JPS622622A - 表面処理方法 - Google Patents
表面処理方法Info
- Publication number
- JPS622622A JPS622622A JP14174085A JP14174085A JPS622622A JP S622622 A JPS622622 A JP S622622A JP 14174085 A JP14174085 A JP 14174085A JP 14174085 A JP14174085 A JP 14174085A JP S622622 A JPS622622 A JP S622622A
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- Japan
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- ultraviolet light
- ozone
- sample
- atoms
- decomposed
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、を子テバイス製造プロセス等に用いる表面処
理方法に関するものである。
理方法に関するものである。
（従来の技術）
従来１反応性スパッタエツチングで５ｉ０２をエツチン
グした後、下地８７ 層上に炭素やハロゲン原子を含ん
だ層が形成される。さらにレジストマスクを用いる場合
には、レジスト中に含まれる炭素原子がスパッタされＳ
ｉ 表面上Ｉこテフロン膜のようなものが形成されて
しまう。
グした後、下地８７ 層上に炭素やハロゲン原子を含ん
だ層が形成される。さらにレジストマスクを用いる場合
には、レジスト中に含まれる炭素原子がスパッタされＳ
ｉ 表面上Ｉこテフロン膜のようなものが形成されて
しまう。
（発明が解決しようとする問題点）
これらの表面層を除去する方法としては一般に知られて
いる方法としてまず１表面層を８ｉ のウェットエツ
チング液によりエツチングする方法がある。この場合、
エツチングの再現性やエツチングレイトの制御性がきわ
めて悪い。一方、酸化によって除去する方法がある。９
５０℃程度で酸化速度の大きなウェット酸化ｔこより、
２００〜３００Ａ酸化する。すると、炭素原子やフッ素
原子は酸化中に除去される。形成された厚さ２００〜３
００Ａの酸化膜をフッ酸等で除去すれば清浄な８ｉ 表
面が得られる。（井用英治他、第３０回応用物理学会関
係連合講演会、Ｐ３１０． ６ａ−Ｖ−１０）Ｌかし。
いる方法としてまず１表面層を８ｉ のウェットエツ
チング液によりエツチングする方法がある。この場合、
エツチングの再現性やエツチングレイトの制御性がきわ
めて悪い。一方、酸化によって除去する方法がある。９
５０℃程度で酸化速度の大きなウェット酸化ｔこより、
２００〜３００Ａ酸化する。すると、炭素原子やフッ素
原子は酸化中に除去される。形成された厚さ２００〜３
００Ａの酸化膜をフッ酸等で除去すれば清浄な８ｉ 表
面が得られる。（井用英治他、第３０回応用物理学会関
係連合講演会、Ｐ３１０． ６ａ−Ｖ−１０）Ｌかし。
酸化プロセスは高温プロセスであるのであらかじめ設計
した不純物分布等を変化させてしまう可能性があり、完
全な表面処理方法ではない。−万。
した不純物分布等を変化させてしまう可能性があり、完
全な表面処理方法ではない。−万。
炭素を含まないガスを用いてドライエツチングによりＳ
ｉ 表面層を除去できるが、イオン入射による物理的
損傷はさけることができず、又、不純物原子も一部Ｓｉ
中に残るという欠点を有していた。
ｉ 表面層を除去できるが、イオン入射による物理的
損傷はさけることができず、又、不純物原子も一部Ｓｉ
中に残るという欠点を有していた。
本発明は、これらの従来の欠点を除去せしめて。
Ｓｉ 基板の表面処理において、Ｓｉ 基板を低温で
かつ、制御性よく損傷層をエツチング除去し、かつ１反
応性ガス分子や原子も８ｉ 基板上ζこ残さない処理方
法を提供することにある。
かつ、制御性よく損傷層をエツチング除去し、かつ１反
応性ガス分子や原子も８ｉ 基板上ζこ残さない処理方
法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明に真空排気可能なチャンバーに試料を置（作用）
本発明に、上述の構成を取ることにより、従来技術の問
題点を解決した。まずＣｌ２又はＦ２をオゾンと同時に
真空排気しなから真空チャン、＜ ｉこ流し込む。試
料はドライエッチされそのあと表面は不純物原子を含ん
だＳｉ 層となっている。この真空チャンバーに設けら
れた石英等の紫外光を透過する窓を通し、紫外光を照射
する。ｃｚ２ｉ約２ｉ０ｎｍ近くの波長をよく吸収しく
Ｊ ラジカルに分解する。これはＳｉ を反応し５ｉＣ
Ａ’２ や５ｉＣｌ４を形成し、エツチングする。し
かし、ドライエッチされた表面ｌこは４０〜５０％近＜
２００Ａ 程度にわたり炭素原子が存在し、これに対し
