JPS60208756A - 転写方法 - Google Patents
転写方法Info
- Publication number
- JPS60208756A JPS60208756A JP59065260A JP6526084A JPS60208756A JP S60208756 A JPS60208756 A JP S60208756A JP 59065260 A JP59065260 A JP 59065260A JP 6526084 A JP6526084 A JP 6526084A JP S60208756 A JPS60208756 A JP S60208756A
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- JP
- Japan
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- alignment
- exposure
- light
- wafer
- mask
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、位置合わせ方法に関し、特に半導体製造工程
においてマスクのパターンをウェハに位置合わせして露
光する転写方法に関する。
においてマスクのパターンをウェハに位置合わせして露
光する転写方法に関する。
半導体製造における微細加工技術は近年急速に進み、サ
ブミクロン領域の回路パターンの加工が要求されている
。
ブミクロン領域の回路パターンの加工が要求されている
。
０．５ミクロン以下の回路パターンを重ね合わせて転写
するには高精度のアライメント機構、高い分解能と高い
スループットが要求されるが、従来のアライメント法と
してはレーザー光等の光を用いた方法と、電子ビームや
イオンビーム等の荷電粒子を用いた方法がある。
するには高精度のアライメント機構、高い分解能と高い
スループットが要求されるが、従来のアライメント法と
してはレーザー光等の光を用いた方法と、電子ビームや
イオンビーム等の荷電粒子を用いた方法がある。
前者の光を用いたアライメント方式は、光の反射や干渉
現像を利用しており、従ってウェハ表面の凹凸や 蒸着
膜の様に光反射率の高い条件の下では、精密なアライメ
ントが難しい。
現像を利用しており、従ってウェハ表面の凹凸や 蒸着
膜の様に光反射率の高い条件の下では、精密なアライメ
ントが難しい。
後者の荷電粒子を用いたアライメント法は高精度の分解
能の点で特徴があるが、全ての条件に対して可能ではな
く、例えば厚い酸化膜の上の厚いレジストの上に荷電粒
子を照射してアライメントマークを検出する場合、レジ
スト内や酸化膜内のチャージアップがアライメント精度
を悪くする。
能の点で特徴があるが、全ての条件に対して可能ではな
く、例えば厚い酸化膜の上の厚いレジストの上に荷電粒
子を照射してアライメントマークを検出する場合、レジ
スト内や酸化膜内のチャージアップがアライメント精度
を悪くする。
他方、微細な回路パターンをシリコンウェハ上に転写す
る技術は、光露光法を始め、Ｘ線、電子線やイオンを用
いた露光技術がそれぞれ開発されているが、マスクを用
いた転写露光法は、スルーブツトの点で特に優れている
。
る技術は、光露光法を始め、Ｘ線、電子線やイオンを用
いた露光技術がそれぞれ開発されているが、マスクを用
いた転写露光法は、スルーブツトの点で特に優れている
。
露光分解能の面では、光露光はスループットの面では良
いが、０．５ミクロン以下の微細露光が難しく、逆にＸ
線露光では微細な露光には適しているが、スループット
の点で問題があった。また、半導体プロセスの中にはＸ
線に対するダメージでＸ線が使うことができない場合や
、特に高分解能の露光を必要としない場合がある。
いが、０．５ミクロン以下の微細露光が難しく、逆にＸ
線露光では微細な露光には適しているが、スループット
の点で問題があった。また、半導体プロセスの中にはＸ
線に対するダメージでＸ線が使うことができない場合や
、特に高分解能の露光を必要としない場合がある。
本発明は、上記従来例の欠点に鑑み、各半導体製造プロ
セスにおいて最適のアライメント法を選択する位置合わ
せ方法を提供することを目的とする。
セスにおいて最適のアライメント法を選択する位置合わ
せ方法を提供することを目的とする。
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。第１図は
本発明の一実施例に係る半導体転写工程の説明図である
。
本発明の一実施例に係る半導体転写工程の説明図である
。
ウェハＷはまずレジストベークなどの前工程１からアラ
イメント室Ａに搬入されると、ステップＣＩにおいて荷
電粒子によるアライメント工程４に進むか或いは光によ
るアライメント工程５に進むか選択される。この選択は
、搬入されるウェハＷ上の光反射率の程度や、酸化膜、
レジストの厚み等を考慮して行われる。次いで、ウェハ
Ｗは、選択された工程４又は５においてマスク２又はマ
スク３との位置合わせが行われる。ここでマスク２はＸ
線露光用のものを用い、マスク３は光露光用のものを用
いてもよいが、一般にＸ線露光用のマスク基板は光に対
しても透過性が良いので、光アライメント工程５におい
てもマスク３をＸ線用マスク２と共通して用いることが
できる。
イメント室Ａに搬入されると、ステップＣＩにおいて荷
電粒子によるアライメント工程４に進むか或いは光によ
るアライメント工程５に進むか選択される。この選択は
、搬入されるウェハＷ上の光反射率の程度や、酸化膜、
レジストの厚み等を考慮して行われる。次いで、ウェハ
Ｗは、選択された工程４又は５においてマスク２又はマ
スク３との位置合わせが行われる。ここでマスク２はＸ
線露光用のものを用い、マスク３は光露光用のものを用
いてもよいが、一般にＸ線露光用のマスク基板は光に対
しても透過性が良いので、光アライメント工程５におい
てもマスク３をＸ線用マスク２と共通して用いることが
できる。
この場合アライメント機構を一層単純化することができ
る。
る。
アライメント室Ａにおいて位置合わせが終了すると、ウ
ェハＷとマスク２又は３は、露光室Ｂに搬入され、ステ
ップＣ２においてＸ線による露光工程６か或いは光によ
る露光工程７が選択される。この選択は、転写されるマ
スクパターンの露光分解能やスルーブツト等を考慮して
行われる。
ェハＷとマスク２又は３は、露光室Ｂに搬入され、ステ
ップＣ２においてＸ線による露光工程６か或いは光によ
る露光工程７が選択される。この選択は、転写されるマ
スクパターンの露光分解能やスルーブツト等を考慮して
行われる。
露光工程６においては光源としてＸ線が用いられ、露光
工程７においては遠紫外線などが用いられる。またマス
ク２（又は３）とウェハＷの配置位置は、機構の簡略化
のためにコンタクト（密着）方式やプロキシミティ（近
