WO2019064437A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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遼佑 郡司
博己 谷山
信介 齋田
浩治 神村
芳浩 仲田
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Abstract

低抵抗金属材料からなる複数の金属導電層と、最下層の最下金属導電層の下面側に設けられた酸化物系の下側透明導電層と、光反射性を有する最上層の最上金属導電層の上面側に設けられた酸化物系の上側透明導電層と、複数の金属導電層の間に設けられた酸化物系の中間透明導電層とを備えた反射電極（２１）と同一層に同一材料により形成された配線（２１ａ）がＴＦＴ層（２０）上に設けられている。

Description

表示装置及びその製造方法
　本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ素子は、例えば、発光層を含む有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層の一方の表面側に反射電極として設けられた第１電極と、有機ＥＬ層の他方の表面側に設けられた第２電極とを備えている。
　例えば、特許文献１には、ＩＴＯ（indium tin oxide）膜／Ａｇ合金膜／ＩＴＯ膜の積層膜からなる有機ＥＬ用反射電極膜が開示されている。
特開２０１５－７９７３９号公報
　ところで、上記特許文献１に開示された有機ＥＬ用反射電極膜により第１電極を形成する有機ＥＬ表示装置において、例えば、低抵抗化のために、Ａｇ合金膜を厚くした有機ＥＬ用反射電極膜により、ＩＴＯ層／Ａｇ合金層／ＩＴＯ層からなる配線を形成すると、Ａｇ合金層の端面が上層及び下層のＩＴＯ層の端面よりも内側にシフトしてしまう。そうなると、配線の線幅が設計値よりも細くなったり、庇状に突出した上層のＩＴＯ層の端部が剥がれたりするおそれがある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、反射電極を構成する材料により、中間層の端面の内側へのシフトが抑制された低抵抗の配線を形成することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板上に設けられたＴＦＴ層と、上記ＴＦＴ層上に設けられ、反射電極を有する発光素子とを備えた表示装置であって、上記反射電極は、低抵抗金属材料からなる複数の金属導電層と、該複数の金属導電層における最下層の最下金属導電層の下面側に設けられた酸化物系の下側透明導電層と、該複数の導電層における最上層の最上金属導電層の上面側に設けられた酸化物系の上側透明導電層と、該複数の金属導電層の間に設けられた酸化物系の中間透明導電層とを備え、上記最上金属導電層は、光反射性を有し、上記ＴＦＴ層上には、上記反射電極と同一材料により配線が設けられていることを特徴とする。
　本発明によれば、低抵抗金属材料からなる複数の金属導電層と、最下層の最下金属導電層の下面側に設けられた酸化物系の下側透明導電層と、光反射性を有する最上層の最上金属導電層の上面側に設けられた酸化物系の上側透明導電層と、複数の金属導電層の間に設けられた酸化物系の中間透明導電層とを備えた反射電極と同一層に同一材料により形成された配線がＴＦＴ層上に設けられているので、反射電極を構成する材料により、中間層の端面の内側へのシフトが抑制された低抵抗の配線を形成することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層を示す等価回路図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する第１電極を示す断面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層を示す断面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。 図９は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。 図１０は、図９中のX－X線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図７は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０を示す等価回路図である。また、図４は、また、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの断面図である。また、図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する第１電極２１を示す断面図である。また、図７は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３を示す断面図である。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配置されている。また、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄでは、図２に示すように、赤色の階調表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の階調表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の階調表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄでは、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図４に示すように、樹脂基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上にＴＦＴ（thin film transistor）層２０を介して設けられた表示領域Ｄを構成する有機ＥＬ素子３０ａとを備えている。
　樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
　ＴＦＴ層２０は、図４に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられたＴＦＴ平坦化膜１９とを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０では、図２及び図３に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図３に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図３に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合って、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。
　ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに接続されている。ここで、第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１２ａと、半導体層１２ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａの一部と重なるように設けられたゲート電極１４ａと、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂとを備えている。なお、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第２ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１２ｂと、半導体層１２ｂを覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂの一部と重なるように設けられたゲート電極１４ｂと、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄとを備えている。
　なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　キャパシタ９ｃは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図４に示すように、ゲート電極と同一材料により同一層に形成された下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６とを備えている。
　ＴＦＴ平坦化膜１９は、例えば、ポリイミド樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子３０ａは、図４に示すように、ＴＦＴ平坦化膜１９上に順に設けられた複数の第１電極２１、エッジカバー２２、複数の有機ＥＬ層２３、第２電極２４及び封止膜２８を備えている。
　複数の第１電極２１は、図４に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、ＴＦＴ平坦化膜１９上にマトリクス状に反射電極として設けられている。
　第１電極２１は、図４に示すように、ＴＦＴ平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールＣａを介して、各第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに接続されている。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。また、第１電極２１は、図６に示すように、ＴＦＴ平坦化膜１９上に順に設けられた第１透明導電層（下側透明導電層）３１、第１金属導電層（最下金属導電層）３２、第２透明導電層（中間透明導電層）３３、第２金属導電層（最上金属導電層）３４及び第３透明導電層（上側透明導電層）３５を備え、各層の周端部が互いに揃っている。
　第１透明導電層３１、第２透明導電層３３及び第３透明導電層３５は、厚さ１０ｎｍ程度であり、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ：indium tin oxide）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：indium zinc oxide）等の酸化物系の透明導電材料により構成されている。
　第１金属導電層３２は、例えば、厚さ８０ｎｍ～１５０ｍｍであり、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金等の低抵抗金属材料により構成されている。
　第２金属導電層３４は、光反射性を有し、例えば、厚さ８０ｎｍ～１５０ｍｍであり、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の低抵抗金属材料により構成されている。ここで、第１金属導電層３２及び第２金属導電層３４の膜厚の合計は、１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
　なお、第１電極２１がＩＴＯ層（１０ｎｍ）／銀合金層（１００ｎｍ）／ＩＴＯ層（１０ｎｍ）／銀合金層（１００ｎｍ）／ＩＴＯ層（１０ｎｍ）の積層構造を有し、エッチャントとして、リン酸、酢酸及び硝酸を含むＰＡＮ系水溶液を用いる場合、上側のＩＴＯ層の端面に対する銀合金層の端面の内側へのシフト量は、２μｍ以下である。ここで、銀合金層の膜厚が１５０ｎｍを超えると、ＩＴＯ層の端面に対する銀合金層の端面の内側へのシフト量が２μｍを超えるおそれがある。また、本明細書において、「ＩＴＯ層及び銀合金層の端部が互いに揃う」とは、ＩＴＯ層の端面に対する銀合金層の端面の内側へのシフト量が２μｍ以下であることを意味する。
