KR20200043563A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
표시 장치는 표시 영역 및 표시 영역의 외측의 투과 영역을 포함하는 기판, 기판 상의 표시 영역에 배치되는 표시부, 표시부를 덮는 박막 봉지층, 그리고 기판 상의 박막 봉지층과 투과 영역 사이에 배치되는 제1 댐을 포함할 수 있다. 박막 봉지층의 단부는 제1 댐의 내측에 위치할 수 있다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 투과 영역을 포함하는 표시 장치 및 이러한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
다양한 전기적 신호 정보를 시각적으로 표현하는 디스플레이 분야가 급속도로 발전함에 따라, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 우수한 특성을 가지는 다양한 평판 표시 장치들이 사용되고 있다. 또한, 휴대성, 슬림화 등의 사용자 편의성을 증대하기 위하여 플렉서블한 표시 장치가 연구 및 개발되고 있다.
플렉서블한 표시 장치는 외부로부터 수분, 산소 등의 침투를 차단하기 위하여 무기 봉지층과 유기 봉지층이 교대로 적층되는 박막 봉지층을 포함할 수 있다. 상기 유기 봉지층은 경화되기 전에는 유동성을 가지는 유기물이고, 상기 유기물이 과도포되는 경우에 상기 유기물이 표시 영역을 벗어나 주변 영역으로 넘쳐흐를 수 있다. 이에 따라, 상기 유기물의 유출을 방지하기 위하여 상기 표시 영역의 주변에 댐이 형성될 수 있다.
표시 장치의 주변 영역에는 투과 영역이 형성될 수 있고, 상기 표시 장치의 하부에 상기 투과 영역에 대응하도록 카메라 등이 배치되어 외광이 상기 투과 영역을 통해 카메라 등에 유입될 수 있다. 한편, 상기 박막 봉지층의 상기 무기 봉지층이 상기 투과 영역 상에 형성되는 경우, 상기 투과 영역의 광투과율이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 투과 영역이 박막 봉지층에 의해 덮이지 않는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 투과 영역 상에 박막 봉지층이 형성되는 것을 방지하기 위한 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측의 투과 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 표시부, 상기 표시부를 덮는 박막 봉지층, 그리고 상기 기판 상의 상기 박막 봉지층과 상기 투과 영역 사이에 배치되는 제1 댐을 포함할 수 있다. 상기 박막 봉지층의 단부는 상기 제1 댐의 내측에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 표시 영역을 둘러싸며 상기 기판 상의 상기 표시부와 상기 제1 댐 사이에 배치되는 제2 댐을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층은 순차적으로 적층된 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층, 및 제2 무기 봉지층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 봉지층은 상기 제2 댐의 내측에 위치할 수 있고, 상기 제1 무기 봉지층의 단부 및 상기 제2 봉지층의 단부는 상기 제2 댐의 외측에서 서로 접할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층은 실리콘 산질화물을 포함할 수 있고, 상기 제2 무기 봉지층은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제2 댐을 둘러싸며 상기 기판 상에 상기 투과 영역을 사이에 두고 상기 제1 댐에 대향하도록 배치되는 제3 댐을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 댐은 상기 기판 상에 직접 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 댐은 제1 방향을 따라 연장될 수 있고, 상기 투과 영역의 상기 제1 방향으로의 폭은 상기 표시 영역의 상기 제1 방향으로의 폭보다 작을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 댐의 상기 제1 방향으로의 길이는 상기 표시 영역의 상기 폭과 실질적으로 같을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 댐의 상기 제1 방향으로의 길이는 상기 투과 영역의 상기 폭과 실질적으로 같을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 댐의 상기 제1 방향으로의 길이는 상기 표시 영역의 상기 폭보다 작고 상기 투과 영역의 상기 폭보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시부는 상기 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터를 덮는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되는 제2 절연층, 상기 제2 절연층 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제2 절연층 상에 배치되며 상기 제1 전극의 일부를 노출하는 개구를 포함하는 화소 정의막, 상기 개구에 의해 노출된 제1 전극 상에 배치되는 발광층, 그리고 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 댐은 상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 및 상기 화소 정의막 중에서 어느 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 댐은 제1 층 및 제2 층을 포함할 수 있다. 상기 제1 층은 상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 및 상기 화소 정의막 중에서 어느 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있고, 상기 제2 층은 상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 및 상기 화소 정의막 중에서 다른 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 댐은 제1 층, 제2 층, 및 제3 층을 포함할 수 있다. 상기 제1 층은 상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 및 상기 화소 정의막 중에서 어느 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있고, 상기 제2 층은 상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 및 상기 화소 정의막 중에서 다른 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 상기 제3 층은 상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 및 상기 화소 정의막 중에서 나머지 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 기판과 상기 제1 절연층 사이에 배치되는 적어도 하나의 무기 절연층을 더 포함할 수 있고, 상기 투과 영역은 상기 적어도 하나의 무기 절연층에 의해 덮이지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측의 투과 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 표시부를 형성하는 단계, 상기 기판 상의 상기 표시 영역과 상기 투과 영역 사이에 제1 댐을 형성하는 단계, 상기 표시 영역에 대응하는 개구부를 갖는 마스크를 상기 기판 상에 상기 제1 댐과 접하도록 배치하는 단계, 그리고 상기 마스크의 상기 개구부를 통해 상기 표시부를 덮고, 단부가 상기 제1 댐의 내측에 위치하는 박막 봉지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 마스크를 배치하는 단계 전에, 상기 기판 상의 상기 표시부와 상기 제1 댐 사이에 제2 댐을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는 상기 마스크를 이용하여 상기 표시부 및 상기 제2 댐을 덮고, 단부가 상기 제1 댐과 상기 제2 댐 사이에 위치하는 제1 무기 봉지층을 형성하는 단계, 상기 제1 무기 봉지층 상에 상기 제2 댐의 내측에 위치하는 유기 봉지층을 형성하는 단계, 그리고 상기 마스크를 이용하여 상기 표시부 및 상기 제2 댐을 덮고, 단부가 상기 제1 댐과 상기 제2 댐 사이에 위치하는 제2 무기 봉지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치에 따르면, 표시부와 투과 영역 사이에 제1 댐이 배치되고, 표시부를 덮는 박막 봉지층의 단부가 제1 댐의 내측에 위치함에 따라, 박막 봉지층이 투과 영역을 덮지 않을 수 있다. 이에 따라, 표시 장치가 상대적으로 높은 광투과율을 갖는 투과 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 표시부와 투과 영역 사이에 형성되는 제1 댐 상에 마스크가 배치되고, 마스크와 제1 댐 사이에 공간이 없어짐에 따라, 박막 봉지층이 제1 댐의 내측에 형성되고, 투과 영역이 박막 봉지층에 의해 덮이지 않을 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 투과 영역의 광투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 댐들을 나타내는 평면도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치의 댐들을 나타내는 평면도들이다.
