JP2003282241A - 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法

Info

Publication number
JP2003282241A
JP2003282241A JP2002082513A JP2002082513A JP2003282241A JP 2003282241 A JP2003282241 A JP 2003282241A JP 2002082513 A JP2002082513 A JP 2002082513A JP 2002082513 A JP2002082513 A JP 2002082513A JP 2003282241 A JP2003282241 A JP 2003282241A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
organic
polymer compound
inorganic barrier
barrier film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002082513A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirofumi Kubota
広文 久保田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Electronic Corp
Priority to JP2002082513A priority Critical patent/JP2003282241A/ja
Priority to US10/394,509 priority patent/US7102176B2/en
Publication of JP2003282241A publication Critical patent/JP2003282241A/ja
Priority to US11/498,729 priority patent/US20060270213A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光特性が劣化しにくい高遮蔽性有機エレク
トロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセ
ンス表示パネルを提供する。 【解決手段】 第１及び第２表示電極並びに第１及び第
２表示電極間に挟持かつ積層された有機化合物からなる
１以上の有機機能層からなる有機エレクトロルミネッセ
ンス素子と、有機エレクトロルミネッセンス素子を担持
する基板と、からなる有機エレクトロルミネッセンス表
示パネルであって、有機エレクトロルミネッセンス素子
及びその周囲の基板の表面を覆う第１の無機バリア膜
と、有機エレクトロルミネッセンス素子より広い範囲で
第１の無機バリア膜を覆う高分子化合物膜と、高分子化
合物膜及びその縁部を覆う第２の無機バリア膜と、を有
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流の注入によっ
て発光するエレクトロルミネッセンスを呈する有機化合
物材料からなる発光層を含む１以上の薄膜（以下、有機
機能層という）を備えた有機エレクトロルミネッセンス
素子（以下、有機ＥＬ素子という）及びその１以上が基
板上に形成された有機エレクトロルミネッセンス表示パ
ネル（以下、有機ＥＬ表示パネルという）に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、基本的には有機機能層
を陽極及び陰極で挟んだ形態で、両電極から注入された
電子と正孔が再結合時に形成される励起子が励起状態か
ら基底状態に戻り光を生じさせる。例えば、透明基板上
に、陽極の透明電極と、有機機能層と、陰極の金属電極
とが順次積層して有機ＥＬ素子は構成され、透明基板側
から発光を得る。有機機能層は、発光層の単一層、ある
いは有機正孔輸送層、発光層及び有機電子輸送層の３層
構造、又は有機正孔輸送層及び発光層の２層構造、さら
にこれらの適切な層間に電子或いは正孔の注入層やキャ
リアブロック層を挿入した積層体である。
【０００３】有機ＥＬ表示パネルとして、例えばマトリ
クス表示タイプのものや、所定発光パターンを有するも
のが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この有機ＥＬ素子は、
大気に晒されると、水分、酸素などのガス、その他の使
用環境中のある種の分子の影響を受けて劣化し易い、特
に有機ＥＬ素子の電極と有機機能層の界面では特性劣化
が顕著であり、輝度、色彩などの発光特性が低下する問
題がある。これを防止するために、有機ＥＬ表示パネル
において、酸化シリコンなどの無機物単一層の保護膜で
有機ＥＬ素子を封止してその劣化を抑制する方法が考え
られるが、これは十分なバリア性を有していない。すな
わち、無機バリア膜ではピンホール発生を回避できない
からである。保護膜にピンホールがあるとその部分から
水分、酸素などが侵入し、有機ＥＬ素子の発光しない部
分いわゆるダークスポットが拡大してしまう。
【０００５】そこで、本発明は、有機機能層又は電極に
対する酸素及び水分などに対する遮蔽性が高く発光特性
が劣化しにくい有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ表示パネルを
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の有機エレクトロ
ルミネッセンス表示パネルは、第１及び第２表示電極並
びに前記第１及び第２表示電極間に挟持かつ積層された
有機化合物からなる１以上の有機機能層からなる有機エ
レクトロルミネッセンス素子と、前記有機エレクトロル
ミネッセンス素子を担持する基板と、からなる有機エレ
クトロルミネッセンス表示パネルであって、前記有機エ
レクトロルミネッセンス素子及びその周囲の前記基板の
表面を覆う第１の無機バリア膜と、前記有機エレクトロ
ルミネッセンス素子より広い範囲で前記第１の無機バリ
ア膜を覆う第１の高分子化合物膜と、前記第１の高分子
化合物膜及びその縁部を覆う第２の無機バリア膜と、を
有することを特徴とする。
【０００７】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表
示パネルにおいては、前記第１の高分子化合物膜は前記
第１の無機バリア膜より狭い範囲かつ前記有機エレクト
ロルミネッセンス素子より広い範囲に形成されることを
特徴とする。本発明の有機エレクトロルミネッセンス表
示パネルにおいては、前記第１の高分子化合物膜は前記
第１の無機バリア膜、その縁部及びその周囲の前記基板
の表面を覆うに形成されることを特徴とする。
【０００８】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表
示パネルにおいては、前記有機エレクトロルミネッセン
ス素子より広い範囲で前記第２の無機バリア膜を覆う第
２の高分子化合物膜と、前記第２の高分子化合物膜及び
その縁部を覆う第３の無機バリア膜と、をさらに有する
ことを特徴とする。本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス表示パネルにおいては、前記無機バリア膜は窒化シ
リコン又は窒化酸化シリコンからなることを特徴とす
る。
【０００９】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表
示パネルにおいては、前記無機バリア膜はプラズマ化学
気相成長法又はスパッタ法により成膜されたことを特徴
とする。本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示パ
ネルにおいては、前記高分子化合物膜はプラズマ重合成
長法又は化学気相成長法又はスピンコート法により成膜
されたことを特徴とする。
【００１０】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表
示パネルにおいては、前記高分子化合物膜がポリパラキ
シリレンからなることを特徴とする。本発明の有機エレ
クトロルミネッセンス表示パネルにおいては、前記基板
は高分子化合物からなるプラスチック基板であることを
特徴とする。本発明の有機エレクトロルミネッセンス表
示パネルにおいては、前記プラスチック基板の前記有機
