another convex part adjacent through the concave part are 1 ⁇ m or more.
  • a high refractive index layer having a film thickness equal to or greater than the optical coherence distance is provided between the transparent electrode and the translucent substrate.
  • the ratio of coupling to the surface plasmon mode is reduced, and the coupling efficiency to the thin film mode is increased.
  • the ratio of coupling to the surface plasmon mode is large, and the effect of the light extraction structure is limited.
  • the light extraction efficiency is effectively improved by providing a concavo-convex structure composed of a high refractive index material and a low refractive index material. . That is, a light extraction layer in which a high refractive index layer and a low refractive index layer are laminated in order from the transparent electrode side is provided adjacent to the transparent electrode, and the concavo-convex unit is an interface between the high refractive index layer and the low refractive index layer.
  • the concavo-convex unit is an interface between the high refractive index layer and the low refractive index layer.
  • the organic electroluminescence element of the present invention can obtain good white light emission with low diffractive properties, and is suitable as a light source for an illumination device.
  • the light is diffracted simultaneously with light extraction.
  • the present invention improves the light extraction efficiency without causing the above-described problem to be significant even for radiated light including various emission wavelengths such as white.
  • the position of the cross section when the organic electroluminescence element is viewed in cross section in the substrate thickness direction will be described.
  • the organic electroluminescence element is viewed in plan, and a cross section obtained by cutting out the organic electroluminescence element along a cross section cut line passing through at least two adjacent uneven part units is seen.
  • the direction and position condition of the section cut line can be set in various ways. In the present invention, when the section is cut out in at least one direction and position condition, it is defined by the optical coherence distance as described above. What is necessary is just to satisfy
  • the adjustment of the optical interference distance is a method commonly used in device design, but it has been proposed until now when we return to the phenomenon of near-field light and dipole radiation theory and consider the light emission characteristics of the device. Many of the light extraction structures used can be regarded as being provided separately from the light emitting mechanism in the device. When a layer having a light extraction function is inserted into the element, a change occurs in the optical mode inherent to the element. Therefore, it is not possible to design an optimal optical element without considering the change in the optical mode.
  • the above-described light extraction structure that reduces the coupling efficiency to the surface plasmon mode is provided. Improvement is possible.
  • the coupling to the surface plasmon mode is suppressed, mainly the coupling efficiency to the thin film mode is improved, so that the external quantum efficiency is improved by providing the light extraction structure that improves the light extraction efficiency from the thin film mode. Can be improved.
  • the light extraction structure constructed with a non-diffractive periodic structure the emitted light generated in the organic light emitting layer in the illumination device can be extracted outside without being dispersed.
  • is the peak wavelength of the emission spectrum of the emitted light generated in the organic light emitting layer
  • is the half width of the emission spectrum.
  • N H is the refractive index of the high refractive index layer.
  • the height d 2 , the width d 3 , and the distance d 4 between the protrusions in the present invention having a non-diffractive periodic structure need to be sufficiently larger than the wavelength in the visible light region. Usually 1 ⁇ m or more is required. Preferably, it is 5 ⁇ m or more, more preferably 20 ⁇ m or more. In terms of efficiently extracting light from the thin film mode, it is preferable that the height d 2 , the width d 3 of the protrusions, and the distance d 4 between the protrusions be 1 mm or less.
  • FIG. 1 shows a configuration of a typical bottom emission type organic electroluminescence device 100 as the device configuration A1.
  • the organic electroluminescence element 100 includes an element configuration including a transparent substrate 110 made of glass, a transparent electrode 120 made of ITO (Indium Tin Oxide), an organic layer 130, and a counter electrode 140 made of Ag (silver) in this order. It has become.
  • the organic layer 130 includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer in this order from the translucent electrode 120 side. Not shown).
  • a recombination region S1 in which holes and electrons recombine is indicated by a one-dot chain line, and an optical path from the recombination region S1 of emitted light generated in the light emitting layer in the organic layer 130 is indicated by an arrow. Indicated. Further, the thickness Lc1 of the translucent electrode 120 is less than the optical coherence distance.
  • the wave number expansion form of the dipole radiant energy when the light emitting molecule in the organic layer 130 is an electric dipole moment is calculated, and based on the result, the light emitting molecules are randomly oriented.
  • the coupling efficiency to each mode is estimated. Table 1 shows the coupling efficiency.
  • FIG. 2 shows a configuration of a bottom emission type organic electroluminescence device 200 having a high refractive index layer having a large film thickness as the device configuration A2.
  • the organic electroluminescence element 200 includes a high refractive index layer 210 having a thickness sufficiently thicker than the optical coherence distance between the translucent substrate 110 and the translucent electrode 120 of the organic electroluminescence element 100. Others are the same as those of the organic electroluminescence element 100.
  • a recombination region S2 in which holes and electrons recombine is indicated by a one-dot chain line, and an optical path from the recombination region S2 of the emitted light generated in the light emitting layer in the organic layer 130 is indicated by an arrow.
  • the total thickness Lc2 of the translucent electrode 120 and the high refractive index layer 210 is equal to or greater than the optical coherence distance.
  • the refractive index of the high refractive index layer 210 is larger than the refractive index of the translucent substrate 110 and is not more than the refractive index of the organic layer 130.
  • the organic electroluminescence element 200 includes a high refractive index layer 210 that is optically sufficiently thick and has a film thickness equal to or greater than a coherence distance, so that vibrations of the electric dipole moment can be transmitted between the translucent substrate 110 and the high refractive index layer.
  • the influence of reflection of the electric field and magnetic field received from the interface with 210 is reduced. That is, in the organic electroluminescence element 200 having an optical arrangement like the element configuration A2, the influence of the perturbation due to the reflected light is small.
  • the optical arrangement of the element configuration A1 the vibration of the electric dipole moment is perturbed by reflected light. Therefore, the optical arrangement of the element configuration A2 can be approximated as shown in FIG.
  • the arrows represent the horizontal and vertical directions of dipole radiation in the recombination region S2.
  • the wave number expansion form of the dipole radiant energy when the light emitting molecules in the light emitting layer 130 are electric dipole moments was calculated. Based on the calculation results, the coupling efficiency to each mode was estimated when the light emitting molecules were randomly oriented. Table 1 shows the coupling efficiency.
  • the coupling efficiency to the surface plasmon mode (SPPs mode: Surface plasmon Polaritons mode) is decreased, while coupling to other modes such as a thin film mode is performed.
  • the surface plasmon mode is a phenomenon in which light emission energy is absorbed on the metal electrode side. Therefore, it is the most difficult to extract light from the surface plasmon mode compared to extraction from other optical modes.
  • the element configuration A2 including the high refractive index layer 210 between the translucent substrate 110 and the translucent electrode 120 the coupling to the surface plasmon mode is reduced, and the coupling efficiency to the thin film mode is reduced. Will increase.
  • a low refractive index layer is provided between the high refractive index layer and the light transmissive substrate, and a plurality of protrusions and depressions are formed at the interface between the high refractive index layer and the low refractive index layer.
  • the refractive index n 1 of the transparent electrode, the refractive index n L of the low refractive index layer, the refractive index n H of the high refractive index layer, and the refractive index n of the light transmissive substrate. 2 preferably satisfies the following relational expressions (1), (2), and (3).
  • the refractive indexes n 1 , n L , n H , and n 2 indicate values at a wavelength of 550 nm.
  • the light in the thin film mode reaches the interface between the high refractive index layer and the low refractive index layer of the light extraction layer. Guided efficiently. Furthermore, total reflection of light at the interface between the high refractive index layer and the low refractive index layer is suppressed.
  • the refractive indexes of the transparent electrode and the high refractive index layer are preferably approximately the same, and similarly, the refractive indexes of the translucent substrate and the low refractive index layer are preferably approximately the same. If these differences exceed 0.2, the reflectivity at the interface increases and the loss mode increases remarkably. Therefore, by satisfying the above relational expressions (1) to (3), the extraction efficiency of the emitted light generated in the organic light emitting layer can be further increased.
  • the height d 2 of the convex portion and the width d 3 of the convex portion satisfy a relationship of 2.0> d 2 / d 3 > 0.2.
  • the present invention it is possible to more efficiently transmit the light transmitted to the concavo-convex portion unit at the interface between the high refractive index layer and the low refractive index layer to the low refractive index layer, so that the light extraction efficiency can be further increased. can do.
  • d 2 / d 3 is larger than 2.0 and the aspect ratio is increased, the ratio of light refracted at the convex side edge again entering the adjacent convex portion when the dense structure is taken increases, and multiple reflection occurs. May occur, leading to a decrease in light extraction efficiency.
  • the side edge along the height direction of the convex portion is inclined at 35 degrees or less with respect to the light extraction direction from the organic light emitting layer.
  • the organic electroluminescent element of this invention WHEREIN: It is preferable that the side edge of the convex part of the said high refractive index layer has a shape along the extraction direction of the light emitted from the said organic light emitting layer. In addition, in the organic electroluminescence element of the present invention, it is preferable that the upper edge of the convex portion of the high refractive index layer has a shape along a direction orthogonal to a direction in which light generated from the organic light emitting layer is extracted.
  • the optical coherence distance is preferably 3 ⁇ m or more.
  • the present invention it is possible to efficiently increase the coupling efficiency to the thin film mode even for light having a wide half-value width of the emission peak.
  • a height d 2 of the convex portion, a width d 3 of the convex portion, and an interval d 4 between the convex portion and another convex portion adjacent via the concave portion are 5 ⁇ m or more. If d 2 is less than the optical coherence length, d 3, and d 4 it is desirable that the optical coherence length or more.
  • an electron transport zone having a thickness of 70 nm or more is provided between the counter electrode and the organic light emitting layer.
  • the film thickness of the electron transport zone is 70 nm or more, the coupling efficiency to the surface plasmon mode of dipole radiation of horizontally oriented luminescent molecules in the organic light emitting layer is reduced, and the substrate mode and the thin film mode are reduced. And the coupling efficiency to the emission mode is further increased. And since the light of a thin film mode is taken out efficiently by the said light extraction layer, the external quantum efficiency of an organic electroluminescent element can be improved.
  • the lighting device of the present invention includes the organic electroluminescence element according to the present invention.
  • the organic electroluminescence element according to the present invention has high light extraction efficiency, it is possible to provide a lighting device with high luminance.
  • FIG. 3 is a partial cross-sectional view when an optical arrangement is approximated in the element configuration of FIG. 2.
  • Sectional drawing of the thickness direction of the organic electroluminescent element which concerns on 1st embodiment of this invention. It is the figure which planarly viewed the high refractive index layer of the organic electroluminescent element which concerns on the said embodiment from the translucent board
  • FIG. 5B is a diagram illustrating a different arrangement pattern from FIG. 5A.
  • FIGS. 5A and 5B are diagrams illustrating different arrangement patterns.
  • FIG. 5 is a partially enlarged view of the interface between the high refractive index layer and the low refractive index layer of the organic electroluminescence element according to the embodiment in a cross-sectional view in the same direction as in FIG. 4. Sectional drawing of the thickness direction of the organic electroluminescent element which concerns on 2nd embodiment of this invention.
  • FIG. 11A is a diagram illustrating an arrangement pattern different from FIG. 11A.
  • FIG. 11A and FIG. 11B illustrate different arrangement patterns. Sectional drawing of the thickness direction of the organic electroluminescent element which concerns on another modification of this invention. Sectional drawing of the thickness direction of the organic electroluminescent element which concerns on another modification of this invention.
  • FIG. 14A The figure explaining the measuring method of the EL emission spectrum from an organic electroluminescent element.
  • FIG. 14A The figure explaining the measuring method of the scattering diffraction spectrum from a light extraction layer structure.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view in the thickness direction of an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as an organic EL element) according to the first embodiment, and shows a part of the cross-section enlarged.
  • the organic EL element 1 is configured by laminating a translucent substrate 2, a light extraction layer 3, a transparent electrode 4, an organic light emitting layer 5, and a counter electrode 6 in this order.
  • the translucent substrate 2 is a smooth plate-like member for supporting the light extraction layer 3, the transparent electrode 4, the organic light emitting layer 5, and the counter electrode 6.
  • the organic EL element 1 is a so-called bottom emission type element in which the light extraction direction of the radiated light generated in the organic light emitting layer 5 is on the translucent substrate 2 side. Therefore, a translucent member is used for the translucent substrate 2, and it is preferable that the transmittance
  • the glass plate examples include soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz.
  • the polymer plate examples include those using polycarbonate resin, acrylic resin, polyethylene terephthalate resin, polyether sulfide resin, polysulfone resin and the like as raw materials.
  • the refractive index n 2 of the translucent substrate 2 is preferably 1.4 or more and 1.6 or less.
  • the light extraction layer 3 is provided between the translucent substrate 2 and the transparent electrode 4 in order to efficiently extract the emitted light generated in the organic light emitting layer 5.
  • the light extraction layer 3 is configured by laminating a high refractive index layer 31 and a low refractive index layer 32 in order from the transparent electrode 4 side, and the low refractive index layer 32 is adjacent to the translucent substrate 2.
  • the high refractive index layer 31 has a higher refractive index than the low refractive index layer 32.
  • the high refractive index layer 31 has a plurality of concave and convex portion units 31 ⁇ / b> A composed of convex portions 311 and concave portions 312 at the interface with the low refractive index layer 32.
  • the convex portion 311 protrudes in a substantially cylindrical shape from the transparent electrode 4 side toward the translucent substrate 2 side, and has a substantially rectangular cross-sectional shape as shown in FIG.
  • FIG. 5 are diagrams in which a part of the high refractive index layer 31 is viewed in plan from the translucent substrate 2 side.
  • the refractive index layer 32 and the translucent substrate 2 are omitted for convenience of explanation.
  • FIG. 5 illustrates an arrangement pattern of the convex portions 311 and the concave portions 312 of the high refractive index layer 31.
  • the projections 311 as shown in FIG. 5B are arranged in a lattice pattern, or as shown in FIG. 5A.
  • FIG. 5C It may be arranged so as to have a dense structure, or may be arranged so that the convex portions 311 are in contact with each other as shown in FIG. 5C, and is limited to such an arrangement. Absent. Further, the convex portion 311 and the concave portion 312 may have an opposite relationship. In other words, the position of the convex portion 311 in FIG. 5 may be the concave portion 312 and a hole may be provided in the high refractive index layer 31. In the first embodiment, the high refractive index layer 31 is provided in the arrangement pattern of FIG. 5B.
  • FIG. 4 shows a cross-sectional view taken along the line IV-IV in FIG. 5B and viewed along the arrow direction.
  • the concave portion 312 is formed in a portion where the convex portion 311 is not arranged in association with a large number of the convex portions 311 being arranged. As shown in FIGS. 4 and 5, the convex portions 311 and the concave portions 312 are alternately and continuously formed in a sectional view, and the concave and convex portion unit 31 ⁇ / b> A is configured by one convex portion 311 and one concave portion 312.
  • the low refractive index layer 32 Since the low refractive index layer 32 is laminated with the high refractive index layer 31, the low refractive index layer 32 includes a concave portion 322 corresponding to the convex portion 311 of the concave and convex portion unit 31 ⁇ / b> A and a convex portion 321 corresponding to the concave portion 312.
  • the side edge (convex side edge) 311A along the height direction of the convex portion 311 is the light extraction direction of the organic EL element 1 (the direction from the organic light emitting layer 5 toward the translucent substrate 2, It is preferable that the angle ⁇ inclined with respect to the surface of the translucent substrate 2 (perpendicular direction) is 35 degrees or less.
  • the inclination angle ⁇ of the convex portion side edge 311A By setting the inclination angle ⁇ of the convex portion side edge 311A to 35 degrees or less, the light Rc incident on the interface between the high refractive index layer 31 and the low refractive index layer 32 at an angle equal to or larger than the critical angle ⁇ c is reduced. It can be efficiently guided into the layer 32.
  • the inclination angle ⁇ is approximately 0 degrees. Therefore, the side edge of the convex portion 311 has a shape along the light extraction direction. Further, an upper edge (convex portion upper edge) 311B along the width direction of the convex portion 311 has a shape along a direction orthogonal to the light extraction direction.
  • the lower edge 312A of the concave portion 312 of the concave / convex portion unit 31A is also in a direction perpendicular to the light extraction direction.
  • the shape is along.
  • the dimensions of the light extraction layer 3 and the concavo-convex unit 31A are defined by the optical coherence distance or a predetermined value.
  • the distance d 1 from the interface between the high refractive index layer 31 and the transparent electrode 4 to the interface between the high refractive index layer 31 and the low refractive index layer 32 is equal to or greater than the optical coherence distance.
  • the height d 2 and the width d 3 of the convex portion 311 and the dimension of the distance d 4 between the convex portion 311 constituting one concave-convex portion unit 31A and the convex portion 311 constituting the other concave-convex portion unit 31A are as follows: 1 ⁇ m or more.
  • the height d 2 , the width d 3 of the convex portion 311, and the distance d 4 between the convex portions 311 are preferably 1 mm or less.
  • the height d 2 passes through the upper edge of the convex portion 311 and the straight line along the surface of the translucent substrate 2 and the lower edge of the concave portion 312. The distance from the straight line in the direction along the surface of the translucent substrate 2 is shown.
  • the width d 3 indicates a distance in a direction along the surface of the translucent substrate 2 between the left and right convex portion side edges 311A of the convex portion 311 when the organic EL element 1 is viewed in cross section as shown in FIG. .
  • the distance d 4 is determined so that either the left or right convex side edge 311A of the convex portion 311 and the left or right convex portion via the concave portion 312 when the organic EL element 1 is viewed in cross section as shown in FIG.
  • substrate 2 with the other convex part side edge 311A which opposes the side edge 311A is shown.
  • the height d 2 and the width d 3 of the convex portion 311 preferably satisfy the relationship of 2.0> d 2 / d 3 > 0.2, and this relationship is satisfied in the present embodiment. More preferably, it is preferable to satisfy the relationship of 1.0> d 2 / d 3 > 0.5. By satisfying such a relationship, it is possible to more efficiently transmit the light transmitted to the uneven portion unit 31A at the interface between the high refractive index layer 31 and the low refractive index layer 32 to the low refractive index layer 32. The light extraction efficiency can be further increased.
  • the organic light emitting layer 5 may be configured by laminating organic light emitting layers capable of emitting light.
  • the optical coherence distance is defined based on the largest peak wavelength of the emitted light generated in the plurality of organic light emitting layers. For example, when the organic light emitting layer 5 that emits red, green, and blue light is laminated, and these light emission colors are combined to emit white light from the organic EL element, the peak wavelength of red light is the largest.
