CN101930992B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示装置。以防止外部水分渗入显示区域并防止平坦化层剥离的方式来提高显示装置的可靠性。特别地,在包括含有布置在电路基板上的有机发光器件的显示区域的显示装置中,使器件隔离膜分隔的器件隔离膜分隔区域被设置在使平坦化层分隔的平坦化层分隔区域中,平坦化层的端部被器件隔离膜覆盖,在显示区域之上延伸的有机保护层的端部与平坦化层的位于器件隔离膜分隔区域外侧的部分和器件隔离膜的位于器件隔离膜分隔区域外侧的部分间隔开,并且,有机保护层和设置在显示区域中的器件隔离膜的端部被无机保护层覆盖。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及包含有机发光器件的显示装置。 
背景技术
近年来,鉴于节电和减小厚度,包含自发光有机电致发光器件的显示装置已受到许多关注。显示装置包含多个有机发光器件,所述多个有机发光器件布置于显示区域中,并且各包含一对电极和夹在其间的有机发光层。 
有机发光器件对于水分(moisture)和氧极其敏感。有机发光器件中的水分的存在导致劣化;由此,在有机发光器件中导致称为暗点(dark spot)的非发光区域并且/或者有机发光器件的发光效率降低。由于这种劣化导致显示功能的降低,因此使用以下的配置:其中具有高水分阻挡性能的密封基板与基板接合以覆盖显示区域使得防止水分和氧渗入有机发光器件的密封配置。 
出于增大光提取面积的百分比的目的,顶发射型有机发光显示装置处于开发之中。顶发射型有机发光显示装置包括含有薄膜晶体管(TFT)等的驱动电路和布置在驱动电路之上的有机发光器件。包含于有机发光器件中的层极薄,因此容易由于驱动电路造成的凹凸(irregularities)而被破坏。因此,通常以用由有机材料制成的平坦化层覆盖驱动电路的方式,使驱动电路造成的凹凸平坦化。 
平坦化层具有保护驱动电路免于在处理中受损的功能。为了省去基板表面中的不必要的空间,驱动电路被布置于基板之上并且平坦化层通常在基板之上延伸。 
当平坦化层在基板之上连续地延伸时,平坦化层具有延伸出密封基板外的露出部分,并且水分等渗入露出部分。渗入平坦化层的水分 等到达有机发光器件,以导致有机发光器件的劣化。如图5所示,日本专利公开No.2004-335267公开了如下技术:其中,通过部分地去除平坦化层而在显示区域周围设置分隔区域,并且使密封基板与基板的位于分隔区域外侧的部分接合。分隔区域被设置在平坦化层中,并且阻隔在平坦化层中延伸的水分路径;由此,可以防止有机发光器件被水分等劣化。 
日本专利公开No.2003-282240公开了用于保护有机发光器件免受水分影响的另一技术,即,其中用由有机材料制成的有机保护层覆盖显示区域并用无机保护层覆盖有机保护层、其周边(peripheral)部分及其周围部分的密封配置。在用有机保护层使在处理中附着于显示区域表面的夹杂物所导致的凹凸平坦化之后,用具有高水分阻挡性能的无机保护层覆盖有机保护层。因此,可减少由于表面凹凸而在无机保护层中导致的缺陷,从而导致无机保护层的水分阻挡性能的提高。 
发明内容
鉴于厚度减小、重量减小、成本降低,与使用密封基板的密封技术相比,使用包含有机保护子层和沉积于其上的无机保护子层的保护层的密封技术是更加优选的。在对包含在基板之上连续地延伸的平坦化层的显示装置进行密封的情况下,直接应用日本专利公开No.2003-282240中公开的技术在获得足够的密封性能方面不是有效的。这是因为,虽然显示区域被有机保护层覆盖并且有机保护层、其周边部分及其周围部分被无机保护层覆盖,但是,水分等通过平坦化层渗入显示区域。 
在日本专利公开No.2004-335267中公开的技术中,具有平坦化层的基板被密封,所述平坦化层具有分隔区域。如果有机保护层延伸越过分隔区域,那么水分等通过平坦化层和有机保护层渗入显示区域。蚀刻剂渗入与分隔区域接触的平坦化层的端部,因此平坦化层可能被剥离。这导致不能充分地保护驱动电路并且不能保证显示装置的显示性能的问题。 
本发明提供如下的显示装置。所述显示装置包括:包含驱动电路的电路基板;在驱动电路之上延伸的平坦化层;布置在平坦化层上的多个有机发光器件;包含有机发光器件的显示区域;设置在平坦化层上、具有与有机发光器件的发光区域对应的多个开口、并由有机材料制成的器件隔离膜;在显示区域之上延伸并由有机材料制成的有机保护层;在有机保护层之上延伸并由无机材料制成的无机保护层;将平坦化层分隔成设置在显示区域中的部分和设置在周边区域中的部分的平坦化层分隔区域;以及将器件隔离膜分隔成设置在显示区域中的部分和设置在周边区域中的部分的器件隔离膜分隔区域。器件隔离膜分隔区域被设置在平坦化层分隔区域中。平坦化层具有沿器件隔离膜分隔区域延伸并被器件隔离膜覆盖的端部。有机保护层与平坦化层的设置在周边区域中的部分和器件隔离膜的设置在周边区域中的部分间隔开。无机保护层在有机保护层的端部和设置在显示区域中的器件隔离膜的端部之上延伸。 