てハＣＩ ラジカルが反応し、一部ＣＣｌ４を形成し
、炭素原子をエツチングするが、十分とはいえない。一
方オシン（扛２５０ｎｍ程度の光をよく吸収し、酸素原
子に分解する。これは炭素原子と反応し、ＣＯやＣＯ２
を形成し、エツチングする。このように、オゾンとＣｌ
２を同時に導入し、紫外光で分解すること番こより効率
よく表面上ヲエッチングできる。
題点を解決した。まずＣｌ２又はＦ２をオゾンと同時に
真空排気しなから真空チャン、＜ ｉこ流し込む。試
料はドライエッチされそのあと表面は不純物原子を含ん
だＳｉ 層となっている。この真空チャンバーに設けら
れた石英等の紫外光を透過する窓を通し、紫外光を照射
する。ｃｚ２ｉ約２ｉ０ｎｍ近くの波長をよく吸収しく
Ｊ ラジカルに分解する。これはＳｉ を反応し５ｉＣ
Ａ’２ や５ｉＣｌ４を形成し、エツチングする。し
かし、ドライエッチされた表面ｌこは４０〜５０％近＜
２００Ａ 程度にわたり炭素原子が存在し、これに対し
てハＣＩ ラジカルが反応し、一部ＣＣｌ４を形成し
、炭素原子をエツチングするが、十分とはいえない。一
方オシン（扛２５０ｎｍ程度の光をよく吸収し、酸素原
子に分解する。これは炭素原子と反応し、ＣＯやＣＯ２
を形成し、エツチングする。このように、オゾンとＣｌ
２を同時に導入し、紫外光で分解すること番こより効率
よく表面上ヲエッチングできる。
（実施例）
以下に１本発明の実施例を示す。まず第１図のやフッ素
原子が含まれている。
原子が含まれている。
第２図に本発明に用いた装置の概略図を示し。
これを用いて本発明の詳細な説明する。真空チャンバー
２１上には石英窓２４が設けられ又、２つのカス導入口
２６と２７があり、それぞれからＣｌ２又はＦ２ とオ
ゾンを流すことが可能で、又それは、ロータリーポンプ
２２で排気される。第１図に示したようにエツチング等
の７”ロセスで炭素やフッ素原子で表面が汚染された試
！＋２３は石英まど２４の直下に置かれる。ここで用い
た条件にＣＣｌ２ｘｓＬ８．オゾン１〜２％のもの１５
０ＳＣＣＭを流し、紫外線２５は８００ｍ踵毎の照射強
度である、すると１１ Ｃｌ２，オゾンはそれぞれ紫外
光を吸収し、Ｃｌラジカルや酸素原子を発生し１表面汚
染のある８ｉ と反応し、８ｘＣｌ２、８ｉＣｌ４゜Ｃ
０２，ＣＯ等ｌこなり表面層をエラ、チングする。本条
件でＨ（Ｊ２ だけの場合１０Ｔｏｒｒの圧力で約シン
の混合ガスを約１５０８ｃｃＭ同時に流すとエッチレイ
トは、約５０ ＯＡ／ｍ ｉ ｚ′であった。実際ｔこ
汚染を受けている部分はＳｉ表面下約１５０〜２００人
であるので約５０ｓｅｃ間紫外光を照射しした。第３
図は本発明を用いた表面処理後のＳｉ表面のＩＭＡスペ
クトルである。このスペクトルからに、炭素やフッ素原
子は観測さ几ず清浄なＳｉ表面が得られた。
２１上には石英窓２４が設けられ又、２つのカス導入口
２６と２７があり、それぞれからＣｌ２又はＦ２ とオ
ゾンを流すことが可能で、又それは、ロータリーポンプ
２２で排気される。第１図に示したようにエツチング等
の７”ロセスで炭素やフッ素原子で表面が汚染された試
！＋２３は石英まど２４の直下に置かれる。ここで用い
た条件にＣＣｌ２ｘｓＬ８．オゾン１〜２％のもの１５
０ＳＣＣＭを流し、紫外線２５は８００ｍ踵毎の照射強
度である、すると１１ Ｃｌ２，オゾンはそれぞれ紫外
光を吸収し、Ｃｌラジカルや酸素原子を発生し１表面汚
染のある８ｉ と反応し、８ｘＣｌ２、８ｉＣｌ４゜Ｃ
０２，ＣＯ等ｌこなり表面層をエラ、チングする。本条
件でＨ（Ｊ２ だけの場合１０Ｔｏｒｒの圧力で約シン
の混合ガスを約１５０８ｃｃＭ同時に流すとエッチレイ
トは、約５０ ＯＡ／ｍ ｉ ｚ′であった。実際ｔこ
汚染を受けている部分はＳｉ表面下約１５０〜２００人
であるので約５０ｓｅｃ間紫外光を照射しした。第３
図は本発明を用いた表面処理後のＳｉ表面のＩＭＡスペ
クトルである。このスペクトルからに、炭素やフッ素原
子は観測さ几ず清浄なＳｉ表面が得られた。
本発明の実施例にＣｌ２を用い、又、石英窓を用いてい
るがガスはｉＰ２ でも、又窓はヤファイアでも可能で
あった。
るがガスはｉＰ２ でも、又窓はヤファイアでも可能で
あった。
（発明の効果）
本発明の方法では、８１ 表面にはなんら物理的損傷は
与えずしかも紫外光は２００ｎｍ 以上のもの波長を
用いているので試料に対する悪響はなんら観測されなか
った。しかも、低温プロセスなのでＳｉ 中のデバイス
動作に必要な不純物分布を変化させずない。しかも約１
分たらずの単時間処理で清浄なＳｉ 表面が得られた。
与えずしかも紫外光は２００ｎｍ 以上のもの波長を
用いているので試料に対する悪響はなんら観測されなか
った。しかも、低温プロセスなのでＳｉ 中のデバイス
動作に必要な不純物分布を変化させずない。しかも約１
分たらずの単時間処理で清浄なＳｉ 表面が得られた。
従ってこの表面処理方法は、電子テバイス裂造プロセス
等に有効な効力を発揮する。