도 9, 도 10, 도 11, 도 12, 및 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 댐들을 나타내는 평면도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치의 댐들을 나타내는 평면도들이다.
도 9, 도 10, 도 11, 도 12, 및 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 표시 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(100), 표시부(200), 박막 봉지층(300), 그리고 제1 댐(410)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)에는 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)을 따라 배열되는 복수의 화소들(PX)이 배치될 수 있고, 화소들(PX)이 각각 방출하는 광들이 조합되어 표시 영역(DA)에서 영상이 표시될 수 있다. 표시 영역(DA)은 평면상 사각 형상을 가질 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)의 외측에 위치할 수 있다. 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)의 적어도 일 측에 위치할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 예를 들면, 주변 영역(PA)은 평면상 사각 형상을 갖는 표시 영역(DA)의 4 개의 측면들을 둘러쌀 수 있다. 주변 영역(PA)에는 화소들(PX)이 배치되지 않을 수 있고, 이에 따라, 주변 영역(PA)은 비표시 영역일 수 있다.
주변 영역(PA)은 투과 영역(TA)을 포함할 수 있다. 투과 영역(TA)은 표시 영역(DA)의 외측에 위치하며, 표시 영역(DA)으로부터 이격될 수 있다. 예를 들면, 투과 영역(TA)은 표시 영역(DA)으로부터 제2 방향(DR2)에 위치할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 투과 영역(TA)은 평면상 원 형상을 가질 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 투과 영역(TA)은 다각 형상 등의 평면 형상을 가질 수도 있다. 일 실시예에 있어서, 투과 영역(TA)의 제1 방향(DR1)으로의 폭은 표시 영역(DA)의 제1 방향(DR1)으로의 폭보다 작을 수 있다. 투과 영역(TA)은 외광을 투과할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 투과 영역(TA)은 진공 대비 약 95% 이상의 광투과율을 가질 수 있다. 이에 따라, 기판(100)의 투과 영역(TA)의 하부에 카메라 등이 배치되는 경우에, 외광이 기판(100)의 투과 영역(TA)을 통해 상기 카메라 등으로 도달할 수 있다.
표시부(200)는 기판(100) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 표시부(200)는 화소들(PX)을 포함하고, 이에 따라, 표시부(200)로부터 상기 영상이 표시될 수 있다.
박막 봉지층(300)은 표시부(200)를 덮을 수 있다. 박막 봉지층(300)은 표시부(200)가 형성된 기판(100) 상에 배치되어 표시부(200)를 덮을 수 있다. 이에 따라, 박막 봉지층(300)은 기판(100) 상의 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)의 일부에 배치될 수 있다. 박막 봉지층(300)은 표시부(200)를 덮어 외기로부터 표시부(200)를 보호할 수 있다.
제1 댐(410)은 기판(100) 상의 주변 영역(PA)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 댐(410)은 주변 영역(PA) 내에서 박막 봉지층(300)과 투과 영역(TA) 사이에 배치될 수 있다. 다시 말해, 제1 댐(410)을 사이에 두고 박막 봉지층(300)과 투과 영역(TA)은 서로 이격될 수 있다. 이 경우, 제1 댐(410)은 박막 봉지층(300)의 외측에 위치하고, 투과 영역(TA)은 제1 댐(410)의 외측에 위치할 수 있다. 제1 댐(410)은 박막 봉지층(300)이 기판(100) 상의 투과 영역(TA)에 형성되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 도 3 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 구체적으로 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 댐들을 나타내는 평면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(100), 표시부(200), 박막 봉지층(300), 그리고 복수의 댐들(410, 420, 430)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 유리, 석영, 플라스틱 등을 포함하는 절연성 기판일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 기판(100)은 실리콘 산화물(SiOx)을 함유하는 유리를 포함할 수 있다. 이 경우, 기판(100)은 진공 대비 약 95% 이상의 광투과율을 가질 수 있다.
기판(100) 상의 표시 영역(DA)에는 표시부(200)가 배치될 수 있다. 표시부(200)는 박막 트랜지스터(TFT), 제1 도전층(230), 제1 절연층(240), 제2 도전층(245), 제2 절연층(250), 유기 발광 다이오드(OLED), 그리고 화소 정의막(265)을 포함할 수 있다.
기판(100) 상에는 버퍼층(205)이 배치될 수 있다. 버퍼층(205)은 기판(100)을 통해 침투하는 산소, 수분 등과 같은 불순물을 차단할 수 있다. 또한, 버퍼층(205)은 기판(100)의 상부에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(205)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 등을 포함하는 무기 절연층일 수 있다. 선택적으로, 버퍼층(205)은 생략될 수 있다.
