WO2019180838A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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WO2019180838A1
WO2019180838A1 PCT/JP2018/011145 JP2018011145W WO2019180838A1 WO 2019180838 A1 WO2019180838 A1 WO 2019180838A1 JP 2018011145 W JP2018011145 W JP 2018011145W WO 2019180838 A1 WO2019180838 A1 WO 2019180838A1
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layer
display device
resin
resin layer
organic
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藤田　哲生
幸伸 中田
杉本　宏
櫻井　猛久
藤原　正樹
徳生 吉田
庄治 岡崎
哲憲 田中
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シャープ株式会社
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    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof.
  • Patent Document 1 discloses an organic EL device including a resin substrate made of polyimide or the like.
  • the resin substrate has a laminated structure in which an inorganic layer is sandwiched between a pair of resin layers in order to suppress moisture intrusion from the resin substrate to the organic EL element. It has been proposed. However, in this case, since the amount of the resin material to be used is increased, the cost for the resin substrate may be increased.
  • the present invention has been made in view of this point, and an object thereof is to suppress the amount of resin material used in a resin substrate in which an inorganic layer is sandwiched between a pair of resin layers.
  • a display device includes a resin substrate, a TFT layer provided on the resin substrate, and a light emitting element provided on the TFT layer and constituting a display region.
  • the resin substrate includes a first resin layer provided on a side far from the TFT layer, a second resin layer provided on a side close to the TFT layer, and the first resin layer. And an inorganic layer provided between the second resin layers, wherein the first resin layer contains a plurality of bubbles.
  • the amount of the resin material used can be suppressed in the resin substrate in which the inorganic layer is sandwiched between the pair of resin layers. .
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the organic EL display device taken along line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a resin substrate layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the first resin layer of the resin substrate layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration
  • FIG. 6 is an equivalent circuit diagram showing a TFT layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a diagram showing a first resin layer forming step of the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing the first resin layer of the resin substrate layer constituting the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing the first resin layer of the resin substrate layer constituting the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view of the organic EL display device 30 of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of the display area D of the organic EL display device 30.
  • 3 is a cross-sectional view of the display region D of the organic EL display device 30 taken along the line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is a sectional view of the resin substrate layer 10 constituting the organic EL display device 30.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the first resin layer 6 a of the resin substrate layer 10.
  • FIG. 6 is an equivalent circuit diagram showing the TFT layer 29 constituting the organic EL display device 30.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the organic EL layer 16 constituting the organic EL display device 30.
  • the organic EL display device 30 includes, for example, a display area D that performs image display provided in a rectangular shape, and a frame area F that is provided around the display area D.
  • the organic EL element 19 is provided in the display region D of the organic EL display device 30, and a plurality of pixels are arranged in a matrix as shown in FIG. Yes.
  • the sub-pixel P having a red light-emitting area Lr for performing red display and the sub-pixel P having a green light-emitting area Lg for performing green display are provided.
  • the pixels P and the sub-pixels P having the blue light emitting region Lb for performing blue display are arranged so as to be adjacent to each other.
  • one pixel is constituted by three adjacent sub-pixels P having the red light emitting area Lr, the green light emitting area Lg, and the blue light emitting area Lb.
  • a terminal portion T is provided at the right end portion of the frame region F in FIG.
  • a bent part B which is bent at 180 ° (in a U shape) with the vertical direction in the figure as the axis of bending. It is provided along one side (right side in the figure) of the display area D.
  • the organic EL display device 30 is provided as a resin substrate layer 10 provided as a resin substrate, a TFT layer 29 provided on the resin substrate layer 10, and a light emitting element on the TFT layer 29.
  • the organic EL element 19, the surface-side protective layer 25 a provided on the surface (upper surface in the figure) of the organic EL element 19, and the back-side protective layer 25 b provided on the back surface (lower surface in the figure) of the resin substrate layer 10 It has.
  • the resin substrate layer 10 includes a first resin layer 6a provided on the side far from the TFT layer 29, a second resin layer 8 provided on the side close to the TFT layer 29, and a first resin. And an inorganic layer 7 provided between the layer 6 a and the second resin layer 8.
  • the first resin layer 6a is made of, for example, a polyimide resin having a thickness of about several ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the first resin layer 6a contains a plurality of bubbles 9a dispersed therein.
  • the diameter of the bubble 9a is 100 nm or more and 1.0 micrometer or less, for example.
  • FIG. 5 shows the bubble 9a having a circular cross-sectional shape, but the bubble 9a of the present embodiment is not limited to this.
  • the bubble 9a may have an elliptical cross-sectional shape. It is preferable that the size of the major axis is a value within the above range of the diameter.
