JPS60216558A - 表面洗浄方法 - Google Patents

表面洗浄方法

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JPS60216558A
JPS60216558A JP7328884A JP7328884A JPS60216558A JP S60216558 A JPS60216558 A JP S60216558A JP 7328884 A JP7328884 A JP 7328884A JP 7328884 A JP7328884 A JP 7328884A JP S60216558 A JPS60216558 A JP S60216558A
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JP
Japan
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substrate
ions
turns
gas
substance
Prior art date
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Pending
Application number
JP7328884A
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English (en)
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Misao Saga
佐賀　操
Akinori Shimizu
了典 清水
Kazuo Matsuzaki
松崎　一夫
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
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Publication date
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Publication of JPS60216558A publication Critical patent/JPS60216558A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は表面の汚染を避けなければならぬ半導体基板、
半導体処理用治具、光学部品などの表面洗浄方法に関す
る。
〔従来技術とその問題点〕
例えば半導体基板に不純物拡散や酸化膜、金属電極層な
どの薄膜成長を施す前に表面に付着している塵埃などの
不純物を除去することは半導体装置の所期の特性を得る
ために必須であり、従来は酸、アルカリなどの液体を用
いた工、チングと純水洗浄によって表面を清浄にしてい
た。また汚染あるいは清゛浄にすべき部材の種類によっ
ては溶剤を用いて洗浄することも行われる。しかしこの
ような液体を用いた表面洗浄方法は、液体の滞留による
洗浄作用の不均一が起こり、均一に清浄な表面を得られ
ないことがある。
〔発明の目的〕
本発明は、このような湿式処理の欠点を除くために乾式
でしかも簡単に行うことができる表面洗浄方法を提供す
ることを目的とする。
〔発明の要点〕
本発明は清浄にすべき表面に反応ガスを接触させ、その
ガスに反応エネルギーを与える光を照射してイオンある
いはラジカルのような活性種を発生させ、活性種の作用
により表面の汚染物質を表面から離脱しやすい物質に変
化させることによって上記の目的を達成する。汚染物質
が南機質のときは反応ガスとして酸素またはオゾン、無
機質のときは四弗化炭素、金属の場合には塩素ガスを用
いることが有効である。
〔発明の実施例〕
以下本発明の実施のための装置を示す第１図を引用して
本発明の実施例について説明する。表面を清浄にすべき
半導体基板１を反応室２の底部の上に置き、反応Ｍ２内
を真空ポンプ３によって排気したのち、ボンベ４からマ
スフローメータ５により流量制御して反応室２に導入し
、室内を０．２Ｔｐ’ｒｒ前後の圧力に保つ。そこへ波
長８００ないし９００Ａに選択された８（Ｊ）Ｌ光（シ
ンクロトロン軌道輻射光）６を鋭７、レンズ８を介して
基板ｌの直上に入射させると、酸素ガスがイオン化され
て酸素イオンを生ずる。この酸素イオンにより基板ｌの
表面の有機質はＣＯ２ガスとなって飛散する。次いで反
心室２を再び真空排気したのちボンベ９から四弗化水素
＜ＣＦ、）を導入し、鏡７を回転してＣ０２ガスレーザ
光１０を基板１の直上に入射させると、基板ｌの表面の
無機質が揮発性の弗化物に変化し、表面から除去される
。例えばシリコン基板１の表面の５ｉ０２は沸点−７５
℃のＳ　ｉ　Ｆ４とＣＯ，に変化し飛散する。これによ
りシリコン基板ｌから有機質無機質が除去されて清浄に
なる。なお表面に付着した金属を除去したいときは、塩
素ガスを用いてＡｒ　レーザ光を照射すると塩素イオン
が生じ、アルミニウムはＡｔＣ２３、鉄はＦｅＣｔｓ、
銅はＣａＣｌ２のようにそれぞれ可溶性塩化物に変化し
、容易に除去できるようになる。
〔発明の効果〕
本発明は、表面の汚染物質を光の照射により生じたイオ
ン、ラジカルのような活性種の作用を利用して除去し表
面の洗浄を行うもので、乾式処理により生ずる活性種を
利用するので表面に均一に作用し、均一な清浄度を達成
することができる。
反応ガスの種類とイオン化エネルギーに対応する照射光
を選択することにより、汚染物質の種類に限らず清浄に
することができ、半導体基板、あるいはウェハプロセス
に用いる石英治具などの表面洗浄など半導体装置の製造
に有効に適用できるほか、レンズ、ミラーなど光学部品
の表面洗浄に適用して光学装置の製造に与える効果も極
めて大きい。
【図面の簡単な説明】
諾１図は本発明の一実施例に用いる装置の断面図である
。 ｌ・・・シリコン基板、２・・・反応室、４・・・酸素
ボンベ、６・・・ＳＵＲ光、９・・・四弗化炭素ボンベ
、ｌＯ・・・ＣＯ，ガスレーザ光。 矛１　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）ｆｔ浄にすべき表面に反応ガスを接触させ、該反応
    ガスに反応エネルギーを与える光を照射して活性種を発
    生させ、該活性種の作用により表面の汚染物質を表面か
    ら離脱容易な物質に変換することを特徴とする表面洗浄
    方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において、汚染物
    質が有機質であって反応ガスに酸素またはオゾンを用い
    ることを特徴とする表面洗浄方法。 ３）特ＪｌｆＭｉｔ求の範囲第１項記載の方法において
    、汚染物質が無機質であって反応ガスに四弗化炭素を用
    いることを特徴とする表面洗浄方法。 ４）特許、請求の範囲ｍ１項記載の方法において、汚染
    物質が金属であって反応ガスに塩素を用いることを特徴
    とする表面洗浄方法。
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