JP2002050469A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
Abstract
分子樹脂基材を用いて、長寿命な有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を提供する。 【解決手段】透明な基材上に、少なくとも透明な第1電
極、有機層、第2電極をこの順に形成する有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、該基材が、少なくとも
高分子樹脂基材層、帯電防止層、ガスバリア層を有する
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を
提供する。また、上記帯電防止層とガスバリア層の間に
応力緩衝層を付加した有機エレクトロルミネッセンス素
子を提供する。
Description
報量のディスプレイまでの広範囲の用途に適した、薄型
・軽量で割れることがなく、長寿命な有機エレクトロル
ミネッセンス素子に関するものである。
常、前面基板、第1電極、有機層、第2電極、背面基板
をこの順に形成した構成をとっている。この有機層は正
孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入
層などの積層構造とすることも可能である。有機エレク
トロルミネッセンス素子では、該第1電極、第2電極間
に電流を流すことにより、有機層で発光を生じさせ、少
なくとも一方の電極を透明にしておくことで、外部に光
を取り出すという仕組みで発光させている。
輸送層にN,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジ
フェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン
やポリ(3,4−エチレンジオキシ)チオフェン/ポリ
スチレンスルフォネート(PEDOT/PSS)、発光
層にトリス(8−キノリノール)アルミニウムやポリ
(パラ−フェニレンビニレン)などといった、低分子量
のものから高分子量のものまで多様な材料が挙げられ
る。
基板にはガラス基板が使用されることが多いが、衝撃で
割れてしまう可能性があること、モジュール重量の大部
分をガラス基板が占めているため、さらなる軽量化、薄
型化が困難であること等の問題があった。そこでガラス
基板の代わりに高分子樹脂基材を使用することが提案さ
れている。これにより、上記の問題が解決できるだけで
なく、さらに、巻き取り可能な基材の場合は有機層形成
などの各プロセス(ウェットコーティング・巻き取り蒸
着)をロール・ツー・ロールで行うことが可能になり、
有機エレクトロルミネッセンス素子を安価に提供するこ
とが可能となる。
レンといった通常の透明な高分子樹脂基材ではガスバリ
ア性が弱く、素子が水分・酸素、特に水分により劣化し
てダークスポットの発生・拡大から素子寿命が低下して
しまう。これを解決するために、最近では無機酸化物な
どをガスバリア層として高分子樹脂基材上に設けた透明
なバリア性基材を用いた有機エレクトロルミネッセンス
素子が開発されている。そのためのガスバリア性透明基
材としては、上述の金属酸化物などの無機化合物を高分
子樹脂基材に積層したもの(特公昭53−12953号
公報、特公昭62−49856号公報)、密着性の向上
や剥離防止等をねらって、ガスバリア層の下あるいは上
に樹脂層を形成したもの(特開平2−50837号公
報、特開平6−175143号公報)などが報告されて
いる。
子樹脂基材を用いた高分子系有機層を有する有機エレク
トロルミネッセンス素子の寿命は改善したものの、ここ
で使用されたバリア性基材は有機エレクトロルミネッセ
ンス素子用のバリア性基材としては、そのバリア性能が
不十分で、さらなるバリア性能の向上による長寿命な有
機エレクトロルミネッセンス素子が望まれていた。
は、以下のようなものが挙げられる。無機化合物からな
るガスバリア層の高分子樹脂基材への製膜は、生産性な
ども考慮すると、電子線加熱方式の巻き取り式真空蒸着
による製膜が適しているとされている。不純物の混入が
少なく、高速巻き取り蒸着が可能なためである。しか
し、電子線加熱方式では蒸着源やその容器から2次電子
が発生し、それが酸化アルミニウムおよび/または酸化
ケイ素のような導電性のないガスバリア材に帯電する。
これにより、蒸着雰囲気中の塵埃・蒸着物の塊がガスバ
リア層に付着し、さらに、付着物が巻き取り搬送系でガ
スバリア層と多数のロールとの間で擦られることによ
り、重大な損傷がガスバリア層に生じる。また、巻き取
り搬送中、ガスバリア層とロールが剥離する際に放電
し、ガスバリア層を貫通する損傷を生じるといった問題
があり、高いバリア性を得られなかった。
り式真空蒸着および、巻き取り印刷、コーティング、ラ
ミネート、ヒートシールなどを行う際の後工程、および
素子の完成後に、引っ張りや押圧等の応力が加わった
り、バリア層表面が擦れたりすることにより、ガスバリ
ア層に割れ(クラック)や傷などの重大な損傷が発生
し、バリア性能低下の原因になっていた。
れまでバリア性能が不十分で長寿命化が困難であった高
分子樹脂基材を用いて、長寿命な有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を提供することを目的とした。
めに、本発明の第1の発明は、透明な基材上に、少なく
とも透明な第1電極、有機層、第2電極をこの順に形成
