JPS59127840A - 有機膜の堆積方法および堆積装置 - Google Patents
有機膜の堆積方法および堆積装置Info
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- JPS59127840A JPS59127840A JP58003821A JP382183A JPS59127840A JP S59127840 A JPS59127840 A JP S59127840A JP 58003821 A JP58003821 A JP 58003821A JP 382183 A JP382183 A JP 382183A JP S59127840 A JPS59127840 A JP S59127840A
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- organic film
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
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- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は金属、絶縁物、半導体等からなる基体の表面
上に選択的に有機重合膜を堆積形成する方法および装置
に係り、特に基体表面の特定部分をエツチングして所定
の凹凸を形成する技術においてエツチングに対するマス
ク材となる有機膜を基体表面−上に形成する有機膜の堆
積方法および堆積装置に関する。
上に選択的に有機重合膜を堆積形成する方法および装置
に係り、特に基体表面の特定部分をエツチングして所定
の凹凸を形成する技術においてエツチングに対するマス
ク材となる有機膜を基体表面−上に形成する有機膜の堆
積方法および堆積装置に関する。
金属、絶縁物、半導体等からなる基体の表面上の所定部
分に凹凸を形成するｈわゆるエツチング技術においては
、エツチングされずに残るべき領域を予めマスク材で被
う必要がある。このマスク材を形成する方法としては、
従来、光線または電子線の照射によって化学変化を生じ
るいわゆるフォトレジストを基体表面に塗布し、所定領
域のみ光線または電子線を透過するフォトマスクを通し
て光線または電子線をフォトレジストに照射し、しかる
後、現像処理を行なってフォトレゾストの化学変化を生
じた部分と未反応部分との溶解性の差を利用して基体表
面上の所定部分以外のフォトレジストを溶かし去シ、こ
れによって基体上にマスク材を形成する方法がある。と
ころが、この方法ではフォトレジストの塗布、現像を行
なわなければならず、プロセスが複雑になる欠点がある
。さらにこの方法において光線を照射する場合、使用す
る光線の波長で分解能が決定され、微細なマスクパター
ンを形成するには限度がある。また、レジスト中での光
の散乱、基体表面からの光の反射も分解能を低下させる
原因と、なる。伯方、電子線を照射する場合、波長は光
線よりも十分に短かく波そのものの分解能は十分である
が、レゾスト内での散乱は避けがたく分ｗｌ能は低下し
てしまう。また光線、電子線いずれかを照射する場合で
も現像工程における制御性が悪いため、微細ノｆターン
の形成は容易ではない。
分に凹凸を形成するｈわゆるエツチング技術においては
、エツチングされずに残るべき領域を予めマスク材で被
う必要がある。このマスク材を形成する方法としては、
従来、光線または電子線の照射によって化学変化を生じ
るいわゆるフォトレジストを基体表面に塗布し、所定領
域のみ光線または電子線を透過するフォトマスクを通し
て光線または電子線をフォトレジストに照射し、しかる
後、現像処理を行なってフォトレゾストの化学変化を生
じた部分と未反応部分との溶解性の差を利用して基体表
面上の所定部分以外のフォトレジストを溶かし去シ、こ
れによって基体上にマスク材を形成する方法がある。と
ころが、この方法ではフォトレジストの塗布、現像を行
なわなければならず、プロセスが複雑になる欠点がある
。さらにこの方法において光線を照射する場合、使用す
る光線の波長で分解能が決定され、微細なマスクパター
ンを形成するには限度がある。また、レジスト中での光
の散乱、基体表面からの光の反射も分解能を低下させる
原因と、なる。伯方、電子線を照射する場合、波長は光
線よりも十分に短かく波そのものの分解能は十分である
が、レゾスト内での散乱は避けがたく分ｗｌ能は低下し
てしまう。また光線、電子線いずれかを照射する場合で
も現像工程における制御性が悪いため、微細ノｆターン
の形成は容易ではない。
さらに従来において微細パターンを形成する方法として
、フォトマスクを用いることなしに、基体をエツチング
し得る反応性ガスをイオン化しこれを電場で加速して基
体表面に照射する方法が提案されている。この方法によ
ればマスク材の塗布、現像工程が省略されるために簡便