  • the inorganic layer 7 is composed of a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride or the like having a thickness of about 500 nm.
  • the second resin layer 8 is made of, for example, a polyimide resin having a thickness of about several ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the second resin layer 8 does not contain bubbles.
  • the TFT layer 29 includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 12a (see FIG. 6) and a plurality of second TFTs 12b provided on the base coat film 11.
  • a flattening film 13 provided on each first TFT 12a and each second TFT 12b is provided.
  • a plurality of gate lines 26 are provided so as to extend in parallel to each other in the horizontal direction in the drawing.
  • a plurality of source lines 27a are provided so as to extend in parallel to each other in the vertical direction in the drawing.
  • a plurality of power supply lines 27b are provided so as to extend in parallel with each other in the vertical direction in the drawing, and each power supply line 27b is connected to each source line 27a. Adjacent to each other.
  • a first TFT 12a, a second TFT 12b, and a capacitor 28 are provided in each sub-pixel.
  • the base coat film 11 is composed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride or the like.
  • the first TFT 12a is connected to the corresponding gate line 26 and source line 27a in each sub-pixel.
  • the second TFT 12b is connected to the corresponding first TFT 12a and the power supply line 27b in each sub-pixel.
  • the first TFT 12a and the second TFT 12b include, for example, a semiconductor layer provided in an island shape on the base coat film 11, a gate insulating film provided so as to cover the semiconductor layer, and one of the semiconductor layers on the gate insulating film.
  • a gate electrode provided to overlap the gate electrode, a first interlayer insulating film and a second interlayer insulating film provided so as to cover the gate electrode, and provided on the second interlayer insulating film and arranged so as to be separated from each other Source electrode and drain electrode (not shown).
  • the top gate type first TFT 12a and the second TFT 12b are exemplified, but the first TFT 12a and the second TFT 12b may be bottom gate type TFTs.
  • the capacitor 28 is connected to the corresponding first TFT 12a and the power supply line 27b in each sub-pixel.
  • the capacitor 28 includes, for example, one electrode formed in the same layer with the same material as the gate electrode, the other electrode formed in the same layer with the same material as the source electrode and the drain electrode, and a pair of them.
  • a first interlayer insulating film and / or a second interlayer insulating film provided between the electrodes are used.
  • the planarization film 13 is made of a colorless and transparent organic resin material such as polyimide resin.
  • the organic EL element 19 includes a plurality of first electrodes 14, an edge cover 15, a plurality of organic EL layers 16, a second electrode 17, and a sealing film 18 that are sequentially provided on the planarizing film 13. It has.
  • the plurality of first electrodes 14 are provided in a matrix on the planarizing film 13 so as to correspond to a plurality of subpixels.
  • the first electrode 14 has a function of injecting holes into the organic EL layer 16.
  • the first electrode 14 is more preferably formed of a light transmissive material.
  • a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and the like. Etc. are preferred.
  • the first electrode 14 may be made of, for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au), calcium ( Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb), fluoride
  • a metal material such as lithium (LiF) can be given.
  • the material constituting the first electrode 14 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidation.
  • the first electrode 14 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
  • the edge cover 15 is provided in a lattice shape so as to cover the peripheral edge portion of each first electrode 14.
  • the material constituting the edge cover 15 include silicon nitride (SiO 2 ), silicon nitride such as trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ) (SiNx (x is a positive number)), silicon oxynite.
  • An inorganic film such as a ride (SiNO) or an organic film such as a polyimide resin, an acrylic resin, a polysiloxane resin, or a novolac resin can be used.
  • each organic EL layer 16 includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, and an electron injection provided in order on the first electrode 14.
  • Layer 5 is provided.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of improving the efficiency of hole injection from the first electrode 14 to the organic EL layer 16 by bringing the energy levels of the first electrode 14 and the organic EL layer 16 close to each other.
  • a material constituting the hole injection layer for example, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazole derivative, a styrylanthracene derivative, a fluorenone derivative, Examples include hydrazone derivatives and stilbene derivatives.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the hole transport efficiency from the first electrode 14 to the organic EL layer 16.
  • examples of the material constituting the hole transport layer 2 include porphyrin derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine derivatives, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, triazole derivatives, oxadiazole.
  • Derivatives imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydrogenated amorphous silicon, Examples include hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenide.
  • the light emitting layer 3 when voltage is applied by the first electrode 14 and the second electrode 17, holes and electrons are injected from the first electrode 14 and the second electrode 17, respectively, and the holes and electrons are recombined. It is an area.
