WO2019064357A1 - 表示装置の製造方法 - Google Patents

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WO2019064357A1
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organic
forming
inorganic layer
display device
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松井　章宏
純平 高橋
亨 妹尾
剛 平瀬
通 園田
越智　貴志
久雄 越智
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a display device.
  • an organic EL display device that includes a sealing body formed of an organic layer provided to cover an organic EL element and an inorganic layer provided on the organic layer (for example, Patent Document 1) reference).
  • Patent Document 1 when an organic material is discharged by an inkjet method to form an organic layer, a barrier that restricts the spread of the organic material after the discharge is prevented. Since it is necessary to provide walls (banks) in the peripheral area of the light emitting region, there is a problem that narrowing of the frame of the organic EL display device becomes difficult.
  • This invention is made in view of this point, and while ensuring the sealing performance of a sealing film, it aims at providing the manufacturing method of the display which can aim at frame narrowing.
  • a display device includes a light emitting element forming step of forming a light emitting element on a base substrate, and a sealing film forming step of forming a sealing film to cover the light emitting element.
  • a method of manufacturing a display device wherein the sealing film forming step is a step of forming a first inorganic layer so as to cover a light emitting element, a step of forming a partition on the first inorganic layer, and an inner side of the partition Forming an organic layer on the first inorganic layer by applying an organic material on the surface of the first inorganic layer, removing the partition wall, and covering the organic layer on the first inorganic layer And forming a second inorganic layer as described above.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the organic EL display taken along the line AA of FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an internal configuration of the organic EL display device.
  • FIG. 4 is sectional drawing which shows the organic electroluminescent layer which comprises an organic electroluminescence display.
  • the organic EL display device 1 includes a transparent base substrate 10 provided as a base substrate, an organic EL element 18 provided on the base substrate 10 (indirectly thereon), and an organic A sealing film 25 provided to cover the EL element 18 is provided.
  • a frame area (non-display area) N is defined in a frame shape around the display area D.
  • a base coat film 11, a plurality of TFTs 12, and an interlayer insulating film 13 are provided between the base substrate 10 and the organic EL element 18 in order from the base substrate 10 side. ing.
  • the base substrate 10 is, for example, a plastic substrate made of polyimide resin or the like.
  • a transparent resin substrate having flexibility and insulating properties is exemplified as the base substrate, the base substrate is a transparent glass substrate having insulating properties, an opaque metal thin plate having conductivity, etc. It may be
  • the base coat film 11 is provided on the base substrate 10 as shown in FIG.
  • the base coat film 11 is, for example, an inorganic insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film.
  • the TFT 12 is a switching element provided for each sub-pixel on the base coat film 11 as shown in FIG.
  • the TFT 12 is, for example, a gate electrode provided on the base coat film 11, a gate insulating film provided to cover the gate electrode, and a semiconductor layer provided on the gate insulating film so as to overlap with the gate electrode. And source and drain electrodes provided opposite to each other on the semiconductor layer.
  • the bottom gate type TFT 12 is illustrated in the present embodiment, the TFT 12 may be a top gate type TFT.
  • the interlayer insulating film 13 is provided so as to cover other than a part of the drain electrode of each TFT 12 as shown in FIG.
  • the interlayer insulating film 13 is made of, for example, a transparent organic resin material such as an acrylic resin.
  • the organic EL element 18 is provided in the display region D, and as shown in FIG. 3, includes the first electrode 14, the edge cover 15, the organic EL layer 16 and the second electrode 17 sequentially provided on the interlayer insulating film 13. ing.
  • the plurality of first electrodes 14 are provided in a matrix on the interlayer insulating film 13 so as to correspond to the plurality of sub-pixels.
  • the first electrode 14 is connected to the drain electrode of each TFT 12 through a contact hole formed in the interlayer insulating film 13.
  • the first electrode 14 has a function of injecting holes into the organic EL layer 16.
  • the first electrode 14 is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the hole injection efficiency into the organic EL layer 16.
  • the first electrode 14 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And metal materials such as lithium fluoride (LiF).
  • the material which comprises the 1st electrode 14 is magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidation, for example Astatine (AtO 2 ), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al), etc. It may be an alloy.
  • the material constituting the first electrode 14 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or the like. It may be. Further, the first electrode 14 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. In addition, as a material with a large work function, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. are mentioned, for example.
  • the edge cover 15 is provided in a grid shape so as to cover the peripheral portion of each first electrode 14 as shown in FIG.
  • silicon nitride SiN x (x is a positive number)
  • silicon oxide SiO 2
  • trisilicon tetranitride Si 3 N 4
  • silicon oxynitride Inorganic films such as (SiON) or organic films such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, and novolac resin
  • SiN x silicon oxide
  • Si 3 N 4 trisilicon tetranitride
  • SiON silicon oxynitride Inorganic films
  • organic films such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, and novolac resin
  • the plurality of organic EL layers 16 are disposed on the respective first electrodes 14 and provided in a matrix so as to correspond to the plurality of sub-pixels.