　また、ＴＦＴ平坦化膜１９上には、図４に示すように、額縁領域Ｆにおいて、第１電極２１と同一層に同一材料により第１配線２１ａが設けられている。ここで、第１配線２１ａは、図４及び図５に示すように、エッジカバー２２に覆われていると共に、額縁領域Ｆの表示領域Ｄ側でソース導電層１８ｅ及びゲート導電層１４ｄに順に接続されて、端子部Ｔに延びるように設けられている。なお、ソース導電層１８ｅは、ソース電極１８ａ及び１８ｃ並びにドレイン電極１８ｂ及び１８ｄと同一層に同一材料により設けられ、図４及び図５に示すように、エッジカバー２２のスリットＳよりも内側（表示領域Ｄ側）でＴＦＴ平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールＣｂを介して第１配線２１ａに接続されている。また、ゲート導電層１４ｄは、ゲート電極１４ａ及び１４ｂと同一層に同一材料により設けられ、スリットＳと交差するように額縁領域Ｆに延び、図５に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールＣｃを介してソース導電層１８ｅに接続されている。また、本実施形態では、第１配線２１ａは、ソース導電層１８ｅ及びゲート導電層１４ｄに接続された配線接続構造を例示したが、第１配線２１ａは、ゲート電極１４ａ、ソース電極１８ａ、又は上部導電層１６と同一層に同一材料により設けられた少なくとも１つの導電層に接続されていてもよい。すなわち、第１配線２１ａは、ＴＦＴ層２０の何れの金属層と同一層に同一材料により設けられた導電層に接続されていてもよい。
　エッジカバー２２は、図４に示すように、各第１電極２１の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー２２を構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。なお、エッジカバー２２は、図５に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲むように複数の枠状に設けられ、封止膜２８の有機膜２６を構成する（インクジェット法により供給される）有機樹脂材料の拡がりを抑制する堰き止め壁になっている。
　複数の有機ＥＬ層２３は、図４に示すように、各第１電極２１上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層２３は、図７に示すように、第１電極２１上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極２１及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子３０ａの駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極２４は、図４に示すように、各有機ＥＬ層２３及びエッジカバー２２を覆うように共通電極として設けられている。第２電極２４は、図５に示すように、額縁領域Ｆにおいて表示領域Ｄのほぼ全周を囲むようにエッジカバー２２及びＴＦＴ平坦化膜１９に形成されたスリットＳを介して、ソース電極１８ａ及び１８ｃ並びにドレイン電極１８ｂ及び１８ｄと同一層に同一材料により形成されたソース導電層１８ｈに接続されている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜２８は、図４に示すように、第２電極２４を覆うように設けられた第１無機膜２５と、第１無機膜２５を覆うように設けられた有機膜２６と、有機膜２６を覆うように設けられた第２無機膜２７とを備え、有機ＥＬ層２３を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、第１無機膜２５及び第２無機膜２７は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。また、有機膜２６は、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料により構成されている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する所定の電圧を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に基づいて電源線１８ｇからの電流の大きさが規定され、その規定された電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａは、例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ＴＦＴ層２０及び有機ＥＬ素子３０ａを形成した後に、ガラス基板を剥離させることにより、製造することができる。ここで、ＴＦＴ層２０上に第１電極２１を形成する際には、ＴＦＴ層２０上に第１透明導電膜３１ｍ、第１金属導電膜３２ｍ、第２透明導電膜３３ｍ、第２金属導電膜３４ｍ及び第３透明導電膜３５ｍを成膜して導電膜積層体２１ｍ（図６参照）を形成した後に、導電膜積層体２１ｍに対してリン酸、酢酸及び硝酸を含むＰＡＮ系水溶液を用いて一括してウエットエッチングを行うことにより、第１電極２１を構成する第１透明導電層３１、第１金属導電層３２、第２透明導電層３３、第２金属導電層３４及び第３透明導電層３５を形成する。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、反射電極としてＴＦＴ平坦化膜１９上に設けられた第１電極２１が酸化物系の第１透明導電層３１、第１金属導電層３２、酸化物系の第２透明導電層３３、光反射性を有する第２金属導電層３４、及び酸化物系の第３透明導電層３５を備えている。そのため、第１電極２１をウエットエッチングにより形成する際には、第１透明導電層３１、第２透明導電層３３及び第３透明導電層３５を構成する透明導電膜と第１金属導電層３２及び第２金属導電層３４を構成する金属導電膜との間での電子の授受により透明導電膜及び金属導電膜のエッチング速度がほぼ同じになる電池効果が生じる。これにより、低抵抗化のために第１金属導電層３２及び第２金属導電層３４を厚くしても、中間層の第１金属導電層３２及び第２金属導電層３４の端面が第１透明導電層３１、第２透明導電層３３及び第３透明導電層３５の端面よりも内側にシフトすることを抑制することができる。したがって、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１電極２１を構成する材料により、第１金属導電層３２及び第２金属導電層３４の端面の内側へのシフトが抑制された低抵抗の第１配線２１ａを形成することができる。
　《第２の実施形態》
　図８は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図８は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの表示領域Ｄの断面図である。なお、以下の実施形態において、図１～図７と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、ＴＦＴ層２０上に第１電極２１及び第１配線２１ａが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、ＴＦＴ層２０上に第１電極２１、第１配線２１ａ及び第２配線２１ｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。また、有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図８に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上にＴＦＴ層２０を介して設けられた表示領域Ｄを構成する有機ＥＬ素子３０ｂとを備えている。
　有機ＥＬ素子３０ｂは、図８に示すように、ＴＦＴ平坦化膜１９上に順に設けられた複数の第１電極２１、エッジカバー２２、複数の有機ＥＬ層２３、第２電極２４及び封止膜２８を備えている。
　ＴＦＴ平坦化膜１９上には、図８に示すように、第１電極２１と同一層に同一材料により第２配線２１ｂが設けられている。ここで、第２配線２１ｂは、図８に示すように、エッジカバー２２に覆われていると共に、エッジカバー２２に形成されたコンタクトホールＣｄを介して第２電極２４に接続されて、第２電極２４を低抵抗化するように構成されている。
　なお、本実施形態では、第２配線２１ｂが第２電極２４に電気的に接続された構成を例示したが、第２配線２１ｂをハイレベル電源線１８ｇ（ＥＬＶＤＤ、図３参照）に電気的に接続することにより、ハイレベル電源線１８ｇを低抵抗化してもよい。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、反射電極としてＴＦＴ平坦化膜１９上に設けられた第１電極２１が酸化物系の第１透明導電層３１、第１金属導電層３２、酸化物系の第２透明導電層３３、光反射性を有する第２金属導電層３４、及び酸化物系の第３透明導電層３５を備えている。そのため、第１電極２１をウエットエッチングにより形成する際には、第１透明導電層３１、第２透明導電層３３及び第３透明導電層３５を構成する透明導電膜と第１金属導電層３２及び第２金属導電層３４を構成する金属導電膜との間での電子の授受により透明導電膜及び金属導電膜のエッチング速度がほぼ同じになる電池効果が生じる。これにより、低抵抗化のために第１金属導電層３２及び第２金属導電層３４を厚くしても、中間層の第１金属導電層３２及び第２金属導電層３４の端面が第１透明導電層３１、第２透明導電層３３及び第３透明導電層３５の端面よりも内側にシフトすることを抑制することができる。したがって、有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、第１電極２１を構成する材料により、第１金属導電層３２及び第２金属導電層３４の端面の内側へのシフトが抑制された低抵抗の第１配線２１ａを形成することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、第１電極２１と同一層に同一材料により設けられた低抵抗の第２配線２１ｂが第２電極２４に接続されているので、第２電極２４を低抵抗化することができる。
　《第３の実施形態》
　図９及び図１０は、本発明に係る表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの平面図である。また、図１０は、図９中のX－X線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ｃの額縁領域Ｆの断面図である。
　上記第１及び第２の実施形態では、額縁領域Ｆでの折り曲げを考慮しない有機ＥＬ表示装置５０ａ及び５０ｂを例示したが、本実施形態では、額縁領域Ｆに折り曲げ部Ｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、図９に示すように、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆと、額縁領域Ｆの端部に設けられた端子部Ｔと、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間に設けられた折り曲げ部Ｂを備えている。ここで、折り曲げ部Ｂは、図９に示すように、図中縦方向を折り曲げの軸として１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げられるように、表示領域Ｄの一辺（図中右辺）に沿うように設けられている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃの表示領域Ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ又は上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂと同様な構成になっている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、図１０に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に順に設けられたベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の無機積層膜と、その無機積層膜に形成された開口部Ａを埋めるように設けられた額縁平坦化膜１９ｃと、額縁平坦化膜１９ｃ上に設けられた第３配線２１ｃと、第３配線２１ｃを覆うように設けられた樹脂膜２２ｃとを備えている。ここで、開口部Ａは、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の無機積層膜を貫通して、樹脂基板層１０の上面を露出させるように折り曲げ部Ｂに形成されている。
　額縁平坦化膜１９ｃは、ＴＦＴ平坦化膜１９と同一層に同一材料により設けられている。
　第３配線２１ｃは、第１電極２１と同一層に同一材料により設けられている。また、第３配線２１ｃの一方の端部は、図１０に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールＣｅを介してゲート導電層１４ｄに接続されている。また、第３配線２１ｃの他方の端部は、図１０に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールＣｆを介してゲート導電層１４ｅに接続されている。ここで、ゲート導電層１４ｅは、ゲート電極１４ａ及び１４ｂと同一層に同一材料により設けられ、図１０に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールＣｇを介して端子部Ｔのソース導電層（配線端子）１８ｔに接続されている。
　樹脂膜２２ｃは、エッジカバー２２と同一層に同一材料により設けられている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、反射電極としてＴＦＴ平坦化膜１９上に設けられた第１電極２１が酸化物系の第１透明導電層３１、第１金属導電層３２、酸化物系の第２透明導電層３３、光反射性を有する第２金属導電層３４、及び酸化物系の第３透明導電層３５を備えている。そのため、第１電極２１をウエットエッチングにより形成する際には、第１透明導電層３１、第２透明導電層３３及び第３透明導電層３５を構成する透明導電膜と第１金属導電層３２及び第２金属導電層３４を構成する金属導電膜との間での電子の授受により透明導電膜及び金属導電膜のエッチング速度がほぼ同じになる電池効果が生じる。これにより、低抵抗化のために第１金属導電層３２及び第２金属導電層３４を厚くしても、中間層の第１金属導電層３２及び第２金属導電層３４の端面が第１透明導電層３１、第２透明導電層３３及び第３透明導電層３５の端面よりも内側にシフトすることを抑制することができる。したがって、有機ＥＬ表示装置５０ｃでは、第１電極２１を構成する材料により、第１金属導電層３２及び第２金属導電層３４の端面の内側へのシフトが抑制された低抵抗の第１配線２１ｃを形成することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の無機積層膜に開口部Ａが形成されているので、折り曲げ部Ｂでの無機積層膜の膜破断及び第１配線２１ｃの断線を抑制することができる。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、複数の金属導電層として２層の第１金属導電層及び第２金属導電層を備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、３層以上の複数の金属導電層を備えた有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置、例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ａ　　　　開口部
Ｂ　　　　折り曲げ部
Ｄ　　　　表示領域
Ｆ　　　　額縁領域
Ｓ　　　　スリット
Ｔ　　　　端子部
１０　　　樹脂基板層（ベース基板、樹脂基板）
１１　　　ベースコート膜（無機絶縁膜）
１３　　　ゲート絶縁膜（無機絶縁膜）
１５　　　第１層間絶縁膜（無機絶縁膜）
１７　　　第２層間絶縁膜（無機絶縁膜）
１４ａ，１４ｂ　　ゲート電極（金属層）
１４ｄ，１４ｅ　　ゲート導電層
１８ａ，１８ｃ　　ソース電極（金属層）
１８ｅ　　ソース導電層（第１導電層）
１８ｈ　　ソース導電層（第２導電層）
１８ｇ　　電源線
１９　　　ＴＦＴ平坦化膜
１９ｃ　　額縁平坦化膜
２０　　　ＴＦＴ層
２１　　　第１電極（反射電極）
２１ａ　　第１配線
２１ｂ　　第２配線
２１ｃ　　第３配線
２１ｍ　　導電膜積層体
２２　　　エッジカバー
２２ｃ　　樹脂膜
２４　　　第２電極（共通電極）
３０ａ，３０ｂ　　有機ＥＬ素子（発光素子）
３１　　　第１透明導電層（下側透明導電層）
３１ｍ　　第１透明導電膜
３２　　　第１金属導電層（最下金属導電層）
３２ｍ　　第１金属導電膜
３３　　　第２透明導電層（中間透明導電層）
３３ｍ　　第２透明導電膜
３４　　　第２金属導電層（最上金属導電層）
３４ｍ　　第２金属導電膜
３５　　　第３透明導電層（上側透明導電層）
３５ｍ　　第３透明導電膜
５０ａ～５０ｃ　　有機ＥＬ表示装置

Claims (17)

  1. 　ベース基板と、
    　上記ベース基板上に設けられたＴＦＴ層と、
    　上記ＴＦＴ層上に設けられ、反射電極を有する発光素子とを備えた表示装置であって、
    　上記反射電極は、低抵抗金属材料からなる複数の金属導電層と、該複数の金属導電層における最下層の最下金属導電層の下面側に設けられた酸化物系の下側透明導電層と、該複数の導電層における最上層の最上金属導電層の上面側に設けられた酸化物系の上側透明導電層と、該複数の金属導電層の間に設けられた酸化物系の中間透明導電層とを備え、
    　上記最上金属導電層は、光反射性を有し、
    　上記ＴＦＴ層上には、上記反射電極と同一材料により配線が設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記複数の金属導電層は、一対の金属導電層であり、
    　上記一対の金属導電層における一方の上記最上金属導電層は、銀、銀合金、アルミニウム又はアルミニウム合金により構成されていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記一対の金属導電層における他方の上記最下金属導電層は、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金、銅又は銅合金により構成されていることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記下側透明導電層、上側透明導電層及び中間透明導電層は、インジウムスズ酸化物又はインジウム亜鉛酸化物により構成されていることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項１～４の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記複数の金属導電層、下側透明導電層、上側透明導電層及び中間透明導電層は、端部が互いに揃っていることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項１～５の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記各金属導電層の膜厚は、１５０ｎｍ以下であることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項１～６の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記各金属導電層の膜厚の合計は、１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項１～７の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記発光素子は、上記反射電極の周端部を覆うように設けられたエッジカバーを有し、
    　上記配線は、上記エッジカバーに覆われていることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項８に記載された表示装置において、
    　上記ベース基板には、上記発光素子が設けられた表示領域、該表示領域の周囲に設けられた額縁領域、及び該額縁領域の端部に設けられた端子部が規定され、
    　上記ＴＦＴ層は、金属層を有し、
    　上記額縁領域には、上記金属層と同一層に同一材料により第１導電層が設けられ、
    　上記配線は、上記額縁領域で上記第１導電層に電気的に接続されて上記端子部に延びるように設けられていることを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項９に記載された表示装置において、
    　上記発光素子は、共通電極を有し、
    　上記エッジカバーには、上記額縁領域でスリットが形成され、
    　上記額縁領域には、上記金属層と同一層に同一材料により第２導電層が設けられ、
    　上記共通電極は、上記スリットを介して上記第２導電層に電気的に接続され、
    　上記配線は、上記スリットの上記表示領域側で上記第１導電層に電気的に接続され、
    　上記第１導電層は、上記スリットと交差するように上記額縁領域に延びていることを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項８に記載された表示装置において、
    　上記ＴＦＴ層は、ソース電極を有し、
    　上記配線は、上記ソース電極と同一層に同一材料により形成されたハイレベル電源線に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項８に記載された表示装置において、
    　上記発光素子は、共通電極を有し、
    　上記配線は、上記共通電極に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
  13. 　請求項８に記載された表示装置において、
    　上記ベース基板は、樹脂基板であり、
    　上記ベース基板には、上記発光素子が設けられた表示領域、該表示領域の周囲に設けられた額縁領域、該額縁領域の端部に設けられた端子部、及び該端子部と上記表示領域との間に設けられた折り曲げ部が規定され、
    　上記折り曲げ部では、上記ＴＦＴ層を構成する少なくとも一層の無機絶縁膜に該無機絶縁膜を貫通して上記樹脂基板の上面を露出させる開口部が形成され、該開口部を埋めるように額縁平坦化膜が設けられ、該額縁平坦化膜上に上記配線が設けられ、
    　上記ＴＦＴ層は、ＴＦＴ平坦化膜を有し、
    　上記額縁平坦化膜は、上記ＴＦＴ平坦化膜と同一層に同一材料により設けられていることを特徴とする表示装置。
  14. 　請求項１３に記載の表示装置において、
    　上記配線は、上記エッジカバーと同一層に同一材料により設けられた樹脂膜に覆われていることを特徴とする表示装置。
  15. 　請求項１～１４の何れか１つに記載の表示装置において、
    　上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。
  16. 　請求項１～１５の何れか１つに記載の表示装置を製造する方法であって、
    　上記ＴＦＴ層上に、複数の透明導電膜及び複数の金属導電膜を該複数の透明導電膜のうちの隣り合う一対の透明導電膜の間に該複数の金属導電膜のうちの１つの金属導電膜が配置するように成膜して導電膜積層体を形成した後に、該導電膜積層体に対してリン酸、酢酸及び硝酸を含む水溶液によるウエットエッチングを行うことにより、上記複数の金属導電層、下側透明導電層、上側透明導電層及び中間透明導電層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
  17. 　請求項１６に記載の表示装置の製造方法において、
    　上記各金属導電膜の膜厚は、１５０ｎｍ以下であることを特徴とする表示装置の製造方法。
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