JPS60244019A - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
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- JPS60244019A JPS60244019A JP9871784A JP9871784A JPS60244019A JP S60244019 A JPS60244019 A JP S60244019A JP 9871784 A JP9871784 A JP 9871784A JP 9871784 A JP9871784 A JP 9871784A JP S60244019 A JPS60244019 A JP S60244019A
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- JP
- Japan
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- substrate
- vapor deposition
- chemical vapor
- orbital
- deposition method
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光を利用した化学気相成長（ＣＶＤ）のプロセ
スに関する。さらに詳しくは、光として軌道放射光（Ｓ
ＯＲ）＝に利用するＣＶＤプロセスに関する。
スに関する。さらに詳しくは、光として軌道放射光（Ｓ
ＯＲ）＝に利用するＣＶＤプロセスに関する。
半導体プロセスの低温化技術として、光誘起化学反応を
利用した化学気相成長技術が有望視されている。化学反
応を促進させるために、プロセス用光源としては、光強
度の強いものを用いるのが通例であり、ＡｒＦやＫｒＦ
などのエキシマ−レーザーや赤外領域で高出力の得られ
るＣＯ２レーザーを利用するプロセス技術の開発が活発
である。
利用した化学気相成長技術が有望視されている。化学反
応を促進させるために、プロセス用光源としては、光強
度の強いものを用いるのが通例であり、ＡｒＦやＫｒＦ
などのエキシマ−レーザーや赤外領域で高出力の得られ
るＣＯ２レーザーを利用するプロセス技術の開発が活発
である。
しかしながら、レーザー光は光束に広がりがないことか
ら、基板面上において局所的に化学反応を行わせるには
有効であるが、基板面全面に所望のＣＶＤ膜を形成する
ことは困難であった。
ら、基板面上において局所的に化学反応を行わせるには
有効であるが、基板面全面に所望のＣＶＤ膜を形成する
ことは困難であった。
したがって、本発明の目的は、上記欠点を除去し基板面
全面に所望のＣＶＤ膜を形成し得る化学気相成長方法を
提供することにある。
全面に所望のＣＶＤ膜を形成し得る化学気相成長方法を
提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明においては、光ＣＶ
Ｄ用光源として軌道放射光（８０Ｒ）を利用する。軌道
放射光は、光速に近い速さの電子が加速度運動をすると
きに軌道の接線方向に放射される電磁波であり、Ｘ線か
ら紫外・可視領域に亘る広い波長域で強力な連続スベク
を発する。このような軌道放射光を半導体リソグラフィ
ーのプロセスに応用する技術の開発は進められ、詳細は
応用物理、第５３巻、第１号、１７ページ、１９８４年
に記述されている。まだ、軌道放射光を利用した光ＣＶ
Ｄの技術も知られている（Ｍａｌｅｒｉａｌｓｌ（、ｅ
３ｅａｒｃｈ ８ｏＣｉｅｔＹ、 １９８３Ａｎｎｕａ
ｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ。
Ｄ用光源として軌道放射光（８０Ｒ）を利用する。軌道
放射光は、光速に近い速さの電子が加速度運動をすると
きに軌道の接線方向に放射される電磁波であり、Ｘ線か
ら紫外・可視領域に亘る広い波長域で強力な連続スベク
を発する。このような軌道放射光を半導体リソグラフィ
ーのプロセスに応用する技術の開発は進められ、詳細は
応用物理、第５３巻、第１号、１７ページ、１９８４年
に記述されている。まだ、軌道放射光を利用した光ＣＶ
Ｄの技術も知られている（Ｍａｌｅｒｉａｌｓｌ（、ｅ
３ｅａｒｃｈ ８ｏＣｉｅｔＹ、 １９８３Ａｎｎｕａ
ｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ。
Ｎｏｖｅｍｂｅｒ、 Ｂｏｓｔｏｎ 、講演要旨集３７
４ページ。
４ページ。
Ｈｌ、５）。
第１図は、シンクロトロンまたはストレージ・リングか
ら放射する軌道放射光の出射状況を示したものである。
ら放射する軌道放射光の出射状況を示したものである。
ストレーシーリング１から放射される放射光２は、電子
軌道面に垂直な方向には鋭く収束し、水平方向には輝度