エレクトロルミネッセンス素子を担持する表面を覆うよ
うに予め形成された基板側無機バリア膜を有することを
特徴とする。
【００１１】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表
示パネル製造方法は、１以上の有機エレクトロルミネッ
センス素子及び前記有機エレクトロルミネッセンス素子
を担持する基板からなる有機エレクトロルミネッセンス
表示パネルの製造方法であって、基板上に、各々が第１
及び第２表示電極並びに前記第１及び第２表示電極間に
挟持かつ積層された有機化合物からなる１以上の有機機
能層からなる１以上の有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子より広い範囲で
第１の無機バリア膜を成膜する工程と、前記第１の無機
バリア膜、その縁部及びその周囲の前記基板の表面を覆
うように、第１の高分子化合物膜を成膜する工程と、前
記第１の高分子化合物膜、その縁部及びその周囲の前記
基板の表面を覆うように、前記第１の高分子化合物膜よ
りも大きい範囲に第２の無機バリア膜を成膜する工程
と、を含むことを特徴とする。
【００１２】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表
示パネル製造方法においては、前記第１の高分子化合物
膜は前記第１の無機バリア膜より狭い範囲かつ前記有機
エレクトロルミネッセンス素子より広い範囲に形成され
ることを特徴とする。本発明の有機エレクトロルミネッ
センス表示パネル製造方法においては、前記第１の高分
子化合物膜は前記第１の無機バリア膜、その縁部及びそ
の周囲の前記基板の表面を覆うに形成されることを特徴
とする。
【００１３】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表
示パネル製造方法においては、前記有機エレクトロルミ
ネッセンス素子より広い範囲で前記第２の無機バリア膜
を覆う第２の高分子化合物膜と、前記第２の高分子化合
物膜及びその縁部を覆う第３の無機バリア膜と、をさら
に有することを特徴とする。本発明の有機エレクトロル
ミネッセンス表示パネル製造方法においては、前記無機
バリア膜は窒化シリコン又は窒化酸化シリコンからなる
ことを特徴とする。
【００１４】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表
示パネル製造方法においては、前記無機バリア膜はプラ
ズマ化学気相成長法又はスパッタ法により成膜されたこ
とを特徴とする。本発明の有機エレクトロルミネッセン
ス表示パネル製造方法においては、前記高分子化合物膜
はプラズマ重合成長法又は化学気相成長法又はスピンコ
ート法により成膜されたことを特徴とする。
【００１５】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表
示パネル製造方法においては、前記高分子化合物膜がポ
リパラキシリレンからなることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】発明者は、無機バリア膜だけの有
機ＥＬ素子封止は不充分であるので、有機ＥＬ素子にお
いて有機ＥＬ素子に直接接する高分子化合物膜とその上
の無機バリア膜の２層封止構造とする実験をした。高分
子化合物膜として光硬化性のエポキシ樹脂などを用いた
実験をしたが、得られた有機ＥＬ素子を高温保存した場
合、樹脂中の光重合開始剤の残査や、樹脂中の不純物、
反応に寄与しない副生成物などからのアウトガスが生
じ、これらが有機ＥＬ素子を攻撃して黒点の拡大や輝度
劣化を引き起こす。そこで、多層保護膜の成膜順を窒化
シリコンなどの無機物膜そして、高分子化合物膜、無機
物膜、高分子化合物膜の順とする。このように多層保護
膜の有機ＥＬ素子と接する部分にアウトガス発生の心配
に無い無機物膜を付けることにより、黒点の拡大しな
い、かつ外部から酸素や水分などの侵入の無い、信頼性
の高い有機ＥＬ表示パネルを得ることができる。
【００１７】以下に、本発明による実施の形態例を図面
を参照しつつ説明する。図１に本実施形態の有機ＥＬ素
子を示す。実施形態の有機ＥＬ素子は、ガラスなどの基
板１０の上に順に積層された、第１表示電極１３（透明
電極の陽極）、有機化合物からなる発光層を含む１以上
の有機機能層１４、及び第２表示電極１５（金属電極の
陰極）を備える。さらに、有機ＥＬ素子は、その第２表
示電極１５の背面を覆うように、順に積層された多層封
止膜、すなわち第１の無機バリア膜１６Ｓ１、第１の高
分子化合物膜１６Ｐ１、第２の無機バリア膜１６Ｓ２、
第２の高分子化合物膜１６Ｐ２を有する。第１の無機バ
リア膜１６Ｓ１は、有機ＥＬ素子Ｄ及びその周囲の基板
１０の表面を被覆している。第１の高分子化合物膜１６
Ｐ１は、第１の無機バリア膜１６Ｓ１の表面を被覆する
が、第１の無機バリア膜１６Ｓ１の縁部を被覆しない。
第２の無機バリア膜１６Ｓ２は、第１の高分子化合物膜
１６Ｐ１とその縁部及びその周囲の第１の無機バリア膜
１６Ｓ１の表面を被覆している。第２の高分子化合物膜
１６Ｐ２は、第２の無機バリア膜１６Ｓ２とその縁部及
びその周囲の基板の表面を被覆している。内部の高分子
化合物膜は１対の無機バリア膜に包埋されるように、そ
の縁部は外部に露出しないように形成される。無機バリ
ア膜の縁部を高分子化合物膜で必ずしも被覆する必要は
ないが、最表面に高分子化合物膜が成膜されるときは、
無機バリア膜全体を覆うことができる。また、基板１０
の材料は限定されないので、ガラスなどの無機物の他、
高分子化合物などの有機物から選択できる。
【００１８】例えば、図２に示すように、有機ＥＬ素子
の製造方法においては、基板１０上にインジウム錫酸化
物（ＩＴＯ）からなる第１表示電極１３を蒸着又はスパ
ッタ法にて成膜する。その上に、銅フタロシアニンから
なる正孔注入層、ＴＰＤ（トリフェニルアミン誘導体）
からなる正孔輸送層、いわゆるＡｌｑ3（アルミキレー
ト錯体）からなる発光層、Ｌｉ2Ｏ（酸化リチウム）か
らなる電子注入層を順次、蒸着して有機機能層１４を形
成する。さらに、この上に蒸着によって、Ａｌからなる
第２表示電極１５を透明電極１３の電極パターンと有機
機能層１４を介して対向するように成膜する。
【００１９】次に、図３に示すように、有機ＥＬ素子Ｄ
上に第１の無機バリア膜１６Ｓ１として窒化シリコン膜
をＣＶＤ（化学気相成長法）により成膜する。この時、
第１開口マスクＭ１を使って画素又は有機ＥＬ素子を含
む表示領域よりも大きい範囲に第１の無機バリア膜を成
膜する。次に、図４に示すように、第１の無機バリア膜
１６Ｓ１上に第１の高分子化合物膜１６Ｐ１としてポリ
パラキシリレン膜をＣＶＤ（化学気相成長法）により成
膜する。この時、第２開口マスクＭ２を使って第１の無
機バリア膜よりも狭いが有機ＥＬ素子を含む表示領域よ
りも広い面積範囲に第１の高分子化合物膜１６Ｐ１を成
膜する。
【００２０】次に、図５に示すように、第１の高分子化
合物膜１６Ｐ１上に第２の無機バリア膜１６Ｓ２として
窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤにより成膜する。この
時、第３開口マスクＭ３を使って第１の高分子化合物膜
よりも大きい範囲に第２の無機バリア膜１６Ｓ２を成膜
する。次に、図６に示すように、第２の無機バリア膜１
６Ｓ２上に第２の高分子化合物膜１６Ｐ２としてポリパ
ラキシリレン膜をＣＶＤにより成膜して、図１に示す有
機ＥＬ素子が作成される。この時、第４開口マスクＭ４
を使って第２の無機バリア膜１６Ｓ２よりも小さい面積
範囲に第２の高分子化合物膜１６Ｐ２を成膜している
が、他の開口マスクを使って第２の無機バリア膜１６Ｓ
２よりも大きい面積範囲に第２の高分子化合物膜１６Ｐ
２を成膜してもよい。このように、実施形態では、高分
子化合物膜は１対の無機バリア膜に包埋され、かつ無機
バリア膜は常に有機ＥＬ素子に接触する構成をとる。
【００２１】高分子化合物膜を成膜するプラズマ重合法
は、有機分子をプラズマ状態になし、発生するラジカル
種のカップリングによって重合させる成膜方法である。
プラズマ重合によれば、モノマーは蒸気圧を持っていれ
ばビニル基のような特別な重合性基を必要とせず、得ら
れた高分子化合物膜は緻密な薄膜となる。実施形態で
は、交流プラズマ重合装置によってプラズマ重合を行う
が、陰極と陽極が区別される直流プラズマ法によって重
合を行ってもよい。
【００２２】高分子化合物膜の原料ガスは、例えばメタ