  • the optical coherence distance is defined based on the peak wavelength of red light.
  • it is defined by the emission spectrum of the red light emitting molecule.
  • the optical coherence distance is about 20 ⁇ m.
  • a preferable range for the distance d 1 of the high refractive index layer 31 of the present invention is 3 ⁇ m or more. Moreover, since the thickness of the board
  • the high refractive index layer 31 for example, there is a method of forming a film of an inorganic oxide such as a titanium-based metalloxane polymer by a sol-gel reaction.
  • fine particles such as titania and zirconia having a high refractive index are dispersed in a general-purpose resin to form a film by a coating method such as a spin coating method.
  • a coating method such as a spin coating method.
  • an episulfide-type resin material etc. can be mentioned.
  • the refractive index n H of the high refractive index layer 31 is preferably 1.8 or more and 2.2 or less.
  • the material constituting the convex portion 311 of the high refractive index layer 31 may be different from the material constituting the other portion. In this case, it is preferable to make the refractive indexes of the two equal or to form the convex portion 311 with a lower refractive index.
  • the material constituting the low refractive index layer 32 include a glass material and a polymer material. Examples of the glass material include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz.
  • the polymer material examples include materials using polycarbonate resins, acrylic resins, polyethylene terephthalate resins, polyether sulfide resins, polysulfone resins, cycloolefin resins and the like as raw materials.
  • the refractive index n L of the low refractive index layer 32 is preferably 1.4 or more and 1.6 or less. Note that the material constituting the convex portion 321 of the low refractive index layer 32 may be different from the material constituting the other portion. In this case, it is preferable to make the refractive indexes of the both equal or to make the convex portion 321 higher in refractive index than the portion other than the convex portion 321.
  • the transparent electrode 4 is provided adjacent to the high refractive index layer 31 of the light extraction layer 3.
  • the transparent electrode 4 serves as an anode and the counter electrode 6 serves as a cathode.
  • the transparent electrode 4 may be a cathode and the counter electrode 6 may be an anode.
  • a known electrode material is used for the transparent electrode 4, and for example, a transparent electrode material such as ITO (indium tin oxide), IZO (registered trademark) (indium zinc oxide), ZnO (zinc oxide), or the like is used.
  • the refractive index n 1 of the transparent electrode 4 is preferably 1.8 or more and 2.2 or less.
  • the organic light emitting layer 5 is provided between the transparent electrode 4 and the counter electrode 6.
  • the organic light emitting layer 5 may be composed of a single layer or a plurality of layers.
  • a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a charge barrier layer, or the like may be interposed between the transparent electrode 4 and the counter electrode 6 and the organic light emitting layer 5.
  • a known light emitting material such as Alq 3 is used for the organic light emitting layer 5, a structure showing monochromatic light such as red, green, blue, yellow or the like, or a light emitting color by a combination thereof, for example, a structure showing white light emission The thing etc. are used.
  • a doping method in which a host is doped with a light emitting material as a dopant.
  • excitons can be efficiently generated from the charge injected into the host.
  • the exciton energy of the produced exciton can be moved to a dopant, and highly efficient light emission can be obtained from a dopant.
  • any compound can be selected and used from known compounds used in conventional organic EL devices in addition to the compounds exemplified above.
  • the counter electrode 6 is provided adjacent to the organic light emitting layer 5 and a known electrode material is used.
  • the counter electrode 6 is preferably made of a material that reflects light, for example, a metal such as Al, Cu, Ag, or Au, an alloy, or the like.
  • the counter electrode 6 may be composed of one layer or a plurality of layers. Layers composed of a material that reflects light may be stacked, or a layer composed of a transparent conductive member and a layer composed of a material that reflects light may be stacked.
  • the refractive index n 2 of the translucent substrate 2 In the organic EL element 1, the refractive index n 2 of the translucent substrate 2, the refractive index n H of the high refractive index layer 31, the refractive index n L of the low refractive index layer 32, and the refractive index n 1 of the transparent electrode 4 are as described above. It is preferable to satisfy the relationships of the mathematical expressions (1) to (3). Note that the refractive indexes n 1 , n L , n H , and n 2 indicate values at a wavelength of 550 nm.
  • substrate 2 is apply
  • a thermoplastic resin material is used as the low refractive material.
  • the high refractive index material which comprises the high refractive index layer 31 is apply
  • FIG. an ink composition in which metal oxide fine particles are uniformly dispersed in a resin binder is applied by a spin coating method.
  • the optical coherence length (corresponding to the distance d 1) the thickness of the high refractive index layer 31 That's it.
  • the high refractive index layer 31 is formed by drying and solidifying the ink composition.
  • the light extraction layer 3 is formed.
  • the high refractive index layer 31 is formed by applying the ink composition to the concavo-convex shape molded on the low refractive index layer 32, the high refractive index layer 31 corresponds to the concavo-convex portion unit 31A. Will have a shape.
  • the transparent electrode 4, the organic light-emitting layer 5, and the counter electrode 6 are sequentially stacked on the high refractive index layer 31.
  • the transparent electrode 4 and the counter electrode 6 can be formed by a known method such as vacuum deposition or sputtering.
  • the organic light emitting layer 5 may be formed by a known method such as a dry film forming method such as vacuum deposition, sputtering, plasma, or ion plating, or a wet film forming method such as spin coating, dipping, flow coating, or ink jet. Can do.
  • the organic electroluminescent element 1 provided with the light extraction layer 3 which has the some uneven
  • the distance d 1 from the interface between the transparent electrode 4 and the high refractive index layer 31 to the interface between the high refractive index layer 31 and the low refractive index layer 32 is equal to or greater than the optical coherence distance of the emitted light generated in the organic light emitting layer 5. Therefore, when the counter electrode 6 is a reflective electrode, the proportion of the radiated light coupled to the surface plasmon mode of the reflective electrode surface layer decreases, and the coupling efficiency to the thin film mode increases.
  • the light extraction layer 3 is provided adjacent to the transparent electrode 4 and the concavo-convex unit 31A is provided at the interface between the high refractive index layer 31 and the low refractive index layer 32, among the light in the thin film mode, Light incident on the high-refractive index layer 31 at an angle greater than the critical angle is not totally reflected at the interface but is transmitted to the low-refractive index layer 32, and finally passes through the translucent substrate 2. Light is extracted outside. Therefore, the extraction efficiency of the emitted light generated in the organic light emitting layer 5 can be increased.
  • the height d 2 , the width d 3 of the convex portion 311 of the high refractive index layer 31, and the interval d 4 between the convex portions are 1 ⁇ m or more and sufficiently larger than the wavelength in the visible light region.
  • White light is difficult to be dispersed like a diffraction grating having a periodicity of about a micron and a protruding height. Therefore, the organic EL element 1 can obtain good white light emission with a small diffraction property, and is suitable for a light source of a lighting device.
  • the refractive indexes of the translucent substrate 2, the high refractive index layer 31, the low refractive index layer 32, and the transparent electrode 4 satisfy the relations of the formulas (1) to (3).
  • Total reflection of light in the thin film mode at the interface with the refractive index layer 31 is suppressed, and the light is efficiently guided to the interface between the high refractive index layer 31 and the low refractive index layer 32.
  • total reflection of light at the interface between the high refractive index layer 31 and the low refractive index layer 32 is suppressed. Therefore, the extraction efficiency of the emitted light generated in the organic light emitting layer 5 can be further increased.
  • the height d 2 of the convex portion 311 and the width d 3 of the convex portion 311 satisfy the relationship of 2.0> d 2 / d 3 > 0.2, and the convex portion side edge 311A is the light extraction. Since the convex upper edge 311B has a shape along the direction perpendicular to the light extraction direction, the shape has a shape along the direction (inclination angle ⁇ is approximately 0 degrees), and thus the high refractive index layer and the low refractive index The light that has been transmitted to the concavo-convex unit 31A at the interface with the refractive index layer can be transmitted to the low refractive index layer more efficiently.
  • the convex portion 311 has a substantially rectangular shape protruding in the light extraction direction, the light incident on the light extraction layer 3 at a critical angle or more is refracted by the convex side edge 311A and is efficiently supplied to the low refractive index layer 32. Can be guided. Therefore, the light extraction efficiency can be further increased.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view in the thickness direction of the organic EL element 40 according to the second embodiment, and shows a part of the cross-section enlarged.
  • the organic EL element 40 according to the second embodiment is provided with an electron transport zone 41 between the organic light emitting layer 5 and the counter electrode 6 in the organic EL element 1 according to the first embodiment, and is transparent to the organic light emitting layer 5.
  • the structure is the same as that of the organic EL element 1 except that the hole transport zone 42 is provided between the electrodes 4.
  • the organic EL element 40 includes the translucent substrate 2, the light extraction layer 3, the transparent electrode 4, the hole transport zone 42, the organic light emitting layer 5, the electron transport zone 41, the counter electrode 6, Are stacked in this order.
  • the organic EL element 40 is a so-called bottom emission type element in which the light extraction direction of the radiated light generated in the organic light emitting layer 5 is on the translucent substrate 2 side.
  • the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and names, and the description thereof is omitted or simplified.
  • the same materials and compounds as those described in the first embodiment can be used.
  • the electron transport band 41 is a band that assists the injection of electrons into the organic light emitting layer 5 and transports electrons to the light emitting region, and has a high electron mobility.
  • the electron transport zone 41 is composed of either one of an electron injection layer and an electron transport layer, and may be composed of any one of them, or may be a laminated structure of an electron injection layer and an electron transport layer. It may be configured.
  • the electron transport zone is an organic layer body existing between the cathode and the light emitting layer, and indicates an organic layer body having a function of transporting electrons from the cathode to the light emitting layer.
  • the film thickness of the electron transport zone 41 is preferably 70 nm or more.
  • the external quantum efficiency can be further increased by the synergistic effect with the light extraction layer 3 described in the first embodiment.
  • the reason why the external quantum efficiency is increased is considered as follows using the element configuration A3.
  • the element configuration A3 is the same as the element configuration A1 except that the counter electrode is aluminum (Al) and an electron injection layer is provided between the counter electrode and an electron transport layer as an electron transport band in the element configuration A1.
  • the light emitting layer is a layer that emits red light. Then, in the element configuration A3, the orientation direction when the light-emitting molecules contained in the light-emitting layer are the electric dipole moment is considered separately in the vertical direction (Vertical) and the horizontal direction (Parallel).
  • the thickness of the electron transport layer is changed, and in the same manner as in the device configuration A1, the dipole radiation of the horizontally oriented luminescent molecules and the dipole radiation of the vertically oriented luminescent molecules Analyzing Photonic mode density.
  • FIG. 8 is a diagram showing a photonic mode density analysis result of dipole radiation of horizontally oriented luminescent molecules, specifically, the electron transport band thickness and the coupling efficiency of luminescent molecule dipole radiation. Shows the relationship. According to FIG. 8, it can be seen that the efficiency of dipole radiation coupling to the surface plasmon mode (SPPs coupling efficiency) decreases as the thickness of the electron transport layer increases. It can be seen that the efficiency of coupling to the substrate mode, the thin film mode, and the light emission mode increases as the SPPs coupling efficiency decreases. From this analysis result, when the thickness of the electron transport layer is 70 nm, the SPPs coupling efficiency is reduced to about 15%, and the coupling efficiency to the thin film mode is improved to about 15%.
  • SPPs coupling efficiency the efficiency of dipole radiation coupling to the surface plasmon mode
  • the SPPs coupling efficiency is as high as about 60%, and the coupling efficiency to the thin film mode is as low as about 5%.
  • the light extraction layer 3 described in the first embodiment is provided between the translucent substrate and the translucent electrode, the light in the thin film mode with improved coupling efficiency is efficiently obtained. It can be taken out.
  • the thickness of the electron transport layer is set to 70 nm or more and the light extraction layer 3 is provided, the ratio of the horizontally oriented light emitting molecules coupled to the thin film mode of dipole radiation increases.
  • the light extraction layer 3 is provided in an organic EL element having an electron transport layer thickness of about 30 nm, the amount of light that can be extracted outside the element increases as the coupling ratio increases.
  • the organic EL element 40 of the second embodiment has a thickness of the electron transport band 41 of 70 nm or more and includes the light extraction layer 3 of the first embodiment, so that the external quantum efficiency can be further increased. .
  • FIG. 9 is a graph showing the results of photonic mode density analysis of dipole radiation of vertically oriented luminescent molecules, specifically, the electron transport band thickness and the coupling efficiency of dipole radiation of luminescent molecules. Shows the relationship.
  • FIG. 9 shows that the SPPs coupling efficiency does not decrease as shown in FIG. 8 even when the thickness of the electron transport band increases. Actually, when the thickness of the electron transport zone is 250 nm or more, the SPPs coupling efficiency is lowered. Note that if the film thickness of the electron transport zone exceeds 300 nm, it may take time to form a film or increase the driving voltage, so it is preferable to set the film thickness to 300 nm or less.
  • Electrode transport zone material As materials used for the electron injection layer and the electron transport layer, for example, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and 8-hydroxyquinoline derivatives described in JP-A-2009-199738 and JP-A-2008-166629 Oxadiazole derivatives, nitrogen-containing heterocyclic derivatives, silacyclopentadiene derivatives, borane derivatives, and gallium complexes.
  • the electron injecting layer and the electron transporting layer are not particularly limited as long as they have properties as an electron transporting zone, and those conventionally used as electron charge transporting materials in photoconductive materials or organic Any known material used for the electron injection layer and the electron transport layer of the EL element can be selected and used.
  • the electron transport zone 41 contains a reducing dopant.
  • the reducing dopant By including the reducing dopant, even if the electron transport zone 41 has a large film thickness as in the organic EL element 40, the electron transport zone 41 assists the injection of electrons into the organic light emitting layer 5, and emits light. Can transport electrons up to.
  • a reducing dopant may be included in the interface region between the counter electrode 6 and the electron transport zone 41.
  • a reducing dopant is defined as a substance capable of reducing an electron transporting compound.
  • various materials can be used as long as they have a certain reducibility, such as alkali metals, alkaline earth metals, rare earth metals, alkali metal oxides, alkali metal halides, alkaline earth metals. At least selected from the group consisting of oxides, alkaline earth metal halides, rare earth metal oxides or rare earth metal halides, alkali metal organic complexes, alkaline earth metal organic complexes, rare earth metal organic complexes One substance can be preferably used.
  • preferable reducing dopants include Li (work function: 2.9 eV), Na (work function: 2.36 eV), K (work function: 2.28 eV), Rb (work function: 2). .16 eV) and Cs (work function: 1.95 eV), at least one alkali metal selected from the group consisting of Ca (work function: 2.9 eV), Sr (work function: 2.0 to 2.5 eV) And at least one alkaline earth metal selected from the group consisting of Ba (work function: 2.52 eV), and those having a work function of 2.9 eV or less are particularly preferred.
  • a more preferable reducing dopant is at least one alkali metal selected from the group consisting of K, Rb, and Cs, more preferably Rb or Cs, and most preferably Cs.
  • alkali metals have particularly high reducing ability, and the addition of a relatively small amount to the electron injection region can improve the light emission luminance and extend the life of the organic EL element.
  • a reducing dopant having a work function of 2.9 eV or less a combination of two or more alkali metals is also preferable.
  • An electron injection layer made of an insulator or a semiconductor may be further provided between the counter electrode 6 and the electron transport zone 41. At this time, current leakage can be effectively prevented and the electron injection property can be improved.
  • an insulator it is preferable to use at least one metal compound selected from the group consisting of alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides and alkaline earth metal halides. It is preferable that the electron injection layer is composed of these alkali metal chalcogenides and the like because the electron injection property can be further improved.
  • preferable alkali metal chalcogenides include, for example, Li 2 O, K 2 O, Na 2 S, Na 2 Se, and Na 2 O
  • preferable alkaline earth metal chalcogenides include, for example, CaO, BaO. , SrO, BeO, BaS, and CaSe
  • preferable alkali metal halides include, for example, LiF, NaF, KF, LiCl, KCl, and NaCl.
  • examples of preferable alkaline earth metal halides include fluorides such as CaF 2 , BaF 2 , SrF 2 , MgF 2 , and BeF 2 , and halides other than fluorides.
  • the semiconductor constituting this electron injection layer contains at least one element of Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb, and Zn.
  • the inorganic compound which comprises an electron carrying layer is a microcrystal or an amorphous insulating thin film. If the electron transport layer is composed of these insulating thin films, a more uniform thin film is formed, and pixel defects such as dark spots can be reduced. Examples of such inorganic compounds include the alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides, and alkaline earth metal halides described above.
  • the hole transport zone 42 is a region that assists the injection of holes into the organic light emitting layer 5 and has a high hole mobility.
  • the hole transport zone 42 may be configured by any one of a hole injection layer and a hole transport layer, or may be a single layer having a hole injection property and a hole transport property. Further, the hole transport zone 42 may include a barrier layer adjacent to the organic light emitting layer 5.
  • the material constituting the hole transport zone 42 is, for example, a hole injection layer described in JP-A-2009-199738, and a material used for the hole transport layer, as well as conventionally used in a photoconductive material. Any one of those commonly used as charge transport materials and known materials used for hole injection and hole transport layers of organic EL devices can be selected and used.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view in the thickness direction of the organic EL element 50 according to the third embodiment, and shows an enlarged part of the cross section.
  • the organic EL element 50 according to the third embodiment includes an intermediate unit 5A between the electron transport zone 41 and the transparent electrode 4 in the organic EL element 40 according to the second embodiment, and sandwiches the intermediate unit 5A.
  • the organic EL element 40 has the same configuration as the organic EL element 40 except that the organic light emitting layers 51, 55, and 56 are provided.
  • the organic EL element 50 includes the translucent substrate 2, the light extraction layer 3, the transparent electrode 4, the hole transport zone 42, the first organic light emitting layer 51, the intermediate unit 5A, and the second organic light emitting.
  • the layer 55, the third organic light emitting layer 56, the electron transport zone 41, and the counter electrode 6 are laminated in this order.
  • An element configuration in which a plurality of organic light emitting layers 51, 55, and 56 are stacked via an intermediate unit and connected in series like the organic EL element 50 is also referred to as a tandem type.
  • the organic EL element 50 is a so-called bottom emission type element in which the light extraction direction of the radiated light generated in the organic light emitting layers 51, 55, and 56 is on the translucent substrate 2 side.
  • the same components as those in the first embodiment and the second embodiment are denoted by the same reference numerals and names, and the description thereof is omitted or simplified.
  • the same materials and compounds as those described in the first embodiment and the second embodiment can be used.