分布がほぼ均一な扇形に広がった細長いスリット状の光
３として取り出すことができる。水平方向の光ビームの
長さは、光取出し窓の形状寸法で規制されるが、ビーム
ラインの長さを約１０ｍ程度に増れば、１０〜１２ｍと
することができる。したがって、直径４〜５インチの基
板４を電子軌道面に垂面な位置に設置すれば、第１図に
示すように、スリット状の光ビーム３の長さは基板の直
径よりも大きくなる。このことは知られていることであ
り、たとえば０１）ＩＩｓＥ誌、１９８１年１月号、４
５ページの記事にη己されている。
軌道面に垂直な方向には鋭く収束し、水平方向には輝度
分布がほぼ均一な扇形に広がった細長いスリット状の光
３として取り出すことができる。水平方向の光ビームの
長さは、光取出し窓の形状寸法で規制されるが、ビーム
ラインの長さを約１０ｍ程度に増れば、１０〜１２ｍと
することができる。したがって、直径４〜５インチの基
板４を電子軌道面に垂面な位置に設置すれば、第１図に
示すように、スリット状の光ビーム３の長さは基板の直
径よりも大きくなる。このことは知られていることであ
り、たとえば０１）ＩＩｓＥ誌、１９８１年１月号、４
５ページの記事にη己されている。
本発明による化学気相成長方法は、基板を内在し、かつ
、光化学反応により化学気相成長膜を形成せしめるだめ
の原料ガスの導入部と反応ガスを排気するだめのガス排
気部と光化学反応を誘起する光ビームの透過窓とを有す
る反応室を用い透過窓を通して反応室内に電子軌道面に
垂直々方向に鋭く収束しかつスリット状に伸びた軌道放
射光を導入し、反応ガスとの相互作用の結果、基板上に
化学気相成長膜を形成するようにしたことを特徴として
いる。
、光化学反応により化学気相成長膜を形成せしめるだめ
の原料ガスの導入部と反応ガスを排気するだめのガス排
気部と光化学反応を誘起する光ビームの透過窓とを有す
る反応室を用い透過窓を通して反応室内に電子軌道面に
垂直々方向に鋭く収束しかつスリット状に伸びた軌道放
射光を導入し、反応ガスとの相互作用の結果、基板上に
化学気相成長膜を形成するようにしたことを特徴として
いる。
以下、図面を使って詳細に説明を行う。第２図は本発明
方法を実施する装置の一実施例であり、軌道放射光２に
より光化学反応を誘起し、シリコンウエハー基板６上に
シリコン膜を被着させるプロセスの概要を示している。
方法を実施する装置の一実施例であり、軌道放射光２に
より光化学反応を誘起し、シリコンウエハー基板６上に
シリコン膜を被着させるプロセスの概要を示している。
反応室５内にはシリコンウェハー基板６が設置されてる
。基板６はヒーターにより所望の温度に加熱できるよう
になっている。７はガス導入部であり、Ａｒで希釈した
モノシランガスを反応室５に導いている。８は排気管で
あり、反応ガスを系外に排気するためのものである。ス
トレージ・リング（図示せず）から放射された軌道放射
光２は、電子軌道面に垂直な方向に鋭く収束し、細長い
スリット状の光３′として入射窓９を通過したのち、出
射窓ｌｏ上を同じく細長いスリット状の光３″として系
外に出る。
。基板６はヒーターにより所望の温度に加熱できるよう
になっている。７はガス導入部であり、Ａｒで希釈した
モノシランガスを反応室５に導いている。８は排気管で
あり、反応ガスを系外に排気するためのものである。ス
トレージ・リング（図示せず）から放射された軌道放射
光２は、電子軌道面に垂直な方向に鋭く収束し、細長い
スリット状の光３′として入射窓９を通過したのち、出
射窓ｌｏ上を同じく細長いスリット状の光３″として系
外に出る。
基板６は、板状の軌道放射光２にほぼ平行に設置されて
おり、図には示されていないが本装置には基板６とビー
ムとの距離を調節できる機能を備えることが望ましい。
おり、図には示されていないが本装置には基板６とビー
ムとの距離を調節できる機能を備えることが望ましい。
第３図は、第２図の実施例における板状の軌道放射光３
とシリコンウェハー基板６との相対的な関係を示す説明
図である。ストレージ・リングから放射された光は、ビ
ームラインを通過する間に、水平面では、扇形に広がっ
てゆく。そして、反応室５内に設置された基板６の近く
では、基板直径と同程度かもしくは基板直径より幅の広
いビーム３として通過する。軌道放射光３の入射に伴い
モノシランガスが分解し、基板６上には良質のシリコン
膜が形成する。
とシリコンウェハー基板６との相対的な関係を示す説明
図である。ストレージ・リングから放射された光は、ビ
ームラインを通過する間に、水平面では、扇形に広がっ
てゆく。そして、反応室５内に設置された基板６の近く
では、基板直径と同程度かもしくは基板直径より幅の広
いビーム３として通過する。軌道放射光３の入射に伴い
モノシランガスが分解し、基板６上には良質のシリコン
膜が形成する。
