JPS6153335A - プラスチツクのドライエツチング法 - Google Patents

プラスチツクのドライエツチング法

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Publication number
JPS6153335A
JPS6153335A JP17311184A JP17311184A JPS6153335A JP S6153335 A JPS6153335 A JP S6153335A JP 17311184 A JP17311184 A JP 17311184A JP 17311184 A JP17311184 A JP 17311184A JP S6153335 A JPS6153335 A JP S6153335A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plastic
substrate
ozone
acrylic
etched
Prior art date
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Pending
Application number
JP17311184A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayoshi Kudo
工藤　隆義
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tohoku Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Tohoku Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tohoku Ricoh Co Ltd filed Critical Tohoku Ricoh Co Ltd
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Publication of JPS6153335A publication Critical patent/JPS6153335A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、プラスチック表面に微細加工を施すドライエ
ツチング法に関するものである。
（従来技術） 従来、プラスチシ・り表面に微細加工を施す場合、プラ
スチック自体に感光性を付与した感光性プラスチックを
用い、所要部分に光を照射してその感光部分をエツチン
グする方法がある。しかし感光性プラスチックは、その
材質が限定されるとともに高価であり、また、ハーフエ
ツチングが難しいという欠点がある。さらに、一般的な
方法としては、プラスチックを機械的に加工する方法が
あるが、高精度の微細加工は困難である。
（目　的） 本発明は、材質に制約を受けることなく、プラスチック
表面に高精度の微細加工を施すことのできるドライエツ
チング法を提供するものである。
（構　成） 本発明のドライエツチング法は、予め有機物。
金属あるいはセラミックのマスクを形成したプラスチッ
ク基板を常圧若しくは減圧した酸素雰囲気中に置き、紫
外線を照射してオゾンを発生させ。
そのオゾンとプラスチックの炭素との化学反応により非
マスク部のプラスチックを解離させてエツチングするも
のである。以下、実施例を詳細に説明する。
（実施例） 第１図〜第４図は、本発明の一実施例の製造工程を示し
たものである。１はアクリル基板であり。
第１図に示したように、その全表面に十分厚いフォトレ
ジスト膜２を形成する０次に、第２図のように、フォト
レジスト膜２に所望のパターンの開口部３を形成し、こ
れを常圧若しくは減圧した酸素雰囲気中に置く０例えば
、真空槽内に基板を入れ、一方でロータリーポンプによ
り槽内のガスを引き、他方で大気又は酸素含有ガスを導
入して真空度を１〜１０　Ｔｏｒｒ程度に保持する。そ
して、低圧水銀灯により基板表面に紫外線を照射する。
ランプと基板間の距離は１０ａｎ程度にする。ここで紫
外線（１８０ｎｍ付近のｈν：ただしｈはブランクの常
数、νは振動数）が酸素分子に照射されると。
ｈν ０２→Ｏ＃＋０″ ０＋０．→０゜ のようにオゾンが発生する。さらにこのオゾンが、露出
されたアクリル基板１の励起された炭素と次のように反
応する。
ｈν Ｃ−Ｃ→　ｃ’＋　ｃ” Ｃ″＋ｏ、−＋　　ｃｏ、＋ｏ” このようにアクリル基板１の炭素がオゾンと化学反応す
ることにより開口部のアクリルが解離し、第３図に示し
たように、エツチングされて凹部４が形成される。最後
に、第４図のようにフォトレジスト膜２を除去して、所
要パターンの加工を施したアクリル基板１を得ることが
できる。
なおこの場合、フォトレジスト膜２も有機物であるため
、その表面が同時にエツチングされる。
またマスクとして、有機物の他に金属、セラミック等を
使用することができる。被加工物としてのプラスチック
は、その材質に制約を受けることなく、エツチングが可
能である。
（効　果） 以上説明したように１本発明によれば、プラスチックの
材質に制約されることなく、シがもミクロンオーダーの
微細パターンを、高精度がっ安価に加工することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第４図は１本発明の一実施例の製造工程を示す
図である。 １　・・・アクリル基板、　　２　・・・フォトレジス
ト膜、　３・・・開口部、　４・・・凹部。 特許出願人　　東北リコー株式会社 第１図 第２図 ス 第３図 第４図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 所要パターンの開口部を有する有機物、金属あるいはセ
    ラミックのマスクを形成したプラスチック基板を常圧若
    しくは減圧した酸素雰囲気中に置き、紫外線を照射して
    オゾンを発生させ、そのオゾンとプラスチックの構成元
    素である炭素との化学反応により前記開口部のプラスチ
    ックを解離させ、エッチングすることを特徴とするプラ
    スチックのドライエッチング法。
JP17311184A 1984-08-22 1984-08-22 プラスチツクのドライエツチング法 Pending JPS6153335A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6445560A (en) * 1987-08-14 1989-02-20 Hitachi Ltd Lapping tape and method for polishing magnetic film by using lapping tape
JPH05117061A (ja) * 1991-04-25 1993-05-14 Abb Patent Gmbh 表面処理方法
JPH05163375A (ja) * 1991-12-17 1993-06-29 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 高分子系薄膜のドライ・エッチング加工法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS503958A (ja) * 1972-08-18 1975-01-16
JPS5975629A (ja) * 1982-10-25 1984-04-28 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法

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