  • the organic EL layer 16 includes a hole injection layer 31, a hole transport layer 32, a light emitting layer 33, an electron transport layer 34, and an electron injection layer, which are sequentially provided on the first electrode 14. It has 35.
  • the hole injection layer 31 is also called an anode organic layer, and has the function of improving the hole injection efficiency from the first electrode 14 to the organic EL layer 16 by bringing the energy levels of the first electrode 14 and the organic EL layer 16 closer to each other.
  • a material constituting the hole injection layer 31 for example, triazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, phenylenediamine derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, Hydrazone derivatives, stilbene derivatives and the like can be mentioned.
  • the hole transport layer 32 has a function of improving the transport efficiency of holes from the first electrode 14 to the organic EL layer 16.
  • a material constituting the hole transport layer 32 for example, porphyrin derivative, aromatic tertiary amine compound, styrylamine derivative, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylenevinylene, polysilane, triazole derivative, oxadiazole Derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, arylamine derivative, amine-substituted chalcone derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, hydrogenated amorphous silicon, Hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, zinc selenide and the like can be mentioned.
  • the light emitting layer 33 when a voltage is applied by the first electrode 14 and the second electrode 17, holes and electrons are respectively injected from the first electrode 14 and the second electrode 17, and the holes and electrons are recombined. It is an area.
  • the light emitting layer 33 is formed of a material having high light emission efficiency.
  • metal oxinoid compound [8-hydroxyquinoline metal complex], naphthalene derivative, anthracene derivative, diphenylethylene derivative, vinylacetone derivative, triphenylamine derivative, butadiene derivative, coumarin derivative , Benzoxazole derivative, oxadiazole derivative, oxazole derivative, benzimidazole derivative, thiadiazole derivative, benzthiazole derivative, styryl derivative, styrylamine derivative, bisstyrylbenzene derivative, trisstyrylbenzene derivative, perylene derivative, perinone derivative, aminopyrene derivative, Pyridine derivative, rhodamine derivative, aquidin derivative, phenoxazone, quinacridone derivative, rubrene, poly-p-phenylene vinyl Down, polysilane, and the like.
  • metal oxinoid compound [8-hydroxyquinoline metal complex]
  • naphthalene derivative anthracene derivative
  • diphenylethylene derivative vinyl
  • the electron injection layer 35 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 17 and the organic EL layer 16 closer to each other and improving the efficiency of injecting electrons from the second electrode 17 to the organic EL layer 16.
  • the drive voltage of the organic EL element 18 can be reduced.
  • the electron injection layer 35 is also called a cathode organic layer.
  • a material forming the electron injection layer 35 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride Inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like can be mentioned.
  • the second electrode 17 is provided so as to cover each of the organic EL layers 16 and the edge cover 15, as shown in FIG.
  • the second electrode 17 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 16.
  • the second electrode 17 is more preferably made of a material having a small work function in order to improve the electron injection efficiency into the organic EL layer 16.
  • the second electrode 17 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
  • a material having a small work function for example, magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) Etc.
  • the sealing film 25 is provided in the display area D and the non-display area N so as to cover the organic EL element 18 and has a function of protecting the organic EL element 18 from moisture and oxygen. As shown in FIG. 2, the sealing film 25 includes a first inorganic layer 19, an organic layer 20, and a second inorganic layer 21 sequentially provided from the organic EL element 18 side.
  • the sealing film 25 is provided on the surface of the organic EL element 18 and provided on the surface of the first inorganic layer 19 formed of the first inorganic film and the surface of the first inorganic layer 19. And a second inorganic layer 21 provided on the surface of the organic layer 20 and made of a second inorganic film.
  • the first inorganic layer 19 is provided on the surface of the silicon oxide (SiOx) layer 19 a provided on the surface of the organic EL element 18 and the surface of the silicon oxide layer 19 a. And a silicon nitride (SiN x) layer 19b in contact with the silicon oxide (SiOx) layer 19 a.
  • the second inorganic layer 21 is constituted of a silicon oxide layer 21a provided on the surface of the organic layer 20 and a silicon nitride layer 21b provided on the surface of the silicon oxide layer 21a. ing.
  • the organic layer 20 is formed of, for example, an organic film such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide, and as shown in FIG. 2, the organic layer 20 is covered by the second inorganic layer 21.
  • an organic film such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide
  • 5 to 8 are cross-sectional views for explaining the method of manufacturing the organic EL display device of the present embodiment.
  • the base coat film 11 is formed.