  • the light emitting layer 3 is formed of a material having high light emission efficiency. Examples of the material constituting the light emitting layer 3 include metal oxinoid compounds [8-hydroxyquinoline metal complexes], naphthalene derivatives, anthracene derivatives, diphenylethylene derivatives, vinylacetone derivatives, triphenylamine derivatives, butadiene derivatives, and coumarin derivatives.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
  • examples of the material constituting the electron transport layer 4 include organic compounds such as oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorenone derivatives. , Silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 17 and the organic EL layer 16 closer to each other, and improving the efficiency with which electrons are injected from the second electrode 17 into the organic EL layer 16.
  • the drive voltage of the organic EL element 19 can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • a material constituting the electron injection layer 5 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF2), calcium fluoride (CaF2), strontium fluoride (SrF2), barium fluoride (BaF2) Inorganic alkali compounds such as, aluminum oxide (Al2O3), strontium oxide (SrO), and the like.
  • the second electrode 17 is provided so as to cover each organic EL layer 16 and the edge cover 15.
  • the second electrode 17 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 16.
  • the second electrode 17 is more preferably formed of a light transmissive material.
  • conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and the like. Etc. are preferred.
  • Examples of the material constituting the second electrode 17 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au), Calcium (Ca), Titanium (Ti), Yttrium (Y), Sodium (Na), Ruthenium (Ru), Manganese (Mn), Indium (In), Magnesium (Mg), Lithium (Li), Ytterbium (Yb), Examples include lithium fluoride (LiF).
  • the second electrode 17 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2). ), Lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al), etc. May be.
  • the second electrode 17 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials.
  • Examples of materials having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium.
  • (Na) / potassium (K) lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) Etc.
  • the sealing film 18 is provided so as to cover the second electrode 17, and has a function of protecting the organic EL layer 16 from moisture and oxygen.
  • a material constituting the sealing film 18 for example, silicon nitride (SiNx (Si 2 N 3 ) such as silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ).
  • SiNx Si 2 N 3
  • SiO 2 silicon oxide
  • Al 2 O 3 aluminum oxide
  • x is a positive number
  • inorganic materials such as silicon carbonitride (SiCN), and organic materials such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, and polyamide.
  • the front surface side protective layer 25a and the back surface side protective layer 25b are made of, for example, a polyethylene terephthalate resin having a thickness of about 2 ⁇ m.
  • FIG. 8 is a diagram showing a first resin layer forming step of the method for manufacturing the organic EL display device 30.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 30 of the present embodiment includes a resin substrate forming step including a first resin layer forming step, an inorganic layer forming step, and a second resin layer forming step, a TFT layer forming step, and light emission. And an organic EL element forming process as an element forming process.
  • ⁇ Resin substrate formation process> After applying the resin material 57 on the glass substrate 51 (support substrate) using the slit coater 50, the applied resin material 57 is cured to form the first resin layer 6a (first resin layer forming step). .
  • a tubular member 55 is provided in the nozzle portion 53 of the slit coater 50, and air is injected from the tubular member 55 into the resin material 57 before being discharged. To do.
  • a silicon nitride film, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, or the like is formed by, for example, a plasma CVD (chemical vapor deposition) method so as to cover the first resin layer 6a formed in the first resin layer forming step.
  • An inorganic layer 7 is formed by forming an inorganic insulating film (inorganic layer forming step).
  • the applied resin material is cured to form the second resin layer 8 (second resin layer forming step).
  • ⁇ TFT layer formation process> The base coat film 11, the first TFT 12a, the second TFT 12b, and the planarizing film 13 are formed on the resin substrate layer 10 formed in the resin substrate forming step by using a known method, thereby forming the TFT layer 29. .
  • a first electrode 14, an edge cover 15, a plurality of organic EL layers 16, a second electrode 17, and a sealing film 18 are formed on the TFT layer 29 formed in the TFT layer forming step by using a known method.
  • the organic EL element 19 is formed.
  • the glass substrate 51 is peeled off from the lower surface of the resin substrate layer 10 by irradiating laser light from the glass substrate 51 side, and the surface side protective layer 25a is formed on the surface of the organic EL element 19.
  • the back side protective layer 25b is affixed to the back side.
  • the organic EL display device 30 of this embodiment can be manufactured.
  • the resin substrate layer 10 formed in the resin substrate forming step includes the first resin layer 6a, the inorganic layer 7, and the second resin.
  • the layer 8 is provided, and the inside of the first resin layer 6a includes a plurality of bubbles 9a.
  • the permeability of the first resin layer 6a can be improved. Furthermore, since the plurality of bubbles 9a are included in the first resin layer 6a, the resin substrate layer 10 can be easily divided.