根据本发明,平坦化层的端部被器件隔离膜覆盖。由于器件隔离膜防止蚀刻剂等渗入平坦化层的端部从而防止平坦化层被剥离,因此可充分地保护驱动电路。有机保护层的端部与设置在水分阻隔区域外侧的平坦化层和器件隔离膜间隔开;由此,可以防止水分渗入由有机材料制成的部件。这使得能够制造其中防止有机发光器件被水分劣化、并且具有高的可靠性的显示装置。 
从参照附图对示例性实施例的以下描述,本发明的进一步的特征将变得明显。 
附图说明
图1A是根据本发明实施例的显示装置的平面图。 
图1B是沿图1A的线IB-IB获取的显示装置的截面图。 
图2A至2C是这里使用的平坦化层的布局的例子的示图。 
图3A是在例子2中制造的显示装置的平面图。 
图3B是沿图3A的线IIIB-IIIB获取的显示装置的截面图。 
图4是在比较例中制造的显示装置的部分截面图。 
图5是常规的显示装置的部分截面图。 
具体实施方式
现在描述本发明的实施例。特别地,参照图1A和图1B描述组件,然后描述组件的制造方法。 
图1A是根据本发明实施例的显示装置的平面图。图1B是沿图1A的线IB-IB获取的显示装置的截面图。显示装置包含其中布置多个有机发光器件的显示区域A。 
(电路基板) 
在本发明中,在由玻璃制成的绝缘支撑基板101上形成由无机材料制成的内涂层(undercoat layer)(未示出),使得TFT不受包含于绝缘支撑基板101中的杂质的负面影响。在内涂层上形成用于操作有机发光器件的驱动电路和外部连接端子112。这里使用的术语“驱动电路”指的是布置在显示区域A中以与有机发光器件对应的像素电路102、用于驱动像素电路102的周边电路103、或者像素电路102和周边电路103两者。像素电路102通过未示出的互连与周边电路103电连接。驱动电路可以是包含由多晶硅(以下称为p-Si)或单晶硅(以下称为a-Si)制成的TFT的有源矩阵电路。所述TFT可具有包含硅层、栅极氧化物层、层间绝缘层等的已知配置。具有驱动电路的绝缘支撑基板101在以下被简称为电路基板。可以以电路基板被由硅氮化物或二氧化硅制成的无机绝缘层覆盖的方式来提高所述TFT的可靠性。 
(平坦化层) 
在具有驱动电路的电路基板的表面上形成由丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂制成的平坦化层104。以从平坦化层104去除在显示区域A周围延伸并且不包含驱动电路的区域的方式,形成平坦化层分隔区域B。平坦化层分隔区域B将平坦化层104分隔成设置在显示区域A中的部分和设置在周边区域C中的部分。 
如图2A所示,平坦化层分隔区域B优选被设置在像素电路102和周边电路103之间。作为替代方案,如图2B所示,可形成平坦化层分隔区域B,使得显示区域A包含周边电路103中的一些,并且周边区域C包含其余的周边电路103。当如图2C所示的那样周边电路103不被布置在显示区域A四周、而是被布置在显示区域A周围的一部分中时,不需要在不包含周边电路的区域上形成平坦化层104。换句话说,在图2B或图2C所示的配置中,可在显示区域A周围的必要部分中形成平坦化层分隔区域B。但是,平坦化层104可形成为在不包含周边电路的区域上延伸,并且,可以在显示区域A四周形成平坦化层分隔区域B。 
在通过构图形成平坦化层分隔区域B之前,通过构图在平坦化层104的设置在显示区域A中的部分中形成多个接触孔111,所述多个接触孔111用于使像素电路102与后面形成的第一电极105电连接。 
(第一电极) 
第一电极105形成在平坦化层104上以与有机发光器件对应。第一电极105通过接触孔111与像素电路102连接。可以使用以下的材料来形成第一电极105:用于形成有机发光器件的电极的诸如Al、Ag、Au、ITO、IZO和ZnO的已知材料。 
(器件隔离膜) 
器件隔离膜106形成在平坦化层104和第一电极105上,以具有与有机发光器件的发光区域对应的开口。器件隔离膜106在第一电极105的端部和第一电极105周围的部分之上延伸,使得后面形成的有机化合物层不被第一电极105导致的凸起(bump)部分破坏。器件隔离膜106具有限定有机发光器件的发光区域的功能。如同平坦化层104那样,通过部分地去除器件隔离膜106,在显示区域A周围形成区域。 
当通过部分地去除器件隔离膜106形成的区域被设置在平坦化层分隔区域B中并且具有比平坦化层分隔区域B的宽度小的宽度时,沿平坦化层分隔区域B延伸的平坦化层104的端部被器件隔离膜106覆盖。在通过部分地去除器件隔离膜106形成的区域中,平坦化层104 和器件隔离膜106被部分地去除,因此,电路基板或无机绝缘层被部分地露出。通过部分地去除器件隔离膜106形成的区域在以下被称为器件隔离膜分隔区域B′。 
沿器件隔离膜分隔区域B′延伸的平坦化层104的端部被器件隔离膜106覆盖。因此,可防止以下的问题:蚀刻剂在器件隔离膜106的构图期间渗入平坦化层104的端部从而导致平坦化层104易于剥离的问题。并且,可以增强保护驱动电路的功能。 
