JPH05163375A - 高分子系薄膜のドライ・エッチング加工法 - Google Patents
高分子系薄膜のドライ・エッチング加工法Info
- Publication number
- JPH05163375A JPH05163375A JP3333098A JP33309891A JPH05163375A JP H05163375 A JPH05163375 A JP H05163375A JP 3333098 A JP3333098 A JP 3333098A JP 33309891 A JP33309891 A JP 33309891A JP H05163375 A JPH05163375 A JP H05163375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- dry etching
- polymer
- thin polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高分子系薄膜の微細加工に適用しうる高分子
系薄膜のドライエッチング法に関する。 【構成】 基板に高分子系材料を塗布した後、金属製形
板を前記高分子系材料の上に載せ、その後、前記金属製
形板の開放部の高分子系薄膜をドライエッチングした
後、前記金属製形板をとりはずすようにした高分子系薄
膜のドライエッチング加工法。
系薄膜のドライエッチング法に関する。 【構成】 基板に高分子系材料を塗布した後、金属製形
板を前記高分子系材料の上に載せ、その後、前記金属製
形板の開放部の高分子系薄膜をドライエッチングした
後、前記金属製形板をとりはずすようにした高分子系薄
膜のドライエッチング加工法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高分子系材料の薄膜のド
ライエッチング法に関し、特にエアーコンディショニン
グ用温度センサにおける高分子系材料の薄膜微細加工に
有利に適用することができる同方法に関する。
ライエッチング法に関し、特にエアーコンディショニン
グ用温度センサにおける高分子系材料の薄膜微細加工に
有利に適用することができる同方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高分子系薄膜の微細加工における
エッチング加工法を図２によって説明する。この加工法
では、図２の（ａ）に示すように、基板４上に高分子系
材料を全面に塗布して高分子系薄膜５を形成させた後、
図２の（ｂ）に示すように感光性のあるレジスト薄膜６
を全面に塗布する。次に、図２の（ｃ）に示すように、
所望の加工パターン７が形成されたガラスマスク８を通
して平行紫外線光を照射してから、図２の（ｄ）に示す
ように、レジスト溶解液Ａ１０によってレジスト薄膜６
の光のあたった部分だけを溶解する。その後、さらに図
２の（ｅ），（ｆ）に示すように、高分子系薄膜溶解液
及びレジスト溶解液Ｂ１２に次々と浸漬することによ
り、所望の高分子系薄膜５形状に加工し、浸漬液より取
出し図２の（ｇ）に示すように製品とする。
エッチング加工法を図２によって説明する。この加工法
では、図２の（ａ）に示すように、基板４上に高分子系
材料を全面に塗布して高分子系薄膜５を形成させた後、
図２の（ｂ）に示すように感光性のあるレジスト薄膜６
を全面に塗布する。次に、図２の（ｃ）に示すように、
所望の加工パターン７が形成されたガラスマスク８を通
して平行紫外線光を照射してから、図２の（ｄ）に示す
ように、レジスト溶解液Ａ１０によってレジスト薄膜６
の光のあたった部分だけを溶解する。その後、さらに図
２の（ｅ），（ｆ）に示すように、高分子系薄膜溶解液
及びレジスト溶解液Ｂ１２に次々と浸漬することによ
り、所望の高分子系薄膜５形状に加工し、浸漬液より取
出し図２の（ｇ）に示すように製品とする。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のエッ
チング加工法では高分子系薄膜が何度も薬液にさらされ
ることになる。このため電気容量、電気抵抗などの物性
を用いて高分子系薄膜に機能をもたせる場合、ばらつき
や機能低下といった不具合が生じることがあった。
チング加工法では高分子系薄膜が何度も薬液にさらされ
ることになる。このため電気容量、電気抵抗などの物性
を用いて高分子系薄膜に機能をもたせる場合、ばらつき
や機能低下といった不具合が生じることがあった。
【０００４】本発明は上記技術水準に鑑み、高分子系薄
膜を薬液に一度も接触させることがなく、従って従来法
のような不具合を発生させない高分子系薄膜の加工法を
提供しようとするものである。
膜を薬液に一度も接触させることがなく、従って従来法
のような不具合を発生させない高分子系薄膜の加工法を
提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は基板に高分子系
材料を塗布した後、金属製形板を前記高分子系材料の上
に載せ、その後、前記金属製形板の開放部の高分子系薄
膜をドライエッチングした後、前記金属製形板をとりは
ずすことを特徴とする高分子系薄膜のドライエッチング
加工法である。
材料を塗布した後、金属製形板を前記高分子系材料の上
に載せ、その後、前記金属製形板の開放部の高分子系薄
膜をドライエッチングした後、前記金属製形板をとりは
ずすことを特徴とする高分子系薄膜のドライエッチング
加工法である。
【０００６】本発明において使用される基板としてはシ
リコンウエハ、ガラス、サファイア、ガリウムヒ素な
ど、高分子系材料としてはポリイミド、ポリプロピレン
など、金属製形板としてはステンレス、クロム合金板な
どがあげられ、またドライエッチング剤としてはＯ2 ガ
ス、ＣＦ4 ガスなどがあげられる。
リコンウエハ、ガラス、サファイア、ガリウムヒ素な
ど、高分子系材料としてはポリイミド、ポリプロピレン
など、金属製形板としてはステンレス、クロム合金板な
どがあげられ、またドライエッチング剤としてはＯ2 ガ
ス、ＣＦ4 ガスなどがあげられる。
【０００７】
【作用】本発明によれば金属製形板をマスクに用いるこ
とで、マスク形成時、高分子系薄膜エッチング時及びマ
スク除去時に薬液にひたす必要がなくなる。
とで、マスク形成時、高分子系薄膜エッチング時及びマ
スク除去時に薬液にひたす必要がなくなる。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例を図１により説明する。
図１の（ａ）のように、シリコンウエハの基板１全面に
ポリイミドよりなる高分子系材料２を塗布して高分子系
薄膜２を形成する。次に、図１の（ｂ）のように金属
（ステンレス）製形板３をその上に載せる。さらに図１
の（ｃ）のように、真空度：２×１０-2Torr、パワー：
１００Ｗ、Ｏ2 ガス流量：１０cc／min の条件下で酸素
などのプラズマ中に入れることによって金属製形板３の
開放部の高分子系薄膜２をエッチングする。最後に、図
１の（ｄ）のように、金属製形板３を取りはずすことに
より所望の形状の高分子系薄膜２を得る。
図１の（ａ）のように、シリコンウエハの基板１全面に
ポリイミドよりなる高分子系材料２を塗布して高分子系
薄膜２を形成する。次に、図１の（ｂ）のように金属
（ステンレス）製形板３をその上に載せる。さらに図１
の（ｃ）のように、真空度：２×１０-2Torr、パワー：
１００Ｗ、Ｏ2 ガス流量：１０cc／min の条件下で酸素
などのプラズマ中に入れることによって金属製形板３の
開放部の高分子系薄膜２をエッチングする。最後に、図
１の（ｄ）のように、金属製形板３を取りはずすことに
より所望の形状の高分子系薄膜２を得る。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば従来
の高分子系薄膜を薬液に一度も接触させることなく所望
の形状に加工できることにより、薬液の薄膜接触による
電気容量や電気抵抗といった物性的機能のばらつきや機
能低下が避けられるようになる。
の高分子系薄膜を薬液に一度も接触させることなく所望
の形状に加工できることにより、薬液の薄膜接触による
電気容量や電気抵抗といった物性的機能のばらつきや機
能低下が避けられるようになる。
【図１】本発明の方法の工程図
【図２】従来の高分子系薄膜の加工の工程図
Claims (1)
- 【請求項１】 基板に高分子系材料を塗布した後、金属
製形板を前記高分子系材料の上に載せ、その後、前記金
属製形板の開放部の高分子系薄膜をドライエッチングし
た後、前記金属製形板をとりはずすことを特徴とする高
分子系薄膜のドライエッチング加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3333098A JP2502232B2 (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 高分子系薄膜のドライ・エッチング加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3333098A JP2502232B2 (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 高分子系薄膜のドライ・エッチング加工法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05163375A true JPH05163375A (ja) | 1993-06-29 |
| JP2502232B2 JP2502232B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=18262260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3333098A Expired - Lifetime JP2502232B2 (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 高分子系薄膜のドライ・エッチング加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2502232B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007051218A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Tateyama Machine Kk | プラズマエッチング方法 |
| JP2008055556A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | National Institute For Materials Science | マイクロピラーアレイ素子の製造方法と製造装置並びにマイクロピラーアレイ素子 |
| KR20200029675A (ko) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | 동국대학교 산학협력단 | 기능성 박막 형상화 제조 방법 및 이를 통해 제조된 전자 소자 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947734A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-03-17 | モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド | 有機材料のプラズマエツチング法 |
| JPS60261574A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-24 | Nissan Motor Co Ltd | 樹脂成形品の部分塗装方法 |
| JPS6153335A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-17 | Tohoku Richo Kk | プラスチツクのドライエツチング法 |
-
1991
- 1991-12-17 JP JP3333098A patent/JP2502232B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947734A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-03-17 | モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド | 有機材料のプラズマエツチング法 |
| JPS60261574A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-24 | Nissan Motor Co Ltd | 樹脂成形品の部分塗装方法 |
| JPS6153335A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-17 | Tohoku Richo Kk | プラスチツクのドライエツチング法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007051218A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Tateyama Machine Kk | プラズマエッチング方法 |
| JP4523892B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2010-08-11 | 立山マシン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| JP2008055556A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | National Institute For Materials Science | マイクロピラーアレイ素子の製造方法と製造装置並びにマイクロピラーアレイ素子 |
| KR20200029675A (ko) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | 동국대학교 산학협력단 | 기능성 박막 형상화 제조 방법 및 이를 통해 제조된 전자 소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2502232B2 (ja) | 1996-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3962004A (en) | Pattern definition in an organic layer | |
| US6622738B2 (en) | Apparatus and system for removing photoresist through the use of hot deionized water bath, water vapor and ozone gas | |
| JP3009699B2 (ja) | 基板の処理方法 | |
| US4069096A (en) | Silicon etching process | |
| US3705055A (en) | Method of descumming photoresist patterns | |
| JPH08335563A (ja) | 皮膜除去方法および装置 | |
| JP2502232B2 (ja) | 高分子系薄膜のドライ・エッチング加工法 | |
| JPH035573B2 (ja) | ||
| JPH08339950A (ja) | フォトレジストパターン形成方法及びフォトレジスト処理装置 | |
| US5001083A (en) | Method of priming semiconductor substrate for subsequent photoresist masking and etching | |
| EP0023775A1 (en) | A method of manufacturing a semiconductor device | |
| JPH0885887A (ja) | エッチング後処理方法 | |
| US7413848B2 (en) | Method of removing photoresist and photoresist rework method | |
| US3650744A (en) | Etching method using photopolymerizable vapors as the photoresist | |
| JPH0790628A (ja) | 薄膜のエッチング装置およびエッチング方法 | |
| JP2617935B2 (ja) | アツシング方法 | |
| JP2004356487A (ja) | 有機物層の除去方法 | |
| JPH0330315A (ja) | 被処理体処理装置 | |
| JPS63104336A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS62177988A (ja) | 半導体レ−ザ−装置の製造法 | |
| JPH10270424A (ja) | 半導体素子パターンの形成方法 | |
| JPS61231720A (ja) | 基板のプラズマ・エツチング方法 | |
| JPH03133127A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0786231A (ja) | 薄膜のエッチング方法 | |
| JPH0451520A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960123 |