  • a plurality of TFTs 12 for driving the organic EL element 18 are formed on the top at predetermined intervals.
  • a photosensitive acrylic resin is applied by spin coating on the base coat film 11 on which the TFT 12 is formed, and exposure is performed with a predetermined exposure amount using an exposure mask having a predetermined exposure pattern, and an alkaline developer
  • the interlayer insulating film 13 is formed on the base coat film 11 so as to cover the TFT 12 as shown in FIG.
  • a contact hole for example, 5 ⁇ m in diameter
  • the surface of the interlayer insulating film 13 is coated with the organic EL element 18 (first electrode 14, edge cover 15, organic EL layer 16 (hole injection layer 31, The hole transport layer 32, the light emitting layer 33, the electron transport layer 34, the electron injection layer 35), and the second electrode 17) are formed.
  • silicon nitride is laminated on the surface of the silicon oxide layer 19a by plasma CVD using a mask, sputtering, atomic layer deposition (ALD), or the like.
  • a first inorganic layer 19 composed of 19a and a silicon nitride layer 19b is formed.
  • the partition wall 30 is formed on the first inorganic layer 19 so as to be disposed inside the first inorganic film 19.
  • the partition wall 30 defines an application region of the organic material forming the organic layer 20 (that is, a formation region of the organic layer 20).
  • a magnet member (not shown) having a magnetic force is provided on the surface of the base substrate 10 opposite to the side on which the partition 30 is provided.
  • the partition wall 30 is fixed on the first inorganic layer 19 by magnetic force.
  • an organic material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, and polyamide is an inner side of the partition wall 30 (that is, a region where the organic layer 20 shown in FIG. 2 is formed) using an inkjet method or a vacuum evaporation method. Then, by applying on the surface 26 of the silicon nitride layer 19b, as shown in FIG. 8, the organic layer 20 made of an organic film is formed on the surface 26 of the silicon nitride layer 19b.
  • the recessed part 30a is formed in the side which opposes the organic layer 20 of the partition 30.
  • the organic material forming the organic layer 20 does not extend to the back of the recess 30 a due to the surface tension of the organic material itself and stays in the vicinity of the partition wall 30. Therefore, the water repellent function is exhibited by the recess 30a. As a result, when the organic layer 20 is formed, the spreading of the organic material can be reliably restricted by the recess 30 a.
  • a void in which the organic layer 20 is not formed on the first inorganic layer 19 is provided inside the recess 30a, as shown in FIG.
  • the organic layer 20 is formed inside the first inorganic layer 19 in a plan view.
  • the partition wall 30 is removed from the first inorganic layer 19.
  • the partition 30 is removed from the surface of the first inorganic layer 19 by cooling the base substrate 10 and the partition 30. Can be removed.
  • silicon nitride is laminated on the surface of the silicon oxide layer 21a by plasma CVD using a mask, sputtering, atomic layer deposition (ALD), or the like.
  • a sealing film 25 composed of the first inorganic layer 19, the organic layer 20, and the second inorganic layer 21 is formed.
  • the organic EL display device 1 of the present embodiment can be manufactured.
  • the partition wall 30 has a recess 30 a on the side facing the organic layer 20. Therefore, since the water repellent function is exhibited by the concave portion 30a, when the organic layer 20 is formed, the spreading of the organic material can be surely restricted.
  • the mask 45 having an opening larger than the display area D is fixed on the base substrate.
  • the mask 45 defines an application region of the organic material forming the organic layer 20 (that is, a formation region of the organic layer 20).
  • the recess 45 a is formed on the side of the mask 45 facing the organic layer 20, similarly to the recess 30 a of the partition 30 described above, and this recess 45 a corresponds to the recess 30 a of the partition 30.
  • silicon nitride is laminated on the surface of the silicon oxide layer 19a by plasma CVD using a mask 45, sputtering, atomic layer deposition (ALD), or the like.
  • the silicon nitride layer 19b is formed to cover the surface of the organic EL element 18, and the first inorganic layer 19 formed of the silicon oxide layer 19a and the silicon nitride layer 19b is formed.
  • an organic material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, and polyamide is formed on the inner side of the first inorganic layer 19 (that is, the formation region of the organic layer 20 shown in FIG. 2) using an inkjet method or a vacuum evaporation method.
  • the organic layer 20 made of an organic film is formed on the surface 26 of the silicon nitride layer 19b, as shown in FIG.
  • the organic layer 20 is formed on the first inorganic layer 19 inside the recess 45a.
  • a void which is not formed is provided, and as shown in FIG. 1, the organic layer 20 is formed inside the first inorganic layer 19 in plan view.
