JPH0574208B2 - - Google Patents
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- JPH0574208B2 JPH0574208B2 JP59065260A JP6526084A JPH0574208B2 JP H0574208 B2 JPH0574208 B2 JP H0574208B2 JP 59065260 A JP59065260 A JP 59065260A JP 6526084 A JP6526084 A JP 6526084A JP H0574208 B2 JPH0574208 B2 JP H0574208B2
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- Japan
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- alignment
- wafer
- light
- exposure
- mask
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Links
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
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- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、転写方法に関し、特に、半導体製造
工程においてマスクのパターンをウエハに露光転
写する転写方法に関する。
工程においてマスクのパターンをウエハに露光転
写する転写方法に関する。
半導体製造における微細加工技術は近年急速に
発展し、最近では、サブミクロン領域の回路パタ
ーンの加工が要求されている。
発展し、最近では、サブミクロン領域の回路パタ
ーンの加工が要求されている。
0.5ミクロン以下の回路パターンを重ね合わせ
て転写するには、高精度のアライメント機構が要
求されるほか、高い分解能と高いスループツトと
が要求される。従来のアライメント方法として
は、レーザー光などの光を用いたアライメント方
法や、電子ビームやイオンビームなどの荷電粒子
を用いたアライメント方法がある。
て転写するには、高精度のアライメント機構が要
求されるほか、高い分解能と高いスループツトと
が要求される。従来のアライメント方法として
は、レーザー光などの光を用いたアライメント方
法や、電子ビームやイオンビームなどの荷電粒子
を用いたアライメント方法がある。
前者の光を用いたアライメント方法は、光の反
射や干渉現象を利用しているため、ウエハの表面
に凹凸がある場合や蒸着膜のように光反射率の高
い条件の下では、精密なアライメントが難しい。
射や干渉現象を利用しているため、ウエハの表面
に凹凸がある場合や蒸着膜のように光反射率の高
い条件の下では、精密なアライメントが難しい。
後者の荷電粒子を用いたアライメント方法は、
高精度の分解能が実現できる点で特徴があるが、
すべての条件に対して可能ではなく、たとえば、
厚いレジストの上に荷電粒子を照射してアライメ
ントマークを検出する場合には、レジスト内や酸
化膜内のチヤージアツプがアライメント精度を悪
くする。
高精度の分解能が実現できる点で特徴があるが、
すべての条件に対して可能ではなく、たとえば、
厚いレジストの上に荷電粒子を照射してアライメ
ントマークを検出する場合には、レジスト内や酸
化膜内のチヤージアツプがアライメント精度を悪
くする。
微細な回路パターンをシリコンウエハ上に露光
転写する技術としては、光露光法を始め、Ｘ線、
電子線やイオンを用いた露光方がそれぞれ開発さ
れているが、マスクを用いた露光法は、スループ
ツトの点で特に優れている。
転写する技術としては、光露光法を始め、Ｘ線、
電子線やイオンを用いた露光方がそれぞれ開発さ
れているが、マスクを用いた露光法は、スループ
ツトの点で特に優れている。
光露光法は、高スループツトが実現できる点で
優れているが、0.5ミクロン以下の微細露光が難
しく、逆に、Ｘ線露光法は、微細な露光には適し
ているが、スループツトの点で問題がある。ま
た、半導体プロセスの中には、Ｘ線に対するダメ
ージからＸ線を使うことができない場合や、特に
高分解能の露光を必要としない場合がある。
優れているが、0.5ミクロン以下の微細露光が難
しく、逆に、Ｘ線露光法は、微細な露光には適し
ているが、スループツトの点で問題がある。ま
た、半導体プロセスの中には、Ｘ線に対するダメ
ージからＸ線を使うことができない場合や、特に
高分解能の露光を必要としない場合がある。
本発明は、上記従来例の欠点に鑑み、各半導体
プロセスにおける最適のアライメント方法を選択
できる転写方法を提供することを目的とする。
プロセスにおける最適のアライメント方法を選択
できる転写方法を提供することを目的とする。
本発明の転写方法は、
ウエハの種類に応じて、荷電粒子を用いたアラ
イメント方法と光を用いたアライメント方法との
いずれか一方を選択する選択工程と、 該選択工程で選択したアライメント方法によつ
てウエハの位置合わせを行うアライメント工程
と、 該アライメント工程で位置合わせを行つたウエ
ハにパターンを露光転写する転写工程と、 を有する。
