WO2009104241A1 - パターン形成方法及びシャドウマスク - Google Patents

パターン形成方法及びシャドウマスク Download PDF

Info

Publication number
WO2009104241A1
WO2009104241A1 PCT/JP2008/052656 JP2008052656W WO2009104241A1 WO 2009104241 A1 WO2009104241 A1 WO 2009104241A1 JP 2008052656 W JP2008052656 W JP 2008052656W WO 2009104241 A1 WO2009104241 A1 WO 2009104241A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
substrate
shadow mask
vapor deposition
polymerization
Prior art date
Application number
PCT/JP2008/052656
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
敏 宮口
昌宏 白鳥
Original Assignee
パイオニア株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パイオニア株式会社 filed Critical パイオニア株式会社
Priority to PCT/JP2008/052656 priority Critical patent/WO2009104241A1/ja
Priority to JP2009554148A priority patent/JPWO2009104241A1/ja
Publication of WO2009104241A1 publication Critical patent/WO2009104241A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Definitions

  • the present invention relates to a pattern forming method and a shadow mask for protecting a portion to be protected formed on a substrate included in an electronic device such as an electric display device.
  • An organic electroluminescence display panel is known as one of display panels of electric display devices.
  • the organic EL display panel is a self-luminous type surface emitting device in which a plurality of organic electroluminescence elements are formed on a substrate in a predetermined pattern.
  • An organic electroluminescence element sandwiches one or more thin films (hereinafter referred to as an organic functional layer) including an emission layer made of an organic compound material exhibiting electroluminescence (hereinafter also referred to as EL) that emits light by current injection between two electrodes. A voltage is applied at, a current is injected, and light is emitted.
  • the organic EL element As a drawback of the organic EL element, there is a problem that it is very sensitive to outgas such as water vapor and oxygen, and an irreversible non-light emitting area called a so-called dark spot is expanded by the influence of the outgas.
  • the water replenishment material attached to the lid absorbs outgas from the substrate and elements, water vapor entering through the adhesive, and the like, thereby suppressing the progress of the non-light emitting area.
  • Polyparaxylylenes for example, can be formed by vapor deposition polymerization using a monomer gas and can be formed at room temperature. The gas penetrates into any fine gap and hardens, and the thin film also has a thickness of 0.5 to 25 ⁇ m. The film thickness can be controlled in units of 10 nm.
  • Polyparaxylylene film has excellent electrical properties, mechanical properties, gas barrier properties, and chemical resistance. Thin film coating with uniform film thickness and no pinholes can be applied to particularly fine and complex parts. It is used for purposes such as insulation, moisture prevention, rust prevention, and chemical resistance.
  • the inventor has found that the polyparaxylylene film has a very excellent covering property, so that the polyparaxylylene film may be formed even on a portion where the polyparaxylylene is not desired to be formed. It was noted that there is a drawback that it is difficult to form.
  • the inventor conducted a sealing experiment embodiment using a polyparaxylylene film, taking an organic EL display panel as an example, using a substrate masking structure. Below, the manufacturing method of the organic electroluminescence display panel of this embodiment is demonstrated using drawing.
  • FIG. 1 shows a partially enlarged plan view of an organic EL display panel of a sealing experiment to be obtained.
  • the organic EL display panel is a passive drive type including a plurality of organic EL elements D arranged in a matrix on the substrate 10.
  • the organic EL display panel includes a plurality of first electrodes 13 of row electrodes including transparent electrode layers, an organic functional layer 14 thereon, and a plurality of column electrodes including metal electrode layers intersecting the row electrodes thereon.
  • the second electrode 15 (broken line) and the barrier film 16 with the polyparaxylylene film thereon are sequentially stacked on the substrate 10.
  • the first electrodes 13 of the row electrodes are each formed in a strip shape, and are arranged so as to be parallel to each other at a predetermined interval, and the same applies to the column electrodes.
  • the matrix display panel has the display region DR including the light emitting portions of the plurality of organic EL elements D formed at the intersections of the plurality of row and column electrodes.
  • Each of the second electrodes 15 is connected to the lead-out connection portion 19 by overlapping a part thereof in a later step.
  • the lead connection part 19 is a conductive film for connecting to an external electronic circuit for voltage application to the organic EL element and data writing.
  • the first electrode 13 and the second electrode 15 are an anode or a cathode of the organic EL element. When one is an anode, the other is a cathode.
  • the electrode material anode and cathode materials of known organic EL elements can be used, and a light-transmitting material is used for the electrode on the light extraction side.
  • the first electrode 13 is formed in the substantially central display region DR, and the lead connection part 19 for connecting the second electrode 15 to the external electric circuit is formed outside the display region DR. .
  • One end of each first electrode 13 extends outside the display region DR as a lead-out connection.
  • the resin sheet is formed so as to cover a portion (a periphery of the display region DR, the drawer connecting portion 19) that is not desired to deposit polyparaxylylene in the subsequent process on the substrate 10.
  • a substrate masking structure is prepared in which a detachable adhesive tape AT composed of the base material RS and the adhesive layer AL is attached in advance.
  • the organic functional layer 14 is formed on the first electrode 13 through a predetermined mask M1 having an opening slightly wider than the display region DR.
  • the second electrode 15 is formed on the organic functional layer 14 through a predetermined second mask M2 having an opening in the shape of the second electrode 15 that defines the display region DR. Form a film.
  • a polyparaxylylene film PPX is deposited and polymerized uniformly over the entire surface of the substrate 10 (the second electrode 15 in the display region DR and the surrounding adhesive tape AT). Form a film.
  • the adhesive tape is peeled off from the substrate 10 to leave a polyparaxylylene film PPX in a portion covering the desired display area DR.
  • the polyparaxylylene film PPX is also formed on the adhesive tape and the step coverage of the polyparaxylylene film PPX is good, the polyparaxylylene film PPX edge is clean at the adhesive tape edge. The polyparaxylylene film PPX edge does not peel off, causing a problem that the film such as burrs is lifted.
  • a deposited polymer film such as a polyparaxylylene film has a very excellent covering property, so that the deposited polymer film may be formed even in a portion that is not desired. It has been discovered that there is a drawback that it is very difficult to form only at the site.
  • An example of the problem to be solved by the present invention is to provide a pattern forming method that can be accurately formed only at a desired site in the formation of a vapor deposition polymer film such as polyparaxylylene.
  • the pattern formation method of the present invention is a method for forming a pattern of a vapor deposition polymer film of an electronic device including a substrate, an element (including wiring, organic EL element, organic transistor, etc.) mounted on the substrate and a vapor deposition polymer film covering the element.
  • a method Forming an element on a substrate; Forming a vapor deposition polymerization film covering the element; Supplying a deposition material to the substrate to form the deposited polymer film; Including Before the step of forming the vapor-deposited polymer film, the step of forming a polymerization suppression film on the portion of the substrate and the element that does not form a pattern of the vapor-deposited polymer film; and The method further includes, after the step of forming the vapor deposition polymer film, separating from the substrate at least a part of the polymerization suppression film of the substrate and the element portion on which the pattern of the vapor deposition polymer film is not formed.
  • a vapor deposition polymerization film is formed only at a desired location other than the polymerization suppression film, and a barrier film-sealed electronic device without burr can be obtained.
  • the step of forming the polymerization suppression film includes the step of forming a shadow mask in which the polymerization suppression film is formed along at least the edge portion of at least one main surface on the side to which the vapor deposition material is supplied. And a step of contacting at least a part of the polymerization suppression film from the substrate, the step of separating the shadow mask from the substrate. And can be included.
  • an adhesive layer is formed on the main surface opposite to the side to which the vapor deposition material of the shadow mask is supplied, and the shadow mask can be brought into contact with a portion where the pattern is not formed via the adhesive layer.
  • the shadow mask is made of a magnetic material, a magnet is disposed on the opposite side of the substrate from the shadow mask, and the shadow mask is used to form a pattern of the vapor deposition polymer film on the substrate. It can be in contact with the part that does not.
  • the polymerization suppression film can be formed along the side wall surface of the edge portion of the shadow mask. Thereby, the peeling acceleration effect of the shadow mask is also obtained.
  • the cross-section of the edge portion of the shadow mask can have an inversely tapered shape.
  • an electronic device including an element mounted on a substrate and a vapor deposition polymer film covering the element, the peripheral edge where the film thickness of the vapor deposition polymer film gradually decreases and becomes zero
  • An electronic device having a part can be manufactured. Furthermore, the effect of promoting the peeling of the shadow mask can be obtained.
  • the step of forming the polymerization suppression film the step of contacting a shadow mask so as to cover the lead-out connection portion of the portion of the substrate not forming the pattern of the vapor deposition polymerization film, Forming the polymerization-suppressing film on one main surface of the shadow mask on the side to which the vapor deposition material is supplied and a portion of the substrate where the pattern of the vapor deposition polymer film is not formed,
  • the step of separating at least a part of the polymerization suppression film from the substrate may include a step of separating the shadow mask from the substrate.
  • the step of forming an inorganic film on the vapor deposition polymer film can be included before the step of separating at least a part of the polymerization suppression film from the substrate.
  • a second vapor-deposited polymer film is formed on the inorganic film between the step of forming the inorganic film and the step of separating at least a part of the polymerization suppression film from the substrate. Can be included.
  • the vapor-deposited polymer film can be composed of polyparaxylylene.
  • the polymerization suppression film can be composed of iron or iron oxide.
  • the shadow mask of the present invention is a shadow mask in a pattern formation method of a vapor deposition polymer film of an electronic device including a substrate, an element mounted on the substrate, and a vapor deposition polymer film covering the element, and a vapor deposition material is supplied to the shadow mask.
  • a polymerization inhibiting film is formed along at least the edge portion of at least one main surface on the side.
  • an adhesive layer may be formed on the main surface opposite to the side to which the vapor deposition material is supplied.