버퍼층(205) 상의 표시 영역(DA)에는 박막 트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(210) 및 게이트 전극(220)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(220)이 활성층(210)의 상부에 위치하는 탑-게이트(top-gate) 구조를 가질 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 다른 실시예에 있어서, 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극이 활성층의 하부에 위치하는 바텀-게이트(bottom-gate) 구조를 가질 수도 있다.
버퍼층(205) 상에는 활성층(210)이 배치될 수 있다. 활성층(210)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 산화물 반도체 등으로 형성될 수 있다. 활성층(210)은 소스 영역, 드레인 영역, 및 이들 사이에 형성되는 채널 영역을 포함할 수 있다.
활성층(210) 상에는 게이트 절연층(215)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(215)은 활성층(210)을 덮으며 버퍼층(205) 상에 형성될 수 있다. 게이트 절연층(215)은 게이트 전극(220)을 활성층(210)으로부터 절연시킬 수 있다. 게이트 절연층(215)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 등을 포함하는 무기 절연층일 수 있다.
게이트 절연층(215) 상에는 게이트 전극(220)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(220)은 활성층(210)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 게이트 전극(220)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등과 같은 금속 또는 상기 금속의 합금을 포함할 수 있다.
게이트 전극(220) 상에는 층간 절연층(225)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(225)은 게이트 전극(220)을 덮으며 게이트 절연층(215) 상에 형성될 수 있다. 층간 절연층(225)은 제1 도전층(230)을 게이트 전극(220)으로부터 절연시킬 수 있다. 층간 절연층(225)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 등을 포함하는 무기 절연층일 수 있다.
층간 절연층(225) 상의 표시 영역(DA)에는 제1 도전층(230)이 배치될 수 있다. 제1 도전층(230)은 층간 절연층(225) 및 게이트 절연층(215)에 형성되는 접촉 구멍을 통해 활성층(210)의 상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역에 연결될 수 있다. 제1 도전층(230)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등과 같은 금속 또는 상기 금속의 합금을 포함할 수 있다.
제1 도전층(230) 상에는 패시베이션층(235)이 배치될 수 있다. 패시베이션층(235)은 제1 도전층(230)을 덮으며 층간 절연층(225) 상에 형성될 수 있다. 패시베이션층(235)은 층간 절연층(225) 및 제1 도전층(230)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 패시베이션층(235)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 등을 포함하는 무기 절연층일 수 있다.
버퍼층(205), 게이트 절연층(215), 층간 절연층(225), 및 패시베이션층(235)을 포함하는 무기 절연층들(205, 215, 225, 235)은 표시 영역(DA)에서 주변 영역(PA)의 일부까지 연장될 수 있다. 한편, 무기 절연층들(205, 215, 225, 235)은 주변 영역(PA) 내의 투과 영역(TA)을 덮지 않을 수 있다. 이 경우, 무기 절연층들(205, 215, 225, 235)의 단부는 표시 영역(DA)과 투과 영역(TA) 사이의 주변 영역(PA) 상에 위치할 수 있다. 무기 절연층들(205, 215, 225, 235)이 투과 영역(TA)을 덮는 경우, 서로 다른 물질들을 포함하는 무기 절연층들(205, 215, 225, 235)에 의해 투과 영역(TA)의 광투과율이 저하될 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 투과 영역(TA) 내의 기판(100)이 무기 절연층들(205, 215, 225, 235)에 의해 덮이지 않으므로, 투과 영역(TA)의 광투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
패시베이션층(235) 상의 표시 영역(DA)에는 제1 절연층(240)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(240)은 평탄한 상면을 가질 수 있다. 제1 절연층(240)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에스테르계 수지 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1 절연층(240) 상의 표시 영역(DA)에는 제2 도전층(245)이 배치될 수 있다. 제2 도전층(245)은 제1 절연층(240) 및 패시베이션층(235)에 형성되는 접촉 구멍을 통해 제1 도전층(230)에 연결될 수 있다. 제2 도전층(245)은 제1 도전층(230)과 함께 유기 발광 다이오드(OLED)를 박막 트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결시킬 수 있다. 제2 도전층(245)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등과 같은 금속 또는 상기 금속의 합금을 포함할 수 있다.
제2 도전층(245) 상의 표시 영역(DA)에는 제2 절연층(250)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(250)은 제2 도전층(245)을 덮으며 제1 절연층(240) 상에 형성될 수 있다. 제2 절연층(250)은 평탄한 상면을 가질 수 있다. 제2 절연층(250)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에스테르계 수지 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제2 절연층(250) 상에는 유기 발광 다이오드(OLED)가 배치될 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 제1 전극(260), 중간층(270), 및 제2 전극(280)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 전극(260)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 양극(anode)이고, 제2 전극(280)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 음극(cathode)일 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 다른 실시예에 있어서, 제1 전극(260)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 음극이고, 제2 전극(280)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 양극일 수도 있다.
제2 절연층(250) 상의 표시 영역(DA)에는 제1 전극(260)이 배치될 수 있다. 제1 전극(260)은 각 화소 별로 형성될 수 있다. 제1 전극(260)은 제1 도전층(230) 및 제2 도전층(245)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 활성층(210)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(260)은 금속, 투명 도전성 산화물 등을 포함할 수 있다.