器件隔离膜106优选由有机绝缘材料制成。有机绝缘材料的优选例子包括诸如丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂的树脂材料。当器件隔离膜106和平坦化层104由相同的材料制成时,由于平坦化层104在器件隔离膜106的蚀刻期间被蚀刻,因此平坦化层104优选被器件隔离膜106覆盖以被保护。 
(有机化合物层) 
在第一电极105上形成包含有机发光子层的有机化合物层107。除了有机发光子层以外,有机化合物层107还可包含诸如空穴注入子层、空穴输送子层、电子注入子层和电子输送子层的功能子层。可以使用已知的材料来形成包含于有机化合物层107中的子层。 
(第二电极) 
在有机化合物层107之上形成第二电极108,由此形成各被夹在一对电极之间的有机发光器件。第二电极108可由与用于形成第一电极105的材料相同的材料制成。为了提取从有机发光器件发射的光,第一电极105和第二电极108中的任一个或两个需要是透明的。因此,优选使用由ITO或IZO制成的导电氧化物膜、包含由Ag或Al制成的金属薄膜的半透明导电膜、或包含这样的膜的叠层,来形成通过其提取光的第一电极105或第二电极108。 
(保护层) 
在第二电极108上形成包含有机保护子层109和无机保护子层110的保护层。 
在形成保护层的步骤之前,通过几个构图步骤和真空沉积步骤在 电路基板上形成有机发光子层。其之上要形成保护层的表面具有由在这些步骤中产生的蚀刻残余物和从真空装置内壁剥离的膜的附着所导致的凹凸。凹凸之间的高度差依赖于制造真空装置的工艺和条件,并且通常为5μm或更小。如果凹凸仅被无机保护子层110覆盖,那么,当无机保护子层110具有小的厚度时,无机保护子层110不能充分地覆盖凹凸并具有水分从其通过的缺陷。如果出于充分地覆盖凹凸的目的无机保护子层110被形成为具有不比凹凸之间的高度差小的厚度,那么无机保护子层110可能由于向其施加的大应力而破裂,并且,制造节拍(tact)和成本增大。 
因此,通过在形成无机保护子层110之前形成有机保护子层109,使凹凸平坦化。有机保护子层109被形成为具有不比显示区域A中形成的凹凸之间的高度差小的厚度。考虑到在一般的制造步骤中导致的凹凸之间的高度差以及制造成本,有机保护子层109优选具有5μm至30μm的厚度。 
有机保护子层109具有设置在器件隔离膜分隔区域B′或显示区域A中、并且与平坦化层104和器件隔离膜106间隔开的端部。这是因为,如果有机保护子层109与平坦化层104或器件隔离膜106接触,那么水分通过平坦化层104或器件隔离膜106渗入有机保护子层109从而到达显示区域A,由此导致有机发光器件的劣化。 
由于有机保护子层109优选具有平滑表面,所述平滑表面具有小的凹凸,因此,优选使用以下的材料来形成有机保护子层109:可以以液态涂覆到基板并且然后可固化(cure)成固体的材料。该材料的例子包括聚烯烃树脂、聚醚树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂和有机硅树脂。 
有机保护子层109被无机保护子层110覆盖。无机保护子层110具有高的水分阻挡性能。无机保护子层110在比有机保护子层109宽的区域中形成,以与电路基板或无机绝缘层的在器件隔离膜分隔区域B′中露出的部分接触。以无机材料在器件隔离膜分隔区域B′中相互接触的方式阻隔水分路径,由此可以防止水分渗入有机发光器件。优选 使用硅氮化物、二氧化硅、其混合物、或叠层来形成无机保护子层110。由于有机保护子层109的表面是平滑和平坦的,因此,当无机保护子层110具有0.5μm至3μm的厚度时,无机保护子层110可防止水分的渗入。 
如图3B所示,可在形成有机保护子层109之前,在显示区域A中形成由具有高机械强度的材料制成的无机下层(underlayer)202。无机下层202的存在防止由用于形成有机保护子层109的材料的固化导致的收缩应力或在固化的材料中产生的应力传播到有机发光器件;由此,可以防止由剥落导致的缺陷。无机下层202的存在扩展了在形成有机保护子层109中有用的材料的固化收缩的范围或在有机保护子层109中产生的应力的范围。因此,存在可增加可使用的树脂材料的数量的优点。 
可以使用铝氧化物、硅氮化物和/或二氧化硅等来形成无机下层202。与无机保护子层110不同,无机下层202不需要具有防止水分等的渗入的功能。因此,无机下层202可具有约0.1μm至1μm的厚度。 
除了显示区域A以外,还可以在器件隔离膜分隔区域B′和周边区域C之上形成无机下层202。在将无机下层202形成在器件隔离膜分隔区域B′之上的情况下,无机下层202具有与电路基板或无机绝缘层接触、并且被设置在器件隔离膜分隔区域B′中的部分,并且,无机保护子层110具有与无机下层202接触的区域。在这种情况下,在器件隔离膜分隔区域B′中不存在有机材料,并且,器件隔离膜分隔区域B′具有其中无机材料相互接触的子区域;由此,可以防止水分渗入显示区域A。 
(制造方法) 
现在描述显示装置的制造方法。 
可以通过已知工艺在由玻璃等制成的绝缘支撑基板101上形成TFT、驱动电路和无机绝缘层。 