  • the organic layer 20 is temporarily cured by ultraviolet irradiation in a state where the mask 45 functioning as a partition is provided. Thereafter, baking is performed at a temperature of about 70 to 100 ° C. to perform main curing. Further, the above-described baking may be omitted by preheating when forming the second inorganic layer 21 by the CVD method described later.
  • the mask 45 is removed from the base substrate 10.
  • the organic EL display device 1 of the present embodiment can be manufactured.
  • the mask 45 used when forming the first inorganic layer 19 is also used as a partition when the organic layer 20 is formed. Therefore, the manufacturing process of the organic layer 20 is facilitated, and the cost can be reduced.
  • a metal mask such as SUS is used as the partition wall 30.
  • the partition wall 30 is formed by patterning a photosensitive organic resin material using a gray tone mask or a halftone mask. May be formed.
  • a mask used when forming the second inorganic layer 21 is disposed on the outer side (outside in the width direction Y of the organic EL display device 1 in FIG. 12) of the partition wall 30 and the mask 45 in the above embodiment.
  • the second inorganic layer 21 may be provided to cover the circumferential end of the first inorganic layer 19 as shown in FIG.
  • the organic EL layer having a five-layer laminated structure of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer is exemplified. It may be a three-layer laminated structure of a hole injection layer and hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer and electron injection layer.
  • the organic EL display device in which the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode is exemplified.
  • the laminated structure of the organic EL layer is reversed and the first electrode is a cathode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device in which the second electrode is an anode.
  • the organic EL display apparatus was mentioned as the example and demonstrated as a display apparatus, this invention is applicable to the display apparatus provided with the several light emitting element driven by an electric current.
  • the present invention can be applied to a display device provided with a QLED (Quantum-dot light emitting diode) which is a light emitting element using a quantum dot-containing layer.
  • QLED Quantum-dot light emitting diode
  • the present invention is useful in a method of manufacturing a display device such as an organic EL display device.

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Abstract

有機ＥＬ素子（１８）を覆うように封止膜（２５）を形成する封止膜形成工程を備える有機ＥＬ表示装置（１）の製造方法であって、封止膜形成工程は、有機ＥＬ素子（１８）を覆うように第１無機層（１９）を形成する工程と、第１無機層（１９）上に隔壁（３０）を形成する工程と、隔壁（３０）の内側であって、第１無機層（１９）の表面上に有機材料を塗布することにより、第１無機層（１９）上に有機層（２０）を形成する工程と、隔壁（３０）を除去する工程と、第１無機層（１９）上に、有機層（２０）を覆うように第２無機層（２１）を形成する工程とを備える。

Description

表示装置の製造方法
　本発明は、表示装置の製造方法に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、水分や酸素等の混入による有機ＥＬ素子の劣化を抑制するために、有機ＥＬ素子を覆う封止膜を無機層及び有機層の積層膜で構成する封止構造が提案されている。