する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該基
材が、高分子樹脂基材層、帯電防止層、ガスバリア層か
らなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
素子である。
ガスバリア層の間に応力緩衝層を付加したことを特徴と
する請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子である。
リア層側に、保護層を付加したことを特徴とする請求項
2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子である。
が、酸化スズ、酸化インジウム、スズをドープした酸化
インジウム、または酸化亜鉛のうち少なくとも一つを含
むことを特徴とする請求項1から3のいづれか一つに記
載の有機エレクトロルミネッセンス素子である。
が、導電性高分子からなることを特徴とする請求項1か
ら3のいづれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子である。
が、酸化アルミニウム、酸化ケイ素のうち少なくとも一
つを含むことを特徴とする請求項1から5のいづれか一
つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子である。
よび、または上記保護層が、電子線あるいは紫外線硬化
型樹脂からなることを特徴とする請求項2から6のいづ
れか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子で
ある。
を、高分子樹脂基材層/帯電防止層/ガスバリア層を含
む構造とすることにより、電子線加熱方式の巻き取り式
真空蒸着によってガスバリア層を形成する際に発生する
ガスバリア層の電荷を帯電防止層が逃がす役割を果たす
ことになる。これによって、ガスバリア層への塵埃など
の付着や、ガスバリア層とロールが剥離する際の放電を
防止することができる。また、応力緩衝層および、また
は保護層は、ガスバリア層を蒸着する際の巻き取り式真
空蒸着および、巻き取り印刷、コーティング、ラミネー
ト、ヒートシールなどを行う際の後工程、および素子の
完成後に、引っ張りや押圧等の応力が加わったりした場
合のガスバリア層の割れや傷などを防ぐ役割を果たす。
したがって、高いガスバリア性能を発現できる前面基材
を、有機エレクトロルミネッセンス素子に応用できるこ
とになり、長寿命な素子を安価に得ることが可能になっ
た。
トロルミネッセンス素子の一実施形態について説明す
る。図1は本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子
の構造の一実施例を示す説明図である。
ンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプ
ロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポ
リエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネートなどを好適に用いることができる。
グ、塗布法などの従来公知の方法で製膜できる。帯電防
止層2を設けることにより、製膜プロセス中での塵埃の
付着を防ぎ、巻き取り搬送中での擦れや放電による損傷
を低減することができる。帯電防止層は透明で有機エレ
クトロルミネッセンス素子からの発光の取り出しを阻害
しない透明な導電性を有する材料からなる必要がある。
これには、アルミニウムや金、銀などの金属が半透明状
に蒸着されたものや、金属酸化物といった無機物から、
N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)アルキルアミン
やグリセリン脂肪酸エステルのような非イオン系帯電防
止剤、アルキルスルホン酸塩のようなアニオン系帯電防
止剤、テトラアルキルアンモニウム塩のようなカチオン
系帯電防止剤、アルキルベタインのような両性帯電防止
剤、導電性高分子といった有機物まで、多様な材料から
選択することができるが、その中で特に酸化スズ、酸化
インジウム、スズをドープした酸化インジウム(以下I
TOという)、酸化亜鉛といった金属酸化物と、ポリア
ニリン、ポリチオフェンといった導電性高分子が導電
性、透明性の面から適している。導電性高分子を使用す
る場合には、導電性を上げるために、導電性高分子にヨ
ウ素やポリスチレンスルホン酸等をドープしても良い。
グ法で製膜することが望ましいが、中でも望ましくは緻
密な膜を形成でき、さらなるバリア性能の向上が見られ
るマグネトロンスパッタリング法により製膜することで
ある。また、材料によっては湿式塗布法も可能であり、
この場合はより簡便なプロセスとなり、安価に生産が可
能となる。導電性高分子に関しては湿式塗布法が簡便で
かつ安価であるため、望ましい。また、帯電防止層の膜
厚は、導電性、透明性を考慮し、0.001μm〜1μ
mが望ましい。
ポリ塩化ビニリデン、ポリクロロトリフロロエチレンな
どの有機薄膜、あるいは酸化アルミニウム、酸化ケイ素
などの無機薄膜、および、それらの複合膜・積層膜まで
使用することが可能であるが、その中でも特に酸化アル
ミニウムや酸化ケイ素などの無機酸化物からなる無機薄
膜が酸素透過性・水蒸気透過性が低くて望ましい。上述
の無機薄膜を形成する場合、生産性なども考慮すると、
電子線加熱方式の巻き取り式真空蒸着により製膜するこ
とが望ましい。また、ガスバリア層の膜厚は、酸素透過