等に有効な効力を発揮する。
用いて観測したもの。
第２図ｑ、本発明の実施例を示す概略図である。
１１．３１・・・・・・Ｓｉ を示す。 １２．３
２・・・・・・フッ素を示す。 １３，３３・・・・
・・炭素を示す。 ２１・・・・−・代理人ブ「理ト
内 原 晋 Ｓ１中め深で Ｓｉ中のヲ密さ
２・・・・・・フッ素を示す。 １３，３３・・・・
・・炭素を示す。 ２１・・・・−・代理人ブ「理ト
内 原 晋 Ｓ１中め深で Ｓｉ中のヲ密さ
Claims (1)
- 真空排気可能なチャンバー内に試料を置きＣｌ＿２又は
Ｆ＿２と同時にオゾンを流しながら紫外線光源を試料に
照射することを特徴とする表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60141740A JPH0738380B2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60141740A JPH0738380B2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622622A true JPS622622A (ja) | 1987-01-08 |
| JPH0738380B2 JPH0738380B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=15299099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60141740A Expired - Lifetime JPH0738380B2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738380B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210726A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Fujitsu Ltd | 半導体基板表面の自然酸化膜の除去方法 |
| JPH03166335A (ja) * | 1988-08-30 | 1991-07-18 | Sutek Corp | 分散強化材料 |
| CN107516636A (zh) * | 2016-06-17 | 2017-12-26 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种低温外延方法及装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5933830A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-23 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| JPS60216558A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 表面洗浄方法 |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP60141740A patent/JPH0738380B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5933830A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-23 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| JPS60216558A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 表面洗浄方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210726A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Fujitsu Ltd | 半導体基板表面の自然酸化膜の除去方法 |
| JPH03166335A (ja) * | 1988-08-30 | 1991-07-18 | Sutek Corp | 分散強化材料 |
| CN107516636A (zh) * | 2016-06-17 | 2017-12-26 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种低温外延方法及装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0738380B2 (ja) | 1995-04-26 |
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