JPH0664338B2 - 薄膜パターンの修正方法およびその方法によって修正された露光用マスク - Google Patents
薄膜パターンの修正方法およびその方法によって修正された露光用マスクInfo
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- JPH0664338B2 JPH0664338B2 JP2327088A JP2327088A JPH0664338B2 JP H0664338 B2 JPH0664338 B2 JP H0664338B2 JP 2327088 A JP2327088 A JP 2327088A JP 2327088 A JP2327088 A JP 2327088A JP H0664338 B2 JPH0664338 B2 JP H0664338B2
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
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- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、パターンの修正方法およびその方法によっ
て修正された露光用マスクに関し、特に高集積回路装置
（LSI）等の半導体装置において半導体基板上に形成さ
れた回路パターンや、そのパターンの原版である露光用
マスクのパターン等の修正方法に関するものである。
て修正された露光用マスクに関し、特に高集積回路装置
（LSI）等の半導体装置において半導体基板上に形成さ
れた回路パターンや、そのパターンの原版である露光用
マスクのパターン等の修正方法に関するものである。
［従来の技術］ 上記のようなパターンが有する欠陥を高精度に修正する
方法として、集束イオンビーム（Focused Ion Beam:以
下、「FIB」と略称する。）を用いる方法がある。この
方法は、たとえば、“Submicron mask repair using fo
cused ion beam technology",Proceedings of SPIE,vo
l.632,Electron−Beam,X−Ray,＆ Ion−Beam Technique
s for Submicrometer Lithographies V,p.97−103（198
6）,by M.Yamamoto et al.に記載されている。この文献
によれば、集束イオンビームによるスパッタエッチン
グ、またはデポジション技術を用いてマスクパターンの
欠陥を修正している。以下、この文献に記載されている
欠陥修正方法について説明する。
方法として、集束イオンビーム（Focused Ion Beam:以
下、「FIB」と略称する。）を用いる方法がある。この
方法は、たとえば、“Submicron mask repair using fo
cused ion beam technology",Proceedings of SPIE,vo
l.632,Electron−Beam,X−Ray,＆ Ion−Beam Technique
s for Submicrometer Lithographies V,p.97−103（198
6）,by M.Yamamoto et al.に記載されている。この文献
によれば、集束イオンビームによるスパッタエッチン
グ、またはデポジション技術を用いてマスクパターンの
欠陥を修正している。以下、この文献に記載されている
欠陥修正方法について説明する。
第５図はFIBを用いたパターン欠陥修正装置の概念図、
第6A図、第6B図はその装置を用いて行なわれる欠陥修正
方法を示す図、第７図は用いられるFIBの電流分布を示
す図、第8A図〜第8D図はその欠陥修正方法において、パ
ターンの膜厚が大きい場合の欠陥修正上の問題点を説明
するためにパターンの欠陥部を示した平面図、断面図、
第9A図、第9B図はその問題点が生じる原因を説明するた
めの図である。
第6A図、第6B図はその装置を用いて行なわれる欠陥修正
方法を示す図、第７図は用いられるFIBの電流分布を示
す図、第8A図〜第8D図はその欠陥修正方法において、パ
ターンの膜厚が大きい場合の欠陥修正上の問題点を説明
するためにパターンの欠陥部を示した平面図、断面図、
第9A図、第9B図はその問題点が生じる原因を説明するた
めの図である。
第５図において、イオン源７から放出されたイオンビー
ム４は、静電レンズ８によって集束される。その集束さ
れたイオンビーム４は試料台10に装着された試料11（た
とえば、パターンを有するマスク、ウエハ等）の表面上
で焦点を結びながら、試料11上に照射される。このと
き、試料11上の所望の位置にイオンビーム照射を行なう
ために、ビーム偏向器９によってイオンビーム４の偏向
が行なわれる。試料11の表面上には、その表面上にパタ
ーンを有して形成されている薄膜の材料を含むガスがガ
スノズル12によって供給される。
ム４は、静電レンズ８によって集束される。その集束さ
れたイオンビーム４は試料台10に装着された試料11（た
