JP2012092008A - 多結晶シリコン棒の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反応器中で少なくとも1つの心棒にシリコンを堆積させることによる多結晶シリコン棒の製造方法において、前記シリコンの堆積の前に、ハロゲン化水素を400〜1000℃の心棒温度で、少なくとも1つの心棒を有する前記反応器内へ導入し、UV光を照射し、それによりハロゲンラジカル及び水素ラジカルを生じさせ、生成された揮発性のハロゲン化物及び水素化物を前記反応器から取り除く、多結晶シリコン棒の製造方法
【選択図】図1
Description
チャージ交換並びに心棒の組立の間に、供給管及び排出管、並びに鐘状反応器を開放状態で不活性ガス(窒素)でパージした。
反応器を、実施例1と同様に準備した。
Claims (6)
- 反応器中で少なくとも1つの心棒にシリコンを堆積させることによる多結晶シリコン棒の製造方法において、前記シリコンの堆積の前に、ハロゲン化水素を400〜1000℃の心棒温度で、少なくとも1つの心棒を有する前記反応器内へ導入し、UV光を照射し、それによりハロゲンラジカル及び水素ラジカルを生じさせ、生成された揮発性のハロゲン化物及び水素化物を前記反応器から取り除く、多結晶シリコン棒の製造方法。
- 前記揮発性のハロゲン化物及び水素化物の除去後にシリコンを少なくとも1つの前記心棒に堆積させる、請求項1記載の方法。
- 前記揮発性のハロゲン化物及び水素化物の除去後に、まず少なくとも1つの前記心棒を反応器から取り出し、不活性雰囲気を有する気密に密閉された管中で貯蔵し、後の時点で、少なくとも1つの心棒にシリコンを堆積させるために再び反応器中に導入する、請求項1記載の方法。
- 反応器及び反応器中のガス供給管及び排出管を、ハロゲン化水素を導入する前に、不活性ガスを用いてパージする、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 前記照射をUVランプを用いて行い、このUVランプをフランジ又はのぞき窓を通して気密に反応器内へ導入する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 前記揮発性のハロゲン化物及び水素化物を前記反応器から除去した後でかつ少なくとも1つの心棒にシリコンを堆積させる前に、反応器及びガス導管を不活性ガスを用いてパージする、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
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