ン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、エチレン、
プロピレン、ブテン、ブタジエン、アセチレン、メチル
アセチレンなどの炭化水素系モノマー、ヘキサメチルジ
シロキサン、トリエトキシビニルシラン、ポリジメチル
シロキサン、テトラメトキシシランなどのケイ素系モノ
マー、テトラフルオロエチレンなどのフッ化水素系モノ
マー、などがある。特に実質的に炭素と水素のみからな
る高分子化合物膜は表面に緻密でピンホールの無い硬質
の膜を形成できるという利点を有するので好ましく、中
でも原子数の比（原子組成比）で表わして好ましくはＨ
／Ｃ＝１．５以下であると三次元的に充分架橋した特性
の良い高分子化合物膜が形成できる。このような高分子
化合物膜は炭化水素系モノマーガスの量を少なくし、反
応圧力を低くし、かつ印加電力を大きくすることにより
生成し得る。すなわち、反応圧力を低く印加電力を大き
くすることにより、モノマー単位量あたりの分解エネル
ギーが大きくなって分解が進み、架橋した高分子化合物
膜が形成できる。その他キャリアガスとして水素、不活
性ガスなどのガスが使用できる。
【００２３】ＣＶＤ（化学気相成長法）による高分子化
合物膜は、ポリパラキシリレン、特にパラキシリレン重
合膜又は塩素化パラキシリレン重合膜がガス及び水蒸気
透過性が極めて低く、不純物の混入が抑制でき、ピンホ
ールの少ない、均一な膜を成膜できるので好ましい。こ
のようなキシレン樹脂は米国ユニオン・カーバイド社の
パリレンＮ（ポリパラキシリレン）、パリレンＣ（ポリ
モノクロクロロパラキシリレン）、パリレンＤ（ポリジ
クロロパラキシリレン）などがある。ガス透過性が低い
点でパリレンＣが好ましいが、ＳｉＮ膜をその上に成膜
するので、パリレンＮでも十分である。ポリパラキシリ
レンなど高分子化合物膜は２量体のガスを減圧下に熱分
解することにより得られる。
【００２４】実験例では、ガラス基板のＩＴＯ陽極面上
に所定の有機機能層を形成し、更にＡｌ陰極を成膜して
有機ＥＬ素子を形成した。次いで、第１の無機バリア膜
として窒化シリコンをプラズマＣＶＤ法により有機ＥＬ
素子を覆うように成膜し、次に、有機ＥＬ素子より広い
範囲でかつ第１の無機バリア膜より狭い範囲でポリエチ
レンの高分子化合物膜をプラズマ重合により成膜した。
さらに、有機ＥＬ素子より広い範囲でかつ高分子化合物
膜の縁部を覆うように窒化シリコンの第２の無機バリア
膜をプラズマＣＶＤ法により成膜し、実施例の有機ＥＬ
表示パネルを作製した。高分子化合物膜のプラズマ重合
成膜条件は、２０ＳＣＣＭのエチレンガスで、圧力０．
９Ｔｏｒｒ、ＲＦ電力５００ｍＷ／ｃｍ2、周波数１
３．５６ＭＨｚ温度を室温で、膜厚０．５μｍを成膜し
た。なお、比較例として、第１の無機バリア膜を成膜せ
ずに、高分子化合物膜として光硬化性エポキシ樹脂を用
い直接有機ＥＬ素子上に成膜した以外、実施例と同一の
有機ＥＬ表示パネルをも作製した。耐久性を大気中にて
６０℃、９５％ＲＨの条件で、これらの有機ＥＬ素子の
ダークスポットの拡大状態を測定する試験をしたとこ
ろ、実施例ではダークスポットの拡大がなかったが、比
較例ではダークスポットの拡大があった。
【００２５】図７は他の実施形態の、複数の有機ＥＬ素
子を備えた有機ＥＬ表示パネルの部分拡大背面図であ
る。有機ＥＬ表示パネルは、基板１０上にマトリクス状
に配置された複数の有機ＥＬ素子を備えている。透明電
極層を含む行電極１３（陽極の第１表示電極）と、有機
機能層と、該行電極に交差する金属電極層を含む列電極
１５（第２表示電極）と、が基板１０上に順次積層され
て構成されている。行電極は、各々が帯状に形成される
とともに、所定の間隔をおいて互いに平行となるように
配列されており、列電極も同様である。このように、マ
トリクス表示タイプの表示パネルは、複数の行と列の電
極の交差点に形成された複数の有機ＥＬ素子の発光画素
からなる画像表示配列を有している。有機ＥＬ表示パネ
ルは基板１０上の有機ＥＬ素子の間に平行に設けられた
複数の隔壁７を備えていてもよい。複数の有機ＥＬ素子
を覆うように、第２表示電極１５及び隔壁７の上には上
記無機バリア膜及び高分子化合物膜の交互積層保護膜１
６が形成されている。有機機能層の材料を選択して適宜
積層して各々が赤Ｒ、緑Ｇ及び青Ｂの発光部を構成する
こともできる。
【００２６】図８に他の実施形態の有機ＥＬ素子を示
す。この有機ＥＬ素子は、その基板に、合成樹脂を用い
たプラスチック基板１０とし、その表面を窒化シリコン
又は窒化酸化シリコンなど無機物からなる基板側無機バ
リア膜２２で被覆した以外、上記図１の実施形態と同一
である。基板側無機バリア膜２２上に有機ＥＬ素子の電
極が形成される。合成樹脂基板としては、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレー
ト、ポリカーボネート、ポリサルフォン、ポリエーテル
サルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェノ
キシエーテル、ポリアリレート、フッ素樹脂、ポリプロ
ピレンなどのフィルムが適用できる。
【００２７】基板側無機バリア膜２２が覆うプラスチッ
ク基板の表面は、少なくとも有機ＥＬ素子に接触する表
面、有機ＥＬ素子間の表面、有機ＥＬ素子周囲の表面、
有機ＥＬ素子に接触する表面の裏側の表面を含むことが
好ましい。プラスチック基板から有機機能層へのアウト
ガスなどの侵入を防止するためである。また、プラスチ
ック基板の両面を基板側無機バリア膜２２で覆うことに
より、プラスチック基板の反りを防止できる。
【００２８】上述した例においては、無機バリア膜の製
法として、プラズマＣＶＤを用いたが、これに限られる
ことはなく、スパッタ法、真空蒸着法などの気相成長法
も適用可能である。また、上述した例においては、高分
子化合物膜の製法として、プラズマ重合成長法を用いた
が、これに限られることはなく、化学気相成長法又はス
ピンコート法も適用可能である。無機バリア膜を交互に
積層しているので、光硬化性樹脂をスピンコート法によ
り成膜できて、高分子化合物膜の製法の自由度か大きく
なる。
【００２９】さらに上述した実施例においては、単純マ
トリクス表示タイプの有機ＥＬ表示パネルを説明した
が、本発明はＴＦＴなどを用いたアクティブマトリクス
表示タイプのパネルの基板にも応用できる。図９に他の
実施形態の有機ＥＬ素子を示す。この実施形態では、被
覆された基板１０の無機バリア膜２２上に形成された有
機ＥＬ素子Ｄをさらに多層封止膜で保護した構造を有す
る。有機ＥＬ素子Ｄは、その第２表示電極１５の背面を
覆うように、順に、第１の無機バリア膜１６Ｓ１、第１
の高分子化合物膜１６Ｐ１、第２の無機バリア膜１６Ｓ
２、第２の高分子化合物膜１６Ｐ２、第３の無機バリア
膜１６Ｓ３、及び第３の高分子化合物膜１６Ｐ３を有す
る。このように、高分子化合物膜及び無機バリア膜の交
互に積層する更なる多層構造とする場合に高分子化合物
膜及び無機バリア膜の成膜工程を繰り返して各層を成膜
する。
【００３０】さらに、図１０に示す他の実施形態の有機
ＥＬ素子では、第１の無機バリア膜１６Ｓ１は有機ＥＬ
素子Ｄ及びその周囲の基板１０の表面を被覆している。
第１の高分子化合物膜１６Ｐ１は第１の無機バリア膜１
６Ｓ１及びその周囲の基板１０の表面を被覆している。
第２の無機バリア膜１６Ｓ２は、第１の高分子化合物膜
１６Ｐ１とその縁部及びその周囲の基板の表面を被覆し
ている。第２の高分子化合物膜１６Ｐ２は、第２の無機
バリア膜１６Ｓ２とその縁部及びその周囲の基板の表面
を被覆している。各層の成膜工程におけるそれぞれの開
口マスクを、その前工程の開口マスクより大なる面積の
堆積物通過用開口を有していれば、積層された各膜のエ
ッジを被覆するように多層保護膜が成膜できる。このよ
うに、いずれの実施形態でも、内部の高分子化合物膜は
その縁部も含めて１対の無機バリア膜に被覆、包埋さ
れ、かつ有機ＥＬ素子には無機バリア膜が常に接触する
構成をとる。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、有機ＥＬ素子に直接触
れる部位に窒化シリコンなどの無機バリア膜を成膜し
て、その上に高分子化合物膜を成膜することよリ高分子
化合物膜からのアウトガスによる有機ＥＬ素子の劣化を
回避することができる。よって、有機ＥＬ素子を覆う高
分子化合物膜からのアウトガスなどにより有機ＥＬ素子
にタメージを与えてしまう問題が解消される。さらに
