CN111149434A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111149434A
CN111149434A CN201780095332.4A CN201780095332A CN111149434A CN 111149434 A CN111149434 A CN 111149434A CN 201780095332 A CN201780095332 A CN 201780095332A CN 111149434 A CN111149434 A CN 111149434A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
conductive layer
display device
metal conductive
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780095332.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111149434B (zh
Inventor
冈部达
郡司辽佑
谷山博己
斋田信介
神村浩治
仲田芳浩
井上彬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN111149434A publication Critical patent/CN111149434A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111149434B publication Critical patent/CN111149434B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/06—Electrode terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80523—Multilayers, e.g. opaque multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

由同一材料形成于与反射电极(21)相同的层的配线(21a)设置在TFT层(20)上，该反射电极(21)包括由低电阻金属材料构成的多个金属导电层、设置在最下层的最下金属导电层的下表面侧的氧化物的下侧透明导电层、设置在具有光反射性的最上层的最上金属导电层的上表面侧的氧化物的上侧透明导电层、及设置在多个金属导电层之间的氧化物的中间透明导电层。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机电致发光(electroluminescence，EL)元件的自发光型的有机EL显示装置已受到关注。此处，有机EL元件例如包括：有机EL层，包含发光层；第一电极，作为反射电极而设置在有机EL层的一个表面侧；以及第二电极，设置在有机EL层的另一个表面侧。
例如，在专利文献1中公开了由铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)膜/Ag合金膜/ITO膜的层叠膜形成的有机EL用反射电极膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2015-79739号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
但是，在所述专利文献1所公开的由有机EL用反射电极膜形成第一电极的有机EL显示装置中，例如若由为了降低电阻而使Ag合金膜变厚的有机EL用反射电极膜来形成包含ITO层/Ag合金层/ITO层的配线，则会导致Ag合金层的端面比上层及下层的ITO层的端面更向内侧偏移。这样，有可能配线的线宽度变得比设计值更细，或呈檐状突出的上层的ITO层的端部剥落。
本发明是鉴于所述方面而成的发明，其目的在于由构成反射电极的材料，形成向中间层端面的内侧的偏移受到抑制的低电阻的配线。
解决问题的方案
为了实现所述目的，本发明的显示装置包括：基底基板；薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)层，其设置在所述基底基板上；以及发光元件，其设置在所述TFT层上，且具有反射电极，所述显示装置的特征在于：所述反射电极包括由低电阻金属材料构成的多个金属导电层、设置在所述多个金属导电层中的最下层的最下金属导电层的下表面侧的氧化物的下侧透明导电层、设置在所述多个导电层中的最上层的最上金属导电层的上表面侧的氧化物的上侧透明导电层、及设置在所述多个金属导电层之间的氧化物的中间透明导电层，所述最上金属导电层具有光反射性，在所述TFT层上，由与所述反射电极相同的材料设置有配线。
发明效果
根据本发明，由同一材料形成于与反射电极相同的层的配线设置在TFT层上，该反射电极包括包含低电阻金属材料的多个金属导电层、设置在最下层的最下金属导电层的下表面侧的氧化物的下侧透明导电层、设置在具有光反射性的最上层的最上金属导电层的上表面侧的氧化物的上侧透明导电层、及设置在多个金属导电层之间的氧化物的中间透明导电层，因此，能够由构成反射电极的材料，形成中间层的端面的朝向内侧的偏移受到抑制的低电阻的配线。
附图说明
图1是本发明第一实施方式的有机EL显示装置的平面图。
图2是本发明第一实施方式的有机EL显示装置的显示区域的平面图。
图3是表示构成本发明第一实施方式的有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。
图4是本发明第一实施方式的有机EL显示装置的显示区域的剖视图。
图5是本发明第一实施方式的有机EL显示装置的边框区域的剖视图。
图6是表示构成本发明第一实施方式的有机EL显示装置的第一电极的剖视图。
图7是表示构成本发明第一实施方式的有机EL显示装置的有机EL层的剖视图。
图8是本发明第二实施方式的有机EL显示装置的显示区域的剖视图。
图9是本发明第三实施方式的有机EL显示装置的平面图。
图10是沿着图9中的X-X线的有机EL显示装置的边框区域的剖视图。
具体实施方式
以下，基于附图来详细地说明本发明的实施方式。再者，本发明并不限定于以下的各实施方式。
《第一实施方式》
