JPH11260726A - 単結晶シリコン薄膜と多結晶シリコン薄膜の製造方法 - Google Patents
単結晶シリコン薄膜と多結晶シリコン薄膜の製造方法Info
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- JPH11260726A JPH11260726A JP10059888A JP5988898A JPH11260726A JP H11260726 A JPH11260726 A JP H11260726A JP 10059888 A JP10059888 A JP 10059888A JP 5988898 A JP5988898 A JP 5988898A JP H11260726 A JPH11260726 A JP H11260726A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】単結晶シリコン薄膜及び大粒径の多結晶シリコ
ン薄膜を成膜できるようにすることを課題とする。 【解決手段】内部に基板(4) を載置する成膜室(1) と、
この成膜室(1) と連通するプラズマ発生室(2) を有する
プラズマ発生装置(3) を用いて、前記基板(4) 上に単結
晶シリコン薄膜又は多結晶シリコン薄膜を成膜する単結
晶シリコン薄膜と多結晶シリコン薄膜の製造方法におい
て、プラズマ化学気相成長法によって原料ガスプラズマ
から結晶化に適したエネルギーのイオンを前記基板(4)
表面上に入射させながら成膜を行う単結晶シリコン薄膜
と多結晶シリコン薄膜の製造方法。
ン薄膜を成膜できるようにすることを課題とする。 【解決手段】内部に基板(4) を載置する成膜室(1) と、
この成膜室(1) と連通するプラズマ発生室(2) を有する
プラズマ発生装置(3) を用いて、前記基板(4) 上に単結
晶シリコン薄膜又は多結晶シリコン薄膜を成膜する単結
晶シリコン薄膜と多結晶シリコン薄膜の製造方法におい
て、プラズマ化学気相成長法によって原料ガスプラズマ
から結晶化に適したエネルギーのイオンを前記基板(4)
表面上に入射させながら成膜を行う単結晶シリコン薄膜
と多結晶シリコン薄膜の製造方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は単結晶シリコン薄膜
と多結晶シリコン薄膜の製造方法に関し、特に単結晶シ
リコン薄膜や大粒径の多結晶シリコン薄膜を低温で成膜
するシリコン薄膜の成膜方法に関する。更に詳しくは、
従来法では400℃以下の基板温度で成膜することが不
可能であった単結晶シリコン薄膜あるいは1μm以上の
粒径をもつ多結晶シリコン薄膜を、単結晶シリコン基板
あるいは多結晶シリコン基板以外の基板上においても成
膜することができる単結晶シリコン薄膜と多結晶シリコ
ン薄膜の製造方法に関する。
と多結晶シリコン薄膜の製造方法に関し、特に単結晶シ
リコン薄膜や大粒径の多結晶シリコン薄膜を低温で成膜
するシリコン薄膜の成膜方法に関する。更に詳しくは、
従来法では400℃以下の基板温度で成膜することが不
可能であった単結晶シリコン薄膜あるいは1μm以上の
粒径をもつ多結晶シリコン薄膜を、単結晶シリコン基板
あるいは多結晶シリコン基板以外の基板上においても成
膜することができる単結晶シリコン薄膜と多結晶シリコ
ン薄膜の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】単結晶シリコン薄膜あるいは多結晶シリ
コン薄膜は、メモリー等の半導体デバイス薄膜トランジ
スタ(TFT)及び太陽光発電素子の半導体膜の材料と
して利用されている。これらの半導体部品に利用される
シリコン薄膜としては膜中の欠陥及び不純物が少なく、
できるだけ結晶粒径の大きな高品質シリコン膜が必要で
ある。また、膜中へ添加されるボロンやリン等の不純物
の拡散を精度よく制御するために、低温で単結晶シリコ
ン薄膜あるいは大粒径の多結晶シリコン薄膜を成膜でき
る方法が必要とされている。更に、耐熱性が低く高温の
加熱ができないガラスや透明導電膜の基板上に単結晶シ
リコン薄膜あるいは大粒径の多結晶シリコン薄膜を低温
で成膜できる方法が必要とされている。
コン薄膜は、メモリー等の半導体デバイス薄膜トランジ
スタ(TFT)及び太陽光発電素子の半導体膜の材料と
して利用されている。これらの半導体部品に利用される
シリコン薄膜としては膜中の欠陥及び不純物が少なく、
できるだけ結晶粒径の大きな高品質シリコン膜が必要で
ある。また、膜中へ添加されるボロンやリン等の不純物
の拡散を精度よく制御するために、低温で単結晶シリコ
ン薄膜あるいは大粒径の多結晶シリコン薄膜を成膜でき
る方法が必要とされている。更に、耐熱性が低く高温の
加熱ができないガラスや透明導電膜の基板上に単結晶シ
リコン薄膜あるいは大粒径の多結晶シリコン薄膜を低温
で成膜できる方法が必要とされている。
【0003】従来、単結晶シリコン薄膜の成膜方法や多
結晶シリコン薄膜の成膜方法には、熱化学気相成長法
(熱CVD:Chemical Vapour Deposition 法)ある
いはプラズマ化学気相成長法(プラズマCVD法)が広
く適用されている。熱CVD法は、加熱された基板に原
料ガスを供給し、化学的に反応させて薄膜を成膜する方
法である。熱CVD法でシリコン薄膜を成膜する際に
は、ヒーターで加熱された基板に、シラン,ジシラン等
を原料ガスとして供給する。
結晶シリコン薄膜の成膜方法には、熱化学気相成長法
(熱CVD:Chemical Vapour Deposition 法)ある
いはプラズマ化学気相成長法(プラズマCVD法)が広
く適用されている。熱CVD法は、加熱された基板に原
料ガスを供給し、化学的に反応させて薄膜を成膜する方
法である。熱CVD法でシリコン薄膜を成膜する際に
は、ヒーターで加熱された基板に、シラン,ジシラン等
を原料ガスとして供給する。
【0004】原料ガスは基板表面上で分解、化学反応し
てシリコン薄膜の成膜が進行する。熱CVD法によるシ
リコン薄膜の成膜では、ヒーターで加熱された基板の熱
でのシリコン膜の格子緩和による結晶化の進行と、基板
表面での原料ガスの化学反応を阻害する表面吸着水素原