  • the first resin layer forming step air is injected into the resin material 57, and the resin material 57 into which the air has been injected is applied onto the glass substrate 51 to form the first resin layer 6a. Therefore, the first resin layer 6a including a plurality of bubbles 9a can be easily formed.
  • the adhesion between the glass substrate 51 and the first resin layer 6a is lowered. Therefore, it becomes easy to peel off the glass substrate 51 and the resin substrate layer 10.
  • FIG. 9 shows a second embodiment of the display device and the manufacturing method thereof according to the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing the first resin layer 6b of the resin substrate layer 10 constituting the organic EL display device 30 of the present embodiment.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 8 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the organic EL display device 30 including the resin substrate layer 10 in which a plurality of bubbles 9a are randomly dispersed in the first resin layer 6a is illustrated.
  • a plurality of bubbles is used.
  • 9b illustrates an organic EL display device including a resin substrate layer aligned in the first resin layer 6b.
  • the bubbles 9 b gradually decrease in diameter as they approach the inorganic layer 7. It is provided in the first resin layer 6b.
  • each diameter of the plurality of bubbles 9b included in the resin material 57 is gradually reduced in the thickness direction.
  • the resin material 57 is applied in a plurality of times by the slit coater 50.
  • the method of drying the resin material 57 apply
  • large bubbles 9b move so as to sink to the glass substrate 51 side (lower side in FIG. 9) during degassing.
  • the adhesiveness of the glass substrate 51 and the 1st resin layer 6a can be reduced more, and the glass substrate 51 and the resin substrate can be reduced.
  • the layer 10 can be peeled off more easily.
  • FIG. 10 shows a third embodiment of the display device and the manufacturing method thereof according to the present invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing the first resin layer 6c of the resin substrate layer 10 constituting the organic EL display device 30 of the present embodiment.
  • the organic EL display device 30 in which the plurality of bubbles 9a are generally provided in the first resin layer 6a in a plan view is illustrated, but in this embodiment, as illustrated in FIG.
  • An organic EL display device in which a plurality of bubbles 9c are partially provided in plan view is illustrated.
  • the plurality of bubbles 9c are provided in the first resin layer 6c in the bent portion B of the frame region F.
  • the stress at the time of bending of the bent portion B is relaxed, and the organic EL display device 30 can be easily bent at the bent portion B.
  • the organic EL display device in which the plurality of bubbles 9c are partially provided in the bent portion B is illustrated.
  • the portions where the plurality of bubbles 9c are partially provided are other than the bent portion B.
  • the part in which the plurality of bubbles 9c are provided in the first resin layer 6c is a part having higher permeability than the part in which the plurality of bubbles 9c are not provided.
  • an organic EL layer having a five-layer structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer has been exemplified.
  • a three-layer structure of a layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer may be employed.
  • the organic EL display device using the first electrode as an anode and the second electrode as a cathode has been exemplified.
  • the present invention reverses the stacked structure of the organic EL layers and uses the first electrode as a cathode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
  • the organic EL display device using the TFT electrode connected to the first electrode as the drain electrode has been exemplified.
  • the TFT electrode connected to the first electrode is used as the source electrode. It can also be applied to an organic EL display device called.
  • the organic EL display device is described as an example of the display device.
  • the present invention can be applied to a display device including a plurality of light emitting elements driven by current.
  • the present invention can be applied to a display device including a QLED (Quantum-dot light emitting diode) that is a light-emitting element using a quantum dot-containing layer.
  • QLED Quantum-dot light emitting diode
  • the present invention is useful for flexible display devices.

