CN114551772A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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CN114551772A CN202111332886.6A CN202111332886A CN114551772A CN 114551772 A CN114551772 A CN 114551772A CN 202111332886 A CN202111332886 A CN 202111332886A CN 114551772 A CN114551772 A CN 114551772A
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成宇镛
徐政汉
宋昇勇
金湘甲
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Abstract

公开了一种显示装置及其制造方法，所述制造方法包括：准备基底；在基底中形成至少一个凹槽；在凹槽的内壁上形成抗氧化膜；在基底上形成第一无机层，并且在基底和第一无机层之间形成抗氧化膜。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示装置及其制造方法。例如，本公开的实施例涉及一种具有提高的可靠性的显示装置。
背景技术
在显示装置之中，包括有机发光二极管的有机发光显示装置具有低功耗、高亮度和高反应速度。然而，有机发光二极管易受湿气和/或氧的影响并且可能容易损坏。通过利用包括在有机发光显示装置中的无机层可以延迟或减少湿气和/或氧的渗透，但是无机层可能被湿气和/或氧氧化。当无机层被氧化并且湿气和/或氧渗透到有机发光二极管中时，显示装置的可靠性会劣化。
本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解，因此本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
本公开的一些实施例提供一种具有提高的可靠性的显示装置。
本公开的一些实施例提供了一种制造显示装置的方法。
根据本公开的实施例的制造显示装置的方法可以包括：准备具有孔区域、围绕孔区域的外围区域和围绕外围区域的显示区域的基底；形成至少一个与外围区域叠置的凹槽；在凹槽的内壁上形成抗氧化膜；以及在基底上形成与显示区域叠置的第一无机层。第一无机层可以与显示区域和外围区域叠置，并且抗氧化膜可以形成在基底和第一无机层之间。
根据实施例，凹槽的内壁可以包括凹槽的底表面和凹槽的侧壁，并且抗氧化膜可以接触底表面和侧壁。
根据实施例，可以利用包括与显示区域叠置的屏蔽部分和与外围区域叠置的开口部分的开口掩模来形成抗氧化膜。
根据实施例，形成抗氧化膜可以包括：形成与外围区域和显示区域叠置的初步抗氧化膜；在凹槽的内部中形成光致抗蚀剂图案；以及去除初步抗氧化膜的不与光致抗蚀剂图案叠置的部分。
根据实施例，在凹槽的内部中形成光致抗蚀剂图案可以包括形成与外围区域和显示区域叠置的初步光致抗蚀剂图案以及完全暴露初步光致抗蚀剂图案。
根据实施例，在凹槽的内部中形成光致抗蚀剂图案包括形成与外围区域和显示区域叠置的初步光致抗蚀剂图案以及部分暴露初步光致抗蚀剂图案。
根据实施例，所述方法还可以包括：形成与显示区域叠置的第一电极；在第一电极上形成与显示区域和外围区域叠置的有机发射层；在抗氧化膜和第一无机层之间形成虚设图案；以及在有机发射层和第一无机层之间形成第二电极。虚设图案可以与有机发射层一起形成。
根据实施例，虚设图案可以接触抗氧化膜。
根据实施例，抗氧化膜可以包括选自由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中的至少一种。
根据实施例，抗氧化膜可以包括选自由金属和金属氧化物组成的组中的至少一种。
根据实施例的显示装置可以包括：基底，具有孔区域、围绕孔区域的外围区域和围绕外围区域的显示区域，并且具有与孔区域叠置的贯穿孔和至少一个与外围区域叠置的凹槽；发射结构，位于基底上，与显示区域叠置，并且包括第一无机层；以及抗氧化膜，完全位于凹槽的内壁上。第一无机层可以与显示区域和外围区域叠置，抗氧化膜可以位于基底和第一无机层之间。
根据实施例，凹槽的内壁可以包括凹槽的底表面和凹槽的侧壁，并且抗氧化膜可以接触底表面和侧壁。
根据实施例，发射结构还可以包括第一电极、位于第一电极上的有机发射层以及位于有机发射层和第一无机层之间的第二电极。包括与有机发射层相同的材料的虚设图案可以位于抗氧化膜和第一无机层之间。
根据实施例，虚设图案可以接触抗氧化膜。
根据实施例，抗氧化膜可以包括选自由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中的至少一种。
根据实施例，抗氧化膜可以包括选自由金属和金属氧化物组成的组中的至少一种。
根据实施例，显示装置还可以包括至少部分位于贯穿孔内部的功能模块。
根据实施例的显示装置可以包括：基底，具有孔区域、围绕孔区域的外围区域和围绕外围区域的显示区域，并且具有与孔区域叠置的贯穿孔和至少一个与外围区域叠置的凹槽；发射结构，位于基底上，与显示区域叠置，并且包括第一无机层；以及抗氧化膜，位于凹槽的内部中并且具有暴露基底的开口。第一无机层可以与显示区域和外围区域叠置，并且抗氧化膜可以位于基底和第一无机层之间。
根据实施例，抗氧化膜可以围绕凹槽的内部的侧壁。
根据实施例，凹槽可以包括与开口叠置的第一区域和围绕第一区域的第二区域，抗氧化膜可以与第二区域叠置，并且不与显示区域和第一区域叠置。
因此，根据实施例的显示装置可以包括围绕凹槽的侧壁和/或内壁的抗氧化膜。抗氧化膜可以位于基底和包括在薄膜封装层中的无机层之间。抗氧化膜可以防止或减少湿气和/或氧渗透到无机层中。因此，抗氧化膜可以延迟或减少无机层的氧化。因为抗氧化膜可以延迟或减少无机层的氧化，所以可以提高显示装置的可靠性。
应当理解的是，前述一般描述和以下详细描述都描述了一些示例实施例的方面并且旨在提供对本公开的主题的进一步解释。
附图说明