在空气中,使用旋涂机向具有驱动电路的电路基板的表面涂覆有机材料,并然后使所述有机材料固化,由此形成平坦化层104。通过 光刻去除在显示区域A周围延伸的平坦化层104的一部分,并且将平坦化层分隔区域B构图。在该步骤中,在平坦化层104的设置在显示区域A中的部分中形成接触孔111,使得接触孔111与像素电路102对应。 
以不影响平坦化层104的温度,通过诸如溅射工艺或气相沉积工艺的工艺来形成第一电极105。例如,通过溅射工艺形成包含Al层和ITO层的叠层,并且,通过光刻形成与有机发光器件对应的图案。第一电极105通过布置在平坦化层104中的接触孔111与像素电路102电连接。 
如同平坦化层104那样,利用旋涂机在电路基板之上形成器件隔离膜106,并然后通过光刻将器件隔离膜106构图。在器件隔离膜106中形成开口和器件隔离膜分隔区域B′。开口在第一电极105的端部之上延伸,并与有机发光器件的发光区域对应。器件隔离膜分隔区域B′被设置在平坦化层分隔区域B中。因此,通过部分地去除平坦化层104和器件隔离膜106形成的区域被设置在显示区域A周围,并且,沿器件隔离膜分隔区域B′延伸的平坦化层104的端部被器件隔离膜106覆盖。在器件隔离膜106被构图之后,通过退火从平坦化层104和器件隔离膜106去除水分,由此防止后面形成的有机发光器件被包含于平坦化层104或器件隔离膜106中的水分劣化。 
可使用已知材料通过气相沉积工艺、激光转印工艺、喷墨涂敷工艺或另一工艺形成有机化合物层107。在有机化合物层107通过气相沉积工艺被形成以取决于有机发光器件而具有不同厚度和/或包含不同材料的情况下,使用金属掩模。在形成有机化合物层107之后,在具有受控制的露点的气氛中执行步骤直到形成无机保护子层110,使得防止水分在所述步骤中渗入有机发光器件。 
有机保护子层109被形成为与平坦化层104的设置在周边区域C中的部分和器件隔离膜106的设置在周边区域C中的部分间隔开。形成有机保护子层109,使得设置在器件隔离膜分隔区域B′中的有机保护子层109的端部的位置比器件隔离膜分隔区域B′的外端接近显示区 域A。为了在预定位置处形成有机保护子层109的端部,考虑到涂敷单元的涂敷精度,利用绘图分配器(graphic dispenser)或通过丝网印刷工艺形成器件隔离膜分隔区域B′以使其具有大的宽度。器件隔离膜分隔区域B′的宽度的增加扩展了显示装置的框架(frame)。因此,优选使用高精度涂敷单元,使得器件隔离膜分隔区域B′具有20μm至200μm的宽度。 
作为用于确定有机保护子层109的端部的位置的技术,可以在有机保护子层109的端部的位置处设置三维结构。三维结构的例子包括沟槽、堤(dike)及其组合。因为三维结构用作对涂敷表面上的涂覆材料的扩展的抵抗并因此可在预定位置处阻止其扩展,所以三维结构的存在允许使用具有低粘度的树脂材料来形成有机保护子层109。在使用低粘度材料来形成有机保护子层109的情况下,优选使用多个三维结构。 
由于可以与器件隔离膜106或平坦化层104一起形成三维结构并且不需要附加的工艺或材料,因此优选使用用于形成器件隔离膜106的材料或用于形成平坦化层104的材料来形成三维结构。 
通过加热或UV照射,使用于形成有机保护子层109的涂覆材料固化。 
可以使用诸如等离子体增强化学气相沉积工艺或溅射工艺的沉积工艺,形成无机保护子层110或无机下层202。 
例子 
例子1 
现在参照图1A和图1B描述例子1。 
在具有100mm的长度、100mm的宽度和0.5mm的厚度的玻璃基板之上形成包含由p-Si制成的TFT的驱动电路,由此获得电路基板。在显示区域A中形成多个像素电路102,并且,在围绕显示区域A的周边区域C中形成用于驱动像素电路102的周边电路103。在电路基板上形成由SiN制成的无机绝缘层。 
利用旋涂机向无机绝缘层涂覆光致抗蚀剂型的紫外线可固化的丙 烯酸树脂。以具有用于形成接触孔111和平坦化层分隔区域B的图案的光掩模被置于丙烯酸树脂的涂层上的方式,用1800mW的照度(illuminance)将所述涂层曝光。涂层被显影并然后在200℃被后烘焙(post-bake),由此形成平坦化层104。平坦化层104具有接触孔111和平坦化层分隔区域B,并且还具有2μm的厚度。平坦化层分隔区域B被形成为从距显示区域A的周边向外间隔开350μm的距离的位置延伸并具有200μm的宽度。 
通过溅射工艺形成各包含叠层的第一电极105,所述叠层包含具有100nm的厚度的Al层和具有50nm的厚度的IZO层。第一电极105在具有平坦化层104的电路基板之上形成,并然后通过光刻被构图以与像素电路102对应。第一电极105通过接触孔111与像素电路102电连接。 
利用旋涂机在具有第一电极105的电路基板之上涂覆聚酰亚胺树脂,直到1.6μm的厚度。通过光刻去除聚酰亚胺树脂的位于像素的发光区域和器件隔离膜分隔区域B′中的部分,由此形成器件隔离膜106。形成器件隔离膜分隔区域B′,使得器件隔离膜106的端部被设置在与平坦化层分隔区域B的两个横向端部分开5μm并且位于平坦化层分隔区域B内侧的位置处。器件隔离膜分隔区域B′具有190μm的宽度。 
