JPS5861275A - 蒸着マスク - Google Patents
蒸着マスクInfo
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- JPS5861275A JPS5861275A JP56158785A JP15878581A JPS5861275A JP S5861275 A JPS5861275 A JP S5861275A JP 56158785 A JP56158785 A JP 56158785A JP 15878581 A JP15878581 A JP 15878581A JP S5861275 A JPS5861275 A JP S5861275A
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- deposition mask
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導電体又は不導電体表面に所望のパターンを形
成するために用いる蒸着マスクに関するものである。
成するために用いる蒸着マスクに関するものである。
従来、所望のパターンを形成するために用いられる蒸着
マスクの表面は、無機物又は有機物による加工は行なわ
れていなかった。その理由の一つとして、無機物による
加工では微細パターンが形成出来るような蒸着マスクの
加工技術がなかったことである。
マスクの表面は、無機物又は有機物による加工は行なわ
れていなかった。その理由の一つとして、無機物による
加工では微細パターンが形成出来るような蒸着マスクの
加工技術がなかったことである。
また、有機物９例えば、ホトレジストなどによる表面コ
ーテングでは微細パターンの形成は出来るが耐熱性の点
で問題があり、 １００ｒ以下の温度で使用せねばな
らず、使用範囲は極めて狭い。
ーテングでは微細パターンの形成は出来るが耐熱性の点
で問題があり、 １００ｒ以下の温度で使用せねばな
らず、使用範囲は極めて狭い。
上記のように、界面加工を施さない蒸着マスクを用いて
蒸着をくり返すと、蒸着マスク表面に堆積した被蒸着物
質膜のストレスにより蒸着マスクが変形し、所望のパタ
ーンを形成することが困難となる。
蒸着をくり返すと、蒸着マスク表面に堆積した被蒸着物
質膜のストレスにより蒸着マスクが変形し、所望のパタ
ーンを形成することが困難となる。
特に微細パターンになればなる程蒸着マスクの使用可能
回数は少なくなる。堆積物質を蒸着マスクから物理的又
は化学的方法により除去することが試みられたが、堆積
物質と蒸着マスクの合金化や堆積膜のストレスによる型
歪ひすみ等により蒸着マスクを損うことなく除去するこ
とが出来なかった。
回数は少なくなる。堆積物質を蒸着マスクから物理的又
は化学的方法により除去することが試みられたが、堆積
物質と蒸着マスクの合金化や堆積膜のストレスによる型
歪ひすみ等により蒸着マスクを損うことなく除去するこ
とが出来なかった。
以上のようなことから、蒸着マスクの使用回数は極めて
短かかった。
短かかった。
本発明は従来の欠点を除去し、微細パターンの形成出来
る蒸着マスクの使用回数を格段と増加させることを目的
としている。すなわち、蒸着マスクを再生可能ならしめ
ることを目的としている。
る蒸着マスクの使用回数を格段と増加させることを目的
としている。すなわち、蒸着マスクを再生可能ならしめ
ることを目的としている。
ここではその方法として、スパッター法による高分子物
質のコーテング′を採用した。従来スパッター法は５ｉ
ｏ＝ （シリカ）やＢａＴ ｉ Ｏｓ等のような無機物
の薄膜を形成することに用いられていた。一方、高分子
物質は分子量が大きいため物理蒸着（スパッター法や一
般に言われている蒸着法）では薄膜形成は不可能という
のが通念であった。一方、高分子薄膜の形成方法として
は単量体を用いたプラズマ法が採用されているが、形成
可能な膜の種類は極めて少・ない。
質のコーテング′を採用した。従来スパッター法は５ｉ
ｏ＝ （シリカ）やＢａＴ ｉ Ｏｓ等のような無機物
の薄膜を形成することに用いられていた。一方、高分子
物質は分子量が大きいため物理蒸着（スパッター法や一
般に言われている蒸着法）では薄膜形成は不可能という
のが通念であった。一方、高分子薄膜の形成方法として
は単量体を用いたプラズマ法が採用されているが、形成
可能な膜の種類は極めて少・ない。
本発明は蒸着マスクを室温から３５０ Ｃの範囲に加熱
した状態におき、スパッター法によりフッ素樹脂（学名
：ポリフッ化テレフタレー） ） ヲ００．６ｎｔｔｍ
〜１０ ｔｉｍの厚さで蒸着マスク表面に被着するも
のである。
した状態におき、スパッター法によりフッ素樹脂（学名
：ポリフッ化テレフタレー） ） ヲ００．６ｎｔｔｍ
〜１０ ｔｉｍの厚さで蒸着マスク表面に被着するも
のである。
実験によればフッ素樹脂の膜厚が約０．５μよりも薄い
場合、蒸着マスク表面の熱や、ゴミ等によりピンホール
が発生し易く、コーテングの効果は極めて少なかった。
場合、蒸着マスク表面の熱や、ゴミ等によりピンホール
が発生し易く、コーテングの効果は極めて少なかった。
一方約１０μｍ膜厚になると原因は明らかでないが、フ
ッ素樹脂コーテング膜がはく離することが多い。
ッ素樹脂コーテング膜がはく離することが多い。
向、膜をコーテングする際の蒸着マスクの温度であるが
、 ３５０Ｃ以上になると軟化点となるためコーテン
グ膜の力学的強度が小さくなり膜は不安定となる。また
室温近くになるにしたがって膜と蒸着マスクとの接着力
が弱くなるハ、蒸着マスクの表面を擦らない限り使用に
耐え得る。
、 ３５０Ｃ以上になると軟化点となるためコーテン
グ膜の力学的強度が小さくなり膜は不安定となる。また
室温近くになるにしたがって膜と蒸着マスクとの接着力
が弱くなるハ、蒸着マスクの表面を擦らない限り使用に
耐え得る。
したがって、スパッターを行なう際の被コーテング蒸着
マスクの温度は室温から３５００の範囲。