第４図は、本発明の別の実施例であり、複数枚の基板１
２〜１６（図では同時に５枚）に対しＣＶＤ膜を同時に
形成する機能をもたせたものである。試料台１１上には
基板５枚（番号１２〜１６）が搭載されており、番号１
２〜１６すべでの基板に対して第３図に示した相対的な
位置関係で、嬶い板状の軌道放射光３が通過している。
２〜１６（図では同時に５枚）に対しＣＶＤ膜を同時に
形成する機能をもたせたものである。試料台１１上には
基板５枚（番号１２〜１６）が搭載されており、番号１
２〜１６すべでの基板に対して第３図に示した相対的な
位置関係で、嬶い板状の軌道放射光３が通過している。
番号１２〜１６の卑板上にＣＶＤ膜が形成されると、試
料台１１が移動し、別の試料台１７上に搭載された基板
１２′〜１６′が、薄い帯状の軌道放射光２の下に位置
し、新たに基板１２′〜１６′上にＣＶＤ膜が形成され
る。このプロセスを繰り返すことによって、連続的にＣ
ＶＤ膜を形成させることができる。第４図においては、
軌道放射光２は基板１２の側から基板１６の方向に進む
。゛その間、反応室内に導入され九〇ＶＤ形成のための
原料ガス等と相互作用をする結果軌道放射光が基板１２
から１６へと通過する間に強度は徐々に減衰する。その
ため、基板１２〜１６上に形成されるＣＶＤ、ｌＩ−の
厚さは、基板により異なり、不均一なものとなる。これ
を回避するために、第４図に示した処理を行ったのち、
試料台１１を１８０度回転し、軌道放射光３を照射して
再度、ＣＶＤ膜形成を行えば、基板１２〜１６上にほぼ
均一なＮさのＣＶＤ膜を形成することができる。
料台１１が移動し、別の試料台１７上に搭載された基板
１２′〜１６′が、薄い帯状の軌道放射光２の下に位置
し、新たに基板１２′〜１６′上にＣＶＤ膜が形成され
る。このプロセスを繰り返すことによって、連続的にＣ
ＶＤ膜を形成させることができる。第４図においては、
軌道放射光２は基板１２の側から基板１６の方向に進む
。゛その間、反応室内に導入され九〇ＶＤ形成のための
原料ガス等と相互作用をする結果軌道放射光が基板１２
から１６へと通過する間に強度は徐々に減衰する。その
ため、基板１２〜１６上に形成されるＣＶＤ、ｌＩ−の
厚さは、基板により異なり、不均一なものとなる。これ
を回避するために、第４図に示した処理を行ったのち、
試料台１１を１８０度回転し、軌道放射光３を照射して
再度、ＣＶＤ膜形成を行えば、基板１２〜１６上にほぼ
均一なＮさのＣＶＤ膜を形成することができる。
第５図は、本発明の第３の実施例であり、第４図の実施
例と同様、複数枚の基板に対してＣＶＤ膜を同時に形成
する機能をもたせたものである。
例と同様、複数枚の基板に対してＣＶＤ膜を同時に形成
する機能をもたせたものである。
試料台１８には基板５枚（番号１９〜２３）が搭載され
ており、各基板は薄い板状の軌道放射光３に対してほぼ
平行に設置されている。試料台１８は回転機構を備えて
いるため、一定時間の光ＣＶＤ反応を行わせると、基板
１９〜２３には、はぼ均一な厚さのＣＶＤ膜が形成する
。番号１９〜２３（９） の基板上にＣＶＤ膜が形成されると、試料台１８が移動
し、別の試料台１９上に搭載された基板１９′〜２３′
が板状の軌道放射光３の下に位置し、新たに基板１９′
〜２３′上にＣＶＤ膜が形成される。このプロセスを繰
り返すことによって、連続的にＣＶＤ膜を形成させるこ
とができる。
ており、各基板は薄い板状の軌道放射光３に対してほぼ
平行に設置されている。試料台１８は回転機構を備えて
いるため、一定時間の光ＣＶＤ反応を行わせると、基板
１９〜２３には、はぼ均一な厚さのＣＶＤ膜が形成する
。番号１９〜２３（９） の基板上にＣＶＤ膜が形成されると、試料台１８が移動
し、別の試料台１９上に搭載された基板１９′〜２３′
が板状の軌道放射光３の下に位置し、新たに基板１９′
〜２３′上にＣＶＤ膜が形成される。このプロセスを繰
り返すことによって、連続的にＣＶＤ膜を形成させるこ
とができる。
第６図は本発明の第４の実施伊であり、板状の軌道放射
光３に対して垂直乃至はほぼ垂直の状態で基板２８を設
置し、光ＣＶＤ膜を形成するプロセスの部分構成図であ
る。板状の軌道放射光２は、反応室に設けられた窓２４
を通過したのち、基板搬送機構２５に設置された基板２
８上を薄い帯状に照射する。基板２８の光照射部２６に
は、ＣＶＤ膜が形成する。光を照射しながら搬送機構２
５を矢印３０の方向に移動させることにより、基板２７
．２８．２９と連続的に基板上に光ＣＶＤ膜を形成する
ことができる。
光３に対して垂直乃至はほぼ垂直の状態で基板２８を設
置し、光ＣＶＤ膜を形成するプロセスの部分構成図であ
る。板状の軌道放射光２は、反応室に設けられた窓２４
を通過したのち、基板搬送機構２５に設置された基板２
８上を薄い帯状に照射する。基板２８の光照射部２６に
は、ＣＶＤ膜が形成する。光を照射しながら搬送機構２