附图示出了本公开的示例实施例，并且与描述一起用于解释根据本公开的实施例的方面，附图被包括以提供对本公开的主题的进一步理解并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。
图2是对应于图1的显示装置的显示区域的剖视图。
图3是示出根据实施例的显示装置的图1的区域A的放大视图。
图4是沿着图3的线I-I'截取的部分剖视图。
图5是图4的区域B的放大剖视图。
图6是图4的区域C的放大剖视图。
图7至图12是示出制造图3的显示装置的方法的剖视图。
图13是示出根据另一实施例的显示装置的放大视图。
图14是沿着图13的线II-II'截取的部分剖视图。
图15是图14的区域D的放大剖视图。
图16至图20是示出根据实施例的制造图13的显示装置的方法的剖视图。
图21至图28是示出根据另一实施例的制造图13的显示装置的方法的剖视图。
图29至图33是示出根据又一实施例的制造图13的显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
本公开的说明性的非限制性示例实施例将通过以下结合附图的详细描述而被更清楚地理解。
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。图2是对应于图1的显示装置的显示区域的剖视图。
参照图1，根据本公开的实施例的显示装置10可以具有孔区域HA、外围区域SA和显示区域DA。
在一个或更多个实施例中，显示区域DA可以被安置为围绕外围区域SA的至少一部分。多个像素可以位于显示区域DA中。像素中的每个可以包括至少一个晶体管TFT和至少一个有机发光二极管OLED。晶体管TFT可以向有机发光二极管OLED供应驱动电流，并且有机发光二极管OLED可以基于驱动电流发光。当像素发光时，可以在显示区域DA中显示图像。
在一个或更多个实施例中，外围区域SA和孔区域HA可以被定义为显示装置10的非显示区域。例如，外围区域SA可以被安置为围绕孔区域HA的至少一部分。
在一个或更多个实施例中，可以在孔区域HA中形成贯穿孔PNH。显示装置10可以包括与孔区域HA叠置的功能模块FM。功能模块FM的至少一部分可以在贯穿孔PNH内部。例如，功能模块FM可以是用于捕获(或识别)定位在显示装置10的前方的物体的图像的相机模块、用于检测用户的面部的面部识别传感器模块、用于检测用户的瞳孔的瞳孔识别传感器模块、用于确定显示装置10的移动的加速度传感器模块和/或地磁传感器模块、用于检测显示装置10的前方是否靠近(例如，靠近另一物体)的接近传感器模块和/或红外传感器模块、用于测量外部亮度的程度的照度传感器模块等。
在一个或更多个实施例中，可以在外围区域SA中形成多个凹槽。例如，外围区域SA可以是位于贯穿孔PNH的边界线与显示区域DA的边界线之间的区域。凹槽可以延迟或减少湿气和/或氧通过贯穿孔PNH流动到像素中的渗透。
在图1中，显示装置10具有矩形形状并且孔区域HA具有圆形形状，但是显示区域DA的形状和孔区域HA的形状不限于此。此外，可以限定一个或更多个孔区域HA(例如，可以设置多个孔区域HA)，并且孔区域HA的位置不限于显示装置10的上端。
参照图2，显示装置10可以包括基底SUB和发射结构LES。发射结构LES可以位于基底SUB上并且可以与显示区域DA叠置。发射结构LES可以包括第一缓冲层103、有源图案ACT、第一栅极绝缘层104、栅电极GAT、第一层间绝缘层105、源电极SE、漏电极DE、第一过孔绝缘层106、第一电极ADE、第一像素限定层107、第一有机发射层108、第二电极CTE、第一覆盖层109、第一保护层110、第一无机层111、封装有机层112和第二无机层113。
有源图案ACT、栅电极GAT、源电极SE和漏电极DE可以构成晶体管TFT。第一电极ADE、第一有机发射层108和第二电极CTE可以构成有机发光二极管OLED。第一无机层111、封装有机层112和第二无机层113可以构成薄膜封装层TFE。
基底SUB可以包括下有机层PI1、下阻挡层101、上有机层PI2和第一上阻挡层102。下阻挡层101可以位于下有机层PI1上，上有机层PI2可以位于下阻挡层101上，第一上阻挡层102可以位于上有机层PI2上。
下有机层PI1可以包括玻璃、石英、塑料等。在一个或更多个实施例中，下有机层PI1可以包括聚酰亚胺。上有机层PI2可以包括与下有机层PI1相同的材料。
下阻挡层101可以包括有机材料和/或无机材料。在一个或更多个实施例中，下阻挡层101可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)等。第一上阻挡层102可以包括与下阻挡层101相同的材料。
第一缓冲层103可以位于第一上阻挡层102上。例如，第一缓冲层103可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)等。第一缓冲层103可以防止或减少金属原子和/或杂质扩散到有源图案ACT中。此外，在用于形成有源图案ACT的结晶工艺期间，第一缓冲层103可以控制提供给有源图案ACT的热的速率(例如，可以控制热传递到有源图案ACT的速率)。
有源图案ACT可以位于第一缓冲层103上。在一个或更多个实施例中，有源图案ACT可以包括硅半导体。例如，有源图案ACT可以包括非晶硅、多晶硅等。
第一栅极绝缘层104可以位于第一缓冲层103上并且可以覆盖有源图案ACT。在一个或更多个实施例中，第一栅极绝缘层104可以包括绝缘材料。例如，第一栅极绝缘层104可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)等。
栅电极GAT可以位于第一栅极绝缘层104上。栅电极GAT可以与有源图案ACT叠置。响应于提供给栅电极GAT的栅极信号，信号和/或电压可以通过有源图案ACT传输。在一个或更多个实施例中，栅电极GAT可以包括金属、合金、金属氧化物、透明导电材料等。例如，栅电极GAT可以包括银(Ag)、含银的合金、钼(Mo)、含钼的合金、铝(Al)、含铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。
