JPH01149426A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01149426A JPH01149426A JP30790687A JP30790687A JPH01149426A JP H01149426 A JPH01149426 A JP H01149426A JP 30790687 A JP30790687 A JP 30790687A JP 30790687 A JP30790687 A JP 30790687A JP H01149426 A JPH01149426 A JP H01149426A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 14
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 11
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 241000931705 Cicada Species 0.000 description 1
- PLQDLOBGKJCDSZ-UHFFFAOYSA-N Cypromid Chemical compound C1=C(Cl)C(Cl)=CC=C1NC(=O)C1CC1 PLQDLOBGKJCDSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002492 Rungia klossii Nutrition 0.000 description 1
- 244000117054 Rungia klossii Species 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/488—Protection of windows for introduction of radiation into the coating chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言え
ば、反応混合ガスにレーザ光を照射し、該反応混合ガス
を分解、反応させて反応生成物を生成し、該反応生成物
を被堆積基板に堆積させるレーザＣＶＤ技術を用いた堆
積膜の形成方法に関し、 レーザ光のビームラインの調整が容易でかつ質のよい均
一な堆積膜を速い堆積速度で形成することを目的とし、 反応混合ガスにレーザ光を照射し、該反応混合ガスを分
解、反応させて反応生成物を生成し、該反応生成物を被
堆積基板の表面上に堆積させるレーザＣＶＤ技術を用い
た堆積膜の形成方法において、 前記レーザ光の進行方向において該レーザ光のビーム範
囲内に前記被堆積基板をすべて含むように、該レーザ光
を前記被堆積基板表面に対して低角度で照射させる工程
を含み構成する。
ば、反応混合ガスにレーザ光を照射し、該反応混合ガス
を分解、反応させて反応生成物を生成し、該反応生成物
を被堆積基板に堆積させるレーザＣＶＤ技術を用いた堆
積膜の形成方法に関し、 レーザ光のビームラインの調整が容易でかつ質のよい均
一な堆積膜を速い堆積速度で形成することを目的とし、 反応混合ガスにレーザ光を照射し、該反応混合ガスを分
解、反応させて反応生成物を生成し、該反応生成物を被
堆積基板の表面上に堆積させるレーザＣＶＤ技術を用い
た堆積膜の形成方法において、 前記レーザ光の進行方向において該レーザ光のビーム範
囲内に前記被堆積基板をすべて含むように、該レーザ光
を前記被堆積基板表面に対して低角度で照射させる工程
を含み構成する。
本発明は半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言え
ば、反応混合ガスにレーザ光を照射し、該反応混合ガス
を分解、反応させて反応生成物を生成し、該反応生成物
を被堆積基板に堆積させるレーザＣＶＤ技術を用いた堆
積膜の形成方法に関する。
ば、反応混合ガスにレーザ光を照射し、該反応混合ガス
を分解、反応させて反応生成物を生成し、該反応生成物
を被堆積基板に堆積させるレーザＣＶＤ技術を用いた堆
積膜の形成方法に関する。
従来よりポリシリコンや酸化物を半導体基板などに堆積
膜を形成する技術として外部よりの電気的な加熱により
反応生成物を生成し、堆積させる技術がある。
膜を形成する技術として外部よりの電気的な加熱により
反応生成物を生成し、堆積させる技術がある。
本発明に係るレーザＣＶＤ技術は、比較的新しく今後半
導体分野をはじめとして広い応用が期待される。
導体分野をはじめとして広い応用が期待される。
第４図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）は従来のレーザ
ＣＶＤ技術を用いた堆積膜の形成方法を示す模式断面図
である。
ＣＶＤ技術を用いた堆積膜の形成方法を示す模式断面図
である。
図において、１０１は被堆積基板、１０２はレーザ光を
絞るためのレンズ系を示す。（ａ）はレーザ光を被堆積
基板１０１に対して水平に照射する水平照射の場合、（
ｂ）はレーザ光を被堆積基板１０１に対して垂直に照射
する垂直照射の場合、（Ｃ）はレーザ光を被堆積基板１