性・水蒸気透過性を考慮し、0.01μm〜100μm
が望ましい。
物で構成されている場合、これらを積層することで、膜
厚増加に伴う内部応力増加によってクラックが発生しや
すくなるが、両者の間に応力緩衝層を設けると、内部応
力を緩和し、引っ張り等の応力に対するガスバリア性の
低下を著しく低減できる。応力緩衝層3には高分子樹脂
を含む材料が望ましく、熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹
脂、電子線硬化型樹脂などが挙げられるが、特に紫外線
硬化型樹脂および電子線硬化型樹脂は熱硬化型樹脂に比
べ、硬化速度が速く生産性に優れより望ましい。特に望
ましくは、電子線硬化型樹脂で、溶剤や重合開始材が不
要で、コスト・環境問題の点からも好ましい。本発明で
使用する具体的な電子線硬化型樹脂としては、エポキシ
アクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルア
クリレート、ポリオールアクリレート、ポリエーテルア
クリレート、不飽和ポリエステルのアクリレートやメタ
クリレートなどが適しているが、これに限定されるもの
ではない。応力緩衝層の膜厚は、0.01μm〜100
μmが望ましい。
衝層、ガスバリア層を形成した後、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を作製する後工程や、素子の完成後に摩
擦などにより表面に損傷を受けてバリア性が低下しない
ように、あるいは、この後に形成する第1電極が後工程
の応力によりクラックなどの損傷を受けてシート抵抗が
大きくならないように、ガスバリア層上に保護層を形成
するとさらにガスバリア性、可撓性を向上させることが
可能である。保護層5としては、応力緩衝層と同じく高
分子樹脂を含む材料が望ましく、熱硬化型樹脂、紫外線
硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などが挙げられる。な
お、図1では保護層5の上に電極や有機層を形成してい
るが、保護層5が完成した素子の最外面、つまり、図2
のようになることを考慮して、ハードコート層と兼ねる
こともできる。保護層の膜厚は、0.01μm〜100
μmが望ましい。
スズあるいはインジウムと亜鉛の複合酸化物を用いるこ
とができ、前記多層構造の基材上に蒸着またはスパッタ
リング法により製膜することができる。また、オクチル
酸インジウムやアセトンインジウムなどの前駆体を基材
上に塗布後、熱分解により酸化物を形成する塗布熱分解
法などにより形成することもできる。あるいは、アルミ
ニウム、金、銀などの金属が半透明状に蒸着されたもの
を用いることができる。第1電極の厚さは、0.01μ
m〜1μm程度が望ましい。
構造でも積層構造でもよく、材料も低分子量のものから
高分子量のものまで使用できる。有機層の膜厚は、単
層、積層のいずれの場合においても1μm以下であり、
好ましくは0.05〜0.15μmである。有機層の形
成方法は、材料に応じて、真空蒸着法や、スピンコー
ト、スプレーコート、フレキソ、グラビア、マイクログ
ラビア、凹版オフセットなどのコーティング法、印刷法
を用いることができる。生産性を考慮すると低分子量の
場合は巻き取り蒸着、高分子量の場合は湿式塗布が望ま
しい。
と発光層8の2層だけとしたが、この場合は正孔注入層
7は正孔輸送層としての機能を、発光層8は電子注入層
と電子輸送層としての機能をそれぞれ併せ持つ形になっ
ている。また、有機層を5層構造にする場合は、第1電
極6側から順に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子
輸送層、電子注入層を積層する構造をとる。ところで、
図1では、発光層8の右端を第1電極6に挿入して、第
1電極6を分断し絶縁しているが、別途絶縁体を埋め込
む構造としても良い。
料の例としては、銅フタロシアニン、テトラ(t−ブチ
ル)銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類および
無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、1,1
−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘ
キサン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−
メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−
ジアミン、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−
ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミ
ン等の芳香族アミン系材料のような低分子材料や、芳香
族アミン系ポリマー、ポリチオフェン、ポリアニリンポ
リビニルカルバゾール、ポリ(3,4−エチレンジオキ
シチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物の
ような高分子材料や高分子材料とドーパントの混合物、
あるいはポリチオフェンオリゴマーのようなオリゴマー
材料などが挙げられ、さらにその他既存の正孔注入輸送
材料の中から選ぶことができる。
アリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリ
レン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタ
ジエン、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム錯
体、トリス(4−メチル−8−キノリノラート)アルミ
ニウム錯体、ビス(8−キノリノラート)亜鉛錯体、ト
リス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−
5−シアノ−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、
ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラー
ト]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ
−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)
フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリ
ノラート)スカンジウム錯体、ビス〔8−(パラ−トシ
ル)アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、
1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、
ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2,5−ジ
ヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン
系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンス
ロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系
蛍光体、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光
体、ナフタルイミド系蛍光体、N,N’−ジアリール置
換ピロロピロール系蛍光体等の低分子材料や、ポリフル
オレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン
などの高分子材料、また、ポリビニルカルバゾール等の
蛍光性高分子材料やポリメチルメタクリレート等の非蛍
光性高分子材料中に蛍光性材料を分散したものなど、そ
の他既存の発光材料を用いることができる。
しては、2−(4−ビフィニルイル)−5−(4−t−
ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、
2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジ
アゾール、およびオキサジアゾール誘導体やビス(10
−ヒドロキシベンゾ[h]キノリノラート)ベリリウム
錯体、トリアゾール化合物等が挙げられる。
電子注入効率の高い物質を用いる。具体的にはMg、A
l、Yb等の金属単体を用いたり、発光媒体と接する界
面にLiや酸化Li、LiF等の化合物を0.001μ
m程度挟んで、安定性・導電性の高いAlやCuを積層
して用いる。また、電子注入効率と安定性を両立させる
ため、仕事関数が低いLi、Mg、Ca、Sr、La、
Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb等の金属1種以上
と、安定なAg、Al、Cu等の金属元素との合金系が
用いられる。具体的にはMgAg、AlLi、CuLi
等の合金が使用できる。陰極の形成方法は、材料に応じ
て、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着
法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用い
ることができる。陰極の厚さは、0.01μm〜1μm
程度が望ましい。
ネッセンス素子の第2電極9側には外部からの水分と酸
素による素子劣化を防ぐために、金属やガラスの封止容
器を用いることも可能であるが、フレキシブルな前面基
材の利点を生かすために、フレキシブルなガスバリア膜
を封止フィルム10として用いて封止を行うのが望まし
い。この封止フィルムは不透明で構わない。封止フィル
ム10としては、高分子樹脂基材上にアルミニウム箔な
どのガスバリア性の高い層を積層し、最表面には接着性
を有する熱可塑性高分子樹脂のシーラント層を形成した
ような既存のフィルムを用いることができ、接着法とし
てはヒートシール等の方法を使用することができる。
尚、図1では、第2電極9と封止フィルム11の間に窒
素10が存在するが、これは水分と酸素による素子劣化
を防ぐために、窒素が充填された容器内で封止を行うた
めであり、真空であっても構わない。
の実施例を用いて、本発明をより具体的に説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。また、各実
施例は保護層の有無以外は図1に示した構造と同じもの
である。
μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムを真空連
続製膜装置の巻きだしロールに装着し、速度0.5m/
分でフィルムを搬送しながら、ITO(ジャパンエナジ
ー(株)製 酸化スズ含有量10%)のスパッタリング
を行った。これにより高分子樹脂基材層1上に厚み0.