とえば、パターンを有するマスク、ウエハ等）の表面上
で焦点を結びながら、試料11上に照射される。このと
き、試料11上の所望の位置にイオンビーム照射を行なう
ために、ビーム偏向器９によってイオンビーム４の偏向
が行なわれる。試料11の表面上には、その表面上にパタ
ーンを有して形成されている薄膜の材料を含むガスがガ
スノズル12によって供給される。
次に、欠陥修正方法について第6A図、第6B図を用いて説
明する。第6A図は薄膜からなるパターン１が基板上に形
成され、余分なパターンである薄膜が欠陥部2aとして残
っている場合を示している。この場合、イオンビーム４
を欠陥部2aに照射し、スパッタエッチングによって欠陥
部2aの除去が行なわれる。また、第6B図は薄膜からなる
パターン１の中にパターンの欠けまたはピンホール等の
ような欠落した部分を有する欠陥部2bが存在する場合を
示している。この場合は、WF6、トリメチルアルミニウ
ム等の有機金属ガス、またはハイドロカーボンガスのよ
うなガス13がガスノズル12から放出され、欠陥部2bの近
傍にガス13が供給されると同時にイオンビーム４が欠陥
部2bに照射される。そうすることによってイオンビーム
４によってガス13が分解され、そのガス成分である金
属、カーボン等が欠陥部2bに選択的に薄膜を形成する。
このようにして、欠陥部2bの修正が行なわれる。なお、
このような欠陥修正方法は、工程が簡単な上に±0.1μ
ｍ程度の高い修正精度が得られるので、パターンの欠陥
修正に対して非常に有効な手段となり得るものである。
明する。第6A図は薄膜からなるパターン１が基板上に形
成され、余分なパターンである薄膜が欠陥部2aとして残
っている場合を示している。この場合、イオンビーム４
を欠陥部2aに照射し、スパッタエッチングによって欠陥
部2aの除去が行なわれる。また、第6B図は薄膜からなる
パターン１の中にパターンの欠けまたはピンホール等の
ような欠落した部分を有する欠陥部2bが存在する場合を
示している。この場合は、WF6、トリメチルアルミニウ
ム等の有機金属ガス、またはハイドロカーボンガスのよ
うなガス13がガスノズル12から放出され、欠陥部2bの近
傍にガス13が供給されると同時にイオンビーム４が欠陥
部2bに照射される。そうすることによってイオンビーム
４によってガス13が分解され、そのガス成分である金
属、カーボン等が欠陥部2bに選択的に薄膜を形成する。
このようにして、欠陥部2bの修正が行なわれる。なお、
このような欠陥修正方法は、工程が簡単な上に±0.1μ
ｍ程度の高い修正精度が得られるので、パターンの欠陥
修正に対して非常に有効な手段となり得るものである。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、修正されるべきパターンを有する薄膜が
0.2μｍ以上の膜厚を有する場合は、パターンの欠落に
対する修正において修正された部分のパターンエッジの
側面が基板面に対して垂直にならず、エッジが垂れた形
状を有するようになる。
0.2μｍ以上の膜厚を有する場合は、パターンの欠落に
対する修正において修正された部分のパターンエッジの
側面が基板面に対して垂直にならず、エッジが垂れた形
状を有するようになる。
第8A図は欠落した部分としての欠陥部２を含むパターン
１の平面図を示し、第8B図〜第8D図は第8A図のVIIIB−V
IIIB線における断面を欠陥修正の工程順に示した図であ
る。今、パターンを有する薄膜の厚みが0.2μｍ以上で
あるものの例として、Ｘ線露光用マスクを例にして説明
する。この場合、図においてパターン１は、たとえば、
膜厚１μｍのタングステン（Ｗ）膜、基板３は、たとえ
ば、シリコン窒素膜（SiN）が使用されているものとす
る。薄膜形成のために供給するガス（第6B図における1
3）は六フッ化タングステン（WF6ガスを用いるものとす
る。また、イオンビームは試料上で直径0.1μｍに集束
されたガリウム（Ga）イオンビームであり、そのビーム
電流は200pAであるとする。
１の平面図を示し、第8B図〜第8D図は第8A図のVIIIB−V
IIIB線における断面を欠陥修正の工程順に示した図であ
る。今、パターンを有する薄膜の厚みが0.2μｍ以上で
あるものの例として、Ｘ線露光用マスクを例にして説明
する。この場合、図においてパターン１は、たとえば、
膜厚１μｍのタングステン（Ｗ）膜、基板３は、たとえ
ば、シリコン窒素膜（SiN）が使用されているものとす
る。薄膜形成のために供給するガス（第6B図における1
3）は六フッ化タングステン（WF6ガスを用いるものとす
る。また、イオンビームは試料上で直径0.1μｍに集束
されたガリウム（Ga）イオンビームであり、そのビーム
電流は200pAであるとする。
まず、第8B図を参照して、パターン欠けである欠陥部２
に、WF6ガスが供給されながらイオンビーム４が照射さ
れ、さらにイオンビーム４が順次操作されることによっ
て点線で示される欠陥部２の全面に所定の厚みを有する
タングステン（Ｗ）のデポジション膜５が形成される。
に、WF6ガスが供給されながらイオンビーム４が照射さ
れ、さらにイオンビーム４が順次操作されることによっ