０１に対して４５°の角度をもって照射する４５°傾斜
照射の場合をあられす。
絞るためのレンズ系を示す。（ａ）はレーザ光を被堆積
基板１０１に対して水平に照射する水平照射の場合、（
ｂ）はレーザ光を被堆積基板１０１に対して垂直に照射
する垂直照射の場合、（Ｃ）はレーザ光を被堆積基板１
０１に対して４５°の角度をもって照射する４５°傾斜
照射の場合をあられす。
従来は上記の三種類の方法のいずれかを用いて堆積膜が
形成されていた。
形成されていた。
しかし上述の各々の従来方法によると次のような問題点
がある。
がある。
（ａ）水平照射による方法
レーザ光と被堆積基板１０１との間隔の設定が難しく、
該間隔を広げすぎるとパウダー状の反応生成物が生成、
堆積し、堆積速度の低下が生ずる又反応生成物が上方か
ら堆積していくので、被堆積基板１０１に凹凸がある場
合はステップカバレージが悪くなる。
該間隔を広げすぎるとパウダー状の反応生成物が生成、
堆積し、堆積速度の低下が生ずる又反応生成物が上方か
ら堆積していくので、被堆積基板１０１に凹凸がある場
合はステップカバレージが悪くなる。
本方法において堆積速度を上げるためには特殊なレンズ
系１０２によりレーザ光を絞って単位面積当たりのエネ
ルギーを上げる必要があり、装置が大きり？３を雑にな
る。
系１０２によりレーザ光を絞って単位面積当たりのエネ
ルギーを上げる必要があり、装置が大きり？３を雑にな
る。
（ｂ）垂直照射による方法
照射面積はレーザ光のビームサイズに対応するので狭く
、これを広げるにはレーザビームサイズを拡大しなけれ
ばならないが、このようにすると単位面積当たりのエネ
ルギーが下がり、堆積速度の低下又は反応生成物が生成
しない場合が起こる。
、これを広げるにはレーザビームサイズを拡大しなけれ
ばならないが、このようにすると単位面積当たりのエネ
ルギーが下がり、堆積速度の低下又は反応生成物が生成
しない場合が起こる。
（Ｃ）４５°傾斜照射による方法
（ｂ）の垂直入射の場合と同様な問題が生じる。
Ｃ問題点を解決するための手段）
上記問題点は、反応混合ガスにレーザ光を照射し、該反
応混合ガスを分解、反応させて反応生成物を生成し、該
反応生成物を被堆積基板の表面上に堆積させるレーザＣ
ＶＤ技術を用いた堆積膜の形成方法において、 前記レーザ光の進行方向において該レーザ光のビーム範
囲内に前記被堆積基板をすべて含むように、該レーザ光
を前記被堆積基板表面に対して低角度で照射させる工程
を含むことを特徴とするレーザＣＶＤ技術を用いた堆積
膜の形成方法によって解決される。
応混合ガスを分解、反応させて反応生成物を生成し、該
反応生成物を被堆積基板の表面上に堆積させるレーザＣ
ＶＤ技術を用いた堆積膜の形成方法において、 前記レーザ光の進行方向において該レーザ光のビーム範
囲内に前記被堆積基板をすべて含むように、該レーザ光
を前記被堆積基板表面に対して低角度で照射させる工程
を含むことを特徴とするレーザＣＶＤ技術を用いた堆積
膜の形成方法によって解決される。
（作用〕
即ち本発明は、レーザ光を被堆積基板表面に対して低角
度で照射することによって、単位面積当たりのレーザ光
のエネルギーを低下することなしに照射面積を拡げるこ
とができるので、堆積速度を速くでき、しかも水平照射
の場合のようにレーザ光と被堆積基板との間隔の調整と
いう面倒なことをする必要がなく、良質な堆積膜が得ら
れる。
度で照射することによって、単位面積当たりのレーザ光
のエネルギーを低下することなしに照射面積を拡げるこ
とができるので、堆積速度を速くでき、しかも水平照射
の場合のようにレーザ光と被堆積基板との間隔の調整と
いう面倒なことをする必要がなく、良質な堆積膜が得ら
れる。
更に被堆積基板表面上に凹凸があっても低角度でレーザ
光を照射することによって、これらの凹凸でレーザ光が
反射をくり返し、凹凸の陰になっている部分や段差のあ
る部分にもレーザ光があたり、ステップカバレージを良
くすることができる。
光を照射することによって、これらの凹凸でレーザ光が
反射をくり返し、凹凸の陰になっている部分や段差のあ
る部分にもレーザ光があたり、ステップカバレージを良
くすることができる。
［実施例〕
以下、本発明を図示の一実施例により具体的に説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例におけるレーザＣ■Ｄ技術を
用いた堆積膜、例えばＳｉＯ□膜の形成方法を示す模式
図で、（ａ）はその断面図、（ｂ）は上から見たその平
面回で、第２図は一実施例におけるステップカバレージ
の改善効果を説明する模式断面図で、第３図は一実施例
における堆積速度に対する効果を従来方法におけるもの
と比較して説明する図である。
用いた堆積膜、例えばＳｉＯ□膜の形成方法を示す模式
図で、（ａ）はその断面図、（ｂ）は上から見たその平
面回で、第２図は一実施例におけるステップカバレージ
の改善効果を説明する模式断面図で、第３図は一実施例
における堆積速度に対する効果を従来方法におけるもの
と比較して説明する図である。
図において、１は被堆積基板、２は堆積膜が形成される
領域を示す。
領域を示す。
第１図（ａ）、（ｂ）に示すように、反応混合ガス（Ｓ