子の脱離により、形成されるシリコン膜の結晶性が決定
される。さらに、熱CVD法では基板の結晶構造や格子
定数をそのまま引き継いで成膜が進行するため、基板の
材料が膜質に大きく影響を及ぼす。
てシリコン薄膜の成膜が進行する。熱CVD法によるシ
リコン薄膜の成膜では、ヒーターで加熱された基板の熱
でのシリコン膜の格子緩和による結晶化の進行と、基板
表面での原料ガスの化学反応を阻害する表面吸着水素原
子の脱離により、形成されるシリコン膜の結晶性が決定
される。さらに、熱CVD法では基板の結晶構造や格子
定数をそのまま引き継いで成膜が進行するため、基板の
材料が膜質に大きく影響を及ぼす。
【0005】単結晶や多結晶のような結晶性の良いシリ
コン基板を用いた場合、基板温度が500℃以上ではエ
ピタキシャリーに結晶成長が進行し、単結晶シリコンあ
るいは粒径の大きな多結晶シリコン薄膜が成膜される。
しかしながら、400℃以下の基板温度では熱による結
晶化と表面水素の脱離が低下し、膜中に非晶質成分や数
百nm程度の小さな粒径の微結晶が含まれるようになり
膜質が低下する問題があった。また、非耐熱性であり高
温加熱が不可能な基板、ガラスなどの非晶質基板あるい
はシリコンと結晶構造や格子定数の異なる結晶からなる
基板を用いた場合、成膜反応がエピタキシャリーに進行
しないため、成膜される膜中に非晶質成分や微結晶成分
が含まれ、単結晶シリコン薄膜や多結晶シリコン薄膜を
成膜することができない問題があった。
コン基板を用いた場合、基板温度が500℃以上ではエ
ピタキシャリーに結晶成長が進行し、単結晶シリコンあ
るいは粒径の大きな多結晶シリコン薄膜が成膜される。
しかしながら、400℃以下の基板温度では熱による結
晶化と表面水素の脱離が低下し、膜中に非晶質成分や数
百nm程度の小さな粒径の微結晶が含まれるようになり
膜質が低下する問題があった。また、非耐熱性であり高
温加熱が不可能な基板、ガラスなどの非晶質基板あるい
はシリコンと結晶構造や格子定数の異なる結晶からなる
基板を用いた場合、成膜反応がエピタキシャリーに進行
しないため、成膜される膜中に非晶質成分や微結晶成分
が含まれ、単結晶シリコン薄膜や多結晶シリコン薄膜を
成膜することができない問題があった。
【0006】プラズマCVD法は反応槽内で原料ガスを
プラズマ状態にし、活性なラジカルやイオンを生成させ
て、ヒーター等で加熱した基板表面上で反応させ成膜を
行う方法である。プラズマCVD法ではプラズマ状態と
して活性な原料ガスにより成膜を行うため、熱CVD法
に比べて低温で高品質な膜を成膜できる。従って、単結
晶あるいは多結晶のシリコン基板を用いた場合、プラズ
マCVD法では熱CVD法に比べて低温でもエピタキシ
ャリーに成膜が進行するので、単結晶シリコン薄膜ある
いは多結晶シリコン薄膜を成膜できる。しかしながら、
400℃以下の温度下ではプラズマCVD法においても
結晶化が進行し難くなり、膜中に非晶質成分や微結晶成
分が含まれるようになり、単結晶シリコン薄膜及び大粒
径の多結晶シリコン薄膜を成膜できない問題があった。
プラズマ状態にし、活性なラジカルやイオンを生成させ
て、ヒーター等で加熱した基板表面上で反応させ成膜を
行う方法である。プラズマCVD法ではプラズマ状態と
して活性な原料ガスにより成膜を行うため、熱CVD法
に比べて低温で高品質な膜を成膜できる。従って、単結
晶あるいは多結晶のシリコン基板を用いた場合、プラズ
マCVD法では熱CVD法に比べて低温でもエピタキシ
ャリーに成膜が進行するので、単結晶シリコン薄膜ある
いは多結晶シリコン薄膜を成膜できる。しかしながら、
400℃以下の温度下ではプラズマCVD法においても
結晶化が進行し難くなり、膜中に非晶質成分や微結晶成
分が含まれるようになり、単結晶シリコン薄膜及び大粒
径の多結晶シリコン薄膜を成膜できない問題があった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこうした事情
を考慮してなされたもので、プラズマ化学気相成長法に
よって原料ガスプラズマから結晶化に適したエネルギー
のイオンを前記基板表面上に入射させながら成膜を行う
構成とすることにより、単結晶シリコン薄膜や大粒径の
多結晶シリコン薄膜を成膜可能な単結晶シリコン薄膜と
多結晶シリコン薄膜の製造方法を提供することを目的と
する。
を考慮してなされたもので、プラズマ化学気相成長法に
よって原料ガスプラズマから結晶化に適したエネルギー
のイオンを前記基板表面上に入射させながら成膜を行う
構成とすることにより、単結晶シリコン薄膜や大粒径の
多結晶シリコン薄膜を成膜可能な単結晶シリコン薄膜と
多結晶シリコン薄膜の製造方法を提供することを目的と
する。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、内部に基板を
載置する成膜室と、この成膜室と連通するプラズマ発生
室を有するプラズマ発生装置を用いて、前記基板上に単
結晶シリコン薄膜又は多結晶シリコン薄膜を成膜する単
結晶シリコン薄膜と多結晶シリコン薄膜の製造方法にお
いて、プラズマ化学気相成長法によって原料ガスプラズ
マから結晶化に適したエネルギーのイオンを前記基板表
面上に入射させながら成膜を行う単結晶シリコン薄膜と
多結晶シリコン薄膜の製造方法である。本発明におい
て、プラズマとしては電子ビーム励起プラズマを用いる
ことが好ましい。
載置する成膜室と、この成膜室と連通するプラズマ発生
室を有するプラズマ発生装置を用いて、前記基板上に単
結晶シリコン薄膜又は多結晶シリコン薄膜を成膜する単
結晶シリコン薄膜と多結晶シリコン薄膜の製造方法にお
いて、プラズマ化学気相成長法によって原料ガスプラズ
マから結晶化に適したエネルギーのイオンを前記基板表
面上に入射させながら成膜を行う単結晶シリコン薄膜と
多結晶シリコン薄膜の製造方法である。本発明におい
て、プラズマとしては電子ビーム励起プラズマを用いる
ことが好ましい。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。なお、本発明は以下に述べる実
施例に限定されない。まず、本発明に係るプラズマ成膜