图1～图7表示本发明的显示装置的第一实施方式。再者，在以下的各实施方式中，例示包括有机EL元件的有机EL显示装置作为包括发光元件的显示装置。此处，图1是本实施方式的有机EL显示装置50a的平面图。另外，图2是有机EL显示装置50a的显示区域D的平面图。另外，图3是表示构成有机EL显示装置50a的TFT层20的等效电路图。另外，图4另外是有机EL显示装置50a的显示区域D的剖视图。另外，图5是有机EL显示装置50a的边框区域F的剖视图。另外，图6是表示构成有机EL表示装置50a的第一电极21的剖视图。另外，图7是表示构成有机EL显示装置50a的有机EL层23的剖视图。
如图1所示，有机EL显示装置50a包括规定为矩形状的进行图像显示的显示区域D、与规定在显示区域D的周围的边框区域F。此处，如图2所示，在有机EL显示装置50a的显示区域D中，呈矩阵状地配置有多个子像素P。另外，如图2所示，在有机EL显示装置50a的显示区域D中，彼此相邻地设置有具有用以进行红色的灰度显示的红色发光区域Lr的子像素P、具有用以进行绿色的灰度显示的绿色发光区域Lg的子像素P、及具有用以进行蓝色的灰度显示的蓝色发光区域Lb的子像素P。再者，在有机EL显示装置50a的显示区域D中，由包括红色发光区域Lr、绿色发光区域Lg及蓝色发光区域Lb的相邻的三个子像素P构成一个像素。
如图4所示，有机EL显示装置50a包括作为树脂基板而设置的树脂基板层10、与隔着TFT(thin film transistor)层20而设置在树脂基板层10上的构成显示区域D的有机EL元件30a。
树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。
如图4所示，TFT层20包括：底涂膜11，设置在树脂基板层10上；多个第一TFT9a、多个第二TFT9b及多个电容器9c，设置在底涂膜11上；以及TFT平坦化膜19，设置在各第一TFT9a、各第二TFT9b及各电容器9c上。此处，如图2及图3所示，在TFT层20中，以沿着图中的横方向彼此平行地延伸的方式设置有多条栅极线14。另外，如图2及图3所示，在TFT层20中，以沿着图中的纵方向彼此平行地延伸的方式设置有多条源极线18f。另外，如图2及图3所示，在TFT层20中，以沿着图中的纵方向彼此平行地延伸的方式，与各源极线18f相邻地设置有多条电源线18g。另外，在TFT层20中，如图3所示，各子像素P中分别设置有第一TFT9a、第二TFT9b及电容器9c。
底涂膜11例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图3所示，在各子像素P中，第一TFT9a连接于对应的栅极线14及源极线18f。此处，如图4所示，第一TFT9a包括：半导体层12a，呈岛状地设置在底涂膜11上；栅极绝缘膜13，以覆盖半导体层12a的方式设置；栅极电极14a，以与半导体层12a的一部分重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上；第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17，以覆盖栅极电极14a的方式依次设置；以及源极电极18a及漏极电极18b，设置在第二层间绝缘膜17上，且以彼此隔开的方式配置。再者，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图3所示，在各子像素P中，第二TFT9b连接于对应的第一TFT9a及电源线18g。此处，如图4所示，第二TFT9b包括：半导体层12b，呈岛状地设置在底涂膜11上；栅极绝缘膜13，以覆盖半导体层12b的方式设置；栅极电极14b，以与半导体层12b的一部分重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上；第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17，以覆盖栅极电极14b的方式依次设置；以及源极电极18c及漏极电极18d，设置在第二层间绝缘膜17上，且以彼此隔开的方式配置。
再者，在本实施方式中，例示了顶部栅极型的第一TFT9a及第二TFT9b，但第一TFT9a及第二TFT9b也可为底部栅极型的TFT。
如图3所示，在各子像素P中，电容器9c连接于对应的第一TFT9a及电源线18g。此处，如图4所示，电容器9c包括：下部导电层14c，由与栅极电极相同的材料而形成于与该栅极电极相同的层；第一层间绝缘膜15，以覆盖下部导电层14c的方式设置；以及上部导电层16，以与下部导电层14c重叠的方式设置在第一层间绝缘膜15上。
TFT平坦化膜19例如由聚酰亚胺树脂等无色透明的有机树脂材料构成。
如图4所示，有机EL元件30a包括依次设置在TFT平坦化膜19上的多个第一电极21、边缘罩22、多个有机EL层23、第二电极24及密封膜28。
如图4所示，多个第一电极21以对应于多个子像素P的方式，呈矩阵状地作为反射电极而设置在TFT平坦化膜19上。
如图4所示，第一电极21经由形成于TFT平坦化膜19的接触孔Ca而连接于各第二TFT9b的漏极电极18d。另外，第一电极21具有在有机EL层23中注入电洞(空穴)的功能。另外，第一电极21更优选由功函数大的材料形成，以提高向有机EL层23注入空穴的效率。另外，如图6所示，第一电极21包括依次设置在TFT平坦化膜19上的第一透明导电层(下侧透明导电层)31、第一金属导电层(最下金属导电层)32、第二透明导电层(中间透明导电层)33、第二金属导电层(最上金属导电层)34及第三透明导电层(上侧透明导电层)35，各层的周端部彼此对齐。
第一透明导电层31、第二透明导电层33及第三透明导电层35的厚度为10nm左右，例如由铟锡氧化物(ITO：indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO：indium zinc oxide)等氧化物的透明导电材料构成。
第一金属导电层32例如厚度为80nm～150mm，由银、银合金、铝、铝合金、铜、铜合金等低电阻金属材料构成。
第二金属导电层34具有光反射性，例如厚度为80nm～150mm，由银、银合金、铝、铝合金等低电阻金属材料构成。此处，第一金属导电层32及第二金属导电层34的总计膜厚为150nm以上300nm以下。
再者，第一电极21具有ITO层(10nm)/银合金层(100nm)/ITO层(10nm)/银合金层(100nm)/ITO层(10nm)的层叠构造，在使用包含磷酸、乙酸及硝酸的PAN系水溶液作为蚀刻剂的情况下，银合金层的端面相对于上侧的ITO层的端面向内侧偏移的偏移量为2μm以下。此处，若银合金层的膜厚超过150nm，则银合金层的端面相对于ITO层的端面向内侧偏移的偏移量有可能超过2μm。另外，在本说明书中，“ITO层及银合金层的端部彼此对齐”是指银合金层的端面相对于ITO层的端面向内侧偏移的偏移量为2μm以下。