Abstract

樹脂基板層（１０）と、樹脂基板層（１０）上に設けられたＴＦＴ層と、ＴＦＴ層上に設けられ、表示領域を構成する有機ＥＬ素子とを備えた有機ＥＬ表示装置であって、樹脂基板層（１０）は、ＴＦＴ層の反対側から順に設けられた第１樹脂層（６ａ）、無機層（７）及び第２樹脂層（８）を備え、第１樹脂層（６ａ）の内部には、複数の気泡が含まれている。

Description

表示装置及びその製造方法
　本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置では、可撓性を有する樹脂基板上に有機ＥＬ素子や種々のフィルム等が積層されたフレキシブルな有機ＥＬ表示装置が提案されている。
　例えば、特許文献１には、ポリイミド等からなる樹脂基板を備えた有機ＥＬデバイスが開示されている。
特開２０１６－５９０１号公報
　ところで、有機ＥＬ表示装置では、外部から水分や酸素が有機ＥＬ素子に浸入すると、有機ＥＬ素子が劣化してしまう。ここで、上述したフレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、樹脂基板から有機ＥＬ素子への水分の浸入を抑制するために、樹脂基板を、一対の樹脂層の間に無機層を挟んだ積層構造とすることが提案されている。しかしながら、この場合、使用する樹脂材料の量が増大してしまうので、樹脂基板にかかるコストが高くなるおそれがある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、一対の樹脂層の間に無機層を挟んだ樹脂基板において、樹脂材料の使用量を抑制することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に設けられたＴＦＴ層と、上記ＴＦＴ層上に設けられ、表示領域を構成する発光素子と、を備えた表示装置であって、上記樹脂基板は、上記ＴＦＴ層から遠い側に設けられた第１樹脂層と、上記ＴＦＴ層に近い側に設けられた第２樹脂層と、上記第１樹脂層及び上記第２樹脂層の間に設けられた無機層とを備え、上記第１樹脂層の内部には、複数の気泡が含まれていることを特徴とする。
　本発明によれば、第１樹脂層の内部に複数の気泡が含まれているので、一対の樹脂層の間に無機層を挟んだ樹脂基板において、樹脂材料の使用量を抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の平面図である。 図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する樹脂基板層を示す断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する樹脂基板層の第１樹脂層を示す断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層を示す等価回路図である。 図７は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層を示す断面図である。 図８は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の第１樹脂層形成工程を示す図である。 図９は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する樹脂基板層の第１樹脂層を示す断面図である。 図１０は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する樹脂基板層の第１樹脂層を示す断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図８は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置３０を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０の平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置３０の表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置３０の表示領域Ｄの断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置３０を構成する樹脂基板層１０の断面図である。また、図５は、樹脂基板層１０の第１樹脂層６ａを示す断面図である。また、図６は、有機ＥＬ表示装置３０を構成するＴＦＴ層２９を示す等価回路図である。また、図７は、有機ＥＬ表示装置３０を構成する有機ＥＬ層１６を示す断面図である。
　有機ＥＬ表示装置３０は、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置３０の表示領域Ｄには、図３に示すように、有機ＥＬ素子１９が設けられていると共に、図２に示すように、複数の画素がマトリクス状に配列されている。なお、表示領域Ｄの各画素では、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように配列されている。なお、表示領域Ｄでは、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。また、額縁領域Ｆの図１中右端部には、端子部Ｔが設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図１に示すように、図中縦方向を折り曲げの軸として１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げられる折り曲げ部Ｂが表示領域Ｄの一辺（図中右辺）に沿うように設けられている。
　有機ＥＬ表示装置３０は、図３に示すように、樹脂基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２９と、ＴＦＴ層２９上に発光素子として設けられた有機ＥＬ素子１９と、有機ＥＬ素子１９の表面（図中上面）に設けられた表面側保護層２５ａと、樹脂基板層１０の裏面（図中下面）に設けられた裏面側保護層２５ｂとを備えている。
　樹脂基板層１０は、図４に示すように、ＴＦＴ層２９から遠い側に設けられた第１樹脂層６ａと、ＴＦＴ層２９に近い側に設けられた第２樹脂層８と、第１樹脂層６ａ及び第２樹脂層８の間に設けられた無機層７とを備えている。
　第１樹脂層６ａは、例えば、厚さ数μｍ～２０μｍ程度のポリイミド樹脂等により構成されている。ここで、第１樹脂層６ａには、図５に示すように、複数の気泡９ａが分散されて含まれている。また、気泡９ａの直径は、例えば、１００ｎｍ以上、１．０μｍ以下であるのが好ましい。なお、図５には、断面形状が円形の気泡９ａを示したが、本実施形態の気泡９ａはこれに限定されるものではなく、例えば、断面形状が楕円形の気泡でもよく、この場合には、長径のサイズが上記直径の範囲内の値であることが好ましい。