は、高分子化合物膜エッジからの水分や酸素の侵入を遮
断でき、水や酸素の遮断が十分な封止構造を形成できて
有機ＥＬ素子が保護されるので、耐久性の高い有機ＥＬ
表示パネルを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による実施形態の有機ＥＬ素子の概略斜
視図。
【図２】本発明による有機ＥＬ表示パネル製造工程にお
ける基板の概略断面図。
【図３】本発明による有機ＥＬ表示パネル製造工程にお
ける基板の概略断面図。
【図４】本発明による有機ＥＬ表示パネル製造工程にお
ける基板の概略断面図。
【図５】本発明による有機ＥＬ表示パネル製造工程にお
ける基板の概略断面図。
【図６】本発明による有機ＥＬ表示パネル製造工程にお
ける基板の概略断面図。
【図７】本発明による他の実施形態の、複数の有機ＥＬ
素子を備えた有機ＥＬ表示パネルの部分拡大背面図。
【図８】本発明による他の実施形態の有機ＥＬ素子の概
略斜視図。
【図９】本発明による他の実施形態の有機ＥＬ素子の概
略斜視図。
【図１０】本発明による他の実施形態の有機ＥＬ素子の
概略斜視図。
【符号の説明】
１０ 基板 １３ 第１表示電極（透明電極の陽極） １４ 有機機能層（発光層） １５ 第２表示電極（金属電極の陰極） １６Ｓ１ 第１の無機バリア膜 １６Ｐ１ 第１の高分子化合物膜 １６Ｓ２ 第２の無機バリア膜 １６Ｐ２ 第２の高分子化合物膜

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１及び第２表示電極並びに前記第１及
    び第２表示電極間に挟持かつ積層された有機化合物から
    なる１以上の有機機能層からなる有機エレクトロルミネ
    ッセンス素子と、前記有機エレクトロルミネッセンス素
    子を担持する基板と、からなる有機エレクトロルミネッ
    センス表示パネルであって、 前記有機エレクトロルミネッセンス素子及びその周囲の
    前記基板の表面を覆う第１の無機バリア膜と、 前記有機エレクトロルミネッセンス素子より広い範囲で
    前記第１の無機バリア膜を覆う第１の高分子化合物膜
    と、 前記第１の高分子化合物膜及びその縁部を覆う第２の無
    機バリア膜と、を有することを特徴とする有機エレクト
    ロルミネッセンス表示パネル。
  2. 【請求項２】 前記第１の高分子化合物膜は前記第１の
    無機バリア膜より狭い範囲かつ前記有機エレクトロルミ
    ネッセンス素子より広い範囲に形成されることを特徴と
    する請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示
    パネル。
  3. 【請求項３】 前記第１の高分子化合物膜は前記第１の
    無機バリア膜、その縁部及びその周囲の前記基板の表面
    を覆うに形成されることを特徴とする請求項１記載の有
    機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
  4. 【請求項４】 前記有機エレクトロルミネッセンス素子
    より広い範囲で前記第２の無機バリア膜を覆う第２の高
    分子化合物膜と、前記第２の高分子化合物膜及びその縁
    部を覆う第３の無機バリア膜と、をさらに有することを
    特徴とする請求項１〜３のいずれか１記載の有機エレク
    トロルミネッセンス表示パネル。
  5. 【請求項５】 前記無機バリア膜は窒化シリコン又は窒
    化酸化シリコンからなることを特徴とする請求項１〜４
    のいずれか１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示
    パネル。
  6. 【請求項６】 前記無機バリア膜はプラズマ化学気相成
    長法又はスパッタ法により成膜されたことを特徴とする
    請求項１〜５のいずれか１記載の有機エレクトロルミネ
    ッセンス表示パネル。
  7. 【請求項７】 前記高分子化合物膜はプラズマ重合成長
    法又は化学気相成長法又はスピンコート法により成膜さ
    れたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１記載の
    有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
  8. 【請求項８】 前記高分子化合物膜がポリパラキシリレ
    ンからなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１
    記載の有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
  9. 【請求項９】 前記基板は高分子化合物からなるプラス
    チック基板であることを特徴とする請求項１〜８のいず
    れか１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示パネ
    ル。
  10. 【請求項１０】 前記プラスチック基板の前記有機エレ
    クトロルミネッセンス素子を担持する表面を覆うように
    予め形成された基板側無機バリア膜を有することを特徴
    とする請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス表
    示パネル。
  11. 【請求項１１】 １以上の有機エレクトロルミネッセン
    ス素子及び前記有機エレクトロルミネッセンス素子を担
    持する基板からなる有機エレクトロルミネッセンス表示
    パネルの製造方法であって、 基板上に、各々が第１及び第２表示電極並びに前記第１
    及び第２表示電極間に挟持かつ積層された有機化合物か
    らなる１以上の有機機能層からなる１以上の有機ＥＬ素
    子を形成する工程と、 前記有機エレクトロルミネッセンス素子より広い範囲で
    第１の無機バリア膜を成膜する工程と、 前記第１の無機バリア膜、その縁部及びその周囲の前記
    基板の表面を覆うように、第１の高分子化合物膜を成膜
    する工程と、 前記第１の高分子化合物膜、その縁部及びその周囲の前
    記基板の表面を覆うように、前記第１の高分子化合物膜
    よりも大きい範囲に第２の無機バリア膜を成膜する工程
    と、を含むことを特徴とする製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記第１の高分子化合物膜は前記第１
    の無機バリア膜より狭い範囲かつ前記有機エレクトロル
    ミネッセンス素子より広い範囲に形成されることを特徴
    とする請求項１１記載の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記第１の高分子化合物膜は前記第１
    の無機バリア膜、その縁部及びその周囲の前記基板の表
    面を覆うに形成されることを特徴とする請求項１１記載
    の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記有機エレクトロルミネッセンス素
    子より広い範囲で前記第２の無機バリア膜を覆う第２の
    高分子化合物膜と、前記第２の高分子化合物膜及びその
    縁部を覆う第３の無機バリア膜と、をさらに有すること
    を特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１記載の製造
    方法。
  15. 【請求項１５】 前記無機バリア膜は窒化シリコン又は
    窒化酸化シリコンからなることを特徴とする請求項１１
    〜１４のいずれか１記載の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記無機バリア膜はプラズマ化学気相
    成長法又はスパッタ法により成膜されたことを特徴とす
    る請求項１１〜１５のいずれか１記載の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記高分子化合物膜はプラズマ重合成
    長法又は化学気相成長法又はスピンコート法により成膜
    されたことを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか１
    記載の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記高分子化合物膜がポリパラキシリ