  • the materials of the organic light emitting layer described in the first embodiment can be used.
  • the first organic light emitting layer 51, the second organic light emitting layer 55, and the third organic light emitting layer 56 may be made of the same material or different materials.
  • the light emission colors of the first organic light-emitting layer 51, the second organic light-emitting layer 55, and the third organic light-emitting layer 56 do not have to be the same.
  • the light emission colors are blue, green, and red, respectively. It may be configured.
  • the intermediate unit 5A injects holes or electrons into the organic light emitting layers 51, 55, and 56.
  • the intermediate unit 5A in the organic EL element 50 includes an electron injection layer 52, an intermediate layer 53, and a hole injection layer 54 in the intermediate unit from the first organic light emitting layer 51 side.
  • the material constituting each layer 52, 53, 54 of the intermediate unit 5A can be selected from any known materials used as the material constituting the intermediate unit of the tandem organic EL element.
  • the configurations and materials described in JP-A-11-329748, JP-A-2006-66380, JP-A-2006-173550, JP-A-2010-92741, and JP-A-2004-281371 are disclosed. Can be mentioned.
  • the organic EL element 50 of the third embodiment also has the electron transport zone 41 having a film thickness of 70 nm or more, and includes the light extraction layer 3 of the first embodiment. Furthermore, the organic EL element 50 of the third embodiment has an element configuration in which a plurality of organic light emitting layers 51, 55, and 56 are stacked via an intermediate unit 5A and connected in series. Therefore, compared with the organic EL element 1 of 1st embodiment and the organic EL element 40 of 2nd Embodiment which have a single organic light emitting layer, external quantum efficiency can be made high.
  • grooved part unit 31A protrudes in a column shape toward the translucent board
  • other shapes may be used.
  • 11A, FIG. 11B, and FIG. 11C are views in which a part of the high refractive index layer 31 is seen in plan view from the translucent substrate 2 side, as in FIG. As shown in FIG. 11A and FIG.
  • FIG. 11B it may be a quadrangular columnar convex portion 311 that protrudes in a square shape in plan view. And as shown to FIG. 11A, it may arrange
  • convex part 311 may not be the same in all the uneven
  • FIG. 12 is a partial longitudinal sectional view in the substrate thickness direction of an organic EL element 20 according to a modification of the present invention.
  • the high refractive index layer 31 includes a convex portion 331 that decreases in width from the transparent electrode 4 side toward the translucent substrate 2 side, and a concave portion 332 that increases in width on the contrary. It has a plurality of concave and convex portion units 33A configured.
  • the low refractive index layer 32 Since the low refractive index layer 32 is laminated with the high refractive index layer 31, the low refractive index layer 32 has a concave portion 342 corresponding to the convex portion 331 of the concave and convex portion unit 33A and a convex portion 341 corresponding to the concave portion 332.
  • the inclination angle ⁇ of the convex portion side edge 331A in the concavo-convex unit 33A is the light extraction direction of the organic EL element 20 (the direction from the organic light emitting layer 5 toward the translucent substrate 2 and on the surface of the translucent substrate 2). It is about 30 degrees with respect to the direction orthogonal to the vertical direction.
  • the convex upper edge 331B has a shape along a direction orthogonal to the light extraction direction.
  • the dimensions of the light extraction layer 3 and the uneven portion unit 33A are defined by the optical coherence distance.
  • the distance d 1 from the interface between the high refractive index layer 31 and the transparent electrode 4 to the interface between the high refractive index layer 31 and the low refractive index layer 32 is equal to or greater than the optical coherence distance.
  • the height d 2 and the width d 3 of the convex portion 331 and the dimension of the distance d 4 between the convex portion 331 constituting one concave and convex portion unit 33A and the convex portion 331 constituting the other concave and convex portion unit 33A are 1 ⁇ m or more. It is.
  • the height d 2 and width d 3 of the convex portion 331 and the distance d 4 between the convex portions 331 are preferably 1 mm or less.
  • the dimension of the width d 3 and the dimension of the interval d 4 are set to the first embodiment at any position of the convex side edge 331A.
  • the values of d 2 to d 4 defined above may be used.
  • the height d 2 and the width d 3 of the convex portion 331 satisfy the relationship of 2.0> d 2 / d 3 > 0.2, more preferably 1.0. It is preferable to satisfy a relationship of> d 2 / d 3 > 0.5.
  • the extraction efficiency of the radiated light generated in the organic light emitting layer can be increased. Moreover, the light extraction efficiency can be increased also by the shape of the uneven unit 33A.
  • the organic EL element 20 is also suitable as a light source for the illumination device.
  • FIG. 13 is a partial longitudinal sectional view of the organic EL element 30 according to a modification of the present invention in the substrate thickness direction.
  • the same components as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted or simplified.
  • grooved part unit 35A comprised by the convex part 351 and the recessed part 352 may be curving.
  • the organic EL element 30 is also suitable as a light source for the illumination device.
  • the high-refractive index layer 31 and the low-refractive index layer 32 of the light extraction layer 3 do not have to be composed of a single layer, and a plurality of layers are laminated so as to satisfy the relationships of the above formulas (1) to (3). It may be configured.
  • the organic EL element is described as a bottom emission type element, but the present invention is not necessarily limited thereto.
  • the present invention can be applied to a top emission type element.
  • the method for forming the light extraction layer 3 is not limited to that described in the above embodiment. For example, transfer of a material constituting the high refractive index layer 31, the thickness relative to the total size or more films of the distance d 1 and the height d 2, a pattern corresponding to the shape of the plurality of uneven portions unit 31A To form irregularities. Then, the light extraction layer 3 is formed by applying a solution made of a material constituting the low refractive index layer 32 to the surface of the high refractive index layer 31 on which the unevenness is formed, thereby forming the low refractive index layer 32. Is formed.
  • irregularities are formed on the film made of the material constituting the low refractive index layer 32, and a solution made of the material constituting the high refractive index layer 31 is applied to the high refractive index layer 31.
  • the method of forming may be used.
  • a resin binder made of a material constituting the high refractive index layer 31 and having a thickness equal to or larger than the distance d 1 is coated with a resin binder in which titania or zirconia fine particles are dispersed. The unevenness corresponding to the shape of the plurality of uneven portion units 31A is formed.
  • the light extraction layer 3 is formed by apply
  • FIG. Here, a method in which the high refractive index layer 31 and the low refractive index layer 32 are reversed may be used.
  • the refractive index n p of the dispersed fine particles satisfies the relationship n H ⁇ n p .
  • the light extraction layer 3 and the translucent substrate 2 formed in this way are laminated by, for example, bonding them together with an adhesive having a refractive index substantially equal to that of the material constituting the low refractive index layer 32.
  • a second light extraction layer may be provided adjacent to the outer side in the upper direction of the translucent substrate.
  • a structure that suppresses total reflection such as a diffusion sheet made of fine particles, a microlens, a microprism, and an uneven structure can be appropriately used. Since the second light extraction layer is interposed at the interface between the translucent substrate and the outside of the organic EL element, total reflection at the interface can be prevented and the light extraction efficiency can be further increased.
  • the first organic light emitting layer 51 is provided via, for example, the intermediate unit 5A without including three organic light emitting layers.
  • the second organic light emitting layer 55 may be provided.
  • the light emission color of each organic light emitting layer may be the same color or different colors.
  • a light emitting layer that emits light in red (R), green (G), and blue (B) may be provided, and each color may be mixed to form a white light emitting element.
  • the coating condition was maintained at 1500 rpm for 60 seconds. Then, it hold
  • the refractive index was measured using an ellipsometer manufactured by JA Woollam.
  • the following refractive index measurements were performed in the same manner.
  • the light extraction pattern was transferred to the PMMA film by a thermal imprint method.
  • a mold (mold) having a light extraction pattern formed on a 20 mm ⁇ 20 mm ⁇ 0.7 mm thick silicon substrate by a photolithography method was used.
  • the glass substrate on which the PMMA film was formed and the mold were superposed in advance and placed on the stage of the thermal imprint apparatus.
  • the counter plate was pressed against the PMMA film at a pressure of 2 MPa, and the heating temperature was set so that the temperature of the PMMA film was 140 ° C.
  • a high refractive index material a mixed material of titanium oxide fine particles and resin was used.
  • the titanium oxide fine particle slurry highly transparent fine particle titanium oxide slurry (Titanium oxide fine particle diameter: 15 to 25 nm, solvent: propylene glycol monomethyl ether) manufactured by Teika Co., Ltd., and DIC Beckolite (M-6401- 50), Super Becamine (J-820-60) was used.
  • the ink for forming the high refractive index layer was adjusted so that the solid content ratio of the three members was 7.00: 0.85: 0.15 and the total solid content concentration was 33% by mass. The viscosity of this ink was 42 cP.
  • the ink was applied by spin coating on a PMMA film (high refractive index layer) having a light extraction pattern on the substrate produced by the thermal imprint. The coating condition was maintained at 1500 rpm for 60 seconds. Thereafter, the ink was held on a hot plate at 100 ° C.
  • the ink was dried to form a highly refractive material film.
  • the same operation application and drying was repeated 12 times.
  • the PMMA film low refractive index layer
  • the high refractive index material film high refractive index layer
  • the light extraction layer and the concavo-convex part unit were formed.
  • organic EL layer was laminated and formed on the high refractive index layer on the glass substrate by a vacuum deposition method.
  • the configuration of the organic EL layer was as follows.
  • the first light emitting layer was a red light emitting layer
  • the second light emitting layer was a blue light emitting layer
  • the third light emitting layer was a green light emitting layer.
  • Hole injection layer Compound HI (thickness: 60 nm)
  • Hole transport layer Compound HT (thickness: 15 nm)
  • Organic light emitting layer (first light emitting layer) Compound RH and Compound RD (Thickness: 5 nm, RD concentration: 0.5 mass%)
  • Charge barrier layer Compound HT and Compound GD (Thickness: 5 nm, GD concentration: 5% by mass)
  • Organic light emitting layer (second light emitting layer) : Compound BH and Compound BD (Thickness 15 nm, BD concentration: 7.5% by mass)
  • Organic light emitting layer third light emitting layer
  • Compound BH and Compound GD Thiickness 25 nm, GD concentration: 10% by mass
  • Electron transport layer Tris (8-quinolinol) aluminum film (Alq 3 ) (
  • the compounds used in the organic EL device are shown below.
  • Example 2 The light extraction pattern is the same as in Example 1 except that a cylinder having a diameter of 50 ⁇ m and a height of 50 ⁇ m is arranged in a hexagonal close-packed structure (see FIG. 5A) and the interval between the most adjacent cylinders is 50 ⁇ m. Thus, an organic EL element was produced.
  • Example 1 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the light extraction layer (low refractive index layer and high refractive index layer) was not formed in Example 1.
  • 14A and 14B are schematic diagrams illustrating a method for evaluating the structure of an organic EL element.
  • the cylindrical lens 8 was attached to the light-transmitting substrate 2 (glass substrate) of the organic EL element 1, and the angular dependence of the emission spectrum was measured. .
  • the refractive index of the cylindrical lens 8 was set to the same refractive index (1.5) as that of the glass substrate 2. Further, in order to fill an air gap between the cylindrical lens 8 and the glass substrate 2, oil having a refractive index of about 1.5 was filled.
  • the EL emission spectrum was measured with the spectral radiance meter 9 while changing the radiation angle ⁇ every 5 degrees from 0 degree to 70 degrees.
  • the organic EL element those prepared in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 were used. From the obtained angle-dependent spectral radiance spectrum, the emission energy of the total luminous flux was obtained and the light extraction efficiency was calculated. Table 2 shows the results normalized by the external quantum efficiency of Comparative Example 1. 14B shows the case where the light extraction layer is not provided as the structure of the organic EL element 1 (corresponding to Comparative Example 1). However, when the light extraction layer is provided, the transparent substrate 2 and the transparent substrate 2 are transparent. It is provided between the electrodes 4.
  • FIG. 15A and FIG. 15B are schematic diagrams illustrating a method for evaluating the structure of the light extraction layer.
  • a cylindrical lens 9 (the same as ⁇ 2> above) was attached to the low refractive index layer 32 side of the light extraction layer 3 (see FIG. 15B) on which the high refractive index layer 31 and the low refractive index layer 32 were laminated.
  • white light was incident in the direction of the arrow shown in FIG. 15A, and the scattered diffraction spectrum was measured with a spectral radiance meter 9 (CS-1000).
  • CS-1000 spectral radiance meter 9
  • oil having a refractive index of about 1.5 was filled between the cylindrical lens 8 and the low refractive index layer 32 in order to fill the air gap.
  • the EL emission spectrum was measured with the spectral radiance meter 9 while changing the radiation angle ⁇ every 5 degrees from 0 degree to 70 degrees.
  • the light extraction layer 3 those prepared in Example 1, Example 2, and Comparative Example 2 were used. The diffraction property of the light extraction layer was evaluated from the measurement result of the angle dependence of the obtained spectral radiance spectrum.
  • the organic EL elements of Example 1 and Example 2 showed excellent external quantum efficiency. This is because the organic EL elements of Example 1 and Example 2 satisfy the relationship of the refractive index defined by the above formulas (1) to (3), and the peak wavelength 610 nm at which the distance d 1 is emitted from the organic light emitting layer. This is because the dimension is equal to or greater than the optical coherence distance with respect to the light having a half-value width of 23 nm, so that the coupling efficiency of the emitted light to the thin film mode is enhanced and the total reflection of light at the interface is prevented.
  • the optical coherence distance is 8.8 ⁇ m in the high refractive index layer.
  • the height d 2 , the width d 3 , and the interval d 4 are sufficiently larger than the wavelength of the light emitted from the organic light emitting layer, the angle dependence of the emission spectrum is small, that is, the diffractive property is low, and the white light is This is because the light was extracted without being remarkably dispersed depending on the radiation angle.
  • Table 2 in Comparative Example 1, since the light extraction layer was not provided, the external quantum efficiency was low. In Comparative Example 2, the light extraction layer is provided, and the height d 2 , the width d 3 , and the interval d 4 are sufficiently larger than the wavelength of the light emitted from the organic light emitting layer.
  • the distance d 1 is smaller than the optical coherence distance (8.8 ⁇ m) with respect to the light emitted from the organic light emitting layer. As compared with Example 1 and Example 2, the result was inferior.
  • Transparent electrode ITO (thickness: 130 nm), Hole injection layer: Compound HI-2 (thickness: 50 nm) Hole transport layer: Compound HT-2 (thickness: 45 nm) Organic light emitting layer: Compound BH and Compound BD (Thickness: 20 nm, BD concentration: 5% by mass) Electron transport layer 1: Compound ET-1 (thickness: 5 nm) Electron transport layer 2: Compound ET-2 and Li (Thickness: (X-5) nm, Li concentration: 5% by mass) Electron injection layer: LiF (thickness: 0.5 nm) Counter electrode: Al (thickness: 100 nm)
  • This distance X corresponds to the thickness of the electron transport zone. Therefore, the sum of the thickness 5 nm of the electron transport layer 1 and the thickness (X-5) nm of the electron transport layer 2 is X nm.
  • the film thickness is set as described above.
  • Example 3 On a glass substrate, a cylinder having a diameter of 10 ⁇ m and a height of 1 ⁇ m is arranged in a hexagonal close-packed structure, and a light extraction structure in which the distance between the most adjacent cylinders is 10 ⁇ m is created.
  • an organic EL layer including the first light-emitting layer and the second light-emitting layer with the following configuration was prepared, and an organic EL element according to Example 3 was obtained.
  • the first light emitting layer was a blue light emitting layer
  • the second light emitting layer was a green light emitting layer. The same compounds as those already shown were used.
  • the distance between the second light emitting layer and the cathode is maintained at 90 nm in total.
  • the thickness of each organic layer was determined in consideration of adjustment of carrier balance and optical path length in designing a tandem element.
  • Transparent electrode IZO (thickness: 130 nm)
  • Hole injection layer 1 Compound HI-2 (thickness: 70 nm)
  • Hole transport layer 1 Compound HT-2 (thickness: 50 nm)
  • Organic light emitting layer 1 (first light emitting layer) : Compound BH and Compound BD (Thickness: 20 nm, BD concentration: 5% by mass)
  • Electron transport layer 1 Compound ET-1 (thickness: 5 nm)
  • Electron transport layer 2 Compound ET-2 and Li (thickness: 5 nm, Li concentration: 5% by mass)
  • Hole injection layer 2 Compound HI-2 (thickness: 10 nm)
  • Hole transport layer 2 Compound HT-2 (thickness: 30 nm)
  • Organic light emitting layer 2 (second light emitting layer) : Compound BH and Compound GD (Thickness: 20
  • the compound used for the charge generation layer of the organic EL device according to Example 3 is shown below.
  • the organic EL element having the light extraction structure has a radiation shape significantly larger than that of Lambertian radiation. Due to the widening, the external quantum efficiency was greatly improved.
  • FIG. 16A shows the radiation shape after normalization of the organic EL element of Example 3
  • FIG. 16B shows the radiation shape after normalization of the organic EL element of Comparative Example 3.
  • the organic electroluminescent element according to the present invention is used as a light emitting element such as a display in addition to a lighting device.