　無機層７は、例えば、厚さ５００ｎｍ程度の窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第２樹脂層８は、例えば、厚さ数μｍ～２０μｍ程度のポリイミド樹脂等により構成されている。なお、第２樹脂層８には気泡が含まれていない。
　ＴＦＴ層２９は、図３に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ１２ａ（図６参照）及び複数の第２ＴＦＴ１２ｂと、各第１ＴＦＴ１２ａ及び各第２ＴＦＴ１２ｂ上に設けられた平坦化膜１３とを備えている。ここで、ＴＦＴ層２９では、図２及び図６に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線２６が設けられている。また、ＴＦＴ層２９では、図２及び図６に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線２７ａが設けられている。また、ＴＦＴ層２９では、図２及び図６に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線２７ｂが設けられており、各電源線２７ｂは、各ソース線２７ａと隣り合って設けられている。また、ＴＦＴ層２９では、図６に示すように、各サブ画素において、第１ＴＦＴ１２ａ、第２ＴＦＴ１２ｂ及びキャパシタ２８が設けられている。
　ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第１ＴＦＴ１２ａは、図６に示すように、各サブ画素において、対応するゲート線２６及びソース線２７ａに接続されている。また、第２ＴＦＴ１２ｂは、図６に示すように、各サブ画素において、対応する第１ＴＦＴ１２ａ及び電源線２７ｂに接続されている。ここで、第１ＴＦＴ１２ａ及び第２ＴＦＴ１２ｂは、例えば、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層と、半導体層を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に半導体層の一部と重なるように設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆うように設けられた第１層間絶縁膜及び第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極とを備えている（不図示）。なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ１２ａ及び第２ＴＦＴ１２ｂを例示したが、第１ＴＦＴ１２ａ及び第２ＴＦＴ１２ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　キャパシタ２８は、図６に示すように、各サブ画素において、対応する第１ＴＦＴ１２ａ及び電源線２７ｂに接続されている。ここで、キャパシタ２８は、例えば、ゲート電極と同一材料により同一層に形成された一方の電極と、ソース電極及びドレイン電極と同一材料により同一層に形成された他方の電極と、それらの一対の電極の間に設けられた第１層間絶縁膜及び／又は第２層間絶縁膜とにより構成されている。
　平坦化膜１３は、例えば、ポリイミド樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子１９は、図３に示すように、平坦化膜１３上に順に設けられた複数の第１電極１４、エッジカバー１５、複数の有機ＥＬ層１６、第２電極１７及び封止膜１８を備えている。
　複数の第１電極１４は、図３に示すように、複数のサブ画素に対応するように、平坦化膜１３上にマトリクス状に設けられている。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極１４は、光透過性を有する材料により形成するのがより好ましい。ここで、第１電極１４を構成する材料としては、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であるのが好ましい。また、第１電極１４を構成する材料として例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極１４を構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、また、第１電極１４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。
　エッジカバー１５は、図３に示すように、各第１電極１４の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー１５を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）等の無機膜、又はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
　複数の有機ＥＬ層１６は、図３に示すように、各第１電極１４上に配置され、複数の有機ＥＬ層１６は、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている（不図示）。ここで、各有機ＥＬ層１６は、図７に示すように、第１電極１４上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極１４と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極１４及び第２電極１７による電圧印加の際に、第１電極１４及び第２電極１７から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極１７と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極１７から有機ＥＬ層１６へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子１９の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極１７は、図３に示すように、各有機ＥＬ層１６及びエッジカバー１５を覆うように設けられている。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６に電子を注入する機能を有している。また、第２電極１７は、光透過性を有する材料により形成するのがより好ましい。ここで、第２電極１７を構成する材料としては、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であるのが好ましい。また、第２電極１７を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極１７は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極１７は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜１８は、図３に示すように、第２電極１７を覆うように設けられ、有機ＥＬ層１６を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、封止膜１８を構成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料が挙げられる。
