JPWO2015029608A1 - エレクトロルミネッセンス装置、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止膜を備え、
前記封止膜には、2層以上の有機層及び2層以上の無機層が設けられるとともに、
前記封止膜では、前記有機層と前記無機層とが交互に設けられ、
前記2層以上の各有機層では、その端部での膜厚が漸減するように形成され、
前記封止膜では、その最上層に前記無機層が設けられるとともに、当該最上層の無機層は下層の前記有機層の端部及び下層の前記無機層の端部を覆うように設けられていることを特徴とするものである。
前記基板と前記対向基板との間で、前記エレクトロルミネッセンス素子を封入する枠状のシール材を備えていることが好ましい。
前記エレクトロルミネッセンス素子上、または前記エレクトロルミネッセンス素子を封止した最下層の無機層上に、端部での膜厚が漸減した第1の有機層を形成する工程と、
前記第1の有機層上に中間層の無機層を形成する工程と、
前記中間層の無機層上に、端部での膜厚が漸減した第2の有機層を形成する工程と、
前記無機層の端部と前記第1及び第2の有機層の各端部を覆うように、最上層の無機層を形成する工程とを具備していることを特徴とするものである。
図1は、本発明の第1の実施形態にかかる有機EL表示装置を説明する断面図である。図1において、本実施形態の有機EL表示装置1は、基板としてのTFT基板2、及びこのTFT基板2上に設けられたエレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence)素子としての有機EL素子4を備えている。
図9は、本発明の第2の実施形態にかかる有機EL表示装置での封止膜の具体的な構成を説明する断面図である。図10は、図9に示した封止膜の端部を示す拡大断面図である。
図14は、本発明の第3の実施形態にかかる有機EL表示装置を説明する断面図である。
2 TFT基板(基板)
3 対向基板
4 有機EL素子(エレクトロルミネッセンス素子)
5 封止樹脂(シール材)
14 封止膜
14a 第1の無機層(下層の無機層)
14b 第1の有機層(下層の有機層)
14b1 中央部
14b2 端部
14c 第2の無機層(下層の無機層)
14d 第2の有機層(下層の有機層)
14d1 中央部
14d2 端部
14e 第3の無機層(最上層の無機層)
14f 第1の有機層(下層の有機層)
14f1 中央部
14f2 端部
14g 第1の無機層(下層の無機層)
14h 第2の有機層(下層の有機層)
14h1 中央部
14h2 端部
14i 第2の無機層(最上層の無機層)
M1 (逆テーパ状の)マスク
D 漸減領域
Claims (10)
- 基板と、前記基板上に設けられたエレクトロルミネッセンス素子を備えたエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止膜を備え、
前記封止膜には、2層以上の有機層及び2層以上の無機層が設けられるとともに、
前記封止膜では、前記有機層と前記無機層とが交互に設けられ、
前記2層以上の各有機層では、その端部での膜厚が漸減するように形成され、
前記封止膜では、その最上層に前記無機層が設けられるとともに、当該最上層の無機層は下層の前記有機層の端部及び下層の前記無機層の端部を覆うように設けられている、
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。 - 前記2層以上の各無機層では、その端部での膜厚が漸減しないように形成されている請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
- 前記2層以上の各有機層では、その膜厚が漸減している漸減領域は前記基板上の前記エレクトロルミネッセンス素子の外側領域に設けられている請求項1または2に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
- 前記2層以上の各有機層では、その前記エレクトロルミネッセンス素子上の部分での膜厚が実質的に均一となるように形成されている請求項1〜3のいずれか1項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
- 前記エレクトロルミネッセンス素子側で、前記基板に対向する対向基板と、
前記基板と前記対向基板との間で、前記エレクトロルミネッセンス素子を封入する枠状のシール材を備えている請求項1〜4のいずれか1項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。 - 基板と、前記基板上に設けられたエレクトロルミネッセンス素子を備えたエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記エレクトロルミネッセンス素子上、または前記エレクトロルミネッセンス素子を封止した最下層の無機層上に、端部での膜厚が漸減した第1の有機層を形成する工程と、
前記第1の有機層上に中間層の無機層を形成する工程と、
前記中間層の無機層上に、端部での膜厚が漸減した第2の有機層を形成する工程と、
前記無機層の端部と前記第1及び第2の有機層の各端部を覆うように、最上層の無機層を形成する工程と
を具備していることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 前記無機層は、CVD法またはALD法を用いて、形成されている請求項6に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記第1及び第2の有機層のうち、少なくとも前記第2の有機層は、蒸着法またはスパッタ法を用いて、形成されている請求項6または7に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記エレクトロルミネッセンス素子上に形成された前記第1の有機層は、ウェット法を用いて、形成されている請求項6〜8のいずれか1項に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記最上層の無機層以外の前記無機層、及び前記第1及び第2の有機層を形成する工程では、逆テーパ状のマスクが用いられている請求項6〜8のいずれか1項に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
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