    レンからなることを特徴とする請求項１１〜１７のいず
    れか１記載の製造方法。
JP2002082513A 2002-03-25 2002-03-25 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 Pending JP2003282241A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002082513A JP2003282241A (ja) 2002-03-25 2002-03-25 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
US10/394,509 US7102176B2 (en) 2002-03-25 2003-03-24 Organic electroluminescent display panel and manufacturing method therefor
US11/498,729 US20060270213A1 (en) 2002-03-25 2006-08-04 Organic electroluminescenst display panel and manufacturing method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002082513A JP2003282241A (ja) 2002-03-25 2002-03-25 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003282241A true JP2003282241A (ja) 2003-10-03

Family

ID=29230671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002082513A Pending JP2003282241A (ja) 2002-03-25 2002-03-25 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7102176B2 (ja)
JP (1) JP2003282241A (ja)

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005116253A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法
WO2005071746A1 (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Pioneer Corporation 半導体装置およびその製造方法
JP2005251500A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Fuji Photo Film Co Ltd 画像表示素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2005251721A (ja) * 2003-09-24 2005-09-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2005317476A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP2005353398A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示素子、光学デバイス、及び光学デバイスの製造方法
EP1460697A3 (en) * 2003-03-17 2006-05-10 Pioneer Corporation Organic electroluminescene display panel and fabrication method thereof
JP2006261486A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Ricoh Co Ltd 有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた画像表示装置
JP2007134099A (ja) * 2005-11-09 2007-05-31 Ulvac Japan Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
JP2008059867A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器
KR100843181B1 (ko) 2005-11-22 2008-07-02 세이코 엡슨 가부시키가이샤 발광 장치 및 전자 기기
JP2008181828A (ja) * 2007-01-26 2008-08-07 Ulvac Japan Ltd 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ素子の製造方法
JP2010522411A (ja) * 2007-03-20 2010-07-01 オーティービー ソラル ビー．ブイ． 有機発光素子の製造方法およびその有機発光素子
JP2010212251A (ja) * 2004-06-04 2010-09-24 Samsung Mobile Display Co Ltd エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置及びその製造方法
JP2011018639A (ja) * 2009-07-10 2011-01-27 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置
WO2011016126A1 (ja) * 2009-08-06 2011-02-10 キヤノン株式会社 表示装置
JP2011198675A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Toshiba Corp 有機発光装置、照明装置、表示装置及び有機発光装置の製造方法
JP2012089436A (ja) * 2010-10-22 2012-05-10 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置および電子機器
JP2013501342A (ja) * 2009-08-06 2013-01-10 ネーデルランデ オルガニサティー ヴール トゥーヘパストナツールウェテンスハペライク オンデルズーク テーエヌオー 光電気装置の製造方法
WO2013111218A1 (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 株式会社アルバック 素子構造体及び素子構造体の製造方法
JP2014179335A (ja) * 2010-01-04 2014-09-25 Samsung Display Co Ltd 有機発光表示装置
WO2014199673A1 (ja) * 2013-06-11 2014-12-18 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2015069956A (ja) * 2013-10-01 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP2016105418A (ja) * 2010-04-12 2016-06-09 コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔ Ａ Ｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ 有機オプトエレクトロニックデバイス及びそれをカプセル化する方法
JP2017122752A (ja) * 2016-01-04 2017-07-13 東レエンジニアリング株式会社 光変換フィルムの製造方法、光変換フィルム製造装置、及び光変換フィルム
US10064252B2 (en) 2014-09-30 2018-08-28 Sony Corporation Organic EL display unit, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US10163374B2 (en) 2014-12-04 2018-12-25 Joled Inc. Display unit and electronic apparatus