01μmのITO帯電防止層2を形成した。
レート(共栄社化学(株)製3EG−A)の樹脂モノマ
ーを蒸着後、電子線を照射して硬化させた。これにより
ITO帯電防止層2上に厚み0.1μmの応力緩衝層3
を形成した。
式により酸化アルミニウム層を蒸着するために、酸素を
酸化剤として供給しながら、蒸着材料であるアルミニウ
ムに電子線を照射して、蒸発したアルミニウムと酸素を
反応させながら蒸着した。これにより応力緩衝層3上に
厚み0.1μmのガスバリア層4を形成した。
酸素透過度と水蒸気透過度を測定した。また、後工程で
ある素子作製時の巻き取りなどにより、引っ張りによる
ある程度の応力がかかるものとして、3%引っ張り後に
おける前面基材用フィルムの酸素透過度と水蒸気透過度
を測定した。結果を表1に示す。尚、表中の酸素透過度
の単位は、cc/m2・day・atm、水蒸気透過度
の単位はg/m2・dayである。
に、続けて巻き取り式の真空製膜装置により、第1電極
6として再びITOをスパッタリングした。
てPEDOT/PSS(バイエル社製Baytron
P TP AI4083)と、発光層8としてポリ(2
―メトキシ−5(3’,7’−ジメチルオクチロキシ)
−1,4−フェニレンビニレン)をこの順でダイレクト
グラビア印刷法にてパターン印刷した。これにより0.
05μmの正孔注入層7と0.1μmの発光層8を形成
し、積層型の有機層とすることができた。
し、真空蒸着法にて第2電極9として厚さ0.1μmの
イッテルビウムをマスク蒸着した後、封止フィルムをヒ
ートシール法にて接着した。封止フィルムはポリエチレ
ンテレフタレート12μm、アルミニウム箔20μm、
プロピレンの酸変性物(三井化学 QE050)30μ
mを順にドライラミネート及び押し出しラミネートした
ものを使用した。
00cd/m2から測定した。その結果を表1に示す。
尚、寿命の単位はhourである。
層まで形成した上に、アクリレート(共栄社化学(株)
製3EG−A)の樹脂モノマーを蒸着後、電子線を照射
して硬化させた。これによりガスバリア層に厚み1μm
の保護層5が形成された。このように作製した基材用フ
ィルムを実施例1と同様に評価した。
に、実施例1と同様に有機エレクトロルミネッセンス素
子を作製した。このように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を実施例1と同様に評価した。
μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムをグラビ
ア印刷機の巻きだしロールに取り付け、30m/分で走
行させながら、帯電防止層としてPEDOT/PSS
(バイエル社製Baytron P TPAI408
3)をダイレクトグラビア印刷法にて塗布した。これに
より、0.05μmの厚みの帯電防止層を形成した。
1と同様にガスバリア層を、さらにその上に実施例2と
同様に保護層まで形成して基材用フィルムとした。この
ように作製した基材用フィルムを実施例1と同様に評価
した。
に、実施例1と同様に有機エレクトロルミネッセンス素
子を作製した。このように作製した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を実施例1と同様に評価した。
けない以外は実施例1と同様に、基材用フィルムを作製
した。このように作製した基材用フィルムを実施例1と
同様に評価した。
に実施例1と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子
を作製した。このように作製した有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を実施例1と同様に評価した。
脂基材層と帯電防止層とガスバリア層からなる基材を用
いているため、ガスバリア層形成時の帯電による塵埃付
着の防止が可能となり、本来のガスバリア性能が発揮で
きるという効果がある。また、本発明の第2の発明によ
ると、帯電防止層とガスバリア層の間に応力緩衝層を付
加することにより、多層構成の基材内部の応力を緩和
し、引っ張り等の応力に対するガスバリア性の低下を著
しく低減できるという効果がある。また、本発明の第3
の発明によると、基材の最外層のどちらか一方に保護層
を付加することにより、より一層のガスバリア性の向上
が可能となる。
ると、帯電防止層の透明性と導電性が充分に確保でき
る。また、本発明の第6の発明によると、ガスバリア層
の酸素透過性と水蒸気透過性を薄膜で充分に低くでき
る。また、本発明の第7の発明によると、応力緩衝層と
保護層を形成する際の硬化速度が早く、生産性に優れ、
特に電子線硬化型樹脂を用いれば、溶剤や重合開始材が
不要なため、コストを抑えられ、環境問題の発生も少な
くできる。以上のような発明の効果から、薄型・軽量で
割れることがないフィルム基材を基材として用いた有機
エレクトロルミネッセンス素子の高ガスバリア性基材に
よる長寿命化と、ロール・ツー・ロール生産による安価
な素子の提供が可能となった。
構造の一実施例を示す説明図である。
構造の他の実施例を示す説明図である。
Claims (7)
- 【請求項1】透明な基材上に、少なくとも透明な第1電
極、有機層、第2電極をこの順に形成する有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、該基材が、少なくとも
高分子樹脂基材層、帯電防止層、ガスバリア層を有する
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項2】上記帯電防止層とガスバリア層の間に応力
緩衝層を付加したことを特徴とする請求項1に記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項3】上記基材のガスバリア層側に、保護層を付
加したことを特徴とする請求項2に記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子。 - 【請求項4】上記帯電防止層が、酸化スズ、酸化インジ
ウム、スズをドープした酸化インジウム、または酸化亜
鉛のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項
1から3のいづれか一つに記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。 - 【請求項5】上記帯電防止層が、導電性高分子からなる
ことを特徴とする請求項1から3のいづれか一つに記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項6】上記ガスバリア層が、酸化アルミニウム、
酸化ケイ素のうち少なくとも一つを含むことを特徴とす
る請求項1から5のいづれか一つに記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子。 - 【請求項7】上記応力緩衝層および、または上記保護層
が、電子線あるいは紫外線硬化型樹脂からなることを特
徴とする請求項2から6のいづれか一つに記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
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---|---|