另外，在TFT平坦化膜19上，如图4所示，在边框区域F中，第一配线21a由同一材料设置于与第一电极21相同的层。此处，如图4及图5所示，第一配线21a由边缘罩22覆盖，并且以在边框区域F的显示区域D侧依次连接于源极导电层18e及栅极导电层14d并延伸至端子部T的方式设置。再者，源极导电层18e由同一材料设置于与源极电极18a及18c以及漏极电极18b及18d相同的层，且如图4及图5所示，经由在比边缘罩22的狭缝S更靠内侧(显示区域D侧)处而形成于TFT平坦化膜19的接触孔Cb，连接于第一配线21a。另外，栅极导电层14d由同一材料设置于与栅极电极14a及14b相同的层，以与狭缝S交叉的方式延伸至边框区域F，且如图5所示，经由形成于第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的层叠膜的接触孔Cc而连接于源极导电层18e。另外，在本实施方式中，例示了第一配线21a连接于源极导电层18e及栅极导电层14d的配线连接构造，但第一配线21a也可连接于由同一材料设置于与栅极电极14a、源极电极18a或上部导电层16相同的层的至少一个导电层。即，第一配线21a也可连接于由同一材料设置与TFT层20的任何金属层相同的层的导电层。
如图4所示，以覆盖各第一电极21的周缘部的方式，呈格子状地设置边缘罩22。此处，构成边缘罩22的材料例如可列举聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛树脂等的有机膜。再者，如图5所示，在边框区域F中，以包围显示区域D的方式，呈多个框状地设置边缘罩22，该边缘罩22成为抑制构成密封膜28的有机膜26的(通过喷墨法而被供应的)有机树脂材料扩散的阻挡壁。
如图4所示，以配置在各第一电极21上且与多个子像素对应的方式，呈矩阵状地设置有多个有机EL层23。此处，如图7所示，各有机EL层23包括依次设置在第一电极21上的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4及电子注入层5。
空穴注入层1也称为阳极缓冲层，具有使第一电极21与有机EL层23之间的能级接近，并改善从第一电极21向有机EL层23注入空穴的效率的功能。此处，构成空穴注入层1的材料例如可列举三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物等。
空穴输送层2具有提高从第一电极21向有机EL层23输送空穴的效率的功能。此处，构成空穴输送层2的材料例如可列举卟啉衍生物、芳香族三级胺化合物、苯乙烯胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚对苯撑乙烯、聚硅烷、三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查尔酮衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
发光层3是如下区域，该区域在通过第一电极21及第二电极24施加电压时，被分别从第一电极21及第二电极24注入空穴及电子，并且供空穴及电子再耦合。此处，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，构成发光层3的材料例如可列举金属羟基喹啉化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、恶唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩恶嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯撑乙烯、聚硅烷等。
电子输送层4具有使电子高效地移动至发光层3为止的功能。此处，构成电子输送层4的材料例如可列举作为有机化合物的恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉化合物等。
电子注入层5具有使第二电极24与有机EL层23之间的能级接近，并提高从第二电极24向有机EL层23注入电子的效率的功能，能够通过该功能降低有机EL元件30a的驱动电压。再者，电子注入层5也称为阴极缓冲层。此处，构成电子注入层5的材料例如可列举氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)之类的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图4所示，第二电极24以覆盖各有机EL层23及边缘罩22的方式而被设置为共用电极。如图5所示，第二电极24以在边框区域F中包围显示区域D的大致整个周围的方式，经由形成于边缘罩22及TFT平坦化膜19的狭缝S，连接于由同一材料形成于与源极电极18a及18c以及漏极电极18b及18d相同的层的源极导电层18h。另外，第二电极24具有在有机EL层23中注入电子的功能。另外，第二电极24更优选由功函数小的材料构成，以提高向有机EL层23注入电子的效率。此处，构成第二电极24的材料例如可列举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。另外，第二电极24例如也可由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。另外，第二电极24例如也可由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。另外，也可层叠多个包含所述材料的层而形成第二电极24。再者，功函数小的材料例如可列举镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图4所示，密封膜28包括以覆盖第二电极24的方式设置的第一无机膜25、以覆盖第一无机膜25的方式设置的有机膜26、以覆盖有机膜26的方式设置的第二无机膜27，且具有保护有机EL层23不受水分或氧影响的功能。此处，第一无机膜25及第二无机膜27例如由氧化硅(SiO2)或氧化铝(Al2O3)、四氮化三硅(Si3N4)之类的氮化硅(SiNx(x为正数))、碳氮化硅(SiCN)等无机材料构成。另外，有机膜26例如由丙烯酸酯、聚脲、派瑞林、聚酰亚胺、聚酰胺等有机材料构成。