  • the magnet is made of the magnetic material, and the magnet is disposed on the side opposite to the shadow mask of the substrate, and the shadow mask forms the pattern of the vapor deposition polymer film on the substrate. You may make it contact the part which does not.
  • the polymerization suppression film may be formed along the side wall surface of the edge portion.
  • the cross section of the edge portion may have a reverse taper shape.
  • the polymerization suppression film can be composed of iron or iron oxide.
  • the vapor deposition polymer film such as polyparaxylylene will be explained.
  • the vapor deposition polymer film by chemical vapor deposition (CVD) has a very low gas and water vapor permeability and suppresses mixing of impurities. This is preferable because a uniform film with few pinholes can be formed.
  • a paracyclophane compound is easily decomposed when heated at 600 to 700 ° C., and this becomes a xylylene radical, which is polymerized on the vapor deposition surface.
  • a vapor-deposited polymer film made of len is formed.
  • the paracyclophane compound include (2,2) -paracyclophane, dichloro- (2,2) -paracyclophane, tetrachloro- (2,2) -paracyclophane, tetrafluoro- (2, 2) -paracyclophane, amino- (2,2) -paracyclophane and the like.
  • Examples of the xylene resin include Parylene N (polyparaxylylene), Parylene C (polymonochlorochloroparaxylylene), Parylene D (polydichloroparaxylylene), etc. from Union Carbide, USA. Parylene C is preferable in terms of low gas permeability, but since a SiN film is formed thereon, parylene N is sufficient. A vapor-deposited polymer film such as polyparaxylylene can be obtained by thermally decomposing a gas under reduced pressure.
  • the raw material diparaxylylene dimer (paraxylylene dimer) is placed in a vaporization chamber, heated and sublimated at about 150 ° C., and the heated and evaporated dimer is put into a high-temperature pyrolysis chamber at about 650 to 700 ° C. under reduced pressure.
  • a highly reactive monomer radical (paraxylylene) is formed, and the radicalized vapor comes into contact with the deposition surface at room temperature in the deposition chamber and polymerizes there to form a polymer film (polyparaxylylene film).
  • the degree of polymerization of polyparaxylylene or a derivative thereof is not particularly limited, but is more preferably about n (number of repeating units)> 5000.
  • polyparaxylylenes include the following formulas.
  • the film thickness of the vapor deposition polymer film made of polyparaxylylene is preferably 0.01 ⁇ m to 25 ⁇ m.
  • the vapor-deposited polymer film can also be formed by a plasma polymerization method.
  • the plasma polymerization method is a film forming method in which organic molecules are brought into a plasma state and polymerized by coupling of generated radical species. According to plasma polymerization, if the monomer has a vapor pressure, a special polymerizable group such as a vinyl group is not required, and the obtained vapor-deposited polymer film becomes a dense thin film.
  • Plasma polymerization can be performed by an AC or DC plasma polymerization apparatus.
  • Examples of the material for the polymerization suppression film that suppresses polymerization with respect to polyparaxylylene include iron or its oxide, halide, and ruthenium chloride (KathleenleM. Vaeth, and Klavs F.
  • a lift-off method such as a wet process using an outgas such as moisture causes a problem of damaging the device.
  • a shadow mask SM in which an adhesive layer AL of an adhesive material is formed on one main surface of a frame of a base material RS such as stainless steel is prepared. Then, a polymerization suppression film IH such as iron or iron oxide is formed on a surface different from the surface on which the adhesive is formed by using a technique such as EB (electron beam) vapor deposition. In the reverse order of the deposition of the adhesive layer AL and the polymerization suppression film IH, the adhesive layer AL may be formed later with the polymerization suppression film IH first.
  • the shadow mask SM has a polymerization suppression film IH side as an upper surface and a deposition side.
  • the frame shape of the shadow mask SM is an overall shape that covers a portion of the substrate that is not desired to be formed with polyparaxylylene in a subsequent process.
  • the frame shape is shaped into a rectangular opening.
  • the shape is not limited to this.
  • the first electrode 13 is formed in the display region DR substantially at the center of the substrate 10, and the second electrode (post process) is connected to an external electric circuit outside the display region DR.
  • a drawer connecting portion 19 is formed.
  • One end of each first electrode 13 extends outside the display region DR as a lead-out connection.
  • the substrate 10 is generally made of glass or resin.
  • the lead connection part 19 has a predetermined area in order to overlap with the second electrode in a later process.
  • the lead connection part 19 may be formed of the same material as the first electrode 13 and may be formed at the same time.
  • the lead connection part 19 is made of a material different from that of the first electrode 13, and its formation is the first electrode 13 formation. It may be done before or after.
  • the upper surface of the drawer connecting portion 19 is a connecting portion.
  • the lead connection part 19 can use a known wiring material used in an organic EL display panel or LCD.
  • the polymerization is suppressed so as to cover a portion of the substrate 10 where the polyparaxylylene of the post-process is not desired to be formed (around the display region DR, the drawer connecting portion 19).
  • a substrate masking structure is created in which the shadow mask SM including the film IH is adhered to a predetermined location via the adhesive layer AL.
  • the organic functional layer 14 is formed on the first electrode 13 through a predetermined mask M1 having an opening slightly wider than the display region DR.
  • the organic functional layer 14 may be composed of a plurality of laminated layers including an organic light emitting layer, but here it is a single layer.
  • the second electrode 15 is formed on the organic functional layer 14 through a predetermined second mask M2 having an opening in the shape of the second electrode 15 that delimits the display region DR. Form a film.
  • the method of patterning the second electrode 15 is not particularly limited, but since normal photolithography uses a solution, there is a high possibility that the organic functional layer 14 will be adversely affected. Therefore, it is preferable to pattern by mask vapor deposition or mask sputtering. Further, patterning may be performed by a partition provided on the first electrode 13.
  • a polyparaxylylene film PPX is formed by vapor deposition polymerization or plasma polymerization on the substrate 10 (the second electrode 15 in the display region DR and the shadow mask SM around the second electrode 15). To do. However, the polyparaxylylene film PPX is not deposited on the shadow mask with the polymerization suppression film IH, and the polyparaxylylene film PPX is formed only on the second electrode 15 in the display region DR at a desired location.
  • the shadow mask SM is peeled off from the substrate 10 to leave the polyparaxylylene film PPX in a portion covering the desired display area DR.
  • the shadow mask SM covering the peripheral edge of the substrate is removed, and a part of the lead connection portion 19 and the end portion of the first electrode 13 are exposed for external connection.
  • the polyparaxylylene film PPX is not formed on the shadow mask SM by the polymerization suppression film IH, and the edges of the polyparaxylylene film PPX are peeled off at the edge of the shadow mask SM.
  • the polyparaxylylene film PPX edge burrs and the like do not float.
  • the polymerization suppression film IH may be formed along at least the edge portion of the shadow mask SM on at least one main surface to which the vapor deposition material is supplied.
  • the polymerization suppression film IH is formed on the upper surface and side surfaces of the shadow mask SM, there are effects of saving the vapor deposition material and preventing the shadow mask SM from being soiled.
  • the polymerization suppression film IH is formed on the shadow mask SM, which is a separate member from the substrate, and the shadow mask is pasted on the portion of the panel where the polyparaxylylene film is not to be formed.
  • the shadow mask with the polymerization inhibiting film IH is peeled off, so that the polyparaxylylene film can be formed in a desired area without causing problems such as the floating of the polyparaxylylene film.
  • the polyparaxylylene film edge rattles or floats at the tape edge portion.
  • the polymerization suppression film IH having poor adhesion of the polyparaxylylene film is formed in advance on the shadow mask that covers the portion where the polyparaxylylene film is not desired to be formed, the polyparaxylylene film is formed. The film edge is not rattled or floated, and can be patterned finely.
  • an inorganic film (barrier film) 16 such as silicon nitride oxide or silicon nitride is formed through a predetermined third mask M3 having an opening slightly wider than the display region DR. Film.
  • the present invention it is possible to prevent a step at the edge of the polyparaxylylene film at the time of forming the inorganic film, and the protective effect becomes more reliable.
  • Second Embodiment- Process for forming polymerization suppression film for vapor deposition polymer film-- First, as shown in FIG. 29, a shadow mask of a frame of a base material SUS made of a magnetic material such as stainless steel is prepared, and a polymerization inhibiting film such as iron or iron oxide is used on the entire surface by using a technique such as vapor deposition. IH is deposited.
  • the frame shape of the shadow mask SM is shaped so as to cover the portion of the substrate that is not desired to be deposited with polyparaxylylene in the subsequent process, and here is shaped into a rectangular opening.
  • the edge portion of the cross-sectional shape of the shadow mask SM is reverse-tapered, and in the subsequent polyparaxylylene film forming step, the complementary shape or inversion so that the polyparaxylylene film cross-sectional edge shape becomes a forward taper shape Form into shape. That is, such an inner wall shape of the edge is formed such that the polyparaxylylene vapor-deposited polymer film has a peripheral portion where the film thickness gradually decreases toward the peripheral edge and the film thickness becomes zero.
  • the reverse tapered cross-sectional shape of the shadow mask SM refers to an overhang shape that gradually protrudes toward the mask opening space side as the distance from the substrate contact side of the shadow mask SM increases in the thickness direction, and may be a stepped shape.
  • the first electrode 13 is formed in the display region DR substantially at the center of the substrate 10, and the second electrode (post-process) is connected to the external electric circuit outside the display region DR.
  • the drawer connecting portion 19 is formed.
  • the polymerization is suppressed so as to cover a portion of the substrate 10 where polyparaxylylene in the post-process is not desired to be formed (the periphery of the display region DR, the drawer connecting portion 19).
  • a substrate masking structure in which the shadow mask SM including the film IH is attached to a predetermined location is created.
  • the shadow mask SM is adhered from the back side of the substrate 10 using an electromagnet or a permanent magnet MG.
  • the magnet MG is disposed on the opposite side of the substrate 10 from the shadow mask SM, the shadow mask SM is brought into contact with a portion where the vapor deposition polymerization film pattern is not formed, and the shadow mask SM including the polymerization suppression film IH is obtained.
  • a substrate masking structure is created that is adhered to a predetermined location via a magnetic attractive force between the magnet MG and the magnetic base material SUS.
  • the base material SUS of the shadow mask SM is used as a frame including a magnet, and a flat plate made of a magnetic material is arranged on the back side of the substrate 10 to attach the shadow mask SM. You can also.