US10608205B2 (en) 2016-03-07 2020-03-31 Pioneer Corporation Sealing structure and light emitting device

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050030257A1 (en) * 2001-12-19 2005-02-10 Georg Greuel Method of healing of low-ohmic defects in a flat display
TWI283914B (en) * 2002-07-25 2007-07-11 Toppoly Optoelectronics Corp Passivation structure
US20070178710A1 (en) * 2003-08-18 2007-08-02 3M Innovative Properties Company Method for sealing thin film transistors
US7399668B2 (en) * 2004-09-30 2008-07-15 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices having a dielectric layer surface treatment
JP4329740B2 (ja) * 2004-10-22 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2007273446A (ja) * 2006-03-06 2007-10-18 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置
EP1916725A1 (en) * 2006-10-27 2008-04-30 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Organic light emitting diode device with multilayer seal
WO2010006269A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-14 California Institute Of Technology Complementary barrier infrared detector
US9991399B2 (en) 2012-10-04 2018-06-05 Cree, Inc. Passivation structure for semiconductor devices
US9812338B2 (en) * 2013-03-14 2017-11-07 Cree, Inc. Encapsulation of advanced devices using novel PECVD and ALD schemes
US9692010B2 (en) 2012-11-20 2017-06-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US9349988B2 (en) * 2012-11-20 2016-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN107978693B (zh) * 2013-07-12 2020-07-28 保土谷化学工业株式会社 有机电致发光器件
JP2015122148A (ja) * 2013-12-20 2015-07-02 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US10872987B2 (en) 2015-12-10 2020-12-22 California Institute Of Technology Enhanced quantum efficiency barrier infrared detectors
CN110600166B (zh) * 2019-09-04 2021-04-06 东华大学 一种基底支撑的功能化导电聚合物膜及其制备方法
US20220384366A1 (en) * 2021-06-01 2022-12-01 Cree, Inc. Multilayer encapsulation for humidity robustness and related fabrication methods

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09161967A (ja) * 1995-11-30 1997-06-20 Motorola Inc 有機デバイスのパッシベーション
JP2000150168A (ja) * 1998-11-13 2000-05-30 Toppan Printing Co Ltd 耐熱性低抵抗正孔輸送材料および有機薄膜発光素子
JP2001115154A (ja) * 1999-10-22 2001-04-24 Toppan Printing Co Ltd 有機薄膜発光素子及び蛍光体
JP2001307873A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法
JP2002025765A (ja) * 2000-07-10 2002-01-25 Kyushu Matsushita Denki Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2002050469A (ja) * 2000-08-07 2002-02-15 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002117973A (ja) * 2000-05-16 2002-04-19 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子及びその製造装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3290375B2 (ja) * 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
EP1186065A1 (en) * 1999-04-28 2002-03-13 E.I. Du Pont De Nemours And Company Flexible organic electronic device with improved resistance to oxygen and moisture degradation
JP2002100469A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
US6624568B2 (en) * 2001-03-28 2003-09-23 Universal Display Corporation Multilayer barrier region containing moisture- and oxygen-absorbing material for optoelectronic devices
JP4010394B2 (ja) * 2001-12-14 2007-11-21 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子
US6891330B2 (en) * 2002-03-29 2005-05-10 General Electric Company Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09161967A (ja) * 1995-11-30 1997-06-20 Motorola Inc 有機デバイスのパッシベーション
JP2000150168A (ja) * 1998-11-13 2000-05-30 Toppan Printing Co Ltd 耐熱性低抵抗正孔輸送材料および有機薄膜発光素子
JP2001115154A (ja) * 1999-10-22 2001-04-24 Toppan Printing Co Ltd 有機薄膜発光素子及び蛍光体
