KR20220072947A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
표시 장치의 제조 방법은 관통 영역, 상기 관통 영역을 둘러싸는 주변 영역, 및 상기 주변 영역을 둘러싸는 표시 영역이 정의되는 기판을 준비하는 단계, 상기 주변 영역과 중첩하는 적어도 하나의 그루브를 형성하는 단계, 상기 그루브의 내벽에 산화 방지막을 형성하는 단계, 및 상기 기판 상에, 상기 표시 영역과 중첩하는 제1 무기막을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 신뢰성이 향상된 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치 중 유기 발광 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도를 가진다. 그러나, 상기 유기 발광 소자는 수분 및 산소에 취약하여 쉽게 손상될 수 있다. 한편, 상기 유기 발광 표시 장치에 포함되는 무기막을 이용하여 수분 및 산소의 침투를 지연시킬 수 있으나, 수분 및 산소에 의해 상기 무기막이 산화될 수 있다. 상기 무기막이 산화되어 수분 및 산소가 상기 유기 발광 소자로 침투하게 되면, 상기 표시 장치의 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.
본 발명의 일 목적은 신뢰성이 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 장치를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 관통 영역, 상기 관통 영역을 둘러싸는 주변 영역, 및 상기 주변 영역을 둘러싸는 표시 영역이 정의되는 기판을 준비하는 단계, 상기 주변 영역과 중첩하는 적어도 하나의 그루브를 형성하는 단계, 상기 그루브의 내벽에 산화 방지막을 형성하는 단계, 및 상기 기판 상에, 상기 표시 영역과 중첩하는 제1 무기막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 무기막은 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역과 중첩하며, 상기 산화 방지막은 상기 기판 및 상기 제1 무기막 사이에 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 그루브의 상기 내벽은 상기 그루브의 저면 및 상기 그루브의 측벽을 포함하고, 상기 산화 방지막은 상기 그루브의 상기 저면 및 상기 측벽과 접촉할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 산화 방지막은 상기 표시 영역과 중첩하는 차폐부 및 상기 주변 영역과 중첩하는 개구부를 포함하는 오픈 마스크를 이용하여 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 산화 방지막을 형성하는 단계는 상기 주변 영역 및 상기 표시 영역과 중첩하는 예비 산화 방지막을 형성하는 단계, 상기 그루브의 내부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 포토레지스트 패턴과 중첩하지 않는 상기 예비 산화 방지막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 그루브의 상기 내부에 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는 상기 주변 영역 및 상기 표시 영역과 중첩하는 예비 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 예비 포토레지스트 패턴을 전면 노광하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 그루브의 상기 내부에 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는 상기 주변 영역 및 상기 표시 영역과 중첩하는 예비 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 예비 포토레지스트 패턴을 부분 노광하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제조 방법은 상기 표시 영역과 중첩하는 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에, 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역과 중첩하는 유기 발광층을 형성하는 단계, 상기 산화 방지막 및 상기 제1 무기막 사이에, 더미 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 유기 발광층 및 상기 제1 무기막 사이에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 더미 패턴은 상기 유기 발광층과 함께 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 더미 패턴은 상기 산화 방지막과 접촉할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 산화 방지막은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 산화 방지막은 금속 및 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 관통 영역, 상기 관통 영역을 둘러싸는 주변 영역 및 상기 주변 영역을 둘러싸는 표시 영역이 정의되고, 상기 관통 영역과 중첩하는 관통홀 및 상기 주변 영역과 중첩하는 적어도 하나의 그루브를 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 표시 영역과 중첩하며, 제1 무기막을 포함하는 발광 구조물, 및 상기 그루브의 내벽에 전체적으로 배치되는 산화 방지막을 포함하고, 상기 제1 무기막은 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역과 중첩하며, 상기 산화 방지막은 상기 기판 및 상기 제1 무기막 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 그루브의 상기 내벽은 상기 그루브의 저면 및 상기 그루브의 측벽을 포함하고, 상기 산화 방지막은 상기 그루브의 상기 저면 및 상기 측벽과 접촉할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 발광 구조물은 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되고, 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역과 중첩하는 유기 발광층, 및 상기 유기 발광층 및 상기 제1 무기막 사이에 배치되는 제2 전극을 더 포함하고, 상기 산화 방지막 및 상기 제1 무기막 사이에는, 상기 발광 유기층과 동일한 물질을 포함하는 더미 패턴이 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 더미 패턴은 상기 산화 방지막과 접촉할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 산화 방지막은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 산화 방지막은 금속 및 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 관통홀의 내부에 적어도 일부가 배치되는 기능성 모듈을 더 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 관통 영역, 상기 관통 영역을 둘러싸는 주변 영역 및 상기 주변 영역을 둘러싸는 표시 영역이 정의되고, 상기 관통 영역에 형성되는 관통홀 및 상기 주변 영역과 중첩하는 적어도 하나의 그루브를 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 표시 영역과 중첩하며, 제1 무기막을 포함하는 발광 구조물, 및 상기 그루브의 내부에 배치되고, 상기 기판을 노출시키는 개구가 형성되는 산화 방지막을 포함하고, 상기 제1 무기막은 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역과 중첩하며, 상기 산화 방지막은 상기 기판 및 상기 제1 무기막 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 산화 방지막은 상기 그루브의 상기 내부의 측벽을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 그루브는 상기 개구와 중첩하는 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하고, 상기 산화 방지막은 상기 제2 영역과 중첩하며, 상기 표시 영역 및 상기 제1 영역과 비중첩할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 상기 표시 장치는 그루브의 측벽 및/또는 내벽을 둘러싸는 산화 방지막을 포함할 수 있다. 상기 산화 방지막은 기판 및 박막 봉지층에 포함되는 무기막 사이에 배치될 수 있다. 상기 산화 방지막은 상기 무기막으로 수분 및/또는 산소가 침투되는 현상을 방지할 수 있다. 그에 따라, 상기 산화 방지막은 상기 무기막의 산화를 지연시킬 수 있다. 상기 산화 방지막이 상기 무기막의 산화를 지연시킬 수 있으므로, 상기 표시 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 표시 영역에 대응하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 확대도이다.
도 4는 도 3의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 4의 B 영역을 확대한 단면도이다.
도 6은 도 4의 C 영역을 확대한 단면도이다.
도 7 내지 도 12는 도 3의 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 확대도이다.
도 14는 도 13의 II-II'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 15는 도 14의 D 영역을 확대한 단면도이다.
도 16 내지 도 20은 일 실시예에 따른 도 13의 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 21 내지 도 28은 다른 실시예에 따른 도 13의 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 29 내지 도 33은 또 다른 실시예에 따른 도 13의 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 표시 영역에 대응하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 확대도이다.
도 4는 도 3의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 4의 B 영역을 확대한 단면도이다.
도 6은 도 4의 C 영역을 확대한 단면도이다.
도 7 내지 도 12는 도 3의 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 확대도이다.
도 14는 도 13의 II-II'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 15는 도 14의 D 영역을 확대한 단면도이다.
