JP2664218B2 - 白点修正方法 - Google Patents
白点修正方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レチクル等におけるホトマスクの白点修正
に適用して有効な技術に関する。
に適用して有効な技術に関する。
最近のホトマスクを用いたウエハ露光技術について説
明されている例としては、株式会社工業調査会、昭和62
年11月18日発行、「電子材料別冊、1988年版、超LSI製
造・試験装置ガイドブック」P78〜P83がある。
明されている例としては、株式会社工業調査会、昭和62
年11月18日発行、「電子材料別冊、1988年版、超LSI製
造・試験装置ガイドブック」P78〜P83がある。
本発明者は、上記文献に記載されている露光工程にお
けるホトマスク技術について検討した。なお、以下に用
いる「ホトマスク」の語には、特に注記しない限り、1:
1の等倍露光を行うものの他、1:10あるいは1:5等の縮小
露光に用いられるレチクルを含むものとする。
けるホトマスク技術について検討した。なお、以下に用
いる「ホトマスク」の語には、特に注記しない限り、1:
1の等倍露光を行うものの他、1:10あるいは1:5等の縮小
露光に用いられるレチクルを含むものとする。
このような露光工程においては、透明の石英基板の一
面にクロム（Cr）等の遮光膜を所定の回路パターン形状
に被着したホトマスクを用いて、この回路パターンをウ
エハの表面に塗布されたレジスト層上に転写し、光の照
射部分におけるレジスト材の科学的変化を利用して、所
定のレジストパターンを形成する処理が行われている。
面にクロム（Cr）等の遮光膜を所定の回路パターン形状
に被着したホトマスクを用いて、この回路パターンをウ
エハの表面に塗布されたレジスト層上に転写し、光の照
射部分におけるレジスト材の科学的変化を利用して、所
定のレジストパターンを形成する処理が行われている。
半導体装置の高集積化、多機能化が促進された今日で
は、ウエハ上に形成される回路パターンもさらに微細化
されてきており、ホトマスク上の回路パターンもこれに
対応して微細化されている。そのため、ホトマスク上の
遮光膜上に僅かな欠損でも生じていた場合には、ウエハ
の回路パターン不良となる比率が高くなっていた。この
ような欠損（白点）がホトマスク製造後のパターン検査
で発見された場合、該白点を覆うようにして、カーボン
あるいはクロムによる修正膜の形成を行う、いわゆる白
点修正工程が実施されていた。
は、ウエハ上に形成される回路パターンもさらに微細化
されてきており、ホトマスク上の回路パターンもこれに
対応して微細化されている。そのため、ホトマスク上の
遮光膜上に僅かな欠損でも生じていた場合には、ウエハ
の回路パターン不良となる比率が高くなっていた。この
ような欠損（白点）がホトマスク製造後のパターン検査
で発見された場合、該白点を覆うようにして、カーボン
あるいはクロムによる修正膜の形成を行う、いわゆる白
点修正工程が実施されていた。
このような白点修正技術について、第５図および第６
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
第５図は、ホトマスク上のパターンにおける白点の形
成状態を示しており、同図において、51は石英ガラスか
らなるマスク基板、52はマスク基板51上におけるクロム
の蒸着により形成された遮光パターン、53は遮光パター
ン52における白点をそれぞれ示している。
成状態を示しており、同図において、51は石英ガラスか
らなるマスク基板、52はマスク基板51上におけるクロム
の蒸着により形成された遮光パターン、53は遮光パター
ン52における白点をそれぞれ示している。
上記白点の修正に際しては、真空チャンバ内でホトマ
スクの白点の周囲にデポジションガスを満たし、ビーム
径を0.1μｍ〜0.2μｍに制御した集束イオンビーム（FI
B）をラスタースキャンさせて、白点上に修正膜８をデ
ポする技術が一般に用いられているが、FIBの照射に先
立って、FIB装置の制御部にまずマスク上の白点位置な
らびに白点の大きさに関する情報が入力される。
スクの白点の周囲にデポジションガスを満たし、ビーム
径を0.1μｍ〜0.2μｍに制御した集束イオンビーム（FI
B）をラスタースキャンさせて、白点上に修正膜８をデ
ポする技術が一般に用いられているが、FIBの照射に先
立って、FIB装置の制御部にまずマスク上の白点位置な
らびに白点の大きさに関する情報が入力される。
このとき、第６図に示すように、白点を完全に含む平
面四角形状の修正エリアR3が設定され、かかる範囲内に
おいて同図の破線で示す経路でFIBを二次元方向にl3＝
0.15〜0.20μｍのステップ間隔で走査させて白点53上に
カーボンあるいはクロムのデポを行い、白点を遮蔽して
いる。
面四角形状の修正エリアR3が設定され、かかる範囲内に
おいて同図の破線で示す経路でFIBを二次元方向にl3＝