１ＺＨ６＋ＮＺＯ）の含まれる雰囲気中に被堆積基板
１、例えば直径１０ｃｍの平板を適当な位置においてレ
ーザ光、例えばＡｒＦエキシマレーザ光を該被堆積基板
１に対して照射面の長さが少なくとも該被堆積基板１を
すべて含むように、又照射面の幅はレーザ光のビーム幅
例えば４ｃｒａになるように低角度の照射角（タテ１ｃ
ｍのビームで６ｍになる）で照射する。こうすることに
より特別にレーザ光のビームを拡大しなくても単位面積
当たりのレーザ光のエネルギーを一定のまま照射面を拡
くすることができる。そしてレーザ光の照射された堆積
膜が形成される領域２に堆積膜が形成される。
１ＺＨ６＋ＮＺＯ）の含まれる雰囲気中に被堆積基板
１、例えば直径１０ｃｍの平板を適当な位置においてレ
ーザ光、例えばＡｒＦエキシマレーザ光を該被堆積基板
１に対して照射面の長さが少なくとも該被堆積基板１を
すべて含むように、又照射面の幅はレーザ光のビーム幅
例えば４ｃｒａになるように低角度の照射角（タテ１ｃ
ｍのビームで６ｍになる）で照射する。こうすることに
より特別にレーザ光のビームを拡大しなくても単位面積
当たりのレーザ光のエネルギーを一定のまま照射面を拡
くすることができる。そしてレーザ光の照射された堆積
膜が形成される領域２に堆積膜が形成される。
図中のレーザ光のビームの縦の長さがｌ ｃｍの場合、
３インチから６インチの基板１の−＠ｌＯから他端１１
を全てレーザ光で照射するには角度は約１０″〜４°が
必要である。
３インチから６インチの基板１の−＠ｌＯから他端１１
を全てレーザ光で照射するには角度は約１０″〜４°が
必要である。
第３図は出力１２Ｗ、くり返し周波数５０ Ｈｚ、パル
スエネルギー２４０ｍＪのレーザ光を用いた場合の低角
度照射による堆積膜の形成方法における照射時間と堆積
膜厚の関係を、平行照射によるものと比較したグラフで
、本発明による方が堆積速度を速くすることができる。
スエネルギー２４０ｍＪのレーザ光を用いた場合の低角
度照射による堆積膜の形成方法における照射時間と堆積
膜厚の関係を、平行照射によるものと比較したグラフで
、本発明による方が堆積速度を速くすることができる。
更に第２図に示すように、レーザ光を表面に凹凸のある
被堆積基板１に対して低角度で照射することによって、
レーザ光が前記表面の凹凸で反射をくり返し凹凸の陰に
なっている部分や段差のある部分にもレーザ光があたり
、ステップカバレージを良くすることができる。
被堆積基板１に対して低角度で照射することによって、
レーザ光が前記表面の凹凸で反射をくり返し凹凸の陰に
なっている部分や段差のある部分にもレーザ光があたり
、ステップカバレージを良くすることができる。
なお第１図において、レーザ光の照射角の調整と被堆積
基板１の調整は、例えば被堆積基板１のおかれる場所に
レーザ光が照射されると蛍光を発する物質をセットし、
蛍光を観察しながらその位置を確定しておき、次いで被
堆積基板１をその位置にセントすることにより、容易に
行うことができる。
基板１の調整は、例えば被堆積基板１のおかれる場所に
レーザ光が照射されると蛍光を発する物質をセットし、
蛍光を観察しながらその位置を確定しておき、次いで被
堆積基板１をその位置にセントすることにより、容易に
行うことができる。
〔発明の効果］
以上のように本発明によれば、レーザ光のビームライン
の調整が容易で、かつ質のよい均一な堆積膜を速い堆積
速度で形成できる効果がある。
の調整が容易で、かつ質のよい均一な堆積膜を速い堆積
速度で形成できる効果がある。
第１［ｆｆｌ （ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施
例における堆積膜を形成する方法を示す模式図、第２図
は一実施例におけるステップカバレージの改善効果を説
明する模式断面図、 第３図は本発明の一実施例における堆積速度に対する効
果の従来方法に対する比較説明図、第４図は従来方法を
示す模式断面図である。 （符号の説明） １．１０１・・・被堆積基板、 ２・・・堆積膜が形成される領域、 １０２・・・レンズ系。 ４号積グ餌φ−寮３をメダｊ１てお１するＩＨ便モクに
５払１斤、１蝉六゛囮第１図 屏、射綺間 鴻≦ドＲ二ｐ月ａ−”１方ギゴクｉす１てシ引するす色
珂４も−Ｌ４岨１で→（丁子（１７頂２く〕尤芝ネあじ
云１ぐさづ１ろｙｔ枝配ａ明圏第３ 図
例における堆積膜を形成する方法を示す模式図、第２図
は一実施例におけるステップカバレージの改善効果を説
明する模式断面図、 第３図は本発明の一実施例における堆積速度に対する効
果の従来方法に対する比較説明図、第４図は従来方法を
示す模式断面図である。 （符号の説明） １．１０１・・・被堆積基板、 ２・・・堆積膜が形成される領域、 １０２・・・レンズ系。 ４号積グ餌φ−寮３をメダｊ１てお１するＩＨ便モクに
５払１斤、１蝉六゛囮第１図 屏、射綺間 鴻≦ドＲ二ｐ月ａ−”１方ギゴクｉす１てシ引するす色
珂４も−Ｌ４岨１で→（丁子（１７頂２く〕尤芝ネあじ
云１ぐさづ１ろｙｔ枝配ａ明圏第３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 反応混合ガスにレーザ光を照射し、該反応混合ガスを