JP2001307873A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法
JP2002117973A (ja) * 2000-05-16 2002-04-19 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子及びその製造装置
JP2002025765A (ja) * 2000-07-10 2002-01-25 Kyushu Matsushita Denki Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2002050469A (ja) * 2000-08-07 2002-02-15 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

Cited By (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1460697A3 (en) * 2003-03-17 2006-05-10 Pioneer Corporation Organic electroluminescene display panel and fabrication method thereof
JP2005251721A (ja) * 2003-09-24 2005-09-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2005116253A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法
CN100446226C (zh) * 2004-01-21 2008-12-24 先锋株式会社 半导体器件及其制造方法
WO2005071746A1 (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Pioneer Corporation 半導体装置およびその製造方法
JP2005251500A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Fuji Photo Film Co Ltd 画像表示素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4537093B2 (ja) * 2004-03-03 2010-09-01 富士フイルム株式会社 画像表示素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2005317476A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
US8278818B2 (en) 2004-06-04 2012-10-02 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescent display device and method of fabricating the same
JP2010212251A (ja) * 2004-06-04 2010-09-24 Samsung Mobile Display Co Ltd エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置及びその製造方法
JP2005353398A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示素子、光学デバイス、及び光学デバイスの製造方法
JP2006261486A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Ricoh Co Ltd 有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた画像表示装置
JP2007134099A (ja) * 2005-11-09 2007-05-31 Ulvac Japan Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
KR100843181B1 (ko) 2005-11-22 2008-07-02 세이코 엡슨 가부시키가이샤 발광 장치 및 전자 기기
US7781967B2 (en) 2006-08-30 2010-08-24 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescence device having an improved barrier structure, and manufacturing method therefore and electronic apparatus
JP2008059867A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器
JP2008181828A (ja) * 2007-01-26 2008-08-07 Ulvac Japan Ltd 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ素子の製造方法
JP2010522411A (ja) * 2007-03-20 2010-07-01 オーティービー ソラル ビー．ブイ． 有機発光素子の製造方法およびその有機発光素子
US8222635B2 (en) 2007-03-20 2012-07-17 Otb Solar B.V. Method for manufacturing an organic light emitting device as well as such a device
JP2011018639A (ja) * 2009-07-10 2011-01-27 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置
US8466454B2 (en) 2009-07-10 2013-06-18 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
JPWO2011016126A1 (ja) * 2009-08-06 2013-01-10 キヤノン株式会社 表示装置
US8987019B2 (en) 2009-08-06 2015-03-24 Koninklijke Philips N.V. Method of manufacturing an opto-electric device
JP2013501342A (ja) * 2009-08-06 2013-01-10 ネーデルランデ オルガニサティー ヴール トゥーヘパストナツールウェテンスハペライク オンデルズーク テーエヌオー 光電気装置の製造方法
WO2011016126A1 (ja) * 2009-08-06 2011-02-10 キヤノン株式会社 表示装置
US8362697B2 (en) 2009-08-06 2013-01-29 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
JP2014179335A (ja) * 2010-01-04 2014-09-25 Samsung Display Co Ltd 有機発光表示装置
JP2011198675A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Toshiba Corp 有機発光装置、照明装置、表示装置及び有機発光装置の製造方法
JP2016105418A (ja) * 2010-04-12 2016-06-09 コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔ Ａ Ｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ 有機オプトエレクトロニックデバイス及びそれをカプセル化する方法
JP2012089436A (ja) * 2010-10-22 2012-05-10 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置および電子機器
WO2013111218A1 (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 株式会社アルバック 素子構造体及び素子構造体の製造方法