接）方式が望ましい。尚、工程６．７のいずれにおいて
も、点光源からの発散光でマスクパターンをウェハＷに
一括転写する方式や、又平行性の良い帯状にした光源を
用いてマスクとウェハが一体でその下を通過する走査露
光方式を用いることができる。
工程７においては遠紫外線などが用いられる。またマス
ク２（又は３）とウェハＷの配置位置は、機構の簡略化
のためにコンタクト（密着）方式やプロキシミティ（近
接）方式が望ましい。尚、工程６．７のいずれにおいて
も、点光源からの発散光でマスクパターンをウェハＷに
一括転写する方式や、又平行性の良い帯状にした光源を
用いてマスクとウェハが一体でその下を通過する走査露
光方式を用いることができる。
次にステップＣ３において露光完了が確認されると、ウ
ェハＷは現像などの次の工程８に搬入される。
ェハＷは現像などの次の工程８に搬入される。
前記実施例では、露光室ＢをＸ線露光工程６と光露光工
程７を選択可能としたが、第２図及び第３図にそれぞれ
示すように、所望の解像線幅とスループットを考慮して
Ｘ線露光工程６のみ、光露光工程７のみとしてもよい。
程７を選択可能としたが、第２図及び第３図にそれぞれ
示すように、所望の解像線幅とスループットを考慮して
Ｘ線露光工程６のみ、光露光工程７のみとしてもよい。
この場合の半導体転写装置は、第１図のそれに比べて安
価となる。
価となる。
以上説明したように、本発明は２つのアライメント方式
の複合化により、露光の微細化、スループットと２重ね
合わせ精度等の総合性能の優れた転写装置が実現する。
の複合化により、露光の微細化、スループットと２重ね
合わせ精度等の総合性能の優れた転写装置が実現する。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体転写工程の説明
図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明の他の実施例の
説明図である。 １−ｍ−前工程 ２−ｍ−マスク ３−ｍ−マスク ４−ｍ＝荷電粒子・アライメント工程 ５−−一層アライメント工程 ６−−−Ｘ線露光工程 ７−−−光露光工程 ８−一一後工程 Ｗ −−−ウェハ Ｃ１−−−アライメント選択工程 Ｃ２−ｍ−露光選択工程 Ｃ３−ｍ−露光完了確認工程 Ａ −ｍ−アライメント室 Ｂ、Ｂ′ 、Ｂ”−一一露光室
図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明の他の実施例の
説明図である。 １−ｍ−前工程 ２−ｍ−マスク ３−ｍ−マスク ４−ｍ＝荷電粒子・アライメント工程 ５−−一層アライメント工程 ６−−−Ｘ線露光工程 ７−−−光露光工程 ８−一一後工程 Ｗ −−−ウェハ Ｃ１−−−アライメント選択工程 Ｃ２−ｍ−露光選択工程 Ｃ３−ｍ−露光完了確認工程 Ａ −ｍ−アライメント室 Ｂ、Ｂ′ 、Ｂ”−一一露光室
Claims (3)
- （１）荷電粒子を用いた位置合わせと光を用いた位置合
わせのいずれかを選択して位置合わせを行う工程を有す
る位置合わせ方法。 - （２）荷電粒子を用いた位置合わせと光を用いた位置合
わせのいずれかを選択して位置合わせを行う工程と、Ｘ
線による露光を行う工程を有する転写方法。 - （３）荷電粒子を用いた位置合わせと光を用いた位置合
わせのいずれかを選択して位置合わぜを行う工程と、光
による露光を行う工程を有する転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065260A JPS60208756A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065260A JPS60208756A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 転写方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208756A true JPS60208756A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH0574208B2 JPH0574208B2 (ja) | 1993-10-18 |
Family
ID=13281764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59065260A Granted JPS60208756A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208756A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7651722B2 (en) * | 2001-06-12 | 2010-01-26 | Sony Corporation | Apparatus and method for manufacturing an organic electroluminescence display |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057778A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-20 |
-
1984
- 1984-04-03 JP JP59065260A patent/JPS60208756A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057778A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-20 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7651722B2 (en) * | 2001-06-12 | 2010-01-26 | Sony Corporation | Apparatus and method for manufacturing an organic electroluminescence display |
| US8034178B2 (en) | 2001-06-12 | 2011-10-11 | Sony Corporation | Apparatus and method for manufacturing an organic electroluminescence display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0574208B2 (ja) | 1993-10-18 |
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