在具有150℃的温度和10-2Pa的压力的气氛中将具有器件隔离膜106的电路基板加热10分钟之后,在布置在显示区域A中的第一电极105上形成有机化合物层107。有机化合物层107包含由已知有机材料制成、通过电阻加热蒸发工艺形成、并且被层叠的空穴输送子层、有机发光子层、电子注入子层和电子输送子层。 
通过溅射工艺在有机化合物层107之上形成由IZO制成的第二电极108。第二电极108具有50nm的厚度,并在显示区域A之上延伸。 
通过使用硅氮化物的化学气相沉积工艺在显示区域A中形成无机下层202,以使其具有0.3μm的厚度。利用可从Musashi Engineering,Inc得到的精密绘图分配器SHOT MINI SL向无机下层202涂覆具有3000mPa·s的粘度的热可固化环氧树脂。以由分配器的排出端口描绘 的周边跟随器件隔离膜分隔区域B′的横向中心线的方式,向其涂覆环氧树脂。这允许环氧树脂的涂层的端部位于具有190μm的宽度的器件隔离膜分隔区域B′中。环氧树脂涂层在真空中在100℃固化15分钟,由此形成具有30μm的厚度的有机保护子层109。 
通过使用SiH4气体、N2气体和H2气体的等离子体增强化学气相沉积工艺,形成由硅氮化物制成的无机保护子层110。无机保护子层110具有1μm的厚度,并在有机保护子层109、器件隔离膜分隔区域B′和周边区域C之上延伸。 
如上面描述的那样制造显示装置,并然后在具有60℃的温度和90%的相对湿度的气氛中对其进行保存(storage)试验。作为实施保存试验1000小时的结果,没有观察到暗点。 
例子2 
图3A和图3B示出在本例子中制造的显示装置。图3A是显示装置的平面图。图3B是沿图3A的线IIIB-IIIB获取的显示装置的截面图。 
在本例子中,以与例子1中描述的方式相同的方式形成平坦化层分隔区域B。本例子与例子1的不同之处在于,器件隔离膜被双重分隔,并且使用保留于器件隔离膜分隔区域B′1和B′2之间的器件隔离膜部分作为用于确定有机保护子层的端部的位置的三维结构201。无机保护子层是通过化学气相沉积工艺形成的具有0.2μm的厚度的SiN层。由与图1中使用的附图标记相同的附图标记表示的部件与例子1中描述的部件相同,并且以与例子1中描述的方式相同的方式被形成。 
器件隔离膜分隔区域B′1和B′2具有40μm的宽度,并且相互间隔开20μm的距离。用于形成有机保护子层的材料被位于显示区域侧的器件隔离膜分隔区域B′2阻止,并且不扩展到器件隔离膜分隔区域B′1。 
在具有60℃的温度和90%的相对湿度的气氛中对完成的显示装置进行保存试验。作为实施保存试验1000小时的结果,没有观察到暗点。 
比较例 
除了有机保护子层109如图4所示的那样被形成为具有位于器件隔离膜分隔区域B′外侧的端部以外,以与例子1中描述的方式基本上相同的方式制造显示装置。在具有60℃的温度和90%的相对湿度的气氛下对显示装置进行保存试验。作为保存试验的结果,观察到约20个扩大的暗点。 
虽然已参照示例性实施例描述了本发明,但应理解,本发明不限于公开的示例性实施例。所附的权利要求的范围应被赋予最宽的解释,以包含所有这样的修改以及等同的结构和功能。 

Claims (4)

1.一种显示装置,包括:
包含驱动电路的电路基板;
在所述驱动电路之上延伸的平坦化层;
布置在所述平坦化层上的多个有机发光器件;
包含所述有机发光器件的显示区域;
设置在所述平坦化层上、具有与所述有机发光器件的发光区域对应的多个开口、并由有机材料制成的器件隔离膜;
在所述显示区域之上延伸并由有机材料制成的有机保护层;
在所述有机保护层之上延伸并由无机材料制成的无机保护层;
将所述平坦化层分隔成设置在所述显示区域中的部分和设置在周边区域中的部分的平坦化层分隔区域;以及
将所述器件隔离膜分隔成设置在所述显示区域中的部分和设置在所述周边区域中的部分的器件隔离膜分隔区域,
其中,所述器件隔离膜分隔区域设置在所述平坦化层分隔区域中,所述平坦化层具有沿所述器件隔离膜分隔区域延伸并被所述器件隔离膜覆盖的端部,所述有机保护层与所述平坦化层的设置在所述周边区域中的部分和所述器件隔离膜的设置在所述周边区域中的部分间隔开,并且,所述无机保护层在所述有机保护层的端部和设置在所述显示区域中的所述器件隔离膜的端部之上延伸。
2.根据权利要求1的显示装置,还包括用于确定所述有机保护层的端部的位置的三维结构。
3.根据权利要求2的显示装置,其中,所述三维结构由用于形成所述平坦化层或所述器件隔离膜的材料制成。
4.根据权利要求1的显示装置,还包括设置在包含于所述显示区域中的所述有机发光器件和所述有机保护层之间的无机下层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9312319B2 (en) 2012-12-07 2016-04-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode device and method for fabricating the same