第一层间绝缘层105可以位于第一栅极绝缘层104上并且可以覆盖栅电极GAT。在一个或更多个实施例中，第一层间绝缘层105可以包括绝缘材料。例如，第一层间绝缘层105可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)等。
源电极SE和漏电极DE可以位于第一层间绝缘层105上。源电极SE和漏电极DE可以接触(例如，物理接触)有源图案ACT。在一个或更多个实施例中，源电极SE和漏电极DE可以均独立地包括金属、合金、金属氧化物、透明导电材料等。例如，源电极SE和漏电极DE可以均独立地包括银(Ag)、含银的合金、钼(Mo)、含钼的合金、铝(Al)、含铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。
第一过孔绝缘层106可以位于第一层间绝缘层105上并且可以覆盖源电极SE和漏电极DE。在一个或更多个实施例中，第一过孔绝缘层106可以包括有机绝缘材料。因此，第一过孔绝缘层106可以具有基本平坦的顶表面。例如，第一过孔绝缘层106可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等。
第一电极ADE可以位于第一过孔绝缘层106上。第一电极ADE可以接触(例如，物理接触)漏电极DE。在一个或更多个实施例中，第一电极ADE可以包括金属、合金、金属氧化物、透明导电材料等。例如，第一电极ADE可以包括银(Ag)、含银的合金、钼(Mo)、含钼的合金、铝(Al)、含铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。
第一像素限定层107可以位于第一过孔绝缘层106上。可以在第一像素限定层107中形成暴露第一电极ADE的开口。在一个或更多个实施例中，第一像素限定层107可以包括有机材料。例如，第一像素限定层107可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等。
第一有机发射层108可以位于第一电极ADE上。第一有机发射层108可以包括发射预设颜色的光的有机材料。第一有机发射层108可以基于第一电极ADE和第二电极CTE之间的电压差发光。
此外，第一有机发射层108可以包括选自空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。
第二电极CTE可以位于第一有机发射层108上。第二电极CTE可以包括金属、合金、金属氧化物、透明导电材料等。例如，第二电极CTE可以包括银(Ag)、含银的合金、钼(Mo)、含钼的合金、铝(Al)、含铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。
第一覆盖层109可以位于第二电极CTE上。第一覆盖层109可以包括有机材料并且可以沿着第二电极CTE的轮廓定位。因此，第一覆盖层109可以提高从第一有机发射层108发射的光的光提取效率。
第一保护层110可以位于第一覆盖层109上。第一保护层110可以保护在形成第一无机层111的工艺中原来可能被损坏的第一覆盖层109。例如，可以利用化学气相沉积(CVD)工艺形成第一无机层111。当第一覆盖层109暴露时，第一覆盖层109可能在化学气相沉积工艺期间被损坏，并且光提取效率会降低。因此，为了防止或减少对第一覆盖层109的损坏，在化学气相沉积工艺期间第一保护层110可以位于第一覆盖层109上。在一个或更多个实施例中，第一保护层110可以包括无机材料。例如，第一保护层110可以包括氟化锂(LiF)。
第一无机层111可以位于第一保护层110上。在一个或更多个实施例中，第一无机层111可以包括无机材料，并且可以沿着第一保护层110的轮廓定位。例如，第一无机层111可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)等。
第一无机层111可以防止或减少氧和/或湿气的渗透，因此，有机发光二极管OLED不会劣化(或者这种劣化的可能性或程度可以降低)。此外，第一无机层111可以保护有机发光二极管OLED免受冲击。
封装有机层112可以位于第一无机层111上。在一个或更多个实施例中，封装有机层112可以包括有机材料并且可以具有基本平坦的顶表面。例如，封装有机层112可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等。封装有机层112可以防止或减少在薄膜封装层TFE中产生的裂纹的传播。
第二无机层113可以位于封装有机层112上。在一个或更多个实施例中，第二无机层113可以包括无机材料并且可以沿着封装有机层112的轮廓定位。例如，第二无机层113可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)等。
然而，显示装置10的堆叠结构不限于图2中所示的堆叠结构。例如，显示装置10可以不包括下有机层PI1和下阻挡层101，并且还可以包括位于第一过孔绝缘层106和第一电极ADE之间的连接图案。
图3是示出根据实施例的显示装置的放大视图。图4是沿着图3的线I-I'截取的部分剖视图。图5是图4中的区域B的放大剖视图。图6是图4的区域C的放大剖视图。例如，图3是图1中的区域A的放大视图。
参照图3，根据本公开的实施例的显示装置11可以具有显示区域DA、外围区域SA和孔区域HA。显示装置11可以包括与孔区域HA叠置的功能模块FM和与外围区域SA叠置的坝状结构DMS。
在一个或更多个实施例中，外围区域SA可以基于坝状结构DMS划分为第一外围区域SA1和第二外围区域SA2。例如，第一外围区域SA1可以是位于坝状结构DMS和显示区域DA之间的区域，并且第二外围区域SA2可以是位于坝状结构DMS和孔区域HA之间的区域。
凹槽可以形成在显示装置11的外围区域SA中。在一个或更多个实施例中，第一凹槽GR1可以形成在第一外围区域SA1中，并且第二凹槽至第n凹槽(其中n为大于或等于2的整数)GR2、…、和GRn可以形成在第二外围区域SA2中。第一凹槽至第n凹槽GR1、GR2、…、和GRn中的每个可以具有在平面上围绕孔区域HA的形状。
参照图4，显示装置11可以包括第一凹槽至第三凹槽GR1、GR2和GR3，但是本公开不限于此。