て点線で示される欠陥部２の全面に所定の厚みを有する
タングステン（Ｗ）のデポジション膜５が形成される。
次に、第8C図を参照して、厚いデポジション膜５を形成
するために、上記イオンビームの走査を順次複数回繰返
すことによって、所望の膜厚（この場合は１μｍ）を有
するＷのデポジション膜５が選択的に形成され、欠陥の
修正が行なわれる。このようにして、第8D図に示すよう
に欠陥部２にデポジション膜５が充填されることによっ
て欠陥部の修正が終了する。しかしながら、この場合デ
ポジション膜５の端縁の側面は基板３の面に対して垂直
とならず、点線で示されるような目的とする理想的な修
復形状から外れ、垂れた形状となっている。
するために、上記イオンビームの走査を順次複数回繰返
すことによって、所望の膜厚（この場合は１μｍ）を有
するＷのデポジション膜５が選択的に形成され、欠陥の
修正が行なわれる。このようにして、第8D図に示すよう
に欠陥部２にデポジション膜５が充填されることによっ
て欠陥部の修正が終了する。しかしながら、この場合デ
ポジション膜５の端縁の側面は基板３の面に対して垂直
とならず、点線で示されるような目的とする理想的な修
復形状から外れ、垂れた形状となっている。
ここで、イオンビーム４は第７図に示すような電流分布
を有している。第７図は半値幅が0.1μｍの場合である
が、その電流分布の裾は相当広がっていることが認めら
れる。このことは、“Computer simulation of current
density profiles in focused ion beams",Journal of
Vacuum Science and Technology B,vol5,No,1（Jan／F
eb）,1987,p.169〜174,by J.W.Ward et al.に記載され
ている。これによれば、集束イオンビームのビームプロ
フィールは、ビーム中央部はガウス分布に近い形状を有
するが、ビームの周辺部においてはかなり大きく裾が広
がった形状を有する。
を有している。第７図は半値幅が0.1μｍの場合である
が、その電流分布の裾は相当広がっていることが認めら
れる。このことは、“Computer simulation of current
density profiles in focused ion beams",Journal of
Vacuum Science and Technology B,vol5,No,1（Jan／F
eb）,1987,p.169〜174,by J.W.Ward et al.に記載され
ている。これによれば、集束イオンビームのビームプロ
フィールは、ビーム中央部はガウス分布に近い形状を有
するが、ビームの周辺部においてはかなり大きく裾が広
がった形状を有する。
このイオンビーム電流分布の裾の形状により、第8D図に
示すように薄膜形成されたタングステンのデポジション
膜５の端縁の画面は基板３の面に対して垂直にはなら
ず、垂れた形状を有する。この原因について以下に説明
する。
示すように薄膜形成されたタングステンのデポジション
膜５の端縁の画面は基板３の面に対して垂直にはなら
ず、垂れた形状を有する。この原因について以下に説明
する。
第9A図はイオンビーム４によって基板３に付与されるエ
ネルギ分布を上述のようなイオンビーム電流分布に対応
して描いた図である。この図によれば、イオンビーム４
が所定の間隔ｄずつ順次移動して走査するに従って第７
図に示されるようなビーム電流分布にほぼ比例したエネ
ルギが基板３に付与される。このエネルギの総和は２点
鎖線で示される。このようなエネルギ分布をもってイオ
ンビーム４が基板３に照射されるとともに基板３にガス
が供給されると、第9B図に示されるような断面を持つデ
ポジション膜５が形成される。図から明らかなように、
デポジション膜５の端縁はビーム電流分布が有する裾の
広がりを反映した形状となる。
ネルギ分布を上述のようなイオンビーム電流分布に対応
して描いた図である。この図によれば、イオンビーム４
が所定の間隔ｄずつ順次移動して走査するに従って第７
図に示されるようなビーム電流分布にほぼ比例したエネ
ルギが基板３に付与される。このエネルギの総和は２点
鎖線で示される。このようなエネルギ分布をもってイオ
ンビーム４が基板３に照射されるとともに基板３にガス
が供給されると、第9B図に示されるような断面を持つデ
ポジション膜５が形成される。図から明らかなように、
デポジション膜５の端縁はビーム電流分布が有する裾の
広がりを反映した形状となる。
Ｘ線露光用マスクにおいては、そのマスクを用いてウエ
ハ上のレジストパターンへ転写するときに高いコントラ
ストを得るためには、マスクパターンのエッジ側面は基
板面に対してほぼ垂直である必要がある。しかし、第8D
図に示すように、欠陥修正部のエッジは垂れてしまうの
で、このように修正されたパターンを有するマスクを用
いると、パターン転写時のコントラストが低下し、転写
パターンの質が低下してしまうという問題点があった。
ハ上のレジストパターンへ転写するときに高いコントラ
ストを得るためには、マスクパターンのエッジ側面は基