なプロセスとなシ、さらにイオンビームを集束させるこ
とによシ分解能も十分に高くすることができる。ところ
が、高密度ビームの形成が困難であり、このため実用に
供し得るエツチング速度がｉられす、エツチング処理液
を用込た通常の化学的エツチングよシも数段劣る。
、フォトマスクを用いることなしに、基体をエツチング
し得る反応性ガスをイオン化しこれを電場で加速して基
体表面に照射する方法が提案されている。この方法によ
ればマスク材の塗布、現像工程が省略されるために簡便
なプロセスとなシ、さらにイオンビームを集束させるこ
とによシ分解能も十分に高くすることができる。ところ
が、高密度ビームの形成が困難であり、このため実用に
供し得るエツチング速度がｉられす、エツチング処理液
を用込た通常の化学的エツチングよシも数段劣る。
この発明は上記のような事情を考属してなされたもので
アリ、その目的は、基体のエツチング工程においてマス
ク材となシ得る、微細ノ４ターンを有する有機重合膜を
簡単なプロセスで形成することができる有機膜の堆積方
法およびこの方法を実施する場合に用いられる堆積装置
を提供することにある。
アリ、その目的は、基体のエツチング工程においてマス
ク材となシ得る、微細ノ４ターンを有する有機重合膜を
簡単なプロセスで形成することができる有機膜の堆積方
法およびこの方法を実施する場合に用いられる堆積装置
を提供することにある。
この発明によれば、排気系を備えた真空チャンバー内に
基体を設置し、このチャンバー内には炭化水素またはそ
の誘導体からなる気体を一定流量、一定圧力で導入し、
さらに電子銃またはイオン銃よ多発生した荷電粒子を磁
場あるいは電場によシ加速および集束して基体の表面に
照射することによってこの照射部分における有機膜の重
合反応を促進させ、これによシこの照射部分に上記炭化
水素またはその誘導体の重合物からなる有機膜を堆積す
るようにした有機膜の堆積方法および堆積装置が提供さ
れている。
基体を設置し、このチャンバー内には炭化水素またはそ
の誘導体からなる気体を一定流量、一定圧力で導入し、
さらに電子銃またはイオン銃よ多発生した荷電粒子を磁
場あるいは電場によシ加速および集束して基体の表面に
照射することによってこの照射部分における有機膜の重
合反応を促進させ、これによシこの照射部分に上記炭化
水素またはその誘導体の重合物からなる有機膜を堆積す
るようにした有機膜の堆積方法および堆積装置が提供さ
れている。
以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。第
１図はこの発明に係る有機膜の堆積装置の構成図である
。図において１１は真空チャンバーであり、このチャン
バー１１の底面に５− ｉｆ：＋）セフ’ター１２が設けられ、このサセプター
１２上に試料基体１３が載置されるようになっている。
１図はこの発明に係る有機膜の堆積装置の構成図である
。図において１１は真空チャンバーであり、このチャン
バー１１の底面に５− ｉｆ：＋）セフ’ター１２が設けられ、このサセプター
１２上に試料基体１３が載置されるようになっている。
上記サセプター１２上に載置される試料基体１３は／？
イｆ１４内を循環する冷却水によって常に一定温度に保
持され、この冷却水温度は温度調節器１５によシ設定、
鯛節される。
イｆ１４内を循環する冷却水によって常に一定温度に保
持され、この冷却水温度は温度調節器１５によシ設定、
鯛節される。
また、上記真空チャンバー１１内はたとえばターがモレ
キュラーポンプ等からなる排気系１６によシ排気され、
圧力調節器１２によって所定の真空度に保持される。さ
らに上記真空チャンバー１１には流量調節器１８を介し
てガス源１９から所定のがスが所定の流量および圧力で
導入されるようになっている。さらに上記真空チャンバ
ー１１の上部にはイオン銃２０が設けられ、このイオン
銃２０によシ発生された荷電粒子は偏向コイル２ノによ
って偏向されさらにコンデンサーコイル２２によって集
束され上記試料基体１３の表面に照射される。一方、上
記偏向コイル２１ ｉｊ ノ？ターンゾエネレータ２３
で発生されるノ千ターンに基づく偏向コイル制御系６− ２４の出力によって制御され、これによって上記荷電粒
子は基体１３の表面上で走査される。
キュラーポンプ等からなる排気系１６によシ排気され、
圧力調節器１２によって所定の真空度に保持される。さ
らに上記真空チャンバー１１には流量調節器１８を介し
てガス源１９から所定のがスが所定の流量および圧力で
導入されるようになっている。さらに上記真空チャンバ
ー１１の上部にはイオン銃２０が設けられ、このイオン
銃２０によシ発生された荷電粒子は偏向コイル２ノによ
って偏向されさらにコンデンサーコイル２２によって集
束され上記試料基体１３の表面に照射される。一方、上
記偏向コイル２１ ｉｊ ノ？ターンゾエネレータ２３
で発生されるノ千ターンに基づく偏向コイル制御系６− ２４の出力によって制御され、これによって上記荷電粒