　例えば、有機ＥＬ素子を覆うように設けられた有機層と、有機層上に設けられた無機層により構成された封止体を備えた有機ＥＬ表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１３－７３８２０号公報
　しかし、上記特許文献１に開示された有機ＥＬ表示装置においては、例えば、インクジェット法により有機材料を吐出して、有機層を形成する際に、吐出後の有機材料の塗れ広がりを規制する堰止壁（バンク）を発光領域周辺部に設ける必要があるため、有機ＥＬ表示装置の狭額縁化が困難になってしまうという問題があった。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、封止膜の封止性能を確保すると共に、狭額縁化を図ることができる表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板に発光素子を形成する発光素子形成工程と、発光素子を覆うように封止膜を形成する封止膜形成工程とを備える表示装置の製造方法であって、封止膜形成工程は、発光素子を覆うように第１無機層を形成する工程と、第１無機層上に隔壁を形成する工程と、隔壁の内側であって、第１無機層の表面上に有機材料を塗布することにより、第１無機層上に有機層を形成する工程と、隔壁を除去する工程と、第１無機層上に、有機層を覆うように第２無機層を形成する工程とを備えることを特徴とする。
　有機材料の塗れ広がりを規制する堰止壁が不要になるため、額縁領域に堰止壁を残す必要がなくなる。その結果、表示装置において狭額縁化を図ることが可能になる。
本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図１中のＡ－Ａ線に沿った有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の内部構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における隔壁の変形例を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における隔壁の変形例を示す断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。また、図２は、図１のＡ－Ａ線に沿った有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置の内部構成を示す断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層を示す断面図である。
　有機ＥＬ表示装置１は、図１及び図２に示すように、ベース基板として設けられた透明なベース基板１０と、ベース基板１０（上に間接的）に設けられた有機ＥＬ素子１８と、有機ＥＬ素子１８を覆うように設けられた封止膜２５とを備えている。
　ここで、有機ＥＬ表示装置１では、図１に示すように、有機ＥＬ素子１８が平面視で矩形状に設けられることにより、画像表示を行う表示領域Ｄが矩形状に規定され、その表示領域Ｄには、複数の画素がマトリクス状に配列されている。そして、各画素では、例えば、赤色の階調表示を行うためのサブ画素、緑色の階調表示を行うためのサブ画素、及び青色の階調表示を行うためのサブ画素が互いに隣り合うように配列されている。
　また、有機ＥＬ表示装置１では、図１に示すように、表示領域Ｄの周囲に額縁領域（非表示領域）Ｎが枠状に規定されている。また、有機ＥＬ表示装置１では、図３に示すように、ベース基板１０と有機ＥＬ素子１８との間に、ベース基板１０側から順にベースコート膜１１、複数のＴＦＴ１２及び層間絶縁膜１３が設けられている。
　ベース基板１０は、例えば、ポリイミド樹脂製等のプラスチック基板である。なお、本実施形態では、ベース基板として、可撓性及び絶縁性を有する透明な樹脂基板を例示したが、ベース基板は、絶縁性を有する透明なガラス基板、導電性を有する不透明な金属薄板等であってもよい。
　ベースコート膜１１は、図３に示すように、ベース基板１０上に設けられている。ここで、ベースコート膜１１は、例えば、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等の無機絶縁膜である。
　ＴＦＴ１２は、図３に示すように、ベースコート膜１１上にサブ画素毎に設けられたスイッチング素子である。ここで、ＴＦＴ１２は、例えば、ベースコート膜１１上に設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にゲート電極と重なるように設けられた半導体層と、半導体層上に互いに対峙するように設けられたソース電極及びドレイン電極とを備えている。なお、本実施形態では、ボトムゲート型のＴＦＴ１２を例示したが、ＴＦＴ１２は、トップゲート型のＴＦＴであってもよい。
　層間絶縁膜１３は、図３に示すように、各ＴＦＴ１２のドレイン電極の一部以外を覆うように設けられている。ここで、層間絶縁膜１３は、例えば、アクリル樹脂等の透明な有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子１８は、表示領域Ｄに設けられ、図３に示すように、層間絶縁膜１３上に順に設けられた第１電極１４、エッジカバー１５、有機ＥＬ層１６及び第２電極１７を備えている。
　複数の第１電極１４は、図３示すように、複数のサブ画素に対応するように、層間絶縁膜１３上にマトリクス状に設けられている。ここで、第１電極１４は、図３に示すように、層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールを介して、各ＴＦＴ１２のドレイン電極に接続されている。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極１４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極１４を構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極１４を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極１４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　エッジカバー１５は、図３に示すように、各第１電極１４の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー１５を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機膜、又はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