マスクの温度は室温から３５００の範囲。
膜厚は０５μｍから１０μｍの範囲にある方が有利であ
る。
る。
なお１本発明のスパッター法によるテフロンコーテング
法はテフロンのみならず、一般の固体高分子物質に応用
出来る。例えば、ポリエチレン。
法はテフロンのみならず、一般の固体高分子物質に応用
出来る。例えば、ポリエチレン。
テリレン、ポリカーボネート等多数であるが特に高軟化
点の高分子分質においては最も有力なコーテング手段と
なる。
点の高分子分質においては最も有力なコーテング手段と
なる。
以下実施例を交えて本発明を説明するマスクの大きさ珈
１の中央に幅０１’ｓｐｍで長さ８１１ＥＩ＋の矩形状
の穴をもつ蒸着マスク（材質：モリブデン）を用いた。
１の中央に幅０１’ｓｐｍで長さ８１１ＥＩ＋の矩形状
の穴をもつ蒸着マスク（材質：モリブデン）を用いた。
被蒸着物質はＡｕを科いた。ここで１回の蒸着で＃廃
するＡｕ量は同じとする。はじめ表面コーテングのな
い蒸着マスクを用いた結果、６回のＭ蒸着でマスクは変
形し、使用不可能となった。
するＡｕ量は同じとする。はじめ表面コーテングのな
い蒸着マスクを用いた結果、６回のＭ蒸着でマスクは変
形し、使用不可能となった。
このマスク表面に被着したん」を化学的に除去（例えば
、王水浸漬）することを試みたが、使用可能な形状まで
んをエツチングすることは困難であった。
、王水浸漬）することを試みたが、使用可能な形状まで
んをエツチングすることは困難であった。
一方、蒸着マスク表面をスパッター法で被蒸着マスクを
２００Ｃに加熱したテフロン・コーテングを行なったも
のでは、６回蒸着で蒸着マスクは変形したが、被着した
Ａｕは王水により完全に除去され、形状も初期の状態に
回復した。この再生した蒸着マスクを用いて上記のよう
なん蒸着、およびマスク表面波１の除去を３回くり返し
行なったがいずれも初期の形状に回復した。上記実施例
から明らかなように蒸着マスクの表面をスパッター法に
よるテフロンコーテングを行なうことによりマスクの使
用回数が格段と増加していることがわかる。
２００Ｃに加熱したテフロン・コーテングを行なったも
のでは、６回蒸着で蒸着マスクは変形したが、被着した
Ａｕは王水により完全に除去され、形状も初期の状態に
回復した。この再生した蒸着マスクを用いて上記のよう
なん蒸着、およびマスク表面波１の除去を３回くり返し
行なったがいずれも初期の形状に回復した。上記実施例
から明らかなように蒸着マスクの表面をスパッター法に
よるテフロンコーテングを行なうことによりマスクの使
用回数が格段と増加していることがわかる。
上記実施例テフロンの代りに他の高軟化点高分子物質を
採用しても同様の効果が得られることは勿論である。
採用しても同様の効果が得られることは勿論である。
以上説明したごとく本発明によればスパッター法によっ
て蒸着マスクの表面にテフロン・コーテングを行なうこ
とにより、蒸着マスクの使用可能回数は格段に増大し、
経済性の点で極めて優れた蒸着マスクとすることが出来
る。
て蒸着マスクの表面にテフロン・コーテングを行なうこ
とにより、蒸着マスクの使用可能回数は格段に増大し、
経済性の点で極めて優れた蒸着マスクとすることが出来
る。
Claims (1)
- 蒸着マスクの表面にフッ素樹脂をコーテングす“ること
を特徴とする蒸着マスク
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158785A JPS5861275A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 蒸着マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158785A JPS5861275A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 蒸着マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5861275A true JPS5861275A (ja) | 1983-04-12 |
Family
ID=15679277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56158785A Pending JPS5861275A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 蒸着マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5861275A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019064357A1 (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-04 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-10-07 JP JP56158785A patent/JPS5861275A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019064357A1 (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-04 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| US10497907B1 (en) | 2017-09-26 | 2019-12-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing display device by UV-curing organic layer of sealing film |
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