板面に対してほぼ垂直である必要がある。しかし、第8D
図に示すように、欠陥修正部のエッジは垂れてしまうの
で、このように修正されたパターンを有するマスクを用
いると、パターン転写時のコントラストが低下し、転写
パターンの質が低下してしまうという問題点があった。
また、半導体装置などの半導体基板上に形成された配線
パターンの欠陥を修正する場合においても、高い配線密
度を持たせるために狭い領域にアスペクト比の高い、す
なわち、線幅が狭く、かつ膜厚が大きい配線膜が形成さ
れているときには、欠陥修正部のエッジが垂れてしまう
と、隣接する配線パターンと短絡を引き起こしてしまっ
たり、十分な膜厚を有する薄膜が形成されずに配線パタ
ーンの信頼性が低下してしまうという問題点が生ずる。
パターンの欠陥を修正する場合においても、高い配線密
度を持たせるために狭い領域にアスペクト比の高い、す
なわち、線幅が狭く、かつ膜厚が大きい配線膜が形成さ
れているときには、欠陥修正部のエッジが垂れてしまう
と、隣接する配線パターンと短絡を引き起こしてしまっ
たり、十分な膜厚を有する薄膜が形成されずに配線パタ
ーンの信頼性が低下してしまうという問題点が生ずる。
そこで、この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、パターン修正のために薄膜形成させ
た薄膜のエッジ部の垂れを少なくし、基板面に対してほ
ぼ垂直になるようなエッジ側面の形状を得ることによっ
て、コントラストの高い露光用マスクパターン、または
信頼性の高いパターン修正を行なうことが可能なパター
ンの修正方法およびその方法によって修正された露光用
マスクを提供することを目的とする。
になされたもので、パターン修正のために薄膜形成させ
た薄膜のエッジ部の垂れを少なくし、基板面に対してほ
ぼ垂直になるようなエッジ側面の形状を得ることによっ
て、コントラストの高い露光用マスクパターン、または
信頼性の高いパターン修正を行なうことが可能なパター
ンの修正方法およびその方法によって修正された露光用
マスクを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ この発明に従ったパターンの修正方法は、基板上に形成
された薄膜のパターンを修正する方法で以下のように行
なわれる。
された薄膜のパターンを修正する方法で以下のように行
なわれる。
まず、主表面を有し、その主表面上に所定のパターンに
従って選択的に間隔を隔てて薄膜が形成され、その薄膜
は所定のパターンに対して欠落している欠陥部を有して
いる基板を準備する。次に、その欠陥部の近傍に、薄膜
の材料を少なくとも含むガスを充満させる。さらに、そ
の欠陥部に所定のエネルギを有するエネルギビームを選
択的に照射し、それによってガスを分解し、欠陥部を少
なくとも充填するように薄膜を形成する。そして、その
エネルギビームは、少なくとも薄膜の端縁に常に当接す
ように、連続して照射されるものである。
従って選択的に間隔を隔てて薄膜が形成され、その薄膜
は所定のパターンに対して欠落している欠陥部を有して
いる基板を準備する。次に、その欠陥部の近傍に、薄膜
の材料を少なくとも含むガスを充満させる。さらに、そ
の欠陥部に所定のエネルギを有するエネルギビームを選
択的に照射し、それによってガスを分解し、欠陥部を少
なくとも充填するように薄膜を形成する。そして、その
エネルギビームは、少なくとも薄膜の端縁に常に当接す
ように、連続して照射されるものである。
好ましい実施例によれば、薄膜の厚みは0.2μｍ以上で
あり、基板上に形成された薄膜のパターンは露光用マス
クの一部を構成するものである。また、露光用マスクは
Ｘ線露光用マスクであればよい。使用されるエネルギビ
ームは集束イオンビームであり、ガスはWF6ガス、薄膜
はＷ膜であればよい。
あり、基板上に形成された薄膜のパターンは露光用マス
クの一部を構成するものである。また、露光用マスクは
Ｘ線露光用マスクであればよい。使用されるエネルギビ
ームは集束イオンビームであり、ガスはWF6ガス、薄膜
はＷ膜であればよい。
また、この発明に従った露光用マスクは、上記のパター
ンの修正方法によって欠陥部が充填されて修正された薄
膜のパターンを有するものである。
ンの修正方法によって欠陥部が充填されて修正された薄
膜のパターンを有するものである。
［作用］ この発明においては欠陥部に選択的に照射されるエネル
ギビームは薄膜の端縁に常に当接するように連続して照
射される。そのため、このエネルギビームによってガス
が分解され、形成される薄膜は修正前の薄膜の端縁に沿
って、かつその形状を維持しながら、パターンの欠落部
分を充填する。したがって、基板面に対してほぼ垂直に
近い端縁側面の形状を有するようにパターンが修正され
る。
ギビームは薄膜の端縁に常に当接するように連続して照
射される。そのため、このエネルギビームによってガス
が分解され、形成される薄膜は修正前の薄膜の端縁に沿
って、かつその形状を維持しながら、パターンの欠落部
分を充填する。したがって、基板面に対してほぼ垂直に
近い端縁側面の形状を有するようにパターンが修正され