  • Organic electroluminescence device (organic EL device) 2 Translucent substrate 3 Light extraction layer 31 High refractive index layer 31A, 33A, 35A Convex part unit 32 Low refractive index layer 311, 331, 351 Convex part 311A Convex part side edge 311B Convex part upper edge 312, 332, 352 Concave part 4 Transparent electrode 5 Organic light emitting layer 6 Counter electrode 41 Electron transport zone

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Abstract

 透光性基板(2)に透明電極(4)と、有機発光層(5)と、対向電極(6)とが設けられた有機EL素子(1)であって、透明電極(4)に隣接する高屈折率層(31)及び透光性基板(2)に隣接する低屈折率層(32)が積層される光取出し層(3)は、その高屈折率層(31)と低屈折率層(32)との界面に凸部(311)及び凹部(312)で構成される複数の凹凸部ユニット(31A)を有し、複数の凹凸部ユニット(31A)のうち少なくとも一つにおける高屈折率層(31)と低屈折率層(32)との界面から透明電極(4)と高屈折率層(31)との界面までの距離dが光学可干渉距離以上で、かつ、凸部(311)の高さd、凸部(311)の幅d、及び凸部(311)と凹部(312)を介して隣接する凸部(311)との間隔dが1μm以上である。

Description

有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
 本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置に関する。
 陽極と陰極との間に発光層を含む有機薄膜層を備え、陽極から発光層に注入された正孔と陰極から発光層に注入された電子とが有機薄膜層で再結合し、その再結合によって生じる励起子(エキシトン)エネルギーによって発光を得る有機エレクトロルミネッセンス素子が知られている。
 有機エレクトロルミネッセンス素子においては、自発光型素子としての利点を活かし、発光効率、画質、消費電力、さらには薄型のデザイン性に優れた発光素子として期待されている。
 有機エレクトロルミネッセンス素子の光学設計において、発光効率を向上させるために、光学干渉距離の調整が行われている。正孔輸送層などの有機層の膜厚を調整することで、実効的な発光効率の向上や発光スペクトルの変調が可能であり、素子設計において不可欠な手法となっている。
 しかしながら、光学干渉距離の調整だけでは素子内部に閉じ込められた光を取り出すことはできない。そこで、素子内部に閉じ込められた光を効率良く取り出し、飛躍的に発光効率を向上させるための構造を備えた素子が提案されている。
 有機薄膜層を支持する透光性の支持基体(透光体)が位置する方向に光を取り出す素子構成における光の損失は、主に次のようなモードに分類される。
 (i)透光体と空気との界面での全反射により、透光体内に閉じ込められる光のモード(基板モード)
 (ii)透明電極と透光体との界面での全反射により、透明電極及び有機層内に閉じ込められる光のモード(薄膜モード)
 (iii)金属電極に表面プラズモンとして吸収される光のモード(表面プラズモンモード)
 これらの損失モードは、有機発光層中における全発光エネルギー量に対して、発光分子の存在する状態によって数10%から100%近くに及ぶ。ゆえに、これらの損失モードをどの様にして外部へ取り出すかが、高効率で発光する有機エレクトロルミネッセンス素子の開発に必要となる。
 上記基板モード、薄膜モード及び表面プラズモンモードに起因する光の閉じ込めは、いずれも発光層において放射された光がエバネッセント光として素子内部に閉じ込められることによるものである。
 素子内部にエバネッセント光として閉じ込められた光を取り出す具体的な手法として、種々の方法が報告されている。
 基板モードの光を取り出す手法としては、透光性支持基体表面に光散乱微粒子やマイクロレンズなどの凹凸構造を設ける手法が提案されている。例えば、特許文献1では、電極、エレクトロルミネッセンス層、及び透光体がこの順に配置され、さらに、透光体の光取出し面側に光散乱機能を有する層が設けられている。透光体と空気との界面に光散乱微粒子を配置することで、基板モードからの光取り出しを行っている。また、実施の形態として、光の方向を変化させ全反射を抑制するような散乱層などの構造を透光体内部に備えた素子構成も提案されている。
 薄膜モードの光を取り出す手法としては、透光性基体と透明電極層との間に光散乱層を備えた素子構造が提案されている。光散乱層は、粒径が数10nmから数10μm程度のチタニアなどの高屈折率微粒子をバインダー樹脂中に分散させたものや、多孔質性のシリカ層、又は様々な光散乱性の新規性材料が用いられている。
 例えば、特許文献2においては、電極、エレクトロルミネッセンス層、高屈折率透明電極層及び透光体がこの順に配置され、さらに、高屈折率透明電極層及び透光体のそれぞれ光取出し面側に、浸み出し光拡散層が設けられている。浸み出し光拡散層は、低屈折材料からなるマトリックス中に光を散乱させる粒子を含有させた層であって、エバネッセント光を散乱させる機能を持ち、薄膜モードの光取り出しを行う。ここで、光散乱機能とは、発光光線をMie散乱によって多重散乱させることであり、有機薄膜層内部を進む導波光を光取出し方向に散乱させる、とされている。なお、特許文献2で用いられている手法では、特に、光取り出し層と透明電極との界面の平坦性が悪く透明電極を成膜する際に問題となることから、より信頼性が高く光取り出し効率の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を作成するための手法が求められている。
 また、特許文献3では、マイクロレンズなどの凹凸構造を透光性電極及び透光性基板の間に設けることにより光の全反射を抑制する手法が提案されている。
 さらに、サブミクロン程度の微細な周期構造を有する回折格子やフォトニック結晶を備えることにより光の分散関係(エネルギー・波数の関係)を制御し、光取り出し効率を向上させる手法も盛んに研究されている。例えば、特許文献4または特許文献5では、透光性の基板と第1の電極との間にサブミクロン程度の周期性をもつ回折格子部を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子が提案されている。これらの有機エレクトロルミネッセンス素子では、回折格子を備えることでエバネッセント光となって閉じ込められている光(薄膜モードの光)を取り出すことが可能となる。
特開平8-83688号公報 特許第4140541号公報 特許第4073510号公報 特許第4253302号公報 特許第4386285号公報
 しかしながら、特許文献1から特許文献5までに記載された技術をもってしても、十分に光取出し効率を高くすることができないという問題があった。
 中でも、特許文献1に記載されている手法では、透明電極及び有機層中に閉じ込められている薄膜モードや表面プラズモンモードの光を効果的に取り出すことができなかった。
 さらに、特許文献4や特許文献5に記載された技術は、サブミクロン程度の周期性を有する回折格子によって白色光が分光されてしまい、特に、照明装置の光源として用いる発光素子に適さないという問題もあった。
 本発明の目的は、光取出し効率が高く、照明装置用の光源に適した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。特に、薄膜モードや表面プラズモンモードの光学的損失を調整し、さらに薄膜モードからの光を効果的に取り出して外部量子効率を向上させると共に、回折性の小さい良好な白色発光を得ることのできる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
 また、本発明の目的は、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた照明装置を提供することである。
 本発明者らは、有機エレクトロルミネッセンス素子内に閉じ込められる発光層から発生した光を効率的に取り出す方策を鋭意検討した結果、透明電極と透明基板との界面に所定の凹凸形状を介在させることで、当該界面における全反射を抑制し、全反射によって生じるエバネッセント光を素子外部へ効率的に取り出せることを見出した。本発明は、このような知見に基づいて成されたものである。
 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明電極と、対向電極と、これら透明電極及び対向電極の間に設けられる有機発光層と、透光性基板とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記透明電極には、前記有機発光層と対向する面とは反対の面に光取出し層が隣接して設けられ、この光取出し層は、前記透明電極側から順に積層される高屈折率層及び低屈折率層を備え、前記透光性基板は、前記低屈折率層に隣接して設けられ、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の厚み方向断面を前記対向電極に対して前記光取出し層を上にして見たときに、前記高屈折率層は、当該高屈折率層と前記低屈折率層との界面に、凸部及び凹部で構成される複数の凹凸部ユニットを有し、前記複数の凹凸部ユニットのうち少なくとも一つの凹凸部ユニットにおける前記高屈折率層と前記低屈折率層との界面から前記透明電極と前記高屈折率層との界面までの距離dが光学可干渉距離以上で、かつ、前記凸部の高さd、前記凸部の幅d、及び前記凸部と前記凹部を介して隣接する他の凸部との間隔dが1μm以上であることを特徴とする。
 本発明によれば、前記透光性基板側から光が取り出される有機エレクトロルミネッセンス素子において、光学可干渉距離以上の膜厚の高屈折率層を透明電極及び透光性基板の間に設けることで表面プラズモンモードに結合する割合が減少し、薄膜モードへの結合効率が高まる。従来技術では、当該高屈折率層を当該位置に設けることが考慮されていないので、表面プラズモンモードに結合する割合が大きく、光取り出し構造の効果は限定的であった。
 本発明の構成では、結合効率の高くなった薄膜モードから光を取り出すために、高屈折率材料及び低屈折率材料により構成される凹凸構造を備えることで光取り出し効率が効果的に改善される。すなわち、透明電極側から順に高屈折率層及び低屈折率層が積層される光取出し層が透明電極に隣接して設けられ、上記凹凸部ユニットが高屈折率層と低屈折率層との界面に設けられているので、薄膜モードの光のうち、臨界角以上の角度で高屈折率層に入射する光が当該界面で全反射せずに、低屈折率層まで透過し、最終的に透光性基板を経て、外部へと光が取り出される。
 よって、有機発光層で生じた放射光の取出し効率を向上させることができる。
 また、凸部の高さd、幅d、及び凸部同士の間隔dが、可視光領域における波長よりも十分に大きいので、サブミクロン程度の周期性及び突出高さを有する回折格子のように白色光が分光され難い。そのため、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、回折性の小さい良好な白色発光を得ることができ、照明装置の光源に適している。従来技術では、サブミクロン程度の凹凸構造を採用したため、光取り出しと同時に回折される。さらに従来技術を利用して白色発光を取り出そうとすると、白色光のうち一部波長の光のみ光取り出し効率が上がるうえ、放射角度によって光取り出し効率が変化するため、色合いが発光素子を見る角度で変化するなど、問題となる。前記したように本発明は、白色のように様々な発光波長を含む放射光に対しても、前記した問題が顕著になることなく、光取り出し効率が向上するものである。
 本発明において、有機エレクトロルミネッセンス素子を基板厚み方向で断面視する場合の、断面位置について説明する。本発明では、有機エレクトロルミネッセンス素子を平面視して、少なくとも2つの隣接する凹凸部ユニットを通過する断面切り出し線に沿って有機エレクトロルミネッセンス素子を切り出して得られる断面を見る。そして、この断面切り出し線の方向及び位置条件は、種々設定できるものであるが、本発明では、少なくとも一の方向及び位置条件で断面を切り出した際に、上記したような光学可干渉距離によって規定される光取出し層及び凹凸部ユニットの寸法を満たしていれば良い。
 次に、光学可干渉距離の調整について説明する。光学干渉距離の調整は素子設計において一般的に行われている手法であるが、近接場光領域の現象や双極子放射理論にまで立ち戻って素子の発光特性を考えたときに、今までに提案されている光取り出し構造の多くは素子内の発光機構とは別に備えられたものと見なせるものが多数であった。
 素子内部に光取り出し機能を有する層が挿入されると,素子が本来有する光学モードに変化が生じるため、光学モードの変化を考慮せずに最適な光学素子の設計をすることはできない。そこで、双極子放射がどの様にして薄膜モードや表面プラズモンモードに結合するのかを解析し、本発明では、表面プラズモンモードへの結合効率を低下させる上記光取り出し構造を備えることで外部量子効率の向上が可能となる。
 また、表面プラズモンモードへの結合が抑制されることで、主に薄膜モードへの結合効率が向上することから、薄膜モードからの光取り出し効率を向上させる上記光取り出し構造を備えることで外部量子効率の向上が可能となる。
 さらに、非回折性の周期構造で構築された上記光取り出し構造を備えることで、照明装置において有機発光層で生じた放射光が分光されることなく外部に取り出すことが可能となる。
 なお、本発明において、光学可干渉距離は、(光学可干渉距離)=λ/{n(△λ)}で規定される。ここで、λは有機発光層で生じた放射光の発光スペクトルのピーク波長であり、△λは発光スペクトルの半値幅である。また、nは高屈折率層の屈折率である。
 また、非回折性の周期構造を有する本発明における凸部の高さd、幅d、及び凸部同士の間隔dは、可視光領域における波長よりも十分に大きい必要があるため、通常1μm以上を必要とする。好ましくは、5μm以上、さらに好ましくは、20μm以上である。なお、薄膜モードからの光取出しを効率的に行う意味では、凸部の高さd、幅d、及び凸部同士の間隔dは1mm以下であることが好ましい。
<Photonic mode densityの解析による素子設計>
 ここで、双極子放射がどの様にして薄膜モードや表面プラズモンモードに結合するのかを、Photonic mode densityの解析結果に基づいて説明する。双極子放射理論の詳細は参考文献(Adv. Chem. Phys. 37 (1973) pp.1-65) に記載されている。
(素子構成A1)
 図1に、素子構成A1として、典型的なボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子100の構成を示す。有機エレクトロルミネッセンス素子100は、ガラスからなる透光性基板110、ITO(Indium Tin Oxide)からなる透光性電極120、有機層130、Ag(銀)からなる対向電極140を順に備えた素子構成となっている。なお、有機層130は、透光性電極120側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層を順に備えた構成となっている(有機層130の層構成は図示せず)。図1の有機層130には、正孔及び電子が再結合する再結合領域S1を一点鎖線で示し、有機層130内の発光層で生じた放射光の再結合領域S1からの光路を矢印で示した。また、透光性電極120の厚みLc1は、光学可干渉距離未満である。
 この有機エレクトロルミネッセンス素子100において、有機層130内の発光分子を電気双極子モーメントとした場合の双極子放射エネルギーの波数展開形式を計算し、その結果に基づいて、発光分子がランダムに配向している場合における各モードへの結合効率を見積もった。結合効率を表1に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
(素子構成A2)
 図2に、素子構成A2として、膜厚の大きい高屈折率層を有するボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子200の構成を示す。有機エレクトロルミネッセンス素子200は、有機エレクトロルミネッセンス素子100の透光性基板110と透光性電極120との間に光学可干渉距離よりも十分に厚い膜厚の高屈折率層210を備えた構成となっており、その他は、有機エレクトロルミネッセンス素子100と共通である。図2の有機層130には、正孔及び電子が再結合する再結合領域S2を一点鎖線で示し、有機層130内の発光層で生じた放射光の再結合領域S2からの光路を矢印で示した。また、透光性電極120及び高屈折率層210の合計厚みLc2は、光学可干渉距離以上である。
 ここで、高屈折率層210の屈折率は、透光性基板110の屈折率よりも大きく、有機層130の屈折率以下である。有機エレクトロルミネッセンス素子200は、光学的に十分に厚く、可干渉距離以上の膜厚の高屈折率層210を備えることで、電気双極子モーメントの振動は、透光性基板110と高屈折率層210との界面から受ける電場及び磁場の反射の影響が低下する。すなわち、素子構成A2のような光学配置を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子200では、反射光による摂動の影響が小さい。一方、素子構成A1の光学配置では,電気双極子モーメントの振動は反射光による摂動を受ける。ゆえに、素子構成A2の光学配置は、発光層、透光性電極及び高屈折率層をまとめた半無限領域S3として、図3の様に近似することができる。図3において、矢印は、再結合領域S2における双極子放射の水平方向及び垂直方向を表す。
 図3に示す光学配置について、有機エレクトロルミネッセンス素子100の場合と同様に、発光層130中の発光分子を電気双極子モーメントとした場合の双極子放射エネルギーの波数展開形式を計算した。そして、この計算結果に基づいて、発光分子がランダムに配向している場合において各モードへの結合効率を見積もった。結合効率を表1に示す。
 表1に示されているように、素子構成A2では、表面プラズモンモード(SPPsモード:Surface plasmon Polaritons mode)への結合効率が低下する一方で、薄膜モードなどの他のモードへ結合することが分かる。なお、表面プラズモンモードとは、金属電極側に発光エネルギーが吸収される現象である。ゆえに表面プラズモンモードから光を取り出すことは、他の光学モードから取り出すことに比べて最も困難である。
 このように透光性基板110と透光性電極120との間に高屈折率層210を備えた素子構成A2とすることで、表面プラズモンモードへの結合が低下し、薄膜モードへの結合効率が高まる。さらに、本発明のように、高屈折率層と透光性基板との間に低屈折率層を設け、高屈折率層と低屈折率層との界面に凸部及び凹部で構成される複数の凹凸部ユニットを設けることで、結合効率が高まった当該薄膜モードの光を効率的に取り出すことができ、結果として、外部量子効率が向上する。
 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記透明電極の屈折率n、前記低屈折率層の屈折率n、前記高屈折率層の屈折率n、及び前記透光性基板の屈折率nが次の関係式(1)、(2)、(3)を満たすことが好ましい。なお、前記屈折率n、n、n、及びnは、波長550nmのときの値を示す。
[数1]
  |n-n|<0.2  (1)
  |n-n|<0.2  (2)
  n>n        (3)
 本発明によれば、当該関係式(1)~(3)で規定される屈折率の関係を有するので、薄膜モードの光が光取出し層の高屈折率層と低屈折率層との界面まで効率的に導かれる。さらに、高屈折率層と低屈折率層との界面における光の全反射が抑制される。
 前記透明電極及び前記高屈折率層の屈折率は、同程度であることが好ましく、同様に前記透光性基板及び前記低屈折率層の屈折率は、同程度であることが好ましい。これらの差が0.2を超えると、界面で反射率が高くなり損失モードが著しく増加する要因となる。
 したがって、上記関係式(1)~(3)を満たすことにより有機発光層で生じた放射光の取出し効率をさらに高くすることができる。
 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記凸部の高さdと、前記凸部の幅dとは、2.0>d/d>0.2の関係を満たすことが好ましい。
 本発明によれば、高屈折率層と低屈折率層との界面にある凹凸部ユニットまで透過した光をさらに効率的に低屈折率層まで透過させることができるので、光取出し効率をさらに高くすることができる。d/dが2.0より大きくなりアスペクト比が大きくなると、稠密構造をとったときに凸部側縁で屈折した光が隣接する凸部に再び入射する割合が高くなって、多重反射などが起こり、光取り出し効率の低下を招くおそれがある。均一な面発光を得るためには稠密構造もしくは、それに準ずるような充填率を取ることが望ましい。
 さらに、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記凸部の高さ方向に沿った側縁は、前記有機発光層から発生した光の取り出し方向に対して35度以下で傾斜していることが好ましい。
 本発明によれば、高屈折率層と低屈折率層との界面で全反射する光を効率的に取り出すことができる。
 そして、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記高屈折率層の凸部の側縁は、前記有機発光層から発生した光の取り出し方向に沿った形状を有することが好ましい。
 加えて、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記高屈折率層の凸部上縁は、前記有機発光層から発生した光の取り出し方向に直交する方向に沿った形状を有することが好ましい。
 これらの発明によれば、高屈折率層と低屈折率層との界面にある凹凸部ユニットまで透過した光をさらに効率的に低屈折率層まで透過させることができるので、光取出し効率をさらに高くすることができる。なお、光の取出し方向に沿って高屈折率層の凸部側縁が形成されているときは、上記した傾斜角度は0度となる。
 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記光学可干渉距離が3μm以上であることが好ましい。
 この発明によれば、発光ピークの半値幅が広い光についても薄膜モードへの結合効率を効率的に高めることができる。
 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
 前記凸部の高さd、前記凸部の幅d、及び前記凸部と前記凹部を介して隣接する他の凸部との間隔dが5μm以上であることが好ましい。
 dが光学可干渉距離以下の場合、d3、及びdが光学可干渉距離以上であることが望ましい。
 この発明によれば、白色光が回折されることをより確実に防ぐことができる。
 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記対向電極と前記有機発光層との間には、膜厚が70nm以上の電子輸送帯域が設けられていることが好ましい。
 この発明によれば、電子輸送帯域の膜厚が70nm以上なので、有機発光層内の水平方向に配向した発光分子の双極子放射の表面プラズモンモードへの結合効率が低下し、基板モード、薄膜モード、及び発光モードへの結合効率がさらに高まる。そして、上記光取出し層によって薄膜モードの光が効率的に取り出されるので、有機エレクトロルミネッセンス素子の外部量子効率を高めることができる。
 本発明の照明装置は、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子を備える。
 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、高い光取出し効率を有するので、輝度の高い照明装置を提供できる。
ボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子の素子構成を示す素子厚み方向の断面図。 ボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、高屈折率層を備えた場合の素子構成を示す素子厚み方向の断面図。 図2の素子構成において、光学配置を近似した場合の一部断面図。 本発明の第一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の厚み方向の断面図。 前記実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の高屈折率層を透光性基板側から平面視した図であって、凸部及び凹部の配置パターンを例示する図。 図5Aとは、異なる配置パターンを例示する図。 図5A、及び図5Bとは、異なる配置パターンを例示する図。 前記実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の高屈折率層と低屈折率層との界面について図4と同様の方向で断面視して一部拡大した図。 本発明の第二実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の厚み方向の断面図。 水平方向に配向した発光分子の双極子放射のPhotonic mode density解析結果を表す図。 垂直方向に配向した発光分子の双極子放射のPhotonic mode density解析結果を表す図。 本発明の第三実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の厚み方向の断面図。 本発明の変形例に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の高屈折率層を透光性基板側から平面視した図であって、凸部及び凹部の配置パターンを例示する図。 図11Aとは、異なる配置パターンを例示する図。 図11A、及び図11Bとは、異なる配置パターンを例示する図。 本発明の別の変形例に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の厚み方向の断面図。 本発明のさらに別の変形例に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の厚み方向の断面図。 有機エレクトロルミネッセンス素子からのEL発光スペクトルの計測方法を説明する図。 図14Aにおける有機エレクトロルミネッセンス素子の構造を示す概略図。 光取出し層構造からの散乱回折スペクトルの計測方法を説明する図。 図15Aにおける光取出し層構造を示す概略図。 実施例に係る有機EL素子の放射形状を示す図。 比較例に係る有機EL素子の放射形状を示す図。