分解、反応させて反応生成物を生成し、該反応生成物を
被堆積基板の表面上に堆積させるレーザＣＶＤ技術を用
いた堆積膜の形成方法において、 前記レーザ光の進行方向において該レーザ光のビーム範
囲内に前記被堆積基板をすべて含むように、該レーザ光
を前記被堆積基板表面に対して低角度で照射させる工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30790687A JPH01149426A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
| EP19880120152 EP0319021B1 (en) | 1987-12-04 | 1988-12-02 | Apparatus for laser chemical vapour deposition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30790687A JPH01149426A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149426A true JPH01149426A (ja) | 1989-06-12 |
Family
ID=17974593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30790687A Pending JPH01149426A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0319021B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01149426A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2250751B (en) * | 1990-08-24 | 1995-04-12 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Process for the production of dielectric thin films |
| JP2960838B2 (ja) * | 1993-07-30 | 1999-10-12 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| ES2138895B1 (es) * | 1996-12-27 | 2000-11-01 | Univ Vigo | Recubrimientos dobles si/sio2 producidos mediante laser. |
| CN114369815A (zh) * | 2022-01-07 | 2022-04-19 | 武汉理工大学 | 一种高通量制备薄膜或涂层的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61286297A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-16 | Tadatsugu Ito | 化学的気相成長法 |
| JPS62124737A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-06 | Nec Corp | 低圧気相成長装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4782787A (en) * | 1986-01-08 | 1988-11-08 | Roche Gregory A | Apparatus for laser-induced chemical vapor deposition |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP30790687A patent/JPH01149426A/ja active Pending
-
1988
- 1988-12-02 EP EP19880120152 patent/EP0319021B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61286297A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-16 | Tadatsugu Ito | 化学的気相成長法 |
| JPS62124737A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-06 | Nec Corp | 低圧気相成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0319021B1 (en) | 1993-11-18 |
| EP0319021A3 (en) | 1990-04-11 |
| EP0319021A2 (en) | 1989-06-07 |
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