所述有机EL显示装置50a是以如下方式构成，即，在各子像素P中，将栅极信号经由栅极线14输入至第一TFT9a，由此，将第一TFT9a设为接通状态，并将对应于源极信号的规定的电压经由源极线18f写入至第二TFT9b的栅极电极14b及电容器9c，基于第二TFT9b的栅极电压规定来自电源线18g的电流的大小，将该受到规定的电流供应至有机EL层23，由此，有机EL层23的发光层3发光，从而进行图像显示。再者，在有机EL显示装置50a中，即使第一TFT9a成为断开状态，因为第二TFT9b的栅极电压由电容器9c保持，所以发光层3仍维持发光直到下一帧的栅极信号输入为止。
例如在玻璃基板上所形成的树脂基板层10的表面，使用众所周知的方法形成TFT层20及有机EL元件30a后，剥离玻璃基板，由此，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。此处，当在TFT层20上形成第一电极21时，在TFT层20上形成第一透明导电膜31m、第一金属导电膜32m、第二透明导电膜33m、第二金属导电膜34m及第三透明导电膜35m而形成导电膜层叠体21m(参照图6)后，使用包含磷酸、乙酸及硝酸的PAN系水溶液一并对导电膜层叠体21m进行湿式蚀刻，由此，形成构成第一电极21的第一透明导电层31、第一金属导电层32、第二透明导电层33、第二金属导电层34及第三透明导电层35。
如以上的说明所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，作为反射电极而设置在TFT平坦化膜19上的第一电极21包括氧化物的第一透明导电层31、第一金属导电层32、氧化物的第二透明导电层33、具有光反射性的第二金属导电层34及氧化物的第三透明导电层35。因此，在通过湿式蚀刻形成第一电极21时，通过构成第一透明导电层31、第二透明导电层33及第三透明导电层35的透明导电膜与构成第一金属导电层32及第二金属导电层34的金属导电膜之间的电子的授受，产生使透明导电膜及金属导电膜的蚀刻速度变得大致相同的电池效应。由此，即使为了降低电阻而使第一金属导电层32及第二金属导电层34变厚，仍能够抑制中间层的第一金属导电层32及第二金属导电层34的端面比第一透明导电层31、第二透明导电层33及第三透明导电层35的端面更向内侧偏移。因此，在有机EL显示装置50a中，能够由构成第一电极21的材料，形成第一金属导电层32及第二金属导电层34的端面的朝向内侧的偏移受到抑制的低电阻的第一配线21a。
《第二实施方式》
图8表示本发明的显示装置的第二实施方式。此处，图8是本实施方式的有机EL显示装置50b的显示区域D的剖视图。再者，在以下的实施方式中，对与图1～图7相同的部分附上相同的附图标记并省略其详细说明。
在所述第一实施方式中，例示了在TFT层20上设置有第一电极21及第一配线21a的有机EL显示装置50a，但在本实施方式中，例示在TFT层20上设置有第一电极21、第一配线21a及第二配线21b的有机EL显示装置50b。
有机EL显示装置50b包括规定为矩形状的进行图像显示的显示区域D、与规定在显示区域D的周围的边框区域F。另外，如图8所示，有机EL显示装置50b包括树脂基板层10、与隔着TFT层20而设置在树脂基板层10上的构成显示区域D的有机EL元件30b。
如图8所示，有机EL元件30b包括依次设置在TFT平坦化膜19上的多个第一电极21、边缘罩22、多个有机EL层23、第二电极24及密封膜28。
在TFT平坦化膜19上，如图8所示，第二配线21b由同一材料设置于与第一电极21相同的层。此处，如图8所示，第二配线21b是以如下方式构成，即，被边缘罩22覆盖，并且经由形成于边缘罩22的接触孔Cd而连接于第二电极24，从而降低第二电极24的电阻。
再者，在本实施方式中，例示了第二配线21b电连接于第二电极24的结构，但也可将第二配线21b电连接于高电平电源线18g(ELVDD，参照图3)，由此，降低高电平电源线18g的电阻。
所述有机EL显示装置50b与所述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样是以如下方式构成，即，具有可挠性，在各子像素P中，经由第一TFT9a及第二TFT9b恰当地使有机EL层23的发光层3发光，由此进行图像显示。
如以上的说明所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，作为反射电极而设置在TFT平坦化膜19上的第一电极21包括氧化物的第一透明导电层31、第一金属导电层32、氧化物的第二透明导电层33、具有光反射性的第二金属导电层34及氧化物的第三透明导电层35。因此，在通过湿式蚀刻形成第一电极21时，通过构成第一透明导电层31、第二透明导电层33及第三透明导电层35的透明导电膜与构成第一金属导电层32及第二金属导电层34的金属导电膜之间的电子的授受，产生使透明导电膜及金属导电膜的蚀刻速度变得大致相同的电池效应。由此，即使为了降低电阻而使第一金属导电层32及第二金属导电层34变厚，仍能够抑制中间层的第一金属导电层32及第二金属导电层34的端面比第一透明导电层31、第二透明导电层33及第三透明导电层35的端面更向内侧偏移。因此，在有机EL显示装置50b中，能够由构成第一电极21的材料，形成第一金属导电层32及第二金属导电层34的端面的朝向内侧的偏移受到抑制的低电阻的第一配线21a。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，由同一材料设置于与第一电极21相同的层的低电阻的第二配线21b连接于第二电极24，因此，能够降低第二电极24的电阻。
《第三实施方式》
图9及图10表示本发明的显示装置的第三实施方式。此处，图9是本实施方式的有机EL显示装置50c的平面图。另外，图10是沿着图9中的X-X线的有机EL显示装置50c的边框区域F的剖视图。
在所述第一及第二实施方式中，例示了不考虑边框区域F处的弯折的有机EL显示装置50a及50b，但在本实施方式中，例示在边框区域F处设置有弯折部B的有机EL显示装置50c。
如图9所示，有机EL显示装置50c包括规定为矩形状的进行图像显示的显示区域D、规定在显示区域D的周围的边框区域F、设置于边框区域F的端部的端子部T、设置在显示区域D及端子部T之间的弯折部B。此处，如图9所示，弯折部B是以将图中的纵方向作为弯折的轴而180°(呈U字状)弯折的方式，沿着显示区域D的一条边(图中的右边)设置。
有机EL显示装置50c的显示区域D的结构与所述第一实施方式的有机EL显示装置50a或所述第二实施方式的有机EL显示装置50b相同。