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8766269B2 (en) 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
JP5341701B2 (ja) 2009-10-02 2013-11-13 キヤノン株式会社 表示装置およびデジタルカメラ
KR101842586B1 (ko) * 2011-04-05 2018-03-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101873476B1 (ko) 2011-04-11 2018-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101811027B1 (ko) 2011-07-07 2017-12-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101931177B1 (ko) * 2012-03-02 2018-12-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101879831B1 (ko) * 2012-03-21 2018-07-20 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 및 플렉시블 표시 장치용 원장 기판
WO2014017075A1 (ja) * 2012-07-26 2014-01-30 パナソニック株式会社 有機el装置
KR101937258B1 (ko) * 2012-09-04 2019-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101978783B1 (ko) * 2012-11-09 2019-05-15 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR101473309B1 (ko) 2012-11-29 2014-12-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR101473310B1 (ko) 2012-12-06 2014-12-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP6182985B2 (ja) 2013-06-05 2017-08-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
CN103353679B (zh) * 2013-06-20 2015-08-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的修复方法
JP6220208B2 (ja) * 2013-09-30 2017-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
KR102109661B1 (ko) * 2013-12-02 2020-05-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법
WO2015106951A1 (en) * 2014-01-14 2015-07-23 Koninklijke Philips N.V. Organic light emitting diode
WO2015136670A1 (ja) 2014-03-13 2015-09-17 パイオニア株式会社 発光装置
KR102209241B1 (ko) * 2014-07-08 2021-01-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6307384B2 (ja) * 2014-08-11 2018-04-04 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
WO2016027547A1 (ja) * 2014-08-19 2016-02-25 株式会社Joled 表示装置および電子機器