装置について図1を参照して説明する。本プラズマ成膜
装置は、成膜室1と、この成膜室1と連通するプラズマ
発生室2を有するプラズマ発生装置3から構成されてい
る。前記成膜室1内には、基板4、バイアス電極5、及
び基板4とバイアス電極5を保持するための基板ホルダ
ー6が設置されている。ここで、基板4が導電性物質か
らなる場合には基板4に直接バイアス電源7が接続さ
れ、基板4が非導電性物質からなる場合にはバイアス電
極4にバイアス電源7が接続されている。前記基板4と
しては、金属材料、シリコン半導体、セラミックス及び
プラスチック材料を含有する基板のいずれも用いること
ができる。膜の結晶化をさらに促進するためには、成膜
中に基板4を200℃以上に加熱することが望ましい。
なお、前記基板ホルダー6には基板4を加熱するための
ヒーターを併設してもよい。前記成膜室1には、真空排
気及び原料ガス8の排気のための真空排気口9が設けら
れている。
面を参照して説明する。なお、本発明は以下に述べる実
施例に限定されない。まず、本発明に係るプラズマ成膜
装置について図1を参照して説明する。本プラズマ成膜
装置は、成膜室1と、この成膜室1と連通するプラズマ
発生室2を有するプラズマ発生装置3から構成されてい
る。前記成膜室1内には、基板4、バイアス電極5、及
び基板4とバイアス電極5を保持するための基板ホルダ
ー6が設置されている。ここで、基板4が導電性物質か
らなる場合には基板4に直接バイアス電源7が接続さ
れ、基板4が非導電性物質からなる場合にはバイアス電
極4にバイアス電源7が接続されている。前記基板4と
しては、金属材料、シリコン半導体、セラミックス及び
プラスチック材料を含有する基板のいずれも用いること
ができる。膜の結晶化をさらに促進するためには、成膜
中に基板4を200℃以上に加熱することが望ましい。
なお、前記基板ホルダー6には基板4を加熱するための
ヒーターを併設してもよい。前記成膜室1には、真空排
気及び原料ガス8の排気のための真空排気口9が設けら
れている。
【0010】前記プラズマ発生装置3は、原料ガス8を
供給するための原料ガス導入管10と磁場コイル11から構
成されている。プラズマ発生装置3としてはプラスマ発
生装置全般を用いることができるが、好ましくは高密度
プラズマを発生できる電子サイクロトン共鳴プラズマ発
生装置、誘導結合プラズマ発生装置、ヘリコン波プラズ
マ発生装置を用いることが望ましい。更に好ましくは、
高密度プラズマを発生でき、かつ原料ガス8の圧力、加
速イオン12の量、エネルギー等の制御が容易な電子ビー
ム励起プラズマ発生装置を用いることが望ましい。
供給するための原料ガス導入管10と磁場コイル11から構
成されている。プラズマ発生装置3としてはプラスマ発
生装置全般を用いることができるが、好ましくは高密度
プラズマを発生できる電子サイクロトン共鳴プラズマ発
生装置、誘導結合プラズマ発生装置、ヘリコン波プラズ
マ発生装置を用いることが望ましい。更に好ましくは、
高密度プラズマを発生でき、かつ原料ガス8の圧力、加
速イオン12の量、エネルギー等の制御が容易な電子ビー
ム励起プラズマ発生装置を用いることが望ましい。
【0011】前記原料ガス8としては、シラン(SiH
4 )、ジシラン(Si2 H6 )、ジクロルシラン(Si
H2 Cl2 )、4塩化珪素ガス(SiCl4 )等の珪素
含有ガス、あるいはヘリウム(He)、アルゴン(A
r)等の希ガス、水素ガス(H2 )または窒素ガス(N
2 )等により希釈した珪素含有ガスのいずれも用いるこ
とができる。
4 )、ジシラン(Si2 H6 )、ジクロルシラン(Si
H2 Cl2 )、4塩化珪素ガス(SiCl4 )等の珪素
含有ガス、あるいはヘリウム(He)、アルゴン(A
r)等の希ガス、水素ガス(H2 )または窒素ガス(N
2 )等により希釈した珪素含有ガスのいずれも用いるこ
とができる。
【0012】成膜の際に原料ガスプラズマ13を安定して
保持するために、原料ガス8はプラズマ発生装置3とし
て電子ビーム励起プラズマ発生装置以外を用いた場合は
1mTorr〜100mTorrの圧力で、電子ビーム
励起プラズマ発生装置を用いた場合は0.1mTorr
〜50mTorrで供給することが望ましい。
保持するために、原料ガス8はプラズマ発生装置3とし
て電子ビーム励起プラズマ発生装置以外を用いた場合は
1mTorr〜100mTorrの圧力で、電子ビーム
励起プラズマ発生装置を用いた場合は0.1mTorr
〜50mTorrで供給することが望ましい。
【0013】次に、こうしたプラズマ発生装置を用いて
単結晶シリコン薄膜を成膜する場合について説明する。
即ち、この成膜方法は、成膜前に真空排気口9から真空
排気された成膜室1内に原料ガス導入管10を通じて原料
ガス8を供給し、成膜室1に設置されたプラズマ発生装
置3により原料ガスプラズマ13を発生させ、その原料ガ
スプラズマ13から基板4に直接あるいは基板4の裏面に
置かれたバイアス電極5にバイアス電源7により印加し
た電圧により加速した加速イオン12を膜の結晶化に適し
たエネルギーで基板4表面上に単結晶シリコン薄膜(あ
るいは大粒径の多結晶シリコン薄膜)を成膜する方法で
ある。
単結晶シリコン薄膜を成膜する場合について説明する。
即ち、この成膜方法は、成膜前に真空排気口9から真空
排気された成膜室1内に原料ガス導入管10を通じて原料
ガス8を供給し、成膜室1に設置されたプラズマ発生装
置3により原料ガスプラズマ13を発生させ、その原料ガ
スプラズマ13から基板4に直接あるいは基板4の裏面に
置かれたバイアス電極5にバイアス電源7により印加し
た電圧により加速した加速イオン12を膜の結晶化に適し
たエネルギーで基板4表面上に単結晶シリコン薄膜(あ
るいは大粒径の多結晶シリコン薄膜)を成膜する方法で
ある。
【0014】なお、プラズマ発生装置3によりプラズマ
化された原料ガスプラズマ13から上記基板4表面上に加
速イオン12を供給するために、基板4が導電性材料から
なる場合は基板4に直接接続されたバイアス電源7から
直流あるいは交流バイアスを印加する。基板4が非伝導
物質材料からなる場合には、加速イオン12を基板4に引
き込むとともに、加速イオン12による基板3のチャージ