제1 전극(260) 상의 표시 영역(DA)에는 화소 정의막(265)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(265)은 제1 전극(260)의 가장자리를 덮으며 제2 절연층(250) 상에 형성될 수 있다. 화소 정의막(265)은 제1 전극(260)의 일부를 노출하는 개구를 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(265)의 상기 개구는 제1 전극(260)의 중심부를 노출하고, 이에 따라, 화소 정의막(265)은 제1 전극(260)의 상기 중심부에 대응하는 발광 영역을 정의할 수 있다. 화소 정의막(265)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에스테르계 수지 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1 전극(260) 상에는 중간층(270)이 배치될 수 있다. 중간층(270)은 화소 정의막(265)의 상기 개구에 의해 노출된 제1 전극(260) 상에 배치되는 발광층을 포함하는 다층 박막 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 중간층(270)은 정공을 주입하는 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공의 수송성이 우수하고 상기 발광층에서 결합하지 못한 전자의 이동을 억제하여 정공과 전자의 재결합 기회를 증가시키기 위한 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 주입된 전자와 정공의 재결합에 의하여 발광하는 상기 발광층, 상기 발광층에서 결합하지 못한 정공의 이동을 억제하기 위한 정공 억제층(hole blocking layer, HBL), 전자를 상기 발광층으로 원활히 수송하기 위한 전자 수송층(electron transport layer, ETL), 그리고 전자를 주입하는 전자 주입층(electron injection layer, EIL)을 포함할 수 있다.
중간층(270) 상에는 제2 전극(280)이 배치될 수 있다. 제2 전극(280)은 복수의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다. 제2 전극(280)은 금속, 투명 도전성 산화물 등을 포함할 수 있다.
기판(100) 상에는 표시부(200)를 덮는 박막 봉지층(300)이 배치될 수 있다. 박막 봉지층(300)은 외부의 수분, 산소 등으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 보호할 수 있다. 이를 위해, 박막 봉지층(300)은 표시 영역(DA)은 물론 표시 영역(DA)의 외측의 주변 영역(PA)의 일부까지 연장될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 박막 봉지층(300)은 순차적으로 적층된 제1 무기 봉지층(310), 유기 봉지층(320), 및 제2 무기 봉지층(330)을 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 다른 실시예에 있어서, 박막 봉지층(300)은 교번적으로 배치된 복수의 무기 봉지층들과 복수의 유기 봉지층들을 포함할 수 있다.
제1 무기 봉지층(310)은 제2 전극(280)을 덮을 수 있다. 제1 무기 봉지층(310)은 그 하부의 구조물의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 무기 봉지층(310)은 실리콘 산질화물(SiOxNy)을 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 다른 실시예에 있어서, 제1 무기 봉지층(310)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 니켈 산화물 등을 포함할 수도 있다.
제1 무기 봉지층(310) 상에는 유기 봉지층(320)이 배치될 수 있다. 유기 봉지층(320)은 충분한 두께를 가지며, 유기 봉지층(320)의 상면은 표시 영역(DA) 내에서 실질적으로 평탄할 수 있다. 유기 봉지층(320)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 설포네이트(polyethylene sulfonate), 폴리옥시메틸렌(polyoxymethylene), 폴리아릴레이트(polyarylate), 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane) 등을 포함할 수 있다.
제2 무기 봉지층(330)은 유기 봉지층(320)을 덮을 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 무기 봉지층(330)은 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 다른 실시예에 있어서, 제2 무기 봉지층(330)은 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 니켈 산화물 등을 포함할 수도 있다. 제1 무기 봉지층(310)과 제2 무기 봉지층(330)은 유기 봉지층(320) 보다 큰 면적을 가지며, 유기 봉지층(320)의 외측으로 서로 접할 수 있다. 다시 말해, 제1 무기 봉지층(310)과 제2 무기 봉지층(330)에 의해 유기 봉지층(320)이 외부로 노출되지 않을 수 있다.
기판(100) 상의 주변 영역(PA)에는 복수의 댐들(410, 420, 430)이 배치될 수 있다. 복수의 댐들(410, 420, 430)은 제1 댐(410), 제2 댐(420), 및 제3 댐(430)을 포함할 수 있다.
제2 댐(420)은 표시 영역(DA)을 둘러싸며 표시부(200)로부터 이격되어 주변 영역(PA)에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 댐(420)은 평면상 사각 형상을 갖는 표시 영역(DA)의 4 개의 측면들을 둘러쌀 수 있다. 제2 댐(420)은 표시 영역(DA)으로부터 주변 영역(PA)으로 연장되는 적어도 하나의 무기 절연층 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 댐(420)은 표시 영역(DA)으로부터 주변 영역(PA)으로 연장되는 버퍼층(205), 게이트 절연층(215), 층간 절연층(225), 및 패시베이션층(235) 상에 배치될 수 있다.
박막 봉지층(300)을 형성하는 경우에, 구체적으로 유기 봉지층(320)을 형성하는 경우에, 유기 봉지층(320) 형성용 물질이 사전 설정된 영역 내에 위치하도록 한정하는 것이 필요할 수 있다. 이를 위해, 주변 영역(PA)에 제2 댐(420)이 배치될 수 있다. 제1 무기 봉지층(310) 상에 유기 봉지층(320)을 형성하는 경우에, 제2 댐(420)은 유기 봉지층(320) 형성용 물질이 기판(100)의 가장자리로 이동하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 유기 봉지층(320)은 제2 댐(420)의 내측에 위치할 수 있다. 이 경우, 주변 영역(PA)에서 제1 무기 봉지층(310) 및 제2 무기 봉지층(330)은 제2 댐(420)을 덮으며, 제2 댐(420)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 한편, 제2 댐(420)은 표시 장치의 제조 과정에 유기 발광 다이오드(OLED)의 중간층(270), 제2 전극(280) 등을 형성하는 경우에 사용되는 마스크들을 지지하는 역할을 할 수 있고, 이 과정에서 그 전에 형성된 구성 요소들이 상기 마스크들에 접촉하여 손상되는 것을 방지할 수 있다.