<第一実施形態>
 以下、本発明の第一実施形態を図面に基づいて説明する。
〔有機エレクトロルミネッセンス素子〕
 図4は、第一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子という。)の厚み方向の断面図であり、その断面の一部を拡大して示している。
 有機EL素子1は、透光性基板2と、光取出し層3と、透明電極4と、有機発光層5と、対向電極6と、をこの順に積層されて構成される。
(透光性基板)
 透光性基板2は、光取出し層3と、透明電極4と、有機発光層5と、対向電極6とを支持するための平滑な板状の部材である。有機EL素子1は、有機発光層5で生じた放射光の光取出し方向が、透光性基板2側となる、いわゆるボトムエミッション型の素子である。そのため、透光性基板2は、透光性の部材が用いられ、400nmから700nmまでの可視領域の光の透過率が50%以上であることが好ましい。具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエーテルサルファイド系樹脂、ポリサルフォン系樹脂等を原料として用いてなるものを挙げることができる。透光性基板2の屈折率nは、1.4以上1.6以下とするのが好ましい。
(光取出し層)
 光取出し層3は、有機発光層5で生じた放射光を効率的に取り出すために、透光性基板2及び透明電極4の間に設けられる。
 光取出し層3は、透明電極4側から順に高屈折率層31及び低屈折率層32が積層されて構成され、低屈折率層32が透光性基板2に隣接する。高屈折率層31は、低屈折率層32よりも高い屈折率を有する。
 また、図4に示すように、高屈折率層31は、低屈折率層32との界面に、凸部311及び凹部312で構成される複数の凹凸部ユニット31Aを有している。凸部311は、透明電極4側から透光性基板2側へ向かって略円柱状に突出し、図4に示すように、略矩形の断面形状を有している。
 図5A、図5B、及び図5C(以下、これらをまとめて図5という場合がある。)は、高屈折率層31の一部を透光性基板2側から平面視した図であり、低屈折率層32及び透光性基板2については、説明の都合上、省略してある。図5は、高屈折率層31の凸部311及び凹部312の配置パターンを例示するものである。配置パターンは、後述する高屈折率層31及び凹凸部ユニット31Aの寸法関係を満たす限りにおいて、図5Bに示すような、凸部311が格子状に配置されたものであったり、図5Aに示すような、稠密構造となるように配置されたものであったり、図5Cに示すような、凸部311同士が接するように配置されたものであってもよいし、このような配置に限られない。また、凸部311と凹部312とが逆の関係になっていてもよい。すなわち、図5の凸部311の位置が凹部312となって、高屈折率層31に穴が設けられた状態であってもよい。
 第一実施形態では、図5Bの配置パターンで高屈折率層31が設けられている。なお、図4は、図5BにおけるIV-IV線で断面を切り出した場合であって、矢印方向に沿って見た断面図を示すものである。
 凹部312は、凸部311が多数配置されていることに伴い、凸部311が配置されていない部分に形成されることになる。そして、図4及び図5に示すように、断面視で凸部311及び凹部312が交互に連続して形成され、一つの凸部311及び一つの凹部312で凹凸部ユニット31Aが構成される。低屈折率層32は、高屈折率層31と積層されているため、凹凸部ユニット31Aの凸部311に対応する凹部322、及び凹部312に対応する凸部321を有する。
 図6は、光取出し層3の高屈折率層31と低屈折率層32との界面について図4と同様の方向で断面視して一部拡大した図である。
 本発明において、凸部311の高さ方向に沿った側縁(凸部側縁)311Aが有機EL素子1の光取出し方向(有機発光層5から透光性基板2へ向かう方向であって、透光性基板2の面に対して鉛直方向)に対して傾斜する角度θは、35度以下であることが好ましい。凸部側縁311Aの当該傾斜角度θを35度以下にすることで、高屈折率層31と低屈折率層32との界面に臨界角θc以上の角度で入射する光Rcを、低屈折率層32内へと効率的に導くことができる。
 本実施形態では、傾斜角度θが略0度である。そのため、凸部311側縁は、光取出し方向に沿った形状となっている。また、凸部311の幅方向に沿った上縁(凸部上縁)311Bは、光取出し方向と直交する方向に沿った形状となっている。さらに、凹凸部ユニット31Aの凹部312の下縁312A(換言すれば、低屈折率層32側から見て、低屈折率層32の凸部の上縁)も、光取出し方向と直交する方向に沿った形状となっている。
 本実施形態では、光取出し層3及び凹凸部ユニット31Aの寸法が、光学可干渉距離又は所定の値によって規定される。まず、高屈折率層31と透明電極4との界面から、高屈折率層31と低屈折率層32との界面までの距離dは、光学可干渉距離以上である。
 また、凸部311の高さd、幅d、及び一つの凹凸部ユニット31Aを構成する凸部311と他の凹凸部ユニット31Aを構成する凸部311との間隔dの寸法は、1μm以上である。好ましくは、5μm以上、さらに好ましくは、20μm以上である。なお、薄膜モードからの光取出しを効率的に行う意味では、凸部311の高さd、及び幅d、及び凸部311同士の間隔dは1mm以下であることが好ましい。高さdは、図4のように有機EL素子1を断面視したときに、凸部311の上縁を通り透光性基板2の面に沿う方向の直線と凹部312の下縁を通り透光性基板2の面に沿う方向の直線との距離を示す。また、幅dは、図4のように有機EL素子1を断面視したときに、凸部311の左右の凸部側縁311A間の透光性基板2の面に沿う方向の距離を示す。さらに、間隔dは、図4のように有機EL素子1を断面視したときに、凸部311の左右どちらかの凸部側縁311Aと、凹部312を介して当該左右どちらかの凸部側縁311Aと対向する他の凸部側縁311Aとの透光性基板2の面に沿う方向の距離を示す。
 なお、凸部311の高さd及び幅dとは、2.0>d/d>0.2の関係を満たすのが好ましく、本実施形態ではこの関係を満たす。より好ましくは、1.0>d/d>0.5の関係を満たすことが好ましい。このような関係を満たすことで、高屈折率層31と低屈折率層32との界面にある凹凸部ユニット31Aまで透過した光をさらに効率的に低屈折率層32まで透過させることができるので、光取出し効率をさらに高くすることができる。d/dが2.0より大きくなりアスペクト比が大きくなると、凸部側縁311Aで屈折した光が隣接する凸部311に再び入射する割合が高くなって、多重反射などが起こり、光取り出し効率の低下を招くおそれがある。
 また、後述するように、有機発光層5は、それぞれ発光可能な有機発光層が積層されて構成される場合もある。この場合は、複数の有機発光層で生じた放射光のピーク波長のうち、最も大きいものを基準として光学可干渉距離を規定するものとする。例えば、赤色、緑色、及び青色で発光する有機発光層5を積層させて、これらの発光色を合成して有機EL素子から白色光を出射させる場合には、赤色光のピーク波長が最も大きいので、赤色光のピーク波長に基づいて光学可干渉距離が規定される。
 ここで本発明の光学可干渉距離を求めるための半値幅を測定するに当っては、赤色発光分子の発光スペクトルによって規定されるものとする。たとえばピーク波長610nmで半値幅10nmの時には、光学可干渉距離は、約20μmとなる。さらに、演色性に優れた照明装置を得るためには、発光ピークの半値幅が大きい発光分子を用いることが望ましく、たとえば発光ピークの半値幅が60nmのときは、光学可干渉距離は、3.5μm程度となる。したがって、本発明の高屈折率層31の距離dとして好ましい範囲は、3μm以上である。また、実際に用いられる照明パネルの基板の厚さが1mm程度であることから、高屈折率層の膜厚は1mm以下が好ましい。
 高屈折率層31を形成するためには例えば、チタン系メタロキサンポリマーなど無機酸化物をゾルゲル反応により成膜する手法がある。また,高屈折率を示すチタニア、ジルコニアなど無機酸化物等の微粒子を汎用樹脂に分散させスピンコート法などの塗布法により成膜する手法がある。さらには,エピスルフィド系樹脂材料などを挙げることができる。
 高屈折率層31の屈折率nは、1.8以上2.2以下とするのが好ましい。なお、高屈折率層31の凸部311を構成する材料を、他の部分を構成する材料と異なるものとしてもよい。この場合、両者の屈折率を等しくするか、凸部311の方を低い屈折率で構成するのが好ましい。
 低屈折率層32を構成する材料としては、ガラス材料、ポリマー材料等が挙げられる。ガラス材料としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー材料としては、ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエーテルサルファイド系樹脂、ポリサルフォン系樹脂、シクロオレフィン系樹脂等を原料として用いてなるものを挙げることができる。低屈折率層32の屈折率nは、1.4以上1.6以下とするのが好ましい。なお、低屈折率層32の凸部321を構成する材料を、他の部分を構成する材料と異なるものとしてもよい。この場合、両者の屈折率を等しくするか、凸部321の方を凸部321以外の部分よりも高い屈折率で構成するのが好ましい。
(透明電極)
 透明電極4は、光取出し層3の高屈折率層31に隣接して設けられる。本実施形態では、透明電極4が陽極となり、対向電極6が陰極となる。なお、透明電極4を陰極とし、対向電極6を陽極としてもよい。
 透明電極4には、公知の電極材料が用いられ、例えば、ITO(インジウム錫酸化物)や、IZO(登録商標)(酸化インジウム亜鉛)、ZnO(酸化亜鉛)等の透明電極材料が用いられる。透明電極4の屈折率nは、1.8以上2.2以下とするのが好ましい。
(有機発光層)
 有機発光層5は、透明電極4及び対向電極6の間に設けられる。
 有機発光層5は、一層で構成してもよいし、複数層で構成してもよい。また、透明電極4及び対向電極6と有機発光層5との間に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、電荷障壁層などを介在させてもよい。
 有機発光層5にはAlq等の公知の発光材料が用いられ、赤色、緑色、青色、黄色等の単色光を示す構成のものや、それらの組み合わせによる発光色、例えば、白色発光を示す構成のもの等が用いられる。また、発光層を形成するにあたっては、ホストに、ドーパントとして発光材料をドーピングするドーピング法が知られている。ドーピング法で形成した発光層では、ホストに注入された電荷から効率よく励起子を生成することができる。そして、生成された励起子の励起子エネルギーをドーパントに移動させ、ドーパントから高効率の発光を得ることができる。
 本発明の有機EL素子の有機発光層5において、上述の例示した化合物以外に、従来の有機EL素子において使用される公知のものの中から任意の化合物を選択して用いることができる。
(対向電極)
 対向電極6は、有機発光層5に隣接して設けられ、公知の電極材料が用いられる。
 対向電極6は、好ましくは、光を反射させる材料で構成され、例えば、Al、Cu、Ag、Au等の金属や合金等で構成される。
 対向電極6は、一層で構成してもよいし、複数層で構成してもよい。光を反射させる材料で構成される層同士を積層させてもよいし、透明な導電性部材で構成される層と光を反射させる材料で構成される層とを積層させてもよい。
(屈折率の相対的関係)
 有機EL素子1において、透光性基板2の屈折率n、高屈折率層31の屈折率n、低屈折率層32の屈折率n及び透明電極4の屈折率nが、上記数式(1)~(3)の関係を満たすことが好ましい。なお、屈折率n、n、n、及びnは、波長550nmのときの値を示す。
(有機EL素子の製造方法)
・低屈折率層の作成
 透光性基板2上に低屈折率層32を構成する低屈折率材料を均一に塗布する。ここでは、低屈折材料として熱可塑性樹脂材料を用いる。次に、第一実施形態に係る凹凸部ユニット31Aが複数配置されたパターンに対応した凹凸形状を有するモールドを加熱し、当該加熱されたモールドを低屈折材料に押し当てて軟化させ、当該凹凸形状を転写する(熱インプリント)。その後、モールド及び低屈折材料を室温程度まで冷却し、モールドを脱型すると低屈折率層32が透光性基板2上に形成される。
・高屈折率層の作成
 透光性基板2上の低屈折率層32に対して、高屈折率層31を構成する高屈折材料を均一に塗布する。ここでは、金属酸化物微粒子を樹脂バインダー中に均一に分散させたインク組成物をスピンコーティング法により塗布する。塗布回数を調整することによって、低屈折率層32の凹凸形状の凹部内に高屈折材料を充填するとともに、高屈折率層31の厚さ寸法(上記距離dに相当)を光学可干渉距離以上にする。その後、インク組成物を乾燥固化させることで、高屈折率層31が形成される。こうして、光取出し層3が形成される。
 低屈折率層32にモールド形成された凹凸形状に対して当該インク組成物が塗布されて、高屈折率層31が形成されるので、当該高屈折率層31は、凹凸部ユニット31Aに対応した形状を有することになる。
・有機発光層の形成
 光取出し層3を形成した後、高屈折率層31上に、透明電極4、有機発光層5及び対向電極6を順次積層形成する。透明電極4や対向電極6の形成は、真空蒸着やスパッタリング等の公知の方法を採用することができる。また有機発光層5の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング、インクジェット等の湿式成膜法等の公知の方法を採用することができる。
 このようにして、複数の凹凸部ユニット31Aを有する光取出し層3を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子1を得ることができる。
 以上のような第一実施形態によれば、次のような作用効果を奏する。
 透明電極4と高屈折率層31との界面から、高屈折率層31と低屈折率層32との界面までの距離dが、有機発光層5で生じた放射光の光学可干渉距離以上あるので、当該放射光が、対向電極6が反射電極である場合は該反射電極表層の表面プラズモンモードに結合する割合が減少し、薄膜モードへの結合効率が高まる。
 そして、光取出し層3が透明電極4に隣接して設けられ、凹凸部ユニット31Aが高屈折率層31と低屈折率層32との界面に設けられているので、薄膜モードの光のうち、臨界角以上の角度で高屈折率層31に入射する光が当該界面で全反射せずに、低屈折率層32まで透過し、最終的に透光性基板2を経て、有機EL素子1の外部へと光が取り出される。
 よって、有機発光層5で生じた放射光の取出し効率を高くすることができる。
 また、高屈折率層31の凸部311の高さd、幅d、及び凸部同士の間隔dが、1μm以上であって、可視光領域における波長よりも十分に大きいので、サブミクロン程度の周期性及び突出高さを有する回折格子のように白色光が分光され難い。そのため有機EL素子1は、回折性の小さい良好な白色発光を得ることができ、照明装置の光源に適している。
 さらに、透光性基板2、高屈折率層31、低屈折率層32及び透明電極4のそれぞれの屈折率は、前記数式(1)~(3)の関係を満たすので、透明電極4と高屈折率層31との界面における薄膜モードの光の全反射が抑制され、高屈折率層31と低屈折率層32との界面まで効率的に導かれる。さらに、高屈折率層31と低屈折率層32との界面における光の全反射が抑制される。そのため、有機発光層5で生じた放射光の取出し効率をさらに高くすることができる。
 そして、凸部311の高さdと、凸部311の幅dとは、2.0>d/d>0.2の関係を満たし、凸部側縁311Aは、光の取り出し方向に沿った形状(傾斜角度θが略0度である)を有し、凸部上縁311Bは、光の取り出し方向に直交する方向に沿った形状を有するので、高屈折率層と低屈折率層との界面にある凹凸部ユニット31Aまで透過した光をさらに効率的に低屈折率層まで透過させることができる。すなわち、凸部311が略矩形状に光取出し方向に突出した形状なので、臨界角以上で光取出し層3に入射してきた光を凸部側縁311Aで屈折させて低屈折率層32へと効率的に導くことができる。よって、光取出し効率をさらに高くすることができる。
<第二実施形態>
 次に、本発明の第二実施形態を図面に基づいて説明する。
〔有機エレクトロルミネッセンス素子〕
 図7は、第二実施形態に係る有機EL素子40の厚み方向の断面図であり、その断面の一部を拡大して示している。
 第二実施形態に係る有機EL素子40は、第一実施形態に係る有機EL素子1における有機発光層5と対向電極6との間に、電子輸送帯域41が設けられ、有機発光層5と透明電極4との間に、正孔輸送帯域42が設けられる以外は、有機EL素子1と同様の構成を有する。すなわち、有機EL素子40は、透光性基板2と、光取出し層3と、透明電極4と、正孔輸送帯域42と、有機発光層5と、電子輸送帯域41と、対向電極6と、をこの順に積層されて構成される。有機EL素子40は、有機発光層5で生じた放射光の光取出し方向が、透光性基板2側となる、いわゆるボトムエミッション型の素子である。
 なお、第二実施形態の説明において第一実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。また、第二実施形態では、第一実施形態で説明したものと同様の材料や化合物を用いることができる。
(電子輸送帯域)
 電子輸送帯域41は、有機発光層5への電子の注入を助け、発光領域まで電子を輸送する帯域であって、電子移動度が大きい。
 電子輸送帯域41は、電子注入層、及び電子輸送層のいずれか一方によって構成されるものであって、いずれか単独で構成されてもよいし、電子注入層、及び電子輸送層の積層構造で構成されてもよい。言い換えると、電子輸送帯域とは陰極と発光層の間に存在する有機層体であって、陰極から発光層へ電子を輸送する機能を有する有機層体を示す。
 電子輸送帯域41の膜厚は、70nm以上であることが好ましい。
 電子輸送帯域41の膜厚を70nm以上にすることで、第一実施形態で説明した光取出し層3との相乗効果によって、外部量子効率をさらに高めることができる。
 外部量子効率が高まる理由は、素子構成A3を用いて次のように考えられる。
(素子構成A3)
 素子構成A3は、上記素子構成A1において、対向電極をアルミニウム(Al)とし、対向電極と電子輸送帯域としての電子輸送層との間に電子注入層を備えた以外は素子構成A1と同様であり、発光層は、赤色に発光する層とする。
 そして、素子構成A3において、発光層に含まれる発光分子を電気双極子モーメントとした場合の配向方向を、垂直方向(Vertical)、及び水平方向(Parallel)に分けて考える。
 この素子構成A3について電子輸送層の膜厚を変化させ、素子構成A1の場合と同じようにして、水平方向に配向した発光分子の双極子放射、及び垂直方向に配向した発光分子の双極子放射についてPhotonic mode densityの解析を行う。
 図8は、水平方向に配向した発光分子の双極子放射についてのPhotonic mode density解析結果を表す図であって、具体的には、電子輸送帯域の膜厚と発光分子の双極子放射の結合効率との関係を示す。図8によれば、電子輸送層の膜厚が増えるにしたがって双極子放射が表面プラズモンモードに結合する効率(SPPs結合効率)が低下することが分かる。このSPPs結合効率の低下に伴って、基板モード、薄膜モード、及び発光モードへ結合する効率が上昇することがわかる。
 この解析結果より、電子輸送層の膜厚が70nmになると、SPPs結合効率が15%程度まで低下し、薄膜モードへの結合効率が15%程度まで向上するので、電子輸送帯域の膜厚としては、70nm以上が好ましい。
 なお、通常の有機EL素子では、電子輸送帯域として設けられる電子輸送層の膜厚が30nm程度なので、SPPs結合効率が60%程度と高く、薄膜モードへの結合効率が5%程度と低い。
 そして、素子構成A3において、透光性基板と透光性電極との間に第一実施形態で説明した光取出し層3を設ければ、結合効率が向上した薄膜モードの光を効率的に素子外部へと取り出すことができる。
 そうすると、素子構成A3において、電子輸送層の膜厚を70nm以上とし、光取出し層3を設ければ、水平方向に配向した発光分子の双極子放射の薄膜モードへ結合する割合が増加するので、電子輸送層の膜厚が30nm程度の有機EL素子に光取出し層3を設けた場合に比べて、その結合割合が増加した分、素子外部へ取り出せる光が増える。
 したがって、第二実施形態の有機EL素子40は、電子輸送帯域41の膜厚が70nm以上であり、第一実施形態の光取出し層3を備えているので、外部量子効率をさらに高めることができる。
 図9は、垂直方向に配向した発光分子の双極子放射についてのPhotonic mode density解析結果を表す図であって、具体的には、電子輸送帯域の膜厚と発光分子の双極子放射の結合効率との関係を示す。図9によれば、電子輸送帯域の膜厚が増えても、図8のようにSPPs結合効率が低下しないことが分かる。実際には、電子輸送帯域の膜厚を250nm以上にすると、SPPs結合効率が低下する。なお、電子輸送帯域の膜厚は、300nmを超えると、製膜に時間を要したり、駆動電圧の上昇を招いたりするおそれがあるため、300nm以下にすることが好ましい。
(電子輸送帯域の材料)
 電子注入層、及び電子輸送層に用いられる材料として、例えば、特開2009-199738号公報や特開2008-166629号公報に記載された、8-ヒドロキシキノリン、8-ヒドロキシキノリンの誘導体の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、含窒素複素環誘導体、シラシクロペンタジエン誘導体、ボラン誘導体、ガリウム錯体が挙げられる。ただし、電子注入層、及び電子輸送層には、電子輸送帯域としての性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において電子の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機EL素子の電子注入層や電子輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
 また、電子輸送帯域41に還元性ドーパントが含まれていることが好ましい。還元性ドーパントが含まれていることで、有機EL素子40のように電子輸送帯域41の膜厚が大きくても、電子輸送帯域41は、有機発光層5への電子の注入を助け、発光領域まで電子を輸送できる。また、対向電極6と電子輸送帯域41との界面領域に還元性ドーパントが含まれていてもよい。
 還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。
 また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Li(仕事関数:2.9eV)、Na(仕事関数:2.36eV)、K(仕事関数:2.28eV)、Rb(仕事関数:2.16eV)、及びCs(仕事関数:1.95eV)からなる群から選択される少なくとも1つのアルカリ金属や、Ca(仕事関数:2.9eV)、Sr(仕事関数:2.0~2.5eV)、及びBa(仕事関数:2.52eV)からなる群から選択される少なくとも1つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、K、RbおよびCsからなる群から選択される少なくとも1つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、RbまたはCsであり、最も好ましいのは、Csである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が2.9eV以下の還元性ドーパントとして、これら2種以上のアルカリ金属の組み合わせも好ましく、特に、Csを含んだ組み合わせ、例えば、CsとNa、CsとK、CsとRbあるいはCsとNaとKとの組み合わせであることが好ましい。Csを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
 対向電極6と電子輸送帯域41との間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けても良い。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも1つの金属化合物を使用するのが好ましい。この電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、LiO、KO、NaS、NaSeおよびNaOが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、及びCaSeが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、及びNaCl等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、CaF、BaF、SrF、MgF、及びBeFといったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