アップ防止のための電子を基板4に引き込む必要があ
る。そのため、基板4が非導電性物質材料からなる場合
には、基板4の裏面に置かれたバイアス電極5にバイア
ス電源7から交流バイアスを印加する。
化された原料ガスプラズマ13から上記基板4表面上に加
速イオン12を供給するために、基板4が導電性材料から
なる場合は基板4に直接接続されたバイアス電源7から
直流あるいは交流バイアスを印加する。基板4が非伝導
物質材料からなる場合には、加速イオン12を基板4に引
き込むとともに、加速イオン12による基板3のチャージ
アップ防止のための電子を基板4に引き込む必要があ
る。そのため、基板4が非導電性物質材料からなる場合
には、基板4の裏面に置かれたバイアス電極5にバイア
ス電源7から交流バイアスを印加する。
【0015】このとき、好ましくは加速イオン12のエネ
ルギーをできるだけ一定値に保つためバアス電源7とし
て高周波電源を用いることが望ましく、さらに好ましく
はバイアス電源7を1MHz以上の周波数の高周波電源
とすることが望ましい。さらに、基板4上に堆積した膜
の結晶化の促進と高エネルギーの加速イオン12による膜
中の欠陥の増加及び膜の非晶質化の防止を同時に満たす
ために、好ましくは1eVから200eVの運動エネル
ギーを持つ加速イオン12を基板4表面に入射させること
が望ましい。さらに好ましくは、10eV〜40eVの
運動エネルギーを持つ加速イオン12を用いることが望ま
しい。
ルギーをできるだけ一定値に保つためバアス電源7とし
て高周波電源を用いることが望ましく、さらに好ましく
はバイアス電源7を1MHz以上の周波数の高周波電源
とすることが望ましい。さらに、基板4上に堆積した膜
の結晶化の促進と高エネルギーの加速イオン12による膜
中の欠陥の増加及び膜の非晶質化の防止を同時に満たす
ために、好ましくは1eVから200eVの運動エネル
ギーを持つ加速イオン12を基板4表面に入射させること
が望ましい。さらに好ましくは、10eV〜40eVの
運動エネルギーを持つ加速イオン12を用いることが望ま
しい。
【0016】基板4あるいはバイアス電極5に印加した
電圧により原料ガスプラズマ13から基板4表面に入射さ
せた加速イオン12のエネルギーを、基板4上に原料ガス
プラズマ13から堆積したシリコン膜に与えることにより
膜の結晶化が進行する。その結果、従来の熱CVD法あ
るいはプラズマCVD法と比べ、低温で単結晶シリコン
薄膜あるいは10μm以上の粒径を持つ多結晶シリコン
薄膜を成膜することができる。
電圧により原料ガスプラズマ13から基板4表面に入射さ
せた加速イオン12のエネルギーを、基板4上に原料ガス
プラズマ13から堆積したシリコン膜に与えることにより
膜の結晶化が進行する。その結果、従来の熱CVD法あ
るいはプラズマCVD法と比べ、低温で単結晶シリコン
薄膜あるいは10μm以上の粒径を持つ多結晶シリコン
薄膜を成膜することができる。
【0017】一方、本発明に係る電子ビーム励起プラズ
マ装置としては、図2に示すものが知られている。但
し、図1と同部材は同符号は同部材を付して説明を省略
する。図2では、プラズマ発生装置20は、プラズマ発生
室21と、このプラズマ発生室21と接続した希ガス導入管
22と、前記プラズマ発生室21内の上部に配置され、希ガ
スプラズマ23を発生させるためのフィラメント24と、前
記プラズマ発生室21と接続した差動排気口25と、前記プ
ラズマ発生室21内に配置され、希ガスから電子ビーム26
を引き出すための電子ビーム加速電極27と、前記プラズ
マ発生室21の外周側に配置され、電子ビーム26を絞るた
めの電子ビーム収束磁場コイル28から構成されている。
マ装置としては、図2に示すものが知られている。但
し、図1と同部材は同符号は同部材を付して説明を省略
する。図2では、プラズマ発生装置20は、プラズマ発生
室21と、このプラズマ発生室21と接続した希ガス導入管
22と、前記プラズマ発生室21内の上部に配置され、希ガ
スプラズマ23を発生させるためのフィラメント24と、前
記プラズマ発生室21と接続した差動排気口25と、前記プ
ラズマ発生室21内に配置され、希ガスから電子ビーム26
を引き出すための電子ビーム加速電極27と、前記プラズ
マ発生室21の外周側に配置され、電子ビーム26を絞るた
めの電子ビーム収束磁場コイル28から構成されている。
【0018】
【実施例】以下、この発明の具体的な実施例を図2を参
照して説明する。まず、成膜前に基板4として透明電極
膜である酸化錫(SnO2 )を表面に形成してあるガラ
ス基板を、成膜室1内の基板ホルダー6に保持されたバ
イアス電極5上に設置した。次に、真空排気口9から成
膜室1内を1×10-8Torr以下の真空度に排気す
る。ここで、バイアス電極5にはバイアス電源7として
1MHzの高周波バイアス電源が接続した。成膜中、基
板4は基板ホルダー6を構成するヒーターにより200
℃、400℃及び600℃の各温度に保持した。プラズ
マ発生装置21に希ガス導入管22を通じてArガスを導入
し、フィラメント24に5A以下の電流を流すことによ
り、プラズマ発生装置21中に希ガスプラズマ23を発生さ
せた。
照して説明する。まず、成膜前に基板4として透明電極
膜である酸化錫(SnO2 )を表面に形成してあるガラ
ス基板を、成膜室1内の基板ホルダー6に保持されたバ
イアス電極5上に設置した。次に、真空排気口9から成
膜室1内を1×10-8Torr以下の真空度に排気す
る。ここで、バイアス電極5にはバイアス電源7として
1MHzの高周波バイアス電源が接続した。成膜中、基
板4は基板ホルダー6を構成するヒーターにより200
℃、400℃及び600℃の各温度に保持した。プラズ
マ発生装置21に希ガス導入管22を通じてArガスを導入
し、フィラメント24に5A以下の電流を流すことによ
り、プラズマ発生装置21中に希ガスプラズマ23を発生さ
せた。
【0019】次に、電子ビーム加速電極27に電圧を印加
すると共に、電子ビーム収束磁場コイル28に流す電流を
調整することにより、プラズマ発生装置20のプラズマ発
生室21から成膜室1中へ1A〜5Aの電流量の電子ビー