イメント方法と光を用いたアライメント方法との
いずれか一方を選択する選択工程と、 該選択工程で選択したアライメント方法によつ
てウエハの位置合わせを行うアライメント工程
と、 該アライメント工程で位置合わせを行つたウエ
ハにパターンを露光転写する転写工程と、 を有する。
ここで、選択工程は、ウエハの光反射率，酸化
膜の厚み、レジストの厚みのいずれかに応じて、
荷電粒子を用いたアライメント方法と光を用いた
アライメント方法とのいずれか一方を選択しても
よい。
膜の厚み、レジストの厚みのいずれかに応じて、
荷電粒子を用いたアライメント方法と光を用いた
アライメント方法とのいずれか一方を選択しても
よい。
以下、図面を参照して、本発明の実施例につい
て説明する。
て説明する。
第１図は、本発明の転写方法の一実施例に係る
半導体転写工程の説明図である。
半導体転写工程の説明図である。
レジストベークなどの前工程１が施されたウエ
ハＷがアライメント室Ａに搬入されると、アライ
メント選択工程Ｃ１において、荷電粒子を用いた
アライメント工程（以下、「荷電粒子アライメン
ト工程４」と称する。）に進むか光を用いたアラ
イメント工程（以下、「光アライメント工程５」
と称する）に進むかの選択が行われる。この選択
は、搬入されるウエハＷの光反射率の程度や、酸
化膜の厚み、レジストの厚みなどを考慮して行わ
れる。
ハＷがアライメント室Ａに搬入されると、アライ
メント選択工程Ｃ１において、荷電粒子を用いた
アライメント工程（以下、「荷電粒子アライメン
ト工程４」と称する。）に進むか光を用いたアラ
イメント工程（以下、「光アライメント工程５」
と称する）に進むかの選択が行われる。この選択
は、搬入されるウエハＷの光反射率の程度や、酸
化膜の厚み、レジストの厚みなどを考慮して行わ
れる。
荷電粒子アライメント工程４が選択された場合
には、ウエハＷとＸ線露光用のマスク２との位置
合わせが行われる。一方、光アライメント工程５
が選択される場合には、ウエハＷと光露光用のマ
スク３との位置合わせが行われる。なお、一般
に、Ｘ線露光用のマスク基板は光に対しても透過
性がよいため、光アライメント工程５において用
いるマスクとしては、光露光用のマスク３の代わ
りに、荷電粒子アライメント工程４において用い
るＸ線露光用のマスク２としてもよい。この場合
には、アライメント機構を一層単純化することが
できる。
には、ウエハＷとＸ線露光用のマスク２との位置
合わせが行われる。一方、光アライメント工程５
が選択される場合には、ウエハＷと光露光用のマ
スク３との位置合わせが行われる。なお、一般
に、Ｘ線露光用のマスク基板は光に対しても透過
性がよいため、光アライメント工程５において用
いるマスクとしては、光露光用のマスク３の代わ
りに、荷電粒子アライメント工程４において用い
るＸ線露光用のマスク２としてもよい。この場合
には、アライメント機構を一層単純化することが
できる。
アライメント室Ａにおける位置合わせが終了す
ると、ウエハＷとマスク２とマスク３とは、露光
室Ｂにそれぞれ搬入され、露光選択工程Ｃ２にお
いて、Ｘ線による露光工程（以下、「Ｘ線露光工
程６」と称する。）に進むか光による露光工程
（以下、「光露光工程７」と称する。）に進むかの
選択が行われる。この選択は、転写されるマスク
パターンの露光分解能やスループツトなどを考慮
して行われる。
ると、ウエハＷとマスク２とマスク３とは、露光
室Ｂにそれぞれ搬入され、露光選択工程Ｃ２にお
いて、Ｘ線による露光工程（以下、「Ｘ線露光工
程６」と称する。）に進むか光による露光工程
（以下、「光露光工程７」と称する。）に進むかの
選択が行われる。この選択は、転写されるマスク
パターンの露光分解能やスループツトなどを考慮
して行われる。
なお、Ｘ線露光工程６における光源としては、
Ｘ線が用いられ、また、光露光工程７における光
源としては、遠紫外線などが用いられる。また、
ウエハＷとマスク２（またはマスク３）との配置
については、機構の簡略化のために、コンタクト
（密着）方式やプロキシミテイ（近接）方式を用
いるのが望ましい。さらに、Ｘ線露光工程６およ
び光露光工程７のいずれにおいても、点光源から
の発散光でマスクパターンをウエハＷに一活転写
する方式や、平行性のよい帯状にした光源を用い
てマスクとウエハとが一体でその下を通過する走
査露光方式を用いることができる。
Ｘ線が用いられ、また、光露光工程７における光
源としては、遠紫外線などが用いられる。また、
ウエハＷとマスク２（またはマスク３）との配置
については、機構の簡略化のために、コンタクト
（密着）方式やプロキシミテイ（近接）方式を用
いるのが望ましい。さらに、Ｘ線露光工程６およ
び光露光工程７のいずれにおいても、点光源から
の発散光でマスクパターンをウエハＷに一活転写
する方式や、平行性のよい帯状にした光源を用い
てマスクとウエハとが一体でその下を通過する走
査露光方式を用いることができる。
続いて、露光完了確認工程Ｃ３において、露光
完了が確認されると、現象などの後工程８がウエ
ハＷに施される。
完了が確認されると、現象などの後工程８がウエ
ハＷに施される。
以上説明した実施例では、露光室Ｂにおいて、
Ｘ線露光工程６と光露光工程７との選択を可能と
したが、第２図および第３図にそれぞれ示すよう
に、所望の解像線幅およびスループツトを考慮し