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Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003282241A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
JP2003347063A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Toshiba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法 |
JP2004303562A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子用基板 |
JP2005522016A (ja) * | 2002-03-29 | 2005-07-21 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 指向性発光を有する機械的に可撓性の有機エレクトロルミネセント・デバイス |
JP2005302336A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Hitachi Ltd | 発光素子及びその表示装置 |
JP2005537963A (ja) * | 2002-09-11 | 2005-12-15 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 傾斜組成を有する拡散障壁コーティング及びそれを含むデバイス |
EP1659632A1 (en) * | 2004-11-18 | 2006-05-24 | Samsung SDI Co., Ltd. | Flat panel display device |
JP2007005324A (ja) * | 2002-09-11 | 2007-01-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
WO2008001417A1 (fr) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Élément électroluminescent dispersif et son procédé de fabrication |
JP2008159600A (ja) * | 2008-03-24 | 2008-07-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elパネル |
US7619358B2 (en) | 2004-08-20 | 2009-11-17 | Panasonic Corp. | Dispersion-type EL device and illuminated switch unit using the same |
US7675074B2 (en) | 2002-05-15 | 2010-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device including a lamination layer |
JP2010146924A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Tohcello Co Ltd | 封止された機能素子 |
JP2011003522A (ja) * | 2008-10-16 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法 |
KR20110085904A (ko) * | 2010-01-20 | 2011-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 플렉시블 발광 장치, 전자 기기, 및 발광 장치 및 플렉시블 발광 장치의 제작 방법 |
WO2011102465A1 (ja) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | 三井化学東セロ株式会社 | 封止された機能素子 |
JP2011183802A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Toshiba Corp | プリントヘッドおよび画像形成装置 |
JP2013153177A (ja) * | 2007-02-02 | 2013-08-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
CN104106310A (zh) * | 2012-01-31 | 2014-10-15 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光元件 |
WO2016136008A1 (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | コニカミノルタ株式会社 | 有機発光素子 |
EP3603960A4 (en) * | 2017-03-27 | 2020-03-18 | Toppan Printing Co., Ltd. | TRANSPARENT CONDUCTIVE GAS BARRIER LAMINATE AND DEVICE PROVIDED WITH SAME |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05205433A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Kao Corp | 光ディスクカートリッジ |
JPH05259591A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | フレキシブル基板 |
JPH06167778A (ja) * | 1992-12-01 | 1994-06-14 | Konica Corp | 帯電防止フィルム |
JPH08245932A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-24 | Lintec Corp | 帯電防止粘着シート |
JPH0978000A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-03-25 | Showa Denko Kk | 帯電防止膜形成用組成物及び帯電防止膜の製造法 |
JPH1024519A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 透明導電性積層体及びそれを用いたel素子 |
JPH10284286A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Canon Inc | 帯電防止膜およびその成膜方法及び画像表示装置 |
JPH11327050A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ディスプレイ装置 |
-
2000
- 2000-08-07 JP JP2000238178A patent/JP4747401B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05205433A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Kao Corp | 光ディスクカートリッジ |