도 16 내지 도 20은 일 실시예에 따른 도 13의 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 21 내지 도 28은 다른 실시예에 따른 도 13의 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 29 내지 도 33은 또 다른 실시예에 따른 도 13의 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 표시 장치의 표시 영역에 대응하는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(10)에는 관통 영역(HA), 주변 영역(SA), 및 표시 영역(DA)이 정의될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시 영역(DA)은 상기 주변 영역(SA)의 적어도 일부를 둘러싸도록 위치할 수 있다. 상기 표시 영역(DA)에는 복수의 화소들이 배치될 수 있다. 상기 화소들 각각은 적어도 하나의 트랜지스터(TFT) 및 적어도 하나의 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 상기 트랜지스터(TFT)는 상기 유기 발광 소자(OLED)로 구동 전류를 공급할 수 있고, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 구동 전류에 기초하여 광을 방출할 수 있다. 상기 화소들이 광들을 방출함에 따라, 상기 표시 영역(DA)에서는 영상이 표시될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 주변 영역(SA) 및 상기 관통 영역(HA)은 상기 표시 장치(10)의 비표시 영역으로 정의될 수 있다. 예를 들어, 상기 주변 영역(SA)은 상기 관통 영역(HA)의 적어도 일부를 둘러싸도록 위치할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 관통 영역(HA)에는 관통홀(PNH)이 형성될 수 있다. 상기 표시 장치(10)는 상기 관통 영역(HA)과 중첩하는 기능성 모듈(FM)을 포함할 수 있다. 상기 기능성 모듈(FM)의 적어도 일부는 상기 관통홀(PNH)의 내부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 기능성 모듈(FM)은 상기 표시 장치(10)의 전면에 위치하는 사물의 이미지를 촬영(또는 인식)하기 위한 카메라 모듈, 사용자의 얼굴을 감지하기 위한 얼굴 인식 센서 모듈, 사용자의 눈동자를 감지하기 위한 동공 인식 센서 모듈, 상기 표시 장치(10)의 움직임을 판단하기 위한 가속도 센서 모듈 및 지자기 센서 모듈, 상기 표시 장치(10)의 전면의 근접 여부를 감지하기 위한 근접 센서 모듈 및 적외선 센서 모듈, 외부의 밝기의 정도를 측정하기 위한 조도 센서 모듈 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 주변 영역(SA)에는 복수의 그루브들이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 주변 영역(SA)은 상기 관통홀(PNH)의 경계선 및 상기 표시 영역(DA)의 경계선 사이의 영역일 수 있다. 상기 그루브들은 상기 관통홀(PNH)을 통해 상기 화소들로 유입되는 수분 및/또는 산소의 침투를 지연시킬 수 있다.
다만, 도 1에서는 상기 표시 영역(DA)은 직사각형 형상을 가지고, 상기 관통 영역(HA)이 원형 형상을 갖는 상기 표시 장치(10)를 도시하였으나, 상기 표시 영역(DA)의 형상 및 상기 관통 영역(HA)의 형상은 이에 한정되지 아니한다. 또한, 상기 관통 영역(HA)은 1개 이상 정의될 수 있으며, 상기 관통 영역(HA)의 위치는 상기 표시 장치(10)의 상단에 한정되지 아니한다.
도 2를 참조하면, 상기 표시 장치(10)는 기판(SUB) 및 발광 구조물(LES)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(LES)은 상기 기판(SUB) 상에 배치되고, 상기 표시 영역(DA)과 중첩할 수 있다. 상기 발광 구조물(LES)은 제1 버퍼층(103), 액티브 패턴(ACT), 제1 게이트 절연층(104), 게이트 전극(GAT), 제1 층간 절연층(105), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 제1 비아 절연층(106), 제1 전극(ADE), 제1 화소 정의막(107), 제1 유기 발광층(108), 제2 전극(CTE), 제1 캡핑층(109), 제1 보호층(110), 제1 무기막(111), 봉지 유기막(112) 및 제2 무기막(113)을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT), 게이트 전극(GAT), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 상기 트랜지스터(TFT)를 구성할 수 있다. 상기 제1 전극(ADE), 상기 제1 유기 발광층(108) 및 상기 제2 전극(CTE)은 상기 유기 발광 소자(OLED)를 구성할 수 있다. 상기 제1 무기막(111), 상기 봉지 유기막(112) 및 상기 제2 무기막(113)은 박막 봉지층(TFE)을 구성할 수 있다.
상기 기판(SUB)은 하부 유기층(PI1), 하부 배리어층(101), 상부 유기층(PI2) 및 제1 상부 배리어층(102)을 포함할 수 있다. 상기 하부 배리어층(101)은 상기 하부 유기층(PI1) 상에 배치될 수 있고, 상기 상부 유기층(PI2)은 상기 하부 배리어층(101) 상에 배치될 수 있으며, 상기 제1 상부 배리어층(102)은 상기 상부 유기층(PI2) 상에 배치될 수 있다.
상기 하부 유기층(PI1)은 유리, 석영, 플라스틱 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 하부 유기층(PI1)은 폴리이미드(polyimide)를 포함할 수 있다. 상기 상부 유기층(PI2)은 상기 하부 유기층(PI1)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 하부 배리어층(101)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 하부 배리어층(101)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 상부 배리어층(102)은 상기 하부 배리어층(101)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 버퍼층(103)은 상기 제1 상부 배리어층(102) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 버퍼층(103)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 버퍼층(103)은 금속 원자들이나 불순물들이 상기 액티브 패턴(ACT)으로 확산되지 않도록 할 수 있다. 또한, 상기 제1 버퍼층(103)은 상기 액티브 패턴(ACT)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 상기 액티브 패턴(ACT)으로 제공되는 열의 속도를 조절할 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT)은 상기 제1 버퍼층(103) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 액티브 패턴(ACT)은 실리콘 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 액티브 패턴(ACT)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 게이트 절연층(104)은 상기 제1 버퍼층(103) 상에 배치되고, 상기 액티브 패턴(ACT)을 커버할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 게이트 절연층(104)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 게이트 절연층(104)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(GAT)은 상기 제1 게이트 절연층(104) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(GAT)은 상기 액티브 패턴(ACT)과 중첩할 수 있다. 상기 게이트 전극(GAT)으로 제공되는 게이트 신호에 응답하여, 상기 액티브 패턴(ACT)을 통해 신호 및/또는 전압이 전달될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 게이트 전극(GAT)은 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(GAT)은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 층간 절연층(105)은 상기 제1 게이트 절연층(104) 상에 배치되고, 상기 게이트 전극(GAT)을 커버할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 층간 절연층(105)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 층간 절연층(105)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 제1 층간 절연층(105) 상에 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 액티브 패턴(ACT)과 접촉할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 비아 절연층(106)은 상기 제1 층간 절연층(105) 상에 배치되고, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 커버할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 비아 절연층(106)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 비아 절연층(106)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 비아 절연층(106)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(ADE)은 상기 제1 비아 절연층(106) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(ADE)은 상기 드레인 전극(DE)과 접촉할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 전극(ADE)은 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(ADE)은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 화소 정의막(107)은 상기 제1 비아 절연층(106) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 화소 정의막(107)에는 상기 제1 전극(ADE)을 노출시키는 개구가 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 화소 정의막(107)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 화소 정의막(107)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 유기 발광층(108)은 상기 제1 전극(ADE) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 유기 발광층(108)은 기설정된 색의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 상기 제1 유기 발광층(108)은 상기 제1 전극(ADE) 및 상기 제2 전극(CTE)의 전위차에 기초하여 상기 광을 방출할 수 있다.