  • the second electrode 15 is formed on the organic functional layer 14 through a predetermined second mask M2 having an opening in the shape of the second electrode 15 that defines the display region DR. Form a film.
  • a polyparaxylylene film PPX is formed by vapor deposition polymerization or plasma polymerization on the substrate 10 (the second electrode 15 in the display region DR and the shadow mask SM around the second electrode 15). To do. However, the polyparaxylylene film PPX is formed only on the second electrode 15 in the desired display area DR by the polymerization suppression film IH.
  • the magnet MG and the shadow mask SM are peeled off from the substrate 10 to leave the polyparaxylylene film PPX in a portion covering the desired display region DR.
  • the shadow mask SM covering the peripheral edge of the substrate is removed, and a part of the lead connection portion 19 and the end portion of the first electrode 13 are exposed for external connection.
  • the polyparaxylylene film PPX is not formed on the shadow mask SM by the polymerization suppression film IH, and the edges of the polyparaxylylene film PPX are peeled off at the edge of the shadow mask SM.
  • the polyparaxylylene film PPX edge burrs and the like do not float. Furthermore, the cross-sectional edge shape of the polyparaxylylene film PPX becomes a forward tapered shape. That is, the polyparaxylylene film PPX has a peripheral portion where the film thickness gradually decreases toward the periphery and the film thickness becomes zero.
  • an inorganic film (barrier film) 16 is formed through a predetermined third mask M3 having an opening slightly wider than the display region DR.
  • the resulting polyparaxylylene film has an effect of accelerating the peeling of the shadow mask SM due to the cross-sectionally tapered edge shape. That is, since the polymerization suppression film IH is formed along the side wall surface of the edge portion of the shadow mask SM, in addition to the effect of promoting the peeling of the shadow mask SM, the cross section of the edge portion of the shadow mask SM has an inversely tapered shape. As a result, a cleaner releasability of the shadow mask is achieved.
  • the shadow mask SM can be reused to some extent.
  • a magnetically permeable material auxiliary substrate such as glass is interposed by the magnetic attractive force between the magnet MG and the magnetic base material SUS.
  • the film substrate that is harder to handle than the glass substrate can be handled in the same way as the glass substrate, and the organic functional layer such as the organic EL element can be easily and accurately positioned in the patterning process of the film substrate. And the production yield of the flexible film organic EL element display panel can be increased.
  • the shadow mask SM may be attached after forming the second electrode.
  • the first electrode 13 (one end portion of which extends outside the display region DR) is formed in the substantially central display region DR, and outside the display region DR.
  • the lead connection portion 19 for connecting the second electrode 15 to an external electric circuit is formed.
  • a substrate masking structure is prepared in which a removable adhesive tape AT is attached in advance.
  • a polymerization suppression film IH is formed around the display region DR. That is, except for the first electrode 13 in the display region DR, the polymerization suppression film IH is directly formed on one end portion of the first electrode 13 and the adhesive tape AT on the drawing connection portion 19 and the peripheral edge portion of the substrate.
  • a polymerization suppression film IH such as a metal such as iron or ruthenium, or an oxide or halide thereof is formed in advance.
  • a metal such as iron or ruthenium
  • an oxide or halide thereof is formed in advance.
  • the organic functional layer 14 is formed on the first electrode 13 through a predetermined mask M1 having an opening slightly wider than the display region DR.
  • the second electrode 15 is formed on the organic functional layer 14 through a predetermined second mask M2 having an opening in the shape of the second electrode 15 that defines the display region DR. Form a film.
  • a polyparaxylylene film PPX is formed by vapor deposition polymerization or plasma polymerization on the substrate 10 (the second electrode 15 in the display region DR and its surrounding polymerization suppression film IH). Film.
  • the polyparaxylylene film PPX is not deposited on the polymerization suppression film IH, and the polyparaxylylene film PPX is formed only on the second electrode 15 in the desired display area DR.
  • an inorganic film (barrier film) 16 is formed through a predetermined third mask M3 having an opening that is slightly wider than the display region DR.
  • the adhesive tape AT (one end portion of the first electrode 13 and the lead-out connection portion 19) carrying a part of the polymerization suppression film IH is removed from the substrate 10.
  • the polyparaxylylene film PPX is left in a portion covering the desired display area DR.
  • the adhesive tape AT covering the portion of the substrate that is not desired to be deposited with polyparaxylylene is removed, and a part of the lead connection portion 19 and the end of the first electrode 13 are exposed for external connection.
  • a polycrystallinylene film PPX is formed on the polymerization suppression film IH. Since there is no paraxylylene film PPX, the polymerization inhibiting film IH is peeled off cleanly at the adhesive tape edge, and no burr of the polyparaxylylene film PPX occurs. If the drawer connecting portion 19 or the like is masked with the adhesive tape AT, the polymerization inhibiting film IH may not be peeled off.
  • the present invention it is possible to prevent a step at the edge of the polyparaxylylene film at the time of forming the inorganic film, and the protection effect is further ensured because the polymerization suppression film IH remains.
  • the substrate 10 (the second electrode 15 in the display region DR and its surroundings is removed without removing the adhesive tape AT).
  • the second polyparaxylylene film PPX2 is formed by vapor deposition polymerization or plasma polymerization on the inorganic film 16 on the polymerization suppression film IH).
  • the polyparaxylylene film PPX is not deposited on the polymerization suppression film IH, and the polyparaxylylene film PPX is formed only on the second electrode 15 in the desired display area DR.
  • the adhesive tape AT (one end portion of the first electrode 13 and the lead-out connection portion 19) carrying a part of the polymerization suppression film IH is attached.
  • the polyparaxylylene film PPX is left on the portion that peels off the substrate 10 and covers the desired display region DR.
  • the adhesive tape AT covering the portion of the substrate that is not desired to be deposited with polyparaxylylene is removed, and a part of the lead connection portion 19 and the end of the first electrode 13 are exposed for external connection.
  • the polymerization suppression film IH used when forming the first polyparaxylylene film PPX is formed. Can be reused again.
  • a multilayer barrier film-sealed organic EL element in which an inorganic film and a polyparaxylylene film are alternately formed only at other desired locations by forming the polymerization suppression film IH at a predetermined location is obtained. Can do.
  • the film formation region of the polyparaxylylene film is determined by the previously formed polymerization suppression film IH.
  • the organic functional layer 14 of the organic EL element is described as a single layer.
  • the organic functional layer 14 has a plurality of types of organic functional layers for light emission of the three primary colors of red R, green G, and blue B.
  • An organic EL full-color display device can be configured by arranging a plurality of organic EL elements in a matrix on a transparent substrate and connecting them appropriately.
  • the organic material used for the organic EL element does not like moisture, oxygen, etc., and therefore cannot use a wet process. For this reason, as a method of separately coating the RGB organic functional layer, a method of performing vapor deposition by moving a mask in a vacuum is generally used.
  • the one or more organic functional layers 14 including the light emitting layer are, for example, a hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layered in order from the first electrode 13 of the anode to the second electrode 15 of the cathode. It consists of a plurality of functional organic material films having the respective functions of the layer. Furthermore, an electron block layer can be provided between the hole transport layer and the light-emitting layer, and a hole block layer can be provided in the light-emitting layer and the electron transport layer. Except for the light emitting layer, any of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, the electron injection layer, the electron block layer, and the hole block layer may be omitted.
  • Each organic functional layer 14 is usually made of an organic material, and may further be made of a low-molecular or dendrimer polymer organic material.
  • the organic functional layer 14 made of a low molecular organic substance is generally formed by a dry process (vacuum process) such as a vapor deposition method, and the organic functional layer 14 made of a polymer or dendrimer organic substance is generally formed by a coating method. It is.
  • a material such as a light emitting layer used for the organic functional layer 14
  • a P-type or N-type organic semiconductor or a bipolar organic semiconductor is often used.
  • part of the organic functional layer 14 may be formed of a conductive organic material in order to improve the performance of the device.
  • PEDOT poly (3,4-ethylene dioxythiophene)
  • polyaniline polyparaphenylene vinylene derivative
  • polythiophene derivative polyparaphenylene derivative
  • polyalkylphenylene polyacetylene derivative
  • an element such as a transistor for driving an organic EL element, a color filter, a color conversion layer, and the like are provided on the substrate 10 in advance, and then the first electrode 13 is formed. May be.
  • the passive drive type panel has been described.
  • the pattern of the drive transistor and the first electrode 13 may be an island shape corresponding to the light emitting portion.
  • a partition wall used for patterning the second electrode 15 may be formed, or an insulating film may be formed in a gap portion of the light emitting portion (pixel).
  • polyparaxylylene can be suitably selectively formed with respect to a barrier film-sealed organic EL element using a polyparaxylylene film as a buffer layer or a part thereof.
  • an organic EL device having a structure in which the polyparaxylylene polymerization inhibiting film IH does not adversely affect the device can be provided.
  • the embodiment of the present invention is described with respect to the organic EL element, it is not only applied to the organic EL element, but also includes a vapor deposition polymer film such as a transistor regardless of wiring on the substrate, organic EL element, or organic / inorganic. Of course, it is applicable to all electronic devices that require patterning.
  • the cross-sectional shape of the base material RS of the shadow mask SM shown in FIG. 15 of the first embodiment is a rectangle, in other embodiments, as shown in FIG. . Thereby, the effect similar to 2nd Embodiment can be acquired.
  • the cross-sectional shape of the base material RS of the shadow mask SM shown in FIG. 29 of the second embodiment is an inversely tapered shape
  • the edge portion may be rectangular as shown in FIG. . Also by this, the same effect as the first embodiment can be obtained.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】蒸着重合膜の成膜において適確に所望部位のみに形成することができるパターン形成方法を提供する。 【手段】 　パターン形成方法は、基板に搭載された素子と素子を覆う蒸着重合膜とを含む電子デバイスの蒸着重合膜のパターン形成方法であって、基板上に素子を形成する工程と、素子を覆う蒸着重合膜を形成する工程と、基板に蒸着材料を供給して蒸着重合膜を形成する工程と、を含み、蒸着重合膜を形成する工程の前に、蒸着重合膜のパターンを形成しない基板及び素子の部分に重合抑制膜を形成する工程と、蒸着重合膜を形成する工程の後に、蒸着重合膜のパターンを形成しない基板及び素子の部分の重合抑制膜の少なくとも一部を基板から分離する工程と、をさらに含む。