0.15〜0.20μｍのステップ間隔で走査させて白点53上に
カーボンあるいはクロムのデポを行い、白点を遮蔽して
いる。
ところが、上記従来技術においては、ビーム径に対応
した微細なステップ間隔l3でFIBを走査させ、またその
修正エリアR3も第６図に示すように白点以外の部分（斜
線部分）をも広く含む範囲で設定されているため、たと
えば10μm2の白点に対して膜厚が1000Å〜2500Åのデポ
生成膜を得るためには、約10分以上の修正時間を必要と
していた。
した微細なステップ間隔l3でFIBを走査させ、またその
修正エリアR3も第６図に示すように白点以外の部分（斜
線部分）をも広く含む範囲で設定されているため、たと
えば10μm2の白点に対して膜厚が1000Å〜2500Åのデポ
生成膜を得るためには、約10分以上の修正時間を必要と
していた。
本発明は、上記課題に着目してなされたものであり、
その目的は、白点修正を効率的に行うことのできる技術
を提供することにある。
その目的は、白点修正を効率的に行うことのできる技術
を提供することにある。
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、概ね次のとおりである。
要を簡単に説明すれば、概ね次のとおりである。
すなわち、白点を覆う修正エリアを予め設定した後、
上記修正エリア内において走査ステップ間隔を露光時に
おけるレジスト上への転写感度に影響しない範囲の最大
限の距離長にして集束イオンビームの走査照射を行うも
のである。
上記修正エリア内において走査ステップ間隔を露光時に
おけるレジスト上への転写感度に影響しない範囲の最大
限の距離長にして集束イオンビームの走査照射を行うも
のである。
上記した手段によれば、走査ステップ間隔を露光時に
影響しない範囲で大きくとることができるため、修正膜
の形成を効率的に行うことができる。
影響しない範囲で大きくとることができるため、修正膜
の形成を効率的に行うことができる。
また、修正エリアを円形に設定することにより、白点
以外の無駄な範囲での修正膜の堆積を抑制できるため、
これによっても効率的な修正膜の生成が可能となる。
以外の無駄な範囲での修正膜の堆積を抑制できるため、
これによっても効率的な修正膜の生成が可能となる。
〔実施例１〕 第１図は本発明の一実施例による白点およびこれに対
する集束イオンビームの走査照射経路を示す説明図、第
２図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ白点発生状態および
その修正膜の形成状態を示す拡大部分斜視図、同図
（ｃ）および（ｄ）は上記に対応する部分断面図、第３
図は本実施例のレチクルを示す斜視図である。
する集束イオンビームの走査照射経路を示す説明図、第
２図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ白点発生状態および
その修正膜の形成状態を示す拡大部分斜視図、同図
（ｃ）および（ｄ）は上記に対応する部分断面図、第３
図は本実施例のレチクルを示す斜視図である。
本実施例におけるホトマスクは、第３図に示されるい
わゆるレチクル１であり、石英ガラスからなる透明基板
２の主面に形成された回路パターン３を図示されないウ
エハ上に、たとえば10:1あるいは5:1の縮小率で転写す
るためのものである。
わゆるレチクル１であり、石英ガラスからなる透明基板
２の主面に形成された回路パターン３を図示されないウ
エハ上に、たとえば10:1あるいは5:1の縮小率で転写す
るためのものである。
上記透明基板２は、たとえば所定厚の石英ガラス板を
平面四角形に切断して得られるものであり、該透明基板
２の主面中央に形成された回路パターン３はクロム（C
r）による遮光膜４で形成されており、該回路パターン
３の周囲は余領域としてのレクト部５を構成している。
平面四角形に切断して得られるものであり、該透明基板
２の主面中央に形成された回路パターン３はクロム（C
r）による遮光膜４で形成されており、該回路パターン
３の周囲は余領域としてのレクト部５を構成している。
上記回路パターン３の形成はたとえば以下のようにし
て行なわれるものである。
て行なわれるものである。
まず上記透明基板２の主面全体に亘って均一に第１の
酸化膜6aを被着する（第２図（ｃ）参照）。この第１の
酸化膜6aは、アライメントの際の光の反射を抑制するた
めに機能するものである。このような第１の酸化膜6aの
形成はウエハの前工程に用いられる酸化装置を用いるこ
とにより容易に行なうことが可能である。
酸化膜6aを被着する（第２図（ｃ）参照）。この第１の
酸化膜6aは、アライメントの際の光の反射を抑制するた
めに機能するものである。このような第１の酸化膜6aの
形成はウエハの前工程に用いられる酸化装置を用いるこ
とにより容易に行なうことが可能である。
続いて、上記酸化膜の上面全体に均一にクロムを蒸着