下有机层PI1、下阻挡层101和上有机层PI2可以与显示区域DA和外围区域SA叠置。换言之，下有机层PI1、下阻挡层101和上有机层PI2可以从显示区域DA延伸至外围区域SA。
第一上阻挡层102、第一缓冲层103、第一栅极绝缘层104和第一层间绝缘层105可以与显示区域DA和第一外围区域SA1叠置。例如，第一上阻挡层102、第一缓冲层103、第一栅极绝缘层104和第一层间绝缘层105可以从显示区域DA延伸至第一外围区域SA1。
第二上阻挡层202、第二缓冲层203、第二栅极绝缘层204和第二层间绝缘层205可以位于上有机层PI2上，并且可以与坝状结构DMS叠置。
第三上阻挡层302、第三缓冲层303、第三栅极绝缘层304和第三层间绝缘层305可以位于上有机层PI2上，可以与第二外围区域SA2叠置，并且可以定位在第二凹槽GR2和第三凹槽GR3之间。
第四上阻挡层402、第四缓冲层403、第四栅极绝缘层404和第四层间绝缘层405可以位于上有机层PI2上，并且可以与第二外围区域SA2叠置，并且可以定位在第三凹槽GR3和孔区域HA之间。
在一个或更多个实施例中，第一上阻挡层至第四上阻挡层102、202、302和402可以位于同一层中(例如，可以位于同一平面中和/或由同一层形成)。例如，第一上阻挡层至第四上阻挡层102、202、302和402可以包括相同的材料并且可以一起形成。此外，第一缓冲层至第四缓冲层103、203、303和403可以位于同一层中(例如，可以位于同一平面中和/或由同一层形成)，第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层104、204、304和404可以位于同一层中(例如，可以位于同一平面中和/或由同一层形成)，并且第一层间绝缘层至第四层间绝缘层105、205、305和405可以位于同一层中(例如，可以位于同一平面中和/或由同一层形成)。
坝状结构DMS可以位于第二层间绝缘层205上并且可以与外围区域SA叠置。例如，坝状结构DMS可以位于第一外围区域SA1和第二外围区域SA2之间。坝状结构DMS可以限定封装有机层112的边界。
在一个或更多个实施例中，坝状结构DMS可以包括第二过孔绝缘层206和第二像素限定层207。第二过孔绝缘层206可以与第一过孔绝缘层106位于同一层中，并且第二像素限定层207可以与第一像素限定层107位于同一层中。
第一有机发射层108、第一覆盖层109和第一保护层110可以与显示区域DA和第一外围区域SA1叠置。例如，第一有机发射层108、第一覆盖层109和第一保护层110可以从显示区域DA延伸至第一外围区域SA1。
第二有机发射层208、第二覆盖层209和第二保护层210可以沿着坝状结构DMS的轮廓位于坝状结构DMS上(例如，以覆盖坝状结构DMS的顶部和倾斜侧)。
第三有机发射层308、第三覆盖层309和第三保护层310可以位于第三层间绝缘层305上，可以与第二外围区域SA2叠置，并且可以定位在第二凹槽GR2和第三凹槽GR3之间。
第四有机发射层408、第四覆盖层409和第四保护层410可以位于第四层间绝缘层405上，可以与第二外围区域SA2叠置，并且可以定位在第三凹槽GR3和孔区域HA之间。
在一个或更多个实施例中，第一有机发射层至第四有机发射层108、208、308和408可以位于同一层中(例如，可以位于同一平面中和/或由同一层形成)。例如，第一有机发射层至第四有机发射层108、208、308和408可以包括相同的材料并且可以一起形成。此外，第一覆盖层至第四覆盖层109、209、309和409可以位于同一层中(例如，可以位于同一平面中和/或由同一层形成)，并且第一保护层至第四保护层110、210、310和410可以位于同一层中(例如，可以位于同一平面中和/或由同一层形成)。
第一无机层111可以与显示区域DA和外围区域SA叠置。例如，第一无机层111可以从显示区域DA延伸至外围区域SA。在一个或更多个实施例中，第一无机层111可以完全地沿着第一保护层110、第一凹槽GR1、第二保护层210、第二凹槽GR2、第三保护层310、第三凹槽GR3和第四保护层410的轮廓定位。
封装有机层112可以与显示区域DA和第一外围区域SA1叠置。例如，封装有机层112可以从显示区域DA延伸至第一外围区域SA1。坝状结构DMS可以控制或减少封装有机层112的溢出并且可以防止或减少封装有机层112向第二外围区域SA2延伸。
第二无机层113可以与显示区域DA和外围区域SA叠置。例如，第二无机层113可以从显示区域DA延伸至外围区域SA。在一个或更多个实施例中，第二无机层113可以完全地沿着封装有机层112和第一无机层111的轮廓定位。
覆层OC可以与显示区域DA和外围区域SA叠置。例如，覆层OC可以从显示区域DA延伸至外围区域SA。在一个或更多个实施例中，覆层OC可以包括有机材料并且可以具有基本平坦的顶表面。
参照图4和图5，上有机层PI2可以包括位于显示区域DA和坝状结构DMS之间的第一凹槽GR1。第一抗氧化膜AOF1、第一虚设图案DP1、第一无机层111和封装有机层112可以位于第一凹槽GR1的内部中。
在一个或更多个实施例中，第一凹槽GR1在剖视图中可以具有底切形状。例如，第一凹槽GR1的顶表面的面积可以大于第一凹槽GR1的底表面的面积。此外，第一上阻挡层102、第一缓冲层103、第一栅极绝缘层104和第一层间绝缘层105可以与第一凹槽GR1的顶表面部分叠置，并且第二上阻挡层202、第二缓冲层203、第二栅极绝缘层204和第二层间绝缘层205可以与第一凹槽GR1的顶表面部分叠置。因此，与第一凹槽GR1的顶表面部分叠置的第一上阻挡层102、第一缓冲层103、第一栅极绝缘层104、第一层间绝缘层105、第二上阻挡层202、第二缓冲层203、第二栅极绝缘层204和第二层间绝缘层205可以被定义为尖端TP。
在一个或更多个实施例中，第一凹槽GR1可以包括被安置在第一凹槽GR1的中心处的第一区域AR1和围绕第一区域AR1的第二区域AR2。
在一个或更多个实施例中，第一抗氧化膜AOF1可以形成在第一凹槽GR1的第二区域AR2中。例如，第一抗氧化膜AOF1可以围绕第一凹槽GR1的内部的侧壁SW。