Description

パターン形成方法及びシャドウマスク
　本発明は、電気表示装置などの電子デバイスに含まれる基板に形成された保護したい部位を保護するパターン形成方法及びシャドウマスクに関する。
　電気表示装置の表示パネルの１つに、有機エレクトロルミネッセンス表示パネルが知られている。有機ＥＬ表示パネルは、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を所定パターンにて基板上に形成した自発光タイプの面発光デバイスである。有機エレクトロルミネッセンス素子は、電流の注入によって発光するエレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬともいう）を呈する有機化合物材料からなる発光層を含む１以上の薄膜（以下、有機機能層という）を２つの電極で挟み込んで電圧を印加し、電流を注入させ、発光させる。
　有機ＥＬ素子の欠点として、水蒸気や酸素などのアウトガスに非常に敏感であり、それらアウトガスの影響で、いわゆるダークスポットと呼ばれる非可逆性の非発光エリアが拡大するという課題があった。その問題に対しては、中空の空間を有し水蒸気などを吸収する補水材を取り付けたフタを、基板の素子形成部側の面に接着材を用いて接合した構造が知られている（特許文献１参照）。フタに取り付けられた補水材によって基板や素子からのアウトガス、接着材を通して浸入してくる水蒸気などを吸収し、非発光エリアの進行を抑えている。
　近年は表示デバイス薄型化の要求のため、水蒸気や酸素の透過率が小さいＳｉＮなどの無機膜（バリア膜）を有機ＥＬ素子上に密着して形成し、その浸入を抑えるという技術が開示されている（特許文献２参照）。有機ＥＬ素子が無機膜の厚さに対して影響ないほど薄い、あるいは平坦であれば問題は無いのだが、構造物やごみなどの異物が存在する場合、無機膜単層だと、膜に欠陥が生じ、その欠陥から水蒸気や酸素などが浸入し、ダークスポットの発生につながる。その問題を回避するために欠陥部を被覆するバッファ層を第２電極と無機膜の間に挿入するという封止層技術が提案されている（特許文献３参照）。
　また、封止層に用いる材料としては、ポリパラキシリレン（いわゆるパリレン）あるいはその誘導体が欠陥を完全に被覆できる材料として好適であると示唆されている（特許文献４、５参照）。
特開平０９－１４８０６６公報 特開２０００－７７１８３公報 特開平１０－３１２８８３公報 特開平４－１３７４８３公報 特開平７－０１４６７５公報
　ポリパラキシリレン類は、例えばモノマガスを用いる蒸着重合法で成膜され、常温で成膜でき、どんな微細な隙間にまで、ガスが入り込んで硬化し、薄膜も０．５～２５μｍ、しかも１～１０ｎｍ単位で膜厚コントロールができる。
　ポリパラキシリレン膜は電気的特性、機械的特性、ガスバリア性、耐薬品性に優れており、均一な膜厚でピンホールの無い薄膜被覆が、特に微細、複雑な部品形状へのコーティングが可能であり、絶縁、防湿、防錆、耐薬品などの目的に利用されている。
　しかしながら、発明者は、ポリパラキシリレン膜は被覆性が非常に優れているという特性のため、ポリパラキシリレンを成膜してほしくない部分にまで成膜されることがあり、所望部位のみに形成することが難しいという欠点が存在することに着目した。
　そこで、発明者は、かかる欠点を解消するために、基板マスキング構造を用いて、有機ＥＬ表示パネルを例にしてポリパラキシリレン膜による封止実験実施形態を行った。以下に、かかる実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造方法を図面を用いて説明する。
　図１は、得られるべき封止実験の有機ＥＬ表示パネルの部分拡大平面図を示す。有機ＥＬ表示パネルは、基板１０上にマトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子Ｄを備えたパッシブ駆動型である。
　有機ＥＬ表示パネルは、透明電極層を含む行電極の複数の第１電極１３と、その上の有機機能層１４と、その上の該行電極に交差する金属電極層を含む列電極の複数の第２電極１５（破線）と、その上のポリパラキシリレン膜を介したバリア膜１６が基板１０上に順次積層されて構成される。行電極の第１電極１３は、各々が帯状に形成されるとともに、所定の間隔をおいて互いに平行となるように配列されており、列電極も同様である。このように、マトリクス表示パネルは、複数の行と列の電極の交差点に形成された複数の有機ＥＬ素子Ｄの発光部からなる表示領域ＤＲを有している。第２電極１５はそれぞれ、後の工程で、その一部を重複させて引き出し接続部１９に接続される。引き出し接続部１９は有機ＥＬ素子への電圧印加やデータ書き込みのために外部電子回路と接続するための導電性膜である。
　第１電極１３及び第２電極１５は、有機ＥＬ素子の陽極もしくは陰極である。一方が陽極の場合は他方を陰極にとする。電極材料としては、既知の有機ＥＬ素子の陽極、陰極材料を用いることができ、光の取り出し側の電極に透光性材料を用いる。
　まず、図２に示すように略中央の表示領域ＤＲに第１電極１３を形成し、表示領域ＤＲの外側に、第２電極１５を外部電気回路に接続するための引き出し接続部１９を形成する。各第１電極１３の一方端部は引き出し接続部として表示領域ＤＲの外側に延在している。
　つぎに、図３及び図４に示すように、基板１０において後工程のポリパラキシリレンを成膜してほしくない部分（表示領域ＤＲの周囲、引き出し接続部１９）を覆うように、樹脂シートの基材ＲＳ及び接着材層ＡＬからなる着脱自在な接着テープＡＴを予め貼着する基板マスキング構造を作成する。
　つぎに、図５及び図６に示すように、表示領域ＤＲより多少広い形状の開口を有する所定のマスクＭ１を介して第１電極１３上に有機機能層１４を成膜する。
　つぎに、図７及び図８に示すように、表示領域ＤＲを画定するような第２電極１５形状の開口を有する所定の第２マスクＭ２を介して有機機能層１４上に第２電極１５を成膜する。
　つぎに、図９及び図１０に示すように、基板１０（表示領域ＤＲの第２電極１５およびその周囲の接着テープＡＴ）上の全面に一様にポリパラキシリレン膜ＰＰＸを蒸着重合して成膜する。
　つぎに、図１１及び図１２に示すように、ポリパラキシリレン成膜後、該接着テープを基板１０から剥がし所望の表示領域ＤＲを覆う部分にポリパラキシリレン膜ＰＰＸを残す。しかし、接着テープの上にもポリパラキシリレン膜ＰＰＸが成膜され、ポリパラキシリレン膜ＰＰＸのステップカバレージ（着きまわり性）が良いため、ポリパラキシリレン膜ＰＰＸエッジが接着テープエッジできれいにはがれず、ポリパラキシリレン膜ＰＰＸエッジがガタガタになりバリなど膜に浮きが出たりする不具合が起こる。
　その後、図１３及び図１４に示すように、表示領域ＤＲより多少広い形状の開口を有する所定の第３マスクＭ３を介して無機膜（バリア膜）１６を成膜すると、無機膜が表示領域ＤＲエッジに行き渡らない欠陥を生じ非発光部の発生を生じるなどの問題があったことが、分かった。
　このように、発明者は、ポリパラキシリレン膜などの蒸着重合膜は被覆性が非常に優れているという特性のため、蒸着重合膜がほしくない部分にまで成膜されることがあり、所望部位のみに形成することが非常に難しいという欠点が存在することを、発見した。
　本発明の解決しようとする課題には、ポリパラキシリレンなどの蒸着重合膜の成膜において適確に所望部位のみに形成することができるパターン形成方法を提供することも一例として挙げられる。
　本発明のパターン形成方法は、基板と前記基板に搭載された素子（配線、有機ＥＬ素子、有機トランジスタなどを含む）と前記素子を覆う蒸着重合膜とを含む電子デバイスの蒸着重合膜のパターン形成方法であって、
基板上に素子を形成する工程と、
前記素子を覆う蒸着重合膜を形成する工程と、
前記基板に蒸着材料を供給して前記蒸着重合膜を形成する工程と、
を含み、
前記蒸着重合膜を形成する工程の前に、前記蒸着重合膜のパターンを形成しない前記基板及び前記素子の部分に重合抑制膜を形成する工程と、
前記蒸着重合膜を形成する工程の後に、前記蒸着重合膜のパターンを形成しない前記基板及び前記素子の部分の前記重合抑制膜の少なくとも一部を前記基板から分離する工程と、をさらに含むことを特徴とする。
　これにより、重合抑制膜を所定の箇所に貼付することで、重合抑制膜以外の所望の箇所のみに蒸着重合膜が成膜され、バリのないバリア膜封止型の電子デバイスを得ることができる。
　本発明のパターン形成方法においては、前記重合抑制膜を形成する工程は、蒸着材料が供給される側の少なくとも一方の主面における少なくともエッジ部上に沿って前記重合抑制膜が形成されたシャドウマスクを、前記基板の前記蒸着重合膜のパターンを形成しない部分に接触させる工程、を含み、前記重合抑制膜の少なくとも一部を前記基板から分離する工程は、前記シャドウマスクを前記基板から分離する工程と、を含むことができる。
　これにより、重合抑制膜を所定の箇所に貼付することで、それ以外の所望の箇所のみに蒸着重合膜が成膜されたバリア膜封止型の電子デバイスを得ることができるとともに、シャドウマスクを剥がす際の蒸着重合膜の過剰な剥離や被覆部分が解消される。
　本発明のパターン形成方法においては、前記シャドウマスクの蒸着材料が供給される側の反対の主面に接着層が形成され、前記接着層を介して前記パターンを形成しない部分に接触させることができる。
　これにより、所望の箇所のみに蒸着重合膜が成膜されたバリア膜封止型の電子デバイスを得ることができる。