 また、この電子注入層を構成する半導体としては、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb、及びZnの少なくとも1つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の1種単独、又は2種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶、又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物、及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
(正孔輸送帯域)
 正孔輸送帯域42は、有機発光層5への正孔の注入を助ける領域であり、正孔移動度が大きい。この正孔輸送帯域42は、正孔注入層、及び正孔輸送層のいずれか1層により形成される構成でもよく、正孔注入性および正孔輸送性を有する単層でもよい。また、正孔輸送帯域42は、有機発光層5に隣接する障壁層を含んでいても良い。
(正孔輸送帯域の材料)
 正孔輸送帯域42を構成する材料は、例えば、特開2009-199738号公報に記載された正孔注入層、及び正孔輸送層に用いられる材料の他、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機EL素子の正孔注入や正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
<第三実施形態>
 次に、本発明の第三実施形態を図面に基づいて説明する。
〔有機EL素子〕
 図10は、第三実施形態に係る有機EL素子50の厚み方向の断面図であり、その断面の一部を拡大して示している。
 第三実施形態に係る有機EL素子50は、第二実施形態に係る有機EL素子40において、電子輸送帯域41と透明電極4との間に、中間ユニット5Aを有し、この中間ユニット5Aを挟んで複数の有機発光層51,55,56を有する以外は、有機EL素子40と同様の構成を有する。すなわち、有機EL素子50は、透光性基板2と、光取出し層3と、透明電極4と、正孔輸送帯域42と、第一有機発光層51と、中間ユニット5Aと、第二有機発光層55と、第三有機発光層56と、電子輸送帯域41と、対向電極6と、をこの順に積層されて構成される。この有機EL素子50のように、中間ユニットを介して複数の有機発光層51,55,56を積層し、直列に接続した素子構成は、タンデム型とも呼ばれる。有機EL素子50は、有機発光層51,55,56で生じた放射光の光取出し方向が、透光性基板2側となる、いわゆるボトムエミッション型の素子である。
 なお、第三実施形態の説明において第一実施形態、及び第二実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。また、第三実施形態では、第一実施形態、及び第二実施形態で説明したものと同様の材料や化合物を用いることができる。
(有機発光層)
 有機発光層51,55,56には、第一実施形態で説明した有機発光層の材料を用いることができる。
 ここで、第一有機発光層51と、第二有機発光層55と、第三有機発光層56とが互いに同じ材料で構成されていても、異なる材料で構成されていてもよい。そして、第一有機発光層51と、第二有機発光層55と、第三有機発光層56の発光色が、互いに同じでなくてもよく、例えば、それぞれ青、緑、赤色で発光するように構成されていてもよい。
(中間ユニット)
 中間ユニット5Aは、有機発光層51,55,56へ、正孔、もしくは電子の注入をする。
 有機EL素子50における中間ユニット5Aは、図10に示したように、第一有機発光層51側から、中間ユニット内の電子注入層52、中間層53、中間ユニット内の正孔注入層54を順に備える。
 中間ユニット5Aの各層52,53,54を構成する材料は、タンデム型有機EL素子の中間ユニットを構成する材料として使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、特開平11-329748号公報、特開2006-66380号公報、特開2006-173550号公報、特開2010-92741号公報、特開2004-281371号公報に記載された構成、及び材料が挙げられる。
 第三実施形態の有機EL素子50も、電子輸送帯域41の膜厚が70nm以上であり、第一実施形態の光取出し層3を備えている。さらに、第三実施形態の有機EL素子50は、中間ユニット5Aを介して複数の有機発光層51,55,56を積層し、直列に接続した素子構成である。そのため、単一の有機発光層を有する第一実施形態の有機EL素子1や第2実施形態の有機EL素子40と比べて、外部量子効率を高くすることができる。
〔実施形態の変形〕
 なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。
 第一実施形態では、凹凸部ユニット31Aの凸部311は、透明電極4側から透光性基板2側へ向かって円柱状に突出し、図4に示すように、略矩形の断面形状を有しているが、その他の形状であってもよい。
 図11A、図11B、及び図11Cは、図5と同様に、高屈折率層31の一部を透光性基板2側から平面視した図である。図11Aや図11Bに示すように、平面視して四角形状となるように突出する四角柱状の凸部311であってもよい。そして、図11Aに示すように、格子状に配置されたり、図11Bに示すように、稠密構造となるように配置されたりしてもよいし、凸部311が千鳥格子状に配置(図示せず)されていてもよい。また、図11Cに示すように、平面視して三角形状となるように突出する三角柱状の凸部311であってもよい。
 そして、凸部311同士の間隔、幅、及び高さが全ての凹凸部ユニット31Aにおいて同じでなくてもよい。さらに、凸部311が規則的に配置されていなくとも、ランダムに配置されていてもよい。
 さらに、凹凸部ユニット31Aを規定する上記高さd、上記幅d、及び上記間隔dの寸法関係は、必ずしも全ての凹凸部ユニット31Aが満たしている必要は無く、少なくとも一つの凹凸部ユニット31Aが満たしていれば良い。
 また、第一実施形態で説明した有機EL素子1において、図5BのIV-IV線で切り出した断面でなく、図5BのV-V線で切り出した断面で、上記した光学可干渉距離によって規定される光取出し層3及び凹凸部ユニット31Aの寸法関係を満たしていれば良い。
 ここで、当該凸部の断面形状が上記実施形態とは異なる場合の一例を変形例として示す。図12は、本発明の変形例に係る有機EL素子20の基板厚み方向の一部縦断面図である。なお、有機EL素子20の説明において上記実施形態と同一の構成要素は同一符号を付して説明を省略もしくは簡略にする。
 高屈折率層31は、図12に示すように透明電極4側から透光性基板2側へ向かうにしたがって幅が狭くなる凸部331と、これとは反対に幅が広くなる凹部332とで構成される複数の凹凸部ユニット33Aを有する。低屈折率層32は、高屈折率層31と積層されているため、凹凸部ユニット33Aの凸部331に対応する凹部342、及び凹部332に対応する凸部341を有する。
 凹凸部ユニット33Aにおける凸部側縁331Aの傾斜角度θは、有機EL素子20の光取出し方向(有機発光層5から透光性基板2へ向かう方向であって、透光性基板2の面に対して鉛直方向)と直交する方向に対して約30度である。また、本実施形態では、凸部上縁331Bは、光取出し方向と直交する方向に沿った形状となっている。
 有機EL素子20においても、光取出し層3及び凹凸部ユニット33Aの寸法が、光学可干渉距離によって規定される。まず、高屈折率層31と透明電極4との界面から、高屈折率層31と低屈折率層32との界面までの距離dは、光学可干渉距離以上である。
 凸部331の高さd、幅d、及び一つの凹凸部ユニット33Aを構成する凸部331と他の凹凸部ユニット33Aを構成する凸部331との間隔dの寸法は、1μm以上である。好ましくは、5μm以上、さらに好ましくは、20μm以上である。なお、薄膜モードからの光取出しを効率的に行う意味では、凸部331の高さd、及び幅d、及び凸部331同士の間隔dは1mm以下であることが好ましい。
 ここで、図12のように凸部側縁331Aが傾斜している場合には、凸部側縁331Aのいずれかの位置で幅dの寸法及び間隔dの寸法を第一実施形態と同様にして規定した際に、上記規定したd~dの値となっていればよい。
 また、本変形例でも、凸部331の高さd及び幅dとは、2.0>d/d>0.2の関係を満たすのが好ましく、より好ましくは、1.0>d/d>0.5の関係を満たすことが好ましい。
 このような、有機EL素子20においても、有機発光層で生じた放射光の取出し効率を高くすることができる。また、凹凸部ユニット33Aの当該形状によっても、光の取出し効率を高くすることができる。そして、有機EL素子20も、照明装置の光源に適している。
 さらに、高屈折率層の凸部の断面形状が上記実施形態とは異なる場合の他の例を示す。
 図13は、本発明の変形例に係る有機EL素子30の基板厚み方向の一部縦断面図である。なお、有機EL素子30の説明において上記実施形態と同一の構成要素は同一符号を付して説明を省略もしくは簡略にする。
 有機EL素子30のように、凸部351及び凹部352で構成される凹凸部ユニット35Aにおける凸部上縁351Bの両端が湾曲していてもよい。このような形状となっていても、凹凸部ユニット35Aにおける寸法関係d~dが上記実施形態で説明した可視光領域における波長程度以上となっていれば、光の取出し効率を高くすることができる。そして、有機EL素子30も、照明装置の光源に適している。
 その他、光取出し層3の高屈折率層31や低屈折率層32は、一層で構成されていなくともよく、上記数式(1)~(3)の関係を満たすように複数層が積層されて構成されていてもよい。
 加えて、上記実施形態では、有機EL素子をボトムエミッション型素子として説明したが、必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、トップエミッション型素子の場合にも適用し得る。
 光取出し層3の形成方法は、上記実施形態で説明したものに限られない。
 例えば、高屈折率層31を構成する材料からなり、厚みが上記距離dと上記高さdの合計寸法以上のフィルムに対して、複数の凹凸部ユニット31Aの形状に対応するパターンを転写して凹凸を形成する。その後、当該凹凸が形成された高屈折率層31の面に対して、低屈折率層32を構成する材料からなる溶液を塗布して低屈折率層32を形成することで、光取出し層3が形成される。なお、これとは逆に、低屈折率層32を構成する材料からなるフィルムに凹凸を形成しておいて、高屈折率層31を構成する材料からなる溶液を塗布して高屈折率層31を形成する方法でもよい。
 他の形成方法としては、例えば、高屈折率層31を構成する材料からなり、厚みが上記距離dの寸法以上の基材フィルム上に、チタニアやジルコニアの微粒子が分散した樹脂バインダーを塗布して複数の凹凸部ユニット31Aの形状に対応する凹凸を形成する。そして、当該凹凸が形成された面に対して、低屈折率層32を構成する材料からなる溶液を塗布して低屈折率層32を形成することで、光取出し層3が形成される。なお、ここでも高屈折率層31と低屈折率層32とを逆にして形成する方法でもよい。そして、当該分散される微粒子の屈折率nは、n≦nの関係を満たす。
 このように形成した光取出し層3と透光性基板2とは、例えば、低屈折率層32を構成する材料と屈折率が略同等の接着剤等で両者を貼り合わせることで積層される。
 また、本発明の有機EL素子において、透光性基板の上部方向外側に、第二の光取り出し層を隣接して設けてもよい。第二の光取り出し層の構造としては、微粒子による拡散シート、マイクロレンズ、マイクロプリズム、凹凸構造等の全反射を抑制する構造を適宜利用することができる。透光性基板と有機EL素子外部との界面に第二光取出し層を介在させるので、当該界面での全反射を防止して、光の取出し効率をさらに高くすることができる。
 その他、タンデム型の有機EL素子において、第三実施形態で説明した有機EL素子50のように、3つの有機発光層を備えずに、例えば、中間ユニット5Aを介して、第一有機発光層51と、第二有機発光層55とを備えた構成としてもよい。
 さらに、複数の中間ユニットを備えた素子構成としてもよい。
 また、各有機発光層の発光色を同じ色としてもよいし、異なる色としてもよい。このとき、赤(R)、緑(G)、及び青(B)で発光する発光層を設けて、各色を混色して白色発光素子としてもよい。
 次に、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例の記載内容に何ら制限されるものではない。
 本実施例では、有機EL素子を作成し、駆動試験を行い、光取出し効率を測定した。
<1>有機EL素子の作製
〔実施例1〕
(1)低屈折率層の形成
 ポリメチルメタクリレート(PMMA,polymethyl methacrylate:和光純薬製(平均分子量:10万))を固形分濃度15質量%となるようにキシレンに溶解させ、低屈折率層形成用の塗布液を調製した(粘度:30cP)。次に、この塗布液を、25mm×25mm×0.7mm厚(日本板硝子製、NA35)、屈折率:1.50(波長=550nm)のガラス基板上にスピンコーティング法により塗布した。塗布条件は、1500rpmで60秒間、回転を保持した。
 その後、150℃のホットプレート上で30分間保持し、塗布液の乾燥を行なってPMMA膜を形成した。PMMA膜の膜厚を測定したところ、2.2μmであった。同じ操作(塗布及び乾燥)を多数回繰り返し、膜厚20μmとした。
 屈折率の測定は、ジェーエー・ウーラム社製エリプソメーターを用いて測定した。屈折率測定値は1.50(波長=550nm)であった。以下の屈折率の測定も同様にして行った。
 次に、熱インプリント法によって、光取出しパターンを上記PMMA膜に転写した。20mm×20mm×0.7mm厚のシリコン基板にフォトリソグラフィー法により形成した光取出しパターンを有する金型(モールド)を用いた。
 上記PMMA膜を成膜したガラス基板と上記金型とを予め重ね合わせ、熱インプリント装置のステージに置いた。上記PMMA膜に対して圧力2MPaで対向板を押し当て、上記PMMA膜の温度が140℃となるように、加熱温度を設定した。上記PMMA膜を軟化させるために1分間、この状態を保持し、その後、ステージおよび対向板の加熱を停止し、冷却水を流し冷却した。上記金型と上記PMMA膜との温度が室温に戻ったところで圧力を開放し、上記PMMA成膜基板と上記金型を取り出した。両者を離してガラス基板上に光取り出しパターンが転写された低屈折率層であるPMMA膜を得た。上記PMMA膜を走査型電子顕微鏡で観察したところ、深さ20μm、直径20μmの円柱が20μm間隔で形成されていた。
(2)高屈折率層の形成
 高屈折率材料として、酸化チタン微粒子と樹脂の混合材料を用いた。酸化チタン微粒子スラリーとして、テイカ社製の高透明性微粒子酸化チタンスラリー(酸化チタン微粒子径:15~25nm、溶剤:プロピレングリコールモノメチルエーテル)を、また、樹脂として、DIC社製ベッコーライト(M-6401-50)、スーパーベッカミン(J-820-60)を用いた。3者の固形分質量比として7.00:0.85:0.15、総固形分濃度33質量%となるように高屈折率層形成用のインクを調整した。このインクの粘度は、42cPであった。
 高屈折材料膜の屈折率を測定するために上記インクを別のガラス基板上にスピンコーティング法により塗布した。その後、上記インクの乾燥を100℃で行なって高屈折材料膜を形成した。高屈折材料膜の膜厚を測定したところ、3.3μmであった。また、高屈折材料膜の屈折率を測定したところ、1.83(波長=550nm)であった。
 上記熱インプリントにて作製した基板上の光取出しパターンを有するPMMA膜(高屈折率層)の上に、上記インクをスピンコーティング法により塗布した。塗布条件は、1500rpmで60秒間、回転を保持した。その後、100℃のホットプレート上で60分間保持し、上記インクの乾燥を行なって高屈折材料膜を形成した。同じ操作(塗布及び乾燥)を12回繰り返した。
 ガラス基板を基板厚み方向に沿って切断し、その断面を走査型電子顕微鏡により観察したところ、ガラス基板側より、上記PMMA膜(低屈折率層)と上記高屈折率材料膜(高屈折率層)とが積層して光取出し層及び凹凸部ユニットが形成されていた。そして、上記第一実施形態で説明した光取出し層及び凹凸部ユニットの各寸法は、距離d=20μm、高さd=20μm、幅d=20μm、及び間隔d=20μmとなっていた。
(3)有機EL層の形成
 ガラス基板上の高屈折率層に対して、有機EL層を真空蒸着法で積層形成した。有機EL層の構成は次の通りとした。第1発光層は、赤色発光層とし、第2発光層は、青色発光層とし、第3発光層は、緑色発光層とした。
  透明電極    :ITO(厚さ:130nm、
               屈折率:1.85(波長=550nm))
  正孔注入層   :化合物HI(厚さ:60nm)
  正孔輸送層   :化合物HT(厚さ:15nm)
  有機発光層(第1発光層)
          :化合物RH及び化合物RD
           (厚さ:5nm、RD濃度:0.5質量%)
  電荷障壁層   :化合物HT及び化合物GD
           (厚さ:5nm、GD濃度:5質量%)
  有機発光層(第2発光層)
          :化合物BH及び化合物BD
           (厚さ15nm、BD濃度:7.5質量%)
  有機発光層(第3発光層)
          :化合物BH及び化合物GD
           (厚さ25nm、GD濃度:10質量%)
  電子輸送層   :トリス(8-キノリノール)アルミニウム膜
           (Alq)(厚さ:20nm)
  電子注入層   :LiF(厚さ:1.6nm)
  対向電極    :Al(厚さ:150nm)
 上記有機EL素子に用いた化合物を次に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
〔実施例2〕
 光取出しパターンを、直径50μm、高さ50μmの円柱を六方最密充填構造状(図5A参照)に配置し、最も隣接する円柱と円柱との間隔を50μmとした以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。上記第一実施形態で説明した光取出し層及び凹凸部ユニットの各寸法は、距離d=20μm、高さd=50μm、幅d=50μm、及び間隔d=50μmとなっていた。
〔比較例1〕
 実施例1において、光取出し層(低屈折率層及び高屈折率層)を形成しなかった以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
〔比較例2〕
 金型の光取出しパターンを変更し、直径20μm、高さ20μmの円柱を六方最密充填構造状に配置し、最も隣接する円柱と円柱との間隔を、20μmとし、高屈折材料膜の形成操作(塗布及び乾燥)回数を減らして、距離dが光学可干渉距離未満(0.5μm)となるようにした以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。光取出し層及び凹凸部ユニットの各寸法は、距離d=0.5μm、高さd=20μm、幅d=20μm、及び間隔d=20μmとなっていた。
<2>駆動試験
 有機EL素子の駆動試験条件としては、電流密度が10mA/cmとなるように有機EL素子に電圧を印加し、そのときのEL発光スペクトルを分光放射輝度計(CS-1000:コミカミノルタ社製)にて計測した。
 図14A、及び図14Bは、有機EL素子の構造の評価方法を説明する概略図である。
 全光束で放射強度を測定するために、図14Aに示すように、有機EL素子1の透光性基板2(ガラス基板)に、シリンドリカルレンズ8を取り付けて、発光スペクトルの角度依存性を計測した。なお、シリンドリカルレンズ8の屈折率は、ガラス基板2と同等の屈折率(1.5)とした。また,シリンドリカルレンズ8と,ガラス基板2との間にはエアギャップを埋めるために,屈折率が1.5程度のオイルを充填した。放射角θを0度から70度まで5度おきに変化させて、分光放射輝度計9にてEL発光スペクトルを計測した。
 有機EL素子1としては、実施例1、2、及び比較例1、2で作製したものを用いた。
 得られた角度依存性の分光放射輝度スペクトルから、全光束の発光エネルギーを求めて光取り出し効率を計算した。比較例1の外部量子効率によって規格化したものを表2に示す。なお、図14Bでは、有機EL素子1の構造として、光取出し層を設けていない場合(比較例1に相当)を示しているが、光取出し層を設ける場合は、透光性基板2及び透明電極4の間に設けられるものとする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
<3>光取出し層の評価
 次に、光取出し層の構造を評価した。
 図15A、及び図15Bは、光取出し層の構造の評価方法を説明する概略図である。高屈折率層31及び低屈折率層32が積層された光取出し層3(図15B参照)の低屈折率層32側に、シリンドリカルレンズ9(上記<2>と同じもの)を取り付けた。そして、図15Aに示す矢印の方向に白色光を入射させ、その散乱回折スペクトルを分光放射輝度計9(CS-1000)にて測定した。また,シリンドリカルレンズ8と,低屈折率層32との間にはエアギャップを埋めるために,屈折率が1.5程度のオイルを充填した。放射角θを0度から70度まで5度おきに変化させて、分光放射輝度計9にてEL発光スペクトルを計測した。
 光取出し層3としては、実施例1、実施例2、比較例2で作製したものを用いた。
 得られた分光放射輝度スペクトルの角度依存性の測定結果から、光取出し層の回折性を評価した。
 表2に示すように、実施例1、及び実施例2の有機EL素子は、すぐれた外部量子効率を示した。これは、実施例1、及び実施例2の有機EL素子は、上記式(1)~(3)に規定する屈折率の関係を満たすと共に、距離dが有機発光層で発光したピーク波長610nm、半値幅23nmの光に対する光学可干渉距離以上の寸法となっているので、発光した光の薄膜モードへの結合効率が高まるとともに、界面での光の全反射が防止されたためである。ここで、光学可干渉距離は、高屈折率層中においては、8.8μmである。
 さらに、高さd、幅d、及び間隔dが有機発光層で発光した光の波長よりも十分に大きいので、発光スペクトルの角度依存性が小さく、すなわち回折性が低く、白色光が放射角に依存して顕著に分光されることなく、取り出されたためである。
 一方、表2に示すように、比較例1では、光取出し層を有していないので、外部量子効率は低いものとなった。また、比較例2では、光取出し層を有し、高さd、幅d、及び間隔dが有機発光層で発光した光の波長よりも十分に大きいので、白色光が放射角に依存して顕著に分光されることなく、取り出されるものの、距離dが有機発光層で発光した光に対して光学可干渉距離(8.8μm)未満の寸法となっているので、外部量子効率としては実施例1、及び実施例2に比べると、劣る結果となった。
<電子輸送層の厚膜化による表面プラズモン抑制効果>
 高屈折率ガラス基板上に電子輸送帯域の厚さが異なる3種類の青色蛍光有機EL素子を作成し、表面プラズモンの抑制効果の検証を行った。
 この有機EL素子は、上述の実施例1と同様にガラス基板上の高屈折率層に対して、有機EL層を真空蒸着法で積層形成した。有機EL層の構成は、次の通りとした。
  透明電極    :ITO(厚さ:130nm)、
  正孔注入層   :化合物HI-2(厚さ:50nm)
  正孔輸送層   :化合物HT-2(厚さ:45nm)
  有機発光層   :化合物BH及び化合物BD
           (厚さ:20nm、BD濃度:5質量%)
  電子輸送層1  :化合物ET-1(厚さ:5nm)
  電子輸送層2  :化合物ET-2及びLi
           (厚さ:(X-5)nm、Li濃度:5質量%)
  電子注入層   :LiF(厚さ:0.5nm)
  対向電極    :Al(厚さ:100nm)
 この有機EL素子に用いた化合物を次に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 陰極と発光層との距離XをX=30nm、X=160nmおよびX=165nmとした。この距離Xは、電子輸送帯域の厚さに相当し、そのため、電子輸送層1の厚さ5nmと電子輸送層2の厚さ(X-5)nmとの合計が、Xnmとなる。
 理論計算上、表面プラズモンモードの抑制効果はX=70nm程度の膜厚で表れるが、青色発光波長における光学干渉距離の最適化を行うため上記の膜厚とした。なお、X=30nm、X=160nmおよびX=165nmは、光学干渉における1次モードと2次モードの極大値に対応する膜厚である。
 上述の駆動試験と同じ条件で、X=30nm、X=160nmおよびX=165nmの有機EL素子構成の発光スペクトルの角度依存性を計測し外部量子効率を算出した。なお、表3には、X=30nmの場合の有機EL素子の外部量子効率によって規格化した値を示す。
 電子輸送帯域の厚みを増加させることでSPPsモードの抑制が起き、結果として外部量子効率が向上した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
〔実施例3〕