在一个或更多个实施例中，第一抗氧化膜AOF1可以与尖端TP叠置。例如，第一抗氧化膜AOF1的端部可以与尖端TP的端部重合。如下面将参照图9在此进一步描述的，尖端TP可以作为用于形成第一抗氧化膜AOF1的掩模。
在一个或更多个实施例中，第一抗氧化膜AOF1可以不与显示区域DA和第一区域AR1叠置。
在一个或更多个实施例中，第一抗氧化膜AOF1可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)和/或氮氧化硅(SiON)的无机材料。在另一实施例中，第一抗氧化膜AOF1可以包括选自金属和金属氧化物中的至少一种。例如，第一抗氧化膜AOF1可以包括银(Ag)、含银的合金、钼(Mo)、含钼的合金、铝(Al)、含铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。
在一个或更多个实施例中，可以在第一抗氧化膜AOF1中形成与第一区域AR1叠置的开口。开口可以暴露上有机层PI2。
在一个或更多个实施例中，第一虚设图案DP1可以在上有机层PI2上位于开口中。第一虚设图案DP1可以接触(例如，物理接触)上有机层PI2。例如，第一虚设图案DP1可以包括与第一有机发射层108相同的材料。例如，第一有机发射层108和第二有机发射层208可以被尖端TP断开。因为第一有机发射层108和第二有机发射层208断开，所以有机发射层的形成在第一凹槽GR1中的片段可以被定义为第一虚设图案DP1。因为第一虚设图案DP1与第一有机发射层108和第二有机发射层208断开(例如，分离)并且第一虚设图案DP1位于上有机层PI2上，所以第一虚设图案DP1可以延迟或减少湿气和/或氧的渗透。
在一个或更多个实施例中，第一无机层111可以在第一凹槽GR1内部位于第一抗氧化膜AOF1上。例如，第一抗氧化膜AOF1可以位于上有机层PI2和第一无机层111之间。封装有机层112可以填充第一凹槽GR1的内部。
参照图4和图6，上有机层PI2可以包括位于坝状结构DMS和孔区域HA之间的第二凹槽GR2和第三凹槽GR3。第二抗氧化膜AOF2、第二虚设图案DP2、第一无机层111、第二无机层113和覆层OC可以位于第二凹槽GR2的内部中。第三抗氧化膜AOF3、第三虚设图案DP3、第一无机层111、第二无机层113和覆层OC可以位于第三凹槽GR3的内部中。然而，由于第二凹槽GR2的结构与第一凹槽GR1的结构基本相同，因此下文将进一步描述区别。
第二无机层113可以在第二凹槽GR2的内部中位于第一无机层111上。覆层OC可以填充第二凹槽GR2的内部。
显示装置11可以包括围绕第一凹槽GR1的侧壁SW的第一抗氧化膜AOF1。第一抗氧化膜AOF1可以位于上有机层PI2和第一无机层111之间。因此，第一抗氧化膜AOF1可以保护第一无机层111免受穿过与孔区域HA相邻的上有机层PI2渗透的湿气和/或氧的影响。由于第一抗氧化膜AOF1可以延迟或减少第一无机层111的氧化，因此可以提高显示装置11的可靠性。
图7至图12是示出制造图3的显示装置的方法的剖视图。例如，图7至图12可以是图4的区域B的放大剖视图。
参照图7，第一掩模图案MK1可以位于第一层间绝缘层105上，并且第二掩模图案MK2可以位于第二层间绝缘层205上。在一个或更多个实施例中，第一掩模图案MK1和第二掩模图案MK2可以包括金属氧化物。例如，第一掩模图案MK1和第二掩模图案MK2可以包括氧化铟锌(IZO)。此后，可以通过第一蚀刻工艺去除上有机层PI2的一部分。因此，可以形成具有底切形状的第一凹槽GR1。
参照图8，可以形成第一初步抗氧化膜AOF1'。在一个或更多个实施例中，可以利用化学气相沉积(CVD)工艺形成第一初步抗氧化膜AOF1'。因此，第一初步抗氧化膜AOF1'可以沿着第一掩模图案MK1的上表面、尖端TP的端部、第一凹槽GR1的侧壁、第一凹槽GR1的底表面和第二掩模图案MK2的上表面的轮廓定位。此外，可以在形成第一有机发射层108、第二有机发射层208和第一虚设图案DP1之前形成第一初步抗氧化膜AOF1'。因此，用于形成第一初步抗氧化膜AOF1'的化学气相沉积工艺可以在高温(例如，约200摄氏度)下进行。因此，可以减少第一初步抗氧化膜AOF1'的空隙并且可以增大密度。因此，第一抗氧化膜AOF1可以进一步防止或减少湿气和/或氧的渗透。
参照图9，可以形成第一抗氧化膜AOF1。在一个或更多个实施例中，可以通过第二蚀刻工艺去除第一初步抗氧化膜AOF1'。第二蚀刻工艺可以是利用尖端TP作为掩模的干蚀刻工艺。由于第二蚀刻工艺中的各向异性蚀刻，所以可以保留与尖端TP叠置的第一初步抗氧化膜AOF1'。在另一方面，可以去除不与尖端TP叠置的第一初步抗氧化膜AOF1'。因此，可以在第一抗氧化膜AOF1中形成与第一区域AR1叠置的开口。开口可以暴露上有机层PI2。此外，第一抗氧化膜AOF1可以与尖端TP叠置。
参照图10，可以去除第一掩模图案MK1和第二掩模图案MK2。此后，可以形成第一有机发射层108、第一虚设图案DP1和第二有机发射层208。在一个或更多个实施例中，第一有机发射层108、第一虚设图案DP1和第二有机发射层208可以一起形成。因此，第一虚设图案DP1可以包括与第一有机发射层108和第二有机发射层208相同的材料。
此外，第一有机发射层108、第一虚设图案DP1和第二有机发射层208可以被尖端TP断开(例如，分离)。例如，由于真空沉积工艺中的各向异性沉积，第一有机发射层108、第一虚设图案DP1和第二有机发射层208可以不形成在尖端TP下方。因此，第一虚设图案DP1可以形成在第一抗氧化膜AOF1的开口中。例如，第一虚设图案DP1可以与第一区域AR1叠置。在一个或更多个实施例中，第一抗氧化膜AOF1可以不位于上有机层PI2和第一虚设图案DP1之间。例如，第一虚设图案DP1可以接触(例如，物理接触)上有机层PI2。
参照图11，可以形成第一覆盖层109和第二覆盖层209，并且可以形成第一保护层110和第二保护层210。此外，可以形成第一无机层111。在一个或更多个实施例中，可以利用化学气相沉积(CVD)工艺形成第一无机层111。因此，可以沿着第一保护层110、第一抗氧化膜AOF1、第一虚设图案DP1和第二保护层210的轮廓形成第一无机层111。
参照图12，可以形成封装有机层112。在一个或更多个实施例中，封装有机层112可以填充第一凹槽GR1的内部。