５を矢印３０の方向に移動させることにより、基板２７
．２８．２９と連続的に基板上に光ＣＶＤ膜を形成する
ことができる。
第７図は本発明の第５の実施例であり、基板上にＣＶＤ
膜を連続的に形成する方法を示している。
膜を連続的に形成する方法を示している。
基板搬送機構３６に搭載された基板３１〜３４は、（１
０） 板状の軌道放射光３とほぼ平行に設置され、矢印３５の
方向に移動している。軌道放射光２は、反応室に設けら
れた窓３７を通過したのち、反応室内のガスと反応して
成板上に所望の膜を形成させる。基板搬送機構３６の移
動に伴い、基板３１〜３４上に連続的にＣＶＤ膜形成を
形成することができる。第７図の実施例においては、搬
送機構３６を停止させず連続運転稼働する方法が有効で
ある。
０） 板状の軌道放射光３とほぼ平行に設置され、矢印３５の
方向に移動している。軌道放射光２は、反応室に設けら
れた窓３７を通過したのち、反応室内のガスと反応して
成板上に所望の膜を形成させる。基板搬送機構３６の移
動に伴い、基板３１〜３４上に連続的にＣＶＤ膜形成を
形成することができる。第７図の実施例においては、搬
送機構３６を停止させず連続運転稼働する方法が有効で
ある。
まだ、第３図に示したように、軌道放射光３０幅が基板
直径に等しいか、もしくは基板直径より大きくなる位置
にきたときに搬送機構３６をいったん停止させて基板３
１上にＣＶＤ膜を形成させる過程を設け、つぎにふたた
び搬送機構３６を動かし、基板３２が第３図に示した状
態になった時点で再度停止し、基板３２上にＣＶ Ｄ
＋Ｉｌを形成するシーケンシャルな方法も有効である。
直径に等しいか、もしくは基板直径より大きくなる位置
にきたときに搬送機構３６をいったん停止させて基板３
１上にＣＶＤ膜を形成させる過程を設け、つぎにふたた
び搬送機構３６を動かし、基板３２が第３図に示した状
態になった時点で再度停止し、基板３２上にＣＶ Ｄ
＋Ｉｌを形成するシーケンシャルな方法も有効である。
本発明の結果、レーザーを用いる光ＣＶＤ法では置部で
あった、基板面全面へのＣＶＤ膜形成が容易となると共
に、光ＣＶＤ法による膜形成の効（１１） 率を高め、多数の基板上に所望のＣＶＤ膜を形成するこ
とが可能となった。
あった、基板面全面へのＣＶＤ膜形成が容易となると共
に、光ＣＶＤ法による膜形成の効（１１） 率を高め、多数の基板上に所望のＣＶＤ膜を形成するこ
とが可能となった。
第１図は軌道放射光の説明図、第２図は本発明による軌
道放射光を利用する光ＣＶＤの装置構成図、第３図は軌
道放射光と基板との相対的な関係を示す説明図、第４図
〜第７図は軌道放射光を利用する光ＣＶＤ装置の部分構
成図である。 １・・・ストレージ・リング、２・・・軌道放射光、３
゜３′、３“、２６・・・スリット状の軌道放射光断面
、４．６．１２〜１６．１２’〜１６’、１９〜２３．
１９’〜２３’ 、２７〜２９．３１〜３４・・・基板
、５・・・反応室、７・・・ガス導入部、８・・・排気
管、９，１０，２４．３７・・・窓、１１．１７゜１８
．１９・・・試料台、２５．３６・・・基板搬送機構、
３０．３５・・・基板の進行方向。 （１２） 第 ３ 図 ％ ４ａ 、。 第５図 員２図 第 ７ 図 ３１ ３３５ ２３′ 、、、 ■Ｑ ″′
道放射光を利用する光ＣＶＤの装置構成図、第３図は軌
道放射光と基板との相対的な関係を示す説明図、第４図
〜第７図は軌道放射光を利用する光ＣＶＤ装置の部分構
成図である。 １・・・ストレージ・リング、２・・・軌道放射光、３
゜３′、３“、２６・・・スリット状の軌道放射光断面
、４．６．１２〜１６．１２’〜１６’、１９〜２３．
１９’〜２３’ 、２７〜２９．３１〜３４・・・基板
、５・・・反応室、７・・・ガス導入部、８・・・排気
管、９，１０，２４．３７・・・窓、１１．１７゜１８
．１９・・・試料台、２５．３６・・・基板搬送機構、
３０．３５・・・基板の進行方向。 （１２） 第 ３ 図 ％ ４ａ 、。 第５図 員２図 第 ７ 図 ３１ ３３５ ２３′ 、、、 ■Ｑ ″′
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板を内在し、かつ、光化学反応により化学気相成
長膜を形成せしめるだめの原料ガスの導入部と反応ガス
を排気するだめのガス排気部と上記光化学反応を誘起す
る光ビームの透迎窓とを有する反応室を用い、上記透過
窓を通して上記反応室内に電子軌道面に垂直な方向に鋭
く収束し、かつスリット状に伸びた軌道放射光を導入し
、上記反応ガスとの相互作用の結果上記基板上に化学気
相成長膜を形成することを特徴とする化学気相成長方法
。 ２、上記軌道放射光が電子軌道面に沿って扇形に広がる
軌道放射光であり、かつ、上記扇形軌道放射光の幅が上
記基板の直径に等しいかもしくは上記基板の直径より大