 ガラス基板上に、直径10μm、高さ1μmの円柱が六方最密充填構造状に配置され、最も隣接する円柱と円柱との間隔が10μmとなる光取り出し構造を作成し、この光取り出し構造の上に以下の構成で第1発光層と第2発光層とを備えた有機EL層を作成し、実施例3に係る有機EL素子とした。なお、第1発光層は、青色発光層とし、第2発光層は、緑色発光層とした。化合物は、既に示したものと同じものを用いた。
 表面プラズモンによる消光を抑制するために第二発光層と陰極との距離が計90nm保たれている。各有機層の膜厚は、タンデム素子を設計する上でキャリアバランスと光路長の調整を考慮し決定した。
  透明電極   :IZO(厚さ:130nm)
  正孔注入層1 :化合物HI-2(厚さ:70nm)
  正孔輸送層1 :化合物HT-2(厚さ:50nm)
  有機発光層1(第1発光層)
         :化合物BH及び化合物BD
          (厚さ:20nm、BD濃度:5質量%)
  電子輸送層1 :化合物ET-1(厚さ:5nm)
  電子輸送層2 :化合物ET-2及びLi(厚さ:5nm、Li濃度:5質量%)
  電荷発生層  :化合物HI-3(厚さ:5nm)
  正孔注入層2 :化合物HI-2(厚さ:10nm)
  正孔輸送層2 :化合物HT-2(厚さ:30nm)
  有機発光層2(第2発光層)
         :化合物BH及び化合物GD
          (厚さ:20nm、GD濃度:5質量%)
  電子輸送層3 :化合物ET-1(厚さ:45nm)
  電子輸送層4 :化合物ET-2及びLi(厚さ:45nm、Li濃度:5質量%)
  電子注入層  :LiF(厚さ:0.5nm)
  陰極     :Al(厚さ:80nm)
 実施例3に係る有機EL素子の電荷発生層に用いた化合物を次に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
〔比較例3〕
 光取り出し構造を備えていない以外は、実施例3に記載したものと同じ有機EL素子を作成した。
<外部量子効率>
 上述の駆動試験と同じ条件で、実施例3、及び比較例3の有機EL素子の発光スペクトルの角度依存性を計測し外部量子効率を算出した。比較例3の外部量子効率によって規格化したものを表4に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
<配光分布>
 実施例3および比較例3の分光放射輝度スペクトルの角度依存性測定より配光分布を求めた結果、光取り出し構造を備えた有機EL素子は、その放射の形状がランバーシアン放射と比べて大幅に広がるため、外部量子効率の大幅な向上が得られた。
 実施例3および比較例3の有機EL素子の放射形状を測定し、正面の外部量子効率で規格化した図を示す。図16Aは、実施例3の有機EL素子の規格化後の放射形状であり、図16Bは、比較例3の有機EL素子の規格化後の放射形状である。
 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、照明装置の他に、ディスプレイ等の発光素子としても用いられる。
 1,20,30,40,50 有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)
 2 透光性基板
 3 光取出し層
31 高屈折率層
31A,33A,35A 凹凸部ユニット
32 低屈折率層
311,331,351 凸部
311A 凸部側縁
311B 凸部上縁
312,332,352 凹部
 4 透明電極
 5 有機発光層
 6 対向電極
41 電子輸送帯域

Claims (10)

  1.  透明電極と、対向電極と、これら透明電極及び対向電極の間に設けられる有機発光層と、透光性基板とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
     前記透明電極には、前記有機発光層と対向する面とは反対の面に光取出し層が隣接して設けられ、
     この光取出し層は、前記透明電極側から順に積層される高屈折率層及び低屈折率層を備え、
     前記透光性基板は、前記低屈折率層に隣接して設けられ、
     前記有機エレクトロルミネッセンス素子の厚み方向断面を前記対向電極に対して前記光取出し層を上にして見たときに、
     前記高屈折率層は、当該高屈折率層と前記低屈折率層との界面に、凸部及び凹部で構成される複数の凹凸部ユニットを有し、
     前記複数の凹凸部ユニットのうち少なくとも一つの凹凸部ユニットにおける前記高屈折率層と前記低屈折率層との界面から前記透明電極と前記高屈折率層との界面までの距離dが光学可干渉距離以上で、かつ、前記凸部の高さd、前記凸部の幅d、及び前記凸部と前記凹部を介して隣接する他の凸部との間隔dが1μm以上である
     ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  2.  請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
     前記透明電極の屈折率n、前記低屈折率層の屈折率n、前記高屈折率層の屈折率n、及び前記透光性基板の屈折率nが次の関係式(1)、(2)、(3)を満たす
     ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。なお、前記屈折率n、n、n、及びnは、波長550nmのときの値を示す。
    [数1]
      |n-n|<0.2  (1)
      |n-n|<0.2  (2)
      n>n        (3)
  3.  請求項1または請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
     前記凸部の高さdと、前記凸部の幅dとは、2.0>d/d>0.2の関係を満たす
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4.  請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
     前記凸部の高さ方向に沿った側縁は、前記有機発光層から発生した光の取り出し方向に対して35度以下で傾斜している
     ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5.  請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
     前記高屈折率層の凸部の側縁は、前記有機発光層から発生した光の取り出し方向に沿った形状を有する
     ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6.  請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
     前記高屈折率層の凸部の上縁は、前記有機発光層から発生した光の取り出し方向に直交する方向に沿った形状を有する
     ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7.  請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
     前記光学可干渉距離が3μm以上である
     ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8.  請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
     前記凸部の高さd、前記凸部の幅d、及び前記凸部と前記凹部を介して隣接する他の凸部との間隔dが5μm以上である
     ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9.  請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
     前記対向電極と前記有機発光層との間には、膜厚が70nm以上の電子輸送帯域が設けられている
     ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10.  請求項1から請求項9までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える照明装置。
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Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012204103A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
WO2013011833A1 (ja) * 2011-07-19 2013-01-24 株式会社日立製作所 有機発光素子、光源装置および有機発光素子の製造方法
JP2013026301A (ja) * 2011-07-19 2013-02-04 Hitachi Ltd 有機発光素子、光源装置および有機発光素子の製造方法
WO2013065170A1 (ja) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 発光装置
WO2013065178A1 (ja) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 発光装置
WO2013065172A1 (ja) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
WO2013065177A1 (ja) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 発光装置
WO2013072250A1 (de) * 2011-11-14 2013-05-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches licht emittierendes bauelement
JP2013137936A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Dainippon Printing Co Ltd 光学基板及びその製造方法並びに発光表示装置
WO2013131829A1 (de) * 2012-03-07 2013-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches licht emittierendes bauelement
WO2013137184A1 (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2013154150A1 (ja) * 2012-04-13 2013-10-17 旭化成株式会社 半導体発光素子用光抽出体及び発光素子
WO2013179339A1 (ja) * 2012-05-30 2013-12-05 株式会社 日立製作所 有機発光素子、光源装置およびそれらの製造方法
WO2014045219A1 (en) * 2012-09-21 2014-03-27 Koninklijke Philips N.V. Light source
WO2014057647A1 (ja) * 2012-10-11 2014-04-17 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
WO2014065084A1 (ja) * 2012-10-26 2014-05-01 コニカミノルタ株式会社 電界発光素子およびその電界発光素子を用いた照明装置
KR20140095487A (ko) * 2011-11-14 2014-08-01 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 유기 발광 부품
JPWO2013065177A1 (ja) * 2011-11-04 2015-04-02 パイオニア株式会社 発光装置
JP2015082537A (ja) * 2013-10-22 2015-04-27 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスデバイス
WO2015097971A1 (ja) * 2013-12-27 2015-07-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
US9214649B2 (en) 2013-12-25 2015-12-15 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device
JP2016164898A (ja) * 2016-06-17 2016-09-08 パイオニア株式会社 発光装置
TWI596813B (zh) * 2012-08-22 2017-08-21 3M新設資產公司 發光裝置、主動式矩陣有機發光二極體裝置及影像顯示裝置
JP2017152251A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107134534A (zh) * 2012-01-04 2017-09-05 欧司朗Oled股份有限公司 发射辐射的有机构件
KR101784849B1 (ko) 2013-01-04 2017-10-13 삼성전자주식회사 다층 투명 전극을 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2020008858A (ja) * 2018-07-10 2020-01-16 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. 偏光板及びこれを含む光学表示装置
WO2021009943A1 (ja) * 2018-07-17 2021-01-21 大日本印刷株式会社 光学構造体、光学構造体付き偏光板及び表示装置
JP7394102B2 (ja) 2015-02-27 2023-12-07 三星エスディアイ株式会社 偏光板及び液晶表示装置

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9184414B2 (en) * 2010-04-22 2015-11-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element and lighting device
US9601719B2 (en) 2011-08-31 2017-03-21 Oledworks Gmbh Light source having an outsource device
KR101289844B1 (ko) * 2012-01-18 2013-07-26 한국전자통신연구원 유기 발광 소자
AU2013275607B2 (en) * 2012-06-11 2015-08-27 Jx Nippon Oil & Energy Corporation Organic EL element and method for manufacturing same
US9209230B2 (en) 2012-12-21 2015-12-08 Samsung Electronics Co., Ltd Optical films for reducing color shift and organic light-emitting display apparatuses employing the same
EP2975909A4 (en) * 2013-03-13 2016-06-01 Panasonic Ip Man Co Ltd ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND LIGHTING DEVICE USING THE SAME
CN104078611A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 白光有机电致发光器件及其制备方法
CN104078571A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 白光有机电致发光器件及其制备方法
CN104078605A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104078572A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 白光有机电致发光器件及其制备方法
CN104078578A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104078577A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 白光有机电致发光器件及其制备方法
WO2014167758A1 (ja) 2013-04-12 2014-10-16 パナソニック株式会社 発光装置
WO2014188631A1 (ja) 2013-05-21 2014-11-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
JP6264950B2 (ja) * 2013-05-22 2018-01-24 パナソニックIpマネジメント株式会社 有機el照明の光取り出し基板
KR101616918B1 (ko) 2013-05-31 2016-04-29 제일모직주식회사 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기 발광 표시 장치
KR102070410B1 (ko) 2013-06-04 2020-01-28 삼성전자주식회사 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기 발광 표시 장치
CN103346269B (zh) * 2013-07-15 2016-03-09 广州新视界光电科技有限公司 一种半透明电极及具有该半透明电极的有机电致发光器件
KR102107563B1 (ko) * 2013-08-08 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 광학 필름, 이를 포함하는 표시 장치 및 광학 필름의 제조 방법
KR102090276B1 (ko) * 2013-08-08 2020-03-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 광학 필름
KR102120808B1 (ko) * 2013-10-15 2020-06-09 삼성전자주식회사 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기 발광 표시 장치
KR102099781B1 (ko) * 2013-10-15 2020-04-10 삼성전자주식회사 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기 발광 표시 장치
US9871226B2 (en) * 2013-11-13 2018-01-16 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Organic electroluminescent element, illumination device, and display device
KR20150059494A (ko) * 2013-11-22 2015-06-01 삼성전자주식회사 색변화 저감용 광학 필름의 제조방법, 색변화 저감용 광학필름이 적용된 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
KR101530047B1 (ko) * 2013-12-06 2015-06-22 주식회사 창강화학 광학 부재 및 이를 구비하는 표시 장치
KR101808502B1 (ko) * 2014-01-10 2017-12-13 제이엑스티지 에네루기 가부시키가이샤 광학 기판, 광학 기판의 제조에 사용되는 몰드, 및 광학 기판을 포함하는 발광 소자
JP2015138905A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 三菱電機株式会社 分布帰還型半導体レーザ素子、分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法
KR20160070831A (ko) * 2014-02-10 2016-06-20 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자 및 조명 장치
US9518215B2 (en) 2014-02-28 2016-12-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device and light-emitting apparatus
WO2015128909A1 (ja) 2014-02-28 2015-09-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子および発光装置
CN105940510B (zh) 2014-02-28 2019-01-11 松下知识产权经营株式会社 发光装置
US9618697B2 (en) * 2014-02-28 2017-04-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light directional angle control for light-emitting device and light-emitting apparatus
US9515239B2 (en) 2014-02-28 2016-12-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device and light-emitting apparatus
WO2015129222A1 (ja) 2014-02-28 2015-09-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子および発光装置
JP6060106B2 (ja) * 2014-04-09 2017-01-11 富士フイルム株式会社 輝度向上膜、偏光板、および画像表示装置
CN104241541B (zh) * 2014-09-15 2016-12-14 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及显示装置
KR20160039745A (ko) * 2014-10-01 2016-04-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102405943B1 (ko) * 2014-11-11 2022-06-07 엘지디스플레이 주식회사 컬러필터 어레이 기판 및 그 제조방법과 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
CN104362260A (zh) * 2014-11-18 2015-02-18 上海交通大学 一种利用微结构提高光萃取效率的oled器件
US9761842B2 (en) * 2014-12-19 2017-09-12 The Regents Of The University Of Michigan Enhancing light extraction of organic light emitting diodes via nanoscale texturing of electrode surfaces
JP2016171228A (ja) 2015-03-13 2016-09-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子、発光装置および検知装置
US10182702B2 (en) 2015-03-13 2019-01-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus including photoluminescent layer
US10031276B2 (en) 2015-03-13 2018-07-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Display apparatus including photoluminescent layer
JP6569856B2 (ja) 2015-03-13 2019-09-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置および内視鏡
JP2017003697A (ja) 2015-06-08 2017-01-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子および発光装置
JP2017005054A (ja) 2015-06-08 2017-01-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
JP6495754B2 (ja) * 2015-06-12 2019-04-03 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106299149A (zh) * 2015-06-12 2017-01-04 上海和辉光电有限公司 薄膜封装结构、制备方法和具有该结构的有机发光装置
JP2017040818A (ja) * 2015-08-20 2017-02-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子