る。
このように修正されたパターンを有する露光用マスクは
エッジ側面の形状が基板面に対してほぼ垂直になってい
るので、パターン転写時においてコントラストが低下す
ることがない。
エッジ側面の形状が基板面に対してほぼ垂直になってい
るので、パターン転写時においてコントラストが低下す
ることがない。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例について第1A図〜第1D図、第
2A図〜第2C図を用いて説明する。
2A図〜第2C図を用いて説明する。
第1A図は欠落した部分としての欠陥部２を含むパターン
１の平面図を示し、第1B図〜第1D図は第1A図のIB−IB線
における断面を欠陥修正の工程順に示す断面図である。
ここで説明される実施例は従来の技術において述べたも
のと同一のＸ線露光用マスクを対象に欠陥修正を行なう
ものとする。修正されるべきパターンは第1A図に示す膜
厚１μｍのタングステン薄膜からなるパターン１で、そ
の一部にパターン欠けとしての欠陥部２が存在するもの
とする。
１の平面図を示し、第1B図〜第1D図は第1A図のIB−IB線
における断面を欠陥修正の工程順に示す断面図である。
ここで説明される実施例は従来の技術において述べたも
のと同一のＸ線露光用マスクを対象に欠陥修正を行なう
ものとする。修正されるべきパターンは第1A図に示す膜
厚１μｍのタングステン薄膜からなるパターン１で、そ
の一部にパターン欠けとしての欠陥部２が存在するもの
とする。
まず、第1B図を参照して、欠陥部２の近傍にWF6ガスが
供給されながら、イオンビーム４が欠陥部２に照射され
る。このとき、イオンビーム４の照射は欠陥部２のパタ
ーン欠けのエッジに常に当たって接するように行なわれ
る。照射条件はイオンビームの照射量が１×1018個／cm
2、イオンビームエネルギが20KeVである。パターン１の
欠陥部２のエッジ側面に吸着したWF6分子はイオンビー
ム４の照射によって分解され、パターン１の欠落してい
る端縁の側面に沿ってタングステンの薄膜が形成され
る。
供給されながら、イオンビーム４が欠陥部２に照射され
る。このとき、イオンビーム４の照射は欠陥部２のパタ
ーン欠けのエッジに常に当たって接するように行なわれ
る。照射条件はイオンビームの照射量が１×1018個／cm
2、イオンビームエネルギが20KeVである。パターン１の
欠陥部２のエッジ側面に吸着したWF6分子はイオンビー
ム４の照射によって分解され、パターン１の欠落してい
る端縁の側面に沿ってタングステンの薄膜が形成され
る。
次に、第1C図に示すように、Ｗ薄膜であるデポジション
膜５がパターン１の欠落している端縁の側面に沿って横
方向に成長するにつれて欠陥部２の端縁の位置が変化す
るので、イオンビーム４の照射位置が順次ずらされる。
このようにして第1D図に示されるように、デポジション
膜５が横方向にパターン１の端縁に沿って成長するため
に、基板３の面に対してほぼ垂直なエッジの側面を持つ
デポジション膜５が形成される。
膜５がパターン１の欠落している端縁の側面に沿って横
方向に成長するにつれて欠陥部２の端縁の位置が変化す
るので、イオンビーム４の照射位置が順次ずらされる。
このようにして第1D図に示されるように、デポジション
膜５が横方向にパターン１の端縁に沿って成長するため
に、基板３の面に対してほぼ垂直なエッジの側面を持つ
デポジション膜５が形成される。
第2A図〜第2C図は上述のような欠陥修正の過程を順に示
す平面図である。パターン１のエッジに沿ってイオンビ
ーム照射が行なわれるので、図示されるようにデポジシ
ョン膜５が、パターン１の欠落部分としての欠落部２を
充填するように形成される。
す平面図である。パターン１のエッジに沿ってイオンビ
ーム照射が行なわれるので、図示されるようにデポジシ
ョン膜５が、パターン１の欠落部分としての欠落部２を
充填するように形成される。
第3A図はこの発明に従って照射されたイオンビームによ
ってパターン１の側壁部、すなわち、欠陥部２のエッジ
側面に付与されるエネルギ分布を、第７図に示されるよ
うなイオンビーム電流分布に対応して描いた図である。
この図によれば、イオンビーム４が所定の間隔ｄずつ順
次移動して走査するに従って、それぞれビーム電流分布
にほぼ比例した分布を有するエネルギが傾斜面を有する
パターン１の側壁部に付与される。このエネルギの総和
は２点鎖線で示される。このようなエネルギ分布をもっ
てイオンビーム４がパターン１の側壁部に照射されると
ともに、ガスが供給されると第3B図に示されるような断
面を持つデポジション膜５が形成される。図から明らか
なように、デポジション膜５の上部端縁形状はビーム電
流分布が有する裾の拡がりを反映した形状となるが、イ
オンビーム４の走査方向の形状はパターン１の側壁に沿
った形状を有する。したがって、この発明に従ったイオ
ンビームの走査によればパターン１の欠陥部である側壁
に形成されるデポジション膜５の上部形状は垂れた形状
を有しても、側面の形状はパターン１の側壁を反映した
形状となるため、基板面に対してほぼ垂直な側面を有す
る形状でもってデポジション膜５が形成され得る。な
お、第3A図、第3B図におけるパターンの側壁は実際の傾
斜よりも緩い傾斜を有するように描かれている。
ってパターン１の側壁部、すなわち、欠陥部２のエッジ
側面に付与されるエネルギ分布を、第７図に示されるよ
うなイオンビーム電流分布に対応して描いた図である。
この図によれば、イオンビーム４が所定の間隔ｄずつ順
次移動して走査するに従って、それぞれビーム電流分布
にほぼ比例した分布を有するエネルギが傾斜面を有する
パターン１の側壁部に付与される。このエネルギの総和
は２点鎖線で示される。このようなエネルギ分布をもっ
てイオンビーム４がパターン１の側壁部に照射されると
ともに、ガスが供給されると第3B図に示されるような断
面を持つデポジション膜５が形成される。図から明らか
なように、デポジション膜５の上部端縁形状はビーム電
流分布が有する裾の拡がりを反映した形状となるが、イ
オンビーム４の走査方向の形状はパターン１の側壁に沿
った形状を有する。したがって、この発明に従ったイオ
ンビームの走査によればパターン１の欠陥部である側壁
に形成されるデポジション膜５の上部形状は垂れた形状
を有しても、側面の形状はパターン１の側壁を反映した
形状となるため、基板面に対してほぼ垂直な側面を有す
る形状でもってデポジション膜５が形成され得る。な
お、第3A図、第3B図におけるパターンの側壁は実際の傾
斜よりも緩い傾斜を有するように描かれている。
また、この発明に従ったイオンビームの走査順の一実施
例を図について説明する。第4A図はパターン１の欠陥部
２に対してイオンビームが走査される順序を矢印で示し
た図、第4B図は第4A図で示される走査順序に従ってビー
ム電流と時間との関係を示す図である。図によれば、イ
オンビームはパターン１の端縁に常に当接するように、
連続して一定のビーム電流をもって照射され、パターン
１の側壁面に沿って欠陥部２を充填するようにデポジシ
ョン膜５が形成されるごとにイオンビームの照射位置が
順次ずらされることが理解される。
例を図について説明する。第4A図はパターン１の欠陥部
２に対してイオンビームが走査される順序を矢印で示し
た図、第4B図は第4A図で示される走査順序に従ってビー
ム電流と時間との関係を示す図である。図によれば、イ
オンビームはパターン１の端縁に常に当接するように、
連続して一定のビーム電流をもって照射され、パターン
１の側壁面に沿って欠陥部２を充填するようにデポジシ
ョン膜５が形成されるごとにイオンビームの照射位置が
順次ずらされることが理解される。
なお、本実施例はＸ線露光用マスクのパターン欠陥修正
方法について示したが、光学露光用マスク、電子線露光
用マスク等のマスクパターンや、半導体装置の配線パタ
ーンの欠陥修正についても本発明の修正方法を適用する
ことが可能である。また、パターンの変更等のためにパ
ターンを修正する場合にも同様の方法を使用することが
できる。
方法について示したが、光学露光用マスク、電子線露光
用マスク等のマスクパターンや、半導体装置の配線パタ
ーンの欠陥修正についても本発明の修正方法を適用する
ことが可能である。また、パターンの変更等のためにパ
ターンを修正する場合にも同様の方法を使用することが
できる。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、パターンの欠陥修正
のための薄膜がパターンの端縁側面に沿って順次形成さ
れることができるので、修正されたパターンの側面形状
を基板面に対してほぼ垂直な形状とすることができる。
そのため、パターンの修正によってパターンの信頼性が
低下することはない。
のための薄膜がパターンの端縁側面に沿って順次形成さ
れることができるので、修正されたパターンの側面形状
を基板面に対してほぼ垂直な形状とすることができる。
そのため、パターンの修正によってパターンの信頼性が
低下することはない。
また、この発明に従ったパターンの修正方法によって修
正されたパターンを有する露光用マスクはパターン転写
時においてコントラストが低下することがない。
正されたパターンを有する露光用マスクはパターン転写
時においてコントラストが低下することがない。
第1A図、第1B図、第1C図、第1D図はこの発明に従ったパ
ターンの修正方法を説明するための平面図、その工程順
に従った断面図、第2A図、第2B図、第2C図はこの発明に
従ったパターンの修正方法によって行なわれるパターン
の欠陥修正の過程を順に示す平面図、第3A図、第3B図は
この発明に従ったパターンの修正方法においてイオンビ
ームが有するエネルギ分布と、それによって形成される
薄膜の形状との関係を示す図、第4A図、第4B図はこの発
明に従ったパターンの修正方法においてイオンビームの
走査過程を示す図、第５図は集束イオンビームを用いた
パターン修正装置の概念図、第6A図、第6B図は集束イオ
ンビームによってパターン欠陥を修正する方法を説明す
るための図、第７図は集束イオンビームの電流分布を示
す図、第8A図、第8B図、第8C図、第8D図は従来のパター
ンの修正方法を示す平面図、その工程順に従って示す断
面図、第9A図、第9B図は従来のパターンの修正方法にお