きくなる位置に上記基板を設置せしめることを特徴とす
る特許請求の帥囲第１項記載の化学気相成長方法。 ３、上記扇形板状め光ビームに平行乃至は準平行に上記
基板を設置することを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の化学気相成長方法。 ４、上記軌道放射光の直進方向に垂直に上記基板を設置
することを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の化学
気相成長方法。 ５、上記扇形板状の光ビームに平行乃至は準平行に上記
基板を複数枚設置することを特徴とする特許請求の範囲
第２項記載の化学気相成長方法。 ６、上記扇形板状の元ビームに平行乃至は準平行に複数
の上記基板ｔｈ置して化学気相成長を行わせる第１のス
テップと、上記第１のステップが終了後、上記基板の向
きを１８０°変換して再度上記化学気相成長を行わせる
第２のステップとを有することを特徴とする特許請求の
範囲第２項記載の化学気相成長方法。 ７、上記扇形板状の光ビームに千行乃芋は準平行に複数
の上記基板をターンテーブル上に設置することを特徴と
する特許請求の範囲第２項記順の化学気相成長方法。 ８、上記光の直進する方向に垂頂な面に上記基板を設置
し、化学気相成長膜を形成する間前記垂直な面に沿って
上記基板を移動させることを特徴とする特許請求の範囲
第２項記載の化学気相成長方法。 ９、上記扇形板状の光ビームに平行乃至は準平行の状態
に上記基板を設置し、化学気相成長膜を形成する間、上
記光ビームに平行な状態に上記基板を保ちながら上記基
板を移動させることを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の化学気相成長方法。 １０、連続的に上記基板を搬送するための機構を備えた
ことを特徴とする特許請求の範囲第８あるいは９項記載
の化学気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59098717A JPH0654753B2 (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59098717A JPH0654753B2 (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60244019A true JPS60244019A (ja) | 1985-12-03 |
| JPH0654753B2 JPH0654753B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=14227271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59098717A Expired - Lifetime JPH0654753B2 (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654753B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61219129A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | シンクロトロン放射光による光化学気相蒸着法 |
| JPS62174923A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-07-31 | Hitachi Ltd | 枚葉式薄膜形成法および薄膜形成装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59194425A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光化学気相成膜装置 |
| JPS60211850A (ja) * | 1984-04-05 | 1985-10-24 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 絶縁膜パタ−ンの形成方法 |
| JPS60216558A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 表面洗浄方法 |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP59098717A patent/JPH0654753B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0654753B2 (ja) | 1994-07-20 |
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