　本発明のパターン形成方法においては、前記シャドウマスクが磁性体からなり、磁石を、前記基板の前記シャドウマスクとは反対側に配置し、前記シャドウマスクを前記基板の前記蒸着重合膜のパターンを形成しない部分に接触させることができる。
　本発明のパターン形成方法においては、前記シャドウマスクの前記エッジ部の側壁面に沿って前記重合抑制膜が形成されることができる。これにより、シャドウマスクの剥離促進効果も得られる。
　本発明のパターン形成方法においては、前記シャドウマスクの前記エッジ部の断面が逆テーパ形状とすることができる。このパターン形成方法によれば、基板に搭載された素子と前記素子を覆う蒸着重合膜とを含む電子デバイスであって、前記蒸着重合膜の膜厚が漸次減少して膜厚が零となる周縁部を有する電子デバイスを製造できる。さらに、シャドウマスクの剥離促進効果も得られる。
　本発明のパターン形成方法においては、前記重合抑制膜を形成する工程は、前記基板の前記蒸着重合膜のパターンを形成しない部分のうちの引き出し接続部を覆うようにシャドウマスクを接触させる工程と、前記シャドウマスクの蒸着材料が供給される側の一方の主面および前記基板の前記蒸着重合膜のパターンを形成しない部分に前記重合抑制膜を形成する工程と、を含み、
前記重合抑制膜の少なくとも一部を前記基板から分離する工程は、前記シャドウマスクを前記基板から分離する工程と、を含むことができる。
　これにより、重合抑制膜を所定の箇所に貼付することで、それ以外の所望の箇所のみに蒸着重合膜が成膜されたバリア膜封止型の電子デバイスを得ることができるとともに、重合抑制膜を形成しても引き出し接続部に最後まで残ると接触不良やショートという悪影響が解消される。
　本発明のパターン形成方法においては、前記蒸着重合膜の上に無機膜を成膜する工程を、前記重合抑制膜の少なくとも一部を前記基板から分離する工程の前に、含むことができる。
　本発明のパターン形成方法においては、前記無機膜を成膜する工程と前記重合抑制膜の少なくとも一部を前記基板から分離する工程との間に、前記無機膜の上に第２の蒸着重合膜を成膜する工程を含むことができる。
　本発明のパターン形成方法においては、前記蒸着重合膜がポリパラキシリレンから構成できる。
　本発明のパターン形成方法においては、前記重合抑制膜が鉄または酸化鉄から構成できる。
　本発明のシャドウマスクは、基板と前記基板に搭載された素子と前記素子を覆う蒸着重合膜とを含む電子デバイスの蒸着重合膜のパターン形成方法におけるシャドウマスクであって、蒸着材料が供給される側の少なくとも一方の主面における少なくともエッジ部上に沿って重合抑制膜が形成されたことを特徴とする。
　本発明のパターン形成方法におけるシャドウマスクにおいては、前記蒸着材料が供給される側の反対の主面に接着層が形成されてもよい。
　本発明のパターン形成方法におけるシャドウマスクにおいては、前記磁性体からなり、磁石を、前記基板の前記シャドウマスクとは反対側に配置し、前記シャドウマスクを前記基板の前記蒸着重合膜のパターンを形成しない部分に接触させてもよい。
　本発明のパターン形成方法におけるシャドウマスクにおいては、前記エッジ部の側壁面に沿って前記重合抑制膜が形成されてもよい。
　本発明のパターン形成方法におけるシャドウマスクにおいては、前記エッジ部の断面が逆テーパ形状であってもよい。
　本発明のパターン形成方法におけるシャドウマスクにおいては、前記重合抑制膜が鉄または酸化鉄から構成できる。
有機ＥＬ表示パネルの部分拡大平面図である。 本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程におけるシャドウマスクの概略一部切欠斜視図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程におけるシャドウマスクの概略一部切欠斜視図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略断面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の概略平面図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程におけるシャドウマスクの概略一部切欠斜視図である。 本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程におけるシャドウマスクの概略一部切欠斜視図である。
符号の説明
　１０　基板
　１３　第１電極
　１４　有機機能層
　１５　第２電極
　１６　窒化シリコン膜
　１９　引き出し接続部
　ＰＰＸ　ポリパラキシリレン膜
　ＰＰＸ２　第２のポリパラキシリレン膜
　Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３　マスク
　ＤＲ　表示領域
　ＲＳ、ＳＵＳ　基材
　ＩＨ　重合抑制膜
　ＳＭ　シャドウマスク
　ＡＬ　接着材層
　ＡＴ　接着テープ
発明を実施するための形態
　以下に有機ＥＬ表示パネルを電子デバイスの例にして本発明の実施形態のパターン形成方法を図面を参照しつつ説明する。
　－－第１の実施形態－－
　－－蒸着重合膜に対する重合抑制膜を形成する工程－－
　まず、ポリパラキシリレンなどの蒸着重合膜について説明すると、ＣＶＤ（化学気相成長法）による蒸着重合膜は、ポリパラキシリレン重合膜はガス及び水蒸気透過性が極めて低く、不純物の混入が抑制でき、ピンホールの少ない、均一な膜を成膜できるので好ましい。
　例えば、ポリパラキシリレン蒸着重合膜においては、パラシクロファン化合物が６００～７００℃で加熱されると容易に分解し、これが、キシリレンラジカルとなり、被蒸着表面で重合し、そこで、ポリパラキシリレンからなる蒸着重合膜を形成する。パラシクロファン化合物としては、例えば、（２、２）－パラシクロファン、ジクロロ－（２、２）－パラシクロファン、テトラクロロ－（２、２）－パラシクロファン、テトラフルオロ－（２、２）－パラシクロファン、アミノ－（２、２）－パラシクロファンなどがある。
　また、キシレン樹脂は米国ユニオン・カーバイド社のパリレンＮ（ポリパラキシリレン）、パリレンＣ（ポリモノクロクロロパラキシリレン）、パリレンＤ（ポリジクロロパラキシリレン）などがある。ガス透過性が低い点でパリレンＣが好ましいが、ＳｉＮ膜をその上に成膜するので、パリレンＮでも十分である。ポリパラキシリレンなど蒸着重合膜はのガスを減圧下に熱分解することにより得られる。これらの例では、原料のジパラキシリレン系ダイマ（パラキシリレン２量体）を気化室に入れ１５０℃程度で加熱、昇華させて、加熱蒸発したダイマは減圧下で６５０ないし７００℃程度の高温熱分解室に導かれ、ここで反応性の高いモノマラジカル（パラキシリレン）とし、ラジカル化した蒸気が蒸着室内で常温下で被蒸着表面に接し、そこで重合して高分子膜（ポリパラキシリレン膜）を生成する。
また、ポリパラキシリレンまたはその誘導体（ポリパラキシリレン類ともいう）の重合度は、特に限定されないが、ｎ（繰り返し単位の数）＞５０００程度であるのがより好ましい。
　ポリパラキシリレン類の具体例としては、以下の式のものなどを挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　ポリパラキシリレンからなる蒸着重合膜の膜厚としては、０．０１μｍ～２５μｍが好ましい。
　なお、蒸着重合膜はプラズマ重合法でも成膜できる。プラズマ重合法は、有機分子をプラズマ状態になし、発生するラジカル種のカップリングによって重合させる成膜方法である。プラズマ重合によれば、モノマーは蒸気圧を持っていればビニル基のような特別な重合性基を必要とせず、得られた蒸着重合膜は緻密な薄膜となる。交流又は直流プラズマ重合装置によってプラズマ重合を行うことがきる。
　次に、重合抑制膜について説明すると、ここでポリパラキシリレンに対する重合抑制をなす重合抑制膜の材料としては、鉄あるいはその酸化物、ハロゲン化物、また塩化ルテニウムが挙げられる（Kathleen M. Vaeth, and Klavs F. Jensen, ”Selective Growth of Poly(p-phenylene vinylene) Prepared by Chemical Vapor Deposition”:Advanced Materials, 11, No. 10, p 814-820 (1999)、参照。なお、この文献ではリフトオフ法が提案されているが、水分などのアウトガスを用いるウエットプロセスなどのリフトオフ法では素子にダメージを与える不具合が起こる）。
　重合抑制膜を形成する工程としては、まず、図１５に示すように、ステンレスなどの基材ＲＳの枠体の片側主面に接着材の接着材層ＡＬが形成されているシャドウマスクＳＭを用意して、接着材が形成されている面とは別の面にＥＢ（電子ビーム）蒸着などの手法を用いて鉄または酸化鉄などの重合抑制膜ＩＨを成膜する。接着材層ＡＬと重合抑制膜ＩＨとの成膜順序は逆に重合抑制膜ＩＨを先にして接着材層ＡＬを後に形成してもよい。シャドウマスクＳＭの重合抑制膜ＩＨ側を上面、被蒸着側とする。シャドウマスクＳＭの枠形状は、基板において後工程のポリパラキシリレンを成膜してほしくない部分を覆うような全体形状ここでは、矩形開口形状に整形してあるが、これには限定されない。
　一方、図１６に示すように、基板１０において略中央の表示領域ＤＲに第１電極１３を形成し、表示領域ＤＲの外側に、第２電極（後工程）を外部電気回路に接続するための引き出し接続部１９を形成する。各第１電極１３の一方端部は引き出し接続部として表示領域ＤＲの外側に延在している。基板１０には、ガラスや樹脂を用いるのが一般的である。