ム26を入射させた。そして、原料ガス導入管10から成膜
室1内に導入した原料ガス8に、電子ビーム26を照射す
ることにより、原料ガス8内に原料ガスプラズマ13が発
生した。ここで、原料ガス8は100%のシジランガス
(Si2 H6 )を用いた。成膜中、成膜室1内の原料ガ
ス8の圧力は1mTorrに保持した。このとき、プラ
ズマ発生装置20に設けた差動排気口25から真空排気する
ことにより、成膜室1内空間とプラズマ発生室21内空間
のガスが相互に混入することを防いでいる。
すると共に、電子ビーム収束磁場コイル28に流す電流を
調整することにより、プラズマ発生装置20のプラズマ発
生室21から成膜室1中へ1A〜5Aの電流量の電子ビー
ム26を入射させた。そして、原料ガス導入管10から成膜
室1内に導入した原料ガス8に、電子ビーム26を照射す
ることにより、原料ガス8内に原料ガスプラズマ13が発
生した。ここで、原料ガス8は100%のシジランガス
(Si2 H6 )を用いた。成膜中、成膜室1内の原料ガ
ス8の圧力は1mTorrに保持した。このとき、プラ
ズマ発生装置20に設けた差動排気口25から真空排気する
ことにより、成膜室1内空間とプラズマ発生室21内空間
のガスが相互に混入することを防いでいる。
【0020】原料ガスプラズマ13内には原料ガス8から
分解・生成されたSi2 H4 + やSiH2 + などのイオ
ンが大量に発生しており、バイバス電源7を用いてバイ
アス電極4に1MHzの高周波バイアスを印加すること
により、基板4表面に加速イオン12のエネルギーを制御
し、成膜中は一定の値に保持した。同時に供給された原
料ガスプラズマ13からも基板4上にシリコン膜を堆積さ
せた。このとき、基板4に入射させた加速イオン12の持
つエネルギーによりシリコン膜の結晶化が進行した。本
実施例で成膜された多結晶シリコン薄膜の粒径(μm)
と加速イオン12のエネルギー(eV)の関係は、図3に
示す通りである。
分解・生成されたSi2 H4 + やSiH2 + などのイオ
ンが大量に発生しており、バイバス電源7を用いてバイ
アス電極4に1MHzの高周波バイアスを印加すること
により、基板4表面に加速イオン12のエネルギーを制御
し、成膜中は一定の値に保持した。同時に供給された原
料ガスプラズマ13からも基板4上にシリコン膜を堆積さ
せた。このとき、基板4に入射させた加速イオン12の持
つエネルギーによりシリコン膜の結晶化が進行した。本
実施例で成膜された多結晶シリコン薄膜の粒径(μm)
と加速イオン12のエネルギー(eV)の関係は、図3に
示す通りである。
【0021】図3から明らかのように、従来のプラズマ
CVD法の場合は、基板温度200℃において成膜され
た多結晶シリコン膜の粒径は0.1μm以下である。こ
れに対し、本発明の方法を用いて成膜中に基板4を加速
イオン12で照射した場合、200℃、400度及び60
0℃のいずれかの基板温度においても、加速イオン12の
エネルギーが1eVから200eVの範囲で従来プラズ
マCVD法の0.1μmを上回る粒径が得られているこ
とが分かる。
CVD法の場合は、基板温度200℃において成膜され
た多結晶シリコン膜の粒径は0.1μm以下である。こ
れに対し、本発明の方法を用いて成膜中に基板4を加速
イオン12で照射した場合、200℃、400度及び60
0℃のいずれかの基板温度においても、加速イオン12の
エネルギーが1eVから200eVの範囲で従来プラズ
マCVD法の0.1μmを上回る粒径が得られているこ
とが分かる。
【0022】特に、基板4のエネルギーが10eVから
40eVの範囲では、多結晶シリコン膜の粒径は1μm
以上のものが得られ、基板4のエネルギーが約20eV
付近で最大30μm以上の粒径が得られることが分か
る。このように低温でのシリコン薄膜の成膜において、
本発明の方法を用いることでシリコン薄膜の結晶性を向
上でき、1μm以上の結晶粒径をもつ多結晶シリコン薄
膜を成膜することが可能となる。
40eVの範囲では、多結晶シリコン膜の粒径は1μm
以上のものが得られ、基板4のエネルギーが約20eV
付近で最大30μm以上の粒径が得られることが分か
る。このように低温でのシリコン薄膜の成膜において、
本発明の方法を用いることでシリコン薄膜の結晶性を向
上でき、1μm以上の結晶粒径をもつ多結晶シリコン薄
膜を成膜することが可能となる。
【0023】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、プ
ラズマCVD法によって原料ガスプラズマから結晶化に
適したエネルギーのイオンを基板表面上に入射させなが
ら成膜を行う構成とすることにより、単結晶シリコン薄
膜や大粒径の多結晶シリコン薄膜を成膜可能な単結晶シ
リコン薄膜と多結晶シリコンの製造方法を提供できる。
ラズマCVD法によって原料ガスプラズマから結晶化に
適したエネルギーのイオンを基板表面上に入射させなが
ら成膜を行う構成とすることにより、単結晶シリコン薄
膜や大粒径の多結晶シリコン薄膜を成膜可能な単結晶シ
リコン薄膜と多結晶シリコンの製造方法を提供できる。
【図1】本発明に係る単結晶シリコン薄膜と多結晶シリ
コンの製造方法に使用されるプラズマ装置の説明図。
コンの製造方法に使用されるプラズマ装置の説明図。
【図2】本発明に係る単結晶シリコン薄膜と多結晶シリ
コンの製造方法に使用される電子ビーム励起プラズマ装
置の説明図。
コンの製造方法に使用される電子ビーム励起プラズマ装
置の説明図。
【図3】従来及び本発明に係るプラズマCVD法による
成膜中に入射した加速イオンと多結晶シリコン膜の粒径
との関係を示す特性図。
成膜中に入射した加速イオンと多結晶シリコン膜の粒径
との関係を示す特性図。
1…成膜室、 2、21…プラズマ発生室、 3,20…プラズマ発生装置、 4…基板、 5…バイアス電極、 6…基板ホルダー、 7…バイアス電源、 8…原料ガス、 9…真空排気口、 10…原料ガス導入管、 11…磁気コイル、 12…加速イオン、 13…原料ガスプラズマ、 22…希ガス導入管、 23…希ガスプラズマ、 24…フィラメント、 25…差動排気口、 26…電子ビーム、 27…電子ビーム加速電極、 28…電子ビーム収束磁場コイル。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成10年5月1日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0002