图13是示出根据另一实施例的显示装置的放大视图。图14是沿着图13的线II-II'截取的部分剖视图。图15是图14的区域D的放大剖视图。例如，图13可以是示出图1的区域A的另一示例的放大视图。
参照图13和图14，根据本公开的另一实施例的显示装置12可以具有显示区域DA、外围区域SA和孔区域HA。显示装置12可以包括与孔区域HA叠置的功能模块FM和与外围区域SA叠置的坝状结构DMS。
凹槽可以形成在显示装置12的外围区域SA中。在一个或更多个实施例中，第一凹槽GR1可以形成在第一外围区域SA1中，并且第二凹槽至第n凹槽(其中n是大于或等于2的整数)GR2、…、和GRn可以形成在第二外围区域SA2中。第一凹槽至第n凹槽GR1、GR2、…、和GRn中的每个可以具有在平面上围绕孔区域HA的形状。
然而，除了第一凹槽至第n凹槽GR1、GR2、…、和GRn中的每个的内部结构之外，显示装置12可以与显示装置11基本相同。更详细地，除了抗氧化膜AOF之外，显示装置12可以与显示装置11基本相同。
在一个或更多个实施例中，抗氧化膜AOF可以与外围区域SA叠置。例如，抗氧化膜AOF可以不与显示区域DA叠置。此外，抗氧化膜AOF可以完全位于凹槽中的每个的内壁INS上，并且可以位于上有机层PI2和第一无机层111之间。下面将更详细地描述抗氧化膜AOF。
参照图14和图15，上有机层PI2可以包括位于显示区域DA和坝状结构DMS之间的第一凹槽GR1。抗氧化膜AOF、第一虚设图案DP1、第一无机层111和封装有机层112可以位于第一凹槽GR1内部。
在一个或更多个实施例中，第一凹槽GR1在剖视图中可以具有底切形状。例如，第一凹槽GR1的顶表面的面积可以大于第一凹槽GR1的底表面的面积。此外，第一上阻挡层102、第一缓冲层103、第一栅极绝缘层104和第一层间绝缘层105可以与第一凹槽GR1的顶表面部分叠置，并且第二上阻挡层202、第二缓冲层203、第二栅极绝缘层204和第二层间绝缘层205可以与第一凹槽GR1的顶表面部分叠置。因此，与第一凹槽GR1的顶表面部分叠置的第一上阻挡层102、第一缓冲层103、第一栅极绝缘层104、第一层间绝缘层105、第二上阻挡层202、第二缓冲层203、第二栅极绝缘层204和第二层间绝缘层205可以被定义为尖端TP。
在一个或更多个实施例中，抗氧化膜AOF可以完全位于第一凹槽GR1的内壁INS上。例如，内壁INS可以包括第一凹槽GR1的底表面LS和第一凹槽GR1的侧壁SW。例如，抗氧化膜AOF可以沿着第一凹槽GR1的形状定位。
在一个或更多个实施例中，抗氧化膜AOF可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)和/或氮氧化硅(SiON)的无机材料。在另一实施例中，抗氧化膜AOF可以包括选自金属和金属氧化物中的至少一种。例如，抗氧化膜AOF可以包括银(Ag)、含银的合金、钼(Mo)、含钼的合金、铝(Al)、含铝的合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。
在一个或更多个实施例中，第一虚设图案DP1可以在与底表面LS叠置的抗氧化膜AOF上。例如，第一虚设图案DP1可以包括与第一有机发射层108相同的材料。例如，第一有机发射层108和第二有机发射层208可以被尖端TP断开(例如，分离)。因为第一有机发射层108和第二有机发射层208彼此断开，所以有机发射层的形成在第一凹槽GR1中的片段可以被定义为第一虚设图案DP1。因为第一虚设图案DP1与第一有机发射层108和第二有机发射层208断开(例如，分离)并且第一虚设图案DP1位于抗氧化膜AOF上，所以第一虚设图案DP1可以延迟或减少湿气和/或氧的渗透。
在一个或更多个实施例中，第一无机层111可以在第一凹槽GR1的内部中位于抗氧化膜AOF上。例如，抗氧化膜AOF可以位于上有机层PI2和第一无机层111之间。封装有机层112可以填充第一凹槽GR1的内部。
显示装置12可以包括围绕第一凹槽GR1的内壁INS的抗氧化膜AOF。抗氧化膜AOF可以位于上有机层PI2和第一无机层111之间。因此，抗氧化膜AOF可以保护第一无机层111免受穿过与孔区域HA相邻的上有机层PI2渗透的湿气和/或氧的影响。由于抗氧化膜AOF可以延迟或减少第一无机层111的氧化，所以可以提高显示装置12的可靠性。
图16至图20是示出根据实施例的制造图13的显示装置的方法的剖视图。
参照图16至图20，可以利用单独的掩模形成抗氧化膜AOF。
更详细地，如图16中所示，第一掩模图案MK1可以位于第一层间绝缘层105上，并且第二掩模图案MK2可以位于第二层间绝缘层205上。此后，可以通过第一蚀刻工艺去除上有机层PI2的一部分。因此，可以形成具有底切形状的第一凹槽GR1。
如图17中所示，可以去除第一掩模图案MK1和第二掩模图案MK2，并且可以形成抗氧化膜AOF。例如，可以利用化学气相沉积(CVD)工艺形成抗氧化膜AOF。在一个或更多个实施例中，抗氧化膜AOF可以利用掩模仅形成在外围区域SA中。例如，掩模可以是包括与显示区域DA叠置的屏蔽部分和与外围区域SA叠置的开口部分的开口掩模。因此，抗氧化膜AOF可以不形成在显示区域DA中，并且可以仅形成在外围区域SA中。
参照图18，可以形成第一有机发射层108、第一虚设图案DP1和第二有机发射层208。在一个或更多个实施例中，第一有机发射层108、第一虚设图案DP1和第二有机发射层208可以一起形成。因此，第一虚设图案DP1可以包括与第一有机发射层108和第二有机发射层208相同的材料。
此外，第一有机发射层108、第一虚设图案DP1和第二有机发射层208可以被尖端TP断开(例如，分离)。例如，由于真空沉积工艺中的各向异性沉积，第一有机发射层108、第一虚设图案DP1和第二有机发射层208可以不形成在尖端TP下方。因此，第一虚设图案DP1可以形成在抗氧化膜AOF上。例如，抗氧化膜AOF可以位于上有机层PI2和第一虚设图案DP1之间。
参照图19，可以形成第一覆盖层109和第二覆盖层209，并且可以形成第一保护层110和第二保护层210。此外，可以形成第一无机层111。在一个或更多个实施例中，可以利用化学气相沉积(CVD)工艺形成第一无机层111。因此，第一无机层111可以沿着第一保护层110、抗氧化膜AOF、第一虚设图案DP1和第二保护层210的轮廓形成。
