JPH04302427A - スカムの除去方法 - Google Patents
スカムの除去方法Info
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- JPH04302427A JPH04302427A JP9143891A JP9143891A JPH04302427A JP H04302427 A JPH04302427 A JP H04302427A JP 9143891 A JP9143891 A JP 9143891A JP 9143891 A JP9143891 A JP 9143891A JP H04302427 A JPH04302427 A JP H04302427A
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- scum
- active oxygen
- plasma
- semiconductor substrate
- ultraviolet rays
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスカムの除去方法に関し
、特に半導体製造時に使用されている有機材料により発
生するスカムの除去方法に関する。
、特に半導体製造時に使用されている有機材料により発
生するスカムの除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、スカムを灰化し除去する方法とし
ては、等方性エッチタング装置を使用したＯ２プラズマ
処理方法がある（例えば、特公昭５６−４５０２８号）
。
ては、等方性エッチタング装置を使用したＯ２プラズマ
処理方法がある（例えば、特公昭５６−４５０２８号）
。
【０００３】この従来の方法は、等方性プラズマエッチ
ング装置などによりＯ２プラズマを発生させるために、
減圧チャンバーと、高周波電源と、Ｏ２ガス流量調整を
有している。
ング装置などによりＯ２プラズマを発生させるために、
減圧チャンバーと、高周波電源と、Ｏ２ガス流量調整を
有している。
【０００４】従来のＯ２プラズマ装置によるスカムの除
去方法は、Ｏ２プラズマによりスカムを灰化、除去する
。処理条件の一例として、処理チャンバー内Ｏ２ガス圧
１ｔｏｒｒ，高周波電力１５０〜２００Ｗ，周波数１３
．５６ＭＨｚ，Ｏ２ガス流量２００〜４００ＳＣＣＭ，
処理時間５〜１０分の値を使用する。
去方法は、Ｏ２プラズマによりスカムを灰化、除去する
。処理条件の一例として、処理チャンバー内Ｏ２ガス圧
１ｔｏｒｒ，高周波電力１５０〜２００Ｗ，周波数１３
．５６ＭＨｚ，Ｏ２ガス流量２００〜４００ＳＣＣＭ，
処理時間５〜１０分の値を使用する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の等方性エッ
チング装置を使用したＯ２プラズマ処理では、スカムを
灰化し除去する働きがあるが、フォトレジストをエッチ
ング等のマスクとする場合、フォトレジストの表面層が
微少ではあるが損耗し、サブミクロンデバイスの加工精
度を劣化させることがあった。また、半導体基板面内お
よびバッチ内のスカム除去速度の均一性が悪かった。ま
た、減圧下でＯ２プラズマ処理を行うため、半導体基板
へプラズマによるダメージ（結晶欠陥）を与える欠点と
、チャンバー材質，真空ポンプからのミスト等が汚染源
となり、Ｏ２プラズマにより半導体基板内へ不純物を取
り込むような問題点があった。
チング装置を使用したＯ２プラズマ処理では、スカムを
灰化し除去する働きがあるが、フォトレジストをエッチ
ング等のマスクとする場合、フォトレジストの表面層が
微少ではあるが損耗し、サブミクロンデバイスの加工精
度を劣化させることがあった。また、半導体基板面内お
よびバッチ内のスカム除去速度の均一性が悪かった。ま
た、減圧下でＯ２プラズマ処理を行うため、半導体基板
へプラズマによるダメージ（結晶欠陥）を与える欠点と
、チャンバー材質，真空ポンプからのミスト等が汚染源
となり、Ｏ２プラズマにより半導体基板内へ不純物を取
り込むような問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、半導体基板に対するダメ
ージをなくし、かつ基板に不純物を取り込むことを除去
したスカムの除去方法を提供することにある。
ージをなくし、かつ基板に不純物を取り込むことを除去
したスカムの除去方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係るスカム除去方法においては、半導体基板
上に残留しているスカムを大気中で波長１８５ｎｍおよ
び２５４ｎｍの紫外線に晒すものである。
、本発明に係るスカム除去方法においては、半導体基板
上に残留しているスカムを大気中で波長１８５ｎｍおよ
び２５４ｎｍの紫外線に晒すものである。
【０００８】また、常温，常圧の下でスカムをオゾン（
Ｏ３）および活性酸素に晒すものである。
Ｏ３）および活性酸素に晒すものである。
【０００９】
【作用】半導体基板上の有害なスカムに紫外線を大気中
で照射し、スカムを除去するものである。
で照射し、スカムを除去するものである。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して一実施例
について説明する。図１（ａ），（ｂ）は、本発明の一
実施例に係るスカムの除去方法を示す断面図である。図
２は、本発明の方法を実施するためのシステムの一概略
図である。
について説明する。図１（ａ），（ｂ）は、本発明の一
実施例に係るスカムの除去方法を示す断面図である。図
２は、本発明の方法を実施するためのシステムの一概略
図である。
【００１１】図において、高出力低圧水銀灯（高出力Ｄ
ｅｅｐ ＵＶランプ）５により波長１８５ｎｍと２５
４ｎｍの紫外線を発生して、大気中のＯ２と反応させ、
Ｏ３（オゾン）を生成して活性酸素を発生させる。なお
、Ｏ３の濃度はＯ３ガス濃度検出器６にて検出して制御
する。
ｅｅｐ ＵＶランプ）５により波長１８５ｎｍと２５
４ｎｍの紫外線を発生して、大気中のＯ２と反応させ、
Ｏ３（オゾン）を生成して活性酸素を発生させる。なお
、Ｏ３の濃度はＯ３ガス濃度検出器６にて検出して制御
する。
【００１２】この反応式は下記のようになる。
【００１３】
Ｏ２（１８５ｎｍ） → Ｏ３，
Ｏ３（２５４ｎｍ） → Ｏ＊＋Ｏ２ （Ｏ＊：