또한, 상기 제1 유기 발광층은 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 전극(CTE)은 상기 제1 유기 발광층(108) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(CTE)은 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극(CTE)은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 캡핑층(109)은 상기 제2 전극(CTE) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 캡핑층(109)은 유기물을 포함하며, 상기 제2 전극(CTE)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 캡핑층(109)은 상기 제1 유기 발광층(108)에서 방출된 상기 광의 광 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 제1 보호층(110)은 상기 제1 캡핑층(109) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 보호층(110)은 상기 제1 무기막(111)을 형성하는 과정에서 손상될 수 있는 상기 제1 캡핑층(109)을 보호할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 무기막(111)은 화학 기상 증착(CVD) 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 제1 캡핑층(109)이 노출된 경우, 상기 화학 기상 증착 공정 중 상기 제1 캡핑층(109)이 손상될 수 있고, 상기 광 취출 효율이 감소될 수 있다. 따라서, 상기 제1 캡핑층(109)이 손상을 방지하기 위해, 상기 제1 보호층(110)은 상기 제1 캡핑층(109) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 보호층(110)은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 보호층(110)은 플루오린화 리튬(LiF)을 포함할 수 있다.
상기 제1 무기막(111)은 상기 제1 보호층(110) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 무기막(111)은 무기물을 포함하며, 상기 제1 보호층(110)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 무기막(111)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 무기막(111)은 산소 및/또는 수분이 침투하지 않도록 할 수 있고, 그에 따라 상기 유기 발광 소자(OLED)가 열화되지 않을 수 있다. 또한, 상기 제1 무기막(111)은 충격으로부터 상기 유기 발광 소자(OLED)를 보호할 수도 있다.
상기 봉지 유기막(112)은 상기 제1 무기막(111) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 봉지 유기막(112)은 유기물을 포함하며, 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 봉지 유기막(112)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 포함할 수 있다. 상기 봉지 유기막(112)은 상기 박막 봉지층(TFE) 내에 발생된 크랙(crack)이 전파되지 않도록 할 수 있다.
상기 제2 무기막(113)은 상기 봉지 유기막(112) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 무기막(113)은 무기물을 포함하며, 상기 봉지 유기막(112)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 무기막(113)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 포함할 수 있다.
다만, 상기 표시 장치(10)의 적층 구조는 도 2에 도시된 바에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 상기 표시 장치(10)는 상기 하부 유기층(PI1) 및 상기 하부 배리어층(101)을 포함하지 않을 수 있고, 상기 제1 비아 절연층(106)과 상기 제1 전극(ADE) 사이에 연결 패턴들을 더 포함할 수도 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 확대도이고, 도 4는 도 3의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이며, 도 5는 도 4의 B 영역을 확대한 단면도이고, 도 6은 도 4의 C 영역을 확대한 단면도이다. 예를 들어, 도 3은 도 1의 A 영역을 확대한 일 예를 나타내는 확대도일 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(11)에는 상기 표시 영역(DA), 상기 주변 영역(SA) 및 상기 관통 영역(HA)이 정의될 수 있다. 상기 표시 장치(11)는 상기 관통 영역(HA)과 중첩하는 상기 기능성 모듈(FM) 및 상기 주변 영역(SA)과 중첩하는 댐 구조물(DMS)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 주변 영역(SA)은 상기 댐 구조물(DMS)을 기준으로 제1 주변 영역(SA1) 및 제2 주변 영역(SA2)으로 구분될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 주변 영역(SA1)은 상기 댐 구조물(DMS) 및 상기 표시 영역(DA) 사이의 영역이고, 상기 제2 주변 영역(SA2)은 상기 댐 구조물(DMS) 및 상기 관통 영역(HA) 사이의 영역일 수 있다.
상기 표시 장치(11)의 상기 주변 영역(SA)에는 상기 그루브들이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 주변 영역(SA1)에는 제1 그루브(GR1)가 형성되고, 상기 제2 주변 영역(SA2)에는 제2 그루브 내지 제n(단, n은 2 이상의 정수) 그루브들(GR2, ??, GRn)이 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제n 그루브들(GR1, GR2, ??, GRn) 각각은 평면 상에서 상기 관통 영역(HA)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.
도 3 및 4를 참조하면, 상기 표시 장치(11)는 상기 제1 내지 제3 그루브들(GR1, GR2, GR3)을 포함할 수 있다.
상기 하부 유기층(PI1), 상기 하부 배리어층(101) 및 상기 상부 유기층(PI2)은 상기 표시 영역(DA) 및 상기 주변 영역(SA)과 중첩할 수 있다. 다시 말하면, 상기 하부 유기층(PI1), 상기 하부 배리어층(101) 및 상기 상부 유기층(PI2)은 상기 표시 영역(DA)으로부터 상기 주변 영역(SA)으로 연장될 수 있다.
상기 제1 상부 배리어층(102), 상기 제1 버퍼층(103), 상기 제1 게이트 절연층(104) 및 상기 제1 층간 절연층(105)는 상기 표시 영역(DA) 및 상기 제1 주변 영역(SA1)과 중첩할 수 있다. 다시 말하면, 상기 제1 상부 배리어층(102), 상기 제1 버퍼층(103), 상기 제1 게이트 절연층(104) 및 상기 제1 층간 절연층(105)는 상기 표시 영역(DA)으로부터 상기 제1 주변 영역(SA1)으로 연장될 수 있다.
제2 상부 배리어층(202), 제2 버퍼층(203), 제2 게이트 절연층(204) 및 제2 층간 절연층(205)은 상기 상부 유기층(PI2) 상에 배치되고, 상기 댐 구조물(DMS)과 중첩할 수 있다.
제3 상부 배리어층(302), 제3 버퍼층(303), 제3 게이트 절연층(304) 및 제3 층간 절연층(305)은 상기 상부 유기층(PI2) 상에 배치되고, 상기 제2 주변 영역(SA2)과 중첩하며, 상기 제2 그루브(GR2) 및 상기 제3 그루브(GR3) 사이에 위치할 수 있다.
제4 상부 배리어층(402), 제4 버퍼층(403), 제4 게이트 절연층(404) 및 제4 층간 절연층(405)은 상기 상부 유기층(PI2) 상에 배치되고, 상기 제2 주변 영역(SA2)과 중첩하며, 상기 제3 그루브(GR3) 및 상기 관통 영역(HA) 사이에 위치할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 내지 제4 상부 배리어층들(102, 202, 302, 402)은 동일한 층에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 내지 제4 상부 배리어층들(102, 202, 302, 402)은 동일한 물질을 포함하며, 함께 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 내지 제4 버퍼층들(103, 203, 303, 403)은 동일한 층에 배치될 수 있으며, 상기 제1 내지 제4 게이트 절연층들(104, 204, 304, 404)은 동일한 층에 배치될 수 있고, 상기 제1 내지 제4 층간 절연층들(105, 205, 305, 405)은 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 댐 구조물(DMS)은 상기 제2 층간 절연층(205) 상에 배치되고, 상기 주변 영역(SA)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 댐 구조물(DMS)은 상기 제1 주변 영역(SA1) 및 상기 제2 주변 영역(SA2) 사이에 위치할 수 있다. 상기 댐 구조물(DMS)은 상기 봉지 유기막(112)의 경계를 정의할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 댐 구조물(DMS)은 제2 비아 절연층(206) 및 제2 화소 정의막(207)을 포함할 수 있다. 상기 제2 비아 절연층(206)은 상기 제1 비아 절연층(106)과 동일한 층에 배치되고, 상기 제2 화소 정의막(207)은 상기 제1 화소 정의막(107)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제1 캡핑층(109) 및 상기 제1 보호층(110)은 상기 표시 영역(DA) 및 상기 제1 주변 영역(SA1)과 중첩할 수 있다. 다시 말하면, 상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제1 캡핑층(109) 및 상기 제1 보호층(110)은 상기 표시 영역(DA)으로부터 상기 제1 주변 영역(SA1)으로 연장될 수 있다.