【補正方法】変更
【補正内容】
【0002】
【従来の技術】単結晶シリコン薄膜あるいは多結晶シリ
コン薄膜は、メモリー等の半導体デバイス、薄膜トラン
ジスタ(TFT)及び太陽光発電素子の半導体膜の材料
として利用されている。これらの半導体部品に利用され
るシリコン薄膜としては膜中の欠陥及び不純物が少な
く、できるだけ結晶粒径の大きな高品質シリコン膜が必
要である。また、膜中へ添加されるボロンやリン等の不
純物の拡散を精度よく制御するために、低温で単結晶シ
リコン薄膜あるいは大粒径の多結晶シリコン薄膜を成膜
できる方法が必要とされている。更に、耐熱性が低く高
温の加熱ができないガラスや透明導電膜の基板上に単結
晶シリコン薄膜あるいは大粒径の多結晶シリコン薄膜を
低温で成膜できる方法が必要とされている。
コン薄膜は、メモリー等の半導体デバイス、薄膜トラン
ジスタ(TFT)及び太陽光発電素子の半導体膜の材料
として利用されている。これらの半導体部品に利用され
るシリコン薄膜としては膜中の欠陥及び不純物が少な
く、できるだけ結晶粒径の大きな高品質シリコン膜が必
要である。また、膜中へ添加されるボロンやリン等の不
純物の拡散を精度よく制御するために、低温で単結晶シ
リコン薄膜あるいは大粒径の多結晶シリコン薄膜を成膜
できる方法が必要とされている。更に、耐熱性が低く高
温の加熱ができないガラスや透明導電膜の基板上に単結
晶シリコン薄膜あるいは大粒径の多結晶シリコン薄膜を
低温で成膜できる方法が必要とされている。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】変更
【補正内容】
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。なお、本発明は以下に述べる実
施例に限定されない。まず、本発明に係るプラズマ成膜
装置について図1を参照して説明する。本プラズマ成膜
装置は、成膜室1と、この成膜室1と連通するプラズマ
発生室2を有するプラズマ発生装置3から構成されてい
る。前記成膜室1内には、基板4、バイアス電極5、及
び基板4とバイアス電極5を保持するための基板ホルダ
ー6が設置されている。ここで、基板4が導電性物質か
らなる場合には基板4に直接バイアス電源7が接続さ
れ、基板4が非導電性物質からなる場合にはバイアス電
極5にバイアス電源7が接続されている。前記基板4と
しては、金属材料、半導体、絶縁体、セラミックス及び
プラスチック材料を含有する基板のいずれも用いること
ができる。膜の結晶化をさらに促進するためには、成膜
中に基板4を200℃以上に加熱することが望ましい。
なお、前記基板ホルダー6には基板4を加熱するための
ヒーターを併設してもよい。前記成膜室1には、真空排
気及び原料ガス8の排気のための真空排気口9が設けら
れている。
面を参照して説明する。なお、本発明は以下に述べる実
施例に限定されない。まず、本発明に係るプラズマ成膜
装置について図1を参照して説明する。本プラズマ成膜
装置は、成膜室1と、この成膜室1と連通するプラズマ
発生室2を有するプラズマ発生装置3から構成されてい
る。前記成膜室1内には、基板4、バイアス電極5、及
び基板4とバイアス電極5を保持するための基板ホルダ
ー6が設置されている。ここで、基板4が導電性物質か
らなる場合には基板4に直接バイアス電源7が接続さ
れ、基板4が非導電性物質からなる場合にはバイアス電
極5にバイアス電源7が接続されている。前記基板4と
しては、金属材料、半導体、絶縁体、セラミックス及び
プラスチック材料を含有する基板のいずれも用いること
ができる。膜の結晶化をさらに促進するためには、成膜
中に基板4を200℃以上に加熱することが望ましい。
なお、前記基板ホルダー6には基板4を加熱するための
ヒーターを併設してもよい。前記成膜室1には、真空排
気及び原料ガス8の排気のための真空排気口9が設けら
れている。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】なお、プラズマ発生装置3によりプラズマ
化された原料ガスプラズマ13から上記基板4表面上に加
速イオン12を供給するために、基板4が導電性材料から
なる場合は基板4に直接接続されたバイアス電源7から
直流あるいは交流バイアスを印加する。基板4が非導電
性物質材料からなる場合には、加速イオン12を基板4に
引き込むとともに、加速イオン12による基板3のチャー
ジアップ防止のための電子を基板4に引き込む必要があ
る。そのため、基板4が非導電性物質材料からなる場合
には、基板4の裏面に置かれたバイアス電極5にバイア
ス電源7から交流バイアスを印加する。
化された原料ガスプラズマ13から上記基板4表面上に加
速イオン12を供給するために、基板4が導電性材料から
なる場合は基板4に直接接続されたバイアス電源7から
直流あるいは交流バイアスを印加する。基板4が非導電
性物質材料からなる場合には、加速イオン12を基板4に
引き込むとともに、加速イオン12による基板3のチャー
ジアップ防止のための電子を基板4に引き込む必要があ
る。そのため、基板4が非導電性物質材料からなる場合
には、基板4の裏面に置かれたバイアス電極5にバイア
ス電源7から交流バイアスを印加する。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】このとき、好ましくは加速イオン12のエネ
ルギーをできるだけ一定値に保つためバイアス電源7と
して高周波電源を用いることが望ましく、さらに好まし
くはバイアス電源7を1MHz以上の周波数の高周波電
源とすることが望ましい。さらに、基板4上に堆積した
膜の結晶化の促進と高エネルギーの加速イオン12による
膜中の欠陥の増加及び膜の非晶質化の防止を同時に満た
すために、好ましくは1eVから200eVの運動エネ
ルギーを持つ加速イオン12を基板4表面に入射させるこ