子は基体１３の表面上で走査される。
なお、上記偏向コイル２ノの配置はコンデンサーレンズ
２２の後になっていてもよい。
２２の後になっていてもよい。
このような装置において、まず排気系１６を作動させて
真空チャンバー１１内の排気を行なう。次に前記がス源
１９として炭化水嵩の誘導体であるＣＦ４がスを用い、
流量調節器１８を介して真空チャンバー１１内にＣＦ４
ガスを５ｃｃ、ｚｆｎｉｎの流量で導入する。このとき
、チャンバー１１内の真空度は、前記イオン銃２０から
の荷電粒子線が基体１３０表面に１で到達する間に散乱
されな込ように平均自由工程が少なくとも装置の高さよ
シも大きい値を持つ必要があシ、粒子源である前記イオ
ン銃２０として熱電子放出型電子銃を用いた場合には１
０ Ｔｏｒｒ以下に保つ。
真空チャンバー１１内の排気を行なう。次に前記がス源
１９として炭化水嵩の誘導体であるＣＦ４がスを用い、
流量調節器１８を介して真空チャンバー１１内にＣＦ４
ガスを５ｃｃ、ｚｆｎｉｎの流量で導入する。このとき
、チャンバー１１内の真空度は、前記イオン銃２０から
の荷電粒子線が基体１３０表面に１で到達する間に散乱
されな込ように平均自由工程が少なくとも装置の高さよ
シも大きい値を持つ必要があシ、粒子源である前記イオ
ン銃２０として熱電子放出型電子銃を用いた場合には１
０ Ｔｏｒｒ以下に保つ。
この状態で電子銃２−０からの′ポ、子線を偏向コイル
２１で偏向し、基体１３の表面を走査する。
２１で偏向し、基体１３の表面を走査する。
このときの電子線の加速電圧は１ｋＶ、ドー／ｅ量は電
流値で５０ ｐＡにそれぞれ設定し、また電子線の径は
基体１３０表面で１００Ｘ程度に絞っである。このよう
にＣＦ４がス界囲気中に基体１３を設置した上で基体１
３０表面に電子線を照射すると、基体１３の表面に吸着
されたＣＦ４ガスを構成する分子にエネルギーが与えら
れ、この照射部分のみに化学変化が起こってＣＦ４の重
合物からなる有機膜が堆積形成される。
流値で５０ ｐＡにそれぞれ設定し、また電子線の径は
基体１３０表面で１００Ｘ程度に絞っである。このよう
にＣＦ４がス界囲気中に基体１３を設置した上で基体１
３０表面に電子線を照射すると、基体１３の表面に吸着
されたＣＦ４ガスを構成する分子にエネルギーが与えら
れ、この照射部分のみに化学変化が起こってＣＦ４の重
合物からなる有機膜が堆積形成される。
いま基体１３として直径が１０ｃｒｎの単結晶シリコン
半導体基板上に厚さ１μｍの熱酸化膜を成長させ、さら
にその上にＣＶＤ （化学的気相成長法）によシ多結晶
シリコン層を４０００１堆積させたものを用い、その表
面上の２０μｍ四方の領域に上記のような条件で電子線
を１分間走査した。電子線の照射後、この基体１３を真
空チャンｉ４−１１よシ取シ出して表面を観察したとこ
ろ目視ではさしたる変化は見られないが、電子線を照射
した領域上には膜が堆積されていることが確認された。
半導体基板上に厚さ１μｍの熱酸化膜を成長させ、さら
にその上にＣＶＤ （化学的気相成長法）によシ多結晶
シリコン層を４０００１堆積させたものを用い、その表
面上の２０μｍ四方の領域に上記のような条件で電子線
を１分間走査した。電子線の照射後、この基体１３を真
空チャンｉ４−１１よシ取シ出して表面を観察したとこ
ろ目視ではさしたる変化は見られないが、電子線を照射
した領域上には膜が堆積されていることが確認された。
第２図は上記堆積膜をオージェ分析した結果を示す特性
図であり、横軸にはエレクトロンのエネルギー（ｅＶ）
が、縦軸にはピーク値（Ａ、Ｕ。
図であり、横軸にはエレクトロンのエネルギー（ｅＶ）
が、縦軸にはピーク値（Ａ、Ｕ。
：無単位）がそれぞれとられている。第２図に示すよう
ＫＣ，！：Ｆのピークが表われてお夛、上記堆積膜が真
空チャンバー１１内に導入されたＣＦ４がスよ多重合さ
れた有機膜であることがわかる。
ＫＣ，！：Ｆのピークが表われてお夛、上記堆積膜が真
空チャンバー１１内に導入されたＣＦ４がスよ多重合さ
れた有機膜であることがわかる。
このようにして重合、堆積された有機膜が耐エツチング
のマスクとな）得ることを言周べるために、プラズマエ
ツチングを施こした後の上記基体ｉｓ−の断面を示した
ものが第３図である。
のマスクとな）得ることを言周べるために、プラズマエ
ツチングを施こした後の上記基体ｉｓ−の断面を示した
ものが第３図である。
図において３ノは単結晶シリコン半導体基板、３２は熱
酸化膜、３３は選択エツチング後に残存した多結晶シリ
コン層、３４は前記したように重合、堆積形成された有
機膜であ夛、この有機膜３４の膜厚は約２００Ｘである
。第３図に示すようにエツチング後では、２０μｍ四方
の領域にのみ多結晶シリコン層３３が残存し、この結果
、上記有機膜３４は耐エツチングのマスクとして十分に
用いることができることがわかる。
酸化膜、３３は選択エツチング後に残存した多結晶シリ
コン層、３４は前記したように重合、堆積形成された有