　表面側保護層２５ａ及び裏面側保護層２５ｂは、例えば、厚さ２μｍ程度のポリエチレンテレフタレート樹脂等により構成されている。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０の製造方法について、図８を用いて説明する。ここで、図８は有機ＥＬ表示装置３０の製造方法の第１樹脂層形成工程を示す図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０の製造方法は、第１樹脂層形成工程と無機層形成工程と第２樹脂層形成工程とを含む樹脂基板形成工程と、ＴＦＴ層形成工程と、発光素子形成工程としての有機ＥＬ素子形成工程とを備える。
　＜樹脂基板形成工程＞
　まず、ガラス基板５１（支持基板）上にスリットコータ５０を用いて樹脂材料５７を塗布した後、塗布した樹脂材料５７を硬化させて第１樹脂層６ａを形成する（第１樹脂層形成工程）。ここで、樹脂材料５７を塗布する際には、図８に示すように、スリットコータ５０のノズル部５３に管状部材５５を設けて、吐出する前の樹脂材料５７に管状部材５５から空気を注入する。
　続いて、第１樹脂層形成工程で成形された第１樹脂層６ａを覆うように、例えば、プラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等により、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜を成膜することにより、無機層７を形成する（無機層形成工程）。
　さらに、無機層７上にスリットコータ５０を用いて樹脂材料を塗布した後、塗布した樹脂材料を硬化させて第２樹脂層８を形成する（第２樹脂層形成工程）。
　＜ＴＦＴ層形成工程＞
　上記樹脂基板形成工程で形成された樹脂基板層１０上に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ１２ａ、第２ＴＦＴ１２ｂ、及び平坦化膜１３を形成することにより、ＴＦＴ層２９を形成する。
　＜有機ＥＬ素子形成工程＞
　上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２９上に、周知の方法を用いて、第１電極１４、エッジカバー１５、複数の有機ＥＬ層１６、第２電極１７及び封止膜１８を形成することにより、有機ＥＬ素子１９を形成する。
　最後に、ガラス基板５１側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板５１を剥離させて、有機ＥＬ素子１９の表面に表面側保護層２５ａを、樹脂基板層１０の裏面に裏面側保護層２５ｂをそれぞれ貼り付ける。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０を製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０及びその製造方法によれば、樹脂基板形成工程で形成された樹脂基板層１０は、第１樹脂層６ａ、無機層７及び第２樹脂層８を備え、第１樹脂層６ａの内部には、複数の気泡９ａが含まれている。これにより、第１樹脂層６ａの樹脂密度を下げることができるので、第１樹脂層６ａと第２樹脂層８との間に無機層７を挟んだ樹脂基板層１０において、第１樹脂層６ａを形成する樹脂材料５７の使用量を抑制することができる。
　また、第１樹脂層６ａの内部には複数の気泡９ａが含まれているので、第１樹脂層６ａの透過性を向上させることができる。さらに、第１樹脂層６ａの内部には複数の気泡９ａが含まれているので、樹脂基板層１０を分断し易くすることができる。
　また、第１樹脂層形成工程において、樹脂材料５７に空気を注入し、空気が注入された樹脂材料５７をガラス基板５１上に塗布して第１樹脂層６ａを形成する。そのため、複数の気泡９ａが含まれた第１樹脂層６ａを容易に形成することができる。
　さらに、ガラス基板５１上に形成される第１樹脂層６ａの内部に複数の気泡９ａが含まれているので、ガラス基板５１と第１樹脂層６ａとの密着性が低下する。そのため、ガラス基板５１と樹脂基板層１０とを剥離させ易くなる。
　《第２の実施形態》
　図９は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで、図９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０を構成する樹脂基板層１０の第１樹脂層６ｂを示す断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図８と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、複数の気泡９ａが第１樹脂層６ａ内にランダムに分散された樹脂基板層１０を備えた有機ＥＬ表示装置３０を例示したが、本実施形態では、複数の気泡９ｂが第１樹脂層６ｂ内で整列された樹脂基板層を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。
　具体的に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置では、図９に示すように、第１樹脂層６ｂの厚さ方向において、気泡９ｂは、無機層７に近付くにつれて徐々に直径が小さくなるように第１樹脂層６ｂ内に設けられている。
　このような第１樹脂層６ｂを形成する方法としては、例えば、第１樹脂層形成工程において、樹脂材料５７の内部に含まれる複数の気泡９ｂの各直径が厚さ方向に徐々に小さくなるように、樹脂材料５７をスリットコータ５０により複数回重ねて塗布する方法が挙げられる。また、第１樹脂層形成工程において、ガラス基板５１に塗布された樹脂材料５７を、チャンバに入れて脱気しながら乾燥させる方法が挙げられる。この脱気しながら乾燥させる方法では、脱気の際に大きい気泡９ｂがガラス基板５１側（図９中下側）に沈むように移動する。ここで、本実施形態の構成によれば、第１の実施形態のものに比べて、ガラス基板５１と第１樹脂層６ａとの密着性をより低下させることができ、ガラス基板５１と樹脂基板層１０とをより容易に剥離させることができる。
　《第３の実施形態》
　図１０は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第３の実施形態を示している。ここで、図１０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０を構成する樹脂基板層１０の第１樹脂層６ｃを示す断面図である。