如图10所示，有机EL显示装置50c在边框区域F中，包括树脂基板层10、依次设置在树脂基板层10上的底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的无机层叠膜、以填埋形成于该无机层叠膜的开口部A的方式设置的边框平坦化膜19c、设置在边框平坦化膜19c上的第三配线21c、以覆盖第三配线21c的方式设置的树脂膜22c。此处，开口部A是以贯穿底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的无机层叠膜而使树脂基板层10的上表面露出的方式，形成于弯折部B。
边框平坦化膜19c由同一材料设置于与TFT平坦化膜19相同的层。
第三配线21c由同一材料设置于与第一电极21相同的层。另外，如图10所示，第三配线21c的一个端部经由形成于第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的层叠膜的接触孔Ce而连接于栅极导电层14d。另外，如图10所示，第三配线21c的另一个端部经由形成于第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的层叠膜的接触孔Cf而连接于栅极导电层14e。此处，栅极导电层14e由同一材料设置于与栅极电极14a及14b相同的层，且如图10所示，经由形成于第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的层叠膜的接触孔Cg而连接于端子部T的源极导电层(配线端子)18t。
树脂膜22c由同一材料设置于与边缘罩22相同的层。
所述有机EL显示装置50c与所述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样是以如下方式构成，即，具有可挠性，在各子像素P中，经由第一TFT9a及第二TFT9b恰当地使有机EL层23的发光层3发光，由此进行图像显示。
如以上的说明所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，作为反射电极而设置在TFT平坦化膜19上的第一电极21包括氧化物的第一透明导电层31、第一金属导电层32、氧化物的第二透明导电层33、具有光反射性的第二金属导电层34及氧化物的第三透明导电层35。因此，在通过湿式蚀刻形成第一电极21时，通过构成第一透明导电层31、第二透明导电层33及第三透明导电层35的透明导电膜与构成第一金属导电层32及第二金属导电层34的金属导电膜之间的电子的授受，产生使透明导电膜及金属导电膜的蚀刻速度变得大致相同的电池效应。由此，即使为了降低电阻而使第一金属导电层32及第二金属导电层34变厚，仍能够抑制中间层的第一金属导电层32及第二金属导电层34的端面比第一透明导电层31、第二透明导电层33及第三透明导电层35的端面更向内侧偏移。因此，在有机EL显示装置50c中，能够由构成第一电极21的材料，形成第一金属导电层32及第二金属导电层34的端面的朝向内侧的偏移受到抑制的低电阻的第一配线21c。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，在边框区域F的弯折部B处，在底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的无机层叠膜中形成有开口部A，因此，能够抑制弯折部B处的无机层叠膜的膜破裂及第一配线21c的断裂。
《其他实施方式》
在所述各实施方式中，例示了包括双层的第一金属导电层及第二金属导电层作为多个金属导电层的有机EL显示装置，但本发明也能够适用于包括3层以上的多个金属导电层的有机EL显示装置。
另外，在所述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层这5层的层叠构造的有机EL层，但有机EL层例如也可为空穴注入层兼空穴输送层、发光层及电子输送层兼电子注入层这3层的层叠构造。
另外，在所述各实施方式中，例示了将第一电极作为阳极并将第二电极作为阴极的有机EL显示装置，但本发明也能够适用于使有机EL层的层叠构造反转，将第一电极作为阴极并将第二电极作为阳极的有机EL显示装置。
另外，在所述各实施方式中，例示了将连接于第一电极的TFT的电极作为漏极电极的有机EL显示装置，但本发明也能够适用于将连接于第一电极的TFT的电极称为源极电极的有机EL显示装置。
另外，在所述各实施方式中，例示了有机EL显示装置作为显示装置，但本发明能够适用于包括由电流驱动的多个发光元件的显示装置，例如包括使用了含量子点层的发光元件即量子点发光二极管(Quantum-dot light emitting diode，QLED)的显示装置。
产业上的可利用性
如以上的说明所述，本发明对于柔性显示装置有用。
附图标记说明
A：开口部
B：弯折部
D：显示区域
F：边框区域
S：狭缝
T：端子部
10：树脂基板层(基底基板、树脂基板)
11：底涂膜(无机绝缘膜)
13：栅极绝缘膜(无机绝缘膜)
15：第一层间绝缘膜(无机绝缘膜)
17：第二层间绝缘膜(无机绝缘膜)
18a、18c：源极电极(金属层)
18e：源极导电层(第一导电层)
18h：源极导电层(第二导电层)
18g：电源线
19：TFT平坦化膜
19c：边框平坦化膜
20：TFT层
21：第一电极(反射电极)
21a：第一配线
21b：第二配线
21c：第三配线
21m：导电膜层叠体
22：边缘罩
22c：树脂膜
24：第二电极(共用电极)
30a、30b：有机EL元件(发光元件)
31：第一透明导电层(下侧透明导电层)
31m：第一透明导电膜
32：第一金属导电层(最下金属导电层)
32m：第一金属导电膜
33：第二透明导电层(中间透明导电层)
33m：第二透明导电膜
34：第二金属导电层(最上金属导电层)
34m：第二金属导电膜
35：第三透明导电层(上侧透明导电层)
35m：第三透明导电膜
50a～50c：有机EL显示装置

Claims (17)

1.一种显示装置，包括
基底基板；
TFT层，其设置在所述基底基板上；以及
发光元件，其设置在所述TFT层上，且具有反射电极，
所述显示装置的特征在于：
所述反射电极包括由低电阻金属材料构成的多个金属导电层、设置在所述多个金属导电层中的最下层的最下金属导电层的下表面侧的氧化物的下侧透明导电层、设置在所述多个导电层中的最上层的最上金属导电层的上表面侧的氧化物的上侧透明导电层、及设置在所述多个金属导电层之间的氧化物的中间透明导电层，
所述最上金属导电层具有光反射性，
在所述TFT层上，由与所述反射电极相同的材料设置有配线。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述多个金属导电层是一对金属导电层，