活性酸素）
活性酸素）
【００１４】さらに紫外線により有機材料系
であるスカム４の結合が切断される。
であるスカム４の結合が切断される。
【００１５】この反応式は下記のようになる。
【００１６】Ｃ−Ｈ → Ｃ，Ｈ
【００１７】次に、活性酸素と反応して、スカム４が揮
発性分子に変わる。
発性分子に変わる。
【００１８】この反応式は下記のようになる。
【００１９】Ｃ，Ｈ＋Ｏ＊ → ＣＯ２↑，Ｈ２Ｏ
↑
↑
【００２０】以上説明したメカニズムによりスカムが
除去される。
除去される。
【００２１】次に図１（ａ），（ｂ）を参照して本発明
のスカムの除去方法を説明する。
のスカムの除去方法を説明する。
【００２２】例えば、半導体基板１の表面上に、選択エ
ッチングを必要とする被エッチング膜２を形成させ、周
知の写真製版工程、即ちフォトレジスト３とマスク（図
示せず）を用いて、被エッチング膜２上にエッチング用
マスクとしてフォトレジスト３を形成する。図１（ａ）
に示すように、フォトレジスト３が残ってはならない所
に薄い有機材料系よりなるスカム４が残り、エッチング
の加工精度を低下させる。従って、このスカム４を除去
するために、半導体基板１，スカム４を大気中（常温，
常圧）で紫外線を１〜４分照射する。スカム４の結合が
分解し、Ｏ３（オゾン）と活性酸素によりスカム４が揮
発性分子に変化し、図１（ｂ）のように、スカム４が完
全に除去された所望のパターンが得られる。
ッチングを必要とする被エッチング膜２を形成させ、周
知の写真製版工程、即ちフォトレジスト３とマスク（図
示せず）を用いて、被エッチング膜２上にエッチング用
マスクとしてフォトレジスト３を形成する。図１（ａ）
に示すように、フォトレジスト３が残ってはならない所
に薄い有機材料系よりなるスカム４が残り、エッチング
の加工精度を低下させる。従って、このスカム４を除去
するために、半導体基板１，スカム４を大気中（常温，
常圧）で紫外線を１〜４分照射する。スカム４の結合が
分解し、Ｏ３（オゾン）と活性酸素によりスカム４が揮
発性分子に変化し、図１（ｂ）のように、スカム４が完
全に除去された所望のパターンが得られる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は半導体製造
において有害なスカムを完全に除去することが可能であ
る。また、Ｏ２プラズマ処理と異なり、高周波電力を用
いないため、半導体基板へプラズマのダメージを与える
ことがない効果がある。さらに、常温，常圧で半導体基
板の処理を行うため、チャンバー材質，真空ポンプから
のミスト等が不純物となり、半導体基板を汚染すること
がないという効果を有する。
において有害なスカムを完全に除去することが可能であ
る。また、Ｏ２プラズマ処理と異なり、高周波電力を用
いないため、半導体基板へプラズマのダメージを与える
ことがない効果がある。さらに、常温，常圧で半導体基
板の処理を行うため、チャンバー材質，真空ポンプから
のミスト等が不純物となり、半導体基板を汚染すること
がないという効果を有する。
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明のスカムの除去方法の
一実施例を示す縦断面図である。
一実施例を示す縦断面図である。
【図２】本発明の方法を実施するためのシステムの一概
略図である。
略図である。
１ 半導体基板
２ 被エッチング膜
３ フォトレジスト
４ スカム（有機材料系残渣）
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に残留しているスカムを
大気中で波長１８５ｎｍおよび２５４ｎｍの紫外線に晒
すことを特徴とするスカムの除去方法。 - 【請求項２】 常温，常圧の下でスカムをオゾン（Ｏ
３）および活性酸素に晒すことを特徴とする請求項１に
記載のスカムの除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9143891A JPH04302427A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | スカムの除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9143891A JPH04302427A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | スカムの除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04302427A true JPH04302427A (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=14026377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9143891A Pending JPH04302427A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | スカムの除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04302427A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143473A (en) * | 1998-05-20 | 2000-11-07 | Fujitsu Limited | Film patterning method utilizing post-development residue remover |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP9143891A patent/JPH04302427A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143473A (en) * | 1998-05-20 | 2000-11-07 | Fujitsu Limited | Film patterning method utilizing post-development residue remover |
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