제2 댐(420)은 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 댐(420)은 순차적으로 적층되는 제1 층(421), 제2 층(422), 및 제3 층(423)을 포함하는 삼층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 층(421)은 제1 절연층(240)과 실질적으로 동일한 층에 위치하며 실질적으로 동일한 물질을 포함하고, 제2 층(422)은 제2 절연층(250)과 실질적으로 동일한 층에 위치하며 실질적으로 동일한 물질을 포함하고, 제3 층(423)은 화소 정의막(265)과 실질적으로 동일한 층에 위치하며 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제3 댐(430)은 제2 댐(420)을 둘러싸며 제2 댐(420)으로부터 이격되어 주변 영역(PA)에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제3 댐(430)은 기판(100) 상에 직접 배치될 수 있다. 다시 말해, 제3 댐(430)의 하면은 기판(100)의 상면과 접촉할 수 있다. 제3 댐(430)은 주변 영역(PA)의 외측으로부터 수분, 산소 등의 불순물이 유입되는 것을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 제3 댐(430)은 주변 영역(PA)의 외곽부에서 발생되는 충격으로부터 표시 장치의 구성 요소들을 보호하는 역할을 수행할 수 있다.
제3 댐(430)은 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제3 댐(430)은 순차적으로 적층되는 제1 층(431), 제2 층(432), 및 제3 층(433)을 포함하는 삼층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 층(431)은 제1 절연층(240)과 실질적으로 동일한 물질을 포함하고, 제2 층(432)은 제2 절연층(250)과 실질적으로 동일한 물질을 포함하며, 제3 층(433)은 화소 정의막(265)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제1 댐(410)은 기판(100) 상의 제2 댐(420)과 제3 댐(430) 사이에 배치될 수 있다. 제1 댐(410)은 제2 댐(420)으로부터 제2 방향(DR2)으로 이격되어 제2 댐(420)과 투과 영역(TA) 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제2 댐(420)은 표시부(200)와 제1 댐(410) 사이에 위치할 수 있다. 또한, 제1 댐(410)과 제3 댐(430)은 투과 영역(TA)을 사이에 두고 대향하도록 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 댐(410)은 기판(100) 상에 직접 배치될 수 있다. 다시 말해, 제1 댐(410)의 하면은 기판(100)의 상면과 접촉할 수 있다. 이 경우, 주변 영역(PA) 내에 위치하는 상기 적어도 하나의 무기 절연층의 단부는 제1 댐(410)의 내측에 위치할 수 있다.
박막 봉지층(300)을 형성하는 경우에, 구체적으로 제1 무기 봉지층(310) 및 제2 무기 봉지층(330)을 형성하는 경우에, 제1 무기 봉지층(310) 형성용 물질 및 제2 무기 봉지층(330) 형성용 물질이 투과 영역(TA)을 덮지 않도록 한정하는 것이 필요할 수 있다. 이를 위해, 주변 영역(PA)에 제1 댐(410)이 배치될 수 있다. 제1 무기 봉지층(310) 및 제2 무기 봉지층(330)을 형성하는 경우에, 제1 댐(410)은 상기 제1 무기 봉지층(310) 형성용 물질 및 상기 제2 무기 봉지층(330) 형성용 물질이 기판(100)의 투과 영역(TA) 상에 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 기판(100)의 투과 영역(TA)이 제1 무기 봉지층(310) 및 제2 무기 봉지층(330)에 의해 덮이지 않을 수 있다. 이 경우, 제1 무기 봉지층(310)의 단부 및 제2 무기 봉지층(330)의 단부는 제2 댐(420)의 외측에서 서로 접하며, 제1 댐(410)과 제2 댐(420) 사이에 위치할 수 있다. 한편, 제1 댐(410)은 표시 장치의 제조 과정에 제1 무기 봉지층(310) 및 제2 무기 봉지층(330)을 형성하는 경우에 사용되는 마스크들을 지지하는 역할을 할 수 있다.
제2 댐(420)과 투과 영역(TA) 사이에 제1 댐(410)이 형성되지 않는 경우에, 실리콘 산질화물을 포함하는 제1 무기 봉지층(310) 및/또는 실리콘 질화물을 포함하는 제2 무기 봉지층(330)이 기판(100)의 투과 영역(TA)을 덮을 수 있다. 이 경우, 실리콘 산화물을 포함하는 기판(100) 상에 실리콘 산질화물을 포함하는 층 및/또는 실리콘 질화물을 포함하는 층이 형성되고, 이에 따라, 표시 장치의 투과 영역(TA)의 광투과율이 90% 이하로 감소할 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 댐(420)과 투과 영역(TA) 사이에 제1 댐(410)이 형성되어 기판(100)의 투과 영역(TA) 상에 제1 무기 봉지층(310) 및/또는 제2 무기 봉지층(330)이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 투과 영역(TA)의 광투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
제1 댐(410)은 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 댐(410)은 순차적으로 적층되는 제1 층(411), 제2 층(412), 및 제3 층(413)을 포함하는 삼층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 층(411)은 제1 절연층(240)과 실질적으로 동일한 물질을 포함하고, 제2 층(412)은 제2 절연층(250)과 실질적으로 동일한 물질을 포함하며, 제3 층(413)은 화소 정의막(265)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 다른 실시예들에 있어서, 제1 댐(410)은 이층 구조 또는 단층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 댐(410)은 순차적으로 적층되는 제1 층(411) 및 제2 층(412)을 포함하는 이층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 층(411)은 제1 절연층(240) 및 제2 절연층(250) 중에서 어느 하나와 실질적으로 동일한 물질을 포함하고, 제2 층(412)은 제2 절연층(250) 및 화소 정의막(265) 중에서 어느 하나와 실질적으로 동일하고 제1 층(411)과 상이한 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 제3 댐(430)도 제1 댐(410)과 마찬가지로 제1 층(431) 및 제2 층(432)을 포함하는 이층 구조를 가질 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 댐(410)은 단층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 댐(410)은 제1 절연층(240), 제2 절연층(250), 및 화소 정의막(265) 중에서 어느 하나와 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 제3 댐(430)도 제1 댐(410)과 마찬가지로 단층 구조를 가질 수 있다.