とが望ましい。さらに好ましくは、10eV〜40eV
の運動エネルギーを持つ加速イオン12を用いることが望
ましい。
ルギーをできるだけ一定値に保つためバイアス電源7と
して高周波電源を用いることが望ましく、さらに好まし
くはバイアス電源7を1MHz以上の周波数の高周波電
源とすることが望ましい。さらに、基板4上に堆積した
膜の結晶化の促進と高エネルギーの加速イオン12による
膜中の欠陥の増加及び膜の非晶質化の防止を同時に満た
すために、好ましくは1eVから200eVの運動エネ
ルギーを持つ加速イオン12を基板4表面に入射させるこ
とが望ましい。さらに好ましくは、10eV〜40eV
の運動エネルギーを持つ加速イオン12を用いることが望
ましい。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0017
【補正方法】変更
【補正内容】
【0017】一方、本発明に係る電子ビーム励起プラズ
マ装置としては、図2に示すものが知られている。但
し、図1と同部材は同符号を付して説明を省略する。図
2では、プラズマ発生装置20は、プラズマ発生室21と、
このプラズマ発生室21と接続した希ガス導入管22と、前
記プラズマ発生室21内の上部に配置され、希ガスプラズ
マ23を発生させるためのフィラメント24と、前記プラズ
マ発生室21と接続した差動排気口25と、前記プラズマ発
生室21内に配置され、希ガスから電子ビーム26を引き出
すための電子ビーム加速電極27と、前記プラズマ発生室
21の外周側に配置され、電子ビーム26を絞るための電子
ビーム収束磁場コイル28から構成されている。
マ装置としては、図2に示すものが知られている。但
し、図1と同部材は同符号を付して説明を省略する。図
2では、プラズマ発生装置20は、プラズマ発生室21と、
このプラズマ発生室21と接続した希ガス導入管22と、前
記プラズマ発生室21内の上部に配置され、希ガスプラズ
マ23を発生させるためのフィラメント24と、前記プラズ
マ発生室21と接続した差動排気口25と、前記プラズマ発
生室21内に配置され、希ガスから電子ビーム26を引き出
すための電子ビーム加速電極27と、前記プラズマ発生室
21の外周側に配置され、電子ビーム26を絞るための電子
ビーム収束磁場コイル28から構成されている。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0018
【補正方法】変更
【補正内容】
【0018】
【実施例】以下、この発明の具体的な実施例を図2を参
照して説明する。まず、成膜前に基板4として透明電極
膜である酸化錫(SnO2 )を表面に形成してあるガラ
ス基板を、成膜室1内の基板ホルダー6に保持されたバ
イアス電極5上に設置した。次に、真空排気口9から成
膜室1内を1×10-8Torr以下の真空度に排気す
る。ここで、バイアス電極5にはバイアス電源7として
1MHzの高周波バイアス電源を接続した。成膜中、基
板4を基板ホルダー6を構成するヒーターにより200
℃、400℃及び600℃の各温度に保持した。プラズ
マ発生装置21に希ガス導入管22を通じてArガスを導入
し、フィラメント24に5A以下の電流を流すことによ
り、プラズマ発生装置21中に希ガスプラズマ23を発生さ
せた。
照して説明する。まず、成膜前に基板4として透明電極
膜である酸化錫(SnO2 )を表面に形成してあるガラ
ス基板を、成膜室1内の基板ホルダー6に保持されたバ
イアス電極5上に設置した。次に、真空排気口9から成
膜室1内を1×10-8Torr以下の真空度に排気す
る。ここで、バイアス電極5にはバイアス電源7として
1MHzの高周波バイアス電源を接続した。成膜中、基
板4を基板ホルダー6を構成するヒーターにより200
℃、400℃及び600℃の各温度に保持した。プラズ
マ発生装置21に希ガス導入管22を通じてArガスを導入
し、フィラメント24に5A以下の電流を流すことによ
り、プラズマ発生装置21中に希ガスプラズマ23を発生さ
せた。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0019
【補正方法】変更
【補正内容】
【0019】次に、電子ビーム加速電極27に電圧を印加
すると共に、電子ビーム収束磁場コイル28に流す電流を
調整することにより、プラズマ発生装置20のプラズマ発
生室21から成膜室1中へ1A〜5Aの電流量の電子ビー
ム26を入射させた。そして、原料ガス導入管10から成膜
室1内に導入した原料ガス8に、電子ビーム26を照射す
ることにより、原料ガス8内に原料ガスプラズマ13が発
生した。ここで、原料ガス8は100%のジシランガス
(Si2 H6 )を用いた。成膜中、成膜室1内の原料ガ
ス8の圧力は1mTorrに保持した。このとき、プラ
ズマ発生装置20に設けた差動排気口25から真空排気する
ことにより、成膜室1内空間とプラズマ発生室21内空間
のガスが相互に混入することを防いでいる。
すると共に、電子ビーム収束磁場コイル28に流す電流を
調整することにより、プラズマ発生装置20のプラズマ発
生室21から成膜室1中へ1A〜5Aの電流量の電子ビー
ム26を入射させた。そして、原料ガス導入管10から成膜
室1内に導入した原料ガス8に、電子ビーム26を照射す
ることにより、原料ガス8内に原料ガスプラズマ13が発
生した。ここで、原料ガス8は100%のジシランガス
(Si2 H6 )を用いた。成膜中、成膜室1内の原料ガ
ス8の圧力は1mTorrに保持した。このとき、プラ
ズマ発生装置20に設けた差動排気口25から真空排気する
ことにより、成膜室1内空間とプラズマ発生室21内空間
のガスが相互に混入することを防いでいる。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0020
【補正方法】変更
【補正内容】
【0020】原料ガスプラズマ13内には原料ガス8から
分解・生成されたSi2 H4 + やSiH2 + などのイオ
ンが大量に発生しており、バイアス電源7を用いてバイ
アス電極4に1MHzの高周波バイアスを印加すること
により、基板4表面に加速イオン12のエネルギーを制御