제2 유기 발광층(208), 제2 캡핑층(209) 및 제2 보호층(210)은 상기 댐 구조물(DMS) 상에서 상기 댐 구조물(DMS)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다.
제3 유기 발광층(308), 제3 캡핑층(309) 및 제3 보호층(310)은 상기 제3 층간 절연층(305) 상에 배치되고, 상기 제2 주변 영역(SA2)과 중첩하며, 상기 제2 그루브(GR2) 및 상기 제3 그루브(GR3) 사이에 위치할 수 있다.
제4 유기 발광층(408), 제4 캡핑층(409) 및 제4 보호층(410)은 상기 제4 층간 절연층(405) 상에 배치되고, 상기 제2 주변 영역(SA2)과 중첩하며, 상기 제3 그루브(GR3) 및 상기 관통 영역(HA) 사이에 위치할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 내지 제4 유기 발광층들(108, 208, 308, 408)은 동일한 층에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 내지 제4 유기 발광층들(108, 208, 308, 408)은 동일한 물질을 포함하며, 함께 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 내지 제4 캡핑층들(109, 209, 309, 409)은 동일한 층에 배치될 수 있고, 상기 제1 내지 제4 보호층들(110, 210, 310, 410)은 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 무기막(111)은 상기 표시 영역(DA) 및 상기 주변 영역(SA)과 중첩할 수 있다. 다시 말하면, 상기 제1 무기막(111)은 상기 표시 영역(DA)으로부터 상기 주변 영역(SA)으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 무기막(111)은 상기 제1 보호층(110), 상기 제1 그루브(GR1), 상기 제2 보호층(210), 상기 제2 그루브(GR2), 상기 제3 보호층(310), 상기 제3 그루브(GR3) 및 상기 제4 보호층(410)의 프로파일을 따라 전체적으로 배치될 수 있다.
상기 봉지 유기막(112)은 상기 표시 영역(DA) 및 상기 제1 주변 영역(SA1)과 중첩할 수 있다. 다시 말하면, 상기 봉지 유기막(112)은 상기 표시 영역(DA)으로부터 상기 제1 주변 영역(SA1)으로 연장될 수 있다. 상기 댐 구조물(DMS)은 상기 봉지 유기막(112)의 오버플로우를 제어할 수 있고, 상기 봉지 유기막(112)이 상기 제2 주변 영역(SA2)으로 연장되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제3 무기층(113)은 상기 표시 영역(DA) 및 상기 주변 영역(SA)과 중첩할 수 있다. 다시 말하면, 상기 제3 무기층(113)은 상기 표시 영역(DA)으로부터 상기 주변 영역(SA)으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 무기막(111)은 상기 봉지 유기막(112) 및 상기 제1 무기막(111)의 프로파일을 따라 전체적으로 배치될 수 있다.
오버 코팅층(OC)은 상기 표시 영역(DA) 및 상기 주변 영역(SA)과 중첩할 수 있다. 다시 말하면, 상기 오버 코팅층(OC)은 상기 표시 영역(DA)으로부터 상기 주변 영역(SA)으로 연장될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 오버 코팅층(OC)은 유기물을 포함할 수 있고, 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
도 4 및 5를 참조하면, 상기 상부 유기층(PI2)은 상기 표시 영역(DA) 및 상기 댐 구조물(DMS) 사이에 배치되는 상기 제1 그루브(GR1)를 포함할 수 있다. 상기 제1 그루브(GR1)의 내부에는 제1 산화 방지막(AOF1), 제1 더미 패턴(DP1), 상기 제1 무기막(111) 및 상기 봉지 유기막(112)이 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 그루브(GR1)는 단면 상에서 언더컷(undercut) 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 그루브(GR1)의 상부면의 면적은 상기 제1 그루브(GR1)의 하부면의 면적보다 클 수 있다. 또한, 상기 제1 상부 배리어층(102), 상기 제1 버퍼층(103), 상기 제1 게이트 절연층(104) 및 상기 제1 층간 절연층(105)은 상기 상부면과 일부 중첩할 수 있고, 상기 제2 상부 배리어층(202), 상기 제2 버퍼층(203), 상기 제2 게이트 절연층(204) 및 상기 제2 층간 절연층(205)은 상기 상부면과 일부 중첩할 수 있다. 그에 따라, 상기 상부면과 일부 중첩하는 상기 제1 상부 배리어층(102), 상기 제1 버퍼층(103), 상기 제1 게이트 절연층(104), 상기 제1 층간 절연층(105), 상기 제2 상부 배리어층(202), 상기 제2 버퍼층(203), 상기 제2 게이트 절연층(204) 및 상기 제2 층간 절연층(205)은 팁(TP)으로 정의될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 그루브(GR1)는 상기 제1 그루브(GR1)의 중앙에 위치하는 제1 영역(AR1) 및 상기 제1 영역(AR1)을 둘러싸는 제2 영역(AR2)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 그루브(GR1)의 상기 제2 영역(AR2)에는 상기 제1 산화 방지막(AOF1)이 형성될 수 있다. 다시 말하면, 상기 제1 산화 방지막(AOF1)은 상기 제1 그루브(GR1)의 상기 내부의 측벽(SW)을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 산화 방지막(AOF1)은 상기 팁(TP)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 산화 방지막(AOF1)의 단부는 상기 팁(TP)의 단부와 일치할 수 있다. 도 9를 참조하여 후술하는 바와 같이, 상기 팁(TP)은 상기 제1 산화 방지막(AOF1)을 형성하기 위한 마스크로 기능할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 산화 방지막(AOF1)은 상기 표시 영역(DA) 및 상기 제1 영역(AR1)과 중첩하지 않을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 산화 방지막(AOF1)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등의 무기물을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 제1 산화 방지막(AOF1)은 금속 및 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 산화 방지막(AOF1)은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 산화 방지막(AOF1)에는 상기 제1 영역(AR1)과 중첩하는 개구가 형성될 수 있다. 상기 개구는 상기 상부 유기층(PI2)을 노출시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 상부 유기층(PI2) 상의 상기 개구에는 상기 제1 더미 패턴(DP1)이 배치될 수 있다. 상기 제1 더미 패턴(DP1)은 상기 상부 유기층(PI2)와 접촉할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 더미 패턴(DP1)은 상기 제1 유기 발광층(108)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(108, 208)은 상기 팁(TP)에 의해 단락될 수 있다. 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(108, 208)이 단락됨에 따라, 상기 제1 그루브(GR1)의 내부에 형성되는 유기 발광층의 조각이 상기 제1 더미 패턴(DP1)으로 정의될 수 있다. 상기 제1 더미 패턴(DP1)이 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(108, 208)으로부터 단락되고, 상기 상부 유기층(PI2) 상에 배치됨에 따라, 상기 제1 더미 패턴(DP1)은 수분 및/또는 산소의 침투를 지연시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 무기막(111)은 상기 제1 그루브(GR1)의 내부에서 상기 제1 산화 방지막(AOF1) 상에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 상기 제1 산화 방지막(AOF1)은 상기 상부 유기층(PI2) 및 상기 제1 무기막(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 봉지 유기막(112)은 상기 제1 그루브(GR1)의 내부를 채울 수 있다.
도 4 및 6을 참조하면, 상기 상부 유기층(PI2)은 상기 댐 구조물(DMS) 및 상기 관통 영역(HA) 사이에 배치되는 상기 제2 그루브(GR2)를 포함할 수 있다. 상기 제2 그루브(GR2)의 내부에는 제2 산화 방지막(AOF2), 제2 더미 패턴(DP2), 상기 제1 무기막(111), 상기 제2 무기막(113) 및 상기 오버 코팅층(OC)이 배치될 수 있다. 다만, 상기 제2 그루브(GR2)의 구조는 상기 제1 그루브(GR1)의 구조와 실질적으로 동일하므로, 이하에서는 차이점에 대하여 설명하기로 한다.
상기 제2 무기막(113)은 상기 제2 그루브(GR2)의 내부에서 상기 제1 무기막(111) 상에 배치될 수 있다. 상기 오버 코팅층(OC)은 상기 제2 그루브(GR2)의 내부를 채울 수 있다.
상기 표시 장치(11)는 상기 제1 그루브(GR1)의 상기 측벽(SW)을 둘러싸는 상기 제1 산화 방지막(AOF1)을 포함할 수 있다. 상기 제1 산화 방지막(AOF1)은 상기 상부 유기층(PI2) 및 상기 제1 무기막(111) 사이에 배치될 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 산화 방지막(AOF1)은 상기 관통 영역(HA)과 인접하는 상기 상부 유기층(PI2)을 통해 침투된 수분 및/또는 산소로부터 상기 제1 무기막(111)을 보호할 수 있다. 상기 제1 산화 방지막(AOF1)이 상기 제1 무기막(111)의 산화를 지연시킬 수 있으므로, 상기 표시 장치(11)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 7 내지 도 12는 도 3의 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 예를 들어, 도 7 내지 도 12는 도 4의 B 영역을 확대한 단면도들일 수 있다.
도 7을 참조하면, 제1 마스크 패턴(MK1)이 상기 제1 층간 절연층(105) 상에 배치되고, 제2 마스크 패턴(MK2)이 상기 제2 층간 절연층(205) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 및 제2 마스크 패턴들(MK1, MK2)은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 마스크 패턴들(MK1, MK2)은 인듐 아연 산화물(IZO)을 포함할 수 있다. 이후, 제1 식각 공정을 통해 상기 상부 유기층(PI2)의 일부가 제거될 수 있다. 그에 따라, 언더컷 형상을 갖는 상기 제1 그루브(GR1)가 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 제1 예비 산화 방지막(AOF1')이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 예비 산화 방지막(AOF1')은 화학 기상 증착(CVD) 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 예비 산화 방지막(AOF1')은 상기 제1 마스크 패턴(MK1)의 상면, 상기 팁(TP)의 단부, 상기 제1 그루브(GR1)의 측벽, 상기 제1 그루브(GR1)의 하면, 및 상기 제2 마스크 패턴(MK2)의 상면의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 예비 산화 방지막(AOF1')은 상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제2 유기 발광층(208), 및 상기 제1 더미 패턴(DP1)이 형성되기 이전에 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 예비 산화막(AOF1')을 형성하기 위한 상기 화학 기상 증착 공정은 고온(예를 들어, 약 200도)에서 수행될 수 있다. 따라서, 상기 제1 예비 산화 방지막(AOF1')의 보이드(void)가 감소되고 밀도가 증가될 수 있다. 상기 제1 산화 방지막(AOF1)은 수분 및/또는 산소가 침투되는 현상을 더욱 방지할 수 있다.도 9를 참조하면, 상기 제1 산화 방지막(AOF1)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 식각 공정을 통해 상기 제1 예비 산화 방지막(AOF1')이 제거될 수 있다. 상기 제2 식각 공정은 상기 팁(TP)을 마스크로 이용하는 건식 식각 공정일 수 있다. 상기 제2 식각 공정의 이방성 식각에 의해, 상기 팁(TP)과 중첩하는 상기 제1 예비 산화 방지막(AOF1')은 잔존할 수 있다. 반면, 상기 팁(TP)과 중첩하지 않는 상기 제1 예비 산화 방지막(AOF1')은 제거될 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 산화 방지막(AOF1)에는 상기 제1 영역(AR1)과 중첩하는 개구가 형성될 수 있다. 상기 개구는 상기 상부 유기층(PI2)을 노출시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 산화 방지막(AOF1)은 상기 팁(TP)과 중첩할 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 제1 및 제2 마스크 패턴들(MK1, MK2)이 제거될 수 있다. 이후, 상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제1 더미 패턴(DP1) 및 상기 제2 유기 발광층(208)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제1 더미 패턴(DP1) 및 상기 제2 유기 발광층(208)은 함께 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 더미 패턴(DP1)은 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(108, 208)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제1 더미 패턴(DP1) 및 상기 제2 유기 발광층(208)은 상기 팁(TP)에 의해 단절될 수 있다. 예를 들어, 진공 증착 공정의 이방성 증착에 의해, 상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제1 더미 패턴(DP1) 및 상기 제2 유기 발광층(208)은 상기 팁(TP)의 하부에 형성되지 않을 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 더미 패턴(DP1)은 상기 제1 산화 방지막(AOF1)의 상기 개구에 형성될 수 있다. 다시 말하면, 상기 제1 더미 패턴(DP1)은 상기 제1 영역(AR1)과 중첩할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 상부 유기층(PI2) 및 상기 제1 더미 패턴(DP1) 사이에는 상기 제1 산화 방지막(AOF1)이 배치되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 더미 패턴(DP1)은 상기 상부 유기층(PI2)과 접촉할 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 제1 캡핑층(109) 및 상기 제2 캡핑층(209)이 형성되고, 상기 제1 보호층(110) 및 상기 제2 보호층(210)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 무기막(111)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 무기막(111)은 화학 기상 증착(CVD) 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 무기막(111)은 상기 제1 보호층(110), 상기 제1 산화 방지막(AOF1), 상기 제1 더미 패턴(DP1) 및 상기 제2 보호층(210)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다.
도 12를 참조하면, 상기 봉지 유기막(112)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 봉지 유기막(112)은 상기 제1 그루브(GR1)의 내부를 채울 수 있다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 확대도이고, 도 14는 도 13의 II-II'선을 따라 절단한 단면도이며, 도 15는 도 14의 D 영역을 확대한 단면도이다. 예를 들어, 도 13은 도 1의 A 영역을 확대한 다른 예를 나타내는 확대도일 수 있다.
도 13 및 14를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(12)에는 상기 표시 영역(DA), 상기 주변 영역(SA) 및 상기 관통 영역(HA)이 정의될 수 있다. 상기 표시 장치(12)는 상기 관통 영역(HA)과 중첩하는 상기 기능성 모듈(FM) 및 상기 주변 영역(SA)과 중첩하는 상기 댐 구조물(DMS)을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치(12)의 상기 주변 영역(SA)에는 상기 그루브들이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 주변 영역(SA1)에는 제1 그루브(GR1)가 형성되고, 상기 제2 주변 영역(SA2)에는 제2 그루브 내지 제n(단, n은 2 이상의 정수) 그루브들(GR2, ??, GRn)이 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제n 그루브들(GR1, GR2, ??, GRn) 각각은 평면 상에서 상기 관통 영역(HA)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.
다만, 상기 표시 장치(12)는, 상기 제1 내지 제n 그루브들(GR1, GR2, ??, GRn) 각각의 내부 구조를 제외하고는, 상기 표시 장치(11)와 실질적으로 동일할 수 있다. 구체적으로, 상기 표시 장치(12)는, 상기 산화 방지막(AOF)을 제외하고는, 상기 표시 장치(11)와 실질적으로 동일할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 산화 방지막(AOF)은 상기 주변 영역(SA)과 중첩할 수 있다. 다시 말하면, 상기 산화 방지막(AOF)은 상기 표시 영역(DA)과 중첩하지 않을 수 있다. 또한, 상기 산화 방지막(AOF)은 상기 그루브들 각각의 내벽에 전체적으로 배치될 수 있고, 상기 상부 유기층(PI2) 및 상기 제1 무기막(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 산화 방지막(AOF)에 대하여는 이하에서 구체적으로 설명하기로 한다.
도 14 및 15를 참조하면, 상기 상부 유기층(PI2)은 상기 표시 영역(DA) 및 상기 댐 구조물(DMS) 사이에 배치되는 상기 제1 그루브(GR1)를 포함할 수 있다. 상기 제1 그루브(GR1)의 내부에는 상기 산화 방지막(AOF), 제1 더미 패턴(DP1), 상기 제1 무기막(111) 및 상기 봉지 유기막(112)이 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 그루브(GR1)는 단면 상에서 언더컷(undercut) 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 그루브(GR1)의 상부면의 면적은 상기 제1 그루브(GR1)의 하부면의 면적보다 클 수 있다. 또한, 상기 제1 상부 배리어층(102), 상기 제1 버퍼층(103), 상기 제1 게이트 절연층(104) 및 상기 제1 층간 절연층(105)은 상기 상부면과 일부 중첩할 수 있고, 상기 제2 상부 배리어층(202), 상기 제2 버퍼층(203), 상기 제2 게이트 절연층(204) 및 상기 제2 층간 절연층(205)은 상기 상부면과 일부 중첩할 수 있다. 그에 따라, 상기 상부면과 일부 중첩하는 상기 제1 상부 배리어층(102), 상기 제1 버퍼층(103), 상기 제1 게이트 절연층(104), 상기 제1 층간 절연층(105), 상기 제2 상부 배리어층(202), 상기 제2 버퍼층(203), 상기 제2 게이트 절연층(204) 및 상기 제2 층간 절연층(205)은 팁(TP)으로 정의될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 산화 방지막(AOF)는 상기 제1 그루브(GR1)의 내벽(INS)에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 내벽(INS)은 상기 제1 그루브(GR1)의 저면(LS) 및 상기 제1 그루브(GR1)의 측벽(SW)을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 상기 산화 방지막(AOF)은 상기 제1 그루브(GR1)의 형상을 따라 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 산화 방지막(AOF)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등의 무기물을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 산화 방지막(AOF)은 금속 및 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 산화 방지막(AOF)은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 더미 패턴(DP1)은 상기 저면(LS)과 중첩하는 상기 산화 방지막(AOF) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 더미 패턴(DP1)은 상기 제1 유기 발광층(108)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(108, 208)은 상기 팁(TP)에 의해 단락될 수 있다. 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(108, 208)이 단락됨에 따라, 상기 제1 그루브(GR1)의 내부에 형성되는 유기 발광층의 조각이 상기 제1 더미 패턴(DP1)으로 정의될 수 있다. 상기 제1 더미 패턴(DP1)이 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(108, 208)으로부터 단락되고, 상기 산화 방지막(AOF) 상에 배치됨에 따라, 상기 제1 더미 패턴(DP1)은 수분 및/또는 산소의 침투를 지연시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 무기막(111)은 상기 제1 그루브(GR1)의 내부에서 상기 산화 방지막(AOF) 상에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 상기 산화 방지막(AOF)은 상기 상부 유기층(PI2) 및 상기 제1 무기막(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 봉지 유기막(112)은 상기 제1 그루브(GR1)의 내부를 채울 수 있다.
상기 표시 장치(12)는 상기 제1 그루브(GR1)의 상기 내벽(INS)을 둘러싸는 상기 산화 방지막(AOF)을 포함할 수 있다. 상기 산화 방지막(AOF)은 상기 상부 유기층(PI2) 및 상기 제1 무기막(111) 사이에 배치될 수 있다. 그에 따라, 상기 산화 방지막(AOF)은 상기 관통 영역(HA)과 인접하는 상기 상부 유기층(PI2)을 통해 침투된 수분 및/또는 산소로부터 상기 제1 무기막(111)을 보호할 수 있다. 상기 산화 방지막(AOF)이 상기 제1 무기막(111)의 산화를 지연시킬 수 있으므로, 상기 표시 장치(12)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 16 내지 도 20은 일 실시예에 따른 도 13의 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 16 내지 20을 참조하면, 상기 산화 방지막(AOF)은 별도의 마스크를 이용하여 형성될 수 있다.
구체적으로, 도 16에 도시된 바와 같이, 상기 제1 마스크 패턴(MK1)이 상기 제1 층간 절연층(105) 상에 배치되고, 상기 제2 마스크 패턴(MK2)이 상기 제2 층간 절연층(205) 상에 배치될 수 있다. 이후, 제1 식각 공정을 통해 상기 상부 유기층(PI2)의 일부가 제거될 수 있다. 그에 따라, 언더컷 형상을 갖는 상기 제1 그루브(GR1)가 형성될 수 있다.
도 17에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 마스크 패턴들(MK1, MK2)이 제거되고, 상기 산화 방지막(AOF)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 산화 방지막(AOF)은 화학 기상 증착(CVD) 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 산화 방지막(AOF)은 상기 마스크를 이용하여 상기 주변 영역(SA)에만 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 마스크는 상기 표시 영역(DA)과 중첩하는 차폐부 및 상기 주변 영역(SA)과 중첩하는 개구부를 포함하는 오픈 마스크(open)일 수 있다. 그에 따라, 상기 산화 방지막(AOF)은 상기 표시 영역(DA)에 형성되지 않을 수 있고, 상기 주변 영역(SA)에만 형성될 수 있다.
도 18에 도시된 바와 같이, 상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제1 더미 패턴(DP1) 및 상기 제2 유기 발광층(208)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제1 더미 패턴(DP1) 및 상기 제2 유기 발광층(208)은 함께 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 더미 패턴(DP1)은 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(108, 208)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제1 더미 패턴(DP1) 및 상기 제2 유기 발광층(208)은 상기 팁(TP)에 의해 단절될 수 있다. 예를 들어, 진공 증착 공정의 이방성 증착에 의해, 상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제1 더미 패턴(DP1) 및 상기 제2 유기 발광층(208)은 상기 팁(TP)의 하부에 형성되지 않을 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 더미 패턴(DP1)은 상기 산화 방지막(AOF) 상에 형성될 수 있다. 다시 말하면, 상기 상부 유기층(PI2) 및 상기 제1 더미 패턴(DP1) 사이에는 상기 산화 방지막(AOF)이 배치될 수 있다.
도 19에 도시된 바와 같이, 상기 제1 캡핑층(109) 및 상기 제2 캡핑층(209)이 형성되고, 상기 제1 보호층(110) 및 상기 제2 보호층(210)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 무기막(111)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 무기막(111)은 화학 기상 증착(CVD) 공정을 이용하여 형성되 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 무기막(111)은 상기 제1 보호층(110), 상기 산화 방지막(AOF), 상기 제1 더미 패턴(DP1) 및 상기 제2 보호층(210)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다.
도 20에 도시된 바와 같이, 상기 봉지 유기막(112)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 봉지 유기막(112)은 상기 제1 그루브(GR1)의 내부를 채울 수 있다.
도 21 내지 도 28은 다른 실시예에 따른 도 13의 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 21 내지 28을 참조하면, 상기 산화 방지막(AOF)은 포토레지스트 패턴(PR)을 이용하여 형성될 수 있다.
구체적으로, 도 21에 도시된 바와 같이, 상기 제1 마스크 패턴(MK1)이 상기 제1 층간 절연층(105) 상에 배치되고, 상기 제2 마스크 패턴(MK2)이 상기 제2 층간 절연층(205) 상에 배치될 수 있다. 이후, 제1 식각 공정을 통해 상기 상부 유기층(PI2)의 일부가 제거될 수 있다. 그에 따라, 언더컷 형상을 갖는 상기 제1 그루브(GR1)가 형성될 수 있다.
도 22에 도시된 바와 같이, 예비 산화 방지막(AOF')이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 예비 산화 방지막(AOF')은 화학 기상 증착(CVD) 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 예비 산화 방지막(AOF')은 상기 마스크를 이용하지 않고 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 예비 산화 방지막(AOF')은 상기 표시 영역(DA) 및 상기 주변 영역(SA)에 형성될 수 있다.
도 23에 도시된 바와 같이, 예비 포토레지스트 패턴(PR')이 형성될 수 있다. 상기 예비 포토레지스트 패턴(PR')은 상기 표시 장치(12)의 전면에 코팅될 수 있다. 예를 들어, 상기 예비 포토레지스트 패턴(PR')은 상기 표시 영역(DA) 및 상기 주변 영역(SA)과 중첩할 수 있다.
도 24에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트 패턴(PR)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 포토레지스트 패턴(PR)은 상기 제1 그루브(GR1)의 내부에만 잔존하도록 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 상기 예비 포토레지스트 패턴(PR')이 전면 노광될 수 있다. 상기 제1 그루브(GR1)의 상기 내부에 형성된 상기 예비 포토레지스트 패턴(PR')의 두께가 상기 예비 산화 방지막(AOF') 상에 형성된 상기 예비 포토레지스트 패턴(PR')의 두께보다 크므로, 상대적으로 두께가 작은 상기 예비 포토레지스트 패턴(PR')이 부분적으로 제거될 수 있다. 그에 따라, 상기 포토레지스트 패턴(PR)과 중첩하지 않는 상기 예비 산화 방지막(AOF')이 노출될 수 있다. 다만, 패터닝된 상기 포토레지스트 패턴(PR)의 형상은 도 24에 도시된 바에 한정되지 않는다. 예를 들어, 패터닝된 상기 포토레지스트 패턴(PR)의 형상은 필요에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
도 25에 도시된 바와 같이, 상기 산화 방지막(AOF)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 식각 공정을 통해 노출된 상기 예비 산화 방지막(AOF')이 제거될 수 있다. 그에 따라, 상기 산화 방지막(AOF)은 상기 제1 그루브(GR1)의 상기 내벽(INS)에 전체적으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 산화 방지막(AOF)은 상기 표시 영역(DA)과 중첩하지 않도록 형성될 수 있다.
도 26에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 마스크 패턴들(MK1, MK2)이 제거될 수 있다. 이후, 상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제1 더미 패턴(DP1) 및 상기 제2 유기 발광층(208)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제1 더미 패턴(DP1) 및 상기 제2 유기 발광층(208)은 함께 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 더미 패턴(DP1)은 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(108, 208)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 27에 도시된 바와 같이, 상기 제1 캡핑층(109) 및 상기 제2 캡핑층(209)이 형성되고, 상기 제1 보호층(110) 및 상기 제2 보호층(210)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 무기막(111)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 무기막(111)은 화학 기상 증착(CVD) 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 무기막(111)은 상기 제1 보호층(110), 상기 산화 방지막(AOF), 상기 제1 더미 패턴(DP1) 및 상기 제2 보호층(210)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다.
도 28에 도시된 바와 같이, 상기 봉지 유기막(112)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 봉지 유기막(112)은 상기 제1 그루브(GR1)의 내부를 채울 수 있다.
도 29 내지 도 33은 또 다른 실시예에 따른 도 13의 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 29 내지 33을 참조하면, 상기 산화 방지막(AOF)은 포토레지스트 패턴(PR)을 이용하여 형성될 수 있다.
구체적으로, 도 29에 도시된 바와 같이, 상기 제1 마스크 패턴(MK1), 상기 제2 마스크 패턴(MK2), 상기 제1 그루브(GR1), 및 상기 예비 산화 방지막(AOF')이 형성될 수 있다. 다만, 상기 제1 마스크 패턴(MK1), 상기 제2 마스크 패턴(MK2), 상기 제1 그루브(GR1), 및 상기 예비 산화 방지막(AOF')은 도 21 및 22를 참조하여 설명한 상기 제1 마스크 패턴(MK1), 상기 제2 마스크 패턴(MK2), 상기 제1 그루브(GR1), 및 상기 예비 산화 방지막(AOF')과 실질적으로 동일할 수 있다.
도 30에 도시된 바와 같이, 상기 예비 포토레지스트 패턴(PR')이 형성될 수 있다. 상기 예비 포토레지스트 패턴(PR')은 상기 표시 장치(12)의 전면에 코팅될 수 있다. 예를 들어, 상기 예비 포토레지스트 패턴(PR')은 상기 표시 영역(DA) 및 상기 주변 영역(SA)과 중첩할 수 있다.
도 31에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트 패턴(PR)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 포토레지스트 패턴(PR)은 상기 제1 그루브(GR1)의 내부에만 잔존하도록 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 상기 예비 포토레지스트 패턴(PR')이 부분 노광될 수 있다. 그에 따라, 상기 예비 포토레지스트 패턴(PR')이 부분적으로 제거될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 그루브(GR1)와 중첩하지 않는 상기 예비 포토레지스트 패턴(PR')이 제거될 수 있다. 그에 따라, 상기 포토레지스트 패턴(PR)과 중첩하지 않는 상기 예비 산화 방지막(AOF')이 노출될 수 있다. 다만, 패터닝된 상기 포토레지스트 패턴(PR)의 형상은 도 24에 도시된 바에 한정되지 않는다. 예를 들어, 패터닝된 상기 포토레지스트 패턴(PR)의 형상은 필요에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
도 32에 도시된 바와 같이, 상기 산화 방지막(AOF)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 노출된 상기 예비 산화 방지막(AOF')이 제거될 수 있다. 그에 따라, 상기 산화 방지막(AOF)은 상기 제1 그루브(GR1)의 상기 내벽(INS)에 전체적으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 산화 방지막(AOF)은 상기 표시 영역(DA)과 중첩하지 않도록 형성될 수 있다.
도 33에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 마스크 패턴들(MK1, MK2)이 제거될 수 있다. 또한, 상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제1 더미 패턴(DP1), 상기 제2 유기 발광층(208), 상기 제1 캡핑층(109), 상기 제2 캡핑층(209), 상기 제1 보호층(110), 상기 제2 보호층(210), 상기 제1 무기막(111), 및 상기 봉지 유기막(112)이 형성될 수 있다. 다만, 상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제1 더미 패턴(DP1), 상기 제2 유기 발광층(208), 상기 제1 캡핑층(109), 상기 제2 캡핑층(209), 상기 제1 보호층(110), 상기 제2 보호층(210), 상기 제1 무기막(111), 및 상기 봉지 유기막(112)은 도 26 내지 도 28을 참조하여 설명한 상기 제1 유기 발광층(108), 상기 제1 더미 패턴(DP1), 상기 제2 유기 발광층(208), 상기 제1 캡핑층(109), 상기 제2 캡핑층(209), 상기 제1 보호층(110), 상기 제2 보호층(210), 상기 제1 무기막(111), 및 상기 봉지 유기막(112)과 실질적으로 동일할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 상기 표시 장치(11, 12)는 상기 제1 그루브(GR1)의 상기 측벽(SW) 및/또는 상기 내벽(INS)을 둘러싸는 상기 산화 방지막(AOF)을 포함할 수 있다. 상기 산화 방지막(AOF)은 상기 상부 유기층(PI2) 및 상기 제1 무기막(111) 사이에 배치될 수 있다. 그에 따라, 상기 산화 방지막(AOF)은 상기 관통 영역(HA)과 인접하는 상기 상부 유기층(PI2)을 통해 침투된 수분 및/또는 산소로부터 상기 제1 무기막(111)을 보호할 수 있다. 상기 산화 방지막(AOF)이 상기 제1 무기막(111)의 산화를 지연시킬 수 있으므로, 상기 표시 장치(11, 12)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 고해상도 스마트폰, 휴대폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10, 11, 12 : 표시 장치
DA : 표시 영역
SA : 주변 영역 HA : 관통 영역
GR1 : 제1 그루브 TFE : 박막 봉지층
111 : 제1 무기막 112 : 봉지 유기막
113 : 제2 무기막 AOF : 산화 방지막
ADE : 제1 전극 108 : 제1 유기 발광층
CTE : 제2 전극 DP1 : 제1 더미 패턴
DMS : 댐 구조물 OC : 오버코팅층
109 : 제1 캡핑층 110 : 제1 보호층
FM : 기능성 모듈
SA : 주변 영역 HA : 관통 영역
GR1 : 제1 그루브 TFE : 박막 봉지층
111 : 제1 무기막 112 : 봉지 유기막
113 : 제2 무기막 AOF : 산화 방지막
ADE : 제1 전극 108 : 제1 유기 발광층
CTE : 제2 전극 DP1 : 제1 더미 패턴
DMS : 댐 구조물 OC : 오버코팅층
109 : 제1 캡핑층 110 : 제1 보호층
FM : 기능성 모듈
Claims (20)
- 관통 영역, 상기 관통 영역을 둘러싸는 주변 영역, 및 상기 주변 영역을 둘러싸는 표시 영역이 정의되는 기판을 준비하는 단계;
상기 주변 영역과 중첩하는 적어도 하나의 그루브를 형성하는 단계;
상기 그루브의 내벽에 산화 방지막을 형성하는 단계; 및
상기 기판 상에, 상기 표시 영역과 중첩하는 제1 무기막을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 무기막은 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역과 중첩하며,
상기 산화 방지막은 상기 기판 및 상기 제1 무기막 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제1 항에 있어서, 상기 그루브의 상기 내벽은 상기 그루브의 저면 및 상기 그루브의 측벽을 포함하고,
상기 산화 방지막은 상기 그루브의 상기 저면 및 상기 측벽과 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제1 항에 있어서, 상기 산화 방지막은 상기 표시 영역과 중첩하는 차폐부 및 상기 주변 영역과 중첩하는 개구부를 포함하는 오픈 마스크를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 산화 방지막을 형성하는 단계는
상기 주변 영역 및 상기 표시 영역과 중첩하는 예비 산화 방지막을 형성하는 단계;
상기 그루브의 내부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트 패턴과 중첩하지 않는 상기 예비 산화 방지막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제4 항에 있어서, 상기 그루브의 상기 내부에 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는
상기 주변 영역 및 상기 표시 영역과 중첩하는 예비 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 예비 포토레지스트 패턴을 전면 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제4 항에 있어서, 상기 그루브의 상기 내부에 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는
상기 주변 영역 및 상기 표시 영역과 중첩하는 예비 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 예비 포토레지스트 패턴을 부분 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 표시 영역과 중첩하는 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에, 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역과 중첩하는 유기 발광층을 형성하는 단계;
상기 산화 방지막 및 상기 제1 무기막 사이에, 더미 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 유기 발광층 및 상기 제1 무기막 사이에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 더미 패턴은 상기 유기 발광층과 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제7 항에 있어서, 상기 더미 패턴은 상기 산화 방지막과 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 산화 방지막은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 산화 방지막은 금속 및 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 관통 영역, 상기 관통 영역을 둘러싸는 주변 영역 및 상기 주변 영역을 둘러싸는 표시 영역이 정의되고, 상기 관통 영역과 중첩하는 관통홀 및 상기 주변 영역과 중첩하는 적어도 하나의 그루브를 포함하는 기판;
상기 기판 상에 배치되고, 상기 표시 영역과 중첩하며, 제1 무기막을 포함하는 발광 구조물; 및
상기 그루브의 내벽에 전체적으로 배치되는 산화 방지막을 포함하고,
상기 제1 무기막은 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역과 중첩하며,
상기 산화 방지막은 상기 기판 및 상기 제1 무기막 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제11 항에 있어서, 상기 그루브의 상기 내벽은 상기 그루브의 저면 및 상기 그루브의 측벽을 포함하고,
상기 산화 방지막은 상기 그루브의 상기 저면 및 상기 측벽과 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제11 항에 있어서, 상기 발광 구조물은
제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치되고, 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역과 중첩하는 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 및 상기 제1 무기막 사이에 배치되는 제2 전극을 더 포함하고,
상기 산화 방지막 및 상기 제1 무기막 사이에는, 상기 발광 유기층과 동일한 물질을 포함하는 더미 패턴이 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제13 항에 있어서, 상기 더미 패턴은 상기 산화 방지막과 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제11 항에 있어서, 상기 산화 방지막은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제11 항에 있어서, 상기 산화 방지막은 금속 및 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제11 항에 있어서,
상기 관통홀의 내부에 적어도 일부가 배치되는 기능성 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 관통 영역, 상기 관통 영역을 둘러싸는 주변 영역 및 상기 주변 영역을 둘러싸는 표시 영역이 정의되고, 상기 관통 영역에 형성되는 관통홀 및 상기 주변 영역과 중첩하는 적어도 하나의 그루브를 포함하는 기판;
상기 기판 상에 배치되고, 상기 표시 영역과 중첩하며, 제1 무기막을 포함하는 발광 구조물; 및
상기 그루브의 내부에 배치되고, 상기 기판을 노출시키는 개구가 형성되는 산화 방지막을 포함하고,
상기 제1 무기막은 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역과 중첩하며,
상기 산화 방지막은 상기 기판 및 상기 제1 무기막 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제18 항에 있어서, 상기 산화 방지막은 상기 그루브의 상기 내부의 측벽을 둘러싸도록 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제18 항에 있어서, 상기 그루브는 상기 개구와 중첩하는 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하고,
상기 산화 방지막은 상기 제2 영역과 중첩하며, 상기 표시 영역 및 상기 제1 영역과 비중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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