다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 제1 댐(410)은 표시 영역(DA)과 투과 영역(TA) 사이에서 제1 방향(DR1)을 따라 연장될 수 있다. 이 경우, 제1 댐(410)은 평면상 제1 방향(DR1)과 평행하게 연장되는 직선 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 댐(410)의 제1 방향(DR1)으로의 길이는 표시 영역(DA)의 제1 방향(DR1)으로의 폭과 실질적으로 같을 수 있다. 투과 영역(TA)의 제1 방향(DR1)으로의 폭은 표시 영역(DA)의 제1 방향(DR1)으로의 폭보다 작기 때문에, 제1 댐(410)의 제1 방향(DR1)으로의 길이가 표시 영역(DA)의 제1 방향(DR1)으로의 폭과 실질적으로 같은 경우에, 제1 댐(410)은 상기 제1 무기 봉지층(310) 형성용 물질 및 상기 제2 무기 봉지층(330) 형성용 물질이 기판(100)의 투과 영역(TA) 상에 형성되는 것을 충분히 방지할 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치의 댐들을 나타내는 평면도들이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 다른 실시예들에 있어서, 제1 댐(410)의 제1 방향(DR1)으로의 길이는 투과 영역(TA)의 제1 방향(DR1)으로의 폭과 실질적으로 같거나(도 7), 또는 표시 영역(DA)의 제1 방향(DR1)으로의 폭보다 작고 투과 영역(TA)의 제1 방향(DR1)으로의 폭보다 클 수 있다(도 8). 이 경우, 제1 댐(410)의 제1 방향(DR1)으로의 길이가 표시 영역(DA)의 제1 방향(DR1)으로의 폭보다 작더라도 제1 댐(410)의 제1 방향(DR1)으로의 길이가 투과 영역(TA)의 제1 방향(DR1)으로의 폭보다 크거나 같기 때문에 제1 댐(410)은 상기 제1 무기 봉지층(310) 형성용 물질 및 상기 제2 무기 봉지층(330) 형성용 물질이 기판(100)의 투과 영역(TA) 상에 형성되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 도 9 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명한다.
도 9, 도 10, 도 11, 도 12, 및 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
도 9를 참조하면, 기판(100) 상에 표시부(200), 제1 댐(410), 제2 댐(420), 및 제3 댐(430)을 형성할 수 있다.
먼저, 기판(100) 상에 활성층(210) 및 게이트 전극(220)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT), 제1 도전층(230), 그리고 버퍼층(205), 게이트 절연층(215), 층간 절연층(225), 및 패시베이션층(235)을 포함하는 무기 절연층들(205, 215, 225, 235)을 형성할 수 있다. 화학 기상 증착(CVD), 스퍼터링(sputtering) 등과 같은 증착 공정, 포토리소그래피(photolithography)등을 이용한 식각 공정 등을 이용하여 버퍼층(205), 활성층(210), 게이트 절연층(215), 게이트 전극(220), 층간 절연층(225), 제1 도전층(230), 및 패시베이션층(235)이 기판(100) 상에 순차적으로 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT) 및 제1 도전층(230)은 표시 영역(DA) 내에 형성되고, 무기 절연층들(205, 215, 225, 235)은 표시 영역(DA)으로부터 주변 영역(PA)으로 연장되도록 형성될 수 있다. 이 경우, 무기 절연층들(205, 215, 225, 235)의 단부는 주변 영역(PA) 내에 위치할 수 있다.
그 다음, 박막 트랜지스터(TFT), 제1 도전층(230), 및 무기 절연층들(205, 215, 225, 235)이 형성된 기판(100) 상에 제1 절연층(240), 제2 도전층(245), 제2 절연층(250), 제1 전극(260), 화소 정의막(265), 제1 댐(410), 제2 댐(420), 그리고 제3 댐(430)을 형성할 수 있다. 패시베이션층(235) 상의 표시 영역(DA)에 제1 절연층(240), 제2 도전층(245), 제2 절연층(250), 제1 전극(260), 및 화소 정의막(265)이 순차적으로 형성될 수 있다.
제1 댐(410), 제2 댐(420), 및 제3 댐(430)은 기판(100) 상의 주변 영역(PA)에 형성될 수 있다. 제2 댐(420)은 표시 영역(DA)을 둘러싸며 표시 영역(DA)으로부터 이격되도록 형성될 수 있다. 제2 댐(420)은 표시 영역(DA)으로부터 주변 영역(PA)으로 연장된 무기 절연층들(205, 215, 225, 235) 중 주변 영역(PA)에 위치한 부분 상에 형성될 수 있다. 제3 댐(430)은 제2 댐(420)을 둘러싸며 제2 댐(420)으로부터 이격되도록 형성될 수 있다. 제1 댐(410)은 제2 댐(420)과 제3 댐(430) 사이에 형성될 수 있다. 제1 댐(410)과 제3 댐(430)은 투과 영역(TA)을 사이에 두고 서로 대향하도록 형성될 수 있다. 제1 댐(410)과 제3 댐(430)은 기판(100) 상에 직접 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 댐(410)의 제1 층(411), 제2 댐(420)의 제1 층(421), 및 제3 댐(430)의 제1 층(431)은 제1 절연층(240)과 실질적으로 동시에 실질적으로 동일한 물질로 형성될 수 있다. 이 경우, 기판(100) 상에 제1 절연층(240) 형성용 물질을 증착하고 이를 식각하여 제1 절연층(240), 제1 댐(410)의 제1 층(411), 제2 댐(420)의 제1 층(421), 및 제3 댐(430)의 제1 층(431)을 실질적으로 동시에 형성할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 댐(410)의 제2 층(412), 제2 댐(420)의 제2 층(422), 및 제3 댐(430)의 제2 층(432)은 제2 절연층(250)과 실질적으로 동시에 실질적으로 동일한 물질로 형성될 수 있다. 이 경우, 기판(100) 상에 제2 절연층(250) 형성용 물질을 증착하고 이를 식각하여 제2 절연층(250), 제1 댐(410)의 제2 층(412), 제2 댐(420)의 제2 층(422), 및 제3 댐(430)의 제2 층(432)을 실질적으로 동시에 형성할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 댐(410)의 제3 층(413), 제2 댐(420)의 제3 층(423), 및 제3 댐(430)의 제3 층(433)은 화소 정의막(265)과 실질적으로 동시에 실질적으로 동일한 물질로 형성될 수 있다. 이 경우, 기판(100) 상에 화소 정의막(265) 형성용 물질을 증착하고 이를 식각하여 화소 정의막(265), 제1 댐(410)의 제3 층(413), 제2 댐(420)의 제3 층(423), 및 제3 댐(430)의 제3 층(433)을 실질적으로 동시에 형성할 수 있다.