機膜であ夛、この有機膜３４の膜厚は約２００Ｘである
。第３図に示すようにエツチング後では、２０μｍ四方
の領域にのみ多結晶シリコン層３３が残存し、この結果
、上記有機膜３４は耐エツチングのマスクとして十分に
用いることができることがわかる。
また上記有機膜３４はそれ自体電子線の照射９−
によって得られたものであるために対イオン衝撃性を有
していることが予想される。すなわち、このことはこの
有機膜３４が微細加工に不可欠な反応性イオンエツチン
グ（ＲＩ］ｌｉｌ：）に対するマスクとなシ得ることを
示唆している。そこでこの有機８３４が耐イオンエツチ
ングのマスクドナシ得ることを調べるために、ＲＩＥを
施こした後の上記基体１３の断面を示したものが第４図
である。なお、第４図において第３図と対応する箇所に
は同一符号を付しである（ただしこの場合に電子線の走
査時間は３分にした）。図から明らかなように多結晶シ
リコン層３３はＲＪＥに特徴的な垂直なエツチング断面
形状が得られている。さらにこの第４図あるいは前記第
３図に示スように、耐エツチングのマスクとなる有機膜
３４は、エツチング選択比によって異なるが１−１．５
μｍ程度である従来のフォトレジストに比べ、たとえば
上記のように２００Ｘと極めて薄くても十分にマスク材
として作用するので、微細ノリーンの形成には有効であ
る。すなわち、１０− 従来のレジスト塗布工程を伴うマスク材では、凹凸の存
在する基体上に塗布するとマスク材そのものの厚みが一
様とならず、露光に対する感度が変化しひいては・臂タ
ーン形成時の分解能が低下してしまう。これに対してこ
の発明のものでは基体表面に膜を直接堆積させるために
厚みは一様となシ、上記のような分解能の低下はない。
していることが予想される。すなわち、このことはこの
有機膜３４が微細加工に不可欠な反応性イオンエツチン
グ（ＲＩ］ｌｉｌ：）に対するマスクとなシ得ることを
示唆している。そこでこの有機８３４が耐イオンエツチ
ングのマスクドナシ得ることを調べるために、ＲＩＥを
施こした後の上記基体１３の断面を示したものが第４図
である。なお、第４図において第３図と対応する箇所に
は同一符号を付しである（ただしこの場合に電子線の走
査時間は３分にした）。図から明らかなように多結晶シ
リコン層３３はＲＪＥに特徴的な垂直なエツチング断面
形状が得られている。さらにこの第４図あるいは前記第
３図に示スように、耐エツチングのマスクとなる有機膜
３４は、エツチング選択比によって異なるが１−１．５
μｍ程度である従来のフォトレジストに比べ、たとえば
上記のように２００Ｘと極めて薄くても十分にマスク材
として作用するので、微細ノリーンの形成には有効であ
る。すなわち、１０− 従来のレジスト塗布工程を伴うマスク材では、凹凸の存
在する基体上に塗布するとマスク材そのものの厚みが一
様とならず、露光に対する感度が変化しひいては・臂タ
ーン形成時の分解能が低下してしまう。これに対してこ
の発明のものでは基体表面に膜を直接堆積させるために
厚みは一様となシ、上記のような分解能の低下はない。
また、この発明のものでは、加工精度の高いＲＩＢと組
み合わせることＫよシ、電子線の集束径で制約されるま
で十分微細なノｆターンを形成することが可能である。
み合わせることＫよシ、電子線の集束径で制約されるま
で十分微細なノｆターンを形成することが可能である。
しかもこの発明の方法では、従来のような塗布、現像工
程は不要であシ、単に電子線を走査しながら照射するこ
とによってマスクを得ることができるのでプロセスも簡
単である。
程は不要であシ、単に電子線を走査しながら照射するこ
とによってマスクを得ることができるのでプロセスも簡
単である。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
種々の変形が可能である。たとえば第１図の装置ではイ
オン銃２０を設け、基体１３の表面に電子線を照射する
ことによって有機膜３４を堆積形成する場合について説
明したが、これは電子線を照射する他に別なイオンビー
ムあるいは光線を照射することによシ形成できる。第５
図は光線としてレーザー光を用いる場合の構成図であシ
、５１はレーデ−光源、５２はこのレーザー光源５１か
ら発せられるレーデ−光を集束させる光学レンズ、５３
はこの光学レンズで集束されたレーザー光を反射させて
基体１３に照射するための反射鏡でアシ、この反射鏡５
３は鏡偏向コイル５４によって変位され、これによりレ
ーザー光は基体１３０表面で走査される。また第６図は
光線としてランプ６１からの元を用いる場合の構成図で
あり、第５図と対応する箇所には同一符号を付してその
説明は省略する。このように電子線、イオンビームのよ
うな荷電粒子線とは異なる光線を用いる場合、光の集束
の困難性から分解能は荷電粒子線を用いる場合に比べ劣
る。ところが、がス粒子による散乱基は小さく、真空チ
ャンバー１１内のガス圧力を高くすることができるので
有機膜の堆積速度を大きくとることができる。
種々の変形が可能である。たとえば第１図の装置ではイ
オン銃２０を設け、基体１３の表面に電子線を照射する
ことによって有機膜３４を堆積形成する場合について説
明したが、これは電子線を照射する他に別なイオンビー
ムあるいは光線を照射することによシ形成できる。第５
図は光線としてレーザー光を用いる場合の構成図であシ
、５１はレーデ−光源、５２はこのレーザー光源５１か
ら発せられるレーデ−光を集束させる光学レンズ、５３
はこの光学レンズで集束されたレーザー光を反射させて
基体１３に照射するための反射鏡でアシ、この反射鏡５
３は鏡偏向コイル５４によって変位され、これによりレ
ーザー光は基体１３０表面で走査される。また第６図は
光線としてランプ６１からの元を用いる場合の構成図で
あり、第５図と対応する箇所には同一符号を付してその
説明は省略する。このように電子線、イオンビームのよ
うな荷電粒子線とは異なる光線を用いる場合、光の集束
の困難性から分解能は荷電粒子線を用いる場合に比べ劣
る。ところが、がス粒子による散乱基は小さく、真空チ
ャンバー１１内のガス圧力を高くすることができるので
有機膜の堆積速度を大きくとることができる。
また、上記実施例ではガス源１８としてＣＦ４ガスを用
いる場合について説明したが、この代シにＣＨ４、Ｃ２
Ｈ４、Ｃ２Ｈ４等の炭化水素ガスあるいはＣＦ４以外の
炭化水素の誘導体たとえばｃｃｔ４ 。
いる場合について説明したが、この代シにＣＨ４、Ｃ２
Ｈ４、Ｃ２Ｈ４等の炭化水素ガスあるいはＣＦ４以外の
炭化水素の誘導体たとえばｃｃｔ４ 。
ＣＨＦ ５等のガスを用いるようにしてもよい。
以上説明したようＫこの発明によれば、基体のエツチン
グ工程においてマスク材となシ得る、微細・９ターンを
有する有機重合膜を簡単なプロセスで形成することがで
きる有機膜の堆積方法および堆積装置が提供できる。
グ工程においてマスク材となシ得る、微細・９ターンを
有する有機重合膜を簡単なプロセスで形成することがで
きる有機膜の堆積方法および堆積装置が提供できる。
第１図はこの発明に係る堆積装置の一実施例を示す構成
図、第２図は第１図の装置を用いて堆積形成された膜の
分析結果を示す特性図、第３図および第４図はそれぞれ
上記膜を形成した後にエツチングを施こした際の基体の
状態を示す断面図、第５図および第６図はそれぞれ第１
図装置の他の例の一部を示す構成図である。 １１・・・真空チャンバー、１２・・・サセプター、−
１３＝ １３・・・試料基体、１４・・・・母イブ、１６・・・
排気系、１７・・・圧力調節器、１８・・・流量調節器
、１９・・・ガス源、２０・・・イオン銃、２１・・・
偏向コイル、２２・・・コンデンサーコイル、２３・・
・ノ４ターンゾエネレータ、２４・・・偏向コイル制御
系、３１・・・単結晶シリコン半導体基板、３２・・・
熱酸化膜、３３・・・多結晶シリコン層、３４・・・有
機膜、５１・・・レーザー光源、５２・・、光学レンズ
、５３・・・反射鏡、５４・・・鏡偏向コイル、６１・
・・ランプ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦１４− ・−シート型フ く １０１
図、第２図は第１図の装置を用いて堆積形成された膜の
分析結果を示す特性図、第３図および第４図はそれぞれ
上記膜を形成した後にエツチングを施こした際の基体の
状態を示す断面図、第５図および第６図はそれぞれ第１
図装置の他の例の一部を示す構成図である。 １１・・・真空チャンバー、１２・・・サセプター、−
１３＝ １３・・・試料基体、１４・・・・母イブ、１６・・・
排気系、１７・・・圧力調節器、１８・・・流量調節器
、１９・・・ガス源、２０・・・イオン銃、２１・・・
偏向コイル、２２・・・コンデンサーコイル、２３・・
・ノ４ターンゾエネレータ、２４・・・偏向コイル制御
系、３１・・・単結晶シリコン半導体基板、３２・・・
熱酸化膜、３３・・・多結晶シリコン層、３４・・・有
機膜、５１・・・レーザー光源、５２・・、光学レンズ
、５３・・・反射鏡、５４・・・鏡偏向コイル、６１・
・・ランプ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦１４− ・−シート型フ く １０１
Claims (4)
- （１） 基体を炭化水素あるいはその誘導体からなる
気体算囲気中に設置し、上記基体表面に荷電粒子線また
は光線を照射して、この照射部分に上記炭化水素あるい
はその誘導体の重合物からなる有機膜を堆積するように
したことを特徴とする有機膜の堆積方法。 - （２）前記荷電粒子線または光線で前記基体表面を走査
することにより基体の表面に有機膜からなるエツチング
用マスクパターンを形成するようにした特許請求の範囲
第１項に記載の有機膜の堆積方法。 - （３）内部に基体が設置される気密容器と、この容器内
に炭化水素あるいはその誘導体からなる気体を供給する
気体供給手段と、上記気密容器内に設置された基体の表