KR102317393B1 (ko) * 2014-10-17 2021-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP6412791B2 (ja) * 2014-12-18 2018-10-24 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR102462424B1 (ko) * 2014-12-30 2022-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102345004B1 (ko) * 2015-02-26 2021-12-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102396296B1 (ko) * 2015-03-06 2022-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US9991478B2 (en) * 2015-03-31 2018-06-05 Industrial Technology Research Institute Methods for fabricating an organic electro-luminescence device and flexible electric device
KR101763616B1 (ko) * 2015-07-29 2017-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN105206620B (zh) * 2015-08-27 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜封装结构及其制备方法、显示装置
CN105070743B (zh) * 2015-09-10 2018-05-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
KR102439506B1 (ko) 2015-10-16 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN105609532B (zh) * 2015-12-21 2019-11-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板
CN105489786B (zh) * 2016-02-29 2018-01-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 阵列基板的封装结构及封装方法、显示面板
JP6717700B2 (ja) * 2016-07-28 2020-07-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
CN109845406A (zh) * 2016-10-03 2019-06-04 夏普株式会社 有机el显示装置和有机el显示装置的制造方法
KR102383745B1 (ko) 2016-11-11 2022-04-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN206179906U (zh) * 2016-12-01 2017-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置
JP7002855B2 (ja) * 2017-04-05 2022-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2019064429A1 (ja) 2017-09-28 2019-04-04 シャープ株式会社 表示装置
US20200152910A1 (en) * 2017-09-29 2020-05-14 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN107731754B (zh) * 2017-10-23 2019-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置
CN207705199U (zh) * 2017-11-24 2018-08-07 昆山国显光电有限公司 显示器件
CN111357114B (zh) * 2017-12-11 2021-07-20 深圳市柔宇科技股份有限公司 Oled薄膜封装结构及显示模组
JP6975033B2 (ja) 2017-12-19 2021-12-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11800738B2 (en) * 2018-01-18 2023-10-24 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, method of manufacturing display device, apparatus for manufacturing a display device
JP2019125551A (ja) * 2018-01-19 2019-07-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