　複数の有機ＥＬ層１６は、図３に示すように、各第１電極１４上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、有機ＥＬ層１６は、図４に示すように、第１電極１４上に順に設けられた正孔注入層３１、正孔輸送層３２、発光層３３、電子輸送層３４及び電子注入層３５を備えている。
　正孔注入層３１は、陽極有機層とも呼ばれ、第１電極１４と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層３１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層３２は、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層３２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３３は、第１電極１４及び第２電極１７による電圧印加の際に、第１電極１４及び第２電極１７から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層３４は、電子を発光層３３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層３４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層３５は、第２電極１７と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極１７から有機ＥＬ層１６へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子１８の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層３５は、陰極有機層とも呼ばれる。ここで、電子注入層３５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極１７は、図３に示すように、各有機ＥＬ層１６及びエッジカバー１５を覆うように設けられている。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６に電子を注入する機能を有している。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。
　ここで、第２電極１７を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極１７は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜２５は、有機ＥＬ素子１８を覆うように表示領域Ｄ及び非表示領域Ｎに設けられ、有機ＥＬ素子１８を水分や酸素から保護する機能を有している。この封止膜２５は、図２に示すように、有機ＥＬ素子１８側から順に設けられた第１無機層１９、有機層２０、及び第２無機層２１を備えている。
　より具体的には、封止膜２５は、有機ＥＬ素子１８の表面上に設けられ、第１無機膜からなる第１無機層１９と、第１無機層１９の表面上に設けられ、有機膜からなる有機層２０と、有機層２０の表面上に設けられ、第２無機膜からなる第２無機層２１とにより構成されている。
　また、図２に示すように、第１無機層１９は、有機ＥＬ素子１８の表面上に設けられた酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層１９ａと、酸化シリコン層１９aの表面上に設けられ、有機層２０と接触する窒化シリコン（ＳｉＮｘ）層１９ｂにより構成されている。
　また、図２に示すように、第２無機層２１は、有機層２０の表面上に設けられた酸化シリコン層２１ａと、酸化シリコン層２１aの表面上に設けられた窒化シリコン層２１ｂにより構成されている。
　有機層２０は、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機膜により形成されており、図２に示すように、有機層２０は、第２無機層２１により覆われている。
　上記構成の有機ＥＬ表示装置１は、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光層３３を適宜発光させることにより、画像表示を行うことができる。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。図５～図８は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置１を製造する際には、まず、図３に示すように、例えば、ポリイミド樹脂製のベース基板１０の表面に、ベースコート膜１１を形成した後、このベースコート膜１１上に、有機ＥＬ素子１８を駆動するためのＴＦＴ１２を所定の間隔で複数個形成する。次いで、感光性アクリル樹脂を、ＴＦＴ１２が形成されたベースコート膜１１上にスピンコート法により塗布し、所定の露光パターンを有する露光マスクを使用して、所定の露光量により露光を行い、アルカリ現像液を用いて現像を行うことにより、図３に示すように、ＴＦＴ１２を覆うように、ベースコート膜１１上に層間絶縁膜１３を形成する。なお、この際、層間絶縁膜１３には、第１電極１４とＴＦＴ１２とを電気的に接続するためのコンタクトホール（例えば、径が５μｍ）が形成される。
　次に、図３に示すように、層間絶縁膜１３の表面に、周知の方法を用いて、有機ＥＬ素子１８（第１電極１４、エッジカバー１５、有機ＥＬ層１６（正孔注入層３１、正孔輸送層３２、発光層３３、電子輸送層３４、電子注入層３５）、第２電極１７）を形成する。
　次に、有機ＥＬ素子１８を覆うように、第１無機層１９を形成する。より具体的には、まず、酸化シリコンを、マスクを用いたプラズマＣＶＤ法や、スパッタ法、原子層堆積法（ＡＬＤ法）等により、ベース基板１０及び有機ＥＬ素子１８の表面上に積層することにより、図５に示すように、有機ＥＬ素子１８の表面を覆うように、酸化シリコン層１９aを形成する。
　次に、上述の酸化シリコン層１９aと同様に、窒化シリコンを、マスクを用いたプラズマＣＶＤ法や、スパッタ法、原子層堆積法（ＡＬＤ法）等により、酸化シリコン層１９aの表面上に積層することにより、図６に示すように、ベース基板上に表示領域Ｄよりも大きな開口を有するマスクを用いて、有機ＥＬ素子１８の表面を覆うように、窒化シリコン層１９ｂを形成し、酸化シリコン層１９aと窒化シリコン層１９ｂにより構成される第１無機層１９を形成する。