　引き出し接続部１９は、後の工程で第２電極と重複するために所定の面積を有している。また、第１電極１３と同一材料で引き出し接続部１９を構成してそれらを同時に形成してもよいが、引き出し接続部１９は第１電極１３と異なる材料で、その形成は第１電極１３形成の前又は後に行ってもよい。引き出し接続部１９上面が接続部となる。引き出し接続部１９は、有機ＥＬ表示パネルやＬＣＤで用いられる既知の配線材料を用いることができる。
　つぎに、図１７及び図１８に示すように、基板１０において後工程のポリパラキシリレンを成膜してほしくない部分（表示領域ＤＲの周囲、引き出し接続部１９）を覆うように、重合抑制膜ＩＨを含むシャドウマスクＳＭを、接着材層ＡＬを介して所定の箇所に貼着する基板マスキング構造を作成する。
　－－基板に搭載された素子として有機ＥＬ素子を形成する工程－－
　つぎに、図１９及び図２０に示すように、表示領域ＤＲより多少広い形状の開口を有する所定のマスクＭ１を介して第１電極１３上に有機機能層１４を成膜する。なお、有機機能層１４は有機発光層を含む複数の積層からなっていてもよいが、ここでは単層としている。
　つぎに、図２１及び図２２に示すように、表示領域ＤＲを画定するような第２電極１５形状の開口を有する所定の第２マスクＭ２を介して有機機能層１４上に第２電極１５を成膜する。第２電極１５をパターニングする方法は、特に限定されないが、通常のフォトリソグラフィは溶液を用いるため、有機機能層１４に悪影響を及ぼす可能性が高い。よって、マスク蒸着や、マスクスパッタによってパターニングするのが好ましい。また、第１電極１３上に設けた隔壁によって、パターニングしてもよい。
　－－有機ＥＬ素子を覆う蒸着重合膜を形成する工程－－
　つぎに、図２３及び図２４に示すように、基板１０（表示領域ＤＲの第２電極１５およびその周囲のシャドウマスクＳＭ）上にポリパラキシリレン膜ＰＰＸを蒸着重合又はプラズマ重合して成膜する。しかし、重合抑制膜ＩＨ付シャドウマスク上にはポリパラキシリレン膜ＰＰＸが着かず、所望箇所の表示領域ＤＲの第２電極１５のみにポリパラキシリレン膜ＰＰＸが成膜される。
　このように、重合抑制膜ＩＨ付シャドウマスクを所定の箇所に貼付することで、それ以外の所望の箇所のみにポリパラキシリレン膜が成膜されたバリア膜封止型の有機ＥＬ素子を得ることができる。
　－－重合抑制膜の少なくとも一部を基板から分離する工程－－
　つぎに、図２５及び図２６に示すように、ポリパラキシリレン成膜後、シャドウマスクＳＭを基板１０から剥がし所望の表示領域ＤＲを覆う部分にポリパラキシリレン膜ＰＰＸを残す。基板の周縁部を覆うシャドウマスクＳＭが除去され、引き出し接続部１９の一部及び第１電極１３端部が外部接続用に露出する。ここで、重合抑制膜ＩＨによりシャドウマスクＳＭの上にポリパラキシリレン膜ＰＰＸが成膜されず、ポリパラキシリレン膜ＰＰＸエッジがシャドウマスクＳＭのエッジできれいに剥がれる。ポリパラキシリレン膜ＰＰＸエッジのバリなど膜に浮きが生じない。
　かかるバリ防止のために、上記重合抑制膜形成工程では、蒸着材料が供給される側の少なくとも一方の主面における少なくともシャドウマスクＳＭのエッジ部上に沿って重合抑制膜ＩＨが形成さればよいが、シャドウマスクＳＭ上面や側面にまで重合抑制膜ＩＨを成膜すると、蒸着材料の節約や、シャドウマスクＳＭの汚れの防止となる効果がある。
　このように、基板とは別部材のシャドウマスクＳＭに重合抑制膜ＩＨを形成しておいて、そのシャドウマスクをパネルの、ポリパラキシリレン膜を形成したくない部分に貼付しておき、ポリパラキシリレン膜形成後重合抑制膜ＩＨ付シャドウマスクを剥離することにより所望のエリアにポリパラキシリレン膜の浮きなどの不具合を生じることなく形成できる。
　ポリパラキシリレン膜パターニングに単なる接着テープなどを用いて被覆した場合、上記のように、テープ剥離時に、テープエッジ部分でポリパラキシリレン膜エッジがガタガタになったり、浮きが生じる不具合が起こる。それに対して、本実施形態ではポリパラキシリレン膜を形成したくない部分を覆うシャドウマスクに予めポリパラキシリレン膜の密着性が悪い重合抑制膜ＩＨを形成しているため、ポリパラキシリレン膜エッジがガタガタになったり浮きが生じることがなく、きれいにパターニングできる。
　その後、図２７及び図２８に示すように、表示領域ＤＲより多少広い形状の開口を有する所定の第３マスクＭ３を介して、窒化酸化シリコン、窒化シリコンなどの無機膜（バリア膜）１６を成膜する。
　本発明により、無機膜形成時にポリパラキシリレン膜エッジで段差ができないようにすることができ、保護効果がより確実になる。
　－－第２の実施形態－－
　－－蒸着重合膜に対する重合抑制膜を形成する工程－－
　まず、図２９に示すように、ステンレスなどの磁性体からなる基材ＳＵＳの枠体のシャドウマスクを用意して、その全表面に蒸着などの手法を用いて鉄または酸化鉄などの重合抑制膜ＩＨを成膜する。シャドウマスクＳＭの枠形状は、基板において後工程のポリパラキシリレンを成膜してほしくない部分を覆うような全体形状ここでは、矩形開口形状に整形してある。そして、シャドウマスクＳＭの断面形状のエッジ部分を逆テーパ状にして、後のポリパラキシリレン膜成膜工程において、ポリパラキシリレン膜断面エッジ形状が順テーパ状になるような補完形状又は反転形状に形成する。すなわち、かかるエッジ内壁形状は、ポリパラキシリレン蒸着重合膜がその膜厚が周縁に向け漸次減少して膜厚が零となる周縁部を有するように、形成される。ここで、シャドウマスクＳＭの逆テーパ断面形状とは、シャドウマスクＳＭの基板接触側からの厚さ方向おいて離れるに従ってマスク開口空間側に徐々に突出するオーバーハング形状をいい、階段状でもよい。
　次に、図３０に示すように、基板１０において略中央の表示領域ＤＲに第１電極１３を形成し、表示領域ＤＲの外側に、第２電極（後工程）を外部電気回路に接続するための引き出し接続部１９を形成する。
　つぎに、図３１及び図３２に示すように、基板１０において後工程のポリパラキシリレンを成膜してほしくない部分（表示領域ＤＲの周囲、引き出し接続部１９）を覆うように、重合抑制膜ＩＨを含むシャドウマスクＳＭを、所定の箇所に貼着する基板マスキング構造を作成する。その際、シャドウマスクＳＭを基板１０に貼付させる手段として、基板１０の裏側から電磁石又は永久磁石の磁石ＭＧを用いて密着させる。このように、磁石ＭＧを、基板１０のシャドウマスクＳＭとは反対側に配置し、シャドウマスクＳＭを蒸着重合膜のパターンを形成しない部分に接触させ、重合抑制膜ＩＨを含むシャドウマスクＳＭを、磁石ＭＧ及び磁性体基材ＳＵＳ間の磁力引力を介して所定の箇所に貼着する基板マスキング構造を作成する。また、上記とは逆に、シャドウマスクＳＭの基材ＳＵＳを磁石を含む枠体として、基板１０の裏側に磁性体材料からなる平板を配置してシャドウマスクＳＭを貼着する基板マスキング構造とすることもできる。
　－－基板に搭載された素子として有機ＥＬ素子を形成する工程－－
　つぎに、図３３及び図３４に示すように、表示領域ＤＲより多少広い形状の開口を有する所定のマスクＭ１を介して第１電極１３上に有機機能層１４を成膜する。
　つぎに、図３５及び図３６に示すように、表示領域ＤＲを画定するような第２電極１５形状の開口を有する所定の第２マスクＭ２を介して有機機能層１４上に第２電極１５を成膜する。
　－－有機ＥＬ素子を覆う蒸着重合膜を形成する工程－－
　つぎに、図３７及び図３８に示すように、基板１０（表示領域ＤＲの第２電極１５およびその周囲のシャドウマスクＳＭ）上にポリパラキシリレン膜ＰＰＸを蒸着重合又はプラズマ重合して成膜する。しかし、重合抑制膜ＩＨにより、所望箇所の表示領域ＤＲの第２電極１５のみにポリパラキシリレン膜ＰＰＸが成膜される。
　－－重合抑制膜の少なくとも一部を基板から分離する工程－－
　つぎに、図３９及び図４０に示すように、ポリパラキシリレン成膜後、磁石ＭＧ及びシャドウマスクＳＭを基板１０から剥がし所望の表示領域ＤＲを覆う部分にポリパラキシリレン膜ＰＰＸを残す。基板の周縁部を覆うシャドウマスクＳＭが除去され、引き出し接続部１９の一部及び第１電極１３端部が外部接続用に露出する。ここで、重合抑制膜ＩＨによりシャドウマスクＳＭの上にポリパラキシリレン膜ＰＰＸが成膜されず、ポリパラキシリレン膜ＰＰＸエッジがシャドウマスクＳＭのエッジできれいに剥がれる。ポリパラキシリレン膜ＰＰＸエッジのバリなど膜に浮きが生じない。さらに、ポリパラキシリレン膜ＰＰＸの断面エッジ形状が順テーパ状になる。すなわち、ポリパラキシリレン膜ＰＰＸは、その膜厚が周縁に向け漸次減少して膜厚が零となる周縁部を有するようになる。
　その後、図４１及び図４２に示すように、表示領域ＤＲより多少広い形状の開口を有する所定の第３マスクＭ３を介して無機膜（バリア膜）１６を成膜する。
　かかる本実施形態によれば、得られたポリパラキシリレン膜の断面順テーパエッジ形状がシャドウマスクＳＭの剥離を促進する効果もある。すなわち、シャドウマスクＳＭのエッジ部の側壁面に沿って重合抑制膜ＩＨが形成されているので、シャドウマスクＳＭの剥離促進効果があるに加えて、シャドウマスクＳＭのエッジ部の断面が逆テーパ形状であるので、シャドウマスクの更にきれいな離型性が達成される。
　さらに、シャドウマスクＳＭの再利用も或る程度可能となる。