JPH05259591A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | フレキシブル基板 |
JPH06167778A (ja) * | 1992-12-01 | 1994-06-14 | Konica Corp | 帯電防止フィルム |
JPH08245932A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-24 | Lintec Corp | 帯電防止粘着シート |
JPH0978000A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-03-25 | Showa Denko Kk | 帯電防止膜形成用組成物及び帯電防止膜の製造法 |
JPH1024519A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 透明導電性積層体及びそれを用いたel素子 |
JPH10284286A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Canon Inc | 帯電防止膜およびその成膜方法及び画像表示装置 |
JPH11327050A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ディスプレイ装置 |
Cited By (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003282241A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
JP2005522016A (ja) * | 2002-03-29 | 2005-07-21 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 指向性発光を有する機械的に可撓性の有機エレクトロルミネセント・デバイス |
US8476623B2 (en) | 2002-05-15 | 2013-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US8659012B2 (en) | 2002-05-15 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US8129715B2 (en) | 2002-05-15 | 2012-03-06 | Semiconductor Energy Labratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7675074B2 (en) | 2002-05-15 | 2010-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device including a lamination layer |
US9118025B2 (en) | 2002-05-15 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2003347063A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Toshiba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法 |
JP2005537963A (ja) * | 2002-09-11 | 2005-12-15 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 傾斜組成を有する拡散障壁コーティング及びそれを含むデバイス |
JP4611267B2 (ja) * | 2002-09-11 | 2011-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2007005324A (ja) * | 2002-09-11 | 2007-01-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP4690041B2 (ja) * | 2002-09-11 | 2011-06-01 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 傾斜組成を有する拡散障壁コーティング及びそれを含むデバイス |
JP2004303562A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子用基板 |
JP2005302336A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Hitachi Ltd | 発光素子及びその表示装置 |
JP4564773B2 (ja) * | 2004-04-07 | 2010-10-20 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 発光素子及びその表示装置 |
US7619358B2 (en) | 2004-08-20 | 2009-11-17 | Panasonic Corp. | Dispersion-type EL device and illuminated switch unit using the same |
EP1659632A1 (en) * | 2004-11-18 | 2006-05-24 | Samsung SDI Co., Ltd. | Flat panel display device |
WO2008001417A1 (fr) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Élément électroluminescent dispersif et son procédé de fabrication |
US8167675B2 (en) | 2006-06-26 | 2012-05-01 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd | Dispersion-type electroluminescent element and method for manufacturing the same |
US8994060B2 (en) | 2007-02-02 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US9184221B2 (en) | 2007-02-02 | 2015-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
JP2013153177A (ja) * | 2007-02-02 | 2013-08-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP4522459B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2010-08-11 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
JP2008159600A (ja) * | 2008-03-24 | 2008-07-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elパネル |