いてイオンビームの走査によって基板に付与されるエネ
ルギ分布と、基板に形成される薄膜の形状との関係を示
す図である。 図において、１はパターン、２は欠陥部、３は基板、４
はイオンビーム、５はデポジション膜である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
ターンの修正方法を説明するための平面図、その工程順
に従った断面図、第2A図、第2B図、第2C図はこの発明に
従ったパターンの修正方法によって行なわれるパターン
の欠陥修正の過程を順に示す平面図、第3A図、第3B図は
この発明に従ったパターンの修正方法においてイオンビ
ームが有するエネルギ分布と、それによって形成される
薄膜の形状との関係を示す図、第4A図、第4B図はこの発
明に従ったパターンの修正方法においてイオンビームの
走査過程を示す図、第５図は集束イオンビームを用いた
パターン修正装置の概念図、第6A図、第6B図は集束イオ
ンビームによってパターン欠陥を修正する方法を説明す
るための図、第７図は集束イオンビームの電流分布を示
す図、第8A図、第8B図、第8C図、第8D図は従来のパター
ンの修正方法を示す平面図、その工程順に従って示す断
面図、第9A図、第9B図は従来のパターンの修正方法にお
いてイオンビームの走査によって基板に付与されるエネ
ルギ分布と、基板に形成される薄膜の形状との関係を示
す図である。 図において、１はパターン、２は欠陥部、３は基板、４
はイオンビーム、５はデポジション膜である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】次の工程を備えたことを特徴とする薄膜パ
ターンの修正方法 (a)主表面上に所定の薄膜パターンが形成され、その所
定のパターンに対して欠陥部を有する基板を準備する工
程と、 (b)欠陥部の近傍に、欠陥部を充填させる物質を含むガ
スを供給する工程と、 (c)欠陥部に所定のエネルギビームを照射し、上記欠陥
部に上記ガス中の物質で薄膜を順次形成する工程と、 (d)上記薄膜を順次形成する工程は、 上記エネルギビームを欠陥部の端縁と、次に形成される
薄膜の端縁とに常に当接するよう連続して照射する工
程。 - 【請求項２】請求項１記載の薄膜パターンの修正方法に
よって欠陥部が修正された薄膜パターンを有する露光用
マスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2327088A JPH0664338B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 薄膜パターンの修正方法およびその方法によって修正された露光用マスク |
| US07/269,756 US4952421A (en) | 1988-02-02 | 1988-11-08 | Method for repairing a pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2327088A JPH0664338B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 薄膜パターンの修正方法およびその方法によって修正された露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01197757A JPH01197757A (ja) | 1989-08-09 |
| JPH0664338B2 true JPH0664338B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=12105912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2327088A Expired - Fee Related JPH0664338B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 薄膜パターンの修正方法およびその方法によって修正された露光用マスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4952421A (ja) |
| JP (1) | JPH0664338B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5225771A (en) * | 1988-05-16 | 1993-07-06 | Dri Technology Corp. | Making and testing an integrated circuit using high density probe points |
| JP2776912B2 (ja) * | 1989-09-19 | 1998-07-16 | 富士通株式会社 | 光学マスクの製造方法及び光学マスクの修正方法 |
| US5429730A (en) * | 1992-11-02 | 1995-07-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of repairing defect of structure |