그 다음, 제1 절연층(240), 제2 도전층(245), 제2 절연층(250), 제1 전극(260), 화소 정의막(265), 제1 댐(410), 제2 댐(420), 및 제3 댐(430)이 형성된 기판(100) 상에 중간층(270) 및 제2 전극(280)을 형성할 수 있다.
도 10 내지 도 13을 참조하면, 표시부(200), 제1 댐(410), 제2 댐(420), 및 제3 댐(430)이 형성된 기판(100) 상에 마스크(500)를 이용하여 표시부(200)를 덮는 박막 봉지층(300)을 형성할 수 있다.
먼저, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 마스크(500)를 기판(100) 상에 배치하고, 마스크(500)를 이용하여 제2 전극(280)을 덮는 제1 무기 봉지층(310)을 형성할 수 있다.
마스크(500)는 개구부(510) 및 개구부(510)를 둘러싸는 프레임(520)을 포함할 수 있다. 개구부(510)는 대략적으로 표시 영역(DA)에 대응하고, 프레임(520)은 대략적으로 주변 영역(PA)에 대응할 수 있다. 구체적으로, 마스크(500)는 개구부(510)를 통해 표시부(200) 및 제2 댐(420)을 노출하고, 프레임(520)을 통해 제1 댐(410) 및 제3 댐(430)을 덮을 수 있다.
마스크(500)는 제1 댐(410)과 접하도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 마스크(500)의 프레임(520)의 하면이 제1 댐(410)의 상면 및 제3 댐(430)의 상면과 접촉하여, 마스크(500)가 제1 댐(410) 및 제3 댐(430)에 의해 지지될 수 있다.
마스크(500)를 이용하여 기판(100) 상에 제1 무기 봉지층(310) 형성용 물질을 증착함으로써, 제2 전극(280)을 덮는 제1 무기 봉지층(310)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층(310) 형성용 물질은 실리콘 산질화물일 수 있다. 마스크(500)의 개구부(510)를 통해 상기 제1 무기 봉지층(310) 형성용 물질이 증착됨에 따라, 표시부(200) 및 제2 댐(420)을 덮는 제1 무기 봉지층(310)이 형성될 수 있다. 한편, 마스크(500)의 프레임(520)이 제1 댐(410) 및 제3 댐(430)을 덮고, 프레임(520)과 하면과 제1 댐(410)의 상면 및 제3 댐(430)의 상면이 접촉하여 프레임(520)과 제1 댐(410) 사이 및 프레임(520)과 제3 댐(430) 사이에 공간이 없어짐에 따라, 상기 제1 무기 봉지층(310) 형성용 물질이 제1 댐(410)과 제3 댐(430) 사이의 투과 영역(TA)에 증착되지 않을 수 있다. 이에 따라, 투과 영역(TA)의 광투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
그 다음, 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 무기 봉지층(310) 상에 유기 봉지층(320)을 형성할 수 있다. 표시 영역(DA)에 유기 봉지층(320) 형성용 물질을 도포함으로써, 제1 무기 봉지층(310) 상에 유기 봉지층(320)을 형성할 수 있다. 상기 유기 봉지층(320) 형성용 물질은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 설포네이트(polyethylene sulfonate), 폴리옥시메틸렌(polyoxymethylene), 또는 폴리아릴레이트(polyarylate), 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane)일 수 있다. 제2 댐(420)에 의해 상기 유기 봉지층(320) 형성용 물질은 제2 댐(420)의 외측에 도포되지 않을 수 있고, 이에 따라, 유기 봉지층(320)은 제2 댐(420)의 내측에 형성될 수 있다.
그 다음, 도 13에 도시된 바와 같이, 마스크(500)를 기판(100) 상에 배치하고, 마스크(500)를 이용하여 유기 봉지층(320)을 덮는 제2 무기 봉지층(330)을 형성할 수 있다.