JP2020080320A (ja) * | 2008-10-16 | 2020-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Elモジュール、発光装置及びフレキシブル発光装置 |
US9793329B2 (en) | 2008-10-16 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including light-emitting layer |
US11189676B2 (en) | 2008-10-16 | 2021-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having fluorescent and phosphorescent materials |
KR20210063312A (ko) * | 2008-10-16 | 2021-06-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 플렉시블 발광 장치, 전자기기 및 플렉시블 발광 장치의 제작 방법 |
US8581265B2 (en) | 2008-10-16 | 2013-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device including substrate having flexibility |
US11930668B2 (en) | 2008-10-16 | 2024-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Flexible light-emitting device and EL module including transparent conductive film |
US10340319B2 (en) | 2008-10-16 | 2019-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light-emitting device having a color filter |
KR102436411B1 (ko) * | 2008-10-16 | 2022-08-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 플렉시블 발광 장치, 전자기기 및 플렉시블 발광 장치의 제작 방법 |
JP2017037858A (ja) * | 2008-10-16 | 2017-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2014239071A (ja) * | 2008-10-16 | 2014-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2011003522A (ja) * | 2008-10-16 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法 |
US9401458B2 (en) | 2008-10-16 | 2016-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film and light-emitting device |
US9117976B2 (en) | 2008-10-16 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Flexible light-emitting device |
JP2010146924A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Tohcello Co Ltd | 封止された機能素子 |
KR101987000B1 (ko) * | 2010-01-20 | 2019-06-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 플렉시블 발광 장치, 전자 기기, 및 발광 장치 및 플렉시블 발광 장치의 제작 방법 |
KR20110085904A (ko) * | 2010-01-20 | 2011-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 플렉시블 발광 장치, 전자 기기, 및 발광 장치 및 플렉시블 발광 장치의 제작 방법 |
JP2011171287A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フレキシブル発光装置、電子機器、及びフレキシブル発光装置の作製方法 |
US9000442B2 (en) | 2010-01-20 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device |
WO2011102465A1 (ja) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | 三井化学東セロ株式会社 | 封止された機能素子 |
EP2538752A4 (en) * | 2010-02-18 | 2014-09-24 | Mitsui Chemicals Tohcello Inc | SEALED FUNCTIONAL ELEMENT |
JP5465316B2 (ja) * | 2010-02-18 | 2014-04-09 | 三井化学東セロ株式会社 | 封止された機能素子 |
JPWO2011102465A1 (ja) * | 2010-02-18 | 2013-06-17 | 三井化学東セロ株式会社 | 封止された機能素子 |
EP2538752A1 (en) * | 2010-02-18 | 2012-12-26 | Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. | Sealed functional element |
JP2011183802A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Toshiba Corp | プリントヘッドおよび画像形成装置 |
CN104106310A (zh) * | 2012-01-31 | 2014-10-15 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光元件 |
CN104106310B (zh) * | 2012-01-31 | 2016-08-17 | 松下知识产权经营株式会社 | 有机电致发光元件 |
WO2016136008A1 (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | コニカミノルタ株式会社 | 有機発光素子 |
EP3603960A4 (en) * | 2017-03-27 | 2020-03-18 | Toppan Printing Co., Ltd. | TRANSPARENT CONDUCTIVE GAS BARRIER LAMINATE AND DEVICE PROVIDED WITH SAME |
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