させてこれを遮光膜４とする。さらに、該遮光膜４上に
上記と同様の技術により第２の酸化膜6bを被着させる。
この第２の酸化膜6bは、露光時において、レチクル面に
おける露光照明光の反射を防止するために機能する。
させてこれを遮光膜４とする。さらに、該遮光膜４上に
上記と同様の技術により第２の酸化膜6bを被着させる。
この第２の酸化膜6bは、露光時において、レチクル面に
おける露光照明光の反射を防止するために機能する。
次に、上記遮光膜４側の面、すなわち第２の酸化膜6b
の面上に図示されないレジスト材を均一に塗布する。こ
のようなレジスト材の塗布技術としては遠心力による回
転塗布法等公知の技術が用いられる。
の面上に図示されないレジスト材を均一に塗布する。こ
のようなレジスト材の塗布技術としては遠心力による回
転塗布法等公知の技術が用いられる。
次に、上記のようにしてレジスト材が塗布されたレチ
クル１に対して、その遮光膜４の面をアースとして電子
ビームの走査が行なわれる。該電子ビームの走査によ
り、所定の回路パターン３が描画されると、走査部分の
レジスト材の化学的特性が変化し、走査部分のレジスト
材が残着あるいは除去された状態となる。この状態でエ
ッチング処理を行なうことにより、遮光膜４は所定形状
に加工され、回路パターン３が形成される。
クル１に対して、その遮光膜４の面をアースとして電子
ビームの走査が行なわれる。該電子ビームの走査によ
り、所定の回路パターン３が描画されると、走査部分の
レジスト材の化学的特性が変化し、走査部分のレジスト
材が残着あるいは除去された状態となる。この状態でエ
ッチング処理を行なうことにより、遮光膜４は所定形状
に加工され、回路パターン３が形成される。
次に、以上のようにして得られたレチクル１におい
て、第２図（ａ）に示されるような白点７が発生する場
合がある。このような白点７の発生原因としては、遮光
膜として用いられるクロムと透明基板２を構成する石英
ガラスとの低密着性、あるいはレチクル１の洗浄時にお
ける洗浄用ブラシとの接触によるクロムの剥離等が挙げ
られる。
て、第２図（ａ）に示されるような白点７が発生する場
合がある。このような白点７の発生原因としては、遮光
膜として用いられるクロムと透明基板２を構成する石英
ガラスとの低密着性、あるいはレチクル１の洗浄時にお
ける洗浄用ブラシとの接触によるクロムの剥離等が挙げ
られる。
このような白点７を生じた際の修正工程について以下
に説明する。
に説明する。
まず、図示しないFIB装置の制御部において、修正エ
リアR1（第１図）を設定する。この修正エリアR1は、FI
Bの走査照射を行う最大範囲を画定するものであり、従
来技術においては第６図に示すように平面四角形状で設
定されていたものである。
リアR1（第１図）を設定する。この修正エリアR1は、FI
Bの走査照射を行う最大範囲を画定するものであり、従
来技術においては第６図に示すように平面四角形状で設
定されていたものである。
本実施例では白点７が一般的に平面円形状で発生する
特性を有する点に着目して、修正エリアR1の設定もこの
白点７を覆う円形状に設定している。このように、修正
エリアR1を円形状に設定することにより、四角形状に設
定する場合に較べて、白点７以外の範囲（図中斜線で示
す範囲）でのデポを抑制できる。
特性を有する点に着目して、修正エリアR1の設定もこの
白点７を覆う円形状に設定している。このように、修正
エリアR1を円形状に設定することにより、四角形状に設
定する場合に較べて、白点７以外の範囲（図中斜線で示
す範囲）でのデポを抑制できる。
続いて、上記レチクル１をFIB装置で実現される所定
の高真空状態（例えば133.322×10-6〜10-7Pa（10-6〜1
0-7Torr））中に載置する。この状態で少なくとも上記
白点７の周囲をデポジション物質であるカーボンあるい
はクロムを含む反応ガスで満たす。
の高真空状態（例えば133.322×10-6〜10-7Pa（10-6〜1
0-7Torr））中に載置する。この状態で少なくとも上記
白点７の周囲をデポジション物質であるカーボンあるい
はクロムを含む反応ガスで満たす。
次いで、照射ビーム径を0.1μｍ〜0.2μｍに絞ったFI
Bを第１図の破線で示す経路で走査照射させる。このと
き同図におけるステップ間隔l1はl1＝0.50μｇ〜1.00μ
ｍとなるように制御する。このようなステップ間隔l1の
調整は、前述の制御部において、FIBの照射方向をソフ
トウエアにより制御することにより容易に可能である。
Bを第１図の破線で示す経路で走査照射させる。このと
き同図におけるステップ間隔l1はl1＝0.50μｇ〜1.00μ
ｍとなるように制御する。このようなステップ間隔l1の
調整は、前述の制御部において、FIBの照射方向をソフ
トウエアにより制御することにより容易に可能である。
本発明者等の研究によれば、レチクル１上の遮光膜４
に生じた白点７は、その径が1.00μｍ以上となると、露