CN111837455B (zh) 2018-03-12 2023-06-13 夏普株式会社 显示装置
KR20200003328A (ko) 2018-06-29 2020-01-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2020017007A1 (ja) * 2018-07-19 2020-01-23 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
CN109461837A (zh) * 2018-10-17 2019-03-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled薄膜封装结构
KR102637116B1 (ko) * 2018-11-20 2024-02-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN109585680B (zh) * 2018-12-03 2020-04-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled面板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1551686A (zh) * 2003-05-08 2004-12-01 ������������ʽ���� 有机电场发光显示装置
CN101459193A (zh) * 2007-12-14 2009-06-17 佳能株式会社 有机el显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282240A (ja) 2002-03-25 2003-10-03 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
JP4278499B2 (ja) * 2003-12-01 2009-06-17 三菱電機株式会社 表示装置
JP4776949B2 (ja) * 2004-03-16 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2005317476A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
CN100524886C (zh) * 2004-12-24 2009-08-05 奥博特瑞克斯株式会社 有机el显示装置及其制造方法
US7936122B2 (en) * 2007-12-14 2011-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Organic EL display apparatus
WO2011016126A1 (ja) 2009-08-06 2011-02-10 キヤノン株式会社 表示装置
JP5341701B2 (ja) 2009-10-02 2013-11-13 キヤノン株式会社 表示装置およびデジタルカメラ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1551686A (zh) * 2003-05-08 2004-12-01 ������������ʽ���� 有机电场发光显示装置
CN101459193A (zh) * 2007-12-14 2009-06-17 佳能株式会社 有机el显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9312319B2 (en) 2012-12-07 2016-04-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode device and method for fabricating the same
US9525015B2 (en) 2012-12-07 2016-12-20 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode device and method for fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
US8159127B2 (en) 2012-04-17
JP5424738B2 (ja) 2014-02-26
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CN101930992A (zh) 2010-12-29
JP2011008969A (ja) 2011-01-13
KR20100138816A (ko) 2010-12-31

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