如图20中所示，可以形成封装有机层112。在一个或更多个实施例中，封装有机层112可以填充第一凹槽GR1的内部。
图21至图28是示出根据另一实施例的制造图13的显示装置的方法的剖视图。
参照图21至图28，可以利用光致抗蚀剂图案PR形成抗氧化膜AOF。
更详细地，如图21中所示，第一掩模图案MK1可以位于第一层间绝缘层105上，并且第二掩模图案MK2可以位于第二层间绝缘层205上。此后，可以通过第一蚀刻工艺去除上有机层PI2的一部分。因此，可以形成具有底切形状的第一凹槽GR1。
如图22中所示，可以形成初步抗氧化膜AOF'。例如，可以利用化学气相沉积(CVD)工艺形成初步抗氧化膜AOF'。在一个或更多个实施例中，可以在不利用掩模的情况下形成初步抗氧化膜AOF'。因此，可以在显示区域DA和外围区域SA中形成初步抗氧化膜AOF'。
如图23中所示，可以形成初步光致抗蚀剂图案PR'。初步光致抗蚀剂图案PR'可以涂覆在显示装置12的整个表面上。例如，初步光致抗蚀剂图案PR'可以与显示区域DA和外围区域SA叠置。
如图24中所示，可以形成光致抗蚀剂图案PR。在一个或更多个实施例中，光致抗蚀剂图案PR可以被图案化以仅保留在第一凹槽GR1内部。例如，初步光致抗蚀剂图案PR'可以被完全暴露。由于形成在第一凹槽GR1的内部中的初步光致抗蚀剂图案PR'的厚度大于形成在初步抗氧化膜AOF'上的初步光致抗蚀剂图案PR'的厚度，因此可以部分去除具有相对小厚度的初步光致抗蚀剂图案PR'。因此，不与光致抗蚀剂图案PR叠置的初步抗氧化膜AOF'可以被暴露。然而，图案化的光致抗蚀剂图案PR的形状不限于图24中所示的形状。例如，图案化的光致抗蚀剂图案PR的形状可以根据需要或期望进行不同设置。
如图25中所示，可以形成抗氧化膜AOF。在一个或更多个实施例中，可以通过第二蚀刻工艺去除暴露的初步抗氧化膜AOF'。因此，抗氧化膜AOF可以完全形成在第一凹槽GR1的内壁INS上。此外，抗氧化膜AOF可以形成为不与显示区域DA叠置。
如图26中所示，可以去除第一掩模图案MK1和第二掩模图案MK2以及光致抗蚀剂图案PR。此后，可以形成第一有机发射层108、第一虚设图案DP1和第二有机发射层208。在一个或更多个实施例中，第一有机发射层108、第一虚设图案DP1和第二有机发射层208可以一起形成。因此，第一虚设图案DP1可以包括与第一有机发射层108和第二有机发射层208相同的材料。
如图27中所示，可以形成第一覆盖层109和第二覆盖层209，并且可以形成第一保护层110和第二保护层210。此外，可以形成第一无机层111。在一个或更多个实施例中，可以利用化学气相沉积(CVD)工艺形成第一无机层111。因此，可以沿着第一保护层110、抗氧化膜AOF、第一虚设图案DP1和第二保护层210的轮廓形成第一无机层111。
如图28中所示，可以形成封装有机层112。在一个或更多个实施例中，封装有机层112可以填充第一凹槽GR1的内部。
图29至图33是示出根据又一实施例的制造图13的显示装置的方法的剖视图。
参照图29至图33，可以利用光致抗蚀剂图案PR形成抗氧化膜AOF。
更详细地，如图29中所示，可以形成第一掩模图案MK1、第二掩模图案MK2、第一凹槽GR1和初步抗氧化膜AOF'。然而，第一掩模图案MK1、第二掩模图案MK2、第一凹槽GR1和初步抗氧化膜AOF'可以与参照图21至图22描述的第一掩模图案MK1、第二掩模图案MK2、第一凹槽GR1和初步抗氧化膜AOF'基本相同。
如图30中所示，可以形成初步光致抗蚀剂图案PR'。初步光致抗蚀剂图案PR'可以涂覆在显示装置12的整个表面上。例如，初步光致抗蚀剂图案PR'可以与显示区域DA和外围区域SA叠置。
如图31中所示，可以形成光致抗蚀剂图案PR。在一个或更多个实施例中，光致抗蚀剂图案PR可以被图案化以仅保留在第一凹槽GR1内部。例如，初步光致抗蚀剂图案PR'可以被部分暴露。因此，可以部分去除初步光致抗蚀剂图案PR'。例如，可以去除不与第一凹槽GR1叠置的初步光致抗蚀剂图案PR'。因此，不与光致抗蚀剂图案PR叠置的初步抗氧化膜AOF'可以被暴露。然而，图案化的光致抗蚀剂图案PR的形状不限于图31中所示的形状。例如，图案化的光致抗蚀剂图案PR的形状可以根据需要或期望进行不同设置。
如图32中所示，可以形成抗氧化膜AOF。在一个或更多个实施例中，可以去除暴露的初步抗氧化膜AOF'。因此，抗氧化膜AOF可以完全形成在第一凹槽GR1的内壁INS上。此外，抗氧化膜AOF可以形成为不与显示区域DA叠置。
如图33中所示，可以去除第一掩模图案MK1和第二掩模图案MK2以及光致抗蚀剂图案PR。此外，可以形成第一有机发射层108、第一虚设图案DP1、第二有机发射层208、第一覆盖层109、第二覆盖层209、第一保护层110、第二保护层210、第一无机层111和封装有机层112。然而，第一有机发射层108、第一虚设图案DP1、第二有机发射层208、第一覆盖层109、第二覆盖层209、第一保护层110、第二保护层210、第一无机层111和封装有机层112可以与参照图26至图28描述的第一有机发射层108、第一虚设图案DP1、第二有机发射层208、第一覆盖层109、第二覆盖层209、第一保护层110、第二保护层210、第一无机层111和封装有机层112基本相同。
根据实施例的显示装置11和12可以包括围绕第一凹槽GR1的侧壁SW和/或内壁INS的抗氧化膜AOF1、AOF2、AOF3或AOF。抗氧化膜AOF1、AOF2、AOF3或AOF可以位于上有机层PI2和第一无机层111之间。因此，抗氧化膜AOF1、AOF2、AOF3或AOF可以保护第一无机层111免受穿过与孔区域HA相邻的上有机层PI2渗透的湿气和/或氧的影响。由于抗氧化膜AOF1、AOF2、AOF3或AOF可以延迟或减少第一无机层111的氧化，所以可以提高显示装置11和12的可靠性。
尽管这里已经描述了某些示例实施例和实施方式的方面，但通过该描述，其他实施例和修改将是明显的。因此，根据本公开的实施例不限于所公开的实施例，而是有权享有所附权利要求及其等同物，以及如对于本领域的普通技术人员而言是清楚的各种修改和等同布置的更广泛的范围。