　上記各実施形態では、複数の気泡９ａが第１樹脂層６ａ内に平面視で全体的に設けられている有機ＥＬ表示装置３０を例示したが、本実施形態では、図１０に示すように、複数の気泡９ｃが平面視で部分的に設けられている有機ＥＬ表示装置を例示する。
　具体的に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置では、複数の気泡９ｃは、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおける第１樹脂層６ｃ内に設けられている。
　本実施形態によると、折り曲げ部Ｂの折り曲げ時の応力が緩和されて有機ＥＬ表示装置３０を折り曲げ部Ｂで折り曲げ易くなる。
　なお、本実施形態では、複数の気泡９ｃが折り曲げ部Ｂに部分的に設けられている有機ＥＬ表示装置を例示したが、複数の気泡９ｃが部分的に設けられる箇所は、折り曲げ部Ｂ以外であってもよい。ここで、第１樹脂層６ｃのうち複数の気泡９ｃが設けられた部分は、複数の気泡９ｃが設けられていない部分に比べて透過性が高い部分になる。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｂ　　折り曲げ部
Ｄ　　表示領域
Ｆ　　額縁領域
Ｔ　　端子部
６ａ，６ｂ、６ｃ　第１樹脂層
７　　無機層
８　　第２樹脂層
９ａ，９ｂ，９ｃ　気泡
１０　樹脂基板層（樹脂基板）
１４　第１電極
１７　第２電極
１９　有機ＥＬ素子（発光素子）
２９　ＴＦＴ層
３０　表示装置（有機ＥＬ表示装置）
５１　ガラス基板（支持基板）
５７　樹脂材料

Claims (16)

  1. 　樹脂基板と、
    　上記樹脂基板上に設けられたＴＦＴ層と、
    　上記ＴＦＴ層上に設けられ、表示領域を構成する発光素子と、を備えた表示装置であって、
    　上記樹脂基板は、上記ＴＦＴ層から遠い側に設けられた第１樹脂層と、上記ＴＦＴ層に近い側に設けられた第２樹脂層と、上記第１樹脂層及び上記第２樹脂層の間に設けられた無機層とを備え、
    　上記第１樹脂層の内部には、複数の気泡が含まれていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記複数の気泡は、上記第１樹脂層の内部で分散されていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記複数の気泡は、上記第１樹脂層の厚さ方向において上記無機層に近付くにつれて各直径が小さくなるように設けられていることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項１～３のいずれか１つに記載された表示装置において、
    　上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、
    　上記額縁領域の端部に設けられた端子部と、
    　上記表示領域及び上記端子部の間に設けられた折り曲げ部と、を更に備え、
    　上記複数の気泡は、上記折り曲げ部に設けられていることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項１～４のいずれか１つに記載された表示装置において、
    　上記発光素子は、上記ＴＦＴ層に近い側に設けられた第１電極と、上記ＴＦＴ層から遠い側に設けられた第２電極とを備え、
    　上記第１電極及び上記第２電極は、光透過性を有していることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項１～５のいずれか１つに記載された表示装置において、
    　上記気泡の直径は１００ｎｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項１～６のいずれか１つに記載された表示装置において、
    　上記第２樹脂層には、気泡が含まれていないことを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項１～７のいずれか１つに記載された表示装置において、
    　上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項１～８のいずれか１つに記載された表示装置において、
    　上記第１樹脂層及び上記第２樹脂層は、ポリイミド樹脂により構成されていることを特徴とする表示装置。
  10. 　支持基板上に樹脂基板を形成する樹脂基板形成工程と、
    　上記樹脂基板上にＴＦＴ層を形成するＴＦＴ層形成工程と、
    　上記ＴＦＴ層上に発光素子を形成する発光素子形成工程とを備えた表示装置の製造方法であって、
    　上記樹脂基板形成工程は、上記支持基板上に第１樹脂層を形成する第１樹脂層形成工程と、該第１樹脂層上に無機層を形成する無機層形成工程と、該無機層上に第２樹脂層を形成する第２樹脂層形成工程とを備え、
    　上記第１樹脂層形成工程では、上記第１樹脂層の内部に複数の気泡を含ませるように、上記第１樹脂層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
  11. 　請求項１０に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記第１樹脂層形成工程では、樹脂材料に空気を注入し、該空気が注入された樹脂材料を上記支持基板上に塗布して上記第１樹脂層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
  12. 　請求項１１に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記第１樹脂層形成工程では、上記第１樹脂層の厚さ方向において上記無機層に近付くにつれて上記複数の気泡の各直径が小さくなるように、上記第１樹脂層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
  13. 　請求項１２に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記第１樹脂層形成工程では、上記樹脂材料を複数回重ねて塗布することを特徴とする表示装置の製造方法。
  14. 　請求項１２に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記第１樹脂層形成工程では、上記支持基板に塗布された上記樹脂材料を、脱気しながら乾燥させることを特徴とする表示装置の製造方法。
  15. 　請求項１０～１４のいずれか１つに記載された表示装置の製造方法において、
    　上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置の製造方法。
  16. 　請求項１０～１５のいずれか１つに記載された表示装置の製造方法において、
    　上記第１樹脂層及び上記第２樹脂層は、ポリイミド樹脂により構成されていることを特徴とする表示装置の製造方法。
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