光時におけるウエハのレジスト上への転写感度に影響を
与え、露光不良を生じるが、この径が1.00μｍ以下の場
合には、上記転写感度に影響を与えないことが見い出さ
れている。言い換えれば、1.00μｍ以下の白点であれば
レジストに影響を与えないことになる。したがって、本
実施例１では、このステップ間隔l1を上記1.00μｍより
も小さいl1＝0.50μｍ〜1.00μｍに設定することによっ
て、露光時の転写感度に影響を与えることなく、広いス
テップ間隔でのFIBの走査照射による修正膜８の形成が
可能となる。なお、l1を0.5μｍ以上としたのは、最小
限この程度のステップ間隔を確保しなければ従来技術に
比して効率的な走査照射が実現できないことによる。
に生じた白点７は、その径が1.00μｍ以上となると、露
光時におけるウエハのレジスト上への転写感度に影響を
与え、露光不良を生じるが、この径が1.00μｍ以下の場
合には、上記転写感度に影響を与えないことが見い出さ
れている。言い換えれば、1.00μｍ以下の白点であれば
レジストに影響を与えないことになる。したがって、本
実施例１では、このステップ間隔l1を上記1.00μｍより
も小さいl1＝0.50μｍ〜1.00μｍに設定することによっ
て、露光時の転写感度に影響を与えることなく、広いス
テップ間隔でのFIBの走査照射による修正膜８の形成が
可能となる。なお、l1を0.5μｍ以上としたのは、最小
限この程度のステップ間隔を確保しなければ従来技術に
比して効率的な走査照射が実現できないことによる。
このように、本実施例１ではステップ間隔l1をl1＝0.
50μｍ〜1.00μｍに設定することによって、従来のステ
ップ間隔l3＝0.15〜0.20μ（第６図）に対して大幅に拡
大して走査照射することができるため、修正工程を効率
化できる。しかも、本実施例１によれば上記のように修
正エリアR1を円形状に設定しているため、白点７以外の
範囲（第１図中斜線で示す範囲）での修正膜８の堆積が
抑制されており、これらの相乗効果によって修正膜８の
生成を極めて効率的に行うことができる。特に、本発明
者等の研究によれば本実施例によって、白点修正時間は
従来技術の約1/3〜1/4に短縮されることが明かとなっ
た。
50μｍ〜1.00μｍに設定することによって、従来のステ
ップ間隔l3＝0.15〜0.20μ（第６図）に対して大幅に拡
大して走査照射することができるため、修正工程を効率
化できる。しかも、本実施例１によれば上記のように修
正エリアR1を円形状に設定しているため、白点７以外の
範囲（第１図中斜線で示す範囲）での修正膜８の堆積が
抑制されており、これらの相乗効果によって修正膜８の
生成を極めて効率的に行うことができる。特に、本発明
者等の研究によれば本実施例によって、白点修正時間は
従来技術の約1/3〜1/4に短縮されることが明かとなっ
た。
〔実施例２〕 第４図は本発明の他の実施例による説明図である。
本実施例２では、FIBの走査経路を格子状にしたもの
である。
である。
上記円形状の修正エリアR2において、FIBを格子状に
走査照射することによって、白点修正は一方向のみの走
査の場合よりもさらに大きい走査ステップ間隔で確実に
行われ、露光時のレジスト上への白点の転写を確実に防
止できる最大限の走査ステップ間隔l2を実現できる。
走査照射することによって、白点修正は一方向のみの走
査の場合よりもさらに大きい走査ステップ間隔で確実に
行われ、露光時のレジスト上への白点の転写を確実に防
止できる最大限の走査ステップ間隔l2を実現できる。
しかも、この場合には、走査ステップ間隔が大きいこ
とにより、さらに高速での効率的な白点修正が可能であ
る。
とにより、さらに高速での効率的な白点修正が可能であ
る。
なお、このような格子状のFBIの走査照射制御に際し
ては、一旦一方向（例えば横方向Ｈ）の走査照射を行っ
た後、レチクル１を90度回転させて、他方向（例えば縦
方向Ｖ）の走査照射を行うことなどにより実現してもよ
いし、あるいはランダムに縦横方向の走査照射を繰り返
すように制御してもよい。
ては、一旦一方向（例えば横方向Ｈ）の走査照射を行っ
た後、レチクル１を90度回転させて、他方向（例えば縦
方向Ｖ）の走査照射を行うことなどにより実現してもよ
いし、あるいはランダムに縦横方向の走査照射を繰り返
すように制御してもよい。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発
明をその利用分野である、縮小投影露光に用いられるい
わゆるレチクルに適用した場合について説明したが、こ
れに限定されるものではなく、たとえば1:1の等倍露光
に用いられるホトマスクにおいても適用可能である。
明をその利用分野である、縮小投影露光に用いられるい
わゆるレチクルに適用した場合について説明したが、こ
れに限定されるものではなく、たとえば1:1の等倍露光
に用いられるホトマスクにおいても適用可能である。