し、成膜中は一定の値に保持した。同時に供給された原
料ガスプラズマ13からも基板4上にシリコン膜を堆積さ
せた。このとき、基板4に入射させた加速イオン12の持
つエネルギーによりシリコン膜の結晶化が進行した。本
実施例で成膜された多結晶シリコン薄膜の粒径(μm)
と加速イオン12のエネルギー(eV)の関係は、図3に
示す通りである。
分解・生成されたSi2 H4 + やSiH2 + などのイオ
ンが大量に発生しており、バイアス電源7を用いてバイ
アス電極4に1MHzの高周波バイアスを印加すること
により、基板4表面に加速イオン12のエネルギーを制御
し、成膜中は一定の値に保持した。同時に供給された原
料ガスプラズマ13からも基板4上にシリコン膜を堆積さ
せた。このとき、基板4に入射させた加速イオン12の持
つエネルギーによりシリコン膜の結晶化が進行した。本
実施例で成膜された多結晶シリコン薄膜の粒径(μm)
と加速イオン12のエネルギー(eV)の関係は、図3に
示す通りである。
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0023
【補正方法】変更
【補正内容】
【0023】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、プ
ラズマCVD法によって原料ガスプラズマから結晶化に
適したエネルギーのイオンを基板表面上に入射させなが
ら成膜を行う構成とすることにより、単結晶シリコン薄
膜や大粒径の多結晶シリコン薄膜を成膜可能な単結晶シ
リコン薄膜と多結晶シリコン薄膜の製造方法を提供でき
る。
ラズマCVD法によって原料ガスプラズマから結晶化に
適したエネルギーのイオンを基板表面上に入射させなが
ら成膜を行う構成とすることにより、単結晶シリコン薄
膜や大粒径の多結晶シリコン薄膜を成膜可能な単結晶シ
リコン薄膜と多結晶シリコン薄膜の製造方法を提供でき
る。
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る単結晶シリコン薄膜と多結晶シリ
コン薄膜の製造方法に使用されるプラズマ装置の説明
図。
コン薄膜の製造方法に使用されるプラズマ装置の説明
図。
【図2】本発明に係る単結晶シリコン薄膜と多結晶シリ
コン薄膜の製造方法に使用される電子ビーム励起プラズ
マ装置の説明図。
コン薄膜の製造方法に使用される電子ビーム励起プラズ
マ装置の説明図。
【図3】従来及び本発明に係るプラズマCVD法による
成膜中に入射した加速イオンと多結晶シリコン薄膜の粒
径との関係を示す特性図。
成膜中に入射した加速イオンと多結晶シリコン薄膜の粒
径との関係を示す特性図。
【符号の説明】 1…成膜室、 2、21…プラズマ発生室、 3,20…プラズマ発生装置、 4…基板、 5…バイアス電極、 6…基板ホルダー、 7…バイアス電源、 8…原料ガス、 9…真空排気口、 10…原料ガス導入管、 11…磁場コイル、 12…加速イオン、 13…原料ガスプラズマ、 22…希ガス導入管、 23…希ガスプラズマ、 24…フィラメント、 25…差動排気口、 26…電子ビーム、 27…電子ビーム加速電極、 28…電子ビーム収束磁場コイル。
【手続補正11】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【手続補正12】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
Claims (2)
- 【請求項1】 内部に基板を載置する成膜室と、この成
膜室と連通するプラズマ発生室を有するプラズマ発生装
置を用いて、前記基板上に単結晶シリコン薄膜又は多結
晶シリコン薄膜を成膜する単結晶シリコン薄膜と多結晶
シリコン薄膜の製造方法において、 プラズマ化学気相成長法によって原料ガスプラズマから
結晶化に適したエネルギーのイオンを前記基板表面上に
入射させながら成膜を行う単結晶シリコン薄膜と多結晶
シリコン薄膜の製造方法。 - 【請求項2】 プラズマとして電子ビーム励起プラズマ
を用いることを特徴とする請求項1記載の単結晶シリコ
ン薄膜と多結晶シリコン薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10059888A JPH11260726A (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 単結晶シリコン薄膜と多結晶シリコン薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10059888A JPH11260726A (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 単結晶シリコン薄膜と多結晶シリコン薄膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11260726A true JPH11260726A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13126122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10059888A Pending JPH11260726A (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 単結晶シリコン薄膜と多結晶シリコン薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11260726A (ja) |
-
1998
- 1998-03-11 JP JP10059888A patent/JPH11260726A/ja active Pending
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Date | Code | Title | Description |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030415 |