所述一对金属导电层中的一个所述最上金属导电层由银、银合金、铝或铝合金构成。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述一对金属导电层中的另一个所述最下金属导电层由银、银合金、铝、铝合金、铜或铜合金构成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述下侧透明导电层、上侧透明导电层及中间透明导电层由铟锡氧化物或铟锌氧化物构成。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述多个金属导电层、下侧透明导电层、上侧透明导电层及中间透明导电层的端部彼此对齐。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述各金属导电层的膜厚为150nm以下。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述各金属导电层的总计膜厚为150nm以上300nm以下。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述发光元件具有以覆盖所述反射电极的周端部的方式设置的边缘罩，
所述配线被所述边缘罩覆盖。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
在所述基底基板上规定了设置有所述发光元件的显示区域、设置在所述显示区域的周围的边框区域、及设置于所述边框区域的端部的端子部，
所述TFT层具有金属层，
在所述边框区域中，第一导电层由同一材料设置于与所述金属层相同的层，
所述配线以在所述边框区域中电连接于所述第一导电层并延伸至所述端子部的方式设置。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于：
所述发光元件具有共用电极，
在所述边缘罩处，于所述边框区域中形成狭缝，
在所述边框区域中，第二导电层由同一材料设置于与所述金属层相同的层，
所述共用电极经由所述狭缝而电连接于所述第二导电层，
所述配线在所述狭缝的所述显示区域侧电连接于所述第一导电层，
所述第一导电层以与所述狭缝交叉的方式延伸至所述边框区域。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
所述TFT层具有源极电极，
所述配线电连接于由同一材料形成于与所述源极电极相同的层的高电平电源线。
12.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
所述发光元件具有共用电极，
所述配线电连接于所述共用电极。
13.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
所述基底基板是树脂基板，
在所述基底基板上规定了设置有所述发光元件的显示区域、设置在所述显示区域的周围的边框区域、设置于所述边框区域的端部的端子部、及设置在所述端子部与所述显示区域之间的弯折部，
在所述弯折部，在构成所述TFT层的至少一层的无机绝缘膜中形成贯穿所述无机绝缘膜而使所述树脂基板的上表面露出的开口部，以填埋所述开口部的方式设置边框平坦化膜，在所述边框平坦化膜上设置所述配线，
所述TFT层具有TFT平坦化膜，
所述边框平坦化膜由同一材料设置于与所述TFT平坦化膜相同的层。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于：
所述配线被树脂膜覆盖，所述树脂膜由同一材料设置于与所述边缘罩相同的层。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述发光元件是有机EL元件。
16.一种显示装置的制造方法，其是制造根据权利要求1至15中任一项所述的显示装置的方法，其特征在于：
在所述TFT层上，以所述多个金属导电膜中的一个金属导电膜配置在多个透明导电膜中的相邻的一对透明导电膜之间的方式，使多个透明导电膜及多个金属导电膜成膜，从而形成导电膜层叠体，然后由包含磷酸、乙酸及硝酸的水溶液对所述导电膜层叠体进行湿式蚀刻，由此，形成所述多个金属导电层、下侧透明导电层、上侧透明导电层及中间透明导电层。
17.根据权利要求16所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
所述各金属导电膜的膜厚为150nm以下。
CN201780095332.4A 2017-09-28 2017-09-28 显示装置及其制造方法 Active CN111149434B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2017/035250 WO2019064437A1 (ja) 2017-09-28 2017-09-28 表示装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111149434A true CN111149434A (zh) 2020-05-12
CN111149434B CN111149434B (zh) 2022-07-05

Family

ID=65900939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780095332.4A Active CN111149434B (zh) 2017-09-28 2017-09-28 显示装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11545541B2 (zh)
CN (1) CN111149434B (zh)
WO (1) WO2019064437A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI821964B (zh) * 2022-03-30 2023-11-11 凌巨科技股份有限公司 液晶顯示面板的改良結構

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6606432B2 (ja) * 2016-01-06 2019-11-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR102416038B1 (ko) * 2017-11-30 2022-07-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