て、Ｘ線露光工程６のみまたは光露光工程７のみ
としてもよい。この場合の半導体転写装置は、第
１図の場合の半導体転写装置と比べて、安価とな
る。
Ｘ線露光工程６と光露光工程７との選択を可能と
したが、第２図および第３図にそれぞれ示すよう
に、所望の解像線幅およびスループツトを考慮し
て、Ｘ線露光工程６のみまたは光露光工程７のみ
としてもよい。この場合の半導体転写装置は、第
１図の場合の半導体転写装置と比べて、安価とな
る。
以上説明したように、本発明は、ウエハの種類
（ウエハの光反射率，酸化膜の厚み、レジストの
厚み）に応じて、荷電粒子を用いたアライメント
方法と光を用いたアライメント方法とのいずれか
一方を選択し、選択したアライメント方法によつ
てウエハの位置合わせを行なうことにより、露光
の微細化，スループツトおよび重ね合わせ精度な
どの総合性能の優れた転写方法を実現することが
できる。
（ウエハの光反射率，酸化膜の厚み、レジストの
厚み）に応じて、荷電粒子を用いたアライメント
方法と光を用いたアライメント方法とのいずれか
一方を選択し、選択したアライメント方法によつ
てウエハの位置合わせを行なうことにより、露光
の微細化，スループツトおよび重ね合わせ精度な
どの総合性能の優れた転写方法を実現することが
できる。
第１図は本発明の転写方法の一実施例に係る半
導体転写工程の説明図、第２図および第３図はそ
れぞれ本発明の転写方法の他の実施例の説明図で
ある。 １……前工程、２，３……マスク、４……荷電
粒子アライメント工程、５……光アライメント工
程、６……Ｘ線露光工程、７……光露光工程、８
……後工程、Ｗ……ウエハ、Ｃ１……アライメン
ト選択工程、Ｃ２……露光選択工程、Ｃ３……露
光完了確認工程、Ａ……アライメント室、Ｂ，
B′，B″……露光室。
導体転写工程の説明図、第２図および第３図はそ
れぞれ本発明の転写方法の他の実施例の説明図で
ある。 １……前工程、２，３……マスク、４……荷電
粒子アライメント工程、５……光アライメント工
程、６……Ｘ線露光工程、７……光露光工程、８
……後工程、Ｗ……ウエハ、Ｃ１……アライメン
ト選択工程、Ｃ２……露光選択工程、Ｃ３……露
光完了確認工程、Ａ……アライメント室、Ｂ，
B′，B″……露光室。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ウエハの種類に応じて、荷電粒子を用いたア
ライメント方法と光を用いたアライメント方法と
のいずれか一方を選択する選択工程と、 該選択工程で選択したアライメント方法によつ
てウエハの位置合わせを行うアライメント工程
と、 該アライメント工程で位置合わせを行つたウエ
ハにパターンを露光転写する転写工程と、 を有することを特徴とする転写方法。 ２ 前記選択工程は、ウエハの光反射率，酸化膜
の厚み，レジストの厚みのいずれかに応じて、前
記荷電粒子を用いたアライメント方法と前記光を
用いたアライメント方法とのいずれか一方を選択
する特許請求の範囲第１項記載の転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065260A JPS60208756A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065260A JPS60208756A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 転写方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208756A JPS60208756A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH0574208B2 true JPH0574208B2 (ja) | 1993-10-18 |
Family
ID=13281764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59065260A Granted JPS60208756A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208756A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4078813B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2008-04-23 | ソニー株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057778A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-20 |
-
1984
- 1984-04-03 JP JP59065260A patent/JPS60208756A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057778A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60208756A (ja) | 1985-10-21 |
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