　次に、図７に示すように、第１無機層１９上に、第１無機膜１９の内側に配置されるように隔壁３０を形成する。この隔壁３０は、有機層２０を形成する有機材料の塗布領域（即ち、有機層２０の形成領域）を規定する。
　また、隔壁３０として、メタルマスクを使用する場合、例えば、ベース基板１０の、隔壁３０が設けられた側と反対側の表面に、磁力を有するマグネット部材（不図示）を設け、当該マグネット部材の磁力により、隔壁３０を第１無機層１９上に固定する。
　次に、インクジェット法や真空蒸着法を用いて、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、及びポリアミド等の有機材料を、隔壁３０の内側（即ち、図２に示す有機層２０の形成領域）であって、窒化シリコン層１９ｂの表面２６上に塗布することにより、図８に示すように、窒化シリコン層１９ｂの表面２６上に有機膜からなる有機層２０を形成する。
　ここで、上述のごとく、第１無機層１９上に隔壁３０を設けているため、有機層２０を形成する際に、塗布後の有機材料の塗れ広がりを規制することができる。
　また、図８に示すように、隔壁３０の、有機層２０と対向する側に凹部３０ａが形成されている。ここで、有機層２０を形成する有機材料は、自身がもつ表面張力により、凹部３０ａの奥までは広がることがなく、隔壁３０の近傍で留まる。従って、当該凹部３０ａにより、撥水機能が発揮される。その結果、有機層２０を形成する際に、凹部３０ａにより、有機材料の塗れ広がりを確実に規制することができる。
　即ち、図８に示すように、後述の有機層２０を形成する工程において、凹部３０ａの内部に、第１無機層１９上に有機層２０が形成されない空隙が設けられ、図１に示すように、平面視において、第１無機層１９の内側に有機層２０が形成される。
　次に、有機層２０の硬化後、第１無機層１９上から隔壁３０を除去する。例えば、隔壁３０として、上述のメタルマスクを使用する場合、有機材料を加熱して硬化させた後、ベース基板１０及び隔壁３０を冷却することにより、第１無機層１９の表面から隔壁３０を取り外して除去することができる。
　次に、有機層２０を覆うように、第１無機層１９上に第２無機層２１を形成する。より具体的には、まず、酸化シリコンを、マスクを用いたプラズマＣＶＤ法や、スパッタ法、原子層堆積法（ＡＬＤ法）等により、有機層２０の表面上に積層することにより、図２に示すように、有機層２０の表面を覆うように、酸化シリコン層２１aを形成する。
　次に、上述の酸化シリコン層２１aと同様に、窒化シリコンを、マスクを用いたプラズマＣＶＤ法や、スパッタ法、原子層堆積法（ＡＬＤ法）等により、酸化シリコン層２１aの表面上に積層することにより、図２に示すように、有機層２０の表面を覆うように、窒化シリコン層２１ｂを形成して、酸化シリコン層２１aと窒化シリコン層２１ｂにより構成される第２無機層２１を形成し、第１無機層１９、有機層２０、及び第２無機層２１からなる封止膜２５を形成する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の製造方法によれば、以下の（１）～（２）の効果を得ることができる。
　（１）第１無機層１９上に隔壁３０を形成した後、隔壁３０の内側であって、第１無機層１９の表面上に有機材料を塗布することにより、第１無機層１９上に有機層２０を形成し、その後、隔壁３０を除去する構成としている。従って、上記従来技術における堰止壁が不要になるため、額縁領域Ｎに当該堰止壁を残す必要がなくなる。その結果、有機ＥＬ表示装置１において狭額縁化を行うことが可能になる。
　（２）隔壁３０は、有機層２０と対向する側に凹部３０ａを有している。従って、凹部３０ａにより、撥水機能が発揮されるため、有機層２０を形成する際に、有機材料の塗れ広がりを確実に規制することができる。
　《第２の実施形態》
　次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図９～図１０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。なお、有機ＥＬ表示装置の全体構成は、上述の第１の実施形態の場合と同じであるため、ここでは詳しい説明を省略する。また、上記第１の実施形態と同様の構成部分については同一の符号を付してその説明を省略する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置１を製造する際には、まず、ベース基板上に、表示領域Ｄよりも大きな開口を有するマスク４５を固定する。なお、このマスク４５は、有機層２０を形成する有機材料の塗布領域（即ち、有機層２０の形成領域）を規定している。
　また、図９に示すように、上述の隔壁３０の凹部３０ａと同様に、マスク４５の、有機層２０と対向する側に凹部４５ａが形成されており、この凹部４５ａは、隔壁３０の凹部３０ａと同様の機能を有する。
　また、マスク４５としては、メタルマスクが使用され、上述の第１の実施形態における隔壁３０と同様に、例えば、ベース基板１０の、マスク４５が設けられた側と反対側の表面に、磁力を有するマグネット部材（不図示）を設け、当該マグネット部材の磁力により、マスク４５をベース基板１０上に固定する。
　次に、酸化シリコンを、マスク４５を用いたプラズマＣＶＤ法や、スパッタ法、原子層堆積法（ＡＬＤ法）等により、ベース基板１０及び有機ＥＬ素子１８の表面上に積層することにより、図９に示すように、有機ＥＬ素子１８の表面を覆うように、酸化シリコン層１９aを形成する。
　次に、上述の酸化シリコン層１９aと同様に、窒化シリコンを、マスク４５を用いたプラズマＣＶＤ法や、スパッタ法、原子層堆積法（ＡＬＤ法）等により、酸化シリコン層１９ａの表面上に積層することにより、図９に示すように、有機ＥＬ素子１８の表面を覆うように、窒化シリコン層１９ｂを形成し、酸化シリコン層１９aと窒化シリコン層１９ｂにより構成される第１無機層１９を形成する。
　次に、インクジェット法や真空蒸着法を用いて、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、及びポリアミド等の有機材料を、第１無機層１９の内側（即ち、図２に示す有機層２０の形成領域）において、窒化シリコン層１９ｂの表面２６上に塗布することにより、図１０に示すように、窒化シリコン層１９ｂの表面２６上に有機膜からなる有機層２０を形成する。
　ここで、上述の第１の実施形態における隔壁３０と同様に、図１０に示すように、有機層２０を形成する工程において、凹部４５ａの内部に、第１無機層１９上に有機層２０が形成されない空隙が設けられ、図１に示すように、平面視において、第１無機層１９の内側に有機層２０が形成される。
　なお、有機材料の塗布後、隔壁として機能するマスク４５を設けた状態で、紫外線照射により有機層２０を仮硬化する。その後、７０～１００℃程度の温度でベークし、本硬化を行う。また、後述するＣＶＤ法により第２無機層２１を成膜する際の予備加熱によって、上述のベークを省略してもよい。