　また、本実施形態によれば、樹脂などの柔らかいフィルムを基板１０に用いた場合、磁石ＭＧ及び磁性体基材ＳＵＳ間の磁力引力で、ガラスなど透磁性材料補助基板（図示せず）を介在させて固定することができるので、ガラス基板より扱い難いフィルム基板をガラス基板と同等に取り扱いすることができ、フィルム基板のパターニング工程における有機ＥＬ素子などの有機機能層の位置出しを容易かつ高精度に行うことが可能となるとともに、フレキシブルなフィルム有機ＥＬ素子表示パネルの製造歩留まりを上げることが可能となる。
　なお、上記第１及び第２の実施形態において、シャドウマスクＳＭは第２電極成膜後に貼付してもよい。
　－－第３の実施形態－－
　まず、図４３及び図４４に示すように略中央の表示領域ＤＲに第１電極１３（その一方端部は表示領域ＤＲの外側に延在している）を形成し、表示領域ＤＲの外側に、第２電極１５を外部電気回路に接続するための引き出し接続部１９を形成する。
　基板１０において後工程のポリパラキシリレンを成膜してほしくない部分（第１電極１３の一方端部、引き出し接続部１９）を覆うように、樹脂シートの基材ＲＳ及び接着材層ＡＬからなる着脱自在な接着テープＡＴを予め貼着する基板マスキング構造を作成する。
　つぎに、図４５及び図４６に示すように、表示領域ＤＲの周囲に重合抑制膜ＩＨを成膜する。すなわち、表示領域ＤＲの第１電極１３を除き、重合抑制膜ＩＨを第１電極１３の一方端部及び引き出し接続部１９上の接着テープＡＴと基板周縁部に直接成膜する。
　導電性の引き出し配線上にはポリパラキシリレン膜が形成されないようにする必要があるので、鉄やルテニウムなどの金属か、その酸化物またはハロゲン化物などの重合抑制膜ＩＨをあらかじめ形成しておく必要があるが、鉄やルテニウムなどの金属の重合抑制膜ＩＨを直接形成すると隣接する引き出し配線がショートしてしまうという不都合がある。鉄やルテニウムなどの金属の酸化物またはハロゲン化物などを成膜しておけば、導電性がないので、ショートは防げる。
　つぎに、図４７及び図４８に示すように、表示領域ＤＲより多少広い形状の開口を有する所定のマスクＭ１を介して第１電極１３上に有機機能層１４を成膜する。
　つぎに、図４９及び図５０に示すように、表示領域ＤＲを画定するような第２電極１５形状の開口を有する所定の第２マスクＭ２を介して有機機能層１４上に第２電極１５を成膜する。
　つぎに、図５１及び図５２に示すように、基板１０（表示領域ＤＲの第２電極１５およびその周囲の重合抑制膜ＩＨ）上にポリパラキシリレン膜ＰＰＸを蒸着重合又はプラズマ重合して成膜する。しかし、重合抑制膜ＩＨ上にはポリパラキシリレン膜ＰＰＸが着かず、所望箇所の表示領域ＤＲの第２電極１５のみにポリパラキシリレン膜ＰＰＸが成膜される。
　このように、重合抑制膜ＩＨを所定の箇所に成膜することで、それ以外の所望の箇所のみにポリパラキシリレン膜が成膜されたバリア膜封止型の有機ＥＬ素子を得ることができる。
　つぎに、図５３及び図５４に示すように、表示領域ＤＲより多少広い形状の開口を有する所定の第３マスクＭ３を介して無機膜（バリア膜）１６を成膜する。
　ポリパラキシリレン成膜後、図５５及び図５６に示すように、重合抑制膜ＩＨの一部を担持する接着テープＡＴ（第１電極１３の一方端部及び引き出し接続部１９）を基板１０から剥がし所望の表示領域ＤＲを覆う部分にポリパラキシリレン膜ＰＰＸを残す。基板の周縁部のポリパラキシリレンを成膜してほしくない部分を覆う接着テープＡＴが除去され、引き出し接続部１９の一部及び第１電極１３端部が外部接続用に露出する。
　このように、ポリパラキシリレン膜ＰＰＸのパターンを形成しない基板１０及び第１電極１３の部分の重合抑制膜ＩＨの少なくとも一部を基板１０から分離することにより、重合抑制膜ＩＨ上にはポリパラキシリレン膜ＰＰＸがないため、接着テープエッジで重合抑制膜ＩＨがきれいにはがれ、ポリパラキシリレン膜ＰＰＸのバリなど生じない。引き出し接続部１９などに接着テープＡＴでマスクをしておけば、重合抑制膜ＩＨを剥離しなくてもよい。
　本発明により、無機膜形成時にポリパラキシリレン膜エッジで段差ができないようにすることができ、重合抑制膜ＩＨが残るため保護効果がより確実になる。
　－－第４の実施形態－－
　上記第３の実施形態の図４４～図５３に示す工程の後に、図５７及び図５８に示すように、接着テープＡＴを剥がさずに、基板１０（表示領域ＤＲの第２電極１５およびその周囲の重合抑制膜ＩＨ）上の無機膜１６上に第２のポリパラキシリレン膜ＰＰＸ２を蒸着重合又はプラズマ重合して成膜する。しかし、重合抑制膜ＩＨ上にはポリパラキシリレン膜ＰＰＸが着かず、所望箇所の表示領域ＤＲの第２電極１５のみにポリパラキシリレン膜ＰＰＸが成膜される。
　第２のポリパラキシリレン成膜後、図５９及び図６０に示すように、重合抑制膜ＩＨの一部を担持する接着テープＡＴ（第１電極１３の一方端部及び引き出し接続部１９）を基板１０から剥がし所望の表示領域ＤＲを覆う部分にポリパラキシリレン膜ＰＰＸを残す。基板の周縁部のポリパラキシリレンを成膜してほしくない部分を覆う接着テープＡＴが除去され、引き出し接続部１９の一部及び第１電極１３端部が外部接続用に露出する。
　このように、無機膜１６の成膜後に機械的保護目的の第２のポリパラキシリレン膜ＰＰＸ２で成膜する際、第１のポリパラキシリレン膜ＰＰＸ成膜時に使用された重合抑制膜ＩＨを今回も再利用できる。重合抑制膜ＩＨを所定の箇所に成膜することで、それ以外の所望の箇所のみに無機膜及びポリパラキシリレン膜が交互成膜された多層バリア膜封止型の有機ＥＬ素子を得ることができる。無機膜の上に更にポリパラキシリレン膜を成膜する際、以前成膜した重合抑制膜ＩＨによってポリパラキシリレン膜の成膜領域が確定される。
　なお、上記いずれの実施形態において、有機ＥＬ素子の有機機能層１４を単層として説明しているが、赤色Ｒ、緑色Ｇ及び青色Ｂの３原色発光のための複数種類の有機機能層を有する有機ＥＬ素子の複数を透明基板上にマトリクス状に配置し適宜結線することで有機ＥＬフルカラー表示装置を構成することもできる。有機ＥＬ素子に用いられる有機材料は、湿気、酸素などを嫌うので、ウェットプロセスが利用できない。このため、ＲＧＢの有機機能層の塗り分け法としては一般に、真空中でマスクを移動して蒸着を行う方法が利用されることになる。
　発光層を含む１以上の有機機能層１４は、例えば、陽極の第１電極１３から陰極の第２電極１５へ順に積層されたホール注入層／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層のそれぞれの機能を持つ複数の機能有機材料の膜からなる。さらに、ホール輸送層及び発光層間に電子ブロック層を、発光層及び電子輸送層にホールブロック層を設けることもできる。なお、発光層を除き、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層、電子ブロック層及びホールブロック層のいずれかは省略してもよい。各々の有機機能層１４は、通常、有機物からなり、更に、低分子、デンドリマー高分子の有機物からなる場合がある。低分子の有機物からなる有機機能層１４は一般に蒸着法などのドライプロセス（真空プロセス）によって、高分子やデンドリマーの有機物からなる有機機能層１４は一般に塗布法によって、それぞれ形成されるのが一般的である。有機機能層１４に用いられる発光層などの材料には、Ｐ型やＮ型の有機半導体、もしくはバイポーラ性の有機半導体を用いることが多い。しかし、素子を高性能化するために有機機能層１４の一部を、導電性の有機物で形成してもよい。例えば、有機機能層１４に用いる導電性高分子材料として、ＰＥＤＯＴ（poly(3,4-ethylene dioxythiophene)）、ポリアニリン、ボリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリアルキルフェニレン、ポリアセチレン誘導体、などが挙げられている。
　なお、上記いずれの実施形態において基板１０上には、予め有機ＥＬ素子を駆動するためのトランジスタなどの素子、カラーフィルタ、色変換層などを設けておいて、その後に第１電極１３を形成してもよい。
　上記いずれの実施形態においてパッシブ駆動型のパネルを説明したが、アクティブ駆動型のパネルをために、駆動トランジスタや、第１電極１３のパターンを発光部に対応した島状としてもよい。
　さらに、基板上の第１電極１３の形成後に、第２電極１５のパターニングに用いる隔壁を形成してもよいし、発光部（画素）のギャップ部分に絶縁膜を形成してもよい。
　このように、本発明によれば、ポリパラキシリレン膜をバッファ層又はその一部に用いたバリア膜封止型の有機ＥＬ素子に関して、好適にポリパラキシリレンを選択成膜することができ、ポリパラキシリレンの重合抑制膜ＩＨが素子に悪影響を与えない構造の有機ＥＬ素子を提供できる。また、本発明の実施形態は有機ＥＬ素子に関して記載されているが、有機ＥＬ素子のみに適用されるだけではなく、基板上の配線、有機ＥＬ素子、有機無機を問わずトランジスタなど蒸着重合膜のパターニングが必要な全ての電子デバイスに適用可能であるのはもちろんである。
　さらに、第１の実施形態の図１５に示すシャドウマスクＳＭの基材ＲＳの断面形状は矩形であるが、他の実施形態では図６１に示すように、エッジ部分を逆テーパ状にしてもよい。これにより、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
　また、第２の実施形態の図２９に示すシャドウマスクＳＭの基材ＲＳの断面形状は逆テーパ状であるが、他の実施形態では図６２に示すように、エッジ部分を矩形にしてもよい。これによっても、第１の実施形態と同様の効果は得ることができる。