US10359155B2 (en) 2015-08-20 2019-07-23 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus
CN105185813A (zh) * 2015-09-09 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示装置及其制备方法
WO2017063096A1 (en) * 2015-10-16 2017-04-20 Nanograde Ag Solution-processable hri inorganic/organic hybrid optical films
US20170125735A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 National Taiwan University Electroluminescent device
JP6719094B2 (ja) 2016-03-30 2020-07-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子
KR20180010791A (ko) * 2016-07-22 2018-01-31 삼성전자주식회사 지향성 백라이트 유닛, 이의 제작방법, 이를 포함하는 입체 영상 표시 장치
CN106711347A (zh) * 2016-12-28 2017-05-24 武汉华星光电技术有限公司 一种oled器件及其基板
FR3062546B1 (fr) * 2017-02-01 2021-09-10 Inst Vedecom Structure de diffraction integree dans une carte de circuit imprime et procede de fabrication de celle-ci
WO2018194114A1 (ja) * 2017-04-19 2018-10-25 大日本印刷株式会社 光学構造体および表示装置
CN107275500A (zh) * 2017-06-12 2017-10-20 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光器件及其制作方法
KR102640404B1 (ko) * 2018-10-18 2024-02-26 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 표시장치의 제조방법
KR20200096384A (ko) * 2019-02-01 2020-08-12 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200097366A (ko) 2019-02-07 2020-08-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200101571A (ko) * 2019-02-19 2020-08-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210025751A (ko) * 2019-08-27 2021-03-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220010364A (ko) * 2020-07-17 2022-01-25 삼성전자주식회사 메타 표면, 이를 포함하는 발광 소자 및 디스플레이 장치와 메타 표면의 제조 방법

Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0473510B2 (ja) 1988-12-08 1992-11-20 Akitoshi Sugimoto
JPH0883688A (ja) 1994-09-13 1996-03-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el装置
JPH11329748A (ja) 1998-05-20 1999-11-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置
JP2003297572A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Nec Corp 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置
JP2004281371A (ja) 2002-10-09 2004-10-07 Eastman Kodak Co 電圧安定性を向上したカスケード式有機電場発光デバイス
JP2004296438A (ja) * 2003-03-12 2004-10-21 Mitsubishi Chemicals Corp エレクトロルミネッセンス素子
JP2005274741A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Shinshu Univ 透明電極基板
JP2005317228A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Nitto Denko Corp エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2005327689A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Nippon Zeon Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子、並びにこれを用いた照明装置および表示装置
JP2006066380A (ja) 2004-07-30 2006-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006173550A (ja) 2004-02-18 2006-06-29 Sony Corp 表示素子
JP2006294491A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
JP2007287486A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Aitesu:Kk 透明基板と電極の間に微細構造体を有する有機el素子
JP2007335253A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機el表示装置
JP2008066027A (ja) * 2006-09-05 2008-03-21 Fuji Electric Holdings Co Ltd 凹凸表面を有する基板およびそれを用いた有機el素子
JP2008166629A (ja) 2006-12-29 2008-07-17 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el材料含有溶液、有機el材料の合成法、この合成法による合成された化合物、有機el材料の薄膜形成方法、有機el材料の薄膜、有機el素子
JP4140541B2 (ja) 2003-03-12 2008-08-27 三菱化学株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
JP4253302B2 (ja) 2005-01-06 2009-04-08 株式会社東芝 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2009199738A (ja) 2008-02-19 2009-09-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機・無機ハイブリッド型電界発光素子
JP2009272059A (ja) * 2008-04-30 2009-11-19 Toppan Printing Co Ltd El素子、el素子を用いた液晶ディスプレイ用バックライト装置、el素子を用いた照明装置、el素子を用いた電子看板装置、及びel素子を用いたディスプレイ装置
JP4386285B2 (ja) 2004-06-26 2009-12-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光素子及びその製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4073510B2 (ja) 1996-12-13 2008-04-09 出光興産株式会社 有機el発光装置
CN100463578C (zh) 2003-03-12 2009-02-18 三菱化学株式会社 电致发光元件
WO2004089042A1 (ja) 2003-03-12 2004-10-14 Mitsubishi Chemical Corporation エレクトロルミネッセンス素子
GB2439231B (en) * 2005-03-10 2011-03-02 Konica Minolta Holdings Inc Resin film substrate for organic electroluminescence and organic electroluminescence device
KR101223718B1 (ko) * 2005-06-18 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 나노 도전성 막의 패터닝 방법
JP5057398B2 (ja) 2008-08-05 2012-10-24 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP5288967B2 (ja) 2008-09-22 2013-09-11 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 発光素子及びその製造方法、並びに該発光素子を備えるディスプレイ
US9184414B2 (en) * 2010-04-22 2015-11-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element and lighting device

Patent Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0473510B2 (ja) 1988-12-08 1992-11-20 Akitoshi Sugimoto
JPH0883688A (ja) 1994-09-13 1996-03-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el装置
JPH11329748A (ja) 1998-05-20 1999-11-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置
JP2003297572A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Nec Corp 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置
JP2004281371A (ja) 2002-10-09 2004-10-07 Eastman Kodak Co 電圧安定性を向上したカスケード式有機電場発光デバイス
JP2004296438A (ja) * 2003-03-12 2004-10-21 Mitsubishi Chemicals Corp エレクトロルミネッセンス素子
JP4140541B2 (ja) 2003-03-12 2008-08-27 三菱化学株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
JP2006173550A (ja) 2004-02-18 2006-06-29 Sony Corp 表示素子
JP2005274741A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Shinshu Univ 透明電極基板
JP2005317228A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Nitto Denko Corp エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2005327689A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Nippon Zeon Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子、並びにこれを用いた照明装置および表示装置
JP4386285B2 (ja) 2004-06-26 2009-12-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2006066380A (ja) 2004-07-30 2006-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4253302B2 (ja) 2005-01-06 2009-04-08 株式会社東芝 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2006294491A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
JP2007287486A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Aitesu:Kk 透明基板と電極の間に微細構造体を有する有機el素子
JP2007335253A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機el表示装置
JP2008066027A (ja) * 2006-09-05 2008-03-21 Fuji Electric Holdings Co Ltd 凹凸表面を有する基板およびそれを用いた有機el素子
JP2008166629A (ja) 2006-12-29 2008-07-17 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el材料含有溶液、有機el材料の合成法、この合成法による合成された化合物、有機el材料の薄膜形成方法、有機el材料の薄膜、有機el素子
JP2009199738A (ja) 2008-02-19 2009-09-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機・無機ハイブリッド型電界発光素子
JP2009272059A (ja) * 2008-04-30 2009-11-19 Toppan Printing Co Ltd El素子、el素子を用いた液晶ディスプレイ用バックライト装置、el素子を用いた照明装置、el素子を用いた電子看板装置、及びel素子を用いたディスプレイ装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ADV. CHEM. PHYS., vol. 37, 1973, pages 1 - 65
See also references of EP2563093A4

Cited By (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012204103A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
WO2013011833A1 (ja) * 2011-07-19 2013-01-24 株式会社日立製作所 有機発光素子、光源装置および有機発光素子の製造方法
JP2013026301A (ja) * 2011-07-19 2013-02-04 Hitachi Ltd 有機発光素子、光源装置および有機発光素子の製造方法
US9496516B2 (en) 2011-07-19 2016-11-15 Hitach, Ltd. Organic light-emitting element, light source device and method of manufacturing organic light-emitting element
WO2013065170A1 (ja) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 発光装置
WO2013065178A1 (ja) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 発光装置
WO2013065172A1 (ja) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
WO2013065177A1 (ja) * 2011-11-04 2013-05-10 パイオニア株式会社 発光装置
JPWO2013065177A1 (ja) * 2011-11-04 2015-04-02 パイオニア株式会社 発光装置
JP2015502037A (ja) * 2011-11-14 2015-01-19 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 有機発光素子
US9252378B2 (en) 2011-11-14 2016-02-02 Osram Oled Gmbh Organic light-emitting component
US9293733B2 (en) 2011-11-14 2016-03-22 Osram Oled Gmbh Organic light-emitting component having a layer with a low absorption coefficient
JP2015502006A (ja) * 2011-11-14 2015-01-19 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 有機発光素子
KR101956954B1 (ko) * 2011-11-14 2019-03-11 오스람 오엘이디 게엠베하 유기 발광 부품
KR20140095487A (ko) * 2011-11-14 2014-08-01 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 유기 발광 부품
WO2013072250A1 (de) * 2011-11-14 2013-05-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches licht emittierendes bauelement
CN103931011A (zh) * 2011-11-14 2014-07-16 欧司朗光电半导体有限公司 有机发光器件
JP2013137936A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Dainippon Printing Co Ltd 光学基板及びその製造方法並びに発光表示装置
CN107134534A (zh) * 2012-01-04 2017-09-05 欧司朗Oled股份有限公司 发射辐射的有机构件
DE102012203583B4 (de) * 2012-03-07 2021-03-18 Pictiva Displays International Limited Organisches Licht emittierendes Bauelement
US20150034930A1 (en) * 2012-03-07 2015-02-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic light-emitting device
US10454050B2 (en) 2012-03-07 2019-10-22 Osram Oled Gmbh Organic light-emitting device
WO2013131829A1 (de) * 2012-03-07 2013-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches licht emittierendes bauelement
WO2013137184A1 (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN104221180A (zh) * 2012-04-13 2014-12-17 旭化成电子材料株式会社 半导体发光元件用光提取体及发光元件
WO2013154150A1 (ja) * 2012-04-13 2013-10-17 旭化成株式会社 半導体発光素子用光抽出体及び発光素子
US9419249B2 (en) 2012-04-13 2016-08-16 Asahi Kasei E-Materials Corporation Light extraction product for semiconductor light emitting device and light emitting device
WO2013179339A1 (ja) * 2012-05-30 2013-12-05 株式会社 日立製作所 有機発光素子、光源装置およびそれらの製造方法
JPWO2013179339A1 (ja) * 2012-05-30 2016-01-14 株式会社日立製作所 有機発光素子、光源装置およびそれらの製造方法
TWI596813B (zh) * 2012-08-22 2017-08-21 3M新設資產公司 發光裝置、主動式矩陣有機發光二極體裝置及影像顯示裝置
WO2014045219A1 (en) * 2012-09-21 2014-03-27 Koninklijke Philips N.V. Light source
US9620740B2 (en) 2012-10-11 2017-04-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Organic electroluminescence element and lighting device
JPWO2014057647A1 (ja) * 2012-10-11 2016-08-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
WO2014057647A1 (ja) * 2012-10-11 2014-04-17 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
CN104770063A (zh) * 2012-10-11 2015-07-08 松下知识产权经营株式会社 有机电致发光元件以及照明装置
JPWO2014065084A1 (ja) * 2012-10-26 2016-09-08 コニカミノルタ株式会社 電界発光素子およびその電界発光素子を用いた照明装置
WO2014065084A1 (ja) * 2012-10-26 2014-05-01 コニカミノルタ株式会社 電界発光素子およびその電界発光素子を用いた照明装置
KR101784849B1 (ko) 2013-01-04 2017-10-13 삼성전자주식회사 다층 투명 전극을 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2015082537A (ja) * 2013-10-22 2015-04-27 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスデバイス
US9214649B2 (en) 2013-12-25 2015-12-15 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device
WO2015097971A1 (ja) * 2013-12-27 2015-07-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
JPWO2015097971A1 (ja) * 2013-12-27 2017-03-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
JP7394102B2 (ja) 2015-02-27 2023-12-07 三星エスディアイ株式会社 偏光板及び液晶表示装置
CN107123662A (zh) * 2016-02-25 2017-09-01 株式会社日本显示器 显示装置
JP2017152251A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107123662B (zh) * 2016-02-25 2021-06-15 株式会社日本显示器 显示装置
JP2016164898A (ja) * 2016-06-17 2016-09-08 パイオニア株式会社 発光装置
JP2020008858A (ja) * 2018-07-10 2020-01-16 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. 偏光板及びこれを含む光学表示装置
JP7263162B2 (ja) 2018-07-10 2023-04-24 三星エスディアイ株式会社 偏光板及びこれを含む光学表示装置
WO2021009943A1 (ja) * 2018-07-17 2021-01-21 大日本印刷株式会社 光学構造体、光学構造体付き偏光板及び表示装置

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