Claims (20)

1.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
准备具有孔区域、围绕所述孔区域的外围区域和围绕所述外围区域的显示区域的基底；
形成至少一个与所述外围区域叠置的凹槽；
在所述凹槽的内壁上形成抗氧化膜；以及
在所述基底上形成与所述显示区域叠置的第一无机层，
其中，所述第一无机层与所述显示区域和所述外围区域叠置，并且
其中，所述抗氧化膜形成在所述基底和所述第一无机层之间。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述凹槽的所述内壁包括所述凹槽的底表面和所述凹槽的侧壁，并且
其中，所述抗氧化膜接触所述底表面和所述侧壁。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，利用包括与所述显示区域叠置的屏蔽部分和与所述外围区域叠置的开口部分的开口掩模来形成所述抗氧化膜。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述抗氧化膜包括：
形成与所述外围区域和所述显示区域叠置的初步抗氧化膜；
在所述凹槽的内部中形成光致抗蚀剂图案；以及
去除所述初步抗氧化膜的不与所述光致抗蚀剂图案叠置的部分。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述凹槽的所述内部中形成所述光致抗蚀剂图案包括：
形成与所述外围区域和所述显示区域叠置的初步光致抗蚀剂图案；以及
完全暴露所述初步光致抗蚀剂图案。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述凹槽的所述内部中形成所述光致抗蚀剂图案包括：
形成与所述外围区域和所述显示区域叠置的初步光致抗蚀剂图案；以及
部分暴露所述初步光致抗蚀剂图案。
7.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
形成与所述显示区域叠置的第一电极；
在所述第一电极上形成与所述显示区域和所述外围区域叠置的有机发射层；
在所述抗氧化膜和所述第一无机层之间形成虚设图案；以及
在所述有机发射层和所述第一无机层之间形成第二电极，
其中，所述虚设图案与所述有机发射层一起形成。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述虚设图案接触所述抗氧化膜。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗氧化膜包括选自由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗氧化膜包括选自由金属和金属氧化物组成的组中的至少一种。
11.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，具有孔区域、围绕所述孔区域的外围区域和围绕所述外围区域的显示区域，并且具有与所述孔区域叠置的贯穿孔和至少一个与所述外围区域叠置的凹槽；
发射结构，位于所述基底上，与所述显示区域叠置，并且包括第一无机层；以及
抗氧化膜，完全位于所述凹槽的内壁上，
其中，所述第一无机层与所述显示区域和所述外围区域叠置，并且
其中，所述抗氧化膜位于所述基底和所述第一无机层之间。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述凹槽的所述内壁包括所述凹槽的底表面和所述凹槽的侧壁，并且
其中，所述抗氧化膜接触所述底表面和所述侧壁。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述发射结构还包括：
第一电极；
有机发射层，位于所述第一电极上；以及
第二电极，位于所述有机发射层和所述第一无机层之间，并且
其中，包括与所述有机发射层相同的材料的虚设图案位于所述抗氧化膜和所述第一无机层之间。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述虚设图案接触所述抗氧化膜。
15.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述抗氧化膜包括选自由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中的至少一种。
16.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述抗氧化膜包括选自由金属和金属氧化物组成的组中的至少一种。
17.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括：
功能模块，至少部分位于所述贯穿孔内部。
18.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，具有孔区域、围绕所述孔区域的外围区域和围绕所述外围区域的显示区域，并且具有与所述孔区域叠置的贯穿孔和至少一个与所述外围区域叠置的凹槽；
发射结构，位于所述基底上，与所述显示区域叠置，并且包括第一无机层；以及
抗氧化膜，位于所述凹槽的内部中并且具有暴露所述基底的开口，
其中，所述第一无机层与所述显示区域和所述外围区域叠置，并且
其中，所述抗氧化膜位于所述基底和所述第一无机层之间。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述抗氧化膜围绕所述凹槽的所述内部的侧壁。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述凹槽包括与所述开口叠置的第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，并且
其中，所述抗氧化膜与所述第二区域叠置，并且不与所述显示区域和所述第一区域叠置。
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