마스크(500)를 이용하여 기판(100) 상에 제2 무기 봉지층(330) 형성용 물질을 증착함으로써, 유기 봉지층(320)을 덮는 제2 무기 봉지층(330)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제2 무기 봉지층(330) 형성용 물질은 실리콘 질화물일 수 있다. 마스크(500)의 개구부(510)를 통해 상기 제2 무기 봉지층(330) 형성용 물질이 증착됨에 따라, 표시부(200) 및 제2 댐(420)을 덮는 제2 무기 봉지층(330)이 형성될 수 있다. 한편, 마스크(500)의 프레임(520)이 제1 댐(410) 및 제3 댐(430)을 덮고, 프레임(520)과 하면과 제1 댐(410)의 상면 및 제3 댐(430)의 상면이 접촉하여 프레임(520)과 제1 댐(410) 사이 및 프레임(520)과 제3 댐(430) 사이에 공간이 없어짐에 따라, 상기 제2 무기 봉지층(330) 형성용 물질이 제1 댐(410)과 제3 댐(430) 사이의 투과 영역(TA)에 증착되지 않을 수 있다. 이에 따라, 투과 영역(TA)의 광투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등에 포함되는 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
100: 기판
200: 표시부
240: 제1 절연층 250: 제2 절연층
260: 제1 전극 265: 화소 정의막
280: 제2 전극 300: 박막 봉지층
310: 제1 무기 봉지층 320: 유기 봉지층
330: 제2 무기 봉지층 410: 제1 댐
420: 제2 댐 430: 제3 댐
500: 마스크 DA: 표시 영역
TA: 투과 영역
240: 제1 절연층 250: 제2 절연층
260: 제1 전극 265: 화소 정의막
280: 제2 전극 300: 박막 봉지층
310: 제1 무기 봉지층 320: 유기 봉지층
330: 제2 무기 봉지층 410: 제1 댐
420: 제2 댐 430: 제3 댐
500: 마스크 DA: 표시 영역
TA: 투과 영역
Claims (20)
- 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측의 투과 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 표시부;
상기 표시부를 덮는 박막 봉지층; 및
상기 기판 상의 상기 박막 봉지층과 상기 투과 영역 사이에 배치되는 제1 댐을 포함하고,
상기 박막 봉지층의 단부는 상기 제1 댐의 내측에 위치하는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표시 영역을 둘러싸며 상기 기판 상의 상기 표시부와 상기 제1 댐 사이에 배치되는 제2 댐을 더 포함하는, 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 박막 봉지층은 순차적으로 적층된 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층, 및 제2 무기 봉지층을 포함하는, 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 유기 봉지층은 상기 제2 댐의 내측에 위치하고,
상기 제1 무기 봉지층의 단부 및 상기 제2 봉지층의 단부는 상기 제2 댐의 외측에서 서로 접하는, 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 제1 무기 봉지층은 실리콘 산질화물을 포함하고,
상기 제2 무기 봉지층은 실리콘 질화물을 포함하는, 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 제2 댐을 둘러싸며 상기 기판 상에 상기 투과 영역을 사이에 두고 상기 제1 댐에 대향하도록 배치되는 제3 댐을 더 포함하는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 댐은 상기 기판 상에 직접 배치되는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 댐은 제1 방향을 따라 연장되고,
상기 투과 영역의 상기 제1 방향으로의 폭은 상기 표시 영역의 상기 제1 방향으로의 폭보다 작은, 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 제1 댐의 상기 제1 방향으로의 길이는 상기 표시 영역의 상기 폭과 같은, 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 제1 댐의 상기 제1 방향으로의 길이는 상기 투과 영역의 상기 폭과 같은, 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 제1 댐의 상기 제1 방향으로의 길이는 상기 표시 영역의 상기 폭보다 작고 상기 투과 영역의 상기 폭보다 큰, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표시부는:
상기 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 덮는 제1 절연층;
상기 제1 절연층 상에 배치되는 제2 절연층;
상기 제2 절연층 상에 배치되는 제1 전극;
상기 제2 절연층 상에 배치되며 상기 제1 전극의 일부를 노출하는 개구를 포함하는 화소 정의막;
상기 개구에 의해 노출된 제1 전극 상에 배치되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하는, 표시 장치. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 댐은 상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 및 상기 화소 정의막 중에서 어느 하나와 동일한 물질을 포함하는, 표시 장치. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 댐은 제1 층 및 제2 층을 포함하고,
상기 제1 층은 상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 및 상기 화소 정의막 중에서 어느 하나와 동일한 물질을 포함하며,
상기 제2 층은 상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 및 상기 화소 정의막 중에서 다른 하나와 동일한 물질을 포함하는, 표시 장치. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 댐은 제1 층, 제2 층, 및 제3 층을 포함하고,
상기 제1 층은 상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 및 상기 화소 정의막 중에서 어느 하나와 동일한 물질을 포함하며,
상기 제2 층은 상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 및 상기 화소 정의막 중에서 다른 하나와 동일한 물질을 포함하고,
상기 제3 층은 상기 제1 절연층, 상기 제2 절연층, 및 상기 화소 정의막 중에서 나머지 하나와 동일한 물질을 포함하는, 표시 장치. - 제12 항에 있어서,
상기 기판과 상기 제1 절연층 사이에 배치되는 적어도 하나의 무기 절연층을 더 포함하고,
상기 투과 영역은 상기 적어도 하나의 무기 절연층에 의해 덮이지 않는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 기판은 실리콘 산화물을 포함하는, 표시 장치. - 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측의 투과 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상의 상기 표시 영역에 표시부를 형성하는 단계;
상기 기판 상의 상기 표시 영역과 상기 투과 영역 사이에 제1 댐을 형성하는 단계;
상기 표시 영역에 대응하는 개구부를 갖는 마스크를 상기 기판 상에 상기 제1 댐과 접하도록 배치하는 단계;
상기 마스크의 상기 개구부를 통해 상기 표시부를 덮고, 단부가 상기 제1 댐의 내측에 위치하는 박막 봉지층을 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조 방법. - 제18 항에 있어서,
상기 마스크를 배치하는 단계 전에, 상기 기판 상의 상기 표시부와 상기 제1 댐 사이에 제2 댐을 형성하는 단계를 더 포함하는, 표시 장치의 제조 방법. - 제19 항에 있어서,
상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는:
상기 마스크를 이용하여 상기 표시부 및 상기 제2 댐을 덮고, 단부가 상기 제1 댐과 상기 제2 댐 사이에 위치하는 제1 무기 봉지층을 형성하는 단계;
상기 제1 무기 봉지층 상에 상기 제2 댐의 내측에 위치하는 유기 봉지층을 형성하는 단계; 및
상기 마스크를 이용하여 상기 표시부 및 상기 제2 댐을 덮고, 단부가 상기 제1 댐과 상기 제2 댐 사이에 위치하는 제2 무기 봉지층을 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
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