　次に、有機層２０の硬化後、ベース基板１０上からマスク４５を取り外す。
　次に、第１の実施形態の場合と同様に、有機層２０を覆うように、第１無機層１９上に酸化シリコン層２１aと窒化シリコン層２１ｂにより構成される第２無機層２１を形成し、第１無機層１９、有機層２０、及び第２無機層２１からなる封止膜２５を形成する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の製造方法によれば、上述の（１）～（２）の効果に加え、以下の（３）の効果を得ることができる。
　（３）第１無機層１９を形成する際に使用するマスク４５を、有機層２０を形成する際の隔壁として兼用する構成としている。従って、有機層２０の製造工程が容易になるとともに、コストダウンを図ることができる。
　なお、上記実施形態は以下のように変更しても良い。
　図１１に示すように、上記実施形態における隔壁３０の表面にテフロンコーティング層４０を設ける構成としてもよい。このような構成により、上述の凹部３０ａのみならず、隔壁３０の表面全体に撥水性を付与することができるため、有機層２０を形成する際に、当該有機層２０の形成領域のバラツキを抑制することができる。また、隔壁３０の表面に有機層２０を形成する有機材料が付着して硬化するという不都合を防止することができる。
　また、上記実施形態においては、隔壁３０として、ＳＵＳ等のメタルマスクを使用したが、例えば、グレートーンマスク又はハーフトーンマスクを用いて、感光性を有する有機樹脂材料をパターニングすることにより、隔壁３０を形成してもよい。
　また、第２無機層２１を形成する際に使用するマスクを、上記実施形態における隔壁３０やマスク４５の外側（図１２における有機ＥＬ表示装置１の幅方向Ｙにおける外側）に配置し、図１２に示すように、第１無機層１９の周端部を覆うように第２無機層２１を設ける構成としてもよい。
　また、上記実施形態においては、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記実施形態においては、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態においては、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記実施形態においては、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、有機ＥＬ表示装置等の表示装置の製造方法において有用である。
　１　　　有機ＥＬ表示装置
　１０　　　ベース基板
　１１　　　ベースコート膜
　１２　　　ＴＦＴ
　１３　　　層間絶縁膜
　１６　　　有機ＥＬ層
　１８　　　有機ＥＬ素子
　１９　　　第１無機層
　２０　　　有機層
　２１　　　第２無機層
　２５　　　封止膜
　３０　　　隔壁
　３０ａ　　凹部
　４０　　　テフロンコーティング層
　４５　　マスク

Claims (10)

  1. 　ベース基板に発光素子を形成する発光素子形成工程と、前記発光素子を覆うように封止膜を形成する封止膜形成工程とを備える表示装置の製造方法であって、
    　前記封止膜形成工程は、
    　前記発光素子を覆うように第１無機層を形成する工程と、
    　前記第１無機層上に隔壁を形成する工程と、
    　前記隔壁の内側であって、前記第１無機層の表面上に有機材料を塗布することにより、該第１無機層上に有機層を形成する工程と、
    　前記隔壁を除去する工程と、
    　　前記第１無機層上に、前記有機層を覆うように第２無機層を形成する工程と
    　を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
  2. 　前記隔壁は、前記有機層と対向する側に凹部を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  3. 　前記隔壁の表面に、テフロンコーティング層が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置の製造方法。
  4. 　前記有機層を形成する工程において、前記凹部の内部に、前記第１無機層上に前記有機層が形成されない空隙が設けられ、平面視において、前記第１無機層の内側に前記有機層が形成されることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の表示装置の製造方法。
  5. 　ベース基板に発光素子を形成する発光素子形成工程と、前記発光素子を覆うように封止膜を形成する封止膜形成工程とを備える表示装置の製造方法であって、
    　前記封止膜形成工程は、
    　ベース基板上に表示領域よりも大きな開口を有するマスクを固定する工程と、
    　前記マスクの内側において、前記発光素子を覆うように第１無機層を形成する工程と、
    　前記マスクを用いて、前記第１無機層の内側において、前記第１無機層の表面上に有機材料を塗布することにより、該第１無機層上に有機層を形成する工程と、
    　前記マスクを前記ベース基板から取り外す工程と、
    　前記第１無機層上に、前記有機層を覆うように第２無機層を形成する工程と
    　を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
  6. 　前記マスクは、前記有機層と対向する側に凹部を有することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
  7. 　前記有機層を形成する工程において、前記凹部の内部に、前記第１無機層上に前記有機層が形成されない空隙が設けられ、平面視において、前記第１無機層の内側に前記有機層が形成されることを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
  8. 　前記有機層を形成する工程において、前記ベース基板上に前記マスクを設けた状態で、紫外線を照射することにより前記有機層を硬化することを特徴とする請求項５～請求項７のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  9. 　前記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  10. 　前記ベース基板は、可撓性を有していることを特徴とする請求項１～９のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
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