| US6261723B1 (en) | 1999-03-04 | 2001-07-17 | International Business Machines Corporation | Transfer layer repair process for attenuated masks |
| US6415431B1 (en) * | 2000-02-18 | 2002-07-02 | International Business Machines Corporation | Repair of phase shift materials to enhance adhesion |
| US7258901B1 (en) * | 2000-09-08 | 2007-08-21 | Fei Company | Directed growth of nanotubes on a catalyst |
| US20060051508A1 (en) * | 2000-12-28 | 2006-03-09 | Ilan Gavish | Focused ion beam deposition |
| US6638580B2 (en) * | 2000-12-29 | 2003-10-28 | Intel Corporation | Apparatus and a method for forming an alloy layer over a substrate using an ion beam |
| US6492261B2 (en) * | 2000-12-30 | 2002-12-10 | Intel Corporation | Focused ion beam metal deposition |
| CN111199876A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-26 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 光刻缺陷修复方法以及半导体器件的制作方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5813876B2 (ja) * | 1977-12-16 | 1983-03-16 | 株式会社東芝 | 放射性ガスまたは有害ガスの貯蔵方法および装置 |
| JPS58106750A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-25 | Toshiba Corp | フオ−カスイオンビ−ム加工方法 |
| US4605566A (en) * | 1983-08-22 | 1986-08-12 | Nec Corporation | Method for forming thin films by absorption |
| JPS60182726A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Seiko Instr & Electronics Ltd | パタ−ン膜形成方法 |
| US4698236A (en) * | 1984-10-26 | 1987-10-06 | Ion Beam Systems, Inc. | Augmented carbonaceous substrate alteration |
| US4636403A (en) * | 1985-04-29 | 1987-01-13 | At&T Technologies, Inc. | Method of repairing a defective photomask |
| JPH081794B2 (ja) * | 1985-08-20 | 1996-01-10 | セイコー電子工業株式会社 | イオンビーム加工方法 |
| JPS6289873A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 透明導電膜形成方法 |
| JPS62281349A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 金属パタ−ン膜の形成方法及びその装置 |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP2327088A patent/JPH0664338B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-08 US US07/269,756 patent/US4952421A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4952421A (en) | 1990-08-28 |
| JPH01197757A (ja) | 1989-08-09 |
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