本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
すなわち、本発明によれば、集束イオンビームの走査
照射による白点修正に際して、効率的な修正膜の形成が
可能となる。
照射による白点修正に際して、効率的な修正膜の形成が
可能となる。
【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の一実施例による白点およびこれに対
する集束イオンビームの走査照射経路を示す説明図、 第２図（ａ）および（ｂ）は、それぞれ白点発生状態お
よびその修正膜の形成状態を示す拡大部分斜視図、 第２図（ｃ）および（ｄ）は、上記第２図（ａ）および
（ｂ）に対応する部分断面図、 第３図は、本実施例で用いられるレチクルを示す斜視
図、 第４図は、本発明の他の実施例による集束イオンビーム
の走査照射経路を示す説明図、 第５図は、白点の発生状態を示す拡大部分斜視図、 第６図は、従来技術における白点修正方法を示す拡大部
分平面図である。 １……レチクル、２……透明基板（石英ガラス）、３…
…回路パターン、４……遮光膜、５……レクト部、6a…
…第１の酸化膜、6b……第２の酸化膜、７……白点、８
……修正膜、R1,R2,R3……修正エリア。
する集束イオンビームの走査照射経路を示す説明図、 第２図（ａ）および（ｂ）は、それぞれ白点発生状態お
よびその修正膜の形成状態を示す拡大部分斜視図、 第２図（ｃ）および（ｄ）は、上記第２図（ａ）および
（ｂ）に対応する部分断面図、 第３図は、本実施例で用いられるレチクルを示す斜視
図、 第４図は、本発明の他の実施例による集束イオンビーム
の走査照射経路を示す説明図、 第５図は、白点の発生状態を示す拡大部分斜視図、 第６図は、従来技術における白点修正方法を示す拡大部
分平面図である。 １……レチクル、２……透明基板（石英ガラス）、３…
…回路パターン、４……遮光膜、５……レクト部、6a…
…第１の酸化膜、6b……第２の酸化膜、７……白点、８
……修正膜、R1,R2,R3……修正エリア。
Claims (4)
- 【請求項１】ホトマスクまたはレチクルの遮光膜上に生
じた白点上に修正膜を堆積形成する際に、上記白点を覆
う修正エリアを予め設定した後、上記修正エリア内にお
いて走査ステップ間隔を露光時におけるレジスト上への
転写感度に影響しない範囲の最大限の距離長にして集束
イオンビームの走査照射を行うことを特徴とする白点修
正方法。 - 【請求項２】上記走査ステップ間隔が0.5μｍ〜1.0μｍ
であることを特徴とする請求項１記載の白点修正方法。 - 【請求項３】上記で設定される修正エリアが少なくとも
上記白点を含む円形状であることを特徴とする請求項１
記載の白点修正方法。 - 【請求項４】集束イオンビームの走査照射の際に、走査
方向が90度異なる２種類の走査照射に組み合わせ、格子
状に集束イオンビームを走査照射することを特徴とする
請求項１記載の白点修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22864988A JP2664218B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 白点修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22864988A JP2664218B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 白点修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0277745A JPH0277745A (ja) | 1990-03-16 |
| JP2664218B2 true JP2664218B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=16879644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22864988A Expired - Lifetime JP2664218B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 白点修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2664218B2 (ja) |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP22864988A patent/JP2664218B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0277745A (ja) | 1990-03-16 |
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