CN104067692A (zh) * 2012-01-23 2014-09-24 株式会社爱发科 元件结构体以及元件结构体的制造方法
JPWO2013111218A1 (ja) * 2012-01-23 2015-05-11 株式会社アルバック 素子構造体及び素子構造体の製造方法
WO2014199673A1 (ja) * 2013-06-11 2014-12-18 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US9692008B2 (en) 2013-06-11 2017-06-27 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent display device
JP2015069956A (ja) * 2013-10-01 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
US11145841B2 (en) 2013-10-01 2021-10-12 Japan Display Inc. Organic electroluminescence display device having an inorganic layer including a conductive material
US9799846B2 (en) 2013-10-01 2017-10-24 Japan Display Inc. Organic electroluminescence display device having an organic layer on an upper electrode
US9929375B2 (en) 2013-10-01 2018-03-27 Japan Display Inc. Organic electroluminescence display device
US10043995B2 (en) 2013-10-01 2018-08-07 Japan Display Inc. Organic electroluminescence display device
US10388907B2 (en) 2013-10-01 2019-08-20 Japan Display Inc. Organic electroluminescence display device
US10064252B2 (en) 2014-09-30 2018-08-28 Sony Corporation Organic EL display unit, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US10791593B2 (en) 2014-09-30 2020-09-29 Sony Corporation Organic EL display unit, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US10482798B2 (en) 2014-12-04 2019-11-19 Joled Inc. Display unit and electronic apparatus
US10163374B2 (en) 2014-12-04 2018-12-25 Joled Inc. Display unit and electronic apparatus
JP2017122752A (ja) * 2016-01-04 2017-07-13 東レエンジニアリング株式会社 光変換フィルムの製造方法、光変換フィルム製造装置、及び光変換フィルム
US10608205B2 (en) 2016-03-07 2020-03-31 Pioneer Corporation Sealing structure and light emitting device
US11018321B2 (en) 2016-03-07 2021-05-25 Pioneer Corporation Sealing structure and light emitting device
US11522163B2 (en) 2016-03-07 2022-12-06 Pioneer Corporation Sealing structure and light emitting device
US11937449B2 (en) 2016-03-07 2024-03-19 Pioneer Corporation Sealing structure and light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
US7102176B2 (en) 2006-09-05
US20030209708A1 (en) 2003-11-13
US20060270213A1 (en) 2006-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003282241A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
US7345420B2 (en) Organic electroluminescence display panel and method for manufacturing the same
US7355341B2 (en) Organic electroluminescence display panel including a gas barrier laminate between a substrate and an organic electroluminescence element
US7696683B2 (en) Organic electroluminescent element and the manufacturing method
JP4004709B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法
EP1460697A2 (en) Organic electroluminescene display panel and fabrication method thereof
JP2003017244A (ja) 有機電界発光素子およびその製造方法
JP4180831B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
KR101292297B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
TWI226026B (en) Organic electroluminescent display panel and manufacturing method therefor
JP2005222778A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
WO2009104241A1 (ja) パターン形成方法及びシャドウマスク
JP2005011760A (ja) 封止方法及び封止構造
JP4543691B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP4974368B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2005222732A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
KR100700007B1 (ko) 보호막을 가진 유기전계발광표시장치
KR100747430B1 (ko) 오엘이디 디스플레이 소자의 제조 방법
JP2009193914A (ja) 電子デバイス
KR20190099890A (ko) 유기발광표시장치 및 봉지막 제조방법
JP2008186778A (ja) 照明装置
JP2006269099A (ja) 有機ｅｌパネル製造装置、有機ｅｌパネル製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050224

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070605

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070612

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071016