Claims (17)

  1. 　基板と前記基板に搭載された素子と前記素子を覆う蒸着重合膜とを含む電子デバイスの蒸着重合膜のパターン形成方法であって、
    基板上に素子を形成する工程と、
    前記素子を覆う蒸着重合膜を形成する工程と、
    前記基板に蒸着材料を供給して前記蒸着重合膜を形成する工程と、
    を含み、
    前記蒸着重合膜を形成する工程の前に、前記蒸着重合膜のパターンを形成しない前記基板及び前記素子の部分に重合抑制膜を形成する工程と、
    前記蒸着重合膜を形成する工程の後に、前記蒸着重合膜のパターンを形成しない前記基板及び前記素子の部分の前記重合抑制膜の少なくとも一部を前記基板から分離する工程と、をさらに含むことを特徴とするパターン形成方法。
  2. 前記重合抑制膜を形成する工程は、蒸着材料が供給される側の少なくとも一方の主面における少なくともエッジ部上に沿って前記重合抑制膜が形成されたシャドウマスクを、前記基板の前記蒸着重合膜のパターンを形成しない部分に接触させる工程、を含み、
    前記重合抑制膜の少なくとも一部を前記基板から分離する工程は、前記シャドウマスクを前記基板から分離する工程と、を含むことを特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。
  3. 前記シャドウマスクの蒸着材料が供給される側の反対の主面に接着層が形成され、前記接着層を介して前記パターンを形成しない部分に接触させることを特徴とする請求項２記載のパターン形成方法。
  4. 前記シャドウマスクが磁性体からなり、磁石を、前記基板の前記シャドウマスクとは反対側に配置し、前記シャドウマスクを前記基板の前記蒸着重合膜のパターンを形成しない部分に接触させることを特徴とする請求項２記載のパターン形成方法。
  5. 前記シャドウマスクの前記エッジ部の側壁面に沿って前記重合抑制膜が形成されたことを特徴とする請求項２～４のいずれか１記載のパターン形成方法。
  6. 前記シャドウマスクの前記エッジ部の断面が逆テーパ形状であることを特徴とする請求項２～５のいずれか１記載のパターン形成方法。
  7. 前記重合抑制膜を形成する工程は、前記基板の前記蒸着重合膜のパターンを形成しない部分のうちの引き出し接続部を覆うようにシャドウマスクを接触させる工程と、前記シャドウマスクの蒸着材料が供給される側の一方の主面および前記基板の前記蒸着重合膜のパターンを形成しない部分に前記重合抑制膜を形成する工程と、を含み、
    前記重合抑制膜の少なくとも一部を前記基板から分離する工程は、前記シャドウマスクを前記基板から分離する工程と、を含むことを特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。
  8. 前記蒸着重合膜の上に無機膜を成膜する工程を、前記重合抑制膜の少なくとも一部を前記基板から分離する工程の前に、含むことを特徴とする請求項７記載のパターン形成方法。
  9. 前記無機膜を成膜する工程と前記重合抑制膜の少なくとも一部を前記基板から分離する工程との間に、前記無機膜の上に第２の蒸着重合膜を成膜する工程を含むことを特徴とする請求項８記載のパターン形成方法。
  10. 前記蒸着重合膜がポリパラキシリレンからなることを特徴とする請求項１～９のいずれか１記載のパターン形成方法。
  11. 前記重合抑制膜が鉄または酸化鉄からなることを特徴とする請求項１０記載のパターン形成方法。
  12. 　基板と前記基板に搭載された素子と前記素子を覆う蒸着重合膜とを含む電子デバイスの蒸着重合膜のパターン形成方法におけるシャドウマスクであって、蒸着材料が供給される側の少なくとも一方の主面における少なくともエッジ部上に沿って重合抑制膜が形成されたことを特徴とするシャドウマスク。
  13. 前記蒸着材料が供給される側の反対の主面に接着層が形成されたことを特徴とする請求項１２記載のシャドウマスク。
  14. 前記磁性体からなり、磁石を、前記基板の前記シャドウマスクとは反対側に配置し、前記シャドウマスクを前記基板の前記蒸着重合膜のパターンを形成しない部分に接触させることを特徴とする請求項１２記載のシャドウマスク。
  15. 前記エッジ部の側壁面に沿って前記重合抑制膜が形成されたことを特徴とする請求項１２～１４のいずれか１記載のシャドウマスク。
  16. 前記エッジ部の断面が逆テーパ形状であることを特徴とする請求項１２～１５のいずれか１記載のシャドウマスク。
  17. 前記重合抑制膜が鉄または酸化鉄からなることを特徴とする請求項１２～１６のいずれか１記載のシャドウマスク。
PCT/JP2008/052656 2008-02-18 2008-02-18 パターン形成方法及びシャドウマスク WO2009104241A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2008/052656 WO2009104241A1 (ja) 2008-02-18 2008-02-18 パターン形成方法及びシャドウマスク
JP2009554148A JPWO2009104241A1 (ja) 2008-02-18 2008-02-18 パターン形成方法及びシャドウマスク

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2008/052656 WO2009104241A1 (ja) 2008-02-18 2008-02-18 パターン形成方法及びシャドウマスク

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2009104241A1 true WO2009104241A1 (ja) 2009-08-27

Family

ID=40985136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2008/052656 WO2009104241A1 (ja) 2008-02-18 2008-02-18 パターン形成方法及びシャドウマスク

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2009104241A1 (ja)
WO (1) WO2009104241A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011249301A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置およびその製造方法
JP2015159083A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 株式会社デンソー 有機ｅｌ装置の製造方法
KR20170002148A (ko) * 2015-06-29 2017-01-06 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
JPWO2015029608A1 (ja) * 2013-08-28 2017-03-02 シャープ株式会社 エレクトロルミネッセンス装置、及びその製造方法
WO2017090266A1 (ja) * 2015-11-25 2017-06-01 住友化学株式会社 有機デバイスの製造方法及び有機デバイス用基板
WO2018179263A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 表示装置の製造方法、蒸着用マスク及びアクティブマトリクス基板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04333568A (ja) * 1991-05-10 1992-11-20 Res Dev Corp Of Japan 薄膜製造方法と薄膜デバイス
JPH0551729A (ja) * 1991-08-22 1993-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 合成樹脂薄膜のパターン作成方法
JP2007005189A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Tokki Corp 有機膜形成用マスク，封止膜形成装置並びに封止膜の形成方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282240A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
JP2007234325A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Komatsu Seiren Co Ltd 有機電界発光素子及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04333568A (ja) * 1991-05-10 1992-11-20 Res Dev Corp Of Japan 薄膜製造方法と薄膜デバイス
JPH0551729A (ja) * 1991-08-22 1993-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 合成樹脂薄膜のパターン作成方法
JP2007005189A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Tokki Corp 有機膜形成用マスク，封止膜形成装置並びに封止膜の形成方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
VAETH K.M. ET AL.: "Selective Growth of Poly(p-phenylene vinylene)prepared by Chemical Vapor Deposition", ADV. MATER., vol. 11, no. 10, 1999, pages 814 - 820 *

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011249301A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置およびその製造方法
US8795018B2 (en) 2010-05-28 2014-08-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
JPWO2015029608A1 (ja) * 2013-08-28 2017-03-02 シャープ株式会社 エレクトロルミネッセンス装置、及びその製造方法
US9843013B2 (en) 2013-08-28 2017-12-12 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescent device and method for manufacturing same
JP2015159083A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 株式会社デンソー 有機ｅｌ装置の製造方法
KR20170002148A (ko) * 2015-06-29 2017-01-06 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102394433B1 (ko) * 2015-06-29 2022-05-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20230023699A (ko) * 2015-06-29 2023-02-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102628958B1 (ko) * 2015-06-29 2024-01-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
WO2017090266A1 (ja) * 2015-11-25 2017-06-01 住友化学株式会社 有機デバイスの製造方法及び有機デバイス用基板
JP2017098105A (ja) * 2015-11-25 2017-06-01 住友化学株式会社 有機デバイスの製造方法及び有機デバイス用基板
WO2018179263A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 表示装置の製造方法、蒸着用マスク及びアクティブマトリクス基板

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2009104241A1 (ja) 2011-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101137389B1 (ko) 플렉서블 디스플레이용 기판, 이를 제조하는 방법, 및 이 기판제조방법을 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP6016407B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置の製造方法
CN101930992B (zh) 显示装置
US10658438B2 (en) Organic light-emitting display apparatus comprising self-assembled layer containing fluorine and method of manufacturing the same
KR101117726B1 (ko) 플렉서블 디스플레이용 기판, 이를 제조하는 방법, 및 이 기판제조방법을 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP5384752B2 (ja) 蒸着膜の形成方法及び表示装置の製造方法
WO2009104241A1 (ja) パターン形成方法及びシャドウマスク
JP2007220646A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003282241A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
JP2005123012A (ja) 有機エレクトロルミネセンス表示パネルとその製造方法
JP2015187928A5 (ja)
JP2012119338A (ja) 電子デバイス
KR20130035899A (ko) 발광 장치의 제조 방법
JP4520997B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス表示パネル及びその製造方法
KR20120112043A (ko) 유기 발광장치의 제조방법
WO2004107821A1 (ja) 有機エレクトロルミネセンス表示パネル
JP3736179B2 (ja) 有機薄膜発光素子
WO2003081955A1 (fr) Panneau d'affichage organique a electroluminescence et son procede de production
JP2014232568A (ja) 有機ｅｌ装置
JP6789184B2 (ja) 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
JPWO2014162395A1 (ja) 発光装置
JP2005183209A (ja) 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
US11515504B2 (en) Display panel and display panel manufacturing method
JP2009193914A (ja) 電子デバイス
KR101550709B1 (ko) 플렉서블 디스플레이용 기판을 제조하는 방법, 및 이 기판제조방법을 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08711480

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009554148

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 08711480

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1