面に荷電粒子線または光線を照射する照射手段とを具備
したことを特徴とする有機膜の堆積装置。 - （４） 前記照射手段は前記基体の表面に荷電粒子線
または光線を走査しながら照射するように構成されてい
る特許請求の範囲第３項に記載の有機膜の堆積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003821A JPS59127840A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 有機膜の堆積方法および堆積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003821A JPS59127840A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 有機膜の堆積方法および堆積装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59127840A true JPS59127840A (ja) | 1984-07-23 |
| JPH0320897B2 JPH0320897B2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=11567854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58003821A Granted JPS59127840A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 有機膜の堆積方法および堆積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59127840A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007059666A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| CN111408515A (zh) * | 2019-01-07 | 2020-07-14 | 欧菲影像技术（广州）有限公司 | 点胶装置、点胶方法和电子器件 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5023570A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-13 | ||
| JPS5270991A (en) * | 1975-12-10 | 1977-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Gas phase reactor by use of laser |
| JPS57202739A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS582022A (ja) * | 1981-06-27 | 1983-01-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成方法 |
-
1983
- 1983-01-13 JP JP58003821A patent/JPS59127840A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5023570A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-13 | ||
| JPS5270991A (en) * | 1975-12-10 | 1977-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Gas phase reactor by use of laser |
| JPS57202739A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS582022A (ja) * | 1981-06-27 | 1983-01-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007059666A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| CN111408515A (zh) * | 2019-01-07 | 2020-07-14 | 欧菲影像技术（广州）有限公司 | 点胶装置、点胶方法和电子器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0320897B2 (ja) | 1991-03-20 |
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