WO2021176519A1 (ja) * 2020-03-02 2021-09-10 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080121886A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-29 Hyun-Eok Shin Flat panel display and method of fabricating the same
US20100059754A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Sang-Pil Lee Organic light emitting device and a manufacturing method thereof
US20100309101A1 (en) * 2008-04-28 2010-12-09 Panasonic Corporation Display device and manufacturing method therefor
US20120001182A1 (en) * 2010-07-02 2012-01-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US20120091459A1 (en) * 2010-10-18 2012-04-19 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Device and Manufacturing Method Thereof
US20120168755A1 (en) * 2010-12-30 2012-07-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Transparent Electrode and Organic Light Emitting Diode Device Including the Transparent Electrode and Method of Manufacturing the Same
CN103872078A (zh) * 2012-12-07 2014-06-18 乐金显示有限公司 有机发光二极管装置及其制造方法
US20150123093A1 (en) * 2012-04-30 2015-05-07 Osram Oled Gmbh Organic Light-Emitting Component and Method for Producing an Organic Light-Emitting Component
CN106653796A (zh) * 2015-10-30 2017-05-10 三星显示有限公司 有机发光显示装置
US20170324062A1 (en) * 2013-06-11 2017-11-09 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent display device

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW495854B (en) * 2000-03-06 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4186101B2 (ja) * 2002-09-04 2008-11-26 ソニー株式会社 有機ｅｌ表示装置
JP2004247106A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法
KR100551046B1 (ko) * 2003-08-28 2006-02-09 삼성에스디아이 주식회사 유기 이엘 소자
KR100699996B1 (ko) * 2004-09-02 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 회로 측정용 패드를 포함하는 유기전계발광표시장치와 그제조방법
KR100647712B1 (ko) * 2005-11-09 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR100839754B1 (ko) * 2007-08-14 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP5608320B2 (ja) * 2008-07-09 2014-10-15 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR101784994B1 (ko) 2011-03-31 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5816029B2 (ja) * 2011-08-24 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR102100880B1 (ko) * 2013-06-26 2020-04-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR102067966B1 (ko) * 2013-08-30 2020-01-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP2015079739A (ja) 2013-09-13 2015-04-23 三菱マテリアル株式会社 有機ｅｌ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び、反射電極膜形成用スパッタリングターゲット
WO2016063169A1 (en) 2014-10-23 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
JP2016110904A (ja) * 2014-12-09 2016-06-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機発光素子の製造方法および有機発光素子
KR102408898B1 (ko) * 2015-06-19 2022-06-16 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치
KR102399572B1 (ko) * 2015-09-15 2022-05-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
TWI631205B (zh) * 2015-11-06 2018-08-01 東友精細化工有限公司 銀蝕刻液組合物和使用該組合物的顯示基板
JP6685142B2 (ja) * 2016-02-02 2020-04-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
JP6609495B2 (ja) * 2016-03-28 2019-11-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080121886A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-29 Hyun-Eok Shin Flat panel display and method of fabricating the same
US20100309101A1 (en) * 2008-04-28 2010-12-09 Panasonic Corporation Display device and manufacturing method therefor
US20100059754A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Sang-Pil Lee Organic light emitting device and a manufacturing method thereof
US20120001182A1 (en) * 2010-07-02 2012-01-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US20120091459A1 (en) * 2010-10-18 2012-04-19 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Device and Manufacturing Method Thereof
US20120168755A1 (en) * 2010-12-30 2012-07-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Transparent Electrode and Organic Light Emitting Diode Device Including the Transparent Electrode and Method of Manufacturing the Same
US20150123093A1 (en) * 2012-04-30 2015-05-07 Osram Oled Gmbh Organic Light-Emitting Component and Method for Producing an Organic Light-Emitting Component
CN103872078A (zh) * 2012-12-07 2014-06-18 乐金显示有限公司 有机发光二极管装置及其制造方法
US20170324062A1 (en) * 2013-06-11 2017-11-09 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent display device
CN106653796A (zh) * 2015-10-30 2017-05-10 三星显示有限公司 有机发光显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI821964B (zh) * 2022-03-30 2023-11-11 凌巨科技股份有限公司 液晶顯示面板的改良結構

Also Published As

Publication number Publication date
CN111149434B (zh) 2022-07-05
US11545541B2 (en) 2023-01-03
WO2019064437A1 (ja) 2019-04-04
US20200388668A1 (en) 2020-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10580849B2 (en) Display device including an inorganic residual layer defined in an opening of a bending section
US11957015B2 (en) Display device
CN111149434B (zh) 显示装置及其制造方法
US10644096B2 (en) Display device
US10971566B2 (en) Display device including frame wiring in bending section
CN111819614B (zh) 显示装置
CN112056005B (zh) 显示装置
WO2019163045A1 (ja) 表示装置
WO2019163030A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
US10636855B2 (en) Display device
US20190363152A1 (en) Display device
WO2019187121A1 (ja) 表示装置
CN112449711B (zh) 显示装置
US11380222B2 (en) Display device
US11430856B2 (en) Display device with island-shaped conductors overlapping wiring lines in bending portion
WO2019186812A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
CN113287368A (zh) 显示装置
CN111837455B (zh) 显示装置
CN111149429B (zh) 显示装置
US11522162B2 (en) Display device with wiring line between islands in bending region
WO2021038664A1 (ja) 表示装置
WO2019064439A